JPH06310058A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
- Publication number
- JPH06310058A JPH06310058A JP9935293A JP9935293A JPH06310058A JP H06310058 A JPH06310058 A JP H06310058A JP 9935293 A JP9935293 A JP 9935293A JP 9935293 A JP9935293 A JP 9935293A JP H06310058 A JPH06310058 A JP H06310058A
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- Japan
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- ray tube
- conductive film
- reducing agent
- cathode ray
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】安価に製造可能な、かつ高い導電性を有し、電
磁波遮蔽性に優れた陰極線管を提供する。 【構成】フェースパネル表面に導電膜を有する陰極線管
において、前記導電膜が、金属塩と還元剤とを含有して
なる溶液を用いて形成される。
磁波遮蔽性に優れた陰極線管を提供する。 【構成】フェースパネル表面に導電膜を有する陰極線管
において、前記導電膜が、金属塩と還元剤とを含有して
なる溶液を用いて形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＶブラウン管等に用
いられる陰極線管のフェースパネル表面に、薄膜状の導
電膜を具備させて、陰極線管より発生する電磁波の漏洩
を防止可能な陰極線管に関する。
いられる陰極線管のフェースパネル表面に、薄膜状の導
電膜を具備させて、陰極線管より発生する電磁波の漏洩
を防止可能な陰極線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、陰極線管のフェースパネル表面に
高い導電性を有する導電膜を形成する方法としては、フ
ェースパネルを蒸着釜に入れて、酸化インジウム化合物
や酸化スズ化合物を蒸着によりパネル表面に形成させる
方法（ＰＶＤ法）、またインジウムやスズの有機化合
物、塩溶液等を高温で熱分解させてパネル表面に導電膜
を形成させる方法（ＣＶＤ法）が知られていた。
高い導電性を有する導電膜を形成する方法としては、フ
ェースパネルを蒸着釜に入れて、酸化インジウム化合物
や酸化スズ化合物を蒸着によりパネル表面に形成させる
方法（ＰＶＤ法）、またインジウムやスズの有機化合
物、塩溶液等を高温で熱分解させてパネル表面に導電膜
を形成させる方法（ＣＶＤ法）が知られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、高い導電性を有する導電膜は
得られるものの、導電膜を形成する際に高温を要した
り、真空設備を要するため、製造設備が大規模となり、
その結果、得られる陰極線管が高価なものとなる欠点が
あった。
ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、高い導電性を有する導電膜は
得られるものの、導電膜を形成する際に高温を要した
り、真空設備を要するため、製造設備が大規模となり、
その結果、得られる陰極線管が高価なものとなる欠点が
あった。
【０００４】また、最近では、陰極線管より発生する電
磁波が人体へ影響することが指摘され始めており、より
安価で、しかも電磁波遮蔽性にも優れた、導電膜付き陰
極線管の開発が強く望まれていた。
磁波が人体へ影響することが指摘され始めており、より
安価で、しかも電磁波遮蔽性にも優れた、導電膜付き陰
極線管の開発が強く望まれていた。
【０００５】本発明は、前記従来技術及び実情に鑑みて
なされたもので、安価に製造可能な、かつ高い導電性を
有し、電磁波遮蔽性に優れた陰極線管を提供することを
目的とする。
なされたもので、安価に製造可能な、かつ高い導電性を
有し、電磁波遮蔽性に優れた陰極線管を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、フェースパネ
ル表面に導電膜を有する陰極線管において、前記導電膜
が、金属塩と還元剤とを含有してなる溶液を用いて形成
されたことを特徴とする陰極線管である。
ル表面に導電膜を有する陰極線管において、前記導電膜
が、金属塩と還元剤とを含有してなる溶液を用いて形成
されたことを特徴とする陰極線管である。
【０００７】前記金属塩は、Ａｇ塩又はＣｕ塩を含有し
ていることが好ましい。
ていることが好ましい。
【０００８】本発明においては、例えば、Ａｇ塩、Ｃｕ
塩等と還元剤とが化学的に反応（還元反応）して、Ａ
ｇ、Ｃｕ等がフェースパネル表面上に析出してＡｇ、Ｃ
ｕ等の薄膜が形成されるため、従来法のように高温熱処
理設備、真空蒸着設備等の大型設備を必要としない。
塩等と還元剤とが化学的に反応（還元反応）して、Ａ
ｇ、Ｃｕ等がフェースパネル表面上に析出してＡｇ、Ｃ
ｕ等の薄膜が形成されるため、従来法のように高温熱処
理設備、真空蒸着設備等の大型設備を必要としない。
【０００９】本発明の陰極線管を製造するに際し、金属
塩としては、例えば、Ａｇ塩、Ｃｕ塩、Ｎｉ塩、Ｓｎ塩
等が用いられ、好ましくは、Ａｇ塩又はＣｕ塩が用いら
れる。これらの塩は単独で、又は２種以上混合して用い
られる。
塩としては、例えば、Ａｇ塩、Ｃｕ塩、Ｎｉ塩、Ｓｎ塩
等が用いられ、好ましくは、Ａｇ塩又はＣｕ塩が用いら
れる。これらの塩は単独で、又は２種以上混合して用い
られる。
【００１０】Ａｇ塩としては、例えば、硝酸銀、シアン
化銀等が用いられるが、水に溶解し易い硝酸銀が最も好
ましく、シアン化銀も使用可能ではあるが、毒性が高
く、あまり好ましくない。Ａｇ塩の溶液は、例えば、硝
酸銀水溶液にアンモニア水等のアルカリ溶液を添加して
調製される。
化銀等が用いられるが、水に溶解し易い硝酸銀が最も好
ましく、シアン化銀も使用可能ではあるが、毒性が高
く、あまり好ましくない。Ａｇ塩の溶液は、例えば、硝
酸銀水溶液にアンモニア水等のアルカリ溶液を添加して
調製される。
【００１１】Ｃｕ塩としては、例えば、硫酸銅、硝酸
銅、塩化銅等が用いられるが、Ａｇ塩と併用する場合に
は硝酸銅を用いるのが好ましい。
銅、塩化銅等が用いられるが、Ａｇ塩と併用する場合に
は硝酸銅を用いるのが好ましい。
【００１２】還元剤としては、例えばホルムアルデヒ
ド、酒石酸、ブドウ糖、チオ硫酸ソーダ、水素化硼素化
合物等を含む水溶液が用いられるが、これらの化合物の
うち、還元速度が比較的緩やかな酒石酸、ブドウ糖が好
ましい。
ド、酒石酸、ブドウ糖、チオ硫酸ソーダ、水素化硼素化
合物等を含む水溶液が用いられるが、これらの化合物の
うち、還元速度が比較的緩やかな酒石酸、ブドウ糖が好
ましい。
【００１３】本発明の陰極線管を製造するに際しては、
前記金属塩（例えばＡｇ塩、Ｃｕ塩等）を含有する溶液
と、還元剤を含有する溶液とを混合し、得られる混合溶
液を、例えば、スピンコート法、スプレー法、浸漬法等
により、陰極線管フェースパネル表面に塗布する。この
ように塗布した結果、高い導電性を有する導電膜がフェ
ースパネル表面に形成される。
前記金属塩（例えばＡｇ塩、Ｃｕ塩等）を含有する溶液
と、還元剤を含有する溶液とを混合し、得られる混合溶
液を、例えば、スピンコート法、スプレー法、浸漬法等
により、陰極線管フェースパネル表面に塗布する。この
ように塗布した結果、高い導電性を有する導電膜がフェ
ースパネル表面に形成される。
【００１４】この際、前記混合溶液とフェースパネルと
の濡れ性を改善するため、前記混合溶液に、例えば陰イ
オン系、陽イオン系、非イオン系、フッ素系、シリコー
ン系等の界面活性剤を、微量添加することが好ましい。
の濡れ性を改善するため、前記混合溶液に、例えば陰イ
オン系、陽イオン系、非イオン系、フッ素系、シリコー
ン系等の界面活性剤を、微量添加することが好ましい。
【００１５】膜の性能を向上させるために、更に、有機
金属化合物、無機コロイド、金属コロイド、顔料、染料
等を混合することもできる。
金属化合物、無機コロイド、金属コロイド、顔料、染料
等を混合することもできる。
【００１６】本発明において、例えば、フェースパネル
上へのＡｇ薄膜は、次の反応により生成する。
上へのＡｇ薄膜は、次の反応により生成する。
【００１７】
【化１】2AgNO3＋2NH3＋H2O →Ag2O＋2NH4NO3 Ag2O ＋4NH3＋H2O →2Ag(NH3)2OH Ag(NH3)2OH ＋H → Ag ＋2NH3＋H2O
【００１８】また、フェースパネル上へのＣｕ薄膜は、
次の反応により生成する。
次の反応により生成する。
【００１９】
【化２】 Cu2+ ＋2HCHO ＋ 4OH- → Cu ＋H2＋ 2H2O ＋ 2HCO2 -
【００２０】フェースパネルのようなガラス板上では、
ガラス板表面が活性点となるため、優先的にガラス板表
面上にＡｇ、Ｃｕ等の析出が起こり、フェースパネル表
面に良好なＡｇ、Ｃｕ等の薄膜を形成することができ
る。
ガラス板表面が活性点となるため、優先的にガラス板表
面上にＡｇ、Ｃｕ等の析出が起こり、フェースパネル表
面に良好なＡｇ、Ｃｕ等の薄膜を形成することができ
る。
【００２１】形成するＡｇ、Ｃｕ等の薄膜の膜厚には特
に制限はないが、透明性の点から１００〜１０００Åが
好ましい。
に制限はないが、透明性の点から１００〜１０００Åが
好ましい。
【００２２】膜厚の調整は、例えば、溶液中のＡｇ塩、
Ｃｕ塩等の濃度、スピンコート法における回転数、スプ
レー法におけるスプレー量、浸漬法における引き上げ速
度などを調整することにより行われる。
Ｃｕ塩等の濃度、スピンコート法における回転数、スプ
レー法におけるスプレー量、浸漬法における引き上げ速
度などを調整することにより行われる。
【００２３】前記膜厚の範囲では、フェースパネル上の
Ａｇ、Ｃｕ等の薄膜の表面抵抗は、１０0 〜１０4 Ω／
□と高い導電性を示す。
Ａｇ、Ｃｕ等の薄膜の表面抵抗は、１０0 〜１０4 Ω／
□と高い導電性を示す。
【００２４】また、Ａｇ、Ｃｕ等の薄膜形成時のフェー
スパネル面温度について特に制限はないが、ムラ等の膜
欠陥の少ないＡｇ、Ｃｕ等の薄膜を得るためには、５〜
６０℃程度にすることが好ましい。
スパネル面温度について特に制限はないが、ムラ等の膜
欠陥の少ないＡｇ、Ｃｕ等の薄膜を得るためには、５〜
６０℃程度にすることが好ましい。
【００２５】このようにして、導電膜形成工程で特に高
温や真空を必要とせずに、安価に、しかも１０0 〜１０
4 Ω／□という高い導電性を有する、本発明の陰極線管
が得られる。
温や真空を必要とせずに、安価に、しかも１０0 〜１０
4 Ω／□という高い導電性を有する、本発明の陰極線管
が得られる。
【００２６】本発明の陰極線管には、導電膜保護のた
め、導電膜上に、従来から用いられている有機シリコー
ンの加水分解液を主成分とした溶液を、塗布後、硬化さ
せて保護膜を形成させることもできる。
め、導電膜上に、従来から用いられている有機シリコー
ンの加水分解液を主成分とした溶液を、塗布後、硬化さ
せて保護膜を形成させることもできる。
【００２７】更に、本発明の導電膜は２〜３という高い
屈折率を有することから、以下に示すような反射防止機
能をも付与した陰極線管を提供することもできる。
屈折率を有することから、以下に示すような反射防止機
能をも付与した陰極線管を提供することもできる。
【００２８】即ち、フェースパネル上面より、第１層を
屈折率２以下の膜とし、第２層を前記Ａｇ、Ｃｕ等の薄
膜とし、更に第３層を屈折率２以下の膜とすることによ
り、良好な反射防止・高導電性膜を具備した陰極線管と
することができる。
屈折率２以下の膜とし、第２層を前記Ａｇ、Ｃｕ等の薄
膜とし、更に第３層を屈折率２以下の膜とすることによ
り、良好な反射防止・高導電性膜を具備した陰極線管と
することができる。
【００２９】この際、屈折率２以下の膜は、例えば、チ
タンアルコキシドとシリコンアルコキシドとを加水分解
した溶液（この溶液はＴｉＯ2 、ＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 、
Ａｌ 2 Ｏ3 等の無機コロイドと、チタン、シリカ等の有
機金属化合物との混合物でもよい）を塗布し、硬化させ
て形成する。
タンアルコキシドとシリコンアルコキシドとを加水分解
した溶液（この溶液はＴｉＯ2 、ＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 、
Ａｌ 2 Ｏ3 等の無機コロイドと、チタン、シリカ等の有
機金属化合物との混合物でもよい）を塗布し、硬化させ
て形成する。
【００３０】また、前記反射防止・高導電膜上に、更
に、シリコンアルコキシドを加水分解させて調製したシ
リカ溶液を、スプレー等により吹付けてシリカ保護膜を
形成させることもできる。
に、シリコンアルコキシドを加水分解させて調製したシ
リカ溶液を、スプレー等により吹付けてシリカ保護膜を
形成させることもできる。
【００３１】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００３２】実施例１ （Ａｇ塩溶液の調製）硝酸銀３．５ｇを水６０ｍｌに溶
解した後、アンモニア水を、沈殿が再溶解するまで添加
する。
解した後、アンモニア水を、沈殿が再溶解するまで添加
する。
【００３３】次いで、これに、水酸化ナトリウム２．５
ｇを水６０ｍｌに溶解した溶液を添加した後、更に、再
度アンモニア水を、沈殿が再溶解するまで添加してＡｇ
塩溶液を調製した。
ｇを水６０ｍｌに溶解した溶液を添加した後、更に、再
度アンモニア水を、沈殿が再溶解するまで添加してＡｇ
塩溶液を調製した。
【００３４】（還元剤溶液の調製）ブドウ糖４５ｇ及び
酒石酸４ｇを水１０００ｍｌに溶解した後、１０分間煮
沸し、冷却後、エタノール１００ｍｌを添加して還元剤
溶液を調製した。
酒石酸４ｇを水１０００ｍｌに溶解した後、１０分間煮
沸し、冷却後、エタノール１００ｍｌを添加して還元剤
溶液を調製した。
【００３５】（導電膜の形成）前記Ａｇ塩溶液５０ｍｌ
及び前記還元剤溶液５０ｍｌを混合して得られた混合溶
液を、直ちに、スピンコーターにより、組み立て終了後
の陰極線管フェースパネル表面に塗布した。
及び前記還元剤溶液５０ｍｌを混合して得られた混合溶
液を、直ちに、スピンコーターにより、組み立て終了後
の陰極線管フェースパネル表面に塗布した。
【００３６】この際、塗布条件は、液注入時６０ｒｐｍ
−５秒間、液振り切り時２００ｒｐｍ−３０秒間、フェ
ースパネル面温度４０℃とした。
−５秒間、液振り切り時２００ｒｐｍ−３０秒間、フェ
ースパネル面温度４０℃とした。
【００３７】次いで、成膜終了後、スピンコーター上
で、純水シャワーにより、得られた導電膜表面の洗浄を
行った。
で、純水シャワーにより、得られた導電膜表面の洗浄を
行った。
【００３８】得られた導電膜の表面抵抗値を測定したと
ころ、６×１０2 Ω／□であった。
ころ、６×１０2 Ω／□であった。
【００３９】（保護膜の形成）エチルシリケート５重量
％、塩酸２重量％、水１．５重量％、メチルセロソルブ
２０重量％及びエタノール残部を混合して溶液を調製し
た。
％、塩酸２重量％、水１．５重量％、メチルセロソルブ
２０重量％及びエタノール残部を混合して溶液を調製し
た。
【００４０】得られた溶液を、前記で得られた導電膜付
陰極線管フェースパネル表面に、スピンコーターにて塗
布した後、電気炉にて１８０℃−３０分間加熱硬化させ
て、導電膜上にシリカの保護膜を形成した。
陰極線管フェースパネル表面に、スピンコーターにて塗
布した後、電気炉にて１８０℃−３０分間加熱硬化させ
て、導電膜上にシリカの保護膜を形成した。
【００４１】実施例２ （Ｃｕ塩溶液の調製）硝酸銅１５ｇ、炭酸水素ナトリウ
ム１０ｇ、酒石酸カリウムナトリウム３０ｇ及び水酸化
ナトリウム２０ｇを、水１０００ｍｌに溶解してＣｕ塩
溶液を調製した。
ム１０ｇ、酒石酸カリウムナトリウム３０ｇ及び水酸化
ナトリウム２０ｇを、水１０００ｍｌに溶解してＣｕ塩
溶液を調製した。
【００４２】（還元剤溶液の調製）３７％ホルムアルデ
ヒド溶液１００ｍｌに、シリコーン系界面活性剤０．０
１ｇを添加混合して還元剤溶液を調製した。
ヒド溶液１００ｍｌに、シリコーン系界面活性剤０．０
１ｇを添加混合して還元剤溶液を調製した。
【００４３】（導電膜の形成）前記Ｃｕ塩溶液５０ｍｌ
及び前記還元剤溶液５０ｍｌを混合して得られた混合溶
液を、直ちに、スピンコーターにより、組み立て終了後
の陰極線管フェースパネル表面に塗布した。
及び前記還元剤溶液５０ｍｌを混合して得られた混合溶
液を、直ちに、スピンコーターにより、組み立て終了後
の陰極線管フェースパネル表面に塗布した。
【００４４】この際、塗布条件は、実施例１と同様に行
った。
った。
【００４５】得られた導電膜の表面抵抗値を測定したと
ころ、３×１０3 Ω／□であった。
ころ、３×１０3 Ω／□であった。
【００４６】（保護膜の形成）次いで、実施例１と同様
にして導電膜上にシリカの保護膜を形成した。
にして導電膜上にシリカの保護膜を形成した。
【００４７】
【発明の効果】本発明の陰極線管は、通常の塗布法によ
り、特に高温の加熱工程や真空蒸着工程を必要とせずに
安価に製造可能な、かつ高い導電性を有し、電磁波遮蔽
性に優れたものである。
り、特に高温の加熱工程や真空蒸着工程を必要とせずに
安価に製造可能な、かつ高い導電性を有し、電磁波遮蔽
性に優れたものである。
フロントページの続き (72)発明者 上原 賢 千葉県船橋市豊富町585番地 住友セメン ト株式会社中央研究所内 (72)発明者 木股 仁司 千葉県船橋市豊富町585番地 住友セメン ト株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 フェースパネル表面に導電膜を有する陰
極線管において、前記導電膜が、金属塩と還元剤とを含
有してなる溶液を用いて形成されたことを特徴とする陰
極線管。 - 【請求項２】 前記金属塩が、Ａｇ塩又はＣｕ塩を含有
していることを特徴とする請求項１記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9935293A JPH06310058A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9935293A JPH06310058A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310058A true JPH06310058A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14245223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9935293A Pending JPH06310058A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310058A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962966A (en) * | 1996-10-09 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductive anti-reflection film for cathode ray tube |
| US5965975A (en) * | 1996-07-24 | 1999-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductive anti-reflection film, fabrication method thereof, and cathode ray tube therewith |
| WO2003068674A1 (fr) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Japan Science And Technology Agency | Structure de fils nanometriques en metal noble et leur procede de production |
-
1993
- 1993-04-26 JP JP9935293A patent/JPH06310058A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965975A (en) * | 1996-07-24 | 1999-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductive anti-reflection film, fabrication method thereof, and cathode ray tube therewith |
| US6184125B1 (en) | 1996-07-24 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating conductive anti-reflection film for a cathode ray tube |
| US5962966A (en) * | 1996-10-09 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductive anti-reflection film for cathode ray tube |
| WO2003068674A1 (fr) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Japan Science And Technology Agency | Structure de fils nanometriques en metal noble et leur procede de production |
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