JPH06331678A - 電子部品のリード接続を検査する方法および装置 - Google Patents
電子部品のリード接続を検査する方法および装置Info
- Publication number
- JPH06331678A JPH06331678A JP5111304A JP11130493A JPH06331678A JP H06331678 A JPH06331678 A JP H06331678A JP 5111304 A JP5111304 A JP 5111304A JP 11130493 A JP11130493 A JP 11130493A JP H06331678 A JPH06331678 A JP H06331678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- probe
- piezoelectric element
- lead connection
- inspecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
- G01L5/0028—Force sensors associated with force applying means
- G01L5/0038—Force sensors associated with force applying means applying a pushing force
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N3/32—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress by applying repeated or pulsating forces
- G01N3/38—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress by applying repeated or pulsating forces generated by electromagnetic means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/0014—Type of force applied
- G01N2203/0025—Shearing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/003—Generation of the force
- G01N2203/005—Electromagnetic means
- G01N2203/0051—Piezoelectric means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半田結合されたパッケージ・リードに超音波
振動により剪断力を与え、その結果生じる歪を測定する
ことによって、リード接続の良否を検査する 【構成】 プローブ32をリード12の表面に押当てた
状態で、プローブ32を圧電素子38によりリード表面
と平行に振動させ、半田結合部に剪断力を与える。結果
として半田結合部に生じる歪は、圧電素子の電流および
インピーダンスと相関しており、圧電素子の電流または
インピーダンスを測定することにより、半田結合部の良
否を判定することができる。 【効果】 接続不良検出率が高く、高速であり、高密度
のリードの検査にも適用できる。
振動により剪断力を与え、その結果生じる歪を測定する
ことによって、リード接続の良否を検査する 【構成】 プローブ32をリード12の表面に押当てた
状態で、プローブ32を圧電素子38によりリード表面
と平行に振動させ、半田結合部に剪断力を与える。結果
として半田結合部に生じる歪は、圧電素子の電流および
インピーダンスと相関しており、圧電素子の電流または
インピーダンスを測定することにより、半田結合部の良
否を判定することができる。 【効果】 接続不良検出率が高く、高速であり、高密度
のリードの検査にも適用できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品のリード接続
を検査する方法および装置に関し、更に詳細にいえば、
半田によって基板に結合された半導体チップ・パッケー
ジのリード接続を、圧電振動を利用して高速に且つ高い
信頼性で検査する方法および装置に関する。
を検査する方法および装置に関し、更に詳細にいえば、
半田によって基板に結合された半導体チップ・パッケー
ジのリード接続を、圧電振動を利用して高速に且つ高い
信頼性で検査する方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】リードを有する半導体チップ・パッケー
ジまたはモジュールは、一般には、半田のような結合体
によりチップ・キャリア基板に接続される。従来、リー
ド接続の検査方法としては、カメラを用いる光学的検査
方法、X線検査方法、導通試験をする電気的検査方法な
どが提案されている。しかしこれらの方法は、検出精度
に限界がある。例えば9図に示すように、チップ・パッ
ケージ10のリード12をプリント回路基板またはセラ
ミック基板のようなチップ・キャリア基板18の導体1
6に接続する半田結合部14がひび割れ24または異物
26を含むことがある。このようなリードは、外観は良
好でも、本質的に接続強度が弱く、製品の出荷後に、外
力などの影響により基板から剥離し、開放回路を生じる
可能性がある。最近は1チップ当り非常に多数のリード
が用いられ、従ってリード当りの半田量が益々少なくな
っている。従って、小さなひび割れ、傷あるいは小さな
異物の混入でも、接続破壊を生じ、導通不良または開放
回路の問題を生じる可能性がある。しかし、このような
潜在的に導通不良を起こす可能性のある半田内部の微細
な欠陥は、光学的方法、X線検査方法、電気的検査方法
では、十分に発見できない。
ジまたはモジュールは、一般には、半田のような結合体
によりチップ・キャリア基板に接続される。従来、リー
ド接続の検査方法としては、カメラを用いる光学的検査
方法、X線検査方法、導通試験をする電気的検査方法な
どが提案されている。しかしこれらの方法は、検出精度
に限界がある。例えば9図に示すように、チップ・パッ
ケージ10のリード12をプリント回路基板またはセラ
ミック基板のようなチップ・キャリア基板18の導体1
6に接続する半田結合部14がひび割れ24または異物
26を含むことがある。このようなリードは、外観は良
好でも、本質的に接続強度が弱く、製品の出荷後に、外
力などの影響により基板から剥離し、開放回路を生じる
可能性がある。最近は1チップ当り非常に多数のリード
が用いられ、従ってリード当りの半田量が益々少なくな
っている。従って、小さなひび割れ、傷あるいは小さな
異物の混入でも、接続破壊を生じ、導通不良または開放
回路の問題を生じる可能性がある。しかし、このような
潜在的に導通不良を起こす可能性のある半田内部の微細
な欠陥は、光学的方法、X線検査方法、電気的検査方法
では、十分に発見できない。
【0003】特公昭61−7016号公報は、振動子プ
ローブによりリードの上面に垂直振動を加え、その結果
得られるプローブ振動の変化を圧電ピックアップで検出
することによってリード接続の良否を検査する技術を示
している。この方法は、光学的検査などでは検出できな
い接続不良を検出可能であるが、検出速度が遅いという
問題がある。というのは、半田不足の欠陥を有するリー
ド接続でも、プローブの着地点にたまたま半田が存在す
る場合は、良好な接続として検出される。このような不
都合を避けるためには、リード当り複数個の検査点を用
いる必要がある。各リード当り複数の検査点にプローブ
を移動させ、各検査点で検査手順を繰り返さなければな
らない。従って、特にリード数が多い場合は、検査速度
が非常に遅いものとなる。この特許では、良否の判定
は、圧電ピックアップにより検出される振動、マイクロ
フォンによって検出されるプローブ衝撃音、または光学
的に検出されるリード表面変位を解析することによって
行われている。
ローブによりリードの上面に垂直振動を加え、その結果
得られるプローブ振動の変化を圧電ピックアップで検出
することによってリード接続の良否を検査する技術を示
している。この方法は、光学的検査などでは検出できな
い接続不良を検出可能であるが、検出速度が遅いという
問題がある。というのは、半田不足の欠陥を有するリー
ド接続でも、プローブの着地点にたまたま半田が存在す
る場合は、良好な接続として検出される。このような不
都合を避けるためには、リード当り複数個の検査点を用
いる必要がある。各リード当り複数の検査点にプローブ
を移動させ、各検査点で検査手順を繰り返さなければな
らない。従って、特にリード数が多い場合は、検査速度
が非常に遅いものとなる。この特許では、良否の判定
は、圧電ピックアップにより検出される振動、マイクロ
フォンによって検出されるプローブ衝撃音、または光学
的に検出されるリード表面変位を解析することによって
行われている。
【0004】特開平2−54169号公報は、ICパッ
ケージのリードに振動フィンガを接触させ、リードの振
動をピックアップによって検出することによって、接続
の良否を検査する技術を示している。フィンガの振動周
波数が変えられ、リードの周波数−振動特性が検出され
る。振動フィンガは、パッケージに近接した位置でリー
ド間の隙間に挿入されてリードの側縁に接触される。従
って、振動は実際の半田接続部から離れたリード部分に
加えられるため、良否の信号の差が顕著に現れず、欠陥
識別性が低いという問題がある。また、フィンガをリー
ド間の隙間に挿入しなければならないため、リード間ピ
ッチが小さい高密度のパッケージには適用できない。こ
の特開平では、良否の判定は、ピックアップ出力の周波
数−振動特性を基準特性と比較することによって行って
いるが、処理が面倒である。
ケージのリードに振動フィンガを接触させ、リードの振
動をピックアップによって検出することによって、接続
の良否を検査する技術を示している。フィンガの振動周
波数が変えられ、リードの周波数−振動特性が検出され
る。振動フィンガは、パッケージに近接した位置でリー
ド間の隙間に挿入されてリードの側縁に接触される。従
って、振動は実際の半田接続部から離れたリード部分に
加えられるため、良否の信号の差が顕著に現れず、欠陥
識別性が低いという問題がある。また、フィンガをリー
ド間の隙間に挿入しなければならないため、リード間ピ
ッチが小さい高密度のパッケージには適用できない。こ
の特開平では、良否の判定は、ピックアップ出力の周波
数−振動特性を基準特性と比較することによって行って
いるが、処理が面倒である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
部品の半田付けされたリード接続を簡単に、高速に且つ
高信頼性をもって検出でき、しかもリード・ピッチが小
さな高密度電子部品の検査にも適用できる検査方法およ
び装置を提供することである。
部品の半田付けされたリード接続を簡単に、高速に且つ
高信頼性をもって検出でき、しかもリード・ピッチが小
さな高密度電子部品の検査にも適用できる検査方法およ
び装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の検査方法では、
半田のような、剪断力を受けた時歪即ち変形を生じうる
結合体によって接続されたリードの表面にプローブの先
端が押当てられ、プローブはリードの表面に対して平行
に振動される。この振動によって結合部に生じる歪が検
出され、検出された歪に基づいてリード接続の良否が判
定される。プローブの振動は圧電素子によって発生さ
れ、良否の判定は、圧電素子の電流またはインピーダン
スに基づいて行われる。
半田のような、剪断力を受けた時歪即ち変形を生じうる
結合体によって接続されたリードの表面にプローブの先
端が押当てられ、プローブはリードの表面に対して平行
に振動される。この振動によって結合部に生じる歪が検
出され、検出された歪に基づいてリード接続の良否が判
定される。プローブの振動は圧電素子によって発生さ
れ、良否の判定は、圧電素子の電流またはインピーダン
スに基づいて行われる。
【0007】本発明の検査装置は、プローブおよびプロ
ーブをその軸に垂直な方向に振動させるための圧電素子
を含むプローブ組立体、プローブの先端がリードの表面
上に位置するようにプローブ組立体を位置付けるための
手段、プローブの先端ををリードの表面に押当てるよう
にプローブに所定の荷重を加えるための手段、圧電素子
を付勢する手段、プローブの振動によって結合部に生じ
る歪を検出する手段、および検出された歪に基づいてリ
ード接続の良否を判定する手段を含む。歪検出手段は、
圧電素子の電流またはインピーダンスを測定する手段を
含む。
ーブをその軸に垂直な方向に振動させるための圧電素子
を含むプローブ組立体、プローブの先端がリードの表面
上に位置するようにプローブ組立体を位置付けるための
手段、プローブの先端ををリードの表面に押当てるよう
にプローブに所定の荷重を加えるための手段、圧電素子
を付勢する手段、プローブの振動によって結合部に生じ
る歪を検出する手段、および検出された歪に基づいてリ
ード接続の良否を判定する手段を含む。歪検出手段は、
圧電素子の電流またはインピーダンスを測定する手段を
含む。
【0008】
【作用】プローブをリードに押当てた状態で、圧電素子
によりプローブをリード表面と平行に振動させると、プ
ローブは摩擦係合により結合部に剪断力を与え、その接
続強度に対応した歪を結合部に発生させる。プローブの
振動は歪の大きさに応じて変化し、プローブ振動の変化
は圧電素子の電流、従ってインピーダンスに、対応する
変化を与える。従って、圧電素子の電流またはインピー
ダンスに基づいて、歪およびそれに対応した接続強度を
求めることができ、リード接続の良否を判定することが
できる。
によりプローブをリード表面と平行に振動させると、プ
ローブは摩擦係合により結合部に剪断力を与え、その接
続強度に対応した歪を結合部に発生させる。プローブの
振動は歪の大きさに応じて変化し、プローブ振動の変化
は圧電素子の電流、従ってインピーダンスに、対応する
変化を与える。従って、圧電素子の電流またはインピー
ダンスに基づいて、歪およびそれに対応した接続強度を
求めることができ、リード接続の良否を判定することが
できる。
【0009】
【実施例】次に、図面を参照して良好な実施例について
説明する。なお、各図は簡略化されており、また寸法を
正確に表わしているわけではないことに留意されたい。
図1は、本発明のリード接続検査装置の概略図である。
検査されるべきチップ・パッケージ10はプリント回路
基板またはセラミック基板のようなチップ・キャリア基
板18に装着されている。パッケージ10は、いわゆる
ガル・ウイング形のリード12を有し、先端のリード部
分13は、結合体としての半田14により基板18の導
体16に接続されている。基板18は、検査ステージ2
0に載置される。検査ステージ20は回転駆動部22に
連結されている。
説明する。なお、各図は簡略化されており、また寸法を
正確に表わしているわけではないことに留意されたい。
図1は、本発明のリード接続検査装置の概略図である。
検査されるべきチップ・パッケージ10はプリント回路
基板またはセラミック基板のようなチップ・キャリア基
板18に装着されている。パッケージ10は、いわゆる
ガル・ウイング形のリード12を有し、先端のリード部
分13は、結合体としての半田14により基板18の導
体16に接続されている。基板18は、検査ステージ2
0に載置される。検査ステージ20は回転駆動部22に
連結されている。
【0010】検査プローブ32、ホーン34、振動子3
6よりなるプローブ組立体30は、検査ヘッド42のホ
ーン保持体44によって支持されている。このようなプ
ローブ組立体30は公知である。振動子36は、発信器
41に接続された圧電素子38とアルミニウム保持体4
0よりなる。振動子36によって発生される機械的振動
は、発信器41の発信周波数を主成分とするが、他の周
波数の雑音成分をも含む。ホーン34は、ステンレス系
の金属よりなり、発信器41の周波数に共振し、他の周
波数成分を減衰させる働きをする。プローブ32は、ホ
ーン34により伝達される機械的振動に共振するように
形成されている。プローブ組立体30については、後に
説明する。
6よりなるプローブ組立体30は、検査ヘッド42のホ
ーン保持体44によって支持されている。このようなプ
ローブ組立体30は公知である。振動子36は、発信器
41に接続された圧電素子38とアルミニウム保持体4
0よりなる。振動子36によって発生される機械的振動
は、発信器41の発信周波数を主成分とするが、他の周
波数の雑音成分をも含む。ホーン34は、ステンレス系
の金属よりなり、発信器41の周波数に共振し、他の周
波数成分を減衰させる働きをする。プローブ32は、ホ
ーン34により伝達される機械的振動に共振するように
形成されている。プローブ組立体30については、後に
説明する。
【0011】プローブ保持体44は軸46によってアー
ム48にピボット可能に支持されている。アーム48は
Z方向位置付けのためのZ軸駆動部50に連結されてい
る。検査装置は更にX方向位置付けのためのX軸駆動部
52およびY方向位置付けのためのY軸駆動部54を有
する。アーム48にはカメラ56が取り付けられてい
る。
ム48にピボット可能に支持されている。アーム48は
Z方向位置付けのためのZ軸駆動部50に連結されてい
る。検査装置は更にX方向位置付けのためのX軸駆動部
52およびY方向位置付けのためのY軸駆動部54を有
する。アーム48にはカメラ56が取り付けられてい
る。
【0012】検査時は、カメラ56によりリードの位置
を検出し、回転駆動部22、Z軸駆動部50、X軸駆動
部52およびY軸駆動部54により、プローブ32を検
査されるべきリード12の接続部分13上に位置付け
る。次にプローブ32を降下させ、プローブ32がリー
ド部分13に接触すると、ホーン保持体44が軸46の
まわりで時計方向に回転し、接触センサ58の接点が開
く。これにより、プローブ32の降下が停止される。プ
ローブ32の降下が停止されると、荷重コイル60が作
動し、ロッド62を下方に駆動する。ロッド62はホー
ン保持体44の突出部64に係合し、ホーン保持体44
を反時計方向に駆動する。これにより、プローブ32に
は所定の大きさの垂直荷重が与えられ、この状態で圧電
素子38が発信器41により付勢される。これにより、
以下に述べるように、プローブ32が振動し、半田結合
部14を検査する。検査後、プローブ32は上昇され、
次のリードに位置合わせされて、同様の手順が繰り返さ
れる。
を検出し、回転駆動部22、Z軸駆動部50、X軸駆動
部52およびY軸駆動部54により、プローブ32を検
査されるべきリード12の接続部分13上に位置付け
る。次にプローブ32を降下させ、プローブ32がリー
ド部分13に接触すると、ホーン保持体44が軸46の
まわりで時計方向に回転し、接触センサ58の接点が開
く。これにより、プローブ32の降下が停止される。プ
ローブ32の降下が停止されると、荷重コイル60が作
動し、ロッド62を下方に駆動する。ロッド62はホー
ン保持体44の突出部64に係合し、ホーン保持体44
を反時計方向に駆動する。これにより、プローブ32に
は所定の大きさの垂直荷重が与えられ、この状態で圧電
素子38が発信器41により付勢される。これにより、
以下に述べるように、プローブ32が振動し、半田結合
部14を検査する。検査後、プローブ32は上昇され、
次のリードに位置合わせされて、同様の手順が繰り返さ
れる。
【0013】次に、プローブ組立体30による振動の発
生および検査の原理について説明する。図2はプローブ
組立体30を示し、図3はプローブ32がチップ・パッ
ケージ10のリード12の接続部分13に接触している
状態を示している。圧電素子38は発信器41に接続さ
れ、そこからの発信信号に応答して、縦振動する(矢印
39)。ホーン35は、所望の周波数で縦振動し(矢印
35)、プローブ32は矢印31のように横方向に、即
ちプローブの軸に垂直な方向に振動する。ホーン保持体
44(図1)によるホーン34の支持は、ホーンの共振
状態に影響を与えないようにホーン振動の節33で行
う。プローブは32はホーン振動の腹となる部分に取り
付けられる。
生および検査の原理について説明する。図2はプローブ
組立体30を示し、図3はプローブ32がチップ・パッ
ケージ10のリード12の接続部分13に接触している
状態を示している。圧電素子38は発信器41に接続さ
れ、そこからの発信信号に応答して、縦振動する(矢印
39)。ホーン35は、所望の周波数で縦振動し(矢印
35)、プローブ32は矢印31のように横方向に、即
ちプローブの軸に垂直な方向に振動する。ホーン保持体
44(図1)によるホーン34の支持は、ホーンの共振
状態に影響を与えないようにホーン振動の節33で行
う。プローブは32はホーン振動の腹となる部分に取り
付けられる。
【0014】プローブ32はセラミックまたは適当な金
属で形成できる。図3からわかるように、プローブ32
は先細りの形状にされ、その先端は偏平にされている。
プローブ32は、好ましくはリードに対して垂直に配置
され、垂直方向の荷重63を受けた状態で、リード部分
13の表面に対して平行に横方向に振動される。図3で
は、プローブ32はリード12の幅方向に振動されてい
る(図3の矢印31)。プローブ32の横方向振動の目
的は、半田結合部14に剪断力を加え、半田結合部に剪
断歪を与えることである。一般には、半田結合部の寸法
はリードの長さ方向よりも幅方向の方が小さく、幅方向
に歪を起こさせる方が容易である。しかし、プローブ3
2はリード12の長さ方向または斜め方向に振動されて
もよい。
属で形成できる。図3からわかるように、プローブ32
は先細りの形状にされ、その先端は偏平にされている。
プローブ32は、好ましくはリードに対して垂直に配置
され、垂直方向の荷重63を受けた状態で、リード部分
13の表面に対して平行に横方向に振動される。図3で
は、プローブ32はリード12の幅方向に振動されてい
る(図3の矢印31)。プローブ32の横方向振動の目
的は、半田結合部14に剪断力を加え、半田結合部に剪
断歪を与えることである。一般には、半田結合部の寸法
はリードの長さ方向よりも幅方向の方が小さく、幅方向
に歪を起こさせる方が容易である。しかし、プローブ3
2はリード12の長さ方向または斜め方向に振動されて
もよい。
【0015】半田14は、垂直荷重63と、プローブ3
2およびリード電極表面間の摩擦係数との積に相関した
剪断力を受ける。従って、垂直荷重63および摩擦係数
を制御することにより、プローブの振動によって、半田
14に制御された剪断力を与えることができる。摩擦係
数はプローブ32の先端の形状に依存し、例えば図4の
ように形成できる。図4のAは先端を円形の平面として
形成した場合、BはAの先端に円形の穴を形成した場
合、Cは先端の面を扇形に形成した場合、DはAの先端
に十字溝を形成した場合である。しかし、これらに限定
されず、プローブ先端の面は任意の適当な構成に形成で
きる。
2およびリード電極表面間の摩擦係数との積に相関した
剪断力を受ける。従って、垂直荷重63および摩擦係数
を制御することにより、プローブの振動によって、半田
14に制御された剪断力を与えることができる。摩擦係
数はプローブ32の先端の形状に依存し、例えば図4の
ように形成できる。図4のAは先端を円形の平面として
形成した場合、BはAの先端に円形の穴を形成した場
合、Cは先端の面を扇形に形成した場合、DはAの先端
に十字溝を形成した場合である。しかし、これらに限定
されず、プローブ先端の面は任意の適当な構成に形成で
きる。
【0016】図5は、プローブ32の左方への移動によ
って半田14に生じる剪断歪即ち変形を示している。半
田結合部14は、プローブ32によって加えられる剪断
力に応答して、その接続強度に応じた歪を生じる。図5
のAは半田結合部が良好で歪が小さい場合、Bは半田が
不足しており歪が大きい場合を例示している。実線は変
形前、破線は変形後の状態を示している。実際にはプロ
ーブ32は左右に振動し、これに対応して半田結合部も
左右に変形する。
って半田14に生じる剪断歪即ち変形を示している。半
田結合部14は、プローブ32によって加えられる剪断
力に応答して、その接続強度に応じた歪を生じる。図5
のAは半田結合部が良好で歪が小さい場合、Bは半田が
不足しており歪が大きい場合を例示している。実線は変
形前、破線は変形後の状態を示している。実際にはプロ
ーブ32は左右に振動し、これに対応して半田結合部も
左右に変形する。
【0017】従って、プローブによって半田結合部14
に剪断力を加えた時の歪量によって、半田結合部の接続
強度、従って良否を判定することが可能である。圧電素
子に一定の交流信号を印加した時のプローブ先端の振動
振幅は、プローブ先端がリードに着地していない無負荷
状態では大きく、着地した状態では摩擦係合のため小さ
くなる。半田の歪は、リードに着地した状態におけるプ
ローブ先端の振幅よりも小さい。従って、着地状態のプ
ローブ先端の振幅が良好な半田結合部の弾性限界内に入
るように、圧電素子への供給電力および負荷荷重を設定
することにより、良好な半田結合部に損傷を与えること
なく非破壊で半田結合部の接続強度を判定することが可
能である。
に剪断力を加えた時の歪量によって、半田結合部の接続
強度、従って良否を判定することが可能である。圧電素
子に一定の交流信号を印加した時のプローブ先端の振動
振幅は、プローブ先端がリードに着地していない無負荷
状態では大きく、着地した状態では摩擦係合のため小さ
くなる。半田の歪は、リードに着地した状態におけるプ
ローブ先端の振幅よりも小さい。従って、着地状態のプ
ローブ先端の振幅が良好な半田結合部の弾性限界内に入
るように、圧電素子への供給電力および負荷荷重を設定
することにより、良好な半田結合部に損傷を与えること
なく非破壊で半田結合部の接続強度を判定することが可
能である。
【0018】実験によると、圧電素子に一定の交流信号
を印加した時のプローブ先端の振動振幅と、圧電素子に
流れる電流との間には、相関があることが判明した。こ
れは、次のことによる。すなわち、プローブが無負荷状
態にあり、圧電素子が機械的抑制なしに自由に伸縮動作
する時は、圧電素子を電気部品として見た時の電気抵抗
値、即ちインピーダンスが小さい。これに対して、プロ
ーブが着地状態にあり、プローブの振動が機械的に妨げ
られる時は、圧電素子の伸縮動作も妨げられ、圧電素子
のインピーダンスがその機械的抑制力に対して実質的に
比例的に増大する。圧電素子の振動に対する機械的抑制
力は、半田結合部の接続強度に実質的に比例し、プロー
ブ先端の振動振幅および歪に実質的に反比例する関係に
ある。従って、半田結合部に生じる歪は、接続強度およ
び圧電素子のインピーダンスに実質的に反比例する関係
にあることが判明した。
を印加した時のプローブ先端の振動振幅と、圧電素子に
流れる電流との間には、相関があることが判明した。こ
れは、次のことによる。すなわち、プローブが無負荷状
態にあり、圧電素子が機械的抑制なしに自由に伸縮動作
する時は、圧電素子を電気部品として見た時の電気抵抗
値、即ちインピーダンスが小さい。これに対して、プロ
ーブが着地状態にあり、プローブの振動が機械的に妨げ
られる時は、圧電素子の伸縮動作も妨げられ、圧電素子
のインピーダンスがその機械的抑制力に対して実質的に
比例的に増大する。圧電素子の振動に対する機械的抑制
力は、半田結合部の接続強度に実質的に比例し、プロー
ブ先端の振動振幅および歪に実質的に反比例する関係に
ある。従って、半田結合部に生じる歪は、接続強度およ
び圧電素子のインピーダンスに実質的に反比例する関係
にあることが判明した。
【0019】実験によれば、半田結合部の推定破壊強度
と圧電素子のインピーダンスとの間には、次の1次式で
近似できる関係があることがわかった。 (式1) 推定破壊強度=a x (圧電素子のインピーダンス)
+ b ここで、aおよびbは定数であり、実験によって求める
ことができる。定数aおよびbは、垂直荷重、発信器電
圧のような検査条件によって変わるが、aは2程度であ
り、bは40−50程度である。従って、圧電素子のイ
ンピーダンスを求めれば、破壊強度およびこれに対応す
る歪を求めることができる。
と圧電素子のインピーダンスとの間には、次の1次式で
近似できる関係があることがわかった。 (式1) 推定破壊強度=a x (圧電素子のインピーダンス)
+ b ここで、aおよびbは定数であり、実験によって求める
ことができる。定数aおよびbは、垂直荷重、発信器電
圧のような検査条件によって変わるが、aは2程度であ
り、bは40−50程度である。従って、圧電素子のイ
ンピーダンスを求めれば、破壊強度およびこれに対応す
る歪を求めることができる。
【0020】圧電素子に印加する発信周波数が約10K
Hzを越えると、プローブ先端がリード表面上で滑りを
生じる。この滑りは、プローブに対する垂直荷重および
摩擦係数の選択によってかなり制御可能である。しかし
滑りは、上記式1による測定の結果に実質的な影響を与
えないことがわかった。
Hzを越えると、プローブ先端がリード表面上で滑りを
生じる。この滑りは、プローブに対する垂直荷重および
摩擦係数の選択によってかなり制御可能である。しかし
滑りは、上記式1による測定の結果に実質的な影響を与
えないことがわかった。
【0021】次に、本発明に従って圧電素子のインピー
ダンスを短時間に求める方法について説明する。図6
は、本発明の検査回路構成を示している。プロセッサの
ような制御部78は検査時に発信器41を所定時間オン
にする。圧電素子38は発信器41からの正弦波信号7
0により付勢され、圧電素子38に流れる電流72は整
流回路74で整流される。整流された電流はサンプリン
グ回路75で50回程度サンプリングされ、A/D変換
器76によりデイジタル化される。制御部78は、次式
に従って、平均化されたインピーダンスZを算出する。 (式2) Z=(サンプル回数)x(発信出力電圧の実効値)/Σ
サンプルされた電流値
ダンスを短時間に求める方法について説明する。図6
は、本発明の検査回路構成を示している。プロセッサの
ような制御部78は検査時に発信器41を所定時間オン
にする。圧電素子38は発信器41からの正弦波信号7
0により付勢され、圧電素子38に流れる電流72は整
流回路74で整流される。整流された電流はサンプリン
グ回路75で50回程度サンプリングされ、A/D変換
器76によりデイジタル化される。制御部78は、次式
に従って、平均化されたインピーダンスZを算出する。 (式2) Z=(サンプル回数)x(発信出力電圧の実効値)/Σ
サンプルされた電流値
【0022】制御部78は、求めたインピーダンスか
ら、式1に基づいて、推定接続強度を算出する。記憶部
80には、良好な半田結合部について求めた、良品とし
て許容できる基準接続強度の範囲が記憶されている。強
度データは、検査されるリードの種類、リードに対する
プローブの振動方向のような検査条件によって変動する
ので、使用される検査条件に応じて基準強度を用意して
おくことが必要である。制御部78は、算出した強度値
と記憶部80に記憶されている基準強度値とを比較し、
良否を判定する。判定の結果は、記憶部80に記憶さ
れ、不良品の除去または修理のために用いられる。
ら、式1に基づいて、推定接続強度を算出する。記憶部
80には、良好な半田結合部について求めた、良品とし
て許容できる基準接続強度の範囲が記憶されている。強
度データは、検査されるリードの種類、リードに対する
プローブの振動方向のような検査条件によって変動する
ので、使用される検査条件に応じて基準強度を用意して
おくことが必要である。制御部78は、算出した強度値
と記憶部80に記憶されている基準強度値とを比較し、
良否を判定する。判定の結果は、記憶部80に記憶さ
れ、不良品の除去または修理のために用いられる。
【0023】実験では、長さ11.1mm、直径1.6
mm、先端の直径0.1mm(100ミクロン)のセラ
ミック製プローブを用い、プローブ垂直荷重を50gと
した。発信周波数は60KHz、発信出力は1.5V、
プローブ先端がリード面に着地していない無負荷状態で
のプローブ先端の最大振幅は±2ミクロン、良好な半田
結合を有するリードに着地した時のプローブ先端の振幅
が±0.2ミクロン以下になるように設定した。プロー
ブをリードの幅方向に振動させ、リード幅0.2mm
(200ミクロン)の半田付けされたリードを検査し
た。発信器出力を圧電素子に印加する時間(発信器オン
時間)を20ミリとし、整流された電流のサンプルを5
0個とった。そして、式2に基づいて圧電素子のインピ
ーダンスを求め、式1からインピーダンスに対する推定
破壊強度の分布を求めた。図7は典型的な場合について
の測定結果を示している。その結果、接続の良否が推定
接続強度の関数として明確に分離できた。「剥離」は、
容易に分離または開放回路を生じる場合を示し、「低強
度」は接続強度が必要レベルに達しない場合、「短絡」
は半田過多の場合を示している。半田過多の場合は、ほ
ぼ60%以上の確率で半田ブリッジが生じていることが
示された。勿論、半田結合部はその接続状態に応じて様
々な分布を示すが、インピーダンスを測定することによ
って、接続強度を非破壊で非常に正確に推定できること
が確認された。
mm、先端の直径0.1mm(100ミクロン)のセラ
ミック製プローブを用い、プローブ垂直荷重を50gと
した。発信周波数は60KHz、発信出力は1.5V、
プローブ先端がリード面に着地していない無負荷状態で
のプローブ先端の最大振幅は±2ミクロン、良好な半田
結合を有するリードに着地した時のプローブ先端の振幅
が±0.2ミクロン以下になるように設定した。プロー
ブをリードの幅方向に振動させ、リード幅0.2mm
(200ミクロン)の半田付けされたリードを検査し
た。発信器出力を圧電素子に印加する時間(発信器オン
時間)を20ミリとし、整流された電流のサンプルを5
0個とった。そして、式2に基づいて圧電素子のインピ
ーダンスを求め、式1からインピーダンスに対する推定
破壊強度の分布を求めた。図7は典型的な場合について
の測定結果を示している。その結果、接続の良否が推定
接続強度の関数として明確に分離できた。「剥離」は、
容易に分離または開放回路を生じる場合を示し、「低強
度」は接続強度が必要レベルに達しない場合、「短絡」
は半田過多の場合を示している。半田過多の場合は、ほ
ぼ60%以上の確率で半田ブリッジが生じていることが
示された。勿論、半田結合部はその接続状態に応じて様
々な分布を示すが、インピーダンスを測定することによ
って、接続強度を非破壊で非常に正確に推定できること
が確認された。
【0024】発信器オン時間を20ミリ秒とした場合、
データ処理時間は10ミリ秒以下にでき、プローブの移
動時間も含めて、1つのリード接続当りの検査所要時間
は0.1秒以下であり、非常に高速に検査することがで
きた。
データ処理時間は10ミリ秒以下にでき、プローブの移
動時間も含めて、1つのリード接続当りの検査所要時間
は0.1秒以下であり、非常に高速に検査することがで
きた。
【0025】垂直荷重の値は本発明にとってクリチカル
でなく、正常な半田結合部を破壊しない範囲で任意の適
当な値を使用しうる。同様に、発信周波数もクリチカル
でなく、広範囲で使用しうる。ただし、あまり低い周波
数では、検査速度が遅くなる。
でなく、正常な半田結合部を破壊しない範囲で任意の適
当な値を使用しうる。同様に、発信周波数もクリチカル
でなく、広範囲で使用しうる。ただし、あまり低い周波
数では、検査速度が遅くなる。
【0026】上記の例では、圧電素子のインピーダンス
から接続強度を推定して良否を判定したが、検査を高速
化する場合は、式(2)で求めたインピーダンスから直
接良否を判定することが可能である。インピーダンスか
ら良否を判定する場合は、図6の記憶部80に、良好な
半田結合部について求めた、良品として許容できる基準
インピーダンスの範囲を記憶しておき、測定したインピ
ーダンスと記憶部80の基準インピーダンスとを比較す
ればよい。この場合は、接続強度の計算が省略されるた
め、高速化できる。
から接続強度を推定して良否を判定したが、検査を高速
化する場合は、式(2)で求めたインピーダンスから直
接良否を判定することが可能である。インピーダンスか
ら良否を判定する場合は、図6の記憶部80に、良好な
半田結合部について求めた、良品として許容できる基準
インピーダンスの範囲を記憶しておき、測定したインピ
ーダンスと記憶部80の基準インピーダンスとを比較す
ればよい。この場合は、接続強度の計算が省略されるた
め、高速化できる。
【0027】更に検査を高速化する場合は、電流から直
接判定することも可能である。この場合は、記憶部80
に、良好な半田結合部について求めた、良品として許容
できる基準電流の範囲を記憶しておき、測定した電流と
記憶部80の基準電流とを比較すればよい。図6の整流
回路74からの電流があまりノイズ成分を含まず、信号
が安定している場合は、整流回路74の出力を1回また
は数回サンプルし、その累積値または平均値を求めるこ
とによって、電流を検出することができる。この方法で
は、データのサンプリングおよび演算処理のための時間
が1/10程度に短縮できる。
接判定することも可能である。この場合は、記憶部80
に、良好な半田結合部について求めた、良品として許容
できる基準電流の範囲を記憶しておき、測定した電流と
記憶部80の基準電流とを比較すればよい。図6の整流
回路74からの電流があまりノイズ成分を含まず、信号
が安定している場合は、整流回路74の出力を1回また
は数回サンプルし、その累積値または平均値を求めるこ
とによって、電流を検出することができる。この方法で
は、データのサンプリングおよび演算処理のための時間
が1/10程度に短縮できる。
【0028】電流を用いる方法は、最も高速であるが、
電流がノイズを含む場合または不安定な場合誤差を含み
やすいので、高速化する場合は、インピーダンス方法を
用いるのが好ましい。また、電流およびインピーダンス
は、垂直荷重および発信器電圧によって変化するため、
使用動作条件毎に、判定基準(閾値レベル)を用意する
必要がある。式(1)の接続強度を用いる方法は、多少
時間がかかるが、動作条件に応じて定数a、bを予め設
定しておくことにより、共通の判定基準を使用でき、検
査が容易になる利点がある。
電流がノイズを含む場合または不安定な場合誤差を含み
やすいので、高速化する場合は、インピーダンス方法を
用いるのが好ましい。また、電流およびインピーダンス
は、垂直荷重および発信器電圧によって変化するため、
使用動作条件毎に、判定基準(閾値レベル)を用意する
必要がある。式(1)の接続強度を用いる方法は、多少
時間がかかるが、動作条件に応じて定数a、bを予め設
定しておくことにより、共通の判定基準を使用でき、検
査が容易になる利点がある。
【0029】図3では、ガル・ウイング形のリードを有
するチップ・パッケージの検査を例示したが、本発明は
いわゆるJ形のリードを有するパッケージ・リードの検
査にも適用できる。図8は、この場合を示している。チ
ップ・パッケージ10^ は半田14^ によって導体16
^ に接続されたJ形リード12^ を有する。プローブ組
立体は、プローブ32が水平になり且つその偏平な先端
がJ形リード12^ の垂直な脚部分の外側表面に接触す
るように支持され、プローブはこの表面に対して平行
に、リードの幅方向に振動される(矢印31^ )。この
場合、プローブはリード表面に向かって荷重される。プ
ローブは半田結合部に隣接したリード部分に接触される
べきである。J形リードの場合も、上述したガル・ウイ
ング形リードに対する判定アルゴリズムを用いて良否を
判定できることが判明した。
するチップ・パッケージの検査を例示したが、本発明は
いわゆるJ形のリードを有するパッケージ・リードの検
査にも適用できる。図8は、この場合を示している。チ
ップ・パッケージ10^ は半田14^ によって導体16
^ に接続されたJ形リード12^ を有する。プローブ組
立体は、プローブ32が水平になり且つその偏平な先端
がJ形リード12^ の垂直な脚部分の外側表面に接触す
るように支持され、プローブはこの表面に対して平行
に、リードの幅方向に振動される(矢印31^ )。この
場合、プローブはリード表面に向かって荷重される。プ
ローブは半田結合部に隣接したリード部分に接触される
べきである。J形リードの場合も、上述したガル・ウイ
ング形リードに対する判定アルゴリズムを用いて良否を
判定できることが判明した。
【0030】以上、特定の例について説明したが、本発
明はこれらに限られるものではない。例えば、結合材と
して半田を用いたチップ・パッケージの検査を示した
が、本発明は、剪断力によって歪を生じるものであれ
ば、他の導電性結合材を用いたパッケージの検査にも適
用できよう。また、プローブはリードの長さ方向または
斜め方向に振動されても良い。勿論、この場合は、良品
についての基準データも同じ振動方向を用いて作成する
必要がある。
明はこれらに限られるものではない。例えば、結合材と
して半田を用いたチップ・パッケージの検査を示した
が、本発明は、剪断力によって歪を生じるものであれ
ば、他の導電性結合材を用いたパッケージの検査にも適
用できよう。また、プローブはリードの長さ方向または
斜め方向に振動されても良い。勿論、この場合は、良品
についての基準データも同じ振動方向を用いて作成する
必要がある。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、圧電素
子によるプローブ振動により、リード結合部に、接続強
度に応じた剪断歪を発生させ、この歪を圧電素子の電流
またはインピーダンスに基づいて測定する。従って本発
明によれば、従来の外観検査などの検査では検出不可能
だった欠陥を非破壊的に且つ定量的に検査でき、不良接
続の検出率を飛躍的に向上させることができる。従来の
X線検査方法、光学的検査方法の場合の欠陥検出率は9
0%程度であったが、本発明では、ほぼ100%の欠陥
検出率を達成することができた。また、圧電素子の電流
を直接検出することによってプローブ振動の微妙な変化
も検出できるため、感度が高く、またリード当り0.1
秒以下の検査時間で高速に、実時間で検査できる。更
に、プローブはリード上で振動するから、検査時にリー
ドからはみださない程度の寸法であればよく、従って寸
法上の制限がゆるやかであり、リード数の多い高密度パ
ッケージにも容易に適用できる。
子によるプローブ振動により、リード結合部に、接続強
度に応じた剪断歪を発生させ、この歪を圧電素子の電流
またはインピーダンスに基づいて測定する。従って本発
明によれば、従来の外観検査などの検査では検出不可能
だった欠陥を非破壊的に且つ定量的に検査でき、不良接
続の検出率を飛躍的に向上させることができる。従来の
X線検査方法、光学的検査方法の場合の欠陥検出率は9
0%程度であったが、本発明では、ほぼ100%の欠陥
検出率を達成することができた。また、圧電素子の電流
を直接検出することによってプローブ振動の微妙な変化
も検出できるため、感度が高く、またリード当り0.1
秒以下の検査時間で高速に、実時間で検査できる。更
に、プローブはリード上で振動するから、検査時にリー
ドからはみださない程度の寸法であればよく、従って寸
法上の制限がゆるやかであり、リード数の多い高密度パ
ッケージにも容易に適用できる。
【図1】本発明の検査装置を示す図である。
【図2】本発明で用いられるプローブ組立体を示す図で
ある。
ある。
【図3】プローブがリード上に位置した状態を示す部分
図である。
図である。
【図4】プローブの先端を示す図である。
【図5】半田結合部の歪変形を示す図である。
【図6】本発明による検出回路構成を示す図である。
【図7】インピーダンス−推定強度の関係を示す図であ
る。
る。
【図8】本発明の検査をJ形リードに適用した場合を示
す図である。
す図である。
【図9】パッケージ・リード接続の欠陥を例示する図で
ある。
ある。
10 チップ・パッケージ 12 リード 13 接続されるリード部分 14 半田 16 導体 18 基板 20 検査ステージ 22 回転駆動部 30 プローブ組立体 31 プローブ振動方向 32 プローブ 34 ホーン 36 振動子 38 圧電素子 40 保持体 41 発信器 42 検査ヘッド 44 ホーン保持体 50 Z軸駆動部 52 X軸駆動部 54 Y軸駆動部 56 カメラ 58 接触センサ 60 荷重コイル 62 ロッド 64 突出部 74 整流回路 75 サンプリング回路 76 A/D変換器 78 制御部 80 記憶部
Claims (15)
- 【請求項1】剪断力を受けた時歪を生じうる結合部によ
って基板の導体に接続されたリードを有する電子部品の
リード接続を検査する方法において、 プローブの先端を前記リードの表面に押当てるステップ
と、 前記プローブを前記リードの前記表面に対して平行に振
動させるステップと、 前記振動によって前記結合部に生じる歪を検出するステ
ップと前記検出された歪に基づいてリード接続の良否を
判定するステップとを含む、電子部品のリード接続を検
査する方法。 - 【請求項2】請求項1において、前記結合部が半田より
なることを特徴とする電子部品のリード接続を検査する
方法。 - 【請求項3】請求項1において、前記プローブの振動が
圧電素子によって発生され、 前記検出するステップが、前記圧電素子の電流を測定す
ることを含むことを特徴とする電子部品のリード接続を
検査する方法。 - 【請求項4】請求項3において、上記判定するステップ
が、前記測定された電流を、良好なリード接続について
の基準電流と比較することを含むことを特徴とする電子
部品のリード接続を検査する方法。 - 【請求項5】請求項1において、前記検出するステップ
が、前記圧電素子のインピーダンスを測定することを含
むことを含むことを特徴とする電子部品のリード接続を
検査する方法。 - 【請求項6】請求項5において、上記判定するステップ
が、前記測定されたインピーダンスを、良好なリード接
続についての基準インピダンスと比較することを含むこ
とを特徴とする電子部品のリード接続を検査する方法。 - 【請求項7】請求項5において、前記検出するステップ
が、前記圧電素子のインピーダンスに基づいて前記リー
ドの接続強度を検出することを含み、 上記判定するステップが、前記検出された強度を、良好
なリード接続についての基準強度と比較することを含む
ことを特徴とする電子部品のリード接続を検査する方
法。 - 【請求項8】剪断力を受けた時歪を生じうる結合部によ
って基板の導体に接続されたリードを有する電子部品の
前記リードの接続を検査する装置において、 プローブおよび前記プローブをその軸に垂直な方向に振
動させるための圧電素子を含むプローブ組立体と、 前記プローブの先端が前記リードの表面上に位置するよ
うに前記プローブ組立体を位置付けるための手段と、 前記プローブの先端を前記リードの表面に押当てるよう
に前記プローブに所定の荷重を加えるための手段と、 前記圧電素子を付勢する手段と、 前記プローブの振動によって前記結合部に生じる歪を検
出する手段と、 前記検出された歪に基づいて前記リード接続の良否を判
定する手段とを含む電子部品のリード接続を検査する装
置。 - 【請求項9】請求項8において、前記結合部が半田より
なることを特徴とする電子部品のリード接続を検査する
装置。 - 【請求項10】請求項8において、前記検出する手段
が、前記圧電素子の電流を測定する手段を含むことを特
徴とする電子部品のリード接続を検査する装置。 - 【請求項11】請求項10において、上記判定するステ
ップが、前記測定された電流を、良好なリード接続につ
いての基準電流と比較することを含むことを特徴とする
電子部品のリード接続を検査する装置。 - 【請求項12】請求項8において、前記検出する手段
が、前記圧電素子のインピーダンスを測定する手段を含
むことを特徴とする電子部品のリード接続を検査する装
置。 - 【請求項13】請求項12において、上記判定するステ
ップが、前記測定されたインピーダンスを、良好なリー
ド接続についての基準インピダンスと比較することを含
むことを特徴とする電子部品のリード接続を検査する装
置。 - 【請求項14】請求項12において、前記検出する手段
が、前記圧電素子の電流を整流する手段と、前記整流さ
れた電流を所定回数サンプルする手段と、前記サンプル
の回数、サンプルされた電流値および前記付勢手段の電
圧に基づいて前記圧電素子のインピーダンスを求める手
段とを含むことを特徴とする電子部品のリード接続を検
査する装置。 - 【請求項15】請求項13において、前記検査する装置
が、良好なリード接続についての強度データを記憶する
手段を含み、 前記検出する手段が、前記圧電素子のインピーダンスに
基づいて前記リードの接続強度を検出する手段を含み、 上記判定する手段が、前記検出された強度を、前記記憶
手段の基準強度データと比較する手段を含むことを特徴
とする電子部品のリード接続を検査する装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5111304A JPH06331678A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 電子部品のリード接続を検査する方法および装置 |
US08/241,903 US5533398A (en) | 1993-05-13 | 1994-05-12 | Method and apparatus for testing lead connections of electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5111304A JPH06331678A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 電子部品のリード接続を検査する方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06331678A true JPH06331678A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14557834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5111304A Pending JPH06331678A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 電子部品のリード接続を検査する方法および装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5533398A (ja) |
JP (1) | JPH06331678A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008309518A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Omron Corp | Ic部品接続部検査方法およびic部品接続部検査装置 |
CN111781056A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-10-16 | 爱德曼氢能源装备有限公司 | 一种燃料电池电堆和电路板焊点测试装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5963039A (en) * | 1998-02-04 | 1999-10-05 | Lucent Technologies Inc. | Testing attachment reliability of devices |
US6668667B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Arrangement for subjecting a bonding wire to a mechanical load |
US6396296B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-05-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for electrical characterization of an integrated circuit package using a vertical probe station |
US7730790B2 (en) * | 2004-08-10 | 2010-06-08 | Nordson Corporation | Shear test device |
DE102005016038B3 (de) * | 2005-04-07 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur zyklischen Scherbelastungsprüfung von Mikroverbindungen zwischen Werkstoffen |
US7319043B2 (en) * | 2005-09-26 | 2008-01-15 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Method and system of trace pull test |
US7849738B2 (en) * | 2006-03-13 | 2010-12-14 | Sonoplot, Inc. | Device for detecting interaction with an object |
US7365552B2 (en) * | 2006-07-28 | 2008-04-29 | Research In Motion Limited | Surface mount package fault detection apparatus |
CZ302231B6 (cs) * | 2006-10-19 | 2011-01-05 | Ceské vysoké ucení technické v Praze Fakulta elektrotechnická | Zarízení pro simulaci vlivu rozdílných soucinitelu teplotní roztažnosti desky plošného spoje a pripojené bezvývodové soucástky na vlastnosti pájených a lepených spoju |
US20090056424A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Cornell Research Foundation, Inc. | Microscope Rheometer for Measuring Shear and Compression Properties of Biological Samples |
US7986157B1 (en) * | 2010-09-02 | 2011-07-26 | Star Technologies Inc. | High speed probing apparatus for semiconductor devices and probe stage for the same |
US9876487B2 (en) * | 2013-09-27 | 2018-01-23 | International Business Machines Corporation | Contactless readable programmable transponder to monitor chip join |
IL257860A (en) * | 2018-03-04 | 2018-05-02 | Technion Res & Development Found Ltd | In-situ systems and methods for detecting damage to solder joints |
CZ32897U1 (cs) * | 2019-04-03 | 2019-05-28 | A.W.A.L. S.R.O. | Kontrolní systém svarů a nastavení hydroizolačních materiálů |
CN113933180A (zh) * | 2020-07-09 | 2022-01-14 | 先进科技新加坡有限公司 | 用于测试互连键合部的设备和方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5541651A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Method of judging connection of lead wires |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3153338A (en) * | 1961-11-22 | 1964-10-20 | Kleesattel Claus | Resonant sensing devices |
GB1506164A (en) * | 1974-07-09 | 1978-04-05 | Mullard Ltd | Ultrasonic bonding apparatus |
US3958450A (en) * | 1975-05-19 | 1976-05-25 | Claus Kleesattel | Resonant sensing devices and methods for determining surface properties of test pieces |
US4218922A (en) * | 1978-09-18 | 1980-08-26 | Battelle Development Corporation | Acoustic inspection of solder joints |
US4232558A (en) * | 1979-04-12 | 1980-11-11 | Western Electric Company, Inc. | Methods for determining bond failure modes using stress wave emission techniques |
DE3686990T2 (de) * | 1985-08-23 | 1993-04-22 | Nippon Electric Co | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung wobei ein filmtraegerband angewendet wird. |
DE3701652A1 (de) * | 1987-01-21 | 1988-08-04 | Siemens Ag | Ueberwachung von bondparametern waehrend des bondvorganges |
JPH0363562A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Komatsu Ltd | はんだ接合部の検査方法および検査装置 |
US5170929A (en) * | 1992-05-29 | 1992-12-15 | International Business Machines Corporation | Ultrasonic adhesion/dehesion monitoring apparatus with acoustic transducer means |
-
1993
- 1993-05-13 JP JP5111304A patent/JPH06331678A/ja active Pending
-
1994
- 1994-05-12 US US08/241,903 patent/US5533398A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5541651A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Method of judging connection of lead wires |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008309518A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Omron Corp | Ic部品接続部検査方法およびic部品接続部検査装置 |
CN111781056A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-10-16 | 爱德曼氢能源装备有限公司 | 一种燃料电池电堆和电路板焊点测试装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5533398A (en) | 1996-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH06331678A (ja) | 電子部品のリード接続を検査する方法および装置 | |
JP3007195B2 (ja) | ボンディング装置およびボンディング部検査装置 | |
EP1469319B1 (en) | Flip-chip mounting method and mounting apparatus of electronic part | |
US7492449B2 (en) | Inspection systems and methods | |
CA1181933A (en) | Method and apparatus for ultrasonic bonding | |
US4984730A (en) | Quality control for wire bonding | |
JP5310841B2 (ja) | 接合品質検査装置及び接合品質検査方法 | |
EP0572059A1 (en) | Ultrasonic adhesion/dehesion monitoring apparatus with acoustic transducer means | |
US6747268B1 (en) | Object inspection method and system | |
Mayer et al. | In situ ultrasonic stress measurements during ball bonding using integrated piezoresistive microsensors | |
JP2009288145A (ja) | 薄膜密着強度の評価方法および評価装置 | |
JP6664300B2 (ja) | ワイヤボンディング良否判定装置およびワイヤボンディング良否判定方法 | |
TWI416112B (zh) | Substrate inspection method and substrate inspection device | |
JP4471746B2 (ja) | 半導体実装方法 | |
Rodwell et al. | Quality control in ultrasonic wire bonding | |
Harman | Acoustic-emission-monitored tests for TAB inner lead bond quality | |
JP4223159B2 (ja) | 電子部品実装装置 | |
TWI847614B (zh) | 半導體裝置製造裝置及檢查方法 | |
US20220320040A1 (en) | Wire bonding state determination method and wire bonding state determination device | |
JPH07335700A (ja) | ボンディング方法及び装置 | |
JP2001127112A (ja) | 半導体チップボンディング方法および装置 | |
JPH09223708A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS61240105A (ja) | 接合状態検出方法 | |
KR101146322B1 (ko) | 와이어 본딩 기구의 진동 변위 측정방법 | |
JPH0254168A (ja) | 電子部品のリード・オーブン不良検出方式 |