JPH06310425A - Method for forming quantum wire - Google Patents
Method for forming quantum wireInfo
- Publication number
- JPH06310425A JPH06310425A JP9303193A JP9303193A JPH06310425A JP H06310425 A JPH06310425 A JP H06310425A JP 9303193 A JP9303193 A JP 9303193A JP 9303193 A JP9303193 A JP 9303193A JP H06310425 A JPH06310425 A JP H06310425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum wire
- etching
- plane
- hydrogen peroxide
- citric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、超高速性，低消費電力
性に優れた、多機能論理素子のチャネルとして使用され
る１次元半導体量子細線の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a one-dimensional semiconductor quantum wire used as a channel of a multifunctional logic device, which is excellent in ultra-high speed and low power consumption.
【０００２】[0002]
【従来の技術】キャリアが２方向にわたってド・ブロイ
波長程度の大きさ（ＧａＡｓの場合には数百Å程度）に
閉じ込められており、１方向のみにキャリアの自由度が
存するようなチャネルを１次元量子細線と言い、このよ
うな１次元量子細線は、理論的な解析結果により、以下
に示すような優れた特徴を有することが考えられてい
る。2. Description of the Prior Art Carriers are confined in two directions in a size of about de Broglie's wavelength (several hundred Å in the case of GaAs), and a channel having carrier freedom in only one direction is used as a channel. A one-dimensional quantum wire is called a one-dimensional quantum wire, and it is considered that such a one-dimensional quantum wire has the following excellent characteristics based on theoretical analysis results.
【０００３】（１）キャリアの超高速性が得られる。例
えば、その電子移動度が、２次元，３次元の量子細線に
比べて、室温では約10倍、低温では10倍以上である。 （２）キャリアの移動関数の大きな位相干渉長が得られ
る。例えば、理想的な場合には１μｍ以上の位相干渉長
が得られる。 （３）キャリア分布が、１次元量子細線ではエネルギの
平方根に反比例し、３次元系ではエネルギの平方根に比
例するので、急峻に分布する状態密度が得られる。(1) The ultra high speed property of the carrier can be obtained. For example, the electron mobility thereof is about 10 times higher at room temperature and 10 times higher at low temperature than that of the two-dimensional and three-dimensional quantum wires. (2) A phase interference length having a large carrier transfer function can be obtained. For example, in an ideal case, a phase interference length of 1 μm or more can be obtained. (3) Since the carrier distribution is inversely proportional to the square root of energy in a one-dimensional quantum wire and proportional to the square root of energy in a three-dimensional system, a steeply distributed state density can be obtained.
【０００４】従って、このような優れた特性を有する１
次元量子細線は、キャリアの高速性を利用した論理素
子、電子波の干渉を利用した量子効果素子、及び低閾値
電圧をもつレーザ等の発光素子などへの応用が検討され
ている。Therefore, 1 having such excellent characteristics
Dimensional quantum wires are being studied for application to logic elements that utilize the high-speed properties of carriers, quantum effect elements that utilize the interference of electron waves, and light-emitting elements such as lasers having a low threshold voltage.
【０００５】１次元量子細線はキャリアとして主に電子
を用いており、例えば、ポテンシャル障壁となるＮ型に
ドーピングした広禁止幅半導体（例えばＮ−ＡｌＧａＡ
ｓ）にて、チャネルとなる狭禁止幅半導体（例えばＧａ
Ａｓ，ＩｎＧａＡｓ）を取り囲み、更に、エッチングな
どにてチャネル幅を狭くして、電子の移動方向を１方向
のみに制限する構成として作成されている。この際、チ
ャネル幅を狭くする方法としては、以下に述べるような
方法が知られている。The one-dimensional quantum wire mainly uses electrons as carriers. For example, a wide bandgap semiconductor (eg, N-AlGaA) doped with N-type as a potential barrier is used.
s), a narrow bandgap semiconductor (for example, Ga)
(As, InGaAs), and the channel width is narrowed by etching or the like to limit the electron movement direction to only one direction. At this time, the following method is known as a method of narrowing the channel width.
【０００６】 レーザ光による多重干渉露光法、電子
ビームによる電子ビーム露光法などを用いて微細なパタ
ーンを形成し、そのパターンをマスクとしてエッチング
を行う方法。 集束イオンビームを用いて不純物原子を試料に選択
的に打ち込んで、チャネル以外の部分を高抵抗化する方
法。 異方性成長、選択成長などの結晶成長を利用する方
法。A method in which a fine pattern is formed using a multiple interference exposure method using a laser beam, an electron beam exposure method using an electron beam, and the like, and etching is performed using the pattern as a mask. A method in which a focused ion beam is used to selectively implant impurity atoms into a sample to increase the resistance of parts other than the channel. Methods that utilize crystal growth such as anisotropic growth and selective growth.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述したような細線を
形成する従来の方法では以下に示すような問題点があっ
て、良好な形成方法とは言いがたい。 に示すエッチングを用いる方法では、ドライエッチン
グを採用すると、加工による結晶欠陥がチャネルに生じ
て、キャリアの電気伝導特性が劣化する。また、レーザ
光のゆらぎ、レジスト分子の大きさ（通常100 Å程
度）、及びエッチング速度のばらつきなどに影響され
て、1000Å以下の幅の細線を精度良く作製することは困
難である。 に示す不純物を打ち込む方法では、チャネル部分に結
晶欠陥などのダメージが入りやすい。 に示す結晶成長を利用する方法では、不純物, 結晶欠
陥などが少ない良質のチャネルを形成することは困難で
ある。The conventional method for forming the above-described fine line has the following problems, and cannot be said to be a good forming method. When dry etching is adopted in the method using the etching shown in (1), crystal defects are generated in the channel due to processing, and the electric conduction characteristics of the carrier deteriorate. Further, it is difficult to accurately manufacture a fine line having a width of 1000 Å or less due to fluctuations in laser light, size of resist molecule (usually about 100 Å), and variations in etching rate. In the method of implanting the impurities shown in (3), damage such as crystal defects is likely to occur in the channel portion. It is difficult to form a high-quality channel with few impurities and crystal defects by the method utilizing crystal growth shown in (3).
【０００８】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、結晶欠陥などのダメージを受けることなく、し
かも閉じ込め寸法が短い１次元量子細線を容易に形成す
ることができる量子細線の形成方法を提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a method of forming a quantum wire which can easily form a one-dimensional quantum wire having a short confinement dimension without being damaged by crystal defects or the like. The purpose is to provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本願の第１発明に係る量
子細線の形成方法は、化合物半導体を用いて１次元量子
細線を形成する方法において、クエン酸・過酸化水素系
のエッチャントを用いて、前記化合物半導体の結晶の
（１１１）面が現れる条件でエッチングを行い、（１１
１）面及び（１００）面によってキャリアを閉じ込めて
１次元量子細線を形成することを特徴とする。A method for forming a quantum wire according to a first aspect of the present invention is a method for forming a one-dimensional quantum wire using a compound semiconductor, wherein a citric acid / hydrogen peroxide-based etchant is used. , Etching under the condition that the (111) plane of the crystal of the compound semiconductor appears,
It is characterized in that carriers are confined by the 1) plane and the (100) plane to form a one-dimensional quantum wire.
【００１０】本願の第２発明に係る量子細線の形成方法
は、第１発明において、前記クエン酸・過酸化水素系の
エッチャントとして、クエン酸：過酸化水素＝３：１程
度のエッチャントを用いることを特徴とする。In the method for forming a quantum wire according to the second invention of the present application, in the first invention, an etchant of citric acid: hydrogen peroxide = about 3: 1 is used as the citric acid / hydrogen peroxide-based etchant. Is characterized by.
【００１１】[0011]
【作用】第１発明では、クエン酸・過酸化水素系エッチ
ャントを用いたウェットエッチングであるので、チャネ
ル部分にダメージが入りにくい。また、エッチングの進
行に伴って選択的に（１１１）面が現れて、他の面は現
れなくなるので、例えばマスク寸法にゆらぎがあって
も、エッチングの進行につれて細線の幅のゆらぎは減少
する。In the first aspect of the invention, since the wet etching uses the citric acid / hydrogen peroxide type etchant, the channel portion is less likely to be damaged. Further, as the etching progresses, the (111) plane selectively appears and the other surfaces do not appear. Therefore, for example, even if there is a fluctuation in the mask size, the fluctuation in the width of the fine line decreases as the etching progresses.
【００１２】第２発明では、クエン酸：過酸化水素＝
３：１程度のエッチャントを用いるので、より確実に
（１１１）面のみが現れる。In the second invention, citric acid: hydrogen peroxide =
Since an etchant of about 3: 1 is used, only the (111) plane appears more reliably.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments.
【００１４】図１は、本発明の形成方法の手順を細線断
面（（０−１１）面）方向から見た断面図であり、〈０
−１１〉方向に伸びる、つまり〈０−１１〉方向にのみ
電子の自由度がある１次元量子細線を形成する場合につ
いて説明する。FIG. 1 is a cross-sectional view of the procedure of the forming method of the present invention as seen from the direction of the fine line cross section ((0-11) plane).
The case of forming a one-dimensional quantum thin wire that extends in the −11> direction, that is, has a degree of electron freedom only in the <0-11> direction will be described.
【００１５】まず、ＧａＡｓ（１００）基板（図示せ
ず）上に、ＭＢＥ法などのエピタキシャル成長法を用い
て、ＧａＡｓ層１，Ｎ−ＡｌＧａＡｓ層２をこの順に積
層形成し、さらに、電子ビーム露光法などを用いて、幅
1000Å程度, 長さは任意のマスクパターン３をＮ−Ａｌ
ＧａＡｓ層２上に形成する（図１（ａ））。ここでマス
クパターン３としては、レジスト，ＳｉＯ2 薄膜などを
用いる。次に、ウェットエッチングなどを利用して、Ｎ
−ＡｌＧａＡｓ層２をマスクパターン３と同じ幅にエッ
チングする（図１（ｂ））。First, a GaAs layer 1 and an N-AlGaAs layer 2 are formed in this order on a GaAs (100) substrate (not shown) by an epitaxial growth method such as MBE, and then an electron beam exposure method is used. Width using
About 1000 Å, length is arbitrary mask pattern 3 N-Al
It is formed on the GaAs layer 2 (FIG. 1A). Here, as the mask pattern 3, a resist, a SiO 2 thin film, or the like is used. Next, using wet etching or the like, N
-AlGaAs layer 2 is etched to have the same width as mask pattern 3 (FIG. 1 (b)).
【００１６】次に、クエン酸・過酸化水素系エッチャン
ト（クエン酸：過酸化水素＝３：１）を用い、エッチン
グ温度20℃にて、〈１００〉方向に2000Å程度だけＧａ
Ａｓ層１をエッチングする（図１（ｃ））。このエッチ
ング条件では、〈１００〉方向に対して約70Å／秒のエ
ッチング速度となり、表面側には（１１１）Ｂ面（Ａｓ
面）が現れ、基板側には（１１１）Ａ面が現れる。そし
て、Ｎ−ＡｌＧａＡｓ層２と（１１１）Ｂ面とにより囲
まれて電子が１次元に閉じ込められる細線４が得られ
る。Next, using a citric acid / hydrogen peroxide type etchant (citric acid: hydrogen peroxide = 3: 1), at an etching temperature of 20 ° C., Ga of about 2000 Å in the <100> direction.
The As layer 1 is etched (FIG. 1C). Under this etching condition, the etching rate is about 70Å / sec in the <100> direction, and the (111) B plane (As
Surface) and the (111) A surface appears on the substrate side. Then, a thin wire 4 surrounded by the N-AlGaAs layer 2 and the (111) B plane and confining electrons one-dimensionally is obtained.
【００１７】この場合の細線４の実効的な閉じ込め寸法
は、マスクパターン３の幅寸法が1000Åであるので、約
500 Åとなる。この理由について図２を参照して説明す
る。図２に示すように、キャリア（電子）が閉じ込めら
れる寸法は、閉じ込めポテンシャル（実線にて示す領
域）に内接する円程度の大きさ（破線にて示す領域）で
ある。本実施例のように、断面形状が３角形のチャネル
の場合は、断面形状が４角形のチャネルの場合と比較し
て、その１辺の大きさが約２倍（図２でＬｗ＝２Ｌ
ｗ′）のときに同程度の閉じ込め寸法となる。キャリア
（電子）が（１００）面と（１１１）面とで閉じ込めら
れる場合、本実施例のようにマスクパターン３の加工幅
（図２の上辺の長さ）を1000Åとしたときと等価の閉じ
込め寸法を断面が４角形のチャネルで得るためにはその
マスク幅は500 Å程度としなければならない。In this case, the effective confinement dimension of the thin wire 4 is approximately because the width dimension of the mask pattern 3 is 1000Å.
It will be 500 Å. The reason for this will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the size in which carriers (electrons) are confined is about the size of a circle (region indicated by broken line) inscribed in the confinement potential (region indicated by solid line). In the case of a channel having a triangular cross-sectional shape as in this embodiment, the size of one side thereof is about twice as large as that of a channel having a rectangular cross-sectional shape (Lw = 2L in FIG. 2).
In the case of w '), the confined size is about the same. When carriers (electrons) are confined in the (100) plane and the (111) plane, the confinement equivalent to that when the processing width (the length of the upper side of FIG. 2) of the mask pattern 3 is 1000Å as in the present embodiment. The mask width must be about 500Å in order to obtain dimensions in a channel with a square cross section.
【００１８】本実施例のエッチング条件では、ＧａＡｓ
のＡｌＧａＡｓに対するエッチング速度比は 160：１で
あり、Ｎ−ＡｌＧａＡｓ層２はほとんどエッチングされ
ない。また、ＧａＡｓ層１の（１１１）Ａ面, （１１
１）Ｂ面, （１００）面においてエッチング速度が異な
るので、図１（ｃ）に示すような形状が現れ、（１１
１）Ａ面, （１１１）Ｂ面の厚さＬA ，ＬB に差異が見
られる。上述のエッチング条件では、ＬA ：ＬB ＝２：
１となり、また断面３角形の底角θはθ＝54.7°とな
る。Under the etching conditions of this embodiment, GaAs is used.
The etching rate ratio of Al to AlGaAs is 160: 1, and the N-AlGaAs layer 2 is hardly etched. In addition, the (111) A plane of the GaAs layer 1, (11
1) Since the etching rates are different between the B surface and the (100) surface, the shape shown in FIG.
1) A plane, (111) the thickness L A of the B side, the difference in L B seen. Under the above etching conditions, L A : L B = 2:
1, and the base angle θ of the triangular cross section is θ = 54.7 °.
【００１９】ところで、図３に示すようにマスクパター
ン３の幅寸法にゆらぎがあった場合でも、エッチングの
進行につれて、エッチング面として（１１１）面が現
れ、それ以外の面は現れなくなるので、マスクパターン
３の幅寸法のゆらぎが修正されて、線幅のゆらぎが少な
い細線４を形成できる。Even if the width of the mask pattern 3 fluctuates as shown in FIG. 3, as the etching progresses, the (111) plane appears as the etching surface and the other surfaces do not appear. The fluctuation of the width dimension of the pattern 3 is corrected, and the thin line 4 with less fluctuation of the line width can be formed.
【００２０】図４は、本発明の他の実施例を示す断面図
である。上下のＮ−ＡｌＧａＡｓ層２，２間にＧａＡｓ
層１を挟み込んだ構成をなし、上側のＮ−ＡｌＧａＡｓ
層２はパターニングされ、下側のＮ−ＡｌＧａＡｓ層２
はパターニングされていない。このような例では、クエ
ン酸・過酸化水素系エッチャント（クエン酸：過酸化水
素＝３：１）を用いてエッチングを施すと、ＧａＡｓ層
１はＮ−ＡｌＧａＡｓ層２に対してエッチング速度比が
極めて大きいので、図４に示すような２つの並行する細
線4a, 4bを容易に形成することができる。FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment of the present invention. GaAs between the upper and lower N-AlGaAs layers 2 and 2
The layer 1 is sandwiched between the upper N-AlGaAs
Layer 2 is patterned to form the lower N-AlGaAs layer 2
Are not patterned. In such an example, when etching is performed using a citric acid / hydrogen peroxide type etchant (citric acid: hydrogen peroxide = 3: 1), the GaAs layer 1 has an etching rate ratio with respect to the N-AlGaAs layer 2. Since it is extremely large, it is possible to easily form two parallel thin wires 4a and 4b as shown in FIG.
【００２１】この実施例において、ＧａＡｓ層１の厚さ
Ｌｔと上側のＮ−ＡｌＧａＡｓ層２のパターン幅Ｌｗと
の比を、Ｌｔ：Ｌｗ＝３：２1/2 とすると、閉じ込め寸
法比が２：１である２つの並行する細線4a, 4bを精度良
く形成できる。このような２つの並行細線のチャネル構
成は、２つのチャネル間をキャリアが移動することによ
って動作する方向性結合器のチャネルとして利用でき
る。In this embodiment, if the ratio of the thickness Lt of the GaAs layer 1 to the pattern width Lw of the upper N-AlGaAs layer 2 is Lt: Lw = 3: 2 1/2 , the confinement dimension ratio is 2. It is possible to accurately form the two parallel thin lines 4a and 4b of 1: 1. Such a channel configuration of two parallel thin lines can be used as a channel of a directional coupler that operates by moving a carrier between two channels.
【００２２】以上のように、図４に示す実施例では、Ｇ
ａＡｓとＡｌＧａＡｓとのエッチング速度の差を利用
し、下側のＮ−ＡｌＧａＡｓ層２をエッチングストッパ
層として作用させ、ＧａＡｓ層１の膜厚と上側のＮ−Ａ
ｌＧａＡｓ層２のパターン幅とを適当な寸法に設定する
ことにより、極めて精度が高い閉じ込め寸法を有する並
行量子細線を形成できる。As described above, in the embodiment shown in FIG.
Utilizing the difference in etching rate between aAs and AlGaAs, the lower N-AlGaAs layer 2 is made to act as an etching stopper layer, and the film thickness of the GaAs layer 1 and the upper N-A
By setting the pattern width of the 1GaAs layer 2 to an appropriate dimension, a parallel quantum wire having a confinement dimension with extremely high precision can be formed.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上のように、本発明の量子細線の形成
方法では、ウェットエッチングを利用するので、形成す
る細線に欠陥などのダメージが入りにくく、良質な１次
元量子細線を形成できる。また、閉じ込め断面形状が３
角形であるので、実効的な閉じ込め寸法がマスク寸法の
半分程度になり、より幅が狭い量子細線を形成できる。
また、選択的に（１１１）面が現れるので、エッチング
の進行に従って、マスクのゆらぎに影響された細線の凹
凸が直線状に修正されて、線幅のゆらぎが少ない量子細
線を形成できる。As described above, since the method for forming a quantum wire of the present invention uses wet etching, it is possible to form a high-quality one-dimensional quantum wire without causing damage such as defects in the thin wire to be formed. Also, the confinement cross-sectional shape is 3
Since it is rectangular, the effective confinement dimension is about half the mask dimension, and a narrower quantum wire can be formed.
Further, since the (111) plane appears selectively, the unevenness of the fine line affected by the fluctuation of the mask is corrected into a linear shape as the etching progresses, so that the quantum thin line with less fluctuation of the line width can be formed.
【図１】本発明の量子細線の形成方法の手順を示す断面
図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a procedure of a method for forming a quantum wire according to the present invention.
【図２】量子細線における閉じ込め形状と閉じ込め寸法
との関係を示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing a relationship between a confinement shape and a confinement dimension in a quantum wire.
【図３】量子細線の幅ゆらぎが修正される状態を示す概
念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram showing a state in which the width fluctuation of a quantum wire is corrected.
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment of the present invention.
【符号の説明】 １ ＧａＡｓ層 ２ Ｎ−ＡｌＧａＡｓ層 ３ マスクパターン ４，4a, 4b 細線[Explanation of symbols] 1 GaAs layer 2 N-AlGaAs layer 3 Mask pattern 4, 4a, 4b Fine line
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/338 29/812 29/804 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/338 29/812 29/804
Claims (2)
形成する方法において、クエン酸・過酸化水素系のエッ
チャントを用いて、前記化合物半導体の結晶の（１１
１）面が現れる条件でエッチングを行い、（１１１）面
及び（１００）面によってキャリアを閉じ込めて１次元
量子細線を形成することを特徴とする量子細線の形成方
法。1. A method for forming a one-dimensional quantum wire using a compound semiconductor, wherein a (11) crystal of the compound semiconductor is formed using a citric acid / hydrogen peroxide-based etchant.
1) A method for forming a quantum thin line, characterized in that etching is performed under the condition that a plane appears, and carriers are confined by the (111) plane and the (100) plane to form a one-dimensional quantum thin line.
ントとして、クエン酸：過酸化水素＝３：１程度のエッ
チャントを用いることを特徴とする請求項１記載の量子
細線の形成方法。2. The method for forming a quantum wire according to claim 1, wherein an etchant of citric acid: hydrogen peroxide = about 3: 1 is used as the citric acid / hydrogen peroxide-based etchant.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303193A JPH06310425A (en) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | Method for forming quantum wire |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303193A JPH06310425A (en) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | Method for forming quantum wire |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310425A true JPH06310425A (en) | 1994-11-04 |
Family
ID=14071133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9303193A Pending JPH06310425A (en) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | Method for forming quantum wire |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310425A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093657A (en) * | 1996-05-20 | 2000-07-25 | Nec Corporation | Fabrication process of semiconductor device |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP9303193A patent/JPH06310425A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093657A (en) * | 1996-05-20 | 2000-07-25 | Nec Corporation | Fabrication process of semiconductor device |
| KR100288173B1 (en) * | 1996-05-20 | 2001-06-01 | 가네꼬 히사시 | Semiconductor device manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3060973B2 (en) | Manufacturing method of gallium nitride based semiconductor laser using selective growth method and gallium nitride based semiconductor laser | |
| Meier et al. | Problems related to the formation of lateral p–n junctions on channeled substrate (100) GaAs for lasers | |
| JPH05136173A (en) | Manufacture of compound semiconductor quantum device and product manufactured by method thereof | |
| JPS6310517A (en) | Manufacture of semiconductor construction | |
| JP3188728B2 (en) | Method for producing quantum wires by photoinduced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth | |
| Dzurko et al. | Temperature engineered growth of low‐threshold quantum well lasers by metalorganic chemical vapor deposition | |
| JPS63316484A (en) | Quantum effect semiconductor device | |
| US4974036A (en) | Semiconductor superlattice heterostructures on nonplanar substrates | |
| Lee et al. | Photoluminescence studies of selective‐area molecular beam epitaxy of GaAs film on Si substrate | |
| JPH06310425A (en) | Method for forming quantum wire | |
| JPS6289383A (en) | Semiconductor laser | |
| JPS60145687A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH04111487A (en) | Manufacture of semiconductor layer | |
| JPH04280629A (en) | Manufacturing method of film stepwise structure and semiconductor device using the same | |
| Richard et al. | Native‐oxide coupled‐stripe Al y Ga1− y As‐GaAs‐In x Ga1− x As quantum well heterostructure lasers | |
| JPH0233972A (en) | Semiconductor quantum wire structure | |
| JP2924699B2 (en) | Single electronic device and method of manufacturing the same | |
| JPH0555141A (en) | Creation of semiconductor quantum microline | |
| JPS62108592A (en) | Manufacture of semiconductor | |
| JPH06196819A (en) | Semiconductor optical amplifying element and manufacturethereof thereof | |
| JPH0817241B2 (en) | Thin wire field effect transistor and method of manufacturing the same | |
| JP2717125B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor quantum well structure | |
| KR100349662B1 (en) | Current blocking structure using oxide layer and method for fabrication of quantum dot laser diode using the same | |
| GB2109155A (en) | Semiconductor laser manufacture | |
| JPS63136590A (en) | Semiconductor superlattice |