JPH06306660A - 試料の洗浄方法 - Google Patents

試料の洗浄方法

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JPH06306660A
JPH06306660A JP9920293A JP9920293A JPH06306660A JP H06306660 A JPH06306660 A JP H06306660A JP 9920293 A JP9920293 A JP 9920293A JP 9920293 A JP9920293 A JP 9920293A JP H06306660 A JPH06306660 A JP H06306660A
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JP
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wafer
vapor
cleaning
sample
solvent
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JP9920293A
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Shinji Hatada
伸二 畑田
Izumi Tamaya
泉 玉谷
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Nippon Steel Corp
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Sumitomo Metal Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 反応性薬液の蒸気と前記反応性薬液を希釈す
る希釈用溶媒の蒸気とを用いて試料上の不要物を除去す
る試料の洗浄方法において、前記希釈用溶媒としてアル
コールを用いる試料の洗浄方法。 【効果】 パーティクルの発生を伴わずに、除去対象物
を均一に、しかも選択性よく除去することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は試料の洗浄方法に関し、
より詳細には、例えば半導体製造工程においてHF等の
反応性薬液によりウエハ等の試料の表面に存在する自然
酸化膜、不純物等の不要物を除去する試料の洗浄方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程においてウエハの洗浄工
程が占める割合は約40%といわれており、洗浄工程の
重要性は極めて高い。現在、ウエハの洗浄には主として
ウエット処理が採用されているが、ウエット処理には除
去された金属や化学物質がウエハに再付着したり、純水
リンス工程においてウエハ上に自然酸化膜が再成長する
等の問題がある。これらの問題に対処するために、近
年、液槽を用いないドライ洗浄が行われ始めている。
【0003】ドライ洗浄の方法には、フッ化水素等の反
応性ガスを直接ウエハ等に吹きつけて洗浄する方法、反
応性物質の水溶液の蒸気をウエハに吹きつけて洗浄する
方法、プラズマ化されたガス等を用いて洗浄を行う方法
等がある。
【0004】プラズマ化されたガスを用いて洗浄を行う
方法においては、ウエハがプラズマに直接曝されるため
にプラズマ中の荷電粒子によるダメージがウエハに生
じ、集積度の高い半導体素子に適応するのには問題があ
る。
【0005】そこで、反応性のガスや反応性物質の水溶
液の蒸気を用いる方法が検討されている。図10は、従
来の反応性薬液としてフッ化水素の水溶液(HF水溶
液)を用い、希釈用溶媒として水を用いたドライ洗浄処
理に用いられるウエハ洗浄装置を模式的に示した断面図
であり、図中、10は容器を示している。容器10はシ
リコンカーバイドを用いて略中空半球体形状に形成され
た容器本体11と、略円板状に形成された円板部材12
とを含んで構成されており、容器本体11下面と円板部
材12上面の周辺部とはパッキン12aを介して結合さ
れている。円板部材12中央部にはウエハ支持台13が
配設され、ウエハ支持台13上にはウエハ14が載置さ
れている。容器本体11上部にはフランジ11aが形成
されており、フランジ11a上にはパッキン15aを介
して略円筒形状の中間リング15が接続されている。フ
ランジ11aと中間リング15とにはノズル挿入孔16
が形成されており、中間リング15側面にはノズル挿入
孔16と直交する排気孔16aが形成され、排気孔16
aには排気管17a、バルブ17bを介して排気ポンプ
17が接続されている。
【0006】ノズル挿入孔16内にはフッ素樹脂等を用
いて略パイプ形状に形成されたノズル18が配設されて
おり、ノズル18の上部に形成されたフランジ25の下
面がパッキン25aを介して中間リング15上面に結合
され、ノズル18が支持されるとともに容器10が封止
されるようになっている。ノズル18には混合室20が
形成され、略円柱形状に形成されたノズル棒19が介装
されており、ノズル18下部には吐出孔22が形成さ
れ、ノズル18上部には薬液孔23、溶媒孔24がそれ
ぞれ混合室20に連通して形成されている。
【0007】さらに薬液孔23には供給管26、バルブ
27を介して薬液タンク28が接続されており、薬液タ
ンク28内にはHF水溶液33が充填され、薬液タンク
28の外周にはヒータ28aが配設されている。また溶
媒孔24には供給管30、バルブ31を介して溶媒タン
ク32が接続されており、溶媒タンク32内には超純水
(以下、H2 Oと記す)34が充填され、溶媒タンク3
2の外周にはヒータ32aが配設されている。薬液タン
ク28上部と溶媒タンク32上部とにはそれぞれキャリ
アガス導入管29、バルブ29aが接続されており、キ
ャリアガス導入管29、バルブ29aには図示しない窒
素(以下、N2 と記す)ガス等が充填されたキャリアガ
スボンベが接続されている。
【0008】そしてキャリアガス導入管29、バルブ2
9aを介して薬液タンク28、溶媒タンク32にそれぞ
れ導入されたN2 ガスが、HF水溶液の蒸気、H2 O蒸
気を伴いながら供給管26、30とバルブ27、31内
を流れ、それぞれノズル18の混合室20に直接的に供
給される。次いで混合室20で混合された蒸気は吐出孔
22より容器10内に導入されるようになっている。
【0009】このように構成されたウエハ洗浄装置を用
い、ウエハ14上面に形成された自然酸化膜を洗浄・除
去するには、まず排気ポンプ17を駆動させて容器10
内の気体を一旦排気した後、不活性ガスを導入し、圧力
を略80Torrに設定し、ヒータ28a、32aに予め通
電して薬液タンク28、溶媒タンク32を略50℃に加
熱し、HF水溶液33及びH2 O34の蒸気を発生させ
る。次にバルブ29aを開いて所定流量に調整したN2
ガスを薬液タンク28、溶媒タンク32に通流させ、供
給管26、30に導入されたHF水溶液33の蒸気、H
2 O34の蒸気をそれぞれバルブ27、31を介してノ
ズル18の混合室20に供給する。そして混合室20で
HF水溶液33の蒸気とH2 O34の蒸気とを混合し、
混合された蒸気を吐出孔22からウエハ14表面に噴出
させ、ウエハ14表面の自然酸化膜等を洗浄・除去して
いる。
【0010】上記したウエハ洗浄装置による自然酸化膜
等の除去過程は次のように考えられている。(1)ノズ
ルの吐出孔22より噴出した混合蒸気は洗浄の対象であ
るウエハ14の表面に到達した後、ウエハ14の表面で
凝縮し、液体の薄膜を形成する。(2)ウエハ14の表
面に形成された液体薄膜の内部では、溶液中にウエハ1
4を侵漬させた場合と同様の反応が進行する。つまりウ
エハ14上の除去対象物質、例えば除去対象物質が自然
酸化膜の場合には前記自然酸化膜が反応性薬液により溶
解、あるいは分解される。(3)前記の反応により生成
した反応生成物は、真空排気によって反応性薬液及び希
釈用溶媒とともに除去される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記した過程のなか
で、(1)の混合蒸気のウエハ14表面への凝縮過程が
洗浄の均一性、再現性において問題となる。すなわち、
洗浄の対象となるウエハ14の表面状態が不均一で吸着
水分の量やウエハ14上の酸化膜中の水分含有量等がウ
エハ14表面の場所により異なる場合、前記不均一分布
に起因して混合蒸気の凝縮速度や液体薄膜の形成速度が
ウエハ14表面の場所により異なる。また用いられるウ
エハ14自体が他のウエハと異なる表面状態を有する場
合もある。このために洗浄するウエハ14やウエハ上の
場所により反応の程度が異なり、反応ムラが生じ、除去
しようとする物質の除去量が不均一になったり、再現性
に問題が生じたりする。前記したウエハ14の表面状態
は、ウエハ14の洗浄工程の前の工程から洗浄工程に至
るまでの経過時間や製造現場の雰囲気(クリーン度、湿
度、温度、保管状態等)に大きく影響されるため、特に
保管状態のよくないウエハ14では、前記理由からウエ
ハ14の均一な洗浄を行うことが難しかった。
【0012】また、(2)の過程において、反応に関わ
る反応性の分子やイオン(活性種)は、ウエハ14上の
液体薄膜の中で専ら拡散によって除去対象物質に到達す
ると考えられるが、この過程においても、ウエハ14の
表面状態の不均一性は液体薄膜中の薬液濃度に影響を与
え、除去対象物に対する反応活性種の供給速度も異なっ
てくるため、洗浄の不均一性が助長される。
【0013】さらに、(3)の過程によりウエハ表面よ
り飛散、除去されるはずの反応生成物が完全に除去され
ずにウエハ表面に残留する場合があり、この場合は残留
物がパーティクルとなり、後の工程に悪影響を及ぼす。
このパーティクルの残留には、ウエハ上に生成する液体
薄膜中のH2 Oの濃度が大きく関与している。
【0014】ウエハ14の洗浄処理は、前記した理由か
ら均一で再現性よく行うことが非常に難しく、場合によ
ってはパーティクルが残留するという課題があった。
【0015】また、ウエハ14の洗浄処理においては、
前記除去対象物のみを除去し、他に影響を与えない選択
性に優れた洗浄処理が重要であるが、上記した反応過程
からもわかるように洗浄特性を左右する多くのパラメー
タがあり、それらをコントロールして、選択性よく特定
の除去対象物のみを洗浄、除去することが従来の洗浄方
法では難しいという課題もあった。ウエハ上の自然酸化
膜の上からCVDによるタングステンシリサイド膜等を
形成した場合、前記タングステンシリサイド膜の膜剥れ
などを引き起こす原因となる。従って、前記自然酸化膜
を除去する必要があるが、対象となる自然酸化膜の膜厚
が数nmと薄いために、特に選択性良く自然酸化膜のみ
を除去することは困難であった。
【0016】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、パーティクルの発生を伴わずに、除去対象物
を均一に、しかも選択性よく除去することができる試料
の洗浄方法を提供することを目的としている。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る試料の洗浄方法は、反応性薬液の蒸気と
前記反応性薬液を希釈する希釈用溶媒の蒸気とを用いて
試料上の不要物を除去する試料の洗浄方法において、前
記希釈用溶媒としてアルコールを用いることを特徴とし
ている。
【0018】本発明で不要物を除去する試料としては、
半導体素子の製造に用いられるシリコンウエハ、GaA
s(ガリウムヒ素)ウエハ等が挙げられる。また除去対
象物質としては、例えば試料として前記ウエハを用いた
場合には、ウエハ表面に存在する自然酸化膜、金属汚染
物、有機汚染物、レジスト等が挙げられるが、なかでも
シリコンウエハ上の自然酸化膜の除去に本発明の方法を
適用した場合に顕著な効果を得ることができる。
【0019】本発明で希釈用溶媒として用いられるアル
コールとしては、メタノール、エタノール、1−プロパ
ノール、2−プロパノール等やそれらの混合物が挙げら
れる。また反応性薬液としては、HF水溶液、塩酸水溶
液、HFと塩酸の混合水溶液等が挙げられる。
【0020】反応性薬液としてHF水溶液を用いる場合
の組成は、HFとH2 Oの共沸組成であるHF濃度が3
8.4wt%が好ましい。また反応性薬液の水溶液と希
釈用溶媒の比は、試料に存在する除去対象物の量や種類
により異なり、特に制限されない。
【0021】本発明の試料の洗浄方法としては、「従来
の技術」で記載したようなノズルが配設された真空に耐
え得る密閉性の容器中にウエハ等の試料を載置し、減圧
の不活性ガス雰囲気下にノズル内に反応性薬液の蒸気と
希釈用溶媒の蒸気の混合蒸気を送り込んで前記ノズルの
吐出孔から前記混合蒸気を試料表面に吹きつける方法に
より、試料中の不要物を洗浄・除去する方法が好ましい
が、前記混合蒸気を使用して洗浄できる方法であれば、
その他の方法でも差し支えない。
【0022】
【作用】本発明に係る試料の洗浄方法によれば、反応性
薬液の蒸気と前記反応性薬液を希釈する希釈用溶媒の蒸
気とを用いて試料上の不要物を除去する試料の洗浄方法
において、前記希釈用溶媒としてアルコールを用いる。
【0023】このアルコールは、HF水溶液中の水分と
混合することにより共沸現象を起こして沸点が降下し、
水の蒸気圧が上昇するため、ウエハ表面に付着した水分
が蒸発し易くなる。この結果、ウエハ上に付着したHF
水溶液中のHF濃度が次第に高くなり、HFの酸として
の解離を抑制する。HFの酸としての解離が抑制される
と、これによりウエハ上の酸化膜と反応する活性種の生
成が抑制されるため、ウエハ上の酸化膜のエッチング速
度が次第に抑制され、ゆるやかに反応が進行するように
なる。このような機構により溶液内でのエッチング作用
が進行するため、酸化膜をエッチングする際の厚さのコ
ントロールが容易になり、選択性が向上する。
【0024】また、アルコールを含有する溶液では、そ
の表面張力が低下するため、混合蒸気がウエハ表面に均
一に付着し易くなり、上記効果と相まって洗浄・除去の
均一性が向上する。
【0025】さらに、アルコールを含有する溶液では、
その粘度が上昇するため、溶液中で生成した活性種の拡
散が抑制され、活性種の拡散が抑制されることにより拡
散律速的エッチング速度が抑制され、選択性が向上す
る。
【0026】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る試料の洗浄方
法の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例と
同一機能を有する構成部品には同一の符号を付すことと
する。図1は本発明の実施例に係る試料の洗浄方法に用
いられるウエハ洗浄装置を模式的に示した断面図であ
り、図1に示した装置の構成は使用する希釈用の溶媒4
0が図10に示した従来のウエハ洗浄装置の溶媒H2
34と異なり、アルコールである他は同様であるため、
ここでは装置の詳細な説明は省略し、洗浄方法について
のみ説明する。図1のように構成されたウエハ洗浄装置
を用いてウエハ14表面に形成された酸化膜等を洗浄・
除去する際には、次のような工程により処理を行う。以
下の各洗浄処理工程における容器内の圧力と経過時間と
の関係を図2に示す。図2における各番号が下記の処理
工程の番号に対応している。
【0027】まず、ウエハ支持台13にウエハ14を
載置し、排気ポンプ17を駆動させて容器10内を完全
に真空排気し、残存している空気などを除去する。次
に、容器10内に不活性ガス(N2 )を導入した後、バ
ルブ17bを調整して容器10内の圧力を数十Torr
の真空状態を保つようにし、またヒータ28a、32a
に予め通電して薬液タンク28、溶媒タンク32を略5
0℃に加熱してHF水溶液33及びアルコール40の蒸
気を発生させる。次に、バルブ29aを開いて所定流
量に調整されたN2 ガスを薬液タンク28、溶媒タンク
32に通流させ、供給管26、30にそれぞれ導入され
たHF水溶液33の蒸気、アルコール40の蒸気をバル
ブ27、31を介してノズル18の混合室20に供給す
る。そして混合室20においてHF水溶液33の蒸気と
アルコール40の蒸気とを混合して吐出孔22からウエ
ハ14表面に噴出させ、ウエハ14表面の自然酸化膜を
洗浄・除去する。前記洗浄処理の間は、容器10内が所
定の圧力を維持するようにバルブ17bを再度調整す
る。洗浄処理が終了した後は再び完全に真空排気を行
ってウエハ14表面から反応性薬液(HF水溶液)、希
釈用溶媒(アルコール)、反応生成物を取り除く。前
記真空排気を所定の時間続行する。不活性ガスを導入
して、容器10内の圧力を大気圧まで昇圧し、ウエハ1
4を取り出す。前記処理方法を用い、希釈用溶媒として
メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロ
パノール、あるいはエタノールと2−プロパノールとを
1:1で混合したもの、あるいはメタノ−ルと2−プロ
パノールとを1:1で混合したものを使用し、ウエハ1
4上に1000nmの厚さに形成された熱酸化膜の洗浄
・除去を行った。
【0028】上記した以外の実験条件を以下に示す。
【0029】反応性薬液: HF濃度38.
4wt%のHF水溶液(共沸組成) 洗浄処理時の圧力: 80Torr 反応性薬液蒸気の流量: 2.0 slm 希釈用溶媒蒸気の流量: 1.0 slm 使用ウエハ14: 直径6インチ(150mm)のシ
リコンウエハ14 実施例において、希釈用溶媒として2−プロパノールを
使用した場合を実施例1、エタノールと2−プロパノー
ルを1:1で混合したものを使用した場合を実施例2、
メタノ−ルと2−プロパノールを1:1で混合したもの
を使用した場合を実施例3、メタノールを使用した場合
を実施例4、エタノールを使用した場合を実施例5、1
−プロパノ−ルを使用した場合を実施例6として、その
結果を図3〜8に示す。図3〜8に示す各グラフにおい
て、下のグラフは洗浄処理時間に対するエッチング量
(Å)の平均値を示し、上のグラフは洗浄処理時間に対
するのエッチング量(Å)の均一性を示している。すな
わち、例えば均一性が10%で、エッチング量が100
Åの場合は、ウエハ14上の場所によっては最大10Å
の範囲でエッチング量のばらつきがあることを意味して
いる。なお、前記エッチング量は光学式膜厚計を用いて
測定した。上記実施例による洗浄処理を行った後に、レ
ーザー式パーティクルカウンターによりウエハ14の表
面のパーティクルを測定したが、いずれの実施例におい
てもパーティクルの付着は見られなかった。
【0030】また比較例として、希釈用溶媒に超純水を
使用し、下記のような実験条件で同様に洗浄処理を行っ
た。なお、以下に記載していない条件については、実施
例と全く同様に設定して処理を行った。
【0031】反応性薬液: HF濃度38.
4wt%のHF水溶液(共沸組成) 洗浄処理時の圧力: 80Torr 反応性薬液蒸気の流量: 0.6 slm 希釈用溶媒蒸気の流量: 2.4 slm 使用ウエハ14: 直径6インチ(150mm)のシ
リコンウエハ14 比較例の実験結果を図9に示す。
【0032】上記実施例の結果を示す図3〜8及び比較
例の結果を示す図9から明らかなように、本発明の実施
例に係る試料の洗浄方法により、酸化膜のエッチングの
均一性が向上している。酸化膜を200Å程度までエッ
チングした場合、比較例では短時間でエッチングが進行
してしまい、エッチングの均一性も7〜8%程度と良く
ないのに対し、実施例においてはゆっくりとエッチング
が進行し、その均一性も5%程度以下に納まっている。
特に2−プロパノールを使用した場合に均一性向上の効
果が大きく3%より低い値となっている。従って、例え
ばウエハ14上の自然酸化膜を除去する際、自然酸化膜
の下に存在する熱酸化膜はエッチングせずに自然酸化膜
のみを選択性よくエッチングすることが可能となる。
【0033】このように本発明の実施例に係る試料の洗
浄方法を使用することにより、パーティクルの発生を伴
わずに、除去対象物を均一に、しかも選択性よく除去す
ることができる。
【0034】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る試料の
洗浄方法にあっては、反応性薬液の蒸気と前記反応性薬
液を希釈する希釈用溶媒の蒸気とを用いて試料上の不要
物を除去する試料の洗浄方法において、前記希釈用溶媒
としてアルコールを用いるので、パーティクルの発生を
伴わずに、除去対象物を均一に、しかも選択性よく除去
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る試料の洗浄方法に用いる
装置を模式的に示した断面図である。
【図2】本発明の実施例に係る試料の洗浄方法で、各工
程における容器内の圧力と経過時間の関係を示したグラ
フである。
【図3】本発明の実施例1に係る試料の洗浄方法におい
て、希釈用溶媒として2−プロパノールを用いた場合の
エッチング時間に対するエッチング量及びエッチングの
均一性に関する結果を示すグラフである。
【図4】本発明の実施例2に係る試料の洗浄方法におい
て、希釈用溶媒としてエタノールと2−プロパノールの
1:1の混合溶媒を用いた場合のエッチング時間に対す
るエッチング量及びエッチングの均一性に関する結果を
示すグラフである。
【図5】本発明の実施例3に係る試料の洗浄方法におい
て、希釈用溶媒としてメタノールと2−プロパノールの
1:1の混合溶媒を用いた場合のエッチング時間に対す
るエッチング量及びエッチングの均一性に関する結果を
示すグラフである。
【図6】本発明の実施例4に係る試料の洗浄方法におい
て、希釈用溶媒としてメタノールを用いた場合のエッチ
ング時間に対するエッチング量及びエッチングの均一性
に関する結果を示すグラフである。
【図7】本発明の実施例5に係る試料の洗浄方法におい
て、希釈用溶媒としてエタノールを用いた場合のエッチ
ング時間に対するエッチング量及びエッチングの均一性
に関する結果を示すグラフである。
【図8】本発明の実施例6に係る試料の洗浄方法におい
て、希釈用溶媒として1−プロパノールを用いた場合の
エッチング時間に対するエッチング量及びエッチングの
均一性に関する結果を示すグラフである。
【図9】比較例として希釈用溶媒に超純水を用いた場合
のエッチング時間に対するエッチング量及びエッチング
の均一性に関する結果を示すグラフである。
【図10】従来のウエハ14の洗浄処理に用いられる洗
浄装置を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
33 HF水溶液 40 アルコール

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 反応性薬液の蒸気と前記反応性薬液を希
    釈する希釈用溶媒の蒸気とを用いて試料上の不要物を除
    去する試料の洗浄方法において、前記希釈用溶媒として
    アルコールを用いることを特徴とする試料の洗浄方法。
JP9920293A 1993-04-26 1993-04-26 試料の洗浄方法 Pending JPH06306660A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998037575A1 (fr) * 1997-02-24 1998-08-27 Seiko Epson Corporation Procede et appareil de traitement de surface

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WO1998037575A1 (fr) * 1997-02-24 1998-08-27 Seiko Epson Corporation Procede et appareil de traitement de surface

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