JPH06300824A - 半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置 - Google Patents
半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置Info
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Abstract
間で非破壊で検出する。 【構成】 半導体集積回路チップ1に電圧供給源9で電
流を供給した状態で、半導体集積回路チップ1上に細く
絞ったレーザ光を走査しながら照射し、変動電流検出/
増幅部8で電流変化の大きな箇所を検出する。変動電流
検出/増幅部8で電流変化の大きな箇所は熱伝導を阻止
する欠陥のある箇所に対応するので、ボイド等の欠陥が
検出できる。このような原理によるので欠陥は表面に露
出していない場合でも検出できる。
Description
の欠陥の検査方法および装置に関し、特に半導体集積回
路チップ上内部相互配線の欠陥をレーザビームまたは電
子ビームやイオンビームを用いて検査する方法および装
置に関するものである。
装置」(以下「方法」とのみ略して記す)は、たとえば
「W.,Lee Smith et.al.,“Dir
ectmeasurement of stress−
induced voidgrowth by the
rmal wave modulated optic
al reflectance imaging”,1
990IRPS(IEEE),200−208,(19
90).」に示されるように、2種類のレーザビームを
用い、一方のレーザビームでプローブし、もう一方のビ
ームで検知するという方法をとっている。
部相互配線の欠陥をレーザビームを用いて検査する方法
の一例(第1の従来例)を示す図である。プローブレー
ザ発生部19からのプローブレーザ21により試料26
をプローブする。一方、ポンプレーザ発生部18から、
ポンプレーザと呼ばれる強度変化のあるレーザ20を試
料26上に照射し、その結果試料上に生じた反射率の変
化をプローブレーザ21の反射率の変化としてサーマル
ウェーブシグナル検出器22で検出する。
化を示し、23はポンプレーザ強度の時間変化を示し、
25はサーマルウェーブシグナルによる反射率の検出を
示している。
も、レーザビームを用いるものがある(第2の従来
例)。これは図4にその概念を示すように、電圧供給源
9により電圧が印加された半導体試料27にレーザビー
ム17を照射し、その結果半導体内部に発生する電子−
正孔対(電子28,正孔29)を電流の変化として検出
しようとするもので、OBIC(optical be
am induced current)法としてよく
知られている。
欠陥検出法では、レーザを2台用いる必要があり、かつ
その2つのレーザビームをμmオーダからサブμmオー
ダの精度で同一箇所に照射しなければならないため、レ
ーザビームを直接走査できず、試料台を走査しなければ
ならない。従って走査に時間がかかり、像を取得するの
に時間がかかるという問題があった。
試料が半導体あるいは半導体を含むものを対象物質とし
ており、金属を対象物質とすることについては、開示し
ていない。
き、半導体集積回路の内部相互配線の欠陥を短時間で非
破壊で検出する検査方法および装置を提供することにあ
る。
内部相互配線の検査方法は、半導体集積回路の内部相互
配線に電流を流した状態で、半導体集積回路にレーザビ
ームを走査しながら照射し、前記内部相互配線に流れる
電流の変化を検知することで、前記内部相互配線の欠陥
を検出することを特徴とする。
の検査装置は、半導体集積回路の内部相互配線に電流を
供給する手段と、前記半導体集積回路にレーザビームを
走査しながら照射するレーザビーム照射手段と、前記内
部相互配線に流れる電流の変化を検知し、前記内部相互
配線の欠陥を検出する手段と、を備えることを特徴とす
る。
説明する。
図である。この半導体集積回路内部相互配線の検査装置
は、検査対象物である試料を設置する試料台3を備え、
この試料台3には、試料に電圧を供給する電圧供給源9
と、試料の各点にレーザビームを照射した瞬間の電流の
変化を検出する変動電流検出/増幅部8とが、電流伝送
路13a,13bをそれぞれ介して接続されている。ま
た、試料台3には、試料の温度を制御するための温度制
御部10が、熱媒体用パイプ12を介して連結されてい
る。
ーザ発生部6,レーザを試料に走査するレーザ走査部5
と、顕微鏡部4とが設けられている。
像処理/システム制御部7と、これに接続されたCRT
15とを備えている。
は、信号線14を介してレーザ走査部5と、変動電流検
出/増幅部8と、温度制御部10に接続されており、信
号を位置と輝度の情報に変換したのちCRT15上に、
輝度が電流値の変化に対応した像として表示させる。
回路内部相互配線の欠陥を検出する方法を説明する。
試料台3に設置する。チップ1に電圧供給源9から電圧
を供給する。これによりチップ配線に電圧が印加され
る。この状態で、レーザ発生部6は、レーザを発生す
る。発生されたレーザは光伝送路11を経てレーザ走査
部5へ送られる。顕微鏡部4を介して、μmオーダから
サブμmオーダに絞ったレーザ光17をチップ1上に走
査しながら照射する。レーザ光の照射によりチップ上配
線に流れる電流が変化する。チップ1上の各点での電流
の変化を変動電流検出/増幅部8で検出し、信号処理/
画像処理/システム制御部7で信号を位置と輝度の情報
に変換したのち、CRT15上に、輝度が電流値の変化
に対応した像として表示する。ボイド等の欠陥がある箇
所は熱伝導が悪いためその付近の抵抗が増大する結果、
電流変化が大きくなる。従って電流の変化に対応したコ
ントラストの変化が観測できる。欠陥が表面に出ておら
ず光学顕微鏡像や走査型電子顕微鏡像では検出できない
欠陥が検出できる点は前述の第1の従来例と同様であ
る。また、検出の感度を上げるためにレーザを照射しな
い状態での電流量をできる限り減らすために、温度制御
部10から熱媒体用パイプ12を介してチップ1の温度
を制御し最も電流の小さい温度においてこの検査を実施
することも有効である。
示す図である。本実施例は、図1での電圧供給源9をL
SIテスタ16に置き換えたことが特徴である。その他
の構成は、図1と同一であり、同一の構成要素には、同
一の参照番号を付して示してあるが、レーザ発生部6,
レーザ走査部5,顕微鏡部4,信号処理/画像処理/シ
ステム制御部7,温度制御部10は図示を省略してあ
る。
り、図示のようにパッケージ2,変動電流検出/増幅部
8に接続され、また、信号線31によりパッケージ2に
接続されている。
源供給および信号供給を行いながらこの検査を実施する
ことで、特別な動作状態でしか電流が流れないようなチ
ップ上の内部相互配線に対しても検査が可能になる。
明はこれら実施例に限定されるものではない。例えば、
レーザビームの代わりに電子ビームやイオンビームを用
いることもできる。
方法および装置では、欠陥検出のための特性値として抵
抗の温度変化を用いているので、その変化を見るために
照射するレーザは1本で済み、従来のように2本のレー
ザビームの位置合わせが不要となるため、照射レーザ自
体を走査することが容易にでき、高速な走査が可能なた
め像取得時間の大幅な短縮が計れる。一例では、第1の
従来例では6分かかったものが、本発明による方法では
0.5秒と実に7200分の1という大幅な短縮が実現
できた。
念図 26 サンプル 27 半導体試料 28 電子 29 正孔
Claims (7)
- 【請求項1】半導体集積回路の内部相互配線に電流を流
した状態で、半導体集積回路にレーザビームを走査しな
がら照射し、前記内部相互配線に流れる電流の変化を検
知することで、前記内部相互配線の欠陥を検出すること
を特徴とする半導体集積回路内部相互配線の検査方法。 - 【請求項2】前記電流を、輝度の情報に変換して画像表
示し、前記電流変化の検知を画像上で行うことを特徴と
する請求項1記載の半導体集積回路内部相互配線の検査
方法。 - 【請求項3】前記電流変化の検知を行う際に、外部から
前記半導体集積回路の温度制御を行うことで変化前の電
流をできる限り小さくすることにより、前記電流変化の
検出の感度を向上させることを特徴とする請求項1記載
の半導体集積回路内部相互配線の検査方法。 - 【請求項4】前記レーザビームの代わりに電子ビームま
たはイオンビームを用いることを特徴とする請求項1,
2または3記載の半導体集積回路内部相互配線の検査方
法。 - 【請求項5】半導体集積回路の内部相互配線に電流を供
給する手段と、 前記半導体集積回路にレーザビームを走査しながら照射
するレーザビーム照射手段と、 前記内部相互配線に流れる電流の変化を検知し、前記内
部相互配線の欠陥を検出する手段と、を備えることを特
徴とする半導体集積回路内部相互配線の検査装置。 - 【請求項6】前記半導体集積回路の温度制御を行う手段
をさらに備えることを特徴とする半導体集積回路内部相
互配線の検査装置。 - 【請求項7】前記レーザビーム照射手段の代わりに、電
子ビームまたはイオンビーム照射手段を用いることを特
徴とする請求項5または6記載の半導体集積回路内部相
互配線の検査装置。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2765427B2 (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08233909A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Nec Corp | 電子回路の故障診断装置 |
JPH09145795A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-06 | Nec Corp | 半導体デバイスの配線電流観測方法、検査方法および装置 |
JPH09257882A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nec Corp | 半導体デバイスの配線電流観測方法、配線系欠陥検査方法およびその装置 |
US5804980A (en) * | 1994-08-31 | 1998-09-08 | Nec Corporation | Method and system for testing an interconnection in a semiconductor integrated circuit |
US5815002A (en) * | 1995-05-26 | 1998-09-29 | Nec Corporation | Method and device of testing semiconductor integrated circuit chip capable of preventing electron-hole pairs |
US5952837A (en) * | 1995-07-18 | 1999-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Scanning photoinduced current analyzer capable of detecting photoinduced current in nonbiased specimen |
US6072327A (en) * | 1995-05-26 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method and device of testing semiconductor integrated circuit chip capable of preventing electron-hole pairs |
US6320396B1 (en) | 1996-08-07 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Parasitic MIM structural spot analysis method for semiconductor device and parasitic MIM structure spot analysis method for silicon semiconductor device |
US6859061B2 (en) | 2002-07-16 | 2005-02-22 | Renesas Technology Corp. | Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit |
WO2005083490A1 (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | 顕微鏡及び試料観察方法 |
JP2005274381A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | 電磁気的手法による裏面欠陥および材料特性の非破壊検査方法とそのための装置 |
JP2006506629A (ja) * | 2002-11-18 | 2006-02-23 | アプライド マテリアルズ ゲーエムベーハー | 検査体の接触のための装置及び方法 |
JP2006319193A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Nec Electronics Corp | 検査装置及び方法 |
KR100711922B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-04-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 보이드 모니터링 방법 |
US7221502B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-05-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscope and sample observation method |
US7312921B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-12-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscope and sample observation method |
US7359115B2 (en) | 2003-03-20 | 2008-04-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample observation method, microscope, and solid immersion lens, optical contact liquid used in the method |
US7423816B2 (en) | 2003-03-20 | 2008-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid immersion lens and microscope |
US7576928B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-08-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid immersion lens holder |
JP2012138456A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Fujitsu Ltd | 配線構造、半導体装置及び不良箇所特定方法 |
WO2020044707A1 (ja) | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体試料の検査装置及び検査方法 |
WO2021049313A1 (ja) | 2019-09-13 | 2021-03-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体試料の検査装置及び検査方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5686367A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-14 | Nec Corp | Measuring method for characteristic of electronic circuit |
JPH01216548A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Nec Corp | 半導体装置の不良解析装置 |
JPH0572234A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の配線評価方法 |
-
1993
- 1993-04-13 JP JP5085817A patent/JP2765427B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5686367A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-14 | Nec Corp | Measuring method for characteristic of electronic circuit |
JPH01216548A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Nec Corp | 半導体装置の不良解析装置 |
JPH0572234A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の配線評価方法 |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5804980A (en) * | 1994-08-31 | 1998-09-08 | Nec Corporation | Method and system for testing an interconnection in a semiconductor integrated circuit |
JPH08233909A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Nec Corp | 電子回路の故障診断装置 |
US6084423A (en) * | 1995-05-26 | 2000-07-04 | Nec Corporation | Method and device of testing a semiconductor integrated circuit chip in which a voltage across the semiconductor integrated circuit chip is detected while an ultrasonic wave beam is projected thereon |
US5815002A (en) * | 1995-05-26 | 1998-09-29 | Nec Corporation | Method and device of testing semiconductor integrated circuit chip capable of preventing electron-hole pairs |
US6072327A (en) * | 1995-05-26 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method and device of testing semiconductor integrated circuit chip capable of preventing electron-hole pairs |
US6137304A (en) * | 1995-05-26 | 2000-10-24 | Nec Corporation | Method and device of testing semiconductor integrated circuit chip capable of preventing electron-hole pairs |
US5952837A (en) * | 1995-07-18 | 1999-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Scanning photoinduced current analyzer capable of detecting photoinduced current in nonbiased specimen |
US6066956A (en) * | 1995-11-21 | 2000-05-23 | Nec Corporation | Inspection method and wiring current observation method for semiconductor device |
JPH09145795A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-06 | Nec Corp | 半導体デバイスの配線電流観測方法、検査方法および装置 |
US6160407A (en) * | 1995-11-21 | 2000-12-12 | Nec Corporation | Inspection method and wiring current observation method for semiconductor device and apparatus of the same |
JPH09257882A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nec Corp | 半導体デバイスの配線電流観測方法、配線系欠陥検査方法およびその装置 |
US6028435A (en) * | 1996-03-22 | 2000-02-22 | Nec Corporation | Semiconductor device evaluation system using optical fiber |
US6320396B1 (en) | 1996-08-07 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Parasitic MIM structural spot analysis method for semiconductor device and parasitic MIM structure spot analysis method for silicon semiconductor device |
US6859061B2 (en) | 2002-07-16 | 2005-02-22 | Renesas Technology Corp. | Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit |
JP2006506629A (ja) * | 2002-11-18 | 2006-02-23 | アプライド マテリアルズ ゲーエムベーハー | 検査体の接触のための装置及び方法 |
US7221502B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-05-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscope and sample observation method |
US7359115B2 (en) | 2003-03-20 | 2008-04-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample observation method, microscope, and solid immersion lens, optical contact liquid used in the method |
US7423816B2 (en) | 2003-03-20 | 2008-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid immersion lens and microscope |
US7576928B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-08-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid immersion lens holder |
WO2005083490A1 (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | 顕微鏡及び試料観察方法 |
US7110172B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-09-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscope and sample observation method |
US7312921B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-12-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscope and sample observation method |
US7576910B2 (en) | 2004-02-27 | 2009-08-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscope and sample observation method |
JP2005274381A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | 電磁気的手法による裏面欠陥および材料特性の非破壊検査方法とそのための装置 |
JP4713217B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2011-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 検査装置及び方法 |
JP2006319193A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Nec Electronics Corp | 検査装置及び方法 |
KR100711922B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-04-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 보이드 모니터링 방법 |
JP2012138456A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Fujitsu Ltd | 配線構造、半導体装置及び不良箇所特定方法 |
WO2020044707A1 (ja) | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体試料の検査装置及び検査方法 |
KR20210049092A (ko) | 2018-08-30 | 2021-05-04 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 시료의 검사 장치 및 검사 방법 |
US11573251B2 (en) | 2018-08-30 | 2023-02-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor sample inspection device and inspection method |
WO2021049313A1 (ja) | 2019-09-13 | 2021-03-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体試料の検査装置及び検査方法 |
KR20220059935A (ko) | 2019-09-13 | 2022-05-10 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 시료의 검사 장치 및 검사 방법 |
US11927626B2 (en) | 2019-09-13 | 2024-03-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor sample inspection device and inspection method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2765427B2 (ja) | 1998-06-18 |
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