JPH06326184A - Cutting method for semiconductor wafer - Google Patents
Cutting method for semiconductor waferInfo
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- JPH06326184A JPH06326184A JP11314693A JP11314693A JPH06326184A JP H06326184 A JPH06326184 A JP H06326184A JP 11314693 A JP11314693 A JP 11314693A JP 11314693 A JP11314693 A JP 11314693A JP H06326184 A JPH06326184 A JP H06326184A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを切断用
刃具を用いて切断する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cutting a semiconductor wafer with a cutting blade.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウエハをダイシングマシ
ンにより切断する場合、ウエハを加工テーブル上に固定
し、切断用刃具（以下、ブレードという。）または加工
テーブルを移動させてウエハを切断していく。以下、ブ
レードを移動する場合の例で説明する。2. Description of the Related Art Generally, when a semiconductor wafer is cut by a dicing machine, the wafer is fixed on a processing table, and a cutting blade (hereinafter referred to as a blade) or a processing table is moved to cut the wafer. Hereinafter, an example of moving the blade will be described.
【０００３】従来のウエハの切断方法では、切断を開始
する際、ブレードの移動速度を、例えば数値制御装置
（以下、ＮＣ装置という。）を用いて、予め入力された
速度まで一定の加速度で増加させていた。In the conventional wafer cutting method, when the cutting is started, the moving speed of the blade is increased at a constant acceleration up to a speed inputted in advance by using, for example, a numerical controller (hereinafter referred to as NC device). I was letting it.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハを切
断する場合、切断残りが生じないように、図５に示すよ
うに、ウエハ５１の実寸法より大きい範囲５２でブレー
ドを移動させていた。このため、上述のように一定の加
速度でブレードの移動速度を増加させた場合、ブレード
とウエハが接触し始める時点では、ブレードの移動速度
が既に速い場合が多い。By the way, when the wafer is cut, the blade is moved within a range 52 larger than the actual size of the wafer 51 as shown in FIG. Therefore, when the moving speed of the blade is increased with a constant acceleration as described above, the moving speed of the blade is often already high at the time point when the blade and the wafer start contact with each other.
【０００５】そのため、ブレードとウエハが接触すると
きの衝撃でブレードに欠け等のダメージを与えることが
あった。このことは、ウエハのチッピングの増大等の品
質不良の原因となっていた。また、ブレードの寿命が短
くなり、その交換頻度が多くなり、装置の稼働率が低下
するという問題点があった。Therefore, the blade may be damaged such as chipped due to the impact when the blade and the wafer come into contact with each other. This has been a cause of poor quality such as increased chipping of the wafer. Further, there is a problem that the life of the blade is shortened, the frequency of replacement of the blade is increased, and the operating rate of the apparatus is reduced.
【０００６】このような問題点に対する対策として、ブ
レードの移動速度を増加させる際の加速度を小さくする
こと、もしくは、切断速度自体を小さくすることが考え
られるが、そうすると所定の速度に到達するまでに時間
を要したり、切断時間が長くなり、生産性が低下すると
いう問題が生じる。As a countermeasure against such a problem, it is conceivable to reduce the acceleration when increasing the moving speed of the blade, or to reduce the cutting speed itself, but then, before reaching a predetermined speed. There is a problem in that productivity is reduced due to a long time and a long cutting time.
【０００７】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
もので、生産性を低下させることなく、ブレードの欠け
やウエハの品質不良を防止できるようにした半導体ウエ
ハの切断方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer cutting method capable of preventing chipping of a blade and defective wafer quality without lowering productivity. To aim.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
切断方法は、半導体ウエハを固定した加工テーブルと切
断用刃具とを相対的に移動させて、切断用刃具によって
半導体ウエハを切断する方法であって、切断用刃具によ
って半導体ウエハの切断を開始する際に、切断用刃具と
加工テーブルとの相対的な移動速度を所定の速度まで徐
々に増加させると共に、切断用刃具が半導体ウエハと接
触する以前における切断用刃具と加工テーブルとの相対
的な移動の加速度を、切断用刃具が半導体ウエハと接触
した後の加速度よりも小さくしたものである。A semiconductor wafer cutting method according to the present invention is a method of cutting a semiconductor wafer with a cutting blade by relatively moving a processing table on which the semiconductor wafer is fixed and a cutting blade. Therefore, when the cutting of the semiconductor wafer is started by the cutting blade, the relative moving speed of the cutting blade and the processing table is gradually increased to a predetermined speed, and the cutting blade comes into contact with the semiconductor wafer. The acceleration of the relative movement between the cutting blade and the processing table before is made smaller than the acceleration after the cutting blade comes into contact with the semiconductor wafer.
【０００９】[0009]
【作用】本発明の半導体ウエハの切断方法によれば、切
断用刃具と半導体ウェハとが接触する以前の両者の相対
的な加速度を、接触した後の加速度よりも小さくでき
る。従って、切断用刃具が半導体ウエハと接触する時点
における両者の相対速度を小さくすることができ、か
つ、その後の両者の相対速度を大きな加速度で増加させ
ることにより、所定の速度に到達するまでの時間は従来
よりも長くなることはない。According to the method of cutting a semiconductor wafer of the present invention, the relative acceleration between the cutting blade and the semiconductor wafer before they contact each other can be made smaller than the acceleration after the contact. Therefore, it is possible to reduce the relative speed between the cutting blade and the semiconductor wafer at the time of contact with the semiconductor wafer, and increase the relative speed between the two with a large acceleration, so that the time required to reach the predetermined speed is increased. Will never be longer than before.
【００１０】[0010]
【実施例】以下本発明の半導体ウエハの切断方法におけ
る好適な実施例について、図１から図４を参照して詳細
に説明する。図１は本実施例の半導体ウエハの切断方法
を実現するダイシングマシーンの概略の構成を示すブロ
ック図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the semiconductor wafer cutting method of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a dicing machine that realizes the semiconductor wafer cutting method of this embodiment.
【００１１】このダイシングマシーンは、半導体ウエハ
を切断するブレードを移動させるサーボモータ１と、こ
のサーボモータ１の回転位置を検出する位置検出器２
と、サーボモータ１を駆動するサーボドライバ３と、こ
のサーボドライバ３を制御するＮＣ装置４とを備えてい
る。The dicing machine includes a servo motor 1 for moving a blade for cutting a semiconductor wafer, and a position detector 2 for detecting a rotational position of the servo motor 1.
And a servo driver 3 that drives the servo motor 1 and an NC device 4 that controls the servo driver 3.
【００１２】ＮＣ装置４はマイクロプロセッサを有し、
ソフトウェア的に任意の速度パターンを設定できるよう
になっている。そして、ＮＣ装置４は、位置検出器２か
らの位置情報１１を入力し、設定された速度パターンに
基づく目標位置と位置検出器２からの位置情報１１によ
る現在位置との偏差に応じた速度指令１２をサーボドラ
イバ３に送出する。The NC device 4 has a microprocessor,
It is possible to set arbitrary speed patterns by software. Then, the NC device 4 receives the position information 11 from the position detector 2, and inputs a speed command according to the deviation between the target position based on the set speed pattern and the current position based on the position information 11 from the position detector 2. 12 is sent to the servo driver 3.
【００１３】サーボドライバ３は、位置検出器２からの
位置情報１３とＮＣ装置４からの速度指令１２に基づい
て、サーボモータに速度指令１４を送出する。図２に示
すように、切断対象物である半導体ウエハ５は加工テー
ブル６上に固定され、ブレード７がサーボモータ１によ
って移動されて半導体ウエハ５を切断していくようにな
っている。なお、ブレード７は図示しない他のモータに
よって回転される。The servo driver 3 sends a speed command 14 to the servo motor based on the position information 13 from the position detector 2 and the speed command 12 from the NC device 4. As shown in FIG. 2, the semiconductor wafer 5 to be cut is fixed on the processing table 6, and the blade 7 is moved by the servo motor 1 to cut the semiconductor wafer 5. The blade 7 is rotated by another motor (not shown).
【００１４】図３は本実施例におけるブレードの移動の
速度パターンを示す特性図である。この図に示すよう
に、本実施例では、ブレード７によって半導体ウエハ５
の切断を開始する際に、ブレード７の移動速度を一定速
度Ｖａまで徐々に増加させると共に、この移動速度がゼ
ロからＶａに達するまでの間の速度パターンを、次の
（１）式で表される正弦波形状に設定している。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a velocity pattern of the movement of the blade in this embodiment. As shown in this figure, in this embodiment, the semiconductor wafer 5 is moved by the blade 7.
When the cutting of the blade is started, the moving speed of the blade 7 is gradually increased to a constant speed Va, and a speed pattern from when the moving speed reaches zero to Va is represented by the following formula (1). Is set to a sine wave shape.
【００１５】 Ｖ＝（１／２）Ｖａ｛ｓｉｎ（ωｔ−π／２）＋１｝ （１） なお、ブレード７が半導体ウエハ５を通過した後にブレ
ード７の移動速度を減少させる際の速度パターンは、図
３に示すように速度増加時と対称な形でも良いし、直線
等の他の形でも良い。V = (1/2) Va {sin (ωt−π / 2) +1} (1) The speed pattern when the moving speed of the blade 7 is reduced after the blade 7 passes through the semiconductor wafer 5 is: As shown in FIG. 3, the shape may be symmetrical with the speed increase, or another shape such as a straight line may be used.
【００１６】図４は、本実施例における速度パターンと
従来の速度パターンとを比較するための説明図である。
この図において、符号２１は一定加速度で速度を増加さ
せる従来の速度パターンを示し、２２は正弦波形状で速
度を増加させる本実施例における速度パターンを示す。
ここで、ブレード７の移動距離（位置）は、速度の積分
値として求められる。FIG. 4 is an explanatory diagram for comparing the speed pattern in this embodiment with the conventional speed pattern.
In this figure, reference numeral 21 indicates a conventional speed pattern for increasing the speed at a constant acceleration, and reference numeral 22 indicates a speed pattern in the present embodiment for increasing the speed in a sinusoidal shape.
Here, the moving distance (position) of the blade 7 is obtained as an integral value of speed.
【００１７】従来と本実施例のそれぞれの場合につい
て、ブレード７がウエハ５に接触する時刻をｔ1 、
ｔ2 、そのときのブレード７の移動速度をＶ1 、Ｖ2 と
すると、図から分かるように、本実施例においてブレー
ド７がウエハ５に接触する時点のブレード７の移動速度
Ｖ2 は従来の移動速度Ｖ1 よりも小さい。しかし、その
後は加速度が従来よりも大きくなり、速度も従来よりも
大きくなり、一定速度Ｖａに達するまでの時間およびブ
レード７の移動距離は従来と変わらない。In each of the conventional case and the present embodiment, the time when the blade 7 contacts the wafer 5 is t 1 ,
Assuming that t 2 is the moving speed of the blade 7 at that time and V 1 and V 2 , the moving speed V 2 of the blade 7 at the time when the blade 7 contacts the wafer 5 in the present embodiment is It is smaller than the moving speed V 1 . However, after that, the acceleration becomes larger than the conventional one, and the speed becomes larger than the conventional one, and the time until reaching the constant speed Va and the moving distance of the blade 7 are the same as the conventional one.
【００１８】従って、本実施例によれば、ブレード７と
ウエハ５が接触するときの衝撃が減少し、ブレード７の
寿命が長くなり、ブレード７の交換頻度が少なくなり、
装置の稼働率が向上する。また、ブレード７の欠けによ
るウエハ５の切断品質不良が少なくなる。Therefore, according to this embodiment, the impact when the blade 7 and the wafer 5 come into contact with each other is reduced, the life of the blade 7 is extended, and the frequency of replacement of the blade 7 is reduced.
The operation rate of the device is improved. Further, defective cutting quality of the wafer 5 due to the chipping of the blade 7 is reduced.
【００１９】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
例えばブレード７によってウエハ５の切断を開始する際
のブレード７の移動速度パターンは、正弦波形状に限ら
ず、ブレード７がウエハ５と接触する以前における加速
度がそれ以降の加速度よりも小さければ良い。The present invention is not limited to the above embodiment,
For example, the moving speed pattern of the blade 7 when the cutting of the wafer 5 is started by the blade 7 is not limited to the sinusoidal shape, and the acceleration before the blade 7 contacts the wafer 5 may be smaller than the acceleration thereafter.
【００２０】また、本発明は、ブレード７を移動させる
代わりに加工テーブル６を移動させる場合にも適用する
ことができる。The present invention can also be applied to the case of moving the processing table 6 instead of moving the blade 7.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ブ
レードによって半導体ウエハの切断を開始する際に、ブ
レードと加工テーブルとの相対的な移動速度を所定の速
度まで徐々に増加させると共に、ブレードが半導体ウエ
ハと接触する以前におけるブレードと加工テーブルとの
相対的な移動の加速度を、ブレードが半導体ウエハと接
触した後の加速度よりも小さくしたので、ブレードが半
導体ウエハと接触する時点における両者の相対速度を小
さくし、その後の両者の相対速度を大きな加速度で増加
させることにより所定の速度に到達するまでの時間が従
来より長くなることがなく、生産性を低下させることな
く、ブレードの欠けやウエハの品質不良を防止すること
ができるという効果がある。As described above, according to the present invention, when the semiconductor wafer is cut by the blade, the relative moving speed between the blade and the processing table is gradually increased to a predetermined speed, and Since the acceleration of the relative movement between the blade and the processing table before the blade comes into contact with the semiconductor wafer is made smaller than the acceleration after the blade comes into contact with the semiconductor wafer, both of them at the time when the blade comes into contact with the semiconductor wafer. By decreasing the relative speed and then increasing the relative speed of both with a large acceleration, the time to reach the predetermined speed does not become longer than before, without decreasing the productivity, and without missing the blade or There is an effect that it is possible to prevent defective quality of the wafer.
【図１】本発明の一実施例の半導体ウエハの切断方法を
実現するダイシングマシーンの概略の構成を示すブロッ
ク図である。FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a dicing machine that realizes a semiconductor wafer cutting method according to an embodiment of the present invention.
【図２】一実施例におけるブレード、加工テーブルおよ
び半導体ウエハを示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a blade, a processing table, and a semiconductor wafer in one embodiment.
【図３】一実施例におけるブレードの移動の速度パター
ンを示す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a velocity pattern of movement of a blade in one embodiment.
【図４】一実施例における速度パターンと従来の速度パ
ターンとを比較するための説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram for comparing a speed pattern in one example with a conventional speed pattern.
【図５】半導体ウエハとその切断領域を示す説明図であ
る。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a semiconductor wafer and a cutting region thereof.
１ サーボモータ ２ 位置検出器 ３ サーボドライバ ４ ＮＣ装置 ５ 半導体ウエハ ６ 加工テーブル ７ ブレード 1 Servo Motor 2 Position Detector 3 Servo Driver 4 NC Device 5 Semiconductor Wafer 6 Processing Table 7 Blade
Claims (1)
切断用刃具とを相対的に移動させて、切断用刃具によっ
て半導体ウエハを切断する半導体ウエハの切断方法にお
いて、 切断用刃具によって半導体ウエハの切断を開始する際
に、切断用刃具と加工テーブルとの相対的な移動速度を
所定の速度まで徐々に増加させると共に、 切断用刃具が半導体ウエハと接触する以前における切断
用刃具と加工テーブルとの相対的な移動の加速度を、切
断用刃具が半導体ウエハと接触した後の加速度よりも小
さくしたことを特徴とする半導体ウエハの切断方法。1. A method of cutting a semiconductor wafer in which a processing table having a semiconductor wafer fixed thereto and a cutting blade are relatively moved so that the semiconductor wafer is cut by the cutting blade, wherein the semiconductor wafer is cut by the cutting blade. When starting, the relative movement speed of the cutting blade and the processing table is gradually increased to a predetermined speed, and the relative movement of the cutting blade and the processing table before the cutting blade comes into contact with the semiconductor wafer. The method for slicing a semiconductor wafer, wherein the acceleration of various movements is made smaller than the acceleration after the cutting blade comes into contact with the semiconductor wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11314693A JPH06326184A (en) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | Cutting method for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11314693A JPH06326184A (en) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | Cutting method for semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326184A true JPH06326184A (en) | 1994-11-25 |
Family
ID=14604739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11314693A Pending JPH06326184A (en) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | Cutting method for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326184A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012124370A (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting method |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP11314693A patent/JPH06326184A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012124370A (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting method |
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