JPH0632617A - 複合酸化物焼結体 - Google Patents
複合酸化物焼結体Info
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- JPH0632617A JPH0632617A JP4206954A JP20695492A JPH0632617A JP H0632617 A JPH0632617 A JP H0632617A JP 4206954 A JP4206954 A JP 4206954A JP 20695492 A JP20695492 A JP 20695492A JP H0632617 A JPH0632617 A JP H0632617A
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- sintered body
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 TiO2、BaO、HfO2、Y
2O3、ZrO2、Nb2O5、Al2O3、ZnO、
SiO2及びBeOから選ばれる少なくとも1種の成分
を1〜30重量%、残部がTa205よりなり、かつ、
焼結密度が80%以上である複合酸化物焼結体及びこれ
からなる絶縁膜形成用スパッタリングターゲット。 【効果】 従来の酸化タンタル膜に比べて、絶縁特
性のよい絶縁膜を得ることが可能である。
2O3、ZrO2、Nb2O5、Al2O3、ZnO、
SiO2及びBeOから選ばれる少なくとも1種の成分
を1〜30重量%、残部がTa205よりなり、かつ、
焼結密度が80%以上である複合酸化物焼結体及びこれ
からなる絶縁膜形成用スパッタリングターゲット。 【効果】 従来の酸化タンタル膜に比べて、絶縁特
性のよい絶縁膜を得ることが可能である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化タンタルを主成分
とする複合酸化物焼結体に関するものである。本発明の
焼結体を用いてスパッタリングすることにより、従来の
酸化タンタル膜に比べて比誘電率が高い、或いは絶縁耐
圧が高い等、絶縁特性に優れた絶縁膜の形成が可能であ
り、LSIや表示デバイス等のキャパシター用絶縁膜を
始めとして、エレクトロニクス分野で広範に利用され
る。
とする複合酸化物焼結体に関するものである。本発明の
焼結体を用いてスパッタリングすることにより、従来の
酸化タンタル膜に比べて比誘電率が高い、或いは絶縁耐
圧が高い等、絶縁特性に優れた絶縁膜の形成が可能であ
り、LSIや表示デバイス等のキャパシター用絶縁膜を
始めとして、エレクトロニクス分野で広範に利用され
る。
【0002】
【従来の技術】絶縁膜は、半導体デバイス、表示デバイ
スを初めとしてエレクトロニクス分野で広範に使用さ
れ、今日、これらデバイスの高性能化においてはキーマ
テリアルとなりつつある。
スを初めとしてエレクトロニクス分野で広範に使用さ
れ、今日、これらデバイスの高性能化においてはキーマ
テリアルとなりつつある。
【0003】従来、半導体デバイスのキャパシター膜と
して用いられていたシリカ膜、窒化ケイ素膜等は、デバ
イスの高集積化に伴い、キャパシター膜の薄膜化、或い
はトレンチ型、スタック型による電極面積の増加等によ
り容量を補ってきたが、ここにきて、これらの技術は限
界に達しつつあり、比誘電率の高い新たな絶縁膜の開発
が熱望されている。
して用いられていたシリカ膜、窒化ケイ素膜等は、デバ
イスの高集積化に伴い、キャパシター膜の薄膜化、或い
はトレンチ型、スタック型による電極面積の増加等によ
り容量を補ってきたが、ここにきて、これらの技術は限
界に達しつつあり、比誘電率の高い新たな絶縁膜の開発
が熱望されている。
【0004】また、表示デバイスにおいては、液晶デバ
イスにおける画素の細密化技術、エレクトロルミネッセ
ンス素子における発光開始電圧の低減、発光輝度の向上
等のため、比誘電率が大きく、絶縁耐圧の高い絶縁膜が
要望されている。
イスにおける画素の細密化技術、エレクトロルミネッセ
ンス素子における発光開始電圧の低減、発光輝度の向上
等のため、比誘電率が大きく、絶縁耐圧の高い絶縁膜が
要望されている。
【0005】このような状況の下、絶縁特性に優れた酸
化タンタル膜は、LSIやディスプレイデバイス等のキ
ャパシタ−用絶縁膜への応用が期待されいる。
化タンタル膜は、LSIやディスプレイデバイス等のキ
ャパシタ−用絶縁膜への応用が期待されいる。
【0006】酸化タンタル膜の成膜方法としては、一旦
タンタル膜を成膜後、電気化学的に酸化する陽極酸化
法、加熱して酸化する熱酸化法、あるいは、直接酸化タ
ンタル膜を成膜する方法としてはCVD法、金属タンタ
ルターゲット、酸化タンタル焼結体ターゲットを用いた
スパッタリング法等例示されるが、一般に、酸化タンタ
ル膜の絶縁特性は、膜中の酸素含有量(組成)に強く依
存し、絶縁特性に優れた酸化タンタル膜を再現性良く製
造することは困難であった。しかし、高密度な酸化タン
タル焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法は、優
れた絶縁特性を示す酸化タンタル膜の成膜が長時間に渡
って可能であり、また、成膜方法が簡便であるという点
で優れた成膜方法であり、我々は先に高密度な酸化タン
タル焼結体ターゲットに関し特許出願している(特願平
2ー314401、特願平2ー317733)。
タンタル膜を成膜後、電気化学的に酸化する陽極酸化
法、加熱して酸化する熱酸化法、あるいは、直接酸化タ
ンタル膜を成膜する方法としてはCVD法、金属タンタ
ルターゲット、酸化タンタル焼結体ターゲットを用いた
スパッタリング法等例示されるが、一般に、酸化タンタ
ル膜の絶縁特性は、膜中の酸素含有量(組成)に強く依
存し、絶縁特性に優れた酸化タンタル膜を再現性良く製
造することは困難であった。しかし、高密度な酸化タン
タル焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法は、優
れた絶縁特性を示す酸化タンタル膜の成膜が長時間に渡
って可能であり、また、成膜方法が簡便であるという点
で優れた成膜方法であり、我々は先に高密度な酸化タン
タル焼結体ターゲットに関し特許出願している(特願平
2ー314401、特願平2ー317733)。
【0007】高密度な酸化タンタル焼結体ターゲットを
用いたスパッタリング法により酸化タンタル膜の絶縁特
性を十分に引き出すことが可能になったとはいえ、その
絶縁特性は、比誘電率が22、10ー6A/cm2のリ
ーク電流が発生する絶縁耐圧が4MV/cmまでが物理
的性能上限界である。そのため、今後更にLSIの高集
積化、或いはディスプレイデバイスの高性能化が進むに
つれて、更に絶縁特性に優れた材料が要望されているこ
とは必至であり、必ずしも酸化タンタル膜で満足される
わけではない。
用いたスパッタリング法により酸化タンタル膜の絶縁特
性を十分に引き出すことが可能になったとはいえ、その
絶縁特性は、比誘電率が22、10ー6A/cm2のリ
ーク電流が発生する絶縁耐圧が4MV/cmまでが物理
的性能上限界である。そのため、今後更にLSIの高集
積化、或いはディスプレイデバイスの高性能化が進むに
つれて、更に絶縁特性に優れた材料が要望されているこ
とは必至であり、必ずしも酸化タンタル膜で満足される
わけではない。
【0008】酸化タンタル膜の絶縁特性の向上の試みと
して、酸化タンタルに他成分を複合化する方法が考案さ
れている。
して、酸化タンタルに他成分を複合化する方法が考案さ
れている。
【0009】酸化タンタル膜の絶縁耐圧を向上させる方
法としては、例えば、ジヤーナルオブ エレクトロケミ
カル ソサイエティ(Jornal of Elect
rochemical Socity),Vol.13
4,922(1987)に記載されているように、金属
タンタルと金属アルミニウムの複合分割ターゲットを用
いて反応性スパッタリングすることにより、酸化タンタ
ル膜に比べて絶縁耐圧の高い絶縁膜の形成が可能であ
る。
法としては、例えば、ジヤーナルオブ エレクトロケミ
カル ソサイエティ(Jornal of Elect
rochemical Socity),Vol.13
4,922(1987)に記載されているように、金属
タンタルと金属アルミニウムの複合分割ターゲットを用
いて反応性スパッタリングすることにより、酸化タンタ
ル膜に比べて絶縁耐圧の高い絶縁膜の形成が可能であ
る。
【0010】また、絶縁耐圧の向上について具体的なデ
ータは記載されていないが、金属タンタルと金属チタン
と複合化したターゲットを用いてスパッタ成膜すること
により絶縁耐圧の向上が期待されると記した特許出願も
ある(例えば、特開平1ー290766号公報)。
ータは記載されていないが、金属タンタルと金属チタン
と複合化したターゲットを用いてスパッタ成膜すること
により絶縁耐圧の向上が期待されると記した特許出願も
ある(例えば、特開平1ー290766号公報)。
【0011】また、酸化タンタル膜の比誘電率を向上さ
せる方法としては、シン ソリッドフィルムズ(Thi
n Solid Films),Vol.52,69
(1978)に記載されているように、金属タンタルと
金属チタンの複合分割ターゲットを用いて反応性スパッ
タリングして成膜することにより可能である。
せる方法としては、シン ソリッドフィルムズ(Thi
n Solid Films),Vol.52,69
(1978)に記載されているように、金属タンタルと
金属チタンの複合分割ターゲットを用いて反応性スパッ
タリングして成膜することにより可能である。
【0012】しかしながら、これらの方法は、ターゲッ
トの構造が複雑となるばかりでなく、ターゲットが金属
で構成されているため、スパッタ成膜中、チャンバー内
に導入される酸素によって金属ターゲット表面が酸化さ
れるため、長期間に渡って安定的に成膜することが極め
て困難であり、工業的な適用は必ずしも容易ではなかっ
た。
トの構造が複雑となるばかりでなく、ターゲットが金属
で構成されているため、スパッタ成膜中、チャンバー内
に導入される酸素によって金属ターゲット表面が酸化さ
れるため、長期間に渡って安定的に成膜することが極め
て困難であり、工業的な適用は必ずしも容易ではなかっ
た。
【0013】更に、酸化タンタルに他成分を複合化した
酸化物組成物に関して幾つかの特許出願がある。
酸化物組成物に関して幾つかの特許出願がある。
【0014】例えば、高屈折率膜形成用の蒸着材として
酸化タンタルとZrO2の組成物(特開昭59ー154
402号公報)、イオンビームスパッタによる紫外線反
射膜形成用のターゲットとして酸化タンタルにZr
O2、Y2O3、HfO2、Sc2O3、MgO、Al
2O3のうち少なくとも1種以上の成分を複合化した組
成物(特開平2ー275904号公報)等が挙げられ
る。しかしながら、これらの特許には、例えば密度、粒
径等の組成物物性について何等言及されていない。この
ような状況の下、絶縁特性に優れた酸化タンタル膜を長
時間に渡って安定的に形成する技術として、複合酸化物
ターゲットを用いたスパッタリング法が注目を浴びてい
る。
酸化タンタルとZrO2の組成物(特開昭59ー154
402号公報)、イオンビームスパッタによる紫外線反
射膜形成用のターゲットとして酸化タンタルにZr
O2、Y2O3、HfO2、Sc2O3、MgO、Al
2O3のうち少なくとも1種以上の成分を複合化した組
成物(特開平2ー275904号公報)等が挙げられ
る。しかしながら、これらの特許には、例えば密度、粒
径等の組成物物性について何等言及されていない。この
ような状況の下、絶縁特性に優れた酸化タンタル膜を長
時間に渡って安定的に形成する技術として、複合酸化物
ターゲットを用いたスパッタリング法が注目を浴びてい
る。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の酸化タンタル膜に比べて比誘電率、絶縁耐圧等の電気
特性に優れた絶縁膜を長時間に渡って安定的に成膜する
ことが可能な複合酸化物焼結体を提供することにある。
の酸化タンタル膜に比べて比誘電率、絶縁耐圧等の電気
特性に優れた絶縁膜を長時間に渡って安定的に成膜する
ことが可能な複合酸化物焼結体を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、主としてTa20
5で構成され、TiO2、BaO、HfO2、Y
2O3、ZrO2、Nb2O5、Al2O3、ZnO、
SiO2、BeOのうち少なくとも1種以上の成分を1
重量%以上含有し、かつ焼結密度が80%以上100%
以下である焼結体をターゲットとして用いてスパッタリ
ングすることにより、絶縁特性の優れた絶縁膜を安易な
条件下で、長時間に渡って安定的にかつ均一に得ること
ができることを見出し、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討した結果、主としてTa20
5で構成され、TiO2、BaO、HfO2、Y
2O3、ZrO2、Nb2O5、Al2O3、ZnO、
SiO2、BeOのうち少なくとも1種以上の成分を1
重量%以上含有し、かつ焼結密度が80%以上100%
以下である焼結体をターゲットとして用いてスパッタリ
ングすることにより、絶縁特性の優れた絶縁膜を安易な
条件下で、長時間に渡って安定的にかつ均一に得ること
ができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0017】以下、詳細に本発明を説明する。
【0018】本発明の焼結体の密度は80%以上100
%以下で、特に好ましくは85%以上100%以下の範
囲である。焼結密度が80%未満のものは、スパッタ成
膜中、ターゲット表面が還元されるため、得られる膜中
の酸素量が径時変化し、長時間に渡って安定的に成膜す
ることが著しく困難となるために好ましくない。本発明
でいう密度とは、焼結体の重量を見掛けの体積で除した
密度を以下の方法で算出した真密度で除した百分率のこ
とである。
%以下で、特に好ましくは85%以上100%以下の範
囲である。焼結密度が80%未満のものは、スパッタ成
膜中、ターゲット表面が還元されるため、得られる膜中
の酸素量が径時変化し、長時間に渡って安定的に成膜す
ることが著しく困難となるために好ましくない。本発明
でいう密度とは、焼結体の重量を見掛けの体積で除した
密度を以下の方法で算出した真密度で除した百分率のこ
とである。
【0019】真密度(g/cm3)=a×b+c×d a:酸化タンタルの真密度(8.7g/cm3) b:酸化タンタルの重量分率 c:複合成分の真密度(g/cm3) d:複合成分の重量分率 本発明の焼結体は、主としてTa2O5で構成され、T
iO2,BaO,HfO2,Y2O3,ZrO2,Nb
2O5,Al2O3,ZnO,SiO2,BeOのうち
少なくとも1種以上の成分を含有する。複合成分の含有
量は1重量以上で、好ましくは5重量%〜30重量%の
範囲である。複合成分の含有量が1重量%未満の場合、
本発明の目的である絶縁性向上の効果が顕著に表れない
ために好ましくない。
iO2,BaO,HfO2,Y2O3,ZrO2,Nb
2O5,Al2O3,ZnO,SiO2,BeOのうち
少なくとも1種以上の成分を含有する。複合成分の含有
量は1重量以上で、好ましくは5重量%〜30重量%の
範囲である。複合成分の含有量が1重量%未満の場合、
本発明の目的である絶縁性向上の効果が顕著に表れない
ために好ましくない。
【0020】本発明の焼結体を製造する好ましい実施態
様の1つについて説明する。
様の1つについて説明する。
【0021】本発明の焼結体を製造する際に使用される
原料粉末としては、酸化タンタル粉末と複合成分酸化
物、あるいはタンタルと複合成分の均一溶液から水酸化
物を共沈させ、これを仮焼して得た酸化物を用いること
が好ましい。水酸化物、炭酸塩等の原料は、焼結時に分
解したり、クラックが発生する場合がある。
原料粉末としては、酸化タンタル粉末と複合成分酸化
物、あるいはタンタルと複合成分の均一溶液から水酸化
物を共沈させ、これを仮焼して得た酸化物を用いること
が好ましい。水酸化物、炭酸塩等の原料は、焼結時に分
解したり、クラックが発生する場合がある。
【0022】本発明に用いる酸化タンタル粉末のBET
比表面積は、2〜15m2/gであることが好ましく、
特に好ましくは5〜10m2/gの範囲である。BET
比表面積が2m2/gより小さい粉末は、焼結性が悪
く、高密度の焼結体が得られないことがある。また、B
ET比表面積が15m2/gを越える粉末は、粉末同志
で凝集し、同様に高密度な焼結体が得られないことがあ
る。
比表面積は、2〜15m2/gであることが好ましく、
特に好ましくは5〜10m2/gの範囲である。BET
比表面積が2m2/gより小さい粉末は、焼結性が悪
く、高密度の焼結体が得られないことがある。また、B
ET比表面積が15m2/gを越える粉末は、粉末同志
で凝集し、同様に高密度な焼結体が得られないことがあ
る。
【0023】本発明に用いる複合成分酸化物のBET比
表面積は5m2/g以上のものが好ましい。複合成分酸
化物のBET比表面積が5m2/g未満の場合、高密度
な焼結体が得られないことがある。
表面積は5m2/g以上のものが好ましい。複合成分酸
化物のBET比表面積が5m2/g未満の場合、高密度
な焼結体が得られないことがある。
【0024】酸化タンタル粉末と複合成分酸化物とを混
合する方法としては、ジルコニア、ウレタン樹脂等のボ
ールを用いたボールミル、V型ブレンダー、らいかい
機、振動ミル、ジットミル等の乾式あるいは湿式の方法
等が例示されるが、特に限定されることなく使用でき
る。
合する方法としては、ジルコニア、ウレタン樹脂等のボ
ールを用いたボールミル、V型ブレンダー、らいかい
機、振動ミル、ジットミル等の乾式あるいは湿式の方法
等が例示されるが、特に限定されることなく使用でき
る。
【0025】次に、酸化タンタル粉末と複合成分酸化物
の混合物を成型する。成型方法は、目的とする形状に合
った成型方法を用いればよく、金型プレス法、鋳込み成
型法等が挙げられる。
の混合物を成型する。成型方法は、目的とする形状に合
った成型方法を用いればよく、金型プレス法、鋳込み成
型法等が挙げられる。
【0026】また、得られる焼結体を高密度化するとい
う目的で、成型後、冷間静水圧プレスによって更に加圧
してもよい。冷間静水圧プレスの圧力は、3〜5t/c
m2程度でよく、必要に応じて冷間静水圧プレスを数回
繰り返してもよい。
う目的で、成型後、冷間静水圧プレスによって更に加圧
してもよい。冷間静水圧プレスの圧力は、3〜5t/c
m2程度でよく、必要に応じて冷間静水圧プレスを数回
繰り返してもよい。
【0027】続いて、上記成型体を焼結する。焼結温度
は1200℃〜1600℃が好ましく、特に好ましくは
1250℃〜1500℃の範囲である。焼結温度が12
00℃未満の場合、焼結が不十分で、高密度のものが得
られないことがある。
は1200℃〜1600℃が好ましく、特に好ましくは
1250℃〜1500℃の範囲である。焼結温度が12
00℃未満の場合、焼結が不十分で、高密度のものが得
られないことがある。
【0028】焼結雰囲気としては、酸素中、空気中、窒
素中等の不活性雰囲気等挙げられるが特に限定されず、
空気中等で行えばよい。
素中等の不活性雰囲気等挙げられるが特に限定されず、
空気中等で行えばよい。
【0029】以上の方法で本発明の焼結体が得られる。
【0030】
【発明の効果】本発明の焼結体は、密度が80%以上で
あり、酸化タンタルにTiO2,BaO,HfO2,Y
2O3,ZrO2,Nb2O5,Al2O3,ZnO,
SiO2,BeOのうち少なくとも1種以上の成分を複
合化した焼結体であるため、これをターゲットとして用
いスパッタ成膜すると、従来の酸化タンタル膜に比べて
絶縁特性のよい絶縁膜が長時間に渡って安定的に得るこ
とが可能である。
あり、酸化タンタルにTiO2,BaO,HfO2,Y
2O3,ZrO2,Nb2O5,Al2O3,ZnO,
SiO2,BeOのうち少なくとも1種以上の成分を複
合化した焼結体であるため、これをターゲットとして用
いスパッタ成膜すると、従来の酸化タンタル膜に比べて
絶縁特性のよい絶縁膜が長時間に渡って安定的に得るこ
とが可能である。
【0031】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0032】実施例1 Nb2O5が30重量%含有されるように酸化タンタル
粉末とNb2O5粉末をジルコニアボールを用いて15
時間ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型
し、3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧し
た。次に、成型体を1300℃で5時間焼結し、焼結密
度が93%の焼結体を製造した。
粉末とNb2O5粉末をジルコニアボールを用いて15
時間ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型
し、3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧し
た。次に、成型体を1300℃で5時間焼結し、焼結密
度が93%の焼結体を製造した。
【0033】得られた焼結体を表1に示す条件でスパッ
タリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸化タン
タル複合膜の比誘電率は19、絶縁耐圧は3MV/cm
であった。
タリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸化タン
タル複合膜の比誘電率は19、絶縁耐圧は3MV/cm
であった。
【0034】
【0035】実施例2 Y2O3が15重量%含有されるように酸化タンタル粉
末とY2O3粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1500℃で5時間焼結し、焼結密度が8
2%の焼結体を製造した。
末とY2O3粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1500℃で5時間焼結し、焼結密度が8
2%の焼結体を製造した。
【0036】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は21、絶縁耐圧は3MV
/cmであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は21、絶縁耐圧は3MV
/cmであった。
【0037】実施例3 ZrO2が20重量%含有されるように酸化タンタル粉
末とZrO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1400℃で5時間焼結し、焼結密度が8
6%の焼結体を製造した。
末とZrO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1400℃で5時間焼結し、焼結密度が8
6%の焼結体を製造した。
【0038】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は21、絶縁耐圧は3MV
/cmであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は21、絶縁耐圧は3MV
/cmであった。
【0039】実施例4 Al2O3が30重量%含有されるように酸化タンタル
粉末とAl2O3粉末をジルコニアボールを用いて15
時間ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型
し、3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧し
た。次に、成型体を1500℃で5時間焼結し、焼結密
度が82%の焼結体を製造した。
粉末とAl2O3粉末をジルコニアボールを用いて15
時間ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型
し、3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧し
た。次に、成型体を1500℃で5時間焼結し、焼結密
度が82%の焼結体を製造した。
【0040】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は19、絶縁耐圧は4MV
/cmであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は19、絶縁耐圧は4MV
/cmであった。
【0041】実施例5 SiO2が20重量%含有されるように酸化タンタル粉
末とSiO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1500℃で5時間焼結し、焼結密度が8
0%の焼結体を製造した。
末とSiO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1500℃で5時間焼結し、焼結密度が8
0%の焼結体を製造した。
【0042】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は18、絶縁耐圧は4MV
/cmであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は18、絶縁耐圧は4MV
/cmであった。
【0043】実施例6 TiO2が20重量%含有されるように酸化タンタル粉
末とTiO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1400℃で5時間焼結し、焼結密度が8
3%の焼結体を製造した。
末とTiO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1400℃で5時間焼結し、焼結密度が8
3%の焼結体を製造した。
【0044】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は68、絶縁耐圧は2MV
/cmであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は68、絶縁耐圧は2MV
/cmであった。
【0045】実施例7 BaOが30重量%含有されるように酸化タンタル粉末
とBaO粉末をジルコニアボールを用いて15時間ボー
ルミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、3t
/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次に、
成型体を1500℃で5時間焼結し、焼結密度が93%
の焼結体を製造した。
とBaO粉末をジルコニアボールを用いて15時間ボー
ルミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、3t
/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次に、
成型体を1500℃で5時間焼結し、焼結密度が93%
の焼結体を製造した。
【0046】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は25、絶縁耐圧は2MV
/cmであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は25、絶縁耐圧は2MV
/cmであった。
【0047】実施例8 HfO2が20重量%含有されるように酸化タンタル粉
末とHfO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1400℃で5時間焼結し、焼結密度が8
6%の焼結体を製造した。
末とHfO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
3t/cm2の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を1400℃で5時間焼結し、焼結密度が8
6%の焼結体を製造した。
【0048】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は26、絶縁耐圧は2MV
/cmであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は26、絶縁耐圧は2MV
/cmであった。
【0049】比較例1 SiO2が20重量%含有されるように酸化タンタル粉
末とSiO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型後、
1300℃で5時間焼結し、焼結密度が57%の焼結体
を製造した。
末とSiO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型後、
1300℃で5時間焼結し、焼結密度が57%の焼結体
を製造した。
【0050】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。
【0051】酸化タンタル複合膜の比誘電率は16、絶
縁耐圧は3MV/cmであり、長時間成膜すると膜の電
気特性は徐々に低下した。また、膜は黒色化した。
縁耐圧は3MV/cmであり、長時間成膜すると膜の電
気特性は徐々に低下した。また、膜は黒色化した。
【0052】比較例2 TiO2が20重量%含有されるように酸化タンタル粉
末とTiO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型後、
1300℃で5時間焼結し、焼結密度が70%の焼結体
を製造した。
末とTiO2粉末をジルコニアボールを用いて15時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型後、
1300℃で5時間焼結し、焼結密度が70%の焼結体
を製造した。
【0053】得られた焼結体を実施例1と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は32、絶縁耐圧は2MV
/cmであり、長時間成膜すると膜の電気特性は徐々に
低下した。また、膜は黒色化した。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は32、絶縁耐圧は2MV
/cmであり、長時間成膜すると膜の電気特性は徐々に
低下した。また、膜は黒色化した。
Claims (2)
- 【請求項1】 TiO2、BaO、HfO2、Y
2O3、ZrO2、Nb2O5、Al2O3、ZnO、
SiO2及びBeOから構成される群より選ばれる少な
くとも1種の成分を1〜30重量%、残部がTa205
よりなり、かつ、焼結密度が80%以上100%以下で
ある複合酸化物焼結体。 - 【請求項2】請求項1の複合酸化物焼結体からなる絶縁
膜形成用スパッタリングタ−ゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4206954A JPH0632617A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 複合酸化物焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4206954A JPH0632617A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 複合酸化物焼結体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0632617A true JPH0632617A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16531771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4206954A Pending JPH0632617A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 複合酸化物焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0632617A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN100439562C (zh) * | 2002-01-08 | 2008-12-03 | 应用材料有限公司 | 具有覆盖钇铝层的部件的处理腔 |
CN101847661A (zh) * | 2009-03-26 | 2010-09-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
WO2012129757A1 (zh) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 多元素掺杂氧化锌薄膜及其制备方法和应用 |
JP2018010926A (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 光反射膜及び発光素子 |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP4206954A patent/JPH0632617A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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