JPH06333848A - プラズマ生成装置 - Google Patents
プラズマ生成装置Info
- Publication number
- JPH06333848A JPH06333848A JP5125668A JP12566893A JPH06333848A JP H06333848 A JPH06333848 A JP H06333848A JP 5125668 A JP5125668 A JP 5125668A JP 12566893 A JP12566893 A JP 12566893A JP H06333848 A JPH06333848 A JP H06333848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- microwave
- container
- holding container
- blocking wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】プラズマ保持容器7,7aの一部をマイクロ波
遮断壁12で覆う。マイクロ波遮断壁と外部容器10の
間がマイクロ波の通路になるように間隙15を設け、マ
イクロ波発生源8で発生したマイクロ波をプラズマ保持
容器上面7とプラズマ保持容器側面7aから入射させ
る。 【効果】プラズマ密度分布の制御と高密度化ができる。
遮断壁12で覆う。マイクロ波遮断壁と外部容器10の
間がマイクロ波の通路になるように間隙15を設け、マ
イクロ波発生源8で発生したマイクロ波をプラズマ保持
容器上面7とプラズマ保持容器側面7aから入射させ
る。 【効果】プラズマ密度分布の制御と高密度化ができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ生成装置を備
えたプラズマ処理装置に係り、特に、半導体素子の微細
加工に好適なプラズマ処理装置に関する。
えたプラズマ処理装置に係り、特に、半導体素子の微細
加工に好適なプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】プラズマを用いたドライエッチング装置
や化学気相成膜(CVD)装置では、均一で高密度なプ
ラズマを生成するために様々な発明がなされている。例
えば、特開平3−229859 号公報では回転磁場を与えてプ
ラズマを均一化し、特開平2−139924号公報ではやはり
磁場を変動させることによりプラズマの均一化を図って
いる。また、特開平3−79771号公報ではプラズマ中に電
極を差し込んでプラズマを均一化している。しかし、こ
れらはどれもマイクロ波がプラズマにどのように入射す
るかを制御しておらず、特に、従来のマイクロ波プラズ
マ装置はマイクロ波がECR面の片面からのみ入射する
ものばかりである。
や化学気相成膜(CVD)装置では、均一で高密度なプ
ラズマを生成するために様々な発明がなされている。例
えば、特開平3−229859 号公報では回転磁場を与えてプ
ラズマを均一化し、特開平2−139924号公報ではやはり
磁場を変動させることによりプラズマの均一化を図って
いる。また、特開平3−79771号公報ではプラズマ中に電
極を差し込んでプラズマを均一化している。しかし、こ
れらはどれもマイクロ波がプラズマにどのように入射す
るかを制御しておらず、特に、従来のマイクロ波プラズ
マ装置はマイクロ波がECR面の片面からのみ入射する
ものばかりである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】現行のプラズマ生成装
置では、プラズマにできるだけマイクロ波を当てるため
に、プラズマへのマイクロ波の入射の状態を制御してい
ない。
置では、プラズマにできるだけマイクロ波を当てるため
に、プラズマへのマイクロ波の入射の状態を制御してい
ない。
【0004】上記従来技術でも、プラズマ中の磁場分布
を変化させるなど、マイクロ波の吸収分布を制御するも
ので、プラズマへのマイクロ波の吸収機構が完全にわか
っていない現在では、プラズマを制御するには不十分で
ある。
を変化させるなど、マイクロ波の吸収分布を制御するも
ので、プラズマへのマイクロ波の吸収機構が完全にわか
っていない現在では、プラズマを制御するには不十分で
ある。
【0005】本発明の目的は、プラズマへのマイクロ波
入射の状態を簡単な構造で制御し、プラズマの均一化を
実現することにある。
入射の状態を簡単な構造で制御し、プラズマの均一化を
実現することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、プラズマ発生源と、前記プラズマ発生源
で発生したプラズマを保持するプラズマ保持容器と、マ
イクロ波発生源と、前記プラズマ保持容器を囲み前記マ
イクロ波発生源で発生したマイクロ波を内部に封じ込め
る外部容器とを備えたプラズマ生成装置において、プラ
ズマ保持容器の一部をマイクロ波遮断壁で覆い、マイク
ロ波遮断壁の位置によりプラズマ容器内部のプラズマの
分布状態を制御する手段を提供する。
成するために、プラズマ発生源と、前記プラズマ発生源
で発生したプラズマを保持するプラズマ保持容器と、マ
イクロ波発生源と、前記プラズマ保持容器を囲み前記マ
イクロ波発生源で発生したマイクロ波を内部に封じ込め
る外部容器とを備えたプラズマ生成装置において、プラ
ズマ保持容器の一部をマイクロ波遮断壁で覆い、マイク
ロ波遮断壁の位置によりプラズマ容器内部のプラズマの
分布状態を制御する手段を提供する。
【0007】
【作用】マイクロ波発生源で発生したマイクロ波は電磁
波を透過するプラズマ保持容器に入射する。プラズマ保
持容器の一部はマイクロ波遮断壁で被覆されているの
で、被覆部からはマイクロ波は入射しない。マイクロ波
遮断壁は固定されていなければ、その位置を変えること
により、プラズマ保持容器へのマイクロ波の入射の状態
を変えることができる。反射したマイクロ波はプラズマ
保持容器を囲む外部容器で反射し、再びプラズマ保持容
器へ入射する。
波を透過するプラズマ保持容器に入射する。プラズマ保
持容器の一部はマイクロ波遮断壁で被覆されているの
で、被覆部からはマイクロ波は入射しない。マイクロ波
遮断壁は固定されていなければ、その位置を変えること
により、プラズマ保持容器へのマイクロ波の入射の状態
を変えることができる。反射したマイクロ波はプラズマ
保持容器を囲む外部容器で反射し、再びプラズマ保持容
器へ入射する。
【0008】さらに、電子サイクロトロン(ECR)共鳴
を利用している場合、装置内部には磁束密度875ガウ
スの等磁束密度面である電子サイクロトロン共鳴面(E
CR面)がある。マイクロ波はプラズマ中ではECR面
の近傍で吸収されるが、大気中ではECR面を通過す
る。従って、マイクロ波発生源で発生したマイクロ波の
一部は直接プラズマ保持容器に入射しECR面で吸収さ
せ、マイクロ波の一部はマイクロ波遮断壁と外部容器の
間を伝播させ大気中で、一旦、ECR面を通過させ、そ
の後にプラズマ保持容器に入射し逆方向からECR面に
マイクロ波を入れる。ECR面の両側からマイクロ波を
当てることにより高密度なプラズマが得られ、マイクロ
波遮断壁の位置を調節することによりプラズマの密度の
分布を制御できる。
を利用している場合、装置内部には磁束密度875ガウ
スの等磁束密度面である電子サイクロトロン共鳴面(E
CR面)がある。マイクロ波はプラズマ中ではECR面
の近傍で吸収されるが、大気中ではECR面を通過す
る。従って、マイクロ波発生源で発生したマイクロ波の
一部は直接プラズマ保持容器に入射しECR面で吸収さ
せ、マイクロ波の一部はマイクロ波遮断壁と外部容器の
間を伝播させ大気中で、一旦、ECR面を通過させ、そ
の後にプラズマ保持容器に入射し逆方向からECR面に
マイクロ波を入れる。ECR面の両側からマイクロ波を
当てることにより高密度なプラズマが得られ、マイクロ
波遮断壁の位置を調節することによりプラズマの密度の
分布を制御できる。
【0009】
【実施例】図1にプラズマ処理装置の一例として、マイ
クロ波プラズマエッチング装置を示す。
クロ波プラズマエッチング装置を示す。
【0010】装置の中心部にはエッチングされる試料2
が試料台3の上に設置されている。試料台は電極を兼ね
ており、アース電極11との間に高周波のバイアス電流
を加えることもある。試料と試料台は、例えば、石英で
作られた円筒型のプラズマ保持容器7の内部に設置され
る。プラズマ保持容器の形状は、半球型のものや、円筒
型のものを用いるなど様々である。プラズマ保持容器内
部の処理室1はガス導入部4とガス排出部5につながっ
ている。プラズマ保持容器はさらに外部容器10に収納
されており、この外部容器の上部には導波管9を介し
て、マイクロ波発生源8が取り付けてある。外部容器の
外側にはコイル6が備え付けてあり、装置内部にECR
面を形成している。
が試料台3の上に設置されている。試料台は電極を兼ね
ており、アース電極11との間に高周波のバイアス電流
を加えることもある。試料と試料台は、例えば、石英で
作られた円筒型のプラズマ保持容器7の内部に設置され
る。プラズマ保持容器の形状は、半球型のものや、円筒
型のものを用いるなど様々である。プラズマ保持容器内
部の処理室1はガス導入部4とガス排出部5につながっ
ている。プラズマ保持容器はさらに外部容器10に収納
されており、この外部容器の上部には導波管9を介し
て、マイクロ波発生源8が取り付けてある。外部容器の
外側にはコイル6が備え付けてあり、装置内部にECR
面を形成している。
【0011】マイクロ波発生源8で発生した、例えば、
2.45GHz のマイクロ波は、導波管9を伝播して外
部容器10に入る。更にマイクロ波は電磁波を透過する
プラズマ保持容器7を通過し処理室に入射し、ECR面
近傍でプラズマに吸収される。この吸収されたエネルギ
は処理室内部をガス導入部からガス排出部に向かって流
れるエッチングガスをプラズマ化し、生成されたプラズ
マはさらにエッチングガスを活性反応種にし、エッチン
グが行われる。
2.45GHz のマイクロ波は、導波管9を伝播して外
部容器10に入る。更にマイクロ波は電磁波を透過する
プラズマ保持容器7を通過し処理室に入射し、ECR面
近傍でプラズマに吸収される。この吸収されたエネルギ
は処理室内部をガス導入部からガス排出部に向かって流
れるエッチングガスをプラズマ化し、生成されたプラズ
マはさらにエッチングガスを活性反応種にし、エッチン
グが行われる。
【0012】次に、図2により本発明の一実施例を説明
する。図2は、本発明を図1に示した半導体ウエハ加工
用のマイクロ波エッチング装置に適用した一実施例であ
り、装置の断面図を表す。装置の作用は基本的には図1
の装置とおなじである。
する。図2は、本発明を図1に示した半導体ウエハ加工
用のマイクロ波エッチング装置に適用した一実施例であ
り、装置の断面図を表す。装置の作用は基本的には図1
の装置とおなじである。
【0013】図2の装置はプラズマ保持容器が円筒型に
なっており、その外周をマイクロ波遮断壁12で覆って
ある。マイクロ波遮断壁は導体の筒であることもある
し、導体の網状の筒となっていてもよい。プラズマ保持
容器7と外部容器10の間には間隙15を広くとってあ
る。マイクロ波発生源8で発生したマイクロ波は導波管
9を伝って外部容器10に入り、更に、電磁波を透過す
るプラズマ保持容器7に入射し、ECR面14でプラズ
マに吸入されプラズマを生成する。しかし、プラズマの
密度が高くなってくると、次第にマイクロ波は吸収され
る量よりも反射される量が多くなってくる。反射したマ
イクロ波は外部容器とマイクロ波遮断壁12の間で反射
を繰り返しながら間隙15を通る。間隙15でマイクロ
波はECR面を通過しなければならないが、プラズマが無
いので容易に通過できる。間隙を通過したマイクロ波は
プラズマ保持容器の7aの部分より再び入射し、プラズ
マ保持容器の7の部分から入射したマイクロ波とは反対
側からECR面に当たり、吸収されたプラズマを生成す
る。マイクロ波はECR面とマイクロ波入射側の近傍で
主に吸収されるので、マイクロ波がECR面の両側から
入射することにより、マイクロ波の吸収領域が広がり高
いプラズマ密度がえられる。また、マイクロ波遮断壁1
2を上下に可変にしておくことにより、プラズマ保持容
器の上面7と側面7aからの入射量の比を変えることが
できるので、プラズマ保持容器内のプラズマの密度分布
を制御できる。
なっており、その外周をマイクロ波遮断壁12で覆って
ある。マイクロ波遮断壁は導体の筒であることもある
し、導体の網状の筒となっていてもよい。プラズマ保持
容器7と外部容器10の間には間隙15を広くとってあ
る。マイクロ波発生源8で発生したマイクロ波は導波管
9を伝って外部容器10に入り、更に、電磁波を透過す
るプラズマ保持容器7に入射し、ECR面14でプラズ
マに吸入されプラズマを生成する。しかし、プラズマの
密度が高くなってくると、次第にマイクロ波は吸収され
る量よりも反射される量が多くなってくる。反射したマ
イクロ波は外部容器とマイクロ波遮断壁12の間で反射
を繰り返しながら間隙15を通る。間隙15でマイクロ
波はECR面を通過しなければならないが、プラズマが無
いので容易に通過できる。間隙を通過したマイクロ波は
プラズマ保持容器の7aの部分より再び入射し、プラズ
マ保持容器の7の部分から入射したマイクロ波とは反対
側からECR面に当たり、吸収されたプラズマを生成す
る。マイクロ波はECR面とマイクロ波入射側の近傍で
主に吸収されるので、マイクロ波がECR面の両側から
入射することにより、マイクロ波の吸収領域が広がり高
いプラズマ密度がえられる。また、マイクロ波遮断壁1
2を上下に可変にしておくことにより、プラズマ保持容
器の上面7と側面7aからの入射量の比を変えることが
できるので、プラズマ保持容器内のプラズマの密度分布
を制御できる。
【0014】図3は、本発明をマイクロ波エッチング装
置に適用した、もう一つの実施例である。基本的な動作
原理は図2の実施例と同じで、マイクロ波遮断壁12の
形状が図2の実施例と異なり、間隙15の幅を変えるこ
とにより、間隙15を通過するマイクロ波の量を調整で
きるのが特徴である。
置に適用した、もう一つの実施例である。基本的な動作
原理は図2の実施例と同じで、マイクロ波遮断壁12の
形状が図2の実施例と異なり、間隙15の幅を変えるこ
とにより、間隙15を通過するマイクロ波の量を調整で
きるのが特徴である。
【0015】図4は、本発明をマイクロ波エッチング装
置に適用した、もう一つの実施例である。基本的な動作
原理は図2の実施例と同じで、マイクロ波遮断壁12の
形状が図2の実施例と異なり、ドーナツ型の円盤になっ
ており、マイクロ波遮断壁が非常に簡単にできるのが特
徴である。
置に適用した、もう一つの実施例である。基本的な動作
原理は図2の実施例と同じで、マイクロ波遮断壁12の
形状が図2の実施例と異なり、ドーナツ型の円盤になっ
ており、マイクロ波遮断壁が非常に簡単にできるのが特
徴である。
【0016】図5は、本発明をマイクロ波エッチング装
置に適用した、もう一つの実施例である。基本的な動作
原理は図2の実施例と同じであるが、本実施例では、プ
ラズマ保持容器の上部にもマイクロ波遮断壁12aを設
けてある。本実施例ではマイクロ波遮断壁12aは円錐
型で固定してあるが、非対称形であってもよいし、回転
するなど動いていてもよい。このマイクロ波遮断壁によ
り導波管9からプラズマ保持容器7へ直接入射するマイ
クロ波の一部を反射し、反射したマイクロ波を外部容器
10とマイクロ波遮断壁12の間の間隙15を通してプ
ラズマ保持容器の7a部より入射させる。従って、マイ
クロ波遮断壁12aの形状によりECR面14の上と下
から入射するマイクロ波の量を調整でき、プラズマ保持
容器内のプラズマ分布を調節できる。
置に適用した、もう一つの実施例である。基本的な動作
原理は図2の実施例と同じであるが、本実施例では、プ
ラズマ保持容器の上部にもマイクロ波遮断壁12aを設
けてある。本実施例ではマイクロ波遮断壁12aは円錐
型で固定してあるが、非対称形であってもよいし、回転
するなど動いていてもよい。このマイクロ波遮断壁によ
り導波管9からプラズマ保持容器7へ直接入射するマイ
クロ波の一部を反射し、反射したマイクロ波を外部容器
10とマイクロ波遮断壁12の間の間隙15を通してプ
ラズマ保持容器の7a部より入射させる。従って、マイ
クロ波遮断壁12aの形状によりECR面14の上と下
から入射するマイクロ波の量を調整でき、プラズマ保持
容器内のプラズマ分布を調節できる。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な構造でマイクロ
波のプラズマへの入射状態を調節できるので、均一かつ
高密度なプラズマを得ることができるため、高速で均一
性の高いプラズマ処理を行うことができる。
波のプラズマへの入射状態を調節できるので、均一かつ
高密度なプラズマを得ることができるため、高速で均一
性の高いプラズマ処理を行うことができる。
【図1】従来のマイクロ波プラズマエッチング装置の斜
視図。
視図。
【図2】本発明の一実施例の縦断面図。
【図3】本発明の他の実施例の縦断面図。
【図4】本発明の更に他の実施例の縦断面図。
【図5】本発明の更に他の実施例の縦断面図。
1…処理室、2…試料、3…試料台、6…コイル、7…
プラズマ保持容器、8…マイクロ波発生源、9…導波
管、10…外部容器、12…マイクロ波遮断壁、13…
間隙、14…ECR面。
プラズマ保持容器、8…マイクロ波発生源、9…導波
管、10…外部容器、12…マイクロ波遮断壁、13…
間隙、14…ECR面。
Claims (7)
- 【請求項1】プラズマ発生源と、前記プラズマ発生源で
発生したプラズマを保持するプラズマ保持容器と、マイ
クロ波発生源と、前記プラズマ保持容器を囲み前記マイ
クロ波発生源で発生したマイクロ波を内部に封じ込める
外部容器とを備えたプラズマ生成装置において、前記プ
ラズマ保持容器の一部をマイクロ波遮断壁で覆い、前記
マイクロ波遮断壁の位置により前記プラズマ保持容器の
内部のプラズマ分布状態を制御する手段を有することを
特徴とするプラズマ生成装置。 - 【請求項2】請求項1において、前記プラズマ保持容器
を石英ガラスとし、前記マイクロ波遮断壁を導体で構成
するプラズマ生成装置。 - 【請求項3】請求項1において、前記プラズマ保持容器
を円筒型とし、前記マイクロ波遮断壁を前記円筒型プラ
ズマ保持容器の側面に同心環状に配置するプラズマ生成
装置。 - 【請求項4】請求項2において、請求項3を合わせ持つ
プラズマ生成装置。 - 【請求項5】請求項1において、磁場発生源を備え、前
記磁場発生源が前記プラズマ保持容器の内部に875ガ
ウスの等磁束密度面であるECR面を形成し、前記マイ
クロ波遮断壁が前記マイクロ波発生源で発生したマイク
ロ波をECR面の両側から入射するように配置されるプ
ラズマ生成装置。 - 【請求項6】請求項5において、請求項2を合わせ持つ
プラズマ生成装置。 - 【請求項7】請求項6において、請求項3を合わせ持つ
プラズマ生成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5125668A JPH06333848A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | プラズマ生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5125668A JPH06333848A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | プラズマ生成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06333848A true JPH06333848A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14915705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5125668A Pending JPH06333848A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | プラズマ生成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06333848A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208496A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
US6501173B2 (en) | 2000-03-03 | 2002-12-31 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
EP1276356A1 (en) * | 2000-03-30 | 2003-01-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for plasma processing |
JP2003110315A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 電磁界供給装置およびプラズマ処理装置 |
JP2003109797A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 電磁界供給装置およびプラズマ処理装置 |
JP2006179477A (ja) * | 2000-03-30 | 2006-07-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP5125668A patent/JPH06333848A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208496A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
US6501173B2 (en) | 2000-03-03 | 2002-12-31 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
EP1276356A1 (en) * | 2000-03-30 | 2003-01-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for plasma processing |
US6910440B2 (en) | 2000-03-30 | 2005-06-28 | Tokyo Electron Ltd. | Apparatus for plasma processing |
EP1276356A4 (en) * | 2000-03-30 | 2006-01-04 | Tokyo Electron Ltd | DEVICE FOR PLASMA PROCESSING |
JP2006179477A (ja) * | 2000-03-30 | 2006-07-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP4522356B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2003110315A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 電磁界供給装置およびプラズマ処理装置 |
JP4499323B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2010-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 電磁界供給装置およびプラズマ処理装置 |
JP2003109797A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 電磁界供給装置およびプラズマ処理装置 |
JP4481538B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2010-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 電磁界供給装置およびプラズマ処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3233575B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2570090B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
JPH10512391A (ja) | プラズマ誘導マイクロ波エネルギーによってプラズマを発生するための装置 | |
KR950000653B1 (ko) | 플라즈마 제어 및 처리 방법과 장치 | |
JPH09106900A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
EP0284436A2 (en) | Substrate-treating apparatus | |
JP2001223098A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JPH0319332A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JPH06333848A (ja) | プラズマ生成装置 | |
JPH01184923A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JPS61213377A (ja) | プラズマデポジシヨン法及びその装置 | |
JPH03191074A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
US4971651A (en) | Microwave plasma processing method and apparatus | |
JPH07169740A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
US5433788A (en) | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance | |
JPH065386A (ja) | 電子サイクロトロン共鳴装置 | |
US6388624B1 (en) | Parallel-planar plasma processing apparatus | |
EP0383567A2 (en) | Microwave plasma processing method and apparatus | |
Ueda et al. | Production of a large diameter electron cyclotron resonance plasma using a multislot antenna for plasma application | |
JP2000331998A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH10177994A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
JPH0217636A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JP3208995B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JPH09293599A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
JPH07122396A (ja) | プラズマ装置へのマイクロ波導入装置 |