JPH0630343B2 - 微結晶相を含むアモルフアスシリコン薄膜導電体 - Google Patents
微結晶相を含むアモルフアスシリコン薄膜導電体Info
- Publication number
- JPH0630343B2 JPH0630343B2 JP60299465A JP29946585A JPH0630343B2 JP H0630343 B2 JPH0630343 B2 JP H0630343B2 JP 60299465 A JP60299465 A JP 60299465A JP 29946585 A JP29946585 A JP 29946585A JP H0630343 B2 JPH0630343 B2 JP H0630343B2
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- Japan
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- silicon thin
- amorphous silicon
- temperature
- film conductor
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電子回路に使用するための導電体に係り、
特にマイクロエレクトロニクスの範囲に属するもので、
特殊な新しい原子的構造を備えた薄膜導電体に関する。
この新しい特殊な半導体薄膜導電体は、半導体材料で成
るにも拘らず、比較的大きな導電率をもち、しかもその
温度係数が小さく、他方では熱電能（ゼーベック係数の
大きさ）が半導体のように大きいという特徴を備えてい
ることが発見されたことから、微細な熱電効果素子を構
成することができ、電力測定用のパワーセンサの構成素
材とすることができる。また、機械的ひずみ（あるいは
応力）によってその抵抗が変化するエラスト抵抗効果
（あるいはピエゾ抵抗効果）を備えているから、ひずみ
あるいは力のセンサの構成素材とすることができる。す
なわち、各種のセンサエレクトロニクス用素材を提供す
るものである。
特にマイクロエレクトロニクスの範囲に属するもので、
特殊な新しい原子的構造を備えた薄膜導電体に関する。
この新しい特殊な半導体薄膜導電体は、半導体材料で成
るにも拘らず、比較的大きな導電率をもち、しかもその
温度係数が小さく、他方では熱電能（ゼーベック係数の
大きさ）が半導体のように大きいという特徴を備えてい
ることが発見されたことから、微細な熱電効果素子を構
成することができ、電力測定用のパワーセンサの構成素
材とすることができる。また、機械的ひずみ（あるいは
応力）によってその抵抗が変化するエラスト抵抗効果
（あるいはピエゾ抵抗効果）を備えているから、ひずみ
あるいは力のセンサの構成素材とすることができる。す
なわち、各種のセンサエレクトロニクス用素材を提供す
るものである。
センサ エレクトロニクス用素材として、各種の金属，
合金，単元素半導体，化合物半導体，半金属，アモルフ
ァス材料などが数多く知られているところである。従来
のこの種の素材の特性を見ると、いずれも一つに特長が
あると、他に欠点があるという具合であった。たとえ
ば、単元素半導体であるｐ形シリコンのピエゾ抵抗効果
は合金のニッケルクロムの10２倍も大きいが、抵抗の温
度係数が10３倍も大きいという具合であった。ゼーベッ
ク係数と導電率あるいはその温度係数についても同様な
ことが言える。
合金，単元素半導体，化合物半導体，半金属，アモルフ
ァス材料などが数多く知られているところである。従来
のこの種の素材の特性を見ると、いずれも一つに特長が
あると、他に欠点があるという具合であった。たとえ
ば、単元素半導体であるｐ形シリコンのピエゾ抵抗効果
は合金のニッケルクロムの10２倍も大きいが、抵抗の温
度係数が10３倍も大きいという具合であった。ゼーベッ
ク係数と導電率あるいはその温度係数についても同様な
ことが言える。
半導体の特長であるセンサ エレクトロニクスに利用し
たい優れた特性と、低抵抗（高導電率）およびその温度
係数が小さいという性質をともに備え、ガラス基板はじ
めあらゆる基板上に堆積でき、しかも加工し易いという
生産技術上の要請をすべて備えたマイクロエレクトロニ
クス用導電体を実現することがこの発明の課題である。
たい優れた特性と、低抵抗（高導電率）およびその温度
係数が小さいという性質をともに備え、ガラス基板はじ
めあらゆる基板上に堆積でき、しかも加工し易いという
生産技術上の要請をすべて備えたマイクロエレクトロニ
クス用導電体を実現することがこの発明の課題である。
この発明では薄膜導電体として、シリコンの微結晶相
と、アモルファス相との混在するような相素材が、高い
導電率をもち、その温度係数が小さく、しかも、大きな
ゼーベック効果とエラスト抵抗（ピエゾ抵抗）効果を示
すという発明者により発見された事実を利用する。すな
わち、絶縁性をもつ基板上に、上記アモルファス相と微
結晶相とが混在するようなシリコンで成る薄膜をマイク
ロエレクトロニクスの技法（たとえばプラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法など）で作製し、その薄膜の両端に一対
の電極を備えて、電流の入・出力端子を形成して、上記
素材の電流現象（輸送現象）をセンサに利用できる構造
とする。
と、アモルファス相との混在するような相素材が、高い
導電率をもち、その温度係数が小さく、しかも、大きな
ゼーベック効果とエラスト抵抗（ピエゾ抵抗）効果を示
すという発明者により発見された事実を利用する。すな
わち、絶縁性をもつ基板上に、上記アモルファス相と微
結晶相とが混在するようなシリコンで成る薄膜をマイク
ロエレクトロニクスの技法（たとえばプラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法など）で作製し、その薄膜の両端に一対
の電極を備えて、電流の入・出力端子を形成して、上記
素材の電流現象（輸送現象）をセンサに利用できる構造
とする。
こうして作られたシリコン薄膜導電体はたとえば、結晶
化度（微結晶が全体に占める体積割合）は10％から99％
までと推定され、微結晶はシリコンであることが観測さ
れ、その平均粒径は50Åから500 Å程度と見込まれ、導
電率は少なくとも0.1 Ｓ・cm-1以上であり、導電率の温
度係数は1 ％／Ｋ以下である。しかも、熱電能（ゼーベ
ック係数）の大きさは少なくとも10μＶ/Ｋを有し、エ
ラスト抵抗効果（ピエゾ抵抗効果）の大きさを示すゲー
ジ率（抵抗変化率／ひずみ）は少なくとも４を備えてい
る。
化度（微結晶が全体に占める体積割合）は10％から99％
までと推定され、微結晶はシリコンであることが観測さ
れ、その平均粒径は50Åから500 Å程度と見込まれ、導
電率は少なくとも0.1 Ｓ・cm-1以上であり、導電率の温
度係数は1 ％／Ｋ以下である。しかも、熱電能（ゼーベ
ック係数）の大きさは少なくとも10μＶ/Ｋを有し、エ
ラスト抵抗効果（ピエゾ抵抗効果）の大きさを示すゲー
ジ率（抵抗変化率／ひずみ）は少なくとも４を備えてい
る。
この発明の薄膜導電体をマイクロエレクトロニクスの技
法の一つであるＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）
法で製造する方法について述べる。市販のプラズマＣＶ
Ｄ炉を用いる。熱ＣＶＤ炉あるいは光ＣＶＤ炉でも差支
えないし、製造装置は要するにアモルファス相を形成で
きるものであればよい。ここで説明する実施例では、ｐ
形の導電体を形成するものとする。なお、ｎ形も同様な
方法で形成できる。
法の一つであるＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）
法で製造する方法について述べる。市販のプラズマＣＶ
Ｄ炉を用いる。熱ＣＶＤ炉あるいは光ＣＶＤ炉でも差支
えないし、製造装置は要するにアモルファス相を形成で
きるものであればよい。ここで説明する実施例では、ｐ
形の導電体を形成するものとする。なお、ｎ形も同様な
方法で形成できる。
炉内に導入する原料ガスはシランガスを用いる。ｐ形ド
ーパントとして水素希釈のジボラン(B2H6)を添加する。
堆積条件の一例を表−１に示す。基板には少なくとも表
面が絶縁性をもつ基板、例えばガラス基板、マイカ、ポ
リミイドフィルムはじめ各種半導体基板もしくは表面が
絶縁材で覆われた金属板が用いられる。
ーパントとして水素希釈のジボラン(B2H6)を添加する。
堆積条件の一例を表−１に示す。基板には少なくとも表
面が絶縁性をもつ基板、例えばガラス基板、マイカ、ポ
リミイドフィルムはじめ各種半導体基板もしくは表面が
絶縁材で覆われた金属板が用いられる。
第１図は、表−１の条件でガラス基板上に堆積したアモ
ルファスシリコン薄膜のＸ線回折波形を示す図である。
図中、横軸は回折角2θを、又、縦軸は回折強度（任意
単位）をそれぞれ示す。又、波形ＡおよびＢは、放電パ
ワー密度の大きさがそれぞれ0.15Ｗ/cm2，4.0Ｗ/cm2で
堆積された場合の各Ｘ線回折パターンである。放電パワ
ーが大きくなるに従って、堆積したアモルファスシリコ
ン膜は完全なアモルファス相から微結晶相とアモルファ
ス相とが混在した相に変化していくようすが示されてい
る。又、(111),(110) および(311) に鋭い回折ピークが
表われており、(111),(110)および(311) 強く配向して
いることが示されている。又、各回折パターンのピーク
波形およびピーク値の回折角よりシリコンにより構成さ
れていることが示されている。微結晶相とアモルファス
相とが混在したアモルファスシリコン薄膜の結晶化度は
Ｘ線回折パターンをアモルファス相と微結晶相とに分離
することにより、計算で求めることができる。手順の記
述は省略する。
ルファスシリコン薄膜のＸ線回折波形を示す図である。
図中、横軸は回折角2θを、又、縦軸は回折強度（任意
単位）をそれぞれ示す。又、波形ＡおよびＢは、放電パ
ワー密度の大きさがそれぞれ0.15Ｗ/cm2，4.0Ｗ/cm2で
堆積された場合の各Ｘ線回折パターンである。放電パワ
ーが大きくなるに従って、堆積したアモルファスシリコ
ン膜は完全なアモルファス相から微結晶相とアモルファ
ス相とが混在した相に変化していくようすが示されてい
る。又、(111),(110) および(311) に鋭い回折ピークが
表われており、(111),(110)および(311) 強く配向して
いることが示されている。又、各回折パターンのピーク
波形およびピーク値の回折角よりシリコンにより構成さ
れていることが示されている。微結晶相とアモルファス
相とが混在したアモルファスシリコン薄膜の結晶化度は
Ｘ線回折パターンをアモルファス相と微結晶相とに分離
することにより、計算で求めることができる。手順の記
述は省略する。
第２図は、アモルファスシリコン薄膜の結晶化度が放電
パワー密度の大きさに依存することを示す図で、Ｘ線回
折パターンより求めた実験結果の一例である。図中、横
軸は放電パワー密度Pd（Ｗ/cm2）の大きさを、縦軸は結
晶化度Ｖ．Ｆ（％）をそれぞれ示している。この実験結
果では、放電パワー密度の大きさが約0.3Ｗ/cm2より大
きくなると結晶化度が急激に増加していることが示され
ている。
パワー密度の大きさに依存することを示す図で、Ｘ線回
折パターンより求めた実験結果の一例である。図中、横
軸は放電パワー密度Pd（Ｗ/cm2）の大きさを、縦軸は結
晶化度Ｖ．Ｆ（％）をそれぞれ示している。この実験結
果では、放電パワー密度の大きさが約0.3Ｗ/cm2より大
きくなると結晶化度が急激に増加していることが示され
ている。
第３図は、前記表−１の条件でガラス基板上に堆積した
アモルファスシリコン薄膜のレーザラマンスペクトルの
一例を示す図である。測定法としては直角散乱法を用い
た。図中、横軸はラマンシフト(cm-1)を、縦軸はラマン
強度（任意単位）をそれぞれ示している。また、波形Ａ
およびＢは、放電パワー密度の大きさが0.15Ｗ/cm2およ
び4.0Ｗ/cm2でそれぞれ堆積させた場合の各ラマンスペ
クトルである。波形Ａはブロードなパターンを示し、ガ
ラス基板上に堆積されたアモルファスシリコン薄膜が完
全なアモルファス相より構成されていることを、さら
に、波形Ｂは鋭いピーク有することにより、微結晶相と
アモルファス相とが混在していることが示されている。
これらの結果は、第１図で示したＸ線回折パターンで得
られた結果とよく対応している。また、波形Ｂにおける
ピーク値の各ラマンシフト量が520 cm-1近辺に得られる
ことにより、アモルファスシリコン薄膜はシリコン−シ
リコン結合より構成されていることが示されている。
アモルファスシリコン薄膜のレーザラマンスペクトルの
一例を示す図である。測定法としては直角散乱法を用い
た。図中、横軸はラマンシフト(cm-1)を、縦軸はラマン
強度（任意単位）をそれぞれ示している。また、波形Ａ
およびＢは、放電パワー密度の大きさが0.15Ｗ/cm2およ
び4.0Ｗ/cm2でそれぞれ堆積させた場合の各ラマンスペ
クトルである。波形Ａはブロードなパターンを示し、ガ
ラス基板上に堆積されたアモルファスシリコン薄膜が完
全なアモルファス相より構成されていることを、さら
に、波形Ｂは鋭いピーク有することにより、微結晶相と
アモルファス相とが混在していることが示されている。
これらの結果は、第１図で示したＸ線回折パターンで得
られた結果とよく対応している。また、波形Ｂにおける
ピーク値の各ラマンシフト量が520 cm-1近辺に得られる
ことにより、アモルファスシリコン薄膜はシリコン−シ
リコン結合より構成されていることが示されている。
第４図は、表−１の条件でガラス基板上に堆積したアモ
ルファスシリコン薄膜の暗導電率およびゼーベック係数
の測定に用いたサンプル形状を示す図で、図中、１はガ
ラス基板、２はアモルファスシリコン薄膜、３は白金薄
膜、４はゼーベック係数測定用サンプルをそれぞれ示
す。測定に用いたアモルファスシリコン薄膜の膜厚は約
0.3 μｍである。また、Ｔ＋ΔTは温接点温度を、Ｔは
冷接点温度を示す。パターン形成は通常のホトリソグラ
フィ技術を用いて、また、白金薄膜形成は真空蒸着法を
用いた。
ルファスシリコン薄膜の暗導電率およびゼーベック係数
の測定に用いたサンプル形状を示す図で、図中、１はガ
ラス基板、２はアモルファスシリコン薄膜、３は白金薄
膜、４はゼーベック係数測定用サンプルをそれぞれ示
す。測定に用いたアモルファスシリコン薄膜の膜厚は約
0.3 μｍである。また、Ｔ＋ΔTは温接点温度を、Ｔは
冷接点温度を示す。パターン形成は通常のホトリソグラ
フィ技術を用いて、また、白金薄膜形成は真空蒸着法を
用いた。
第５図は、第４図に示したゼーベック係数測定用サンプ
ル４を用いて得られたアモルファスシリコン薄膜の暗導
電率の温度特性の一例を示す図である。図中、横軸は、
絶対温度の逆数（１/Ｔ）を、縦軸は、暗導電(σD)をそ
れぞれ示している。波形Ａは放電パワー密度の大きさ0.
15Ｗ/cm2で堆積したアモルファス相のみで構成されるア
モルファスシリコン薄膜の暗導電率の温度特性を示す図
で、低温領域では(1/T)1/4に比例し、高温領域では1/T
に比例することから、低温領域ではホッピング伝導によ
り、また、高温領域ではバンド伝導により電気伝導機構
が支配されている。これは、従来のアモルファスシリコ
ン薄膜で得られている温度特性の例と同じ傾向を示して
いるが、暗導電率の絶対値の大きさが１〜２桁向上して
いるのが大きい特徴といえる。波形Ｂは放電パワー密度
の大きさ4.0Ｗ／cm2で堆積した結晶化度70％の微結晶相
を含んだアモルファスシリコン薄膜の暗導電率の温度特
性を示す図である。暗導電率の大きさが30S・cm-1以上と
大きいことと共に、温度による変化が１％／Ｋ以下と非
常に小さいことが大きな特徴といえる。このように暗導
電率が温度変化による影響を受け難いことは、ＩＣチッ
プ上等に微小な抵抗体等を形成する上で極めて有利であ
る。なお、図示しなかったが、表−１による堆積条件で
形成したアモルファスシリコン薄膜では、暗導電率が0.
1S・cm-1以上のものでは、温度係数が１%/Ｋ以下と極め
て小さいことが確認されている。
ル４を用いて得られたアモルファスシリコン薄膜の暗導
電率の温度特性の一例を示す図である。図中、横軸は、
絶対温度の逆数（１/Ｔ）を、縦軸は、暗導電(σD)をそ
れぞれ示している。波形Ａは放電パワー密度の大きさ0.
15Ｗ/cm2で堆積したアモルファス相のみで構成されるア
モルファスシリコン薄膜の暗導電率の温度特性を示す図
で、低温領域では(1/T)1/4に比例し、高温領域では1/T
に比例することから、低温領域ではホッピング伝導によ
り、また、高温領域ではバンド伝導により電気伝導機構
が支配されている。これは、従来のアモルファスシリコ
ン薄膜で得られている温度特性の例と同じ傾向を示して
いるが、暗導電率の絶対値の大きさが１〜２桁向上して
いるのが大きい特徴といえる。波形Ｂは放電パワー密度
の大きさ4.0Ｗ／cm2で堆積した結晶化度70％の微結晶相
を含んだアモルファスシリコン薄膜の暗導電率の温度特
性を示す図である。暗導電率の大きさが30S・cm-1以上と
大きいことと共に、温度による変化が１％／Ｋ以下と非
常に小さいことが大きな特徴といえる。このように暗導
電率が温度変化による影響を受け難いことは、ＩＣチッ
プ上等に微小な抵抗体等を形成する上で極めて有利であ
る。なお、図示しなかったが、表−１による堆積条件で
形成したアモルファスシリコン薄膜では、暗導電率が0.
1S・cm-1以上のものでは、温度係数が１%/Ｋ以下と極め
て小さいことが確認されている。
第６図は、第４図に示したゼーベック係数測定用サンプ
ル４を用いて測定したアモルファスシリコン薄膜の暗導
電率−ゼーベック係数特性を示す図で、横軸に暗導電率
σD(S・cm-1)の大きさを、縦軸にゼーベック係数α(μV/
K)の大きさを示す。図中、白丸印はアモルファスシリコ
ン薄膜のゼーベック係数の大きさを示す。アモルファス
シリコン薄膜では、暗導電率σDが0.1S・cm-1以上におけ
るゼーベック係数として100〜350(μV/K) と大きな値が
示されている。このアモルファスシリコン薄膜を用いれ
ば、高性能な熱電対はじめ高周波パワーセンサ、赤外線
センサ、温度センサ等が構成でき幅広いセンサへの応用
が期待できる。
ル４を用いて測定したアモルファスシリコン薄膜の暗導
電率−ゼーベック係数特性を示す図で、横軸に暗導電率
σD(S・cm-1)の大きさを、縦軸にゼーベック係数α(μV/
K)の大きさを示す。図中、白丸印はアモルファスシリコ
ン薄膜のゼーベック係数の大きさを示す。アモルファス
シリコン薄膜では、暗導電率σDが0.1S・cm-1以上におけ
るゼーベック係数として100〜350(μV/K) と大きな値が
示されている。このアモルファスシリコン薄膜を用いれ
ば、高性能な熱電対はじめ高周波パワーセンサ、赤外線
センサ、温度センサ等が構成でき幅広いセンサへの応用
が期待できる。
また、第７図に示すひずみゲージ測定用サンプル９を形
成し、ゲージ率を測定した結果、４〜60以上のものが得
られている。なお、図中、５はガラス基板、６はアモル
ファスシリコン薄膜、7,7′はオーミック電極、8,8′は
Auリボン線をそれぞれ示す。オーミック電極材としては
ニクロム・金多層薄膜を用いている。又、矢印はひずみ
ゲージ測定のため、外部より加えた応力の方向を示して
いる。
成し、ゲージ率を測定した結果、４〜60以上のものが得
られている。なお、図中、５はガラス基板、６はアモル
ファスシリコン薄膜、7,7′はオーミック電極、8,8′は
Auリボン線をそれぞれ示す。オーミック電極材としては
ニクロム・金多層薄膜を用いている。又、矢印はひずみ
ゲージ測定のため、外部より加えた応力の方向を示して
いる。
以上で述べたアモルファスシリコン薄膜のプラズマＣＶ
Ｄ法による堆積条件は、SiH4/H２の流量比、放電圧力、
放電パワー、基板温度に依存することが確認されてお
り、表−１に示した以外でも形成でき、次に示すような
範囲内で、例えばSiH4/H2＝0.003〜１，放電圧力0.01〜
10(Torr)，放電パワー密度0.01〜10Ｗ／cm2，基板温度1
50〜500℃で形成できる。又、光ＣＶＤ法においては、
低温形成、例えば基板温度が200℃前後でも形成でき
る。
Ｄ法による堆積条件は、SiH4/H２の流量比、放電圧力、
放電パワー、基板温度に依存することが確認されてお
り、表−１に示した以外でも形成でき、次に示すような
範囲内で、例えばSiH4/H2＝0.003〜１，放電圧力0.01〜
10(Torr)，放電パワー密度0.01〜10Ｗ／cm2，基板温度1
50〜500℃で形成できる。又、光ＣＶＤ法においては、
低温形成、例えば基板温度が200℃前後でも形成でき
る。
以上詳説したように、本発明によるアモルファスシリコ
ン薄膜導電体は、シリコン混晶よりなるアモルファス相
と微結晶相とを混在させることにより、次に示すような
固有の効果を有する。
ン薄膜導電体は、シリコン混晶よりなるアモルファス相
と微結晶相とを混在させることにより、次に示すような
固有の効果を有する。
(1)暗導電率が0.1S・cm-1以上（最大値100S・cm-1）と大
きな値が得られるので小形な抵抗体を絶縁基板上に形成
できる。
きな値が得られるので小形な抵抗体を絶縁基板上に形成
できる。
(2)暗導電率が0.1S・cm-1以上でもゼーベック係数が100
〜350μV/K以上あるので、高性能な熱電対，高周波パワ
ーセンサ，赤外線センサ，温度センサ等を構成すること
ができる。
〜350μV/K以上あるので、高性能な熱電対，高周波パワ
ーセンサ，赤外線センサ，温度センサ等を構成すること
ができる。
(3)暗導電率が0.1S・cm-1以上と大きいのにかかわらず、
ゲージ率が４〜60以上と大きいので、高性能な歪みセン
サ，圧力センサ，ロードセル，タッチセンサを構成でき
る。
ゲージ率が４〜60以上と大きいので、高性能な歪みセン
サ，圧力センサ，ロードセル，タッチセンサを構成でき
る。
(4)暗導電率の温度係数が１%/Ｋ以下と非常に小さいの
で、温度補償を必要としない抵抗体はじめ高周波パワー
センサ，赤外線センサ，歪みセンサ，圧力センサ，ロー
ドセル等を構成できる。
で、温度補償を必要としない抵抗体はじめ高周波パワー
センサ，赤外線センサ，歪みセンサ，圧力センサ，ロー
ドセル等を構成できる。
(5)プラズマＣＶＤ法等比較的簡単な方法で形成でき、
かつ、結晶化度、暗導電率等を容易に制御でき、かつ、
ＩＣプロセスと両立するので、従来のＩＣの中に、温度
センサ，歪みセンサ，圧力センサ等を容易に組み込むこ
とができるので高機能ＩＣを構成できる。又、温度セン
サ，歪みセンサ等を組み合わせた三次元センサを容易
に、かつ、安価に構成できる。
かつ、結晶化度、暗導電率等を容易に制御でき、かつ、
ＩＣプロセスと両立するので、従来のＩＣの中に、温度
センサ，歪みセンサ，圧力センサ等を容易に組み込むこ
とができるので高機能ＩＣを構成できる。又、温度セン
サ，歪みセンサ等を組み合わせた三次元センサを容易
に、かつ、安価に構成できる。
(6) 薄膜形成技術により、いろいろな絶縁性基板上
に、広い面積で自由な平面形状にわたり導電体を形成で
きる。
に、広い面積で自由な平面形状にわたり導電体を形成で
きる。
第１図は、アモルファスシリコン薄膜のＸ線回折パター
ンを示す図、第２図は、結晶化度の放電パワー依存性を
示す図、第３図はレーザラマンスペクトルを示す図、第
４図はゼーベック係数測定用サンプル４を示す図、第５
図は暗導電率の温度依存性を示す図、第６図は暗導電率
−ゼーベック係数特性を示す図、第７図は歪みゲージ測
定用サンプル９を示す図である。 図中、１，５は各ガラス基板、２，６はアモルファスシ
リコン薄膜、３は白金電極、４はゼーベック係数測定用
サンプル、７，７′はオーミック電極、８，８′はAuリ
ボン線、９は歪みゲージ測定用サンプルをそれぞれ示
す。
ンを示す図、第２図は、結晶化度の放電パワー依存性を
示す図、第３図はレーザラマンスペクトルを示す図、第
４図はゼーベック係数測定用サンプル４を示す図、第５
図は暗導電率の温度依存性を示す図、第６図は暗導電率
−ゼーベック係数特性を示す図、第７図は歪みゲージ測
定用サンプル９を示す図である。 図中、１，５は各ガラス基板、２，６はアモルファスシ
リコン薄膜、３は白金電極、４はゼーベック係数測定用
サンプル、７，７′はオーミック電極、８，８′はAuリ
ボン線、９は歪みゲージ測定用サンプルをそれぞれ示
す。
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁性基板と，該基板上に形成され、アモ
ルファス相と微結晶相とが混在するようなシリコンで成
る薄膜と，該薄膜に電流を入出力するための一対の電極
とを備えたシリコン薄膜導電体。 - 【請求項２】前記薄膜は少なくとも0.1Ｓ・cm-1の導電
率を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のシリコン薄膜導電体。 - 【請求項３】前記薄膜は少なくとも10μＶ/Ｋの熱電能
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載のシリコン薄膜導電体。 - 【請求項４】前記薄膜は導電率の温度係数が１%/Ｋ以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項
または第３項記載のシリコン薄膜導電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299465A JPH0630343B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 微結晶相を含むアモルフアスシリコン薄膜導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299465A JPH0630343B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 微結晶相を含むアモルフアスシリコン薄膜導電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158320A JPS62158320A (ja) | 1987-07-14 |
| JPH0630343B2 true JPH0630343B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=17872920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60299465A Expired - Lifetime JPH0630343B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 微結晶相を含むアモルフアスシリコン薄膜導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630343B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| US7154147B1 (en) | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
| JP2543438B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1996-10-16 | 三井造船株式会社 | エアクッション艇の重心調整方式 |
| GB2311298B (en) | 1996-03-18 | 1999-09-29 | Hyundai Electronics Ind | Inductively coupled plasma chemical vapor deposition apparatus |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP60299465A patent/JPH0630343B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62158320A (ja) | 1987-07-14 |
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