JPH06318632A - 半導体ウェハを垂直に支持するためのボート - Google Patents
半導体ウェハを垂直に支持するためのボートInfo
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 様々な直径のシリコンウェハのために用いら
れるモジュラー式のボートを提供する。 【構成】 半導体ウェハを垂直に保持するためのボート
は、水平軸を有する中空の半円筒形のクレードル（２
０）と、処理されるべき半導体ウェハを収容するクレー
ドル（２０）の内部横壁に抗して配置される２つの溝を
つけられたプレート（２１ａ、２１ｂ）とを含み、２つ
のプレート（２１ａ、２１ｂ）は互いに独立しており、
かつクレードル（２０）に固定されることなくクレード
ル（２０）に当接しており、さらにボートは２つの横方
向の溝をつけられたプレート（２１ａ、２１ｂ）間の距
離を維持し、かつ半導体ウェハの積載動作の間に取外し
可能ガイド（２３）として機能する水平プレートを含
む。
れるモジュラー式のボートを提供する。 【構成】 半導体ウェハを垂直に保持するためのボート
は、水平軸を有する中空の半円筒形のクレードル（２
０）と、処理されるべき半導体ウェハを収容するクレー
ドル（２０）の内部横壁に抗して配置される２つの溝を
つけられたプレート（２１ａ、２１ｂ）とを含み、２つ
のプレート（２１ａ、２１ｂ）は互いに独立しており、
かつクレードル（２０）に固定されることなくクレード
ル（２０）に当接しており、さらにボートは２つの横方
向の溝をつけられたプレート（２１ａ、２１ｂ）間の距
離を維持し、かつ半導体ウェハの積載動作の間に取外し
可能ガイド（２３）として機能する水平プレートを含
む。
Description
【０００１】
【発明の背景】本発明は任意の直径の半導体ウェハを支
持するためのモジュール式のボートに関する。
持するためのモジュール式のボートに関する。
【０００２】
【関連技術分野の議論】半導体部品産業では、製造の間
にシリコンウェハに様々な処理を施す。かかる処理では
多数のかかるシリコンウェハを垂直に維持するために、
一般には水晶またはシリコンから作られるボートを使用
することが必要である。半導体部品のコストを最適化す
るために、できだけ多くのウェハを同時に処理し、かつ
たとえば温度を上昇させることによっていくつかの処理
の継続時間を減少させることが必要である。
にシリコンウェハに様々な処理を施す。かかる処理では
多数のかかるシリコンウェハを垂直に維持するために、
一般には水晶またはシリコンから作られるボートを使用
することが必要である。半導体部品のコストを最適化す
るために、できだけ多くのウェハを同時に処理し、かつ
たとえば温度を上昇させることによっていくつかの処理
の継続時間を減少させることが必要である。
【０００３】通常はシリコンウェハの処理のために用い
られるボートのタイプがいくつかある。例として従来の
ボートを図１（ａ）−図１（ｄ）に概略的に示す。
られるボートのタイプがいくつかある。例として従来の
ボートを図１（ａ）−図１（ｄ）に概略的に示す。
【０００４】図１（ａ）に概略的に示されるボートは中
空の半円筒形のシェル１によって形成され、このシェル
にはシェルの凹んだ部分に沿う溝２が含まれる。各ウェ
ハのベースは円形の溝に係合して保持されるため、ボー
トは定められた直径のウェハをしっかりと維持する。し
かしながら、かかるボートの欠点は、丸い表面上に適切
かつ規則正しい溝を形成することが困難なことである。
加えて、このボートはウェハのまわりに気体を満足のい
くように循環させることができない。
空の半円筒形のシェル１によって形成され、このシェル
にはシェルの凹んだ部分に沿う溝２が含まれる。各ウェ
ハのベースは円形の溝に係合して保持されるため、ボー
トは定められた直径のウェハをしっかりと維持する。し
かしながら、かかるボートの欠点は、丸い表面上に適切
かつ規則正しい溝を形成することが困難なことである。
加えて、このボートはウェハのまわりに気体を満足のい
くように循環させることができない。
【０００５】図１（ｂ）で示されるボートは中央にアパ
チャを有する溝のついた平面３によって形成される。各
シリコンウェハ４は中央のアパチャの両側にある溝５中
へ挿入することにより垂直に保持される。この溝により
ウェハのベース近くに２つの小さな支持領域面が設けら
れる。
チャを有する溝のついた平面３によって形成される。各
シリコンウェハ４は中央のアパチャの両側にある溝５中
へ挿入することにより垂直に保持される。この溝により
ウェハのベース近くに２つの小さな支持領域面が設けら
れる。
【０００６】図１（ｃ）は同一の水平面に沿っておかれ
る２つの平行なレール６によって形成されるボートの斜
視図であり、レール６は２本のレールに沿って等間隔で
配置されるノッチ７を含む。シリコンウェハは１対の対
向するノッチに同時に係合することによって垂直に保持
される。これによりウェハのベースに２つの支持領域が
設けられ、支持領域のサイズはノッチの深さに対応す
る。
る２つの平行なレール６によって形成されるボートの斜
視図であり、レール６は２本のレールに沿って等間隔で
配置されるノッチ７を含む。シリコンウェハは１対の対
向するノッチに同時に係合することによって垂直に保持
される。これによりウェハのベースに２つの支持領域が
設けられ、支持領域のサイズはノッチの深さに対応す
る。
【０００７】図１（ｂ）および図１（ｃ）に示されるボ
ートの欠点が図１（ｅ）に示される。かかるボートを用
いた場合、シリコンウェハ４の垂直の位置はウェハの底
面近くにある２つの小さな支持領域１８によってのみ維
持され、かかる領域のサイズは対向する溝またはノッチ
の深さに対応する。したがって、シリコンウェハはわず
かに傾くようになるかもしれない。もし溝の間の距離が
非常に狭ければ、この傾きのために２つの隣接するシリ
コンウェハの上方部分が接触して処理の後のウェハの品
質を落とすかもしれない。したがって、ウェハ同士が接
触する危険があるため、間隔の密なウェハを一度に多数
処理するためには図１（ｂ）および図１（ｃ）のボート
を用いることはできない。
ートの欠点が図１（ｅ）に示される。かかるボートを用
いた場合、シリコンウェハ４の垂直の位置はウェハの底
面近くにある２つの小さな支持領域１８によってのみ維
持され、かかる領域のサイズは対向する溝またはノッチ
の深さに対応する。したがって、シリコンウェハはわず
かに傾くようになるかもしれない。もし溝の間の距離が
非常に狭ければ、この傾きのために２つの隣接するシリ
コンウェハの上方部分が接触して処理の後のウェハの品
質を落とすかもしれない。したがって、ウェハ同士が接
触する危険があるため、間隔の密なウェハを一度に多数
処理するためには図１（ｂ）および図１（ｃ）のボート
を用いることはできない。
【０００８】最後に、図１（ｄ）のボートは４つのレー
ルから形成される。ボートの上面８および下面９のそれ
ぞれは水平である。各面は１対の平行なレールを含み、
上面には１０および下面には１１が設けられ、下側のレ
ール間の距離は上側のレールの間の距離よりも狭い。こ
のレールには長さ方向に沿って規則正しく間隔をあけら
れたノッチが含まれ、このため１対の上側のノッチ１２
および１対の下側のノッチ１３は同一の垂直面に沿って
位置決めされる。レールのアセンブリは水平ロッド１４
および斜めロッド１５によって固く保持される。シリコ
ンウェハは同一の垂直面に沿って位置決めされる２対の
ノッチ１２および１３中へ係合することによって保持さ
れ、これにより４つの支持領域が設けられ、支持領域の
サイズはノッチの深さに対応する。こうして、シリコン
ウェハは前２つのボートよりもかかるボートにおいての
方が良好に保持される。
ルから形成される。ボートの上面８および下面９のそれ
ぞれは水平である。各面は１対の平行なレールを含み、
上面には１０および下面には１１が設けられ、下側のレ
ール間の距離は上側のレールの間の距離よりも狭い。こ
のレールには長さ方向に沿って規則正しく間隔をあけら
れたノッチが含まれ、このため１対の上側のノッチ１２
および１対の下側のノッチ１３は同一の垂直面に沿って
位置決めされる。レールのアセンブリは水平ロッド１４
および斜めロッド１５によって固く保持される。シリコ
ンウェハは同一の垂直面に沿って位置決めされる２対の
ノッチ１２および１３中へ係合することによって保持さ
れ、これにより４つの支持領域が設けられ、支持領域の
サイズはノッチの深さに対応する。こうして、シリコン
ウェハは前２つのボートよりもかかるボートにおいての
方が良好に保持される。
【０００９】この最後のボート、および一般に先行技術
のボートすべてについての欠点は、これらのボートがす
べて剛性を有することである。ボートに加えられるいか
なる機械的応力も即座にウェハに伝えられ、かかる応力
はウェハを変形させ、かつその製造品質を損なう。当然
ながら、もし処理のサイクルの継続時間を短くして生産
効率を改善するために、特定の処理について高温処理が
必要ならば、これらのボートはすべて熱膨張のために変
形する。これらのボートは剛性であるためにボートの変
形をウェハに直接伝達するので、ウェハを損傷する。た
とえばウェハは反る可能性がある。
のボートすべてについての欠点は、これらのボートがす
べて剛性を有することである。ボートに加えられるいか
なる機械的応力も即座にウェハに伝えられ、かかる応力
はウェハを変形させ、かつその製造品質を損なう。当然
ながら、もし処理のサイクルの継続時間を短くして生産
効率を改善するために、特定の処理について高温処理が
必要ならば、これらのボートはすべて熱膨張のために変
形する。これらのボートは剛性であるためにボートの変
形をウェハに直接伝達するので、ウェハを損傷する。た
とえばウェハは反る可能性がある。
【００１０】まとめとして、単一材料から作られる様々
な公知のボートは剛性を有するため、積載能力の最大限
まで用いられたり、または高温で用いられる場合は、ウ
ェハを変形したり、または不規則に処理して、シリコン
ウェハの処理に損害を与える。この損失は生産効率を落
とし、かつ半導体部品産業に過剰なコストをもたらす。
な公知のボートは剛性を有するため、積載能力の最大限
まで用いられたり、または高温で用いられる場合は、ウ
ェハを変形したり、または不規則に処理して、シリコン
ウェハの処理に損害を与える。この損失は生産効率を落
とし、かつ半導体部品産業に過剰なコストをもたらす。
【００１１】
【発明の概要】したがって、本発明の目的は、直径が多
様なシリコンウェハのために用いられることができ、か
つ上述の先行技術のボートに関連する欠点を回避する、
モジュラー式のボートを提供することである。
様なシリコンウェハのために用いられることができ、か
つ上述の先行技術のボートに関連する欠点を回避する、
モジュラー式のボートを提供することである。
【００１２】本発明の他の目的は、製造が容易でかつコ
ストが低いボートを提供することである。
ストが低いボートを提供することである。
【００１３】本発明の他の目的は、様々なタイプのサポ
ートとともに用いることが可能なボートを提供すること
である。
ートとともに用いることが可能なボートを提供すること
である。
【００１４】これらの目的を達成するために、本発明は
半導体ウェハを垂直に支持するように設計されるボート
を提供し、ボートは水平軸を有する中空の半円筒形のク
レードルと、処理されるべき半導体ウェハを収容するク
レードルの横壁に抗して配置される２つの溝をつけられ
たプレートとを含み、２つのプレートは互いに独立して
おり、かつクレードルに固定されることなくクレードル
の内側に当接する。
半導体ウェハを垂直に支持するように設計されるボート
を提供し、ボートは水平軸を有する中空の半円筒形のク
レードルと、処理されるべき半導体ウェハを収容するク
レードルの横壁に抗して配置される２つの溝をつけられ
たプレートとを含み、２つのプレートは互いに独立して
おり、かつクレードルに固定されることなくクレードル
の内側に当接する。
【００１５】本発明の一実施例に従えは、ボートは横方
向に溝をつけられた２つのプレートの間隔をあけ、かつ
半導体ウェハの積載動作の間に取外し可能なガイドとし
て機能するための水平プレートをさらに含む。
向に溝をつけられた２つのプレートの間隔をあけ、かつ
半導体ウェハの積載動作の間に取外し可能なガイドとし
て機能するための水平プレートをさらに含む。
【００１６】本発明の一実施例によれば、クレードルの
様々な部分は水晶、炭化シリコン、多結晶シリコン、ま
たはアルミナから作られる。
様々な部分は水晶、炭化シリコン、多結晶シリコン、ま
たはアルミナから作られる。
【００１７】本発明の一実施例によれば、水平プレート
の幅は処理されるべきウェハの直径の関数として、かつ
ウェハのベースとクレードルの底面との間にあることが
望まれる自由高さの関数として選択される。
の幅は処理されるべきウェハの直径の関数として、かつ
ウェハのベースとクレードルの底面との間にあることが
望まれる自由高さの関数として選択される。
【００１８】本発明の一実施例によれば、ボートは、直
径の同一な、または直径の異なる、パレット、シュー
ト、またはカウンタチューブ等の様々なサポート中にお
かれる。
径の同一な、または直径の異なる、パレット、シュー
ト、またはカウンタチューブ等の様々なサポート中にお
かれる。
【００１９】本発明の一実施例によれば、ボートには、
ボートが自立して直接用いられることを可能にする支持
脚が設けられる。
ボートが自立して直接用いられることを可能にする支持
脚が設けられる。
【００２０】本発明の上述の、および他の目的、特徴、
局面および利点は添付の図面とともに考慮される場合に
本発明の以下の詳細な説明から明白となるであろう。
局面および利点は添付の図面とともに考慮される場合に
本発明の以下の詳細な説明から明白となるであろう。
【００２１】
【詳細な説明】図２に示されるように、本発明に従うボ
ートは４つの独立した要素を含む。
ートは４つの独立した要素を含む。
【００２２】（１） 水晶、炭化シリコン、多結晶シリ
コンまたはアルミナ等の材料から作られる、水平軸を有
する半円筒形のサポートまたはクレードル２０。
コンまたはアルミナ等の材料から作られる、水平軸を有
する半円筒形のサポートまたはクレードル２０。
【００２３】（２）および（３） 溝２２ａおよび２２
ｂがそれぞれ設けられた２つのプレート２１ａおよび２
１ｂ。溝の間は厳密に等間隔であり、かつプレートは水
晶、炭化シリコン、多結晶シリコンまたはアルミナ等の
材料からまた作られる。
ｂがそれぞれ設けられた２つのプレート２１ａおよび２
１ｂ。溝の間は厳密に等間隔であり、かつプレートは水
晶、炭化シリコン、多結晶シリコンまたはアルミナ等の
材料からまた作られる。
【００２４】（４） 取外可能なローディングガイドを
形成する水平プレート２３。このプレートの機能は後に
説明する。
形成する水平プレート２３。このプレートの機能は後に
説明する。
【００２５】図３ないし図５は本発明に従ってボートを
積載する連続ステップを示す。図３に示される第１のス
テップは、クレードルの内壁に抗する２つの溝をつけら
れたプレート２１ａおよび２１ｂの間に取外し可能ガイ
ド２３を半円筒形のサポート２０の中空部分に水平にお
くことからなる。この態様では、３つのプレート２１
ａ、２１ｂおよび２３は垂直に上向きのＵ型の開口を形
成し、溝２２ａ、２２ｂは互いに向合っている。
積載する連続ステップを示す。図３に示される第１のス
テップは、クレードルの内壁に抗する２つの溝をつけら
れたプレート２１ａおよび２１ｂの間に取外し可能ガイ
ド２３を半円筒形のサポート２０の中空部分に水平にお
くことからなる。この態様では、３つのプレート２１
ａ、２１ｂおよび２３は垂直に上向きのＵ型の開口を形
成し、溝２２ａ、２２ｂは互いに向合っている。
【００２６】アセンブリが形成されると、第１のシリコ
ンウェハ２４が２つの対向する溝２２ａおよび２２ｂ中
に導入される。
ンウェハ２４が２つの対向する溝２２ａおよび２２ｂ中
に導入される。
【００２７】その後、第１の溝２２ａおよび２２ｂに隣
接する溝に第２のシリコンウェハが導入される。それに
続く隣接した溝に、より多くのウェハが導入される。図
４に示すようにシリコンウェハがクレードル２０中に導
入されると、取外し可能ガイド２３は矢印２５の方向に
ボート前面から並進運動で引かれる。
接する溝に第２のシリコンウェハが導入される。それに
続く隣接した溝に、より多くのウェハが導入される。図
４に示すようにシリコンウェハがクレードル２０中に導
入されると、取外し可能ガイド２３は矢印２５の方向に
ボート前面から並進運動で引かれる。
【００２８】図５に示されるようにクレードル２０が完
全に積載されると、取外し可能ガイド２３はクレードル
２０から完全に引抜かれる。このように積載されたアセ
ンブリの強さは横方向に溝をつけられたプレート２１ａ
および２１ｂに抗するシリコンウェハの力によって保証
される。
全に積載されると、取外し可能ガイド２３はクレードル
２０から完全に引抜かれる。このように積載されたアセ
ンブリの強さは横方向に溝をつけられたプレート２１ａ
および２１ｂに抗するシリコンウェハの力によって保証
される。
【００２９】従来の移送機械を用いて大量のウェハの積
載を行なうことも可能である。その場合は取外し可能ガ
イド２３は積載動作の最後で引抜かれる。
載を行なうことも可能である。その場合は取外し可能ガ
イド２３は積載動作の最後で引抜かれる。
【００３０】図６（ａ）の上面図および図６（ｂ）の側
面図によって示されるように、プレート２１は製造が特
に簡単である。溝は正確に機械で作られるか、または微
細加工技術を用いてエッチされることが可能である。
面図によって示されるように、プレート２１は製造が特
に簡単である。溝は正確に機械で作られるか、または微
細加工技術を用いてエッチされることが可能である。
【００３１】図７はウェハ２４が積載された本発明に従
うボートの前面図である。図７においては、ｈ1 はウェ
ハのベースとクレードル２０の底面との間の自由高さで
あり、ｈ2 はプレート２１の溝２２中のウェハの保持領
域の中心とこれらのウェハのベースとの間の高さであ
り、かつｄ（本明細書中のｄは本来小文字エルと付され
るべきものである。）は溝をつけられたプレート２１の
下方端縁間の距離であり、したがって長さｄはローディ
ングガイド２３の幅に対応する。
うボートの前面図である。図７においては、ｈ1 はウェ
ハのベースとクレードル２０の底面との間の自由高さで
あり、ｈ2 はプレート２１の溝２２中のウェハの保持領
域の中心とこれらのウェハのベースとの間の高さであ
り、かつｄ（本明細書中のｄは本来小文字エルと付され
るべきものである。）は溝をつけられたプレート２１の
下方端縁間の距離であり、したがって長さｄはローディ
ングガイド２３の幅に対応する。
【００３２】本発明に従うボートおよびその積載方法に
より数多くの利点が提供される。第１に、様々な部分が
独立したアセンブリとなっている設計のため、ボートは
広範囲の直径のウェハを処理することが可能である。
より数多くの利点が提供される。第１に、様々な部分が
独立したアセンブリとなっている設計のため、ボートは
広範囲の直径のウェハを処理することが可能である。
【００３３】加えて、図７に示されるように、横方向の
プレート２１の溝２２中のシリコンウェハ２４の支持領
域２６は、先行技術の溝の支持領域と比べて相対的に広
い。この広い領域のためにウェハが垂直面の前方向また
は後ろ方向に傾くことが防止され、プレートの位置に関
係なくウェハの平行関係を確実にする。したがって、本
発明によるボートは多数のシリコンウェハを狭い間隔で
配置することが可能である。たとえば、約６００枚のウ
ェハが、上に説明した先行技術のボートのいくつかを用
いた場合に発生していた、任意の２枚の隣接するウェハ
が接触する危険性なく８０ｃｍの長さにわたって配置さ
れることが可能である。
プレート２１の溝２２中のシリコンウェハ２４の支持領
域２６は、先行技術の溝の支持領域と比べて相対的に広
い。この広い領域のためにウェハが垂直面の前方向また
は後ろ方向に傾くことが防止され、プレートの位置に関
係なくウェハの平行関係を確実にする。したがって、本
発明によるボートは多数のシリコンウェハを狭い間隔で
配置することが可能である。たとえば、約６００枚のウ
ェハが、上に説明した先行技術のボートのいくつかを用
いた場合に発生していた、任意の２枚の隣接するウェハ
が接触する危険性なく８０ｃｍの長さにわたって配置さ
れることが可能である。
【００３４】本発明に従うボートの要素のアセンブリが
独立していることによる他の利点は以下のとおりであ
る。
独立していることによる他の利点は以下のとおりであ
る。
【００３５】距離ｄおよび高さｈ1 を選択することによ
りウェハアセンブリ下の処理用の気体の循環を調整する
ことが可能である。もし、所与のプレート２１と予め定
められた直径を有するウェハ２４とについて、高さｈ1
またはｈ2 のうちの一方を修正することが所望されれ
ば、取外し可能ガイド２３を交換すればよい。たとえ
ば、ｄを増やすことによってｈ1 またはｈ2 を増大する
ことができる。つまり、より幅の広いガイドが用いられ
るのである。また、ガイドを代えるのではなく異なる溝
をつけられたプレート２１を用いることによっても高さ
ｈ1 およびｈ2 を調整することができる。したがって、
予め定められた直径を有するウェハについて、および所
与の幅を有するガイドについては、より幅の広いプレー
ト２１を用いることによってｈ1 およびｈ2 を増大する
ことができる。同様に、適切な処理を確実にするために
高さｈ1 を代えないで、異なる直径、たとえばより広い
直径を有するウェハのためにボートを再利用することが
所望されれば、プレート２１を代えないでより幅の広い
ガイドを用いたり、またはガイドを代えないでより幅の
狭いプレート２１を用いるだけで十分である。総じて、
ボートの要素が独立しているため、高さｈ1 およびｈ2
は様々な直径を有するウェハに一致するように容易に調
整され得る。
りウェハアセンブリ下の処理用の気体の循環を調整する
ことが可能である。もし、所与のプレート２１と予め定
められた直径を有するウェハ２４とについて、高さｈ1
またはｈ2 のうちの一方を修正することが所望されれ
ば、取外し可能ガイド２３を交換すればよい。たとえ
ば、ｄを増やすことによってｈ1 またはｈ2 を増大する
ことができる。つまり、より幅の広いガイドが用いられ
るのである。また、ガイドを代えるのではなく異なる溝
をつけられたプレート２１を用いることによっても高さ
ｈ1 およびｈ2 を調整することができる。したがって、
予め定められた直径を有するウェハについて、および所
与の幅を有するガイドについては、より幅の広いプレー
ト２１を用いることによってｈ1 およびｈ2 を増大する
ことができる。同様に、適切な処理を確実にするために
高さｈ1 を代えないで、異なる直径、たとえばより広い
直径を有するウェハのためにボートを再利用することが
所望されれば、プレート２１を代えないでより幅の広い
ガイドを用いたり、またはガイドを代えないでより幅の
狭いプレート２１を用いるだけで十分である。総じて、
ボートの要素が独立しているため、高さｈ1 およびｈ2
は様々な直径を有するウェハに一致するように容易に調
整され得る。
【００３６】本発明に従うボートを形成する要素の独立
したアセンブリは、その他にも利点を提供する。たとえ
ば、もしプレート２１またはクレードル２０が機械的応
力を受ければ、プレート２１がわずかに変位するが、応
力はウェハには伝わらない。したがって、ウェハは変形
したり不規則に処理されたりする危険が全くない。同様
に、高温（１２５０℃−１３００℃）でシリコンウェハ
を処理している間、本発明に従うボートの様々な要素の
熱膨張はプレートをわずかに変位させるだけであり、ウ
ェハの保持位置を変えはしない。したがって、ウェハ変
形せず、特に先行技術のボートを用いた場合に薄いウェ
ハで発生するような反りは起こらない。
したアセンブリは、その他にも利点を提供する。たとえ
ば、もしプレート２１またはクレードル２０が機械的応
力を受ければ、プレート２１がわずかに変位するが、応
力はウェハには伝わらない。したがって、ウェハは変形
したり不規則に処理されたりする危険が全くない。同様
に、高温（１２５０℃−１３００℃）でシリコンウェハ
を処理している間、本発明に従うボートの様々な要素の
熱膨張はプレートをわずかに変位させるだけであり、ウ
ェハの保持位置を変えはしない。したがって、ウェハ変
形せず、特に先行技術のボートを用いた場合に薄いウェ
ハで発生するような反りは起こらない。
【００３７】最後に、このボートを形成する特徴的な要
素およびこのボートを用いることに伴なう積載動作のコ
ストは安い。
素およびこのボートを用いることに伴なう積載動作のコ
ストは安い。
【００３８】本発明に従うボートは図１（ａ）のボート
と同様に従来どおりに使用されることができる。ボート
は、直径が同一である、または直径が異なるパレット、
シュート、カウンタチューブ等の様々なサポート上に配
置されることができる。かかるボートにはまたボートを
直接使用することを可能にする支持脚が設けられること
が可能である。
と同様に従来どおりに使用されることができる。ボート
は、直径が同一である、または直径が異なるパレット、
シュート、カウンタチューブ等の様々なサポート上に配
置されることができる。かかるボートにはまたボートを
直接使用することを可能にする支持脚が設けられること
が可能である。
【００３９】本発明のある特定の実施例について説明し
てきたが、当業者には様々な変形、修正および改良が容
易にわかるであろう。かかる変形、修正および改良点は
この開示の一部と意図され、かつ本発明の精神および範
囲内であると意図される。したがって、前述の説明は例
としてであり、限定的であるとは意図されない。本発明
は前掲の特許請求の範囲およびその等価物によって規定
されるようにのみ限定される。
てきたが、当業者には様々な変形、修正および改良が容
易にわかるであろう。かかる変形、修正および改良点は
この開示の一部と意図され、かつ本発明の精神および範
囲内であると意図される。したがって、前述の説明は例
としてであり、限定的であるとは意図されない。本発明
は前掲の特許請求の範囲およびその等価物によって規定
されるようにのみ限定される。
【図１】先行技術の様々なボートを表わす概略図であ
る。
る。
【図２】本発明に従う空のボートの斜視図である。
【図３】ある積載工程における本発明に従うボートの斜
視図である。
視図である。
【図４】図３に続くある積載工程における本発明に従う
ボートの斜視図である。
ボートの斜視図である。
【図５】図４に続くある積載工程における本発明に従う
ボートの斜視図である。
ボートの斜視図である。
【図６】本発明に従うボートで用いられるプレートの図
であり、（ａ）は上面図かつ（ｂ）は側面図である。
であり、（ａ）は上面図かつ（ｂ）は側面図である。
【図７】本発明に従う積載されたボートの前面図であ
る。
る。
２０ クレードル ２１ａ、２１ｂ 溝をつけられたプレート ２３ 水平プレート
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェハを垂直に保持するためのボ
ートであって、 水平軸を有する中空の半円筒からなるクレードル（２
０）と、 処理されるべき半導体ウェハを収容する前記クレードル
（２０）の横壁に抗して配置される２つの溝を設けられ
たプレート（２１ａ、２１ｂ）とを含み、前記２つのプ
レート（２１ａ、２１ｂ）は互いに独立しており、かつ
クレードルに固定されることなくクレードルに当接して
いる、ボート。 - 【請求項２】 前記２つの横方向の溝を設けられたプレ
ート（２１ａ、２１ｂ）を維持し、かつ半導体ウェハを
積載する動作の間に取外し可能なガイドとして機能する
水平プレート（２３）をさらに含む、請求項１に記載の
ボート。 - 【請求項３】 クレードル（２０）は水晶、炭化シリコ
ン、多結晶シリコン、またはアルミナから作られる、請
求項１または２に記載のボート。 - 【請求項４】 ガイド（２３）の幅は処理されるべきウ
ェハの直径の関数として、かつ前記ウェハのベースとク
レードル（２０）の底面との間に残しておくことが望ま
しい自由高さ（ｈ1 ）の関数として選択される、請求項
２に記載のボート。 - 【請求項５】 直径が同一である、または直径が異な
る、パレット、シュート、またはカウンタチューブ等の
様々なサポート中におかれる、請求項１に記載のボー
ト。 - 【請求項６】 前記クレードルはクレードルが直接用い
られることを可能にする支持脚をさらに含む、請求項１
に記載のボート。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9302340A FR2702088B1 (fr) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | Nacelle pour plaquettes de silicium. |
| FR9302340 | 1993-02-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318632A true JPH06318632A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=9444538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6025290A Withdrawn JPH06318632A (ja) | 1993-02-24 | 1994-02-23 | 半導体ウェハを垂直に支持するためのボート |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5468297A (ja) |
| EP (1) | EP0612869B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06318632A (ja) |
| DE (1) | DE69400142T2 (ja) |
| FR (1) | FR2702088B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021052087A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 基板固定装置および基板固定方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE502094C2 (sv) * | 1991-08-16 | 1995-08-14 | Sandvik Ab | Metod för diamantbeläggning med mikrovågsplasma |
| USD381235S (en) * | 1995-02-27 | 1997-07-22 | Peter Bangert | Compact disc holder |
| US6056123A (en) * | 1997-12-10 | 2000-05-02 | Novus Corporation | Semiconductor wafer carrier having the same composition as the wafers |
| US6171400B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-01-09 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier |
| US6196211B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-03-06 | Integrated Materials, Inc. | Support members for wafer processing fixtures |
| US6205993B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-03-27 | Integrated Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating elongate crystalline members |
| US6225594B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-05-01 | Integrated Materials, Inc. | Method and apparatus for securing components of wafer processing fixtures |
| US6450346B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-17 | Integrated Materials, Inc. | Silicon fixtures for supporting wafers during thermal processing |
| US6455395B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-24 | Integrated Materials, Inc. | Method of fabricating silicon structures including fixtures for supporting wafers |
| JP2002261081A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Asm Japan Kk | 半導体ウエハのエッチング装置及び方法 |
| US20020170487A1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Raanan Zehavi | Pre-coated silicon fixtures used in a high temperature process |
| US20040173948A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-09-09 | Pandelisev Kiril A. | Process and apparatus for silicon boat, silicon tubing and other silicon based member fabrication |
| US6814808B1 (en) | 2002-10-08 | 2004-11-09 | Sci-Tech Glassblowing, Inc. | Carrier for semiconductor wafers |
| US9117863B1 (en) * | 2013-05-16 | 2015-08-25 | Seagate Technology Llc | Cassette configurations to support platters having different diameters |
| CN110610886A (zh) * | 2019-10-17 | 2019-12-24 | 苏州博莱特石英有限公司 | 一种石英舟结构 |
| CN111785669B (zh) * | 2020-07-15 | 2023-08-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种基片承载装置和清洗设备 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2133877A1 (de) * | 1971-07-07 | 1973-01-18 | Siemens Ag | Anordnung zum eindiffundieren von dotierstoffen in halbleiterscheiben |
| DE2133843A1 (de) * | 1971-07-07 | 1973-01-18 | Siemens Ag | Anordnung zum eindiffundieren von dotierstoffen in halbleiterscheiben |
| NL7206014A (ja) * | 1971-07-07 | 1973-01-09 | ||
| DE2133876A1 (de) * | 1971-07-07 | 1973-01-18 | Siemens Ag | Anordnung zum eindiffundieren von dotierstoffen |
| US4093201A (en) * | 1973-05-07 | 1978-06-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Disc support structure |
| JPS598055B2 (ja) * | 1978-10-17 | 1984-02-22 | 松下電子工業株式会社 | 半導体スライスの保持具 |
| US4484538A (en) * | 1983-11-16 | 1984-11-27 | Btu Engineering Corporation | Apparatus for providing depletion-free uniform thickness CVD thin-film on semiconductor wafers |
| DE3419866C2 (de) * | 1984-05-28 | 1986-06-26 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Trägerhorde aus Quarzglas für scheibenförmige Substrate |
| US4548159A (en) * | 1984-07-06 | 1985-10-22 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition wafer boat |
| US4676008A (en) * | 1986-05-16 | 1987-06-30 | Microglass, Inc. | Cage-type wafer carrier and method |
| US4841906A (en) * | 1986-11-12 | 1989-06-27 | Heraeus Amersil, Inc. | Mass transferable semiconductor substrate processing and handling full shell carrier (boat) |
| JP2548949B2 (ja) * | 1987-09-01 | 1996-10-30 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体製造用構成部材 |
-
1993
- 1993-02-24 FR FR9302340A patent/FR2702088B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-16 US US08/196,976 patent/US5468297A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-23 DE DE69400142T patent/DE69400142T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-23 JP JP6025290A patent/JPH06318632A/ja not_active Withdrawn
- 1994-02-23 EP EP94410009A patent/EP0612869B1/fr not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021052087A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 基板固定装置および基板固定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69400142T2 (de) | 1996-09-19 |
| EP0612869A1 (fr) | 1994-08-31 |
| DE69400142D1 (de) | 1996-05-23 |
| US5468297A (en) | 1995-11-21 |
| EP0612869B1 (fr) | 1996-04-17 |
| FR2702088A1 (fr) | 1994-09-02 |
| FR2702088B1 (fr) | 1995-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |