JPH06326350A - 赤外可視変換素子 - Google Patents
赤外可視変換素子Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光導電体層と電場発光体層とを組み合わせた
固体映像変換器において、1.5μm帯の赤外線を受光
でき、しかも、明るい室内でも赤外線光を可視光に変換
できる高効率な赤外可視変換素子を提供する。 【構成】 本発明の赤外可視変換素子は、赤外線光を受
光してPC層の受光感度範囲内に二次光を発光する赤外
励起螢光体層がPC層に対応して用いられることを特徴
としている。
固体映像変換器において、1.5μm帯の赤外線を受光
でき、しかも、明るい室内でも赤外線光を可視光に変換
できる高効率な赤外可視変換素子を提供する。 【構成】 本発明の赤外可視変換素子は、赤外線光を受
光してPC層の受光感度範囲内に二次光を発光する赤外
励起螢光体層がPC層に対応して用いられることを特徴
としている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光導電体層と電場発光
体層とを組み合わせて赤外線像を可視像に変換する固体
映像変換器からなる赤外可視変換素子に係り、特に、光
通信等に多用される波長1.5μm帯の赤外線光を可視
光に変換する赤外可視変換素子に関する。
体層とを組み合わせて赤外線像を可視像に変換する固体
映像変換器からなる赤外可視変換素子に係り、特に、光
通信等に多用される波長1.5μm帯の赤外線光を可視
光に変換する赤外可視変換素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、近赤外領域(0.7〜1.5μ
m)の半導体レーザの高出力化に伴い、特に光通信用で
波長1.5μm帯の赤外線光が多用されている。このた
め、赤外線光を直接に可視光に変換する材料として、3
価のエルビウムイオンを含むフッ化物または塩化物から
なる赤外励起螢光体が注目を集めているが、この赤外励
起螢光体を塗布した検出素子では、赤外線光を直接に可
視光に変換するけれども、波長上方変換(アップコンバ
ージョン)を伴うため、十分な発光効率が得られず、通
常赤外線入射強度が小さいので、暗室等の暗い場所でし
か使用できないという問題がある。
m)の半導体レーザの高出力化に伴い、特に光通信用で
波長1.5μm帯の赤外線光が多用されている。このた
め、赤外線光を直接に可視光に変換する材料として、3
価のエルビウムイオンを含むフッ化物または塩化物から
なる赤外励起螢光体が注目を集めているが、この赤外励
起螢光体を塗布した検出素子では、赤外線光を直接に可
視光に変換するけれども、波長上方変換(アップコンバ
ージョン)を伴うため、十分な発光効率が得られず、通
常赤外線入射強度が小さいので、暗室等の暗い場所でし
か使用できないという問題がある。
【0003】一方、明るい室内でも赤外線光を可視光に
変換する検出器としては、本発明者等が先に特願平4−
197897号明細書で提案した如く、光導電体層(以
下、PC層という)と電場発光体層(以下、EL層とい
う)とを組み合わせて赤外線像を可視像に変換する固体
映像変換器があるが、光導電体層にセレン化カドミウム
系粒子を用いているため、光導電体層の受光感度の範囲
が700〜1000nmであって、光通信等に多用され
ているところの1.5μm帯の赤外線を受光できないと
いう問題がある。
変換する検出器としては、本発明者等が先に特願平4−
197897号明細書で提案した如く、光導電体層(以
下、PC層という)と電場発光体層(以下、EL層とい
う)とを組み合わせて赤外線像を可視像に変換する固体
映像変換器があるが、光導電体層にセレン化カドミウム
系粒子を用いているため、光導電体層の受光感度の範囲
が700〜1000nmであって、光通信等に多用され
ているところの1.5μm帯の赤外線を受光できないと
いう問題がある。
【0004】このため、1.5μm帯の赤外線を受光で
き、しかも、明るい室内でも赤外線光を可視光に変換で
きる赤外可視変換素子が切望されている。
き、しかも、明るい室内でも赤外線光を可視光に変換で
きる赤外可視変換素子が切望されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はこの
ような事情を鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、光導電体層(PC層)と電場発光体層(E
L層)とを組み合わせた固体映像変換器において、1.
5μm帯の赤外線を受光でき、しかも、明るい室内でも
赤外線光を可視光に変換できる高効率な赤外可視変換素
子を提供することにある。
ような事情を鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、光導電体層(PC層)と電場発光体層(E
L層)とを組み合わせた固体映像変換器において、1.
5μm帯の赤外線を受光でき、しかも、明るい室内でも
赤外線光を可視光に変換できる高効率な赤外可視変換素
子を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、PC層と
EL層とを組合せた固体映像変換器に赤外励起螢光体を
組み込むことを見い出し、鋭意研究の結果、本発明を完
成するに至った。
EL層とを組合せた固体映像変換器に赤外励起螢光体を
組み込むことを見い出し、鋭意研究の結果、本発明を完
成するに至った。
【0007】即ち、PC層とEL層とを組み合わせて外
部から入光した赤外線光を可視光に変換する赤外可視変
換素子において、本発明の赤外可視変換素子は、赤外線
光を受光してPC層の受光感度範囲内の二次光を発光す
る赤外励起螢光体層がPC層に対応して用いられること
を特徴としている。
部から入光した赤外線光を可視光に変換する赤外可視変
換素子において、本発明の赤外可視変換素子は、赤外線
光を受光してPC層の受光感度範囲内の二次光を発光す
る赤外励起螢光体層がPC層に対応して用いられること
を特徴としている。
【0008】好適には、赤外励起螢光体層が赤外励起螢
光体粒子からなり、一方、PC層が光導電体粒子からな
り、これら赤外励起螢光体粒子および光導電体粒子が混
合されることにより、赤外励起螢光体層はPC層と同一
層に形成されている。
光体粒子からなり、一方、PC層が光導電体粒子からな
り、これら赤外励起螢光体粒子および光導電体粒子が混
合されることにより、赤外励起螢光体層はPC層と同一
層に形成されている。
【0009】また、好適には、赤外励起螢光体層が、P
C層の受光感度範囲内に主ピーク波長を有した赤外励起
螢光体からなることが好ましく、このため、赤外励起螢
光体粒子が、3価のエルビウムで付活された希土類また
はアルカリ土類のハロゲン化物からなっている。
C層の受光感度範囲内に主ピーク波長を有した赤外励起
螢光体からなることが好ましく、このため、赤外励起螢
光体粒子が、3価のエルビウムで付活された希土類また
はアルカリ土類のハロゲン化物からなっている。
【0010】さらに、光導電体粒子がセレン化カドミウ
ム系粒子からなり、一方、EL層が硫化亜鉛系粒子を含
んでおり、また、赤外励起螢光体粒子が3価のエルビウ
ムで付活されたフッ化イットリウムからなっている。こ
の場合、赤外励起螢光体粒子が、一般式 Y1-xErxF
3 (但し、xは0.05≦x≦0.4の範囲である)で
表されることがより好ましい。
ム系粒子からなり、一方、EL層が硫化亜鉛系粒子を含
んでおり、また、赤外励起螢光体粒子が3価のエルビウ
ムで付活されたフッ化イットリウムからなっている。こ
の場合、赤外励起螢光体粒子が、一般式 Y1-xErxF
3 (但し、xは0.05≦x≦0.4の範囲である)で
表されることがより好ましい。
【0011】
【作用】本発明の赤外可視変換素子では、赤外線光を受
光してPC層の受光感度範囲内の波長の二次光を発光す
る赤外励起螢光体層がPC層に対応して用いられること
により、外部から入光した赤外線光が赤外励起螢光体層
で二次光に変換し、この二次光がPC層のインピーダン
スを低下させ、これにより、対応したEL層が発光す
る。従って、本発明の赤外可視変換素子に入った赤外線
像は、明るい室内でもEL層により高効率な可視像に変
換される。
光してPC層の受光感度範囲内の波長の二次光を発光す
る赤外励起螢光体層がPC層に対応して用いられること
により、外部から入光した赤外線光が赤外励起螢光体層
で二次光に変換し、この二次光がPC層のインピーダン
スを低下させ、これにより、対応したEL層が発光す
る。従って、本発明の赤外可視変換素子に入った赤外線
像は、明るい室内でもEL層により高効率な可視像に変
換される。
【0012】赤外励起螢光体層が赤外励起螢光体粒子か
らなり、一方、PC層が光導電体粒子からなり、且つ、
これら赤外励起螢光体粒子および光導電体粒子が均一に
混合されることにより、赤外励起螢光体層はPC層と同
一層に形成される場合、都合のよいことには、赤外線光
がPC層の受光感度範囲内の波長である場合にも、入光
した赤外線光が直接にPC層のインピーダンスを低下さ
せるのと同時に、入光した赤外線光が赤外励起螢光体層
で二次光に変換し、この二次光によってPC層のインピ
ーダンスの低下を増感させる。
らなり、一方、PC層が光導電体粒子からなり、且つ、
これら赤外励起螢光体粒子および光導電体粒子が均一に
混合されることにより、赤外励起螢光体層はPC層と同
一層に形成される場合、都合のよいことには、赤外線光
がPC層の受光感度範囲内の波長である場合にも、入光
した赤外線光が直接にPC層のインピーダンスを低下さ
せるのと同時に、入光した赤外線光が赤外励起螢光体層
で二次光に変換し、この二次光によってPC層のインピ
ーダンスの低下を増感させる。
【0013】また、赤外励起螢光体粒子が、3価のエル
ビウムで付活された希土類のフッ化物または塩化物から
なる場合、例えば、通信用で多用されるところの1.5
μm帯により、赤外励起螢光体層において、フッ化物で
660nmの赤色可視光、塩化物で550nmの緑色発
光を暗室等で直接視ることができるのに加え、PC層へ
の二次光の変換から、EL層での明るい高効率な可視光
を視ることができる。
ビウムで付活された希土類のフッ化物または塩化物から
なる場合、例えば、通信用で多用されるところの1.5
μm帯により、赤外励起螢光体層において、フッ化物で
660nmの赤色可視光、塩化物で550nmの緑色発
光を暗室等で直接視ることができるのに加え、PC層へ
の二次光の変換から、EL層での明るい高効率な可視光
を視ることができる。
【0014】光導電体粒子がセレン化カドミウム系粒子
からなり、一方、EL層が硫化亜鉛系粒子を含んでお
り、また、赤外励起螢光体粒子が3価のエルビウムで付
活されたフッ化イットリウムからなっている場合、フッ
化イットリウム赤外励起螢光体により、985nmの二
次光が発光し、この二次光により、750〜1050n
mに受光感度を有したセレン化カドミウム系PC層によ
り、PC層のインピーダンスが低下し、次いで、硫化亜
鉛系EL層により、明るいより高効率な可視光が得られ
る。
からなり、一方、EL層が硫化亜鉛系粒子を含んでお
り、また、赤外励起螢光体粒子が3価のエルビウムで付
活されたフッ化イットリウムからなっている場合、フッ
化イットリウム赤外励起螢光体により、985nmの二
次光が発光し、この二次光により、750〜1050n
mに受光感度を有したセレン化カドミウム系PC層によ
り、PC層のインピーダンスが低下し、次いで、硫化亜
鉛系EL層により、明るいより高効率な可視光が得られ
る。
【0015】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例について説明する。
例について説明する。
【0016】図1には、本発明の赤外可視変換素子の部
分断面図が示されており、図1から判るように、この赤
外可視変換素子は、透明ガラス基板2を有しており、こ
の透明ガラス基板2上には、酸化インジウム・酸化錫か
らなるITO薄膜4が形成されている。ITO薄膜4上
には、セレン化カドミウム系粒子と赤外励起螢光体とし
てのY0.8Er0.2F3 粒子とが重量比で7:3の割合で
均一に混合された後、好適なバインダ等により分散塗布
されたPC層6、チタン酸バリウム粒子からなる誘電体
層8、ZnS:Cu,AlからなるEL層10、及び、
ITO微粉からなる透明電極層12が順次積層されてい
る。そして、ITO薄膜4と背面透明電極層12とは好
適なインバータ交流電源に接続されている。
分断面図が示されており、図1から判るように、この赤
外可視変換素子は、透明ガラス基板2を有しており、こ
の透明ガラス基板2上には、酸化インジウム・酸化錫か
らなるITO薄膜4が形成されている。ITO薄膜4上
には、セレン化カドミウム系粒子と赤外励起螢光体とし
てのY0.8Er0.2F3 粒子とが重量比で7:3の割合で
均一に混合された後、好適なバインダ等により分散塗布
されたPC層6、チタン酸バリウム粒子からなる誘電体
層8、ZnS:Cu,AlからなるEL層10、及び、
ITO微粉からなる透明電極層12が順次積層されてい
る。そして、ITO薄膜4と背面透明電極層12とは好
適なインバータ交流電源に接続されている。
【0017】一例として、膜厚について説明すると、 PC層6 ・・・ 200μm、 誘電体層8・・・ 15μm、 EL層10・・・ 30μm とした。
【0018】特に注目すべきことには、本実施例では、
セレン化カドミウム系粒子とY0.8Er0.2F3 粒子とを
均一に混合することにより、PC層6に赤外励起螢光体
層を形成したことである。
セレン化カドミウム系粒子とY0.8Er0.2F3 粒子とを
均一に混合することにより、PC層6に赤外励起螢光体
層を形成したことである。
【0019】このように構成された赤外可視変換素子で
は、図1中符号A1で示されるように、例えば、1.5
μm帯の赤外線を透明ガラス基板2側から入光させる
と、赤外線はITO薄膜4を透過してPC層6の赤外励
起螢光体粒子に達し(符号A2)、赤外励起螢光体粒子
により二次光(後述するように、主に985nm波長)
が出てこのPC層6の部位でのインピーダンスを低下さ
せ、次いで、対応したEL層10の部位から可視光(符
号A3)が発光する。
は、図1中符号A1で示されるように、例えば、1.5
μm帯の赤外線を透明ガラス基板2側から入光させる
と、赤外線はITO薄膜4を透過してPC層6の赤外励
起螢光体粒子に達し(符号A2)、赤外励起螢光体粒子
により二次光(後述するように、主に985nm波長)
が出てこのPC層6の部位でのインピーダンスを低下さ
せ、次いで、対応したEL層10の部位から可視光(符
号A3)が発光する。
【0020】一方、図1中符号B1で示されるように、
背面透明電極層12側から1.5μm帯の赤外線を入光
させると、赤外線は、背面透明電極層12、EL層1
0、誘電体層8を透過してPC層6の赤外励起螢光体粒
子に達し(符号B2)、赤外励起螢光体粒子により波長
985nmの二次光が出てこのPC層6の部位でのイン
ピーダンスを低下させ、次いで、対応したEL層10の
部位から可視光(符号B3)が発光する。
背面透明電極層12側から1.5μm帯の赤外線を入光
させると、赤外線は、背面透明電極層12、EL層1
0、誘電体層8を透過してPC層6の赤外励起螢光体粒
子に達し(符号B2)、赤外励起螢光体粒子により波長
985nmの二次光が出てこのPC層6の部位でのイン
ピーダンスを低下させ、次いで、対応したEL層10の
部位から可視光(符号B3)が発光する。
【0021】このように、本実施例での赤外可視変換素
子では、透明ガラス基板2側と背面透明電極12側のい
ずれの側からでも、例えば、1.5μmの赤外線光を可
視光に高効率に変換することができる。
子では、透明ガラス基板2側と背面透明電極12側のい
ずれの側からでも、例えば、1.5μmの赤外線光を可
視光に高効率に変換することができる。
【0022】以下、具体的に1.5μmの赤外線光を可
視光に高効率に変換することについて説明する。
視光に高効率に変換することについて説明する。
【0023】図2には、波長1.55μmの赤外線光で
励起した時におけるY0.8Er0.2F3 からなる赤外励起
螢光体の発光スペクトルが示されている。図2から明ら
かなように0.985μm、即ち、985nmの主ピー
クが得られる。
励起した時におけるY0.8Er0.2F3 からなる赤外励起
螢光体の発光スペクトルが示されている。図2から明ら
かなように0.985μm、即ち、985nmの主ピー
クが得られる。
【0024】図3には、PC層6のセレン化カドミウム
系粒子の受光感度が示されている。図3から明かなよう
に、750〜1050nmに高感度の範囲がある。尚、
この場合、セレン化カドミウム系粒子はCdSSe:C
u、Cl光導電体粒子からなり、Sの量を十分に調製す
ることにより、このCdSe:Cu、Cl光導電体粒子
を広帯域な感度範囲にすることができる。
系粒子の受光感度が示されている。図3から明かなよう
に、750〜1050nmに高感度の範囲がある。尚、
この場合、セレン化カドミウム系粒子はCdSSe:C
u、Cl光導電体粒子からなり、Sの量を十分に調製す
ることにより、このCdSe:Cu、Cl光導電体粒子
を広帯域な感度範囲にすることができる。
【0025】図4には、赤外可視変換素子に入射する
1.55μm帯のレーザダイオードのファイバ先端から
距離2mmでの赤外可視変換素子に入射する1.55μ
m入射強度とEL層10の発光強度との関係が曲線aで
示されている。比較のため、曲線bにはEr付活フッ化
物のものが示されている。図4中の点線から明かなよう
に、本実施例の赤外可視変換素子では、入力0.014
mWで0.3cd/m2が得られている。このことは、
感度が0.014mWであることを示し、例えば、Er
付活フッ化物の感度が0.17mW程度であるから、感
度が約12倍向上しており、また、例えば、図4の一点
鎖線で示されるように、発光輝度が数十倍も向上してい
る。
1.55μm帯のレーザダイオードのファイバ先端から
距離2mmでの赤外可視変換素子に入射する1.55μ
m入射強度とEL層10の発光強度との関係が曲線aで
示されている。比較のため、曲線bにはEr付活フッ化
物のものが示されている。図4中の点線から明かなよう
に、本実施例の赤外可視変換素子では、入力0.014
mWで0.3cd/m2が得られている。このことは、
感度が0.014mWであることを示し、例えば、Er
付活フッ化物の感度が0.17mW程度であるから、感
度が約12倍向上しており、また、例えば、図4の一点
鎖線で示されるように、発光輝度が数十倍も向上してい
る。
【0026】図5には、Y0.8Er0.2F3 赤外励起螢光
体での1.55μmの入射強度に応じる波長985nm
と波長660nmのピークにおける発光強度の減衰が直
線a及びbにそれぞれ示されている。1.55μmの入
力が弱くなるにつれ、波長660nm及び波長985n
mの両者の発光強度も弱くなるが、図5から明らかなよ
うに、波長985nmピークでの発光強度の落ちが少な
く、可視光である660nmに比較して、本実施例で二
次光に利用される波長985nmピークの落ちが少なく
有利である。
体での1.55μmの入射強度に応じる波長985nm
と波長660nmのピークにおける発光強度の減衰が直
線a及びbにそれぞれ示されている。1.55μmの入
力が弱くなるにつれ、波長660nm及び波長985n
mの両者の発光強度も弱くなるが、図5から明らかなよ
うに、波長985nmピークでの発光強度の落ちが少な
く、可視光である660nmに比較して、本実施例で二
次光に利用される波長985nmピークの落ちが少なく
有利である。
【0027】図6には、1.55μm励起において、Y
1-xErxF3 赤外励起螢光体のEr濃度と相対強度比を
660nm、810nm及び985nmでの各波長で示
している。図9から明かなように、波長985nmの二
次光を利用する場合、Er量を5〜40モル%に選定す
るとよい。
1-xErxF3 赤外励起螢光体のEr濃度と相対強度比を
660nm、810nm及び985nmでの各波長で示
している。図9から明かなように、波長985nmの二
次光を利用する場合、Er量を5〜40モル%に選定す
るとよい。
【0028】尚、上述の実施例では、赤外励起螢光体粒
子と光導電体粒子とを混合することにより、PC層6を
形成したが、本発明はこれに限ることなく、例えば、I
TO薄膜4を背面透明電極層12と同様なITO微粉層
で形成し、このITO微紛層と透明ガラス基板2との間
に独立して赤外励起螢光体層を形成してもよい。
子と光導電体粒子とを混合することにより、PC層6を
形成したが、本発明はこれに限ることなく、例えば、I
TO薄膜4を背面透明電極層12と同様なITO微粉層
で形成し、このITO微紛層と透明ガラス基板2との間
に独立して赤外励起螢光体層を形成してもよい。
【0029】また、上述の実施例では、赤外励起螢光体
としてEr付活フッ化イットリウムを使用したが、本発
明はこれに限ることなく、セレン化カドミウム系光導電
体粒子の受光感度範囲である750〜1050nmの発
光を有する赤外励起螢光体、例えば、Er付活以外のP
r、Nd、Tm若しくはHo付活、Ho及びYbの共付
活またはEr及びYbの共付活の希土類或いはアルカリ
土類のハロゲン化物が挙げられる。
としてEr付活フッ化イットリウムを使用したが、本発
明はこれに限ることなく、セレン化カドミウム系光導電
体粒子の受光感度範囲である750〜1050nmの発
光を有する赤外励起螢光体、例えば、Er付活以外のP
r、Nd、Tm若しくはHo付活、Ho及びYbの共付
活またはEr及びYbの共付活の希土類或いはアルカリ
土類のハロゲン化物が挙げられる。
【0030】
【発明の効果】上述したように、本発明の赤外可視変換
素子では、光導電体層(PC層)と電場発光体層(EL
層)とを組み合わせた固体映像変換器において、1.5
μm帯の赤外線を受光でき、しかも、明るい室内でも赤
外線光を可視光に変換できる。そして、この赤外可視変
換素子は、赤外励起螢光体単独を使用したものに比較し
て、受光感度が高く、極めて高効率である。
素子では、光導電体層(PC層)と電場発光体層(EL
層)とを組み合わせた固体映像変換器において、1.5
μm帯の赤外線を受光でき、しかも、明るい室内でも赤
外線光を可視光に変換できる。そして、この赤外可視変
換素子は、赤外励起螢光体単独を使用したものに比較し
て、受光感度が高く、極めて高効率である。
【図1】本発明の一実施例に係る赤外可視変換素子を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】本発明の一実施例に係る赤外励起螢光体の発光
スペクトルを示すグラフ図である。
スペクトルを示すグラフ図である。
【図3】本発明の一実施例に係るPC層の受光感度を示
すグラフ図である。
すグラフ図である。
【図4】本発明の一実施例に係る赤外可視変換素子の入
射強度と発光強度を示すを示すグラフ図である。
射強度と発光強度を示すを示すグラフ図である。
【図5】本発明の一実施例に係る赤外励起螢光体の各ピ
ークにおける入射強度と発光強度比との関係を示すグラ
フ図である。
ークにおける入射強度と発光強度比との関係を示すグラ
フ図である。
【図6】本発明の一実施例に係る赤外励起螢光体ののE
r濃度と相対強度との関係を示すグラフ図である。
r濃度と相対強度との関係を示すグラフ図である。
2 透明ガラス基板 4 ITO薄膜 6 光導電体層(PC層) 8 誘電体層 10 電場発光体層(EL層) 12 背面透明電極層
Claims (5)
- 【請求項1】 光導電体層と電場発光体層とを組み合わ
せて外部から入光した赤外線光を可視光に変換する赤外
可視変換素子において、 前記赤外線光を受光して前記光導電体層の受光感度範囲
内に二次光を発光する赤外励起螢光体層が前記光導電体
層に対応して用いられることを特徴とする赤外可視変換
素子。 - 【請求項2】 前記赤外励起螢光体層が赤外励起螢光体
粒子からなり、一方、前記光導電体層は光導電体粒子か
らなり、これら赤外励起螢光体粒子および光導電体粒子
が混合されることにより、前記赤外励起螢光体層は前記
光導電体層と同一層に形成されることを特徴とする請求
項1に記載の赤外可視変換素子。 - 【請求項3】 前記赤外励起螢光体粒子が、3価のエル
ビウムで付活された希土類またはアルカリ土類のハロゲ
ン化物からなることを特徴とする請求項2に記載の赤外
可視変換素子。 - 【請求項4】 前記光導電体粒子がセレン化カドミウム
系粒子からなり、一方、前記電場発光体層が硫化亜鉛系
粒子を含んでなり、また、前記赤外励起螢光体粒子が、
3価のエルビウムで付活されたフッ化イットリウムから
なることを特徴とする請求項1ないし3に記載の赤外可
視変換素子。 - 【請求項5】 前記赤外励起螢光体粒子が、一般式 Y
1-xErxF3 (但し、xは0.05≦x≦0.4の範囲
である)で表されることを特徴とする請求項4に記載の
赤外可視変換素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11039693A JPH06326350A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 赤外可視変換素子 |
US08/238,020 US5438198A (en) | 1993-05-12 | 1994-05-03 | Infrared-to-visible converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11039693A JPH06326350A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 赤外可視変換素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06326350A true JPH06326350A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14534755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11039693A Pending JPH06326350A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 赤外可視変換素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5438198A (ja) |
JP (1) | JPH06326350A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101281830B1 (ko) * | 2006-09-26 | 2013-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 멀티 터치 감지기능을 갖는 액정표시장치와 그 구동방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5888886A (en) * | 1997-06-30 | 1999-03-30 | Sdl, Inc. | Method of doping gan layers p-type for device fabrication |
WO1999005728A1 (en) | 1997-07-25 | 1999-02-04 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
US6275211B1 (en) | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Gateway, Inc. | Waste heat actuated display back light |
JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
ATE452445T1 (de) | 1999-03-04 | 2010-01-15 | Nichia Corp | Nitridhalbleiterlaserelement |
US6686691B1 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Tri-color, white light LED lamps |
EP1346195A2 (en) * | 2000-12-27 | 2003-09-24 | Instituttet For Produktudvikling | Device for analysing an infrared laser beam and a laser proce ssing system of which the device forms part |
US7326908B2 (en) * | 2004-04-19 | 2008-02-05 | Edward Sargent | Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals |
US7773404B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-08-10 | Invisage Technologies, Inc. | Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same |
US7742322B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-06-22 | Invisage Technologies, Inc. | Electronic and optoelectronic devices with quantum dot films |
US7746681B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-06-29 | Invisage Technologies, Inc. | Methods of making quantum dot films |
CA2519608A1 (en) | 2005-01-07 | 2006-07-07 | Edward Sargent | Quantum dot-polymer nanocomposite photodetectors and photovoltaics |
KR101513311B1 (ko) | 2006-09-29 | 2015-04-22 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. | 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치 |
TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
AU2011258475A1 (en) | 2010-05-24 | 2012-11-15 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
CN103180968A (zh) * | 2010-08-18 | 2013-06-26 | 班大燕 | 具备波长转换功能的有机/无机混合光学放大器 |
CA2828304A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Infrared pass visible blocker for upconversion devices |
CA2840498A1 (en) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
JP2018529214A (ja) | 2015-06-11 | 2018-10-04 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. | 単分散ir吸収ナノ粒子及び関連する方法及びデバイス |
US10754142B2 (en) | 2017-06-07 | 2020-08-25 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Electronic up-conversions of a scene using a pixelated detector array |
CN110197860B (zh) * | 2019-05-29 | 2021-05-28 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途 |
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US3710127A (en) * | 1971-04-19 | 1973-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image converter having composite energy sensing element |
JPH0545215A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 赤外光検出装置 |
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JP2674430B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1997-11-12 | 日亜化学工業株式会社 | 固体映像変換素子 |
JP2882435B2 (ja) * | 1992-07-24 | 1999-04-12 | 日亜化学工業株式会社 | 固体映像変換素子 |
JPH0645640A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 固体映像変換素子 |
-
1993
- 1993-05-12 JP JP11039693A patent/JPH06326350A/ja active Pending
-
1994
- 1994-05-03 US US08/238,020 patent/US5438198A/en not_active Expired - Fee Related
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KR101281830B1 (ko) * | 2006-09-26 | 2013-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 멀티 터치 감지기능을 갖는 액정표시장치와 그 구동방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5438198A (en) | 1995-08-01 |
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