JPH06302679A - 被処理物搬送ボックス及び処理装置 - Google Patents
被処理物搬送ボックス及び処理装置Info
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- JPH06302679A JPH06302679A JP8633993A JP8633993A JPH06302679A JP H06302679 A JPH06302679 A JP H06302679A JP 8633993 A JP8633993 A JP 8633993A JP 8633993 A JP8633993 A JP 8633993A JP H06302679 A JPH06302679 A JP H06302679A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハ等の被処理物を大気にさらすこ
となく不活性ガス雰囲気の中で処理装置に対し搬入した
り搬出したりでき、大気やガス状不純物や粒子状不純物
(パーティクル)の被処理物への付着並びに処理装置内
への侵入を防止するのに有効な処理装置を提供すること
を目的とする。 【構成】 半導体ウエハ5を収納して内部が不活性ガス
雰囲気に密封維持されたまま搬送される蓋14付き被処
理物搬送ボックス9と、内部が不活性ガス雰囲気に維持
される処理装置本体1と、この処理装置本体に連設され
被処理物搬送ボックス9が搬入されるドア20,21付
きパスボックス10と、このパスボックス10内を不活
性ガスに置換するガスガス導入管24及び排気管25
と、蓋14を開閉する蓋取り機構33と、被処理物搬送
ボックス9内の半導体ウエハ5を装置本体1内方に移送
する移載機63とを備えている。
となく不活性ガス雰囲気の中で処理装置に対し搬入した
り搬出したりでき、大気やガス状不純物や粒子状不純物
(パーティクル)の被処理物への付着並びに処理装置内
への侵入を防止するのに有効な処理装置を提供すること
を目的とする。 【構成】 半導体ウエハ5を収納して内部が不活性ガス
雰囲気に密封維持されたまま搬送される蓋14付き被処
理物搬送ボックス9と、内部が不活性ガス雰囲気に維持
される処理装置本体1と、この処理装置本体に連設され
被処理物搬送ボックス9が搬入されるドア20,21付
きパスボックス10と、このパスボックス10内を不活
性ガスに置換するガスガス導入管24及び排気管25
と、蓋14を開閉する蓋取り機構33と、被処理物搬送
ボックス9内の半導体ウエハ5を装置本体1内方に移送
する移載機63とを備えている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体デバイス
の製造工程等において利用される被処理物搬送ボックス
及び処理装置に関する。
の製造工程等において利用される被処理物搬送ボックス
及び処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体プロセスにおいては、被処理物と
しての半導体ウエハに酸化膜を形成したり、熱CVD法
により薄膜を形成したり、熱拡散法により高不純物濃度
領域を形成するなど、各種の処理装置が行われる。これ
ら各種の処理に最近では縦型の熱処理装置が多く採用さ
れて来ている。
しての半導体ウエハに酸化膜を形成したり、熱CVD法
により薄膜を形成したり、熱拡散法により高不純物濃度
領域を形成するなど、各種の処理装置が行われる。これ
ら各種の処理に最近では縦型の熱処理装置が多く採用さ
れて来ている。
【0003】この縦型の熱処理装置では、多数枚の半導
体ウエハを整列収納したカセット(かご状のキャリア)
を搬送装置により装置本体内に出し入れ口より搬入する
と、そのカセットをトランスファにより装置本体内の移
載用ステージ上に載せ、そこからカセット内の半導体ウ
エハを、移載機が一枚ずつ又は5枚ずつローディングエ
リアのウエハボートに移載して多段状態に保持し、その
ままウエハボートをボートエレベータにより上昇させて
プロセス容器内に半導体ウエハを搬入し、そのプロセス
容器内を密封して所定の処理ガス雰囲気に置換しながら
加熱することにより、該半導体ウエハに所要の処理を施
す。
体ウエハを整列収納したカセット(かご状のキャリア)
を搬送装置により装置本体内に出し入れ口より搬入する
と、そのカセットをトランスファにより装置本体内の移
載用ステージ上に載せ、そこからカセット内の半導体ウ
エハを、移載機が一枚ずつ又は5枚ずつローディングエ
リアのウエハボートに移載して多段状態に保持し、その
ままウエハボートをボートエレベータにより上昇させて
プロセス容器内に半導体ウエハを搬入し、そのプロセス
容器内を密封して所定の処理ガス雰囲気に置換しながら
加熱することにより、該半導体ウエハに所要の処理を施
す。
【0004】その処理済みの半導体ウエハは、ウエハボ
ートと一緒にプロセス容器内から下方に引き出し、そこ
から移載機により移載用ステージ上のキャリア内に戻
し、そのキャリアごと出し入れ口から装置本体外に搬出
して次の工程の処理装置に移送するようにしている。
ートと一緒にプロセス容器内から下方に引き出し、そこ
から移載機により移載用ステージ上のキャリア内に戻
し、そのキャリアごと出し入れ口から装置本体外に搬出
して次の工程の処理装置に移送するようにしている。
【0005】こうした熱処理装置での処理作業におい
て、半導体ウエハのプロセス容器への挿脱の際、その途
中炉口付近でもかなりの高温度雰囲気状態にあることか
ら、そこに大気が存在すると、この大気中のO2 によっ
て半導体ウエハ表面に自然酸化膜が形成されてしまう。
また、装置本体内にカーボン等のガス状不純物やオイル
ミストやごみなどの粒子状不純物(パーティクル)が存
在すると、これら不純物が半導体ウエハに付着したり化
学反応(ケミカルコンタミネーション)を起こして、半
導体素子の特性や歩留まりの悪化の原因となる。
て、半導体ウエハのプロセス容器への挿脱の際、その途
中炉口付近でもかなりの高温度雰囲気状態にあることか
ら、そこに大気が存在すると、この大気中のO2 によっ
て半導体ウエハ表面に自然酸化膜が形成されてしまう。
また、装置本体内にカーボン等のガス状不純物やオイル
ミストやごみなどの粒子状不純物(パーティクル)が存
在すると、これら不純物が半導体ウエハに付着したり化
学反応(ケミカルコンタミネーション)を起こして、半
導体素子の特性や歩留まりの悪化の原因となる。
【0006】このために、装置本体ををクローズドシス
テム構造とし、ガス給排手段により例えばN2 ガス等の
不活性ガスを供給して、常に陽圧の高純度の不活性ガス
雰囲気(非酸素雰囲気)に置換維持することにより、装
置本体内から大気(O2 )並びにパーテクル等の不純物
を排除することが望まれれている。
テム構造とし、ガス給排手段により例えばN2 ガス等の
不活性ガスを供給して、常に陽圧の高純度の不活性ガス
雰囲気(非酸素雰囲気)に置換維持することにより、装
置本体内から大気(O2 )並びにパーテクル等の不純物
を排除することが望まれれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
如く装置本体内をN2 ガス等の不活性ガス雰囲気に置換
維持しても、外部から搬入されて来る半導体ウエハと一
緒に大気(O2 )やガス状不純物や粒子状不純物(パー
ティクル)が侵入し易く、特にかご状のカセット内に多
数枚整列収納された半導体ウエハは、装置本体への搬送
中に大気にさらされ、それらウエハ相互の狭い隙間に不
純物が入り込んで、そのまま装置本体内に持ち込まれて
しまう。この不純物を排除するのはなかなか困難で、大
量のN2 パージガスが必要で不経済であると共に時間が
かかり処理能率低下を招くなどの問題がある。
如く装置本体内をN2 ガス等の不活性ガス雰囲気に置換
維持しても、外部から搬入されて来る半導体ウエハと一
緒に大気(O2 )やガス状不純物や粒子状不純物(パー
ティクル)が侵入し易く、特にかご状のカセット内に多
数枚整列収納された半導体ウエハは、装置本体への搬送
中に大気にさらされ、それらウエハ相互の狭い隙間に不
純物が入り込んで、そのまま装置本体内に持ち込まれて
しまう。この不純物を排除するのはなかなか困難で、大
量のN2 パージガスが必要で不経済であると共に時間が
かかり処理能率低下を招くなどの問題がある。
【0008】本発明は、前記事情に鑑みなされたもの
で、半導体ウエハ等の被処理物を大気にさらすことなく
不活性ガス雰囲気の中で処理装置に対し搬入したり搬出
したりでき、大気(O2 )やガス状不純物や粒子状不純
物(パーティクル)の被処理物への付着並びに処理装置
内への侵入を防止するのに有効な被処理物搬送ボックス
及び処理装置を提供することを目的とする。
で、半導体ウエハ等の被処理物を大気にさらすことなく
不活性ガス雰囲気の中で処理装置に対し搬入したり搬出
したりでき、大気(O2 )やガス状不純物や粒子状不純
物(パーティクル)の被処理物への付着並びに処理装置
内への侵入を防止するのに有効な被処理物搬送ボックス
及び処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段と作用】本発明の被処理物
搬送ボックスは、前記目的を達成するために、被処理物
を挿脱可能に収納するボックス本体と、このボックス本
体を密封状態に閉塞して内部を不活性ガス雰囲気に維持
する開閉操作可能な蓋とを備え、そのボックス本体内に
被処理物を収納すると共に蓋を閉じて該ボックス本体内
を不活性ガス雰囲気に維持したまま処理装置に搬入出さ
れる構成としたことを特徴とする。
搬送ボックスは、前記目的を達成するために、被処理物
を挿脱可能に収納するボックス本体と、このボックス本
体を密封状態に閉塞して内部を不活性ガス雰囲気に維持
する開閉操作可能な蓋とを備え、そのボックス本体内に
被処理物を収納すると共に蓋を閉じて該ボックス本体内
を不活性ガス雰囲気に維持したまま処理装置に搬入出さ
れる構成としたことを特徴とする。
【0010】一方、本発明の処理装置は、不活性ガス雰
囲気に置換維持される処理装置本体の内外に開閉するド
アを有し請求項1記載の被処理物搬送ボックスを外方か
ら搬入出可能に収納するパスボックスと、このパスボッ
クス内を不活性ガスに置換するガス給排手段と、不活性
ガス雰囲気のパスボックス内で前記被処理物搬送ボック
スの蓋を自動的に開閉する蓋取り機構と、その被処理物
搬送ボックス内の被処理物を装置本体内方に移送する移
送手段とを備えていることを特徴とする。
囲気に置換維持される処理装置本体の内外に開閉するド
アを有し請求項1記載の被処理物搬送ボックスを外方か
ら搬入出可能に収納するパスボックスと、このパスボッ
クス内を不活性ガスに置換するガス給排手段と、不活性
ガス雰囲気のパスボックス内で前記被処理物搬送ボック
スの蓋を自動的に開閉する蓋取り機構と、その被処理物
搬送ボックス内の被処理物を装置本体内方に移送する移
送手段とを備えていることを特徴とする。
【0011】前記構成の被処理物搬送ボックス及び処理
装置を用いれば、半導体ウエハ等の被処理物を大気にさ
らすことなく被処理物搬送ボックス内の不活性ガス雰囲
気中に収納したまま搬送でき、この被処理物搬送ボック
スを処理装置のパスボックス内にこの外側のドアのみが
開いて受入れる。
装置を用いれば、半導体ウエハ等の被処理物を大気にさ
らすことなく被処理物搬送ボックス内の不活性ガス雰囲
気中に収納したまま搬送でき、この被処理物搬送ボック
スを処理装置のパスボックス内にこの外側のドアのみが
開いて受入れる。
【0012】これで一時的にパスボックス内に大気が入
るが、前記外側のドアを内側のドア同様に閉じ、そのパ
スボックス内にガス給排手段により不活性ガスを供給し
て、大気並びに被処理物搬送ボックス外面に付着して来
た不純物を追い出す。なお、そのパスボックスは容量が
小さくて済むこと、また被処理物搬送ボックスは外形が
凹凸の少ない単純形状で済むことから、ガス給排手段か
ら比較的少量のガスを供給するだけで大気から高純度の
不活性ガス雰囲気に素早く置換できる。
るが、前記外側のドアを内側のドア同様に閉じ、そのパ
スボックス内にガス給排手段により不活性ガスを供給し
て、大気並びに被処理物搬送ボックス外面に付着して来
た不純物を追い出す。なお、そのパスボックスは容量が
小さくて済むこと、また被処理物搬送ボックスは外形が
凹凸の少ない単純形状で済むことから、ガス給排手段か
ら比較的少量のガスを供給するだけで大気から高純度の
不活性ガス雰囲気に素早く置換できる。
【0013】こうしてパスボックス内を不活性ガス雰囲
気に置換した状態で、蓋取り機構により被処理物搬送ボ
ックスの蓋を開放すると共に、パスボックスの内側のド
アのみ開いて、該パスボックス内の被処理物搬送ボック
ス内の被処理物を不活性ガス雰囲気に維持された処理装
置本体内の処理室に移送手段により移送して所要の処理
作業を行う。その処理済み被処理物は前記と逆の手順で
パスボックス内の被処理物搬送ボックス内の不活性ガス
雰囲気中に収納して次の処理工程などに搬出されるよう
になる。
気に置換した状態で、蓋取り機構により被処理物搬送ボ
ックスの蓋を開放すると共に、パスボックスの内側のド
アのみ開いて、該パスボックス内の被処理物搬送ボック
ス内の被処理物を不活性ガス雰囲気に維持された処理装
置本体内の処理室に移送手段により移送して所要の処理
作業を行う。その処理済み被処理物は前記と逆の手順で
パスボックス内の被処理物搬送ボックス内の不活性ガス
雰囲気中に収納して次の処理工程などに搬出されるよう
になる。
【0014】これにて、被処理物を大気にさらすことな
く不活性ガス雰囲気の中で処理装置に対し搬入したり搬
出したりでき、大気(O2 )やガス状不純物や粒子状不
純物(パーティクル)の被処理物への付着並びに処理装
置内への侵入を簡単かつ確実に防止できるようになる。
く不活性ガス雰囲気の中で処理装置に対し搬入したり搬
出したりでき、大気(O2 )やガス状不純物や粒子状不
純物(パーティクル)の被処理物への付着並びに処理装
置内への侵入を簡単かつ確実に防止できるようになる。
【0015】また、本発明の処理装置は、不活性ガス雰
囲気に置換維持される処理装置本体の被処理物搬入出口
に対し請求項1記載の被処理物搬送ボックスを外方から
気密状態に接合するボックス保持機構と、平時は前記被
処理物搬入出口を内方から閉塞すると共に、その被処理
物搬入出口に前記被処理物搬送ボックスが接合すると、
そのボックスの蓋を取って一緒に処理装置本体内方に開
く蓋取りドア機構と、前記被処理物搬送ボックス内の被
処理物を装置本体内方に移送する移送手段とを備えてい
ることを特徴とする。
囲気に置換維持される処理装置本体の被処理物搬入出口
に対し請求項1記載の被処理物搬送ボックスを外方から
気密状態に接合するボックス保持機構と、平時は前記被
処理物搬入出口を内方から閉塞すると共に、その被処理
物搬入出口に前記被処理物搬送ボックスが接合すると、
そのボックスの蓋を取って一緒に処理装置本体内方に開
く蓋取りドア機構と、前記被処理物搬送ボックス内の被
処理物を装置本体内方に移送する移送手段とを備えてい
ることを特徴とする。
【0016】この処理装置と前述のような被処理物搬送
ボックスとを用いれば、前述同様に被処理物搬送ボック
スが被処理物を不活性ガス雰囲気中に収納したまま送ら
れて来ると、この被処理物搬送ボックスをボックス保持
機構が処理装置本体の被処理物搬入出口に気密状態に直
接接合せしめ、この状態で装置本体内の蓋取りドア機構
が該被処理物搬送ボックスの蓋を取って一緒に処理装置
本体内方に開く。これで被処理物搬送ボックス内と処理
装置本体内とが大気と隔離したまま連通状態となり、そ
のまま該被処理物搬送ボックス内の被処理物を処理装置
本体内の処理室に移送手段により移送して所要の処理作
業を行う。これにて、前述同様の作用効果が得られると
共に、前述のパスボックスを省略できるようになる。
ボックスとを用いれば、前述同様に被処理物搬送ボック
スが被処理物を不活性ガス雰囲気中に収納したまま送ら
れて来ると、この被処理物搬送ボックスをボックス保持
機構が処理装置本体の被処理物搬入出口に気密状態に直
接接合せしめ、この状態で装置本体内の蓋取りドア機構
が該被処理物搬送ボックスの蓋を取って一緒に処理装置
本体内方に開く。これで被処理物搬送ボックス内と処理
装置本体内とが大気と隔離したまま連通状態となり、そ
のまま該被処理物搬送ボックス内の被処理物を処理装置
本体内の処理室に移送手段により移送して所要の処理作
業を行う。これにて、前述同様の作用効果が得られると
共に、前述のパスボックスを省略できるようになる。
【0017】
【実施例】以下、本発明に係わる被処理物搬送ボックス
と処理装置との第1の実施例を図1乃至図5を参照しな
がら説明する。ここでは半導体ウエハに絶縁膜を生成す
る酸化装置或いはCVD装置等として利用される縦型熱
処理装置を例示する。
と処理装置との第1の実施例を図1乃至図5を参照しな
がら説明する。ここでは半導体ウエハに絶縁膜を生成す
る酸化装置或いはCVD装置等として利用される縦型熱
処理装置を例示する。
【0018】なお、図1は縦型熱処理装置の縦断面図、
図2は図1のA−A線に沿う水平断面図、図3は図1の
B−B線に沿う断面図、図4は図1のC−C線に沿う縦
断面図、図5は処理装置全体のガス制御システムを示す
概略図である。
図2は図1のA−A線に沿う水平断面図、図3は図1の
B−B線に沿う断面図、図4は図1のC−C線に沿う縦
断面図、図5は処理装置全体のガス制御システムを示す
概略図である。
【0019】まず、図1乃至図4に示す如く、本実施例
に係わる縦型熱処理装置は装置本体1を有する。この装
置本体1はハウジングパネル1aを用いた箱形状をなす
構造で、この前面部を工場内のクリーンルーム2に臨ま
せ、その他大部分を隔壁3により隔絶されたメンテナン
スルーム4内に納まるように設置されている。
に係わる縦型熱処理装置は装置本体1を有する。この装
置本体1はハウジングパネル1aを用いた箱形状をなす
構造で、この前面部を工場内のクリーンルーム2に臨ま
せ、その他大部分を隔壁3により隔絶されたメンテナン
スルーム4内に納まるように設置されている。
【0020】この装置本体1内の略上半部には、被処理
物としての薄いディスク状の半導体ウエハ5に所定の処
理を施す処理室6が隔壁7により区画構成されていると
共に、この処理室6の真下にローディングエリア8がN
2 ガス等の不活性ガス雰囲気に置換維持されるように気
密性を持って区画構成されている。また、装置本体1の
前面部に半導体ウエハ5を収納した被処理物搬送ボック
ス9を挿脱するパスボックス10が設けられている。
物としての薄いディスク状の半導体ウエハ5に所定の処
理を施す処理室6が隔壁7により区画構成されていると
共に、この処理室6の真下にローディングエリア8がN
2 ガス等の不活性ガス雰囲気に置換維持されるように気
密性を持って区画構成されている。また、装置本体1の
前面部に半導体ウエハ5を収納した被処理物搬送ボック
ス9を挿脱するパスボックス10が設けられている。
【0021】更に各部の詳細を述べると、まず、被処理
物搬送ボックス9は図1乃至図3に示す如く、被処理物
である半導体ウエハ5を多数枚並列状態に収納保持した
カセット(かご状キャリア)11を収納して搬送に供さ
れるもので、下面開放の適当大きさのハット形状をなす
ボックス本体12と、この底面にシール材13を介し接
合した蓋14とを備え、且つそのボックス本体12の側
壁部に常閉式の不活性ガス通気弁15を設けた構成であ
る。
物搬送ボックス9は図1乃至図3に示す如く、被処理物
である半導体ウエハ5を多数枚並列状態に収納保持した
カセット(かご状キャリア)11を収納して搬送に供さ
れるもので、下面開放の適当大きさのハット形状をなす
ボックス本体12と、この底面にシール材13を介し接
合した蓋14とを備え、且つそのボックス本体12の側
壁部に常閉式の不活性ガス通気弁15を設けた構成であ
る。
【0022】この通気弁15を介してN2 ガス等の不活
性ガスを注入することで、内部全体を不活性ガス雰囲気
に置換維持できると共に、その内部の不活性ガスを通気
弁15から吸出して内部を適度な負圧状態とすること
で、ボックス本体12に対し蓋14がシール部材13を
介し吸着して閉塞保持され、通気弁15から不活性ガス
を供給して負圧状態を解除してボックス本体12を上方
に引上げることで、蓋14と離れて開放し、この状態で
半導体ウエハ5を収納したカセット11の挿脱や、該カ
セット11内の半導体ウエハ5の挿脱が可能となってい
る。
性ガスを注入することで、内部全体を不活性ガス雰囲気
に置換維持できると共に、その内部の不活性ガスを通気
弁15から吸出して内部を適度な負圧状態とすること
で、ボックス本体12に対し蓋14がシール部材13を
介し吸着して閉塞保持され、通気弁15から不活性ガス
を供給して負圧状態を解除してボックス本体12を上方
に引上げることで、蓋14と離れて開放し、この状態で
半導体ウエハ5を収納したカセット11の挿脱や、該カ
セット11内の半導体ウエハ5の挿脱が可能となってい
る。
【0023】前記パスボックス10は、装置本体1の前
面ハウジングパネル1aに一体的に組付構成された小型
(小容量)の縦長箱体で、この前面部と後面部(処理装
置本体1内側)とにそれぞれスライド式にて開閉するオ
ートドア20,21が設けられている。これらオートド
ア20,21は各々独自の開閉駆動部を備え、交互に開
いたり同時にシール部材を介し機密に閉塞して内部全体
を密封できる。この外側のオートドア20が開くことで
前記半導体ウエハ5を収納した被処理物搬送ボックス9
を外方から適宜搬送手段によりパスボックス10内にス
ムーズに挿脱・収納でき、内側のオートドア21が開く
ことでパスボックス10が処理装置本体1内のローディ
ングエリア8と内部連通するようになっている。
面ハウジングパネル1aに一体的に組付構成された小型
(小容量)の縦長箱体で、この前面部と後面部(処理装
置本体1内側)とにそれぞれスライド式にて開閉するオ
ートドア20,21が設けられている。これらオートド
ア20,21は各々独自の開閉駆動部を備え、交互に開
いたり同時にシール部材を介し機密に閉塞して内部全体
を密封できる。この外側のオートドア20が開くことで
前記半導体ウエハ5を収納した被処理物搬送ボックス9
を外方から適宜搬送手段によりパスボックス10内にス
ムーズに挿脱・収納でき、内側のオートドア21が開く
ことでパスボックス10が処理装置本体1内のローディ
ングエリア8と内部連通するようになっている。
【0024】このパスボックス10には該ボックス内を
不活性ガスに置換するガス給排手段としてのガス導入管
24と排気管25とが接続されている。このガス導入管
24は図5に示す如くバルブ26並びにレギュレータ2
7を介し不活性ガス供給装置28に接続されおり、その
ガス導入管24からパスボックス10内に不活性ガスと
して例えばN2 ガスを導入できる。一方、排気管25が
オートダンパー29を介し吸引ブロア付きの工場排気装
置30に接続されて、パスボックス10内のガスを吸引
排気できるようになっている。
不活性ガスに置換するガス給排手段としてのガス導入管
24と排気管25とが接続されている。このガス導入管
24は図5に示す如くバルブ26並びにレギュレータ2
7を介し不活性ガス供給装置28に接続されおり、その
ガス導入管24からパスボックス10内に不活性ガスと
して例えばN2 ガスを導入できる。一方、排気管25が
オートダンパー29を介し吸引ブロア付きの工場排気装
置30に接続されて、パスボックス10内のガスを吸引
排気できるようになっている。
【0025】また、前記パスボックス10には蓋取り機
構33が設けらている。この蓋取り機構33は、パスボ
ックス10の上板部に立設した昇降用エアシリンダ34
と、このピストンロッド下端に支持された開閉用エアシ
リンダ35と、この開閉用エアシリンダ35のピストン
ロッド両端に支持された左右一対のクランプアーム36
とを備えてなり、パスボックス10内の不活性ガス雰囲
気中にて開閉用エアシリンダ35により左右のクランプ
アーム36が接近して前記被処理物搬送ボックス9のボ
ックス本体12を左右から掴み、このまま昇降用エアシ
リンダ34によりボックス本体12を上方に引上げるこ
とで、下端の蓋14と離して開放するようになってい
る。
構33が設けらている。この蓋取り機構33は、パスボ
ックス10の上板部に立設した昇降用エアシリンダ34
と、このピストンロッド下端に支持された開閉用エアシ
リンダ35と、この開閉用エアシリンダ35のピストン
ロッド両端に支持された左右一対のクランプアーム36
とを備えてなり、パスボックス10内の不活性ガス雰囲
気中にて開閉用エアシリンダ35により左右のクランプ
アーム36が接近して前記被処理物搬送ボックス9のボ
ックス本体12を左右から掴み、このまま昇降用エアシ
リンダ34によりボックス本体12を上方に引上げるこ
とで、下端の蓋14と離して開放するようになってい
る。
【0026】なお、その蓋取り機構33は、この左右一
方のクランプアーム36の下端に突片状の弁操作部37
を有し、前記蓋開放の際に、左右のクランプアーム36
で被処理物搬送ボックス9のボックス本体12を掴むと
同時に、該弁操作部37がボックス本体12の常閉式の
不活性ガス通気弁15を押し開き、被処理物搬送ボック
ス9内部を適度な負圧状態からパスボックス10内と同
じ気圧とすることで、ボックス本体12に対する蓋14
の吸着解除を行うようになっている。
方のクランプアーム36の下端に突片状の弁操作部37
を有し、前記蓋開放の際に、左右のクランプアーム36
で被処理物搬送ボックス9のボックス本体12を掴むと
同時に、該弁操作部37がボックス本体12の常閉式の
不活性ガス通気弁15を押し開き、被処理物搬送ボック
ス9内部を適度な負圧状態からパスボックス10内と同
じ気圧とすることで、ボックス本体12に対する蓋14
の吸着解除を行うようになっている。
【0027】一方、前記処理装置本体1内の上半部の処
理室6内には縦型のプロセス容器41が設置されてい
る。このプロセス容器41は例えば石英等によって形成
されたプロセスチューブなどと称される加熱炉で、断面
逆U字形容器、即ち上端閉塞の縦型略円筒形状をなす。
このプロセス容器41の外周を取り囲むようにヒータ4
2が設けられ、更にその周囲には冷却パイプや断熱材等
を組み込んだ保護カバー43が被せられている。
理室6内には縦型のプロセス容器41が設置されてい
る。このプロセス容器41は例えば石英等によって形成
されたプロセスチューブなどと称される加熱炉で、断面
逆U字形容器、即ち上端閉塞の縦型略円筒形状をなす。
このプロセス容器41の外周を取り囲むようにヒータ4
2が設けられ、更にその周囲には冷却パイプや断熱材等
を組み込んだ保護カバー43が被せられている。
【0028】また、このプロセス容器41の開口下端に
はマニホールド44が接続して設けられている。このマ
ニホールド44は上下フランジ付き矩形円筒体状のもの
で、図2に示すように、この周壁部に前記プロセス容器
41内のガスを排気するオートダンパー45a付き排気
管45が接続され、この先端が装置本体1外に導出され
て前記工場排気装置30に接続されている。また、その
マニホールド44を介してプロセス容器41内に新たな
ガスを導入するガス導入管46が設けられている。この
ガス導入管46は先端が装置本体1外に導出され、図5
に示す如く自動切替えバルブ47を介し所定のプロセス
ガス(処理ガス)供給装置48と前記不活性ガス装置2
8とに接続されて、交互にプロセスガスと不活性ガスと
してのN2 ガスをプロセス容器41内に導入できるよう
になっている。
はマニホールド44が接続して設けられている。このマ
ニホールド44は上下フランジ付き矩形円筒体状のもの
で、図2に示すように、この周壁部に前記プロセス容器
41内のガスを排気するオートダンパー45a付き排気
管45が接続され、この先端が装置本体1外に導出され
て前記工場排気装置30に接続されている。また、その
マニホールド44を介してプロセス容器41内に新たな
ガスを導入するガス導入管46が設けられている。この
ガス導入管46は先端が装置本体1外に導出され、図5
に示す如く自動切替えバルブ47を介し所定のプロセス
ガス(処理ガス)供給装置48と前記不活性ガス装置2
8とに接続されて、交互にプロセスガスと不活性ガスと
してのN2 ガスをプロセス容器41内に導入できるよう
になっている。
【0029】更に、前記プロセス容器41下部のマニホ
ールド44の周囲には、前記隔壁7とこの下面に固定し
た角皿状のケース51aとにより、環状室状のスカベン
ジャー51が構成され、このスカベンジャー51内から
プロセス容器41下部周囲に滞留する熱や不要ガスを常
時排出する熱排気管52が導出され、この先端が装置本
体1外に導出されて工場排気装置30に接続されてい
る。また、この熱排気管52の途中にはオートダンパー
54a付き分岐管54が処理室6内に位置して設けられ
ている。
ールド44の周囲には、前記隔壁7とこの下面に固定し
た角皿状のケース51aとにより、環状室状のスカベン
ジャー51が構成され、このスカベンジャー51内から
プロセス容器41下部周囲に滞留する熱や不要ガスを常
時排出する熱排気管52が導出され、この先端が装置本
体1外に導出されて工場排気装置30に接続されてい
る。また、この熱排気管52の途中にはオートダンパー
54a付き分岐管54が処理室6内に位置して設けられ
ている。
【0030】なお、そのスカベンジャー51のケース5
1a底面中央部が前記マニホールド44下端と連通する
状態に開口されてプロセス容器41の炉口41aを構成
している。この炉口41aを下面側からOリングを介し
気密状態に閉塞するオートシャッター56が前記ローデ
ィングエリア8内に設置されている。このオートシャッ
ター56は開閉駆動部57により上下動と横方向の回動
を行って炉口41aを開閉する。
1a底面中央部が前記マニホールド44下端と連通する
状態に開口されてプロセス容器41の炉口41aを構成
している。この炉口41aを下面側からOリングを介し
気密状態に閉塞するオートシャッター56が前記ローデ
ィングエリア8内に設置されている。このオートシャッ
ター56は開閉駆動部57により上下動と横方向の回動
を行って炉口41aを開閉する。
【0031】前記ローディングエリア8内には前記処理
室6のプロセス容器41内に半導体ウエハ5を挿脱する
ローディング機構としてのウエハボート61とボートエ
レベータ62とが設置されている。このウエハボート6
1は石英製の縦長やぐら状のもので、多数枚の半導体ウ
ェハ5をそれぞれ水平状態で上下に間隔を存して多段に
収納保持する構成である。
室6のプロセス容器41内に半導体ウエハ5を挿脱する
ローディング機構としてのウエハボート61とボートエ
レベータ62とが設置されている。このウエハボート6
1は石英製の縦長やぐら状のもので、多数枚の半導体ウ
ェハ5をそれぞれ水平状態で上下に間隔を存して多段に
収納保持する構成である。
【0032】このウエハボート61がボートエレベータ
62により前記プロセス容器41の炉口41aの丁度真
下に垂直状態に支持されている。このウエハボート61
が多数枚の半導体ウエハ5を収納した状態で、前記シャ
ッター56の開放に伴い、ボートエレベータ62により
上昇してプロセス容器41内に挿入されたり、逆にプロ
セス容器41内から下降して引き出されたりする。な
お、このウエハボート61が上昇してプロセス容器41
内に挿入されたとき、このウエハボート61下部のフラ
ンジ61aが炉口41aを前記オートシャッター56に
代わって閉塞してプロセス容器41内を密閉状態にでき
る。
62により前記プロセス容器41の炉口41aの丁度真
下に垂直状態に支持されている。このウエハボート61
が多数枚の半導体ウエハ5を収納した状態で、前記シャ
ッター56の開放に伴い、ボートエレベータ62により
上昇してプロセス容器41内に挿入されたり、逆にプロ
セス容器41内から下降して引き出されたりする。な
お、このウエハボート61が上昇してプロセス容器41
内に挿入されたとき、このウエハボート61下部のフラ
ンジ61aが炉口41aを前記オートシャッター56に
代わって閉塞してプロセス容器41内を密閉状態にでき
る。
【0033】また、ローディングエリア8内のウエハボ
ート61と前記パスボックス10との間には、被処理物
を装置本体内方に移送する移送手段として移載機(ウエ
ハトランスファ)63が移載用エレベータ64に昇降可
能に支持されて設置されている。この移載機63は、前
記パスボックス10の内側のオートドア21が開くと、
該パスボックス10内に位置する開放状態の被処理物搬
送ボックス9内のカセット11中から半導体ウエハ5を
一枚ずつ取り出して、ローディングエリア8のウエハボ
ート61に収納保持させたり、その逆にウエハボート6
1から半導体ウエハ5をカセット11に戻したりする働
きをなす。
ート61と前記パスボックス10との間には、被処理物
を装置本体内方に移送する移送手段として移載機(ウエ
ハトランスファ)63が移載用エレベータ64に昇降可
能に支持されて設置されている。この移載機63は、前
記パスボックス10の内側のオートドア21が開くと、
該パスボックス10内に位置する開放状態の被処理物搬
送ボックス9内のカセット11中から半導体ウエハ5を
一枚ずつ取り出して、ローディングエリア8のウエハボ
ート61に収納保持させたり、その逆にウエハボート6
1から半導体ウエハ5をカセット11に戻したりする働
きをなす。
【0034】また、前記装置本体1内のローディングエ
リア8内を陽圧の不活性ガス雰囲気に置換・維持するた
めに、ガス給排手段としてのガス導入管71と排気管7
2とが備えられている。そのガス導入管71は、後述す
るガス循環冷却浄化システムとして装置本体1の床下に
設置されたリターン経路81途中の送風ファン82の一
次側(吸い込み側)に接続して設けられている。このガ
ス導入管71は装置本体1外に導出され、図5に示す如
く流量調整バルブ73並びにレギュレータ74を介し不
活性ガス供給装置28に接続されて、不活性ガスとして
N2 ガスを前記リターン経路81を介しローディングエ
リア8内に導入できるようになっている。排気管72は
ローディングエリア8内の下流側から導出され、途中に
オートダンパー72aを備えて、前述した工場排気装置
30に接続されている。
リア8内を陽圧の不活性ガス雰囲気に置換・維持するた
めに、ガス給排手段としてのガス導入管71と排気管7
2とが備えられている。そのガス導入管71は、後述す
るガス循環冷却浄化システムとして装置本体1の床下に
設置されたリターン経路81途中の送風ファン82の一
次側(吸い込み側)に接続して設けられている。このガ
ス導入管71は装置本体1外に導出され、図5に示す如
く流量調整バルブ73並びにレギュレータ74を介し不
活性ガス供給装置28に接続されて、不活性ガスとして
N2 ガスを前記リターン経路81を介しローディングエ
リア8内に導入できるようになっている。排気管72は
ローディングエリア8内の下流側から導出され、途中に
オートダンパー72aを備えて、前述した工場排気装置
30に接続されている。
【0035】ローディングエリア8内の初期置換時に
は、そのオートダンパー72aが開いて、工場排気装置
46によりローディングエリア8内の排気を行うと共
に、N2ガスを200〜400リットル/min 程度で導
入する。その置換後の定常時は、N2 ガス導入量を50
リットル/min 程度に絞り、排気管72のオートダンパ
ー72aは閉じて、ローディングエリア8の隙間排気或
いは圧力調整ダンパーにより該ローディングエリア8内
を適度な陽圧のN2 ガス雰囲気に維持するようになって
いる。なお、その隙間排気による漏れガスは前記スカベ
ンジャー51の熱排気管52のオートダンパー54a付
き分岐管54から工場排気される。
は、そのオートダンパー72aが開いて、工場排気装置
46によりローディングエリア8内の排気を行うと共
に、N2ガスを200〜400リットル/min 程度で導
入する。その置換後の定常時は、N2 ガス導入量を50
リットル/min 程度に絞り、排気管72のオートダンパ
ー72aは閉じて、ローディングエリア8の隙間排気或
いは圧力調整ダンパーにより該ローディングエリア8内
を適度な陽圧のN2 ガス雰囲気に維持するようになって
いる。なお、その隙間排気による漏れガスは前記スカベ
ンジャー51の熱排気管52のオートダンパー54a付
き分岐管54から工場排気される。
【0036】前記ガス循環冷却浄化システムは、半導体
ウエハ5の処理作業を繰り返し行っても、ローディング
エリア8内のN2 ガス雰囲気を高純度に維持すると共に
異常な温度上昇を防止する。このシステム構成として、
まずローディングエリア13内のN2 ガスを一度系外に
取り出し、それを浄化・冷却した後に再びローディング
エリア8内に還流させるリターン経路81が前記装置本
体1の床下に設けられ、この途中に送風ファン82が設
置されていると共に、その送風ファン82の二次側にガ
ス浄化器83が設置され、更にその二次側にガス冷却器
84が設置されている。
ウエハ5の処理作業を繰り返し行っても、ローディング
エリア8内のN2 ガス雰囲気を高純度に維持すると共に
異常な温度上昇を防止する。このシステム構成として、
まずローディングエリア13内のN2 ガスを一度系外に
取り出し、それを浄化・冷却した後に再びローディング
エリア8内に還流させるリターン経路81が前記装置本
体1の床下に設けられ、この途中に送風ファン82が設
置されていると共に、その送風ファン82の二次側にガ
ス浄化器83が設置され、更にその二次側にガス冷却器
84が設置されている。
【0037】なお、そのガス浄化器83はガス状不純物
(水分・酸素・炭化水素・その他)を吸収するジルコニ
ア等の金属ゲッターを用途に応じ交換可能に内蔵したケ
ミカル用フィルタである。また、ガス冷却器84は通水
可能な冷却パイプに放熱フィンを設けたラジエータタイ
プのもので、二次側吹き出しガス温度が50℃以下とな
るような冷却能力を有する。
(水分・酸素・炭化水素・その他)を吸収するジルコニ
ア等の金属ゲッターを用途に応じ交換可能に内蔵したケ
ミカル用フィルタである。また、ガス冷却器84は通水
可能な冷却パイプに放熱フィンを設けたラジエータタイ
プのもので、二次側吹き出しガス温度が50℃以下とな
るような冷却能力を有する。
【0038】こうしたリターン経路81からのN2 ガス
を受け入れてローディングエリア8内に吹き出すフィル
タ85が該ローディングエリア8内の一側面部に設けら
れている。このフィルタ85は、縦置き形のULPAグ
レードのアブソリュートフィルタで、N2 ガス中の微粒
子状不純物(ごみ等のパーティクル)をろ過捕集すると
共に、そのN2 ガスをローディングエリア8内に一側方
から水平層流状態に吹き出す。また、そのN2 ガスの水
平層流状態をより確実なものにするために、ローディン
グエリア8内の他側面に多数の孔を形成した整流板86
がフィルタ85と対向するように垂直に設けられ、この
整流板86を通してこの裏面空間87からN2 ガスが前
記リターン経路81に吸引導通されて行くようになって
いる。
を受け入れてローディングエリア8内に吹き出すフィル
タ85が該ローディングエリア8内の一側面部に設けら
れている。このフィルタ85は、縦置き形のULPAグ
レードのアブソリュートフィルタで、N2 ガス中の微粒
子状不純物(ごみ等のパーティクル)をろ過捕集すると
共に、そのN2 ガスをローディングエリア8内に一側方
から水平層流状態に吹き出す。また、そのN2 ガスの水
平層流状態をより確実なものにするために、ローディン
グエリア8内の他側面に多数の孔を形成した整流板86
がフィルタ85と対向するように垂直に設けられ、この
整流板86を通してこの裏面空間87からN2 ガスが前
記リターン経路81に吸引導通されて行くようになって
いる。
【0039】また、前記ローディングエリア8内上部に
はガスシャワー機構90が設けられている。このガスシ
ャワー機構90は、図5に示す如くバルブ91並びにレ
ギュレータ27を介し不活性ガス供給装置28に接続さ
れたガス導入管92と、このガス導入管92先端に接続
して前記スカベンジャー51のケース51a下面にブラ
ケット93を介し固定された特殊ノズル94を備えてな
る。
はガスシャワー機構90が設けられている。このガスシ
ャワー機構90は、図5に示す如くバルブ91並びにレ
ギュレータ27を介し不活性ガス供給装置28に接続さ
れたガス導入管92と、このガス導入管92先端に接続
して前記スカベンジャー51のケース51a下面にブラ
ケット93を介し固定された特殊ノズル94を備えてな
る。
【0040】その特殊ノズル94は、偏平で、且つ直径
200mmウエハ全域をカバーできる幅寸法と、出来るだ
けランディング(助走)距離を長くした形状で、前記ウ
エハボート61をプロセス容器41に挿脱(ロード/ア
ンロード)するとき、N2 ガスを50〜100リットル
/min で前記プロセス容器41の炉口41aの下側近傍
に真横から水平流にして且つ前記ULPAフィルタ85
からの吹き出し水平層流風より早い風速(0.75m/
sec )で吹き出し、このN2 シャワーにより該ウエハボ
ート61に多段に配して保持されている半導体ウエハ5
相互間のO2 等の不純物や熱気を追い出すようになって
いる。
200mmウエハ全域をカバーできる幅寸法と、出来るだ
けランディング(助走)距離を長くした形状で、前記ウ
エハボート61をプロセス容器41に挿脱(ロード/ア
ンロード)するとき、N2 ガスを50〜100リットル
/min で前記プロセス容器41の炉口41aの下側近傍
に真横から水平流にして且つ前記ULPAフィルタ85
からの吹き出し水平層流風より早い風速(0.75m/
sec )で吹き出し、このN2 シャワーにより該ウエハボ
ート61に多段に配して保持されている半導体ウエハ5
相互間のO2 等の不純物や熱気を追い出すようになって
いる。
【0041】また、図5に示す如く、前記ローディング
エリア8内とパスボックス10内との酸素濃度検知手段
としてのガス導通配管111と112とが設けられ、こ
れらが共通の一個の酸素濃度計(O2 センサー)113
に接続されている。この酸素濃度計113は三方切替え
バルブとガス導出ポンプを内蔵したもので、前記ローデ
ィングエリア8内とパスボックス10内との酸素濃度が
20PPm 以下か否かを測定するようになっている。
エリア8内とパスボックス10内との酸素濃度検知手段
としてのガス導通配管111と112とが設けられ、こ
れらが共通の一個の酸素濃度計(O2 センサー)113
に接続されている。この酸素濃度計113は三方切替え
バルブとガス導出ポンプを内蔵したもので、前記ローデ
ィングエリア8内とパスボックス10内との酸素濃度が
20PPm 以下か否かを測定するようになっている。
【0042】また、その酸素濃度計113からの信号
と、前記ローディングエリア8内に気圧を測定する圧力
センサー114からの信号とを受けるコントローラ11
5が設けられている。このコントローラ115からの制
御指令でもって、前記オートダンパー29,45a,5
4a,72aと、バルブ26,47,73,91と、オ
ートドア20,21並びにオートシャッター56と、移
載機63と、ボートエレベータ62等の各稼働部がそれ
ぞれ自動的にシーケンス制御されるようになっている。
と、前記ローディングエリア8内に気圧を測定する圧力
センサー114からの信号とを受けるコントローラ11
5が設けられている。このコントローラ115からの制
御指令でもって、前記オートダンパー29,45a,5
4a,72aと、バルブ26,47,73,91と、オ
ートドア20,21並びにオートシャッター56と、移
載機63と、ボートエレベータ62等の各稼働部がそれ
ぞれ自動的にシーケンス制御されるようになっている。
【0043】このような構成の縦型熱処理装置及び被処
理物搬送ボックス9の作用を述べると、まず、装置本体
1内のローディングエリア8は比較的狭いので、初期置
換時には、ガス給排手段としての排気管72のオートダ
ンパー72aが開いて、工場排気装置30により排気を
行うと共に、ガス導入管71からN2 ガスを400リッ
トル/min 程度で導入する。こうして比較的少ないN2
ガス供給量で大気から不活性ガスに楽に置換可能とな
る。
理物搬送ボックス9の作用を述べると、まず、装置本体
1内のローディングエリア8は比較的狭いので、初期置
換時には、ガス給排手段としての排気管72のオートダ
ンパー72aが開いて、工場排気装置30により排気を
行うと共に、ガス導入管71からN2 ガスを400リッ
トル/min 程度で導入する。こうして比較的少ないN2
ガス供給量で大気から不活性ガスに楽に置換可能とな
る。
【0044】その置換後の定常時は、ガス導入管71か
らのN2 ガス導入量を50リットル/min 程度の少量に
絞り、排気管72のオートダンパー72aは閉じて、ロ
ーディングエリア8の隙間排気或いは圧力調整ダンパー
により該ローディングエリア8内を適度な陽圧(クリー
ンルーム2の気圧より0.2mmH2 O程高い1mmH2O
程度)のN2 ガス雰囲気に維持する。なお、その隙間排
気による漏れガスはスカベンジャー51の熱排気管52
のオートダンパー54a付き分岐管54から常時工場排
気される。
らのN2 ガス導入量を50リットル/min 程度の少量に
絞り、排気管72のオートダンパー72aは閉じて、ロ
ーディングエリア8の隙間排気或いは圧力調整ダンパー
により該ローディングエリア8内を適度な陽圧(クリー
ンルーム2の気圧より0.2mmH2 O程高い1mmH2O
程度)のN2 ガス雰囲気に維持する。なお、その隙間排
気による漏れガスはスカベンジャー51の熱排気管52
のオートダンパー54a付き分岐管54から常時工場排
気される。
【0045】一方、パスボックス10には、ガス給排手
段としてのガス導入管24から常時50リットル/min
のN2 ガスを導入し続けると共に、排気管25から押し
出すように排気しながら、該パスボックス10内をN2
ガス雰囲気に置換する。
段としてのガス導入管24から常時50リットル/min
のN2 ガスを導入し続けると共に、排気管25から押し
出すように排気しながら、該パスボックス10内をN2
ガス雰囲気に置換する。
【0046】こうした状態で、まず、被処理物としての
半導体ウエハ5は別位置のN2 ガス雰囲気室にて多数枚
ずつカセットに並列保持して収納し、そのまま被処理物
搬送ボックス9の蓋14状に載せてボックス本体12を
被せ、しかも通気弁15より内部のN2 ガスを適度に吸
出して負圧状態にすることで該ボックス本体12に対し
蓋14を吸着保持して密封状態となす。こうしてカセッ
ト11に入れた半導体ウエハ5を大気にさらすことなく
被処理物搬送ボックス9内の不活性ガス雰囲気中に収納
したままロボット等の適宜搬送手段により処理装置へ搬
送する。
半導体ウエハ5は別位置のN2 ガス雰囲気室にて多数枚
ずつカセットに並列保持して収納し、そのまま被処理物
搬送ボックス9の蓋14状に載せてボックス本体12を
被せ、しかも通気弁15より内部のN2 ガスを適度に吸
出して負圧状態にすることで該ボックス本体12に対し
蓋14を吸着保持して密封状態となす。こうしてカセッ
ト11に入れた半導体ウエハ5を大気にさらすことなく
被処理物搬送ボックス9内の不活性ガス雰囲気中に収納
したままロボット等の適宜搬送手段により処理装置へ搬
送する。
【0047】その被処理物搬送ボックス9が搬送されて
来ると、処理装置のパスボックス10の外側のオートド
ア20のみが開いて該被処理物搬送ボックス9を受入れ
る。これで一時的にパスボックス10内に大気が入る
が、前記外側のオートドア20が内側のオートドア21
と同様に閉じ、前記ガス導入管24からのN2 ガス導入
量を増すことで、該パスボックス10内の大気並びに被
処理物搬送ボックス9外面に付着して来た不純物を追い
出してN2 ガス雰囲気に置換する。
来ると、処理装置のパスボックス10の外側のオートド
ア20のみが開いて該被処理物搬送ボックス9を受入れ
る。これで一時的にパスボックス10内に大気が入る
が、前記外側のオートドア20が内側のオートドア21
と同様に閉じ、前記ガス導入管24からのN2 ガス導入
量を増すことで、該パスボックス10内の大気並びに被
処理物搬送ボックス9外面に付着して来た不純物を追い
出してN2 ガス雰囲気に置換する。
【0048】なお、そのパスボックス19は容量が小さ
くて済むこと、また被処理物搬送ボックス9は外形が凹
凸の少ない単純形状で済むことから、ガス導入管24か
ら比較的少量のガスを供給するだけで、大気並びに不純
物を確実に追い出して高純度の不活性ガス雰囲気に素早
く置換できるようになる。
くて済むこと、また被処理物搬送ボックス9は外形が凹
凸の少ない単純形状で済むことから、ガス導入管24か
ら比較的少量のガスを供給するだけで、大気並びに不純
物を確実に追い出して高純度の不活性ガス雰囲気に素早
く置換できるようになる。
【0049】こうした後に、蓋取り機構33が下降動作
し、且つその左右のクランプアーム36で被処理物搬送
ボックス9のボックス本体12を掴むと同時に、弁操作
部37で常閉式の不活性ガス通気弁15を押し開き、被
処理物搬送ボックス9内部を負圧状態からパスボックス
10内と同じ気圧とすることで蓋14の吸着解除を行
い、そのままボックス本体12を引き上げて開放する。
し、且つその左右のクランプアーム36で被処理物搬送
ボックス9のボックス本体12を掴むと同時に、弁操作
部37で常閉式の不活性ガス通気弁15を押し開き、被
処理物搬送ボックス9内部を負圧状態からパスボックス
10内と同じ気圧とすることで蓋14の吸着解除を行
い、そのままボックス本体12を引き上げて開放する。
【0050】この時点でパスボックス10の内側のオー
トドア21が開き、移送手段としての移載機63がパス
ボックス10内に手を延ばし、そこの開放状態の被処理
物搬送ボックス9の蓋14上のカセット11内の半導体
ウエハ5を一枚ずつローディングエリア8に取り出して
ウエハボート61に移載する。
トドア21が開き、移送手段としての移載機63がパス
ボックス10内に手を延ばし、そこの開放状態の被処理
物搬送ボックス9の蓋14上のカセット11内の半導体
ウエハ5を一枚ずつローディングエリア8に取り出して
ウエハボート61に移載する。
【0051】このウエハボート61に移載された多数枚
の半導体ウエハ5は、オートシャッター56が開き、ボ
ートエレベータ62によりウエハボート61ととも共に
上昇せしめられて処理室10のプロセス容器41内に挿
入される。そして、下部フランジ61aで炉口41aを
閉じた状態で、プロセス容器41内のN2 ガス雰囲気が
排気管45により排気されると共に、ガス導入管46か
らプロセスガスがプロセス容器41内に導入されて、ヒ
ーター42の加熱により半導体ウエハ5に所要の処理が
施される。
の半導体ウエハ5は、オートシャッター56が開き、ボ
ートエレベータ62によりウエハボート61ととも共に
上昇せしめられて処理室10のプロセス容器41内に挿
入される。そして、下部フランジ61aで炉口41aを
閉じた状態で、プロセス容器41内のN2 ガス雰囲気が
排気管45により排気されると共に、ガス導入管46か
らプロセスガスがプロセス容器41内に導入されて、ヒ
ーター42の加熱により半導体ウエハ5に所要の処理が
施される。
【0052】その処理後は、前記と逆の手順で、プロセ
ス容器41内のプロセスガスを排気管45より排気する
と共に、ガス導入管46からN2 ガスを供給して、該プ
ロセス容器41内をローディングエリア8内と同じN2
ガス雰囲気に置換する。こうしてからボートエレベータ
62により下降してウエハボート61と共に処理済み半
導体ウエハ5をローディングエリア8内に引き戻す。そ
の時点で再びパスボックス10の内側のオートドア21
のみが開き、移載機63が稼働してウエハボート61内
の処理済み半導体ウエハ5を取り出してパスボックス1
0内のカセット11内に戻す。
ス容器41内のプロセスガスを排気管45より排気する
と共に、ガス導入管46からN2 ガスを供給して、該プ
ロセス容器41内をローディングエリア8内と同じN2
ガス雰囲気に置換する。こうしてからボートエレベータ
62により下降してウエハボート61と共に処理済み半
導体ウエハ5をローディングエリア8内に引き戻す。そ
の時点で再びパスボックス10の内側のオートドア21
のみが開き、移載機63が稼働してウエハボート61内
の処理済み半導体ウエハ5を取り出してパスボックス1
0内のカセット11内に戻す。
【0053】そして、そのパスボックス10の内側のオ
ートドア32が閉じると共に、蓋取り機構33が下降し
て被処理物搬送ボックス9のボックス本体12を蓋14
上に閉成する。この時点では弁操作部37で不活性ガス
通気弁15を開いたままとし、この状態で排気管25か
らオートダンパー29を介して吸引ブロアによりパスボ
ックス10内のN2 ガスを吸出して、そのパスボックス
10並びに被処理物搬送ボックス9内を適度な負圧状態
(気圧760mmH2 O程度)になす。
ートドア32が閉じると共に、蓋取り機構33が下降し
て被処理物搬送ボックス9のボックス本体12を蓋14
上に閉成する。この時点では弁操作部37で不活性ガス
通気弁15を開いたままとし、この状態で排気管25か
らオートダンパー29を介して吸引ブロアによりパスボ
ックス10内のN2 ガスを吸出して、そのパスボックス
10並びに被処理物搬送ボックス9内を適度な負圧状態
(気圧760mmH2 O程度)になす。
【0054】こうしてから前記蓋取り機構33がボック
ス本体12を開放して上昇し、通気弁15を閉じさせ、
再びパスボックス10内を常圧に戻する。これにて該被
処理物搬送ボックス9内部が回りよりも負圧状態にある
ことで、このボックス本体12に蓋14が吸着保持され
て閉塞状態を維持するようになる。
ス本体12を開放して上昇し、通気弁15を閉じさせ、
再びパスボックス10内を常圧に戻する。これにて該被
処理物搬送ボックス9内部が回りよりも負圧状態にある
ことで、このボックス本体12に蓋14が吸着保持され
て閉塞状態を維持するようになる。
【0055】この状態で、前記パスボックス10の外側
のオートドア20のみが開き、被処理物搬送ボックス9
が内部のN2 ガス雰囲気中に処理済み半導体ウエハ5を
カセット11を介して収納したまま、適宜搬送手段によ
り外部に取り出されて、次の処理工程などに搬出される
ようになる。
のオートドア20のみが開き、被処理物搬送ボックス9
が内部のN2 ガス雰囲気中に処理済み半導体ウエハ5を
カセット11を介して収納したまま、適宜搬送手段によ
り外部に取り出されて、次の処理工程などに搬出される
ようになる。
【0056】以上により、半導体ウエハ5を大気に一切
さらすことなく不活性ガス雰囲気の中で外部から処理装
置に対し搬入したり搬出したりでき、大気(O2 )やガ
ス状不純物や粒子状不純物(パーティクル)の半導体ウ
エハ5への付着並びに処理装置内への侵入を簡単かつ確
実に防止できるようになり、全体的に不活性ガスの消費
量が少なくて済み、経費の節減が可能となると共に、ロ
ーディングエリア8内を陽圧で高純度の不活性ガス雰囲
気に維持できて、半導体ウエハ5のプロセス容器41内
へのロード/アンロード時の自然酸化膜の発生や、半導
体ウエハ5への不純物の付着や化学反応を抑制するのに
大に役立つようになる。
さらすことなく不活性ガス雰囲気の中で外部から処理装
置に対し搬入したり搬出したりでき、大気(O2 )やガ
ス状不純物や粒子状不純物(パーティクル)の半導体ウ
エハ5への付着並びに処理装置内への侵入を簡単かつ確
実に防止できるようになり、全体的に不活性ガスの消費
量が少なくて済み、経費の節減が可能となると共に、ロ
ーディングエリア8内を陽圧で高純度の不活性ガス雰囲
気に維持できて、半導体ウエハ5のプロセス容器41内
へのロード/アンロード時の自然酸化膜の発生や、半導
体ウエハ5への不純物の付着や化学反応を抑制するのに
大に役立つようになる。
【0057】なお、前述した半導体ウエハ処理作業を繰
り返し行うに伴い、ローディングエリア8内のN2 ガス
雰囲気中にカーボン等のガス状不純物が発生したり、オ
イルミストやごみなどの粒子状不純物(パーティクル)
が発生したり、炉口41aの開放によるプロセス容器4
1内からの熱気の放出や、高温(1000℃程度)に加
熱された処理済み半導体ウエハ5からの輻射熱等によ
り、ローディングエリア8内のN2 ガス雰囲気が昇温す
る可能性がある。
り返し行うに伴い、ローディングエリア8内のN2 ガス
雰囲気中にカーボン等のガス状不純物が発生したり、オ
イルミストやごみなどの粒子状不純物(パーティクル)
が発生したり、炉口41aの開放によるプロセス容器4
1内からの熱気の放出や、高温(1000℃程度)に加
熱された処理済み半導体ウエハ5からの輻射熱等によ
り、ローディングエリア8内のN2 ガス雰囲気が昇温す
る可能性がある。
【0058】しかし、パージガスとして清浄なN2 ガス
を前述の如くガス導入管71から常時供給し続ける一
方、ガス循環冷却浄化システムが絶えず稼働し、そのロ
ーディングエリア8内のN2 ガスを不純物と一緒に送風
ファン82の作用により整流板86を介し一度リターン
経路81に導通し、これをガス浄化器83によりガス状
不純物(水分・酸素・炭化水素・その他)を吸収しする
と共に、そのN2 ガスをガス冷却器84に通して50℃
以下となるように冷却し、更にULPAグレードのアブ
ソリュートフィルタ85によりN2 ガス中の微粒子状不
純物(ごみ等のパーティクル)をろ過捕集すると共に、
そのN2 ガスをローディングエリア8内に一側方から水
平層流状態に吹き出して還流させることから、該ローデ
ィングエリア8内のN2 ガス雰囲気が高純度に維持され
ると共に、異常な温度上昇が防止さされる。
を前述の如くガス導入管71から常時供給し続ける一
方、ガス循環冷却浄化システムが絶えず稼働し、そのロ
ーディングエリア8内のN2 ガスを不純物と一緒に送風
ファン82の作用により整流板86を介し一度リターン
経路81に導通し、これをガス浄化器83によりガス状
不純物(水分・酸素・炭化水素・その他)を吸収しする
と共に、そのN2 ガスをガス冷却器84に通して50℃
以下となるように冷却し、更にULPAグレードのアブ
ソリュートフィルタ85によりN2 ガス中の微粒子状不
純物(ごみ等のパーティクル)をろ過捕集すると共に、
そのN2 ガスをローディングエリア8内に一側方から水
平層流状態に吹き出して還流させることから、該ローデ
ィングエリア8内のN2 ガス雰囲気が高純度に維持され
ると共に、異常な温度上昇が防止さされる。
【0059】さらに、ウエハボート61のプロセス容器
41への挿脱(ロード/アンロード)時、ガスシャワー
機構90が稼働し、特殊ノズル94からN2 ガスが高速
で炉口41aの下側近傍に真横から水平流にして吹き出
され、このN2 シャワーにより該ウエハボート61に多
段に配して水平に保持されている半導体ウエハ5相互間
のO2 等の不純物や熱気が追い出されるようになる。
41への挿脱(ロード/アンロード)時、ガスシャワー
機構90が稼働し、特殊ノズル94からN2 ガスが高速
で炉口41aの下側近傍に真横から水平流にして吹き出
され、このN2 シャワーにより該ウエハボート61に多
段に配して水平に保持されている半導体ウエハ5相互間
のO2 等の不純物や熱気が追い出されるようになる。
【0060】こうしたことにより、半導体ウエハ5のプ
ロセス容器41への挿脱時、カーボン等のガス状不純物
やオイルミストやごみなどの粒子状不純物(パーティク
ル)が付着したり、化学反応(ケミカルコンタミネーシ
ョン)を起こして、半導体素子の特性や歩留まりの悪化
を招くことがなくなる。
ロセス容器41への挿脱時、カーボン等のガス状不純物
やオイルミストやごみなどの粒子状不純物(パーティク
ル)が付着したり、化学反応(ケミカルコンタミネーシ
ョン)を起こして、半導体素子の特性や歩留まりの悪化
を招くことがなくなる。
【0061】次に、図6において本発明の処理装置の第
2の実施例を説明する。なお、図中前記図1乃至図5に
示した構成と重複するものには同一符号を付して説明の
簡略化を図る。
2の実施例を説明する。なお、図中前記図1乃至図5に
示した構成と重複するものには同一符号を付して説明の
簡略化を図る。
【0062】この実施例では、縦型熱処理装置の処理装
置本体1が前述の実施例よりも前後幅寸法が大きくさ
れ、内部に前述した構成に加えて被処理物を収納した複
数のカセット11を待機させておけるカセットストック
ステージ120を備えた構成である。
置本体1が前述の実施例よりも前後幅寸法が大きくさ
れ、内部に前述した構成に加えて被処理物を収納した複
数のカセット11を待機させておけるカセットストック
ステージ120を備えた構成である。
【0063】つまり、処理装置本体1内は、後部略上半
部が前述同様に被処理物としての半導体ウエハ5に所定
の処理を施す処理室6として隔壁7により区画構成さ
れ、この処理室6の丁度真下がローディングエリア8と
されているが、これら処理室6及びローディングエリア
8の前側が被処理物搬入出用エリア(I/Oエリア)1
21とされている。
部が前述同様に被処理物としての半導体ウエハ5に所定
の処理を施す処理室6として隔壁7により区画構成さ
れ、この処理室6の丁度真下がローディングエリア8と
されているが、これら処理室6及びローディングエリア
8の前側が被処理物搬入出用エリア(I/Oエリア)1
21とされている。
【0064】この被処理物搬入出用エリア121内の前
面部位に前記同様のパスボックス10が設置され、この
直ぐ後側にカセットトランスファ122がエレベータ1
23を介し昇降可能に設置されていると共に、その上半
部位にカセットストックステージ120が設けられてい
る。このカセットストックステージ120は多段(例え
ば上下4段にカセット保管棚120aを有した構成で、
前記パスボックス10内から半導体ウエハ5がカセット
11ごとカセットトランスファ122により取り込まれ
て載せ置かれるようになっている。
面部位に前記同様のパスボックス10が設置され、この
直ぐ後側にカセットトランスファ122がエレベータ1
23を介し昇降可能に設置されていると共に、その上半
部位にカセットストックステージ120が設けられてい
る。このカセットストックステージ120は多段(例え
ば上下4段にカセット保管棚120aを有した構成で、
前記パスボックス10内から半導体ウエハ5がカセット
11ごとカセットトランスファ122により取り込まれ
て載せ置かれるようになっている。
【0065】また、このカセットストックステージ12
0の真下には移載用ステージ124が適当高さのスタン
ド125に支持されて上下2段に配設され、それぞれの
上面に前記カセットストックステージ120からカセッ
ト11をカセットトランスファ122により取り出して
一個ずつ載せ置けるようになっている。この移載用ステ
ージ124上に載せられたカセット11内の多数枚の半
導体ウエハ5を前述同様の移載機(ウエハトランスフ
ァ)63が昇降しながら一枚ずつ取り出して、ローディ
ングエリア8のウエハボート61に移載保持させたり、
その逆にウエハボート61から処理済み半導体ウエハ5
を移載用ステージ124上のカセット11内に戻したり
できるようになっている。そのたの構成は前述の第1の
実施例と同様である。
0の真下には移載用ステージ124が適当高さのスタン
ド125に支持されて上下2段に配設され、それぞれの
上面に前記カセットストックステージ120からカセッ
ト11をカセットトランスファ122により取り出して
一個ずつ載せ置けるようになっている。この移載用ステ
ージ124上に載せられたカセット11内の多数枚の半
導体ウエハ5を前述同様の移載機(ウエハトランスフ
ァ)63が昇降しながら一枚ずつ取り出して、ローディ
ングエリア8のウエハボート61に移載保持させたり、
その逆にウエハボート61から処理済み半導体ウエハ5
を移載用ステージ124上のカセット11内に戻したり
できるようになっている。そのたの構成は前述の第1の
実施例と同様である。
【0066】なお、前記第1及び第2の実施例では、被
処理物搬送ボックス9のボックス本体12に通気弁15
を設け、この通気弁15を介し内部を負圧(減圧)する
ことにより、蓋14をボックス本体12に融着保持させ
て閉塞状態を維持する構成、即ちバキューム方式とした
が、その蓋14を図示ししないがメカニカル的なクラン
プ機構或いは電磁石による吸着方式でボックス本体12
に対し開閉可能に閉塞保持する構成としても可である。
こうすることで前述の通気弁15を省略できる。
処理物搬送ボックス9のボックス本体12に通気弁15
を設け、この通気弁15を介し内部を負圧(減圧)する
ことにより、蓋14をボックス本体12に融着保持させ
て閉塞状態を維持する構成、即ちバキューム方式とした
が、その蓋14を図示ししないがメカニカル的なクラン
プ機構或いは電磁石による吸着方式でボックス本体12
に対し開閉可能に閉塞保持する構成としても可である。
こうすることで前述の通気弁15を省略できる。
【0067】次に、図7により本発明の第3の実施例を
説明する。この実施例では被処理物搬送ボックス9をパ
スボックスにも利用して前述の処理装置に設けていたパ
スボックス10を省略した例である。
説明する。この実施例では被処理物搬送ボックス9をパ
スボックスにも利用して前述の処理装置に設けていたパ
スボックス10を省略した例である。
【0068】つまり、図7は図1と同様の縦型熱処理装
置の処理装置本体1のハウジングパネル1aの前面パネ
ル部分を拡大した断面図で、パスボックス10は省略さ
れている。その代わりに、処理装置本体1の前面パネル
部には、被処理物搬入出口130が形成されていると共
に、この外面下方にボックス保持機構131が設けら
れ、内面側には前記搬入出口130を内方から閉塞する
蓋取りドア機構140が設けられている。
置の処理装置本体1のハウジングパネル1aの前面パネ
ル部分を拡大した断面図で、パスボックス10は省略さ
れている。その代わりに、処理装置本体1の前面パネル
部には、被処理物搬入出口130が形成されていると共
に、この外面下方にボックス保持機構131が設けら
れ、内面側には前記搬入出口130を内方から閉塞する
蓋取りドア機構140が設けられている。
【0069】そのボックス保持機構131は、処理装置
本体1の前面パネル部外面に下端をヒンジ132を介し
枢着したエアシリンダ133と、このエアシリンダ13
3のピストンロッド上端に支持され処理装置本体1の外
面部のヒンジ134を支点に上下に回動可能な支持アー
ム135とを備えてなる構成である。そして外方から適
宜手段により搬送されて来る被処理物搬送ボックス9を
前記支持アーム135により受け取って、該ボックス9
の後端側を搬入出口130に気密状態に接合保持せしめ
る働きをなす。
本体1の前面パネル部外面に下端をヒンジ132を介し
枢着したエアシリンダ133と、このエアシリンダ13
3のピストンロッド上端に支持され処理装置本体1の外
面部のヒンジ134を支点に上下に回動可能な支持アー
ム135とを備えてなる構成である。そして外方から適
宜手段により搬送されて来る被処理物搬送ボックス9を
前記支持アーム135により受け取って、該ボックス9
の後端側を搬入出口130に気密状態に接合保持せしめ
る働きをなす。
【0070】なお、この実施例に用いた被処理物搬送ボ
ックス9は、後端面部を開放して被処理物としての多数
枚の半導体ウエハ5を並列保持したカセット11を収納
できる横向きのボックス本体12と、このボックス本体
12の後端フランジ12a付き開放面にシール材13を
介し接合した蓋14と、その蓋14の中央部に設けた常
閉式の不活性ガス通気弁15とを備えてなる構成であ
り、前記ボックス保持機構131によりボックス本体1
2の後端フランジ12aが処理装置本体1の前面パネル
部の搬入出口130周縁部にシール材136を介して気
密状態に接合保持され、この際、後面の蓋14は搬入出
口130内に納まるようになっている。
ックス9は、後端面部を開放して被処理物としての多数
枚の半導体ウエハ5を並列保持したカセット11を収納
できる横向きのボックス本体12と、このボックス本体
12の後端フランジ12a付き開放面にシール材13を
介し接合した蓋14と、その蓋14の中央部に設けた常
閉式の不活性ガス通気弁15とを備えてなる構成であ
り、前記ボックス保持機構131によりボックス本体1
2の後端フランジ12aが処理装置本体1の前面パネル
部の搬入出口130周縁部にシール材136を介して気
密状態に接合保持され、この際、後面の蓋14は搬入出
口130内に納まるようになっている。
【0071】一方、前記蓋取りドア機構140は、処理
装置本体1の前面パネル部内面に上端をヒンジ141を
介し枢着したエアシリンダ142と、このエアシリンダ
142のピストンロッド下端に支持され処理装置本体1
の内面部のヒンジ143を支点に上下に回動可能な支持
アーム144と、この支持アーム144に固定支持され
平時は前記搬入出口130の周縁に内方からシール材1
45を介し密接接合して閉塞する跳ね上げ式のドア14
6とを備えてなる。
装置本体1の前面パネル部内面に上端をヒンジ141を
介し枢着したエアシリンダ142と、このエアシリンダ
142のピストンロッド下端に支持され処理装置本体1
の内面部のヒンジ143を支点に上下に回動可能な支持
アーム144と、この支持アーム144に固定支持され
平時は前記搬入出口130の周縁に内方からシール材1
45を介し密接接合して閉塞する跳ね上げ式のドア14
6とを備えてなる。
【0072】また、この蓋取りドア機構140の跳ね上
げ式のドア146には、この前面中央部に凸部147が
一体的に設けられ、この凸部147が前記搬入出口13
0内に納まる被処理物搬送ボックス9の蓋14の通気弁
15を押し開く。また、ドア146には電磁バルブ14
8が設けられ、前記通気弁15が開くと開動作し、前記
被処理物搬送ボックス9内と処理装置本体1内部とを連
通状態にして相互の気圧差を無くすようになっている。
更に、そのドア146の凸部147前面に吸盤部149
と真空吸引ノズル150とが設けられ、このノズル15
0がホース151を介して吸引ブロア等に接続されてい
る。
げ式のドア146には、この前面中央部に凸部147が
一体的に設けられ、この凸部147が前記搬入出口13
0内に納まる被処理物搬送ボックス9の蓋14の通気弁
15を押し開く。また、ドア146には電磁バルブ14
8が設けられ、前記通気弁15が開くと開動作し、前記
被処理物搬送ボックス9内と処理装置本体1内部とを連
通状態にして相互の気圧差を無くすようになっている。
更に、そのドア146の凸部147前面に吸盤部149
と真空吸引ノズル150とが設けられ、このノズル15
0がホース151を介して吸引ブロア等に接続されてい
る。
【0073】この第3の実施例の作用を述べると、前述
同様に、被処理物搬送ボックス9内に被処理物としての
多数枚の半導体ウエハ5をカセット11を介し収納する
と共に、そのボックス9内を不活性ガス(例えばN2 ガ
ス)雰囲気の適度な負圧状態として、蓋14をボックス
本体12に吸着保持した密封状態とする。この状態で該
被処理物搬送ボックス9が適宜搬送手段により搬送され
て来ると、この被処理物搬送ボックス9をボックス保持
機構131の支持アーム135で受け、そのままエアシ
リンダ133の押上回動により図7に示す如く該ボック
ス9の後端フランジ12aを処理装置本体1の被処理物
搬入出口130に気密状態に直接接合せしめる。
同様に、被処理物搬送ボックス9内に被処理物としての
多数枚の半導体ウエハ5をカセット11を介し収納する
と共に、そのボックス9内を不活性ガス(例えばN2 ガ
ス)雰囲気の適度な負圧状態として、蓋14をボックス
本体12に吸着保持した密封状態とする。この状態で該
被処理物搬送ボックス9が適宜搬送手段により搬送され
て来ると、この被処理物搬送ボックス9をボックス保持
機構131の支持アーム135で受け、そのままエアシ
リンダ133の押上回動により図7に示す如く該ボック
ス9の後端フランジ12aを処理装置本体1の被処理物
搬入出口130に気密状態に直接接合せしめる。
【0074】これで被処理物搬送ボックス9の蓋14が
搬入出口130内に入り込むことで、それまで該搬入出
口130を内方から閉塞していた蓋取りドア機構140
の凸部147に通気弁15が押し開かれる。これと同時
に電磁バルブ148が開いて、被処理物搬送ボックス9
内と処理装置本体1内部とを連通状態にして相互の気圧
差を無くす。更に、そのドア146の凸部147前面の
吸盤部149が蓋14に接合すると共に、真空吸引ノズ
ル150からの吸引により蓋14を真空チャックする。
搬入出口130内に入り込むことで、それまで該搬入出
口130を内方から閉塞していた蓋取りドア機構140
の凸部147に通気弁15が押し開かれる。これと同時
に電磁バルブ148が開いて、被処理物搬送ボックス9
内と処理装置本体1内部とを連通状態にして相互の気圧
差を無くす。更に、そのドア146の凸部147前面の
吸盤部149が蓋14に接合すると共に、真空吸引ノズ
ル150からの吸引により蓋14を真空チャックする。
【0075】この状態で、蓋取りドア機構140のシリ
ンダ142が引上げ動作し、支持アーム144を介して
ドア146を蓋14と一緒に処理装置本体1内方に跳ね
上げるように開く。
ンダ142が引上げ動作し、支持アーム144を介して
ドア146を蓋14と一緒に処理装置本体1内方に跳ね
上げるように開く。
【0076】これで被処理物搬送ボックス9のボックス
本体12内と処理装置本体1内とが大気と隔離したまま
連通状態となり、そのまま該ボックス本体12内のカセ
ット11内の半導体ウエハ5を前述同様に移送手段とし
ての移載機63により処理装置本体1内方に取り出し
て、図1で示した如くウエハボートに移送し且つ処理室
に挿入して所要の処理作業を行う。その処理済み半導体
ウエハ5は、前記と逆の手順で取り出し次の処理工程等
に搬送する。
本体12内と処理装置本体1内とが大気と隔離したまま
連通状態となり、そのまま該ボックス本体12内のカセ
ット11内の半導体ウエハ5を前述同様に移送手段とし
ての移載機63により処理装置本体1内方に取り出し
て、図1で示した如くウエハボートに移送し且つ処理室
に挿入して所要の処理作業を行う。その処理済み半導体
ウエハ5は、前記と逆の手順で取り出し次の処理工程等
に搬送する。
【0077】これにて、被処理物を大気にさらすことな
く不活性ガス雰囲気の中で処理装置に対し搬入したり搬
出したりでき、大気(O2 )やガス状不純物や粒子状不
純物(パーティクル)の被処理物への付着並びに処理装
置内への侵入を簡単かつ確実に防止できるようになる。
しかもこの実施例では前述のパスボックス10を省略で
きるようになる。
く不活性ガス雰囲気の中で処理装置に対し搬入したり搬
出したりでき、大気(O2 )やガス状不純物や粒子状不
純物(パーティクル)の被処理物への付着並びに処理装
置内への侵入を簡単かつ確実に防止できるようになる。
しかもこの実施例では前述のパスボックス10を省略で
きるようになる。
【0078】なお、この第3実施例の構成は、図6に示
した第2の実施例のカセットストックステージを備えた
処理装置にも同様に適用可である。また、この第3実施
例においても、被処理物搬送ボックス9の通気弁15を
無くして、蓋14をメカニカル的なクランプ機構或いは
電磁石による吸着方式でボックス本体12に対し開閉可
能に閉塞保持する構成としても可であると共に、蓋取り
ドア機構140においても、蓋14を吸盤部で真空チャ
ックして蓋取りを行う以外に、メカニカル的なクランプ
機構或いは電磁石による吸着方式で蓋14を掴んでドア
146と一緒に開閉させる構成としても良い。
した第2の実施例のカセットストックステージを備えた
処理装置にも同様に適用可である。また、この第3実施
例においても、被処理物搬送ボックス9の通気弁15を
無くして、蓋14をメカニカル的なクランプ機構或いは
電磁石による吸着方式でボックス本体12に対し開閉可
能に閉塞保持する構成としても可であると共に、蓋取り
ドア機構140においても、蓋14を吸盤部で真空チャ
ックして蓋取りを行う以外に、メカニカル的なクランプ
機構或いは電磁石による吸着方式で蓋14を掴んでドア
146と一緒に開閉させる構成としても良い。
【0079】また、前述の各実施例では、被処理物とし
て半導体ウエハ5に絶縁膜を生成する酸化装置或いはC
VD装置として利用される縦型熱処理装置を例示した
が、被処理物の種類や処理の種類は特に限定されるもの
ではなく、他の種の処理を行う処理装置であってもよい
ことはもちろんである。これら処理の種類に応じて前述
のN2 ガス以外の不活性ガスを供給するようにしても良
い。
て半導体ウエハ5に絶縁膜を生成する酸化装置或いはC
VD装置として利用される縦型熱処理装置を例示した
が、被処理物の種類や処理の種類は特に限定されるもの
ではなく、他の種の処理を行う処理装置であってもよい
ことはもちろんである。これら処理の種類に応じて前述
のN2 ガス以外の不活性ガスを供給するようにしても良
い。
【0080】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の被処理物搬
送ボックス及び処理装置を用いれば、半導体ウエハ等の
被処理物を大気にさらすことなく不活性ガス雰囲気の中
で処理装置に対し搬入したり搬出したりでき、大気(O
2 )やガス状不純物や粒子状不純物(パーティクル)の
被処理物への付着並びに処理装置内への侵入を防止でき
て、不活性ガスの消費量の削減や、被処理物の処理室へ
のロード/アンロード時の自然酸化膜の発生並びに被処
理物への不純物の付着や化学反応を抑制するのに大に役
立ち、非常に経済的で高性能化が図れる効果が得られ
る。
送ボックス及び処理装置を用いれば、半導体ウエハ等の
被処理物を大気にさらすことなく不活性ガス雰囲気の中
で処理装置に対し搬入したり搬出したりでき、大気(O
2 )やガス状不純物や粒子状不純物(パーティクル)の
被処理物への付着並びに処理装置内への侵入を防止でき
て、不活性ガスの消費量の削減や、被処理物の処理室へ
のロード/アンロード時の自然酸化膜の発生並びに被処
理物への不純物の付着や化学反応を抑制するのに大に役
立ち、非常に経済的で高性能化が図れる効果が得られ
る。
【図1】本発明の第1の実施例に係わる縦型熱処理装置
と被処理物搬送ボックスとを示す縦断面図。
と被処理物搬送ボックスとを示す縦断面図。
【図2】図1のA−A線に沿う縦断面図。
【図3】図1のB−B線に沿う断面図。
【図4】図1のC−C線に沿う縦断面図。
【図5】処理装置全体のガス制御システムを示す概略
図。
図。
【図6】本発明の第2の実施例に係わる縦型熱処理装置
と被処理物搬送ボックスとを示す縦断面図。
と被処理物搬送ボックスとを示す縦断面図。
【図7】本発明の第3の実施例に係わる縦型熱処理装置
の一部分と被処理物搬送ボックスとを示す縦断面図。
の一部分と被処理物搬送ボックスとを示す縦断面図。
1…処理装置本体、5…被処理物(半導体ウエハ)、6
…処理室(41…プロセス容器)、8…ローディングエ
リア、9…被処理物搬送ボックス、10…パスボック
ス、11…カセット、12…ボックス本体、14…蓋、
15…通気弁、20、21…ドア、33…蓋取り機構、
24,25…ガス給排手段(24…ガス導入管、25…
排気管)、63…移送手段(移載機)、130…被処理
物搬入出口、131…ボックス保持機構、140…蓋取
りドア機構。
…処理室(41…プロセス容器)、8…ローディングエ
リア、9…被処理物搬送ボックス、10…パスボック
ス、11…カセット、12…ボックス本体、14…蓋、
15…通気弁、20、21…ドア、33…蓋取り機構、
24,25…ガス給排手段(24…ガス導入管、25…
排気管)、63…移送手段(移載機)、130…被処理
物搬入出口、131…ボックス保持機構、140…蓋取
りドア機構。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷藤 保 神奈川県津久井郡城山町町屋1丁目2番41 号 東京エレクトロン相模株式会社相模事 業所内
Claims (4)
- 【請求項1】 被処理物を挿脱可能に収納するボックス
本体と、このボックス本体を密封状態に閉塞して内部を
不活性ガス雰囲気に維持する開閉操作可能な蓋とを備
え、そのボックス本体内に被処理物を収納すると共に蓋
を閉じて該ボックス本体内を不活性ガス雰囲気に維持し
たまま処理装置に搬入出される構成としたことを特徴と
する被処理物搬送ボックス。 - 【請求項2】 ボックス本体と蓋とのいずれかに常閉式
の不活性ガス通気弁を有し、この通気弁を介しボックス
本体内の不活性ガスを吸出して該本体内を負圧にするこ
とで蓋が閉塞状態に吸着保持される構成としたことを特
徴とする請求項1記載の被処理物搬送ボックス。 - 【請求項3】 不活性ガス雰囲気に置換維持される処理
装置本体の内外に開閉するドアを有し請求項1記載の被
処理物搬送ボックスを外方から搬入出可能に収納するパ
スボックスと、このパスボックス内を不活性ガスに置換
するガス給排手段と、不活性ガス雰囲気のパスボックス
内で前記被処理物搬送ボックスの蓋を自動的に開閉する
蓋取り機構と、その被処理物搬送ボックス内の被処理物
を装置本体内方に移送する移送手段とを備えていること
を特徴とする処理装置。 - 【請求項4】 不活性ガス雰囲気に置換維持される処理
装置本体の被処理物搬入出口に対し請求項1記載の被処
理物搬送ボックスを外方から気密状態に接合するボック
ス保持機構と、平時は前記被処理物搬入出口を内方から
閉塞すると共に、その被処理物搬入出口に前記被処理物
搬送ボックスが接合すると、そのボックスの蓋を取って
一緒に処理装置本体内方に開く蓋取りドア機構と、前記
被処理物搬送ボックス内の被処理物を装置本体内方に移
送する移送手段とを備えていることを特徴とする処理装
置。
Priority Applications (4)
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---|---|---|---|
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KR1019940007724A KR100221983B1 (ko) | 1993-04-13 | 1994-04-13 | 처리장치 |
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US08/667,584 US5829939A (en) | 1993-04-13 | 1996-06-24 | Treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8633993A JP3372585B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06302679A true JPH06302679A (ja) | 1994-10-28 |
JP3372585B2 JP3372585B2 (ja) | 2003-02-04 |
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ID=13884100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP8633993A Expired - Fee Related JP3372585B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 処理装置 |
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US6869263B2 (en) | 2002-07-22 | 2005-03-22 | Brooks Automation, Inc. | Substrate loading and unloading station with buffer |
US7677859B2 (en) | 2002-07-22 | 2010-03-16 | Brooks Automation, Inc. | Substrate loading and uploading station with buffer |
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-
1993
- 1993-04-13 JP JP8633993A patent/JP3372585B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US8414242B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-04-09 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
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WO2017022366A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
JPWO2017022366A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2018-04-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
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