JPH06291587A - 圧電振動子 - Google Patents
圧電振動子Info
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- JPH06291587A JPH06291587A JP4180856A JP18085692A JPH06291587A JP H06291587 A JPH06291587 A JP H06291587A JP 4180856 A JP4180856 A JP 4180856A JP 18085692 A JP18085692 A JP 18085692A JP H06291587 A JPH06291587 A JP H06291587A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 圧電振動子、例えば、水晶振動子の高周波特
性、特に共振周波数が高くても、共振のＱの優れた圧電
振動子の構造を提供することを目的とする。 【構成】 振動時にも前記圧電基板振動部に直接触れな
いだけの空隙をあけて励振用電極を備えたことを特徴と
する圧電振動子。
性、特に共振周波数が高くても、共振のＱの優れた圧電
振動子の構造を提供することを目的とする。 【構成】 振動時にも前記圧電基板振動部に直接触れな
いだけの空隙をあけて励振用電極を備えたことを特徴と
する圧電振動子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波特性に優れた圧
電振動子に関する。
電振動子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信技術の進歩発展によ
り、通信機器の小型、高周波化が進んでいる。これらの
機器には、必ず発振器や高周波のフィルタが必要であ
り、またこれらの発振器や高周波フィルタに圧電振動子
が用いられている。
り、通信機器の小型、高周波化が進んでいる。これらの
機器には、必ず発振器や高周波のフィルタが必要であ
り、またこれらの発振器や高周波フィルタに圧電振動子
が用いられている。
【０００３】従来の圧電振動子、例えば水晶振動子は、
水晶基板を所定の形状に加工した後、その上下両面に電
極を形成し、その電極に交流電界を加えることによって
振動を励振している。移動体通信機器に使用するために
は、高周波で特性の良い水晶振動子が必要である。水晶
振動子の高周波特性として重要なのは、発振周波数と共
振のＱ（損失の逆数に対応）である。水晶の厚み滑り振
動を用いた場合、発振周波数は、水晶振動子の厚みに反
比例する。従来、容易に得られるのは、基本モードで５
０ＭＨｚ以下の発振周波数、水晶振動子の厚みで４０ミ
クロン程度である。発振周波数を高めるためには、水晶
振動子の厚みを薄くしてやれば良い。たとえば５ミクロ
ン程度の厚みにすると、４００ＭＨｚ程度での発振が可
能となる。しかし高周波になるに従い、共振のＱが低下
する。これは一つには、高周波になるに従い電極で表皮
効果が生じ、電極損失が増すことによる。またもう一つ
の原因は、振動部分が薄くなるにつれ、電極の重みが、
損失に効いてくることによる。そのため電極抵抗低減の
ために電極の厚みを厚くすることに限界がある。したが
って、単に研磨などにより、水晶を薄く加工しても、発
振周波数は高くなるが、共振のＱが低下するため、高周
波における性能の良好なものが得られない。
水晶基板を所定の形状に加工した後、その上下両面に電
極を形成し、その電極に交流電界を加えることによって
振動を励振している。移動体通信機器に使用するために
は、高周波で特性の良い水晶振動子が必要である。水晶
振動子の高周波特性として重要なのは、発振周波数と共
振のＱ（損失の逆数に対応）である。水晶の厚み滑り振
動を用いた場合、発振周波数は、水晶振動子の厚みに反
比例する。従来、容易に得られるのは、基本モードで５
０ＭＨｚ以下の発振周波数、水晶振動子の厚みで４０ミ
クロン程度である。発振周波数を高めるためには、水晶
振動子の厚みを薄くしてやれば良い。たとえば５ミクロ
ン程度の厚みにすると、４００ＭＨｚ程度での発振が可
能となる。しかし高周波になるに従い、共振のＱが低下
する。これは一つには、高周波になるに従い電極で表皮
効果が生じ、電極損失が増すことによる。またもう一つ
の原因は、振動部分が薄くなるにつれ、電極の重みが、
損失に効いてくることによる。そのため電極抵抗低減の
ために電極の厚みを厚くすることに限界がある。したが
って、単に研磨などにより、水晶を薄く加工しても、発
振周波数は高くなるが、共振のＱが低下するため、高周
波における性能の良好なものが得られない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の圧電振動子の構
造では、高周波化のため圧電振動子の厚みを薄くする
と、損失が増すため共振のＱが低下し、実質的に５００
ＭＨｚを越えるような高周波で動作する特性の良好な圧
電振動子を得ることが困難であった。また長期の信頼性
を確保するのに、圧電振動部を気密封止することが必要
なため、さらに容器に収納することが必要であり、形状
が大きくなった。
造では、高周波化のため圧電振動子の厚みを薄くする
と、損失が増すため共振のＱが低下し、実質的に５００
ＭＨｚを越えるような高周波で動作する特性の良好な圧
電振動子を得ることが困難であった。また長期の信頼性
を確保するのに、圧電振動部を気密封止することが必要
なため、さらに容器に収納することが必要であり、形状
が大きくなった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、交流電界印加により振動する部分を有する圧電振動
基体と、交流電界印加励振用電極を有する保持部からな
り、前記励振用電極が前記振動部近傍にあってかつ振動
時にも前記振動部に直接触れないだけの空隙を有するよ
うに、前記保持部一部に凹部を設け、該凹部内に励振用
電極を設けて前記振動基体と前記保持部を固定したり、
前記振動基体と前記励振電極保持部との間に適当なスペ
ーサーをいれて固定したり、前記振動基体一部に肉厚部
を設け、該肉厚部と前記保持部とを固定したりするよう
にしたものである。
め、交流電界印加により振動する部分を有する圧電振動
基体と、交流電界印加励振用電極を有する保持部からな
り、前記励振用電極が前記振動部近傍にあってかつ振動
時にも前記振動部に直接触れないだけの空隙を有するよ
うに、前記保持部一部に凹部を設け、該凹部内に励振用
電極を設けて前記振動基体と前記保持部を固定したり、
前記振動基体と前記励振電極保持部との間に適当なスペ
ーサーをいれて固定したり、前記振動基体一部に肉厚部
を設け、該肉厚部と前記保持部とを固定したりするよう
にしたものである。
【０００６】
【作用】上記のような構成とすることにより、高周波に
おいても共振のＱに優れ、また小型の圧電振動子が得ら
れる。
おいても共振のＱに優れ、また小型の圧電振動子が得ら
れる。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例の圧電振動子の構成とそ
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０００８】（実施例１）本実施例の圧電振動子の構造
の第１の例を図１に示す。図１（ａ）は本実施例の構造
の断面図であり、１は振動基体を構成する圧電基板で、
例えば水晶基板、２は中央部および引出し電極形成部に
凹部を設けた保持部、３、３’は保持部２の凹部に設け
られた上下の水晶振動子励振用の引出し部を含む浮き電
極、４、４’は水晶基板１の振動部と励振用浮き電極
３、３’の間の空隙である。図１（ｂ）は、図１（ａ）
の構成例を上から見た図である。上下の励振用電極３、
３’は振動部では対向し、電極引出し部では、上下それ
ぞれ異なる方向に引出す構成となっている。また電極引
出し部の保持部はやはり凹部となっており、固定時に引
出し電極の段差が障害とならないようにしている。５、
５’は励振用電極と引出し部を経て接続された取り出し
電極部で、電極表面が外部に露出しており、これにより
外部回路と接続することができる。
の第１の例を図１に示す。図１（ａ）は本実施例の構造
の断面図であり、１は振動基体を構成する圧電基板で、
例えば水晶基板、２は中央部および引出し電極形成部に
凹部を設けた保持部、３、３’は保持部２の凹部に設け
られた上下の水晶振動子励振用の引出し部を含む浮き電
極、４、４’は水晶基板１の振動部と励振用浮き電極
３、３’の間の空隙である。図１（ｂ）は、図１（ａ）
の構成例を上から見た図である。上下の励振用電極３、
３’は振動部では対向し、電極引出し部では、上下それ
ぞれ異なる方向に引出す構成となっている。また電極引
出し部の保持部はやはり凹部となっており、固定時に引
出し電極の段差が障害とならないようにしている。５、
５’は励振用電極と引出し部を経て接続された取り出し
電極部で、電極表面が外部に露出しており、これにより
外部回路と接続することができる。
【０００９】浮き電極３、３’は、空隙４、４’により
振動時にも水晶基板振動部に直接接触しない構成となっ
ており、かつ水晶基板振動部近傍に設けられているの
で、上下電極間に電界を加えると、水晶振動部に強電界
が加わるようになっている。このような構造とすること
により、高周波でも共振のＱの極めて良い水晶振動子が
得られた。例えば、各部分の寸法として、水晶基板の厚
みを４ミクロン、凹部の深さをを３ミクロン、励振用浮
き電極の厚みを、２ミクロン、空隙を、１ミクロンとし
た場合、共振周波数約５００ＭＨｚ、Ｑとして、約１
０，０００が得られた。空隙を設けなかった場合のＱ
は、約５，０００であり、このような構造とすることに
より、高周波の損失が大幅に改善された。
振動時にも水晶基板振動部に直接接触しない構成となっ
ており、かつ水晶基板振動部近傍に設けられているの
で、上下電極間に電界を加えると、水晶振動部に強電界
が加わるようになっている。このような構造とすること
により、高周波でも共振のＱの極めて良い水晶振動子が
得られた。例えば、各部分の寸法として、水晶基板の厚
みを４ミクロン、凹部の深さをを３ミクロン、励振用浮
き電極の厚みを、２ミクロン、空隙を、１ミクロンとし
た場合、共振周波数約５００ＭＨｚ、Ｑとして、約１
０，０００が得られた。空隙を設けなかった場合のＱ
は、約５，０００であり、このような構造とすることに
より、高周波の損失が大幅に改善された。
【００１０】（実施例２）本実施例の圧電振動子の構造
の第２の例を図２に示す。図２において、１−５の各部
の名称と機能は実施例１と同様である。図２（ａ）は本
実施例の構造の断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）
の構成例を上から見た図である。図２（ａ）において、
６、６’は励振用電極と振動部との空隙を保つためのス
ペイサーであり、上面、下面のそれぞれにある。電極の
引出し部にはスペイサーはない。スペイサーはガラスな
どのビーズ（小球）で空隙の高さを設定し、接着剤など
で固定したものである。浮き電極３、３’は、空隙４、
４’により振動時にも水晶基板振動部に直接接触しない
構成となっており、かつ水晶基板振動部近傍に設けられ
ているので、上下電極間に電界を加えると、水晶振動部
に強電界が加わるようになっている。このような構造と
することにより、高周波でも共振のＱの極めて良い水晶
振動子が得られた。例えば、各部分の寸法として、水晶
基板の厚みを４ミクロン、スペイサーの厚みを３ミクロ
ン、励振用浮き電極の厚みを、２ミクロン、空隙を、１
ミクロンとした場合、共振周波数約５００ＭＨｚ、Ｑと
して、約１０，０００が得られた。空隙を設けなかった
場合のＱは、約５，０００であり、このような構造とす
ることにより、高周波の損失が大幅に改善された。
の第２の例を図２に示す。図２において、１−５の各部
の名称と機能は実施例１と同様である。図２（ａ）は本
実施例の構造の断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）
の構成例を上から見た図である。図２（ａ）において、
６、６’は励振用電極と振動部との空隙を保つためのス
ペイサーであり、上面、下面のそれぞれにある。電極の
引出し部にはスペイサーはない。スペイサーはガラスな
どのビーズ（小球）で空隙の高さを設定し、接着剤など
で固定したものである。浮き電極３、３’は、空隙４、
４’により振動時にも水晶基板振動部に直接接触しない
構成となっており、かつ水晶基板振動部近傍に設けられ
ているので、上下電極間に電界を加えると、水晶振動部
に強電界が加わるようになっている。このような構造と
することにより、高周波でも共振のＱの極めて良い水晶
振動子が得られた。例えば、各部分の寸法として、水晶
基板の厚みを４ミクロン、スペイサーの厚みを３ミクロ
ン、励振用浮き電極の厚みを、２ミクロン、空隙を、１
ミクロンとした場合、共振周波数約５００ＭＨｚ、Ｑと
して、約１０，０００が得られた。空隙を設けなかった
場合のＱは、約５，０００であり、このような構造とす
ることにより、高周波の損失が大幅に改善された。
【００１１】（実施例３）本実施例の圧電振動子の構造
の第３の例を図３に示す。図３において、１−５の各部
の名称と機能は実施例１と同様である。図３（ａ）は本
実施例の構造の断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）
の構成例を上から見た図である。図３（ａ）において、
７は励振用電極と振動部との空隙を保つために振動基体
１の周辺部の適当な箇所に設けた肉厚部である。電極取
り出し部は肉厚にしていない。
の第３の例を図３に示す。図３において、１−５の各部
の名称と機能は実施例１と同様である。図３（ａ）は本
実施例の構造の断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）
の構成例を上から見た図である。図３（ａ）において、
７は励振用電極と振動部との空隙を保つために振動基体
１の周辺部の適当な箇所に設けた肉厚部である。電極取
り出し部は肉厚にしていない。
【００１２】浮き電極３、３’は、空隙４、４’により
振動時にも水晶基板振動部に直接接触しない構成となっ
ており、かつ水晶基板振動部近傍に設けられているの
で、上下電極間に電界を加えると、水晶振動部に強電界
が加わるようになっている。このような構造とすること
により、高周波でも共振のＱの極めて良い水晶振動子が
得られた。例えば、各部分の寸法として、水晶基板の振
動部厚みを４ミクロン、肉厚部の厚みを上下面それぞれ
３ミクロン厚くして、合計１０ミクロン、励振用浮き電
極の厚みを、２ミクロン、空隙を、１ミクロンとした場
合、共振周波数約５００ＭＨｚ、Ｑとして、約１０，０
００が得られた。空隙を設けなかった場合のＱは、約
５、０００であり、このような構造とすることにより、
高周波の損失が大幅に改善された。
振動時にも水晶基板振動部に直接接触しない構成となっ
ており、かつ水晶基板振動部近傍に設けられているの
で、上下電極間に電界を加えると、水晶振動部に強電界
が加わるようになっている。このような構造とすること
により、高周波でも共振のＱの極めて良い水晶振動子が
得られた。例えば、各部分の寸法として、水晶基板の振
動部厚みを４ミクロン、肉厚部の厚みを上下面それぞれ
３ミクロン厚くして、合計１０ミクロン、励振用浮き電
極の厚みを、２ミクロン、空隙を、１ミクロンとした場
合、共振周波数約５００ＭＨｚ、Ｑとして、約１０，０
００が得られた。空隙を設けなかった場合のＱは、約
５、０００であり、このような構造とすることにより、
高周波の損失が大幅に改善された。
【００１３】（実施例４）本実施例の圧電振動子の構造
の第４の例を図４に示す。図４において、１−５の各部
の名称と機能は実施例１と同様である。図４（ａ）は本
実施例の構造の断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）
の構成例を上から見た図である。図４（ｂ）において、
８、８’は電極引出し部の空隙を埋めた樹脂であり、こ
れにより振動部は気密封止構造となっている。
の第４の例を図４に示す。図４において、１−５の各部
の名称と機能は実施例１と同様である。図４（ａ）は本
実施例の構造の断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）
の構成例を上から見た図である。図４（ｂ）において、
８、８’は電極引出し部の空隙を埋めた樹脂であり、こ
れにより振動部は気密封止構造となっている。
【００１４】電極構造は実施例１と全く同様であり、そ
の浮き電極としての効果も全く同様である。この場合に
はさらに樹脂８、８’により外部への電極取り出し部の
空隙を埋めており、他の部分は固定部で接着または直接
接合により気密封止されていることから、これにより振
動部が気密封止されたことになり、新たに容器に収納す
る必要がなく小型になるという効果が得られた。
の浮き電極としての効果も全く同様である。この場合に
はさらに樹脂８、８’により外部への電極取り出し部の
空隙を埋めており、他の部分は固定部で接着または直接
接合により気密封止されていることから、これにより振
動部が気密封止されたことになり、新たに容器に収納す
る必要がなく小型になるという効果が得られた。
【００１５】樹脂の代わりにガラスで封じても同様の効
果が得られた。また実施例２および３で示したと同じ構
造のものに、本実施例と同様にして樹脂またはガラスに
より気密封止することにより、本実施例と同様の効果が
得られた。
果が得られた。また実施例２および３で示したと同じ構
造のものに、本実施例と同様にして樹脂またはガラスに
より気密封止することにより、本実施例と同様の効果が
得られた。
【００１６】（実施例５）本実施例の圧電振動子の構造
の第５の例を図５に示す。図５において、１−５および
７の各部の名称と機能は実施例３と同様である。図５
（ａ）は本実施例の構造の断面図であり、図５（ｂ）は
図５（ａ）の構成例を上から見た図である。図５（ａ）
において、９は水晶振動基体の振動部周辺に設けた振動
部よりも肉薄部である。このような構成とすることによ
り、振動エネルギーの振動部への閉じこめがよりよくな
り、電気特性としてほぼ実施例３と同様の性能を得つつ
さらに不要振動モードであるスプリアスが低減するとい
う効果が見られた。
の第５の例を図５に示す。図５において、１−５および
７の各部の名称と機能は実施例３と同様である。図５
（ａ）は本実施例の構造の断面図であり、図５（ｂ）は
図５（ａ）の構成例を上から見た図である。図５（ａ）
において、９は水晶振動基体の振動部周辺に設けた振動
部よりも肉薄部である。このような構成とすることによ
り、振動エネルギーの振動部への閉じこめがよりよくな
り、電気特性としてほぼ実施例３と同様の性能を得つつ
さらに不要振動モードであるスプリアスが低減するとい
う効果が見られた。
【００１７】肉薄部の厚みは、少なくとも振動部よりも
薄ければスプリアス低減の効果が見られた。
薄ければスプリアス低減の効果が見られた。
【００１８】（実施例６）本実施例の製造方法の第１の
例を示す。まず厚み４０ミクロンの水晶基板を用意し、
取り扱いのため厚くしておく部分を両面から金属膜、例
えばＣｒなどでマスクした。このＣｒマスクを用い、弗
酸系のエッチング液で、この水晶基板の一部に非常に厚
みの薄い部分を形成した。エッチング時の温度と時間を
厳密に制御することにより、この肉薄部の厚みを、例え
ば４ミクロンに加工することができた。次に別途水晶板
を用意し、やはり同様のマスクとエッチングにより、周
辺部が厚く真ん中に凹部のある電極保持用水晶板を作成
した。マスクは形状加工の後、Ｃｒのエッチング液によ
り除去した。寸法としては例えば、周辺部の厚みが１０
０ミクロン、凹部の厚みが９７ミクロン、すなわちへこ
みが３ミクロンであり、また凹部は円形にし、その直径
として、例えば０．５ｍｍ、凸部を含んで１ｍｍという
ような形状に加工した。次に通常の真空蒸着、ホトリソ
グラフィーとエッチングまたはリフトオフ技術により、
その凹部内に励振用電極および引き出し用電極を形成し
た。励振用電極の直径は例えば３００ミクロンとした。
凹部の形は引き出し用電極を形成できるように加工して
おいた。電極としては例えば金を用い厚み２ミクロンと
した。このような電極保持部を２組形成した。次に先に
形成法を述べた肉薄部を有する水晶基板と後で述べた電
極保持用水晶基板の各水晶表面を親水処理した。具体的
には、弗酸で表面を軽く洗浄し、純水に数分浸すことに
より親水処理ができる。このように親水処理した後、水
晶基板肉薄部分を励振用電極が水晶基板肉薄部をはさん
で対向するようにして電極保持用水晶基板で上下からは
さんだ。このようにすると重ね合わせた部分表面に付着
した水酸基により重ね合わせ面が強く吸着した。そのま
まの状態で熱処理を行った。熱処理温度を上げていくと
重ね合わせ面から次第に水が抜けていき、水晶の構成元
素である酸素と珪素の結合が形成され接合された。その
後、取り扱いのために設けていた肉厚部を除去すること
により、実施例１に示した構造の水晶を用いた圧電振動
子が得られた。すなわち振動部分の厚みが４ミクロン、
電極の厚みが２ミクロン、空隙が１ミクロンである。し
たがって特性として実施例１に示した高周波のＱに優れ
た圧電振動子が得られた。
例を示す。まず厚み４０ミクロンの水晶基板を用意し、
取り扱いのため厚くしておく部分を両面から金属膜、例
えばＣｒなどでマスクした。このＣｒマスクを用い、弗
酸系のエッチング液で、この水晶基板の一部に非常に厚
みの薄い部分を形成した。エッチング時の温度と時間を
厳密に制御することにより、この肉薄部の厚みを、例え
ば４ミクロンに加工することができた。次に別途水晶板
を用意し、やはり同様のマスクとエッチングにより、周
辺部が厚く真ん中に凹部のある電極保持用水晶板を作成
した。マスクは形状加工の後、Ｃｒのエッチング液によ
り除去した。寸法としては例えば、周辺部の厚みが１０
０ミクロン、凹部の厚みが９７ミクロン、すなわちへこ
みが３ミクロンであり、また凹部は円形にし、その直径
として、例えば０．５ｍｍ、凸部を含んで１ｍｍという
ような形状に加工した。次に通常の真空蒸着、ホトリソ
グラフィーとエッチングまたはリフトオフ技術により、
その凹部内に励振用電極および引き出し用電極を形成し
た。励振用電極の直径は例えば３００ミクロンとした。
凹部の形は引き出し用電極を形成できるように加工して
おいた。電極としては例えば金を用い厚み２ミクロンと
した。このような電極保持部を２組形成した。次に先に
形成法を述べた肉薄部を有する水晶基板と後で述べた電
極保持用水晶基板の各水晶表面を親水処理した。具体的
には、弗酸で表面を軽く洗浄し、純水に数分浸すことに
より親水処理ができる。このように親水処理した後、水
晶基板肉薄部分を励振用電極が水晶基板肉薄部をはさん
で対向するようにして電極保持用水晶基板で上下からは
さんだ。このようにすると重ね合わせた部分表面に付着
した水酸基により重ね合わせ面が強く吸着した。そのま
まの状態で熱処理を行った。熱処理温度を上げていくと
重ね合わせ面から次第に水が抜けていき、水晶の構成元
素である酸素と珪素の結合が形成され接合された。その
後、取り扱いのために設けていた肉厚部を除去すること
により、実施例１に示した構造の水晶を用いた圧電振動
子が得られた。すなわち振動部分の厚みが４ミクロン、
電極の厚みが２ミクロン、空隙が１ミクロンである。し
たがって特性として実施例１に示した高周波のＱに優れ
た圧電振動子が得られた。
【００１９】（実施例７）本実施例の製造方法の他の例
を示す。水晶基板に厚み４ミクロンの肉薄部を形成する
ところまでは実施例６と同様である。次に別の水晶基板
平板に励振用電極と電極引出し部を、やはり実施例６と
同様の方法により形成した。次に直径３ミクロンのガラ
スのビーズをスペイサーとして、肉薄部を上下から励振
用電極が対向するようにして電極保持用水晶基板ではさ
み、スペイサー部に接着剤を入れて固定した。接着剤と
しては、エポキシ系接着剤あるいは低融点ガラスを用い
加熱硬化または接着させた。励振用電極の厚みを２ミク
ロンとすることにより、空隙を１ミクロンにすることが
でき、実施例２に示す構造の圧電振動子が得られた。
を示す。水晶基板に厚み４ミクロンの肉薄部を形成する
ところまでは実施例６と同様である。次に別の水晶基板
平板に励振用電極と電極引出し部を、やはり実施例６と
同様の方法により形成した。次に直径３ミクロンのガラ
スのビーズをスペイサーとして、肉薄部を上下から励振
用電極が対向するようにして電極保持用水晶基板ではさ
み、スペイサー部に接着剤を入れて固定した。接着剤と
しては、エポキシ系接着剤あるいは低融点ガラスを用い
加熱硬化または接着させた。励振用電極の厚みを２ミク
ロンとすることにより、空隙を１ミクロンにすることが
でき、実施例２に示す構造の圧電振動子が得られた。
【００２０】（実施例８）本実施例の製造方法の他の例
を示す。水晶基板に４０ミクロンの基板を用い、実施例
６と同様の方法でまず厚み１０ミクロンの部分を形成し
た。さらに同じ手法を繰り返し、１０ミクロン部の中
に、さらに厚みが４ミクロンの肉薄部を形成した。次に
別の水晶基板平板に励振用電極と電極引出し部を、やは
り実施例６と同様の方法により形成した。次に各水晶基
板表面を実施例６と同様の方法により親水処理した。次
に先に述べた１０ミクロン部分に電極保持用水晶基板を
のせ、水晶肉薄部を挟んで、電極が対向するように配置
して、実施例６と同様の方法により接合した。これによ
り実施例３に示す構造の圧電振動子が得られた。
を示す。水晶基板に４０ミクロンの基板を用い、実施例
６と同様の方法でまず厚み１０ミクロンの部分を形成し
た。さらに同じ手法を繰り返し、１０ミクロン部の中
に、さらに厚みが４ミクロンの肉薄部を形成した。次に
別の水晶基板平板に励振用電極と電極引出し部を、やは
り実施例６と同様の方法により形成した。次に各水晶基
板表面を実施例６と同様の方法により親水処理した。次
に先に述べた１０ミクロン部分に電極保持用水晶基板を
のせ、水晶肉薄部を挟んで、電極が対向するように配置
して、実施例６と同様の方法により接合した。これによ
り実施例３に示す構造の圧電振動子が得られた。
【００２１】（実施例９）本実施例の製造方法の他の例
を示す。実施例６に示した方法において、電極保持用基
板として水晶の代わりにシリコンまたはガラスを用いて
同様の方法を実施した。シリコンも構成元素が珪素であ
り、またガラスも主成分が珪素および酸素であるため、
実施例６で示したと同じように、弗酸系エッチング液と
純水を用いた親水処理後の熱処理により直接接合が可能
であった。したがって実施例１と同じ構造が実現でき、
良好な高周波特性が得られた。
を示す。実施例６に示した方法において、電極保持用基
板として水晶の代わりにシリコンまたはガラスを用いて
同様の方法を実施した。シリコンも構成元素が珪素であ
り、またガラスも主成分が珪素および酸素であるため、
実施例６で示したと同じように、弗酸系エッチング液と
純水を用いた親水処理後の熱処理により直接接合が可能
であった。したがって実施例１と同じ構造が実現でき、
良好な高周波特性が得られた。
【００２２】（実施例１０）本実施例の製造方法の他の
例を示す。実施例８に示した方法において、電極保持用
基板として水晶の代わりにシリコンまたはガラスを用い
て同様の方法を実施した。この場合も、実施例９と同
様、シリコンの構成元素が珪素であり、またガラスの主
成分が珪素および酸素であることから、実施例８で示し
たと同じように親水処理後の熱処理により直接接合が可
能であった。したがって実施例３と同じ構造が実現で
き、良好な高周波特性が得られた。
例を示す。実施例８に示した方法において、電極保持用
基板として水晶の代わりにシリコンまたはガラスを用い
て同様の方法を実施した。この場合も、実施例９と同
様、シリコンの構成元素が珪素であり、またガラスの主
成分が珪素および酸素であることから、実施例８で示し
たと同じように親水処理後の熱処理により直接接合が可
能であった。したがって実施例３と同じ構造が実現で
き、良好な高周波特性が得られた。
【００２３】（実施例１１）本実施例の製造方法の他の
例を示す。実施例６から８に示した方法において圧電振
動子の構造を得た後、窒素雰囲気もしくは不活性ガス雰
囲気で電極引出し部の空隙をエポキシ系樹脂もしくは低
融点ガラスにより密閉した。実施例６から８で示した直
接接合部あるいは接着剤による封止部は十分気密性があ
るため、電極引出し部の空隙を封止することにより、振
動部を気密封止することができた。このような構造とす
ることにより長期間環境の変化に対して安定な圧電振動
子が得られた。
例を示す。実施例６から８に示した方法において圧電振
動子の構造を得た後、窒素雰囲気もしくは不活性ガス雰
囲気で電極引出し部の空隙をエポキシ系樹脂もしくは低
融点ガラスにより密閉した。実施例６から８で示した直
接接合部あるいは接着剤による封止部は十分気密性があ
るため、電極引出し部の空隙を封止することにより、振
動部を気密封止することができた。このような構造とす
ることにより長期間環境の変化に対して安定な圧電振動
子が得られた。
【００２４】実施例では、電極として金を用い、代表的
な膜厚として、２ミクロンとしたが、電極としては、こ
れ以外にも通常の金属、例えばチタン、白金、銅、銀、
タングステン、ニッケルなどを用いても同じように構成
できる。また空隙形成は１ミクロンとしたが、真空蒸着
や凹部、肉薄部形成のエッチングを制御することによ
り、これより大きくしたり小さくしたりすることも可能
であった。
な膜厚として、２ミクロンとしたが、電極としては、こ
れ以外にも通常の金属、例えばチタン、白金、銅、銀、
タングステン、ニッケルなどを用いても同じように構成
できる。また空隙形成は１ミクロンとしたが、真空蒸着
や凹部、肉薄部形成のエッチングを制御することによ
り、これより大きくしたり小さくしたりすることも可能
であった。
【００２５】水晶基板の最初の厚みは、実施例では４０
ミクロンを用いたが、もちろんこれに限定されるわけで
はなく、もっと厚くても、また取扱いに支障をきたさな
い範囲で、もっと薄くても良かった。また水晶振動子部
分の厚みとして、実施例では、４ミクロンの例を示した
が、さらに厚くても、薄くても同じような構造を形成す
ることができた。
ミクロンを用いたが、もちろんこれに限定されるわけで
はなく、もっと厚くても、また取扱いに支障をきたさな
い範囲で、もっと薄くても良かった。また水晶振動子部
分の厚みとして、実施例では、４ミクロンの例を示した
が、さらに厚くても、薄くても同じような構造を形成す
ることができた。
【００２６】また実施例１、３などに示した、圧電振動
子にも保持部にも水晶を用い、その直接接合で固定した
ものでは、振動部と保持部の熱膨張率をほぼ同じに選べ
ることから、温度変化に対して極めて安定な素子が得ら
れた。保持部にガラスを用いた場合、圧電振動子に用い
る材料がいろいろ変わっても、ガラスの熱膨張率の選択
の範囲が広いので、熱膨張率をあわせることが比較的容
易であり、やはり温度変化に対して安定な素子を得るこ
とができた。
子にも保持部にも水晶を用い、その直接接合で固定した
ものでは、振動部と保持部の熱膨張率をほぼ同じに選べ
ることから、温度変化に対して極めて安定な素子が得ら
れた。保持部にガラスを用いた場合、圧電振動子に用い
る材料がいろいろ変わっても、ガラスの熱膨張率の選択
の範囲が広いので、熱膨張率をあわせることが比較的容
易であり、やはり温度変化に対して安定な素子を得るこ
とができた。
【００２７】また本実施例では、スペイサーの例とし
て、ガラスビーズを用いたが、これ以外に、セラミック
スやプラスチックなどを用いても良い。
て、ガラスビーズを用いたが、これ以外に、セラミック
スやプラスチックなどを用いても良い。
【００２８】また本実施例では、圧電基板の例として水
晶を示したが、保持部との固定に接着剤を用いる方法で
あれば、いずれの圧電材料にたいしても同様な構造と浮
き電極の効果を得ることができた。例えばニオブ酸リチ
ウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、ほう酸リチウム
でも同じような構成と効果が得られた。
晶を示したが、保持部との固定に接着剤を用いる方法で
あれば、いずれの圧電材料にたいしても同様な構造と浮
き電極の効果を得ることができた。例えばニオブ酸リチ
ウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、ほう酸リチウム
でも同じような構成と効果が得られた。
【００２９】また本実施例では、保持基板として、水
晶、シリコンおよびガラスの例を示したが、保持部との
接着に接着剤を用いれば他の基板を用いても励振電極を
浮かせた構造の効果がほぼ同じように得られることは明
らかである。
晶、シリコンおよびガラスの例を示したが、保持部との
接着に接着剤を用いれば他の基板を用いても励振電極を
浮かせた構造の効果がほぼ同じように得られることは明
らかである。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような構成から
成るので、以下に記載されるような効果を示す。
成るので、以下に記載されるような効果を示す。
【００３１】いずれの実施例においても、まず第１に、
圧電振動部分と励振用電極が直接接触しないだけの空隙
をあけて設けられているので、高周波になっても電極損
失にまつわる共振のＱの低下が少なく、高周波共振特性
が大幅に向上した。
圧電振動部分と励振用電極が直接接触しないだけの空隙
をあけて設けられているので、高周波になっても電極損
失にまつわる共振のＱの低下が少なく、高周波共振特性
が大幅に向上した。
【００３２】また実施例４の構造にした場合、気密封止
まで考えた時の素子大きさを大幅に小型化することがで
きた。
まで考えた時の素子大きさを大幅に小型化することがで
きた。
【００３３】また実施例５の構造にした場合、Ｑのより
一層の向上およびスプリアスの低減が見られた。
一層の向上およびスプリアスの低減が見られた。
【００３４】また圧電振動子と同じ素材もしくは熱膨張
率の近い材料で保持部を構成し、その材料の直接接合を
行うことにより、温度変化に対する特性の安定性を向上
させることができた。
率の近い材料で保持部を構成し、その材料の直接接合を
行うことにより、温度変化に対する特性の安定性を向上
させることができた。
【図１】本発明の第１の実施例の構成図
【図２】本発明の第２の実施例の構成図
【図３】本発明の第３の実施例の構成図
【図４】本発明の第４の実施例の構成図
【図５】本発明の第５の実施例の構成図
１ 圧電振動基体 ２、２’ 励振電極保持部 ３、３’ 励振用浮き電極 ４、４’ 空隙 ５、５’ 取り出し電極部 ６、６’ スペイサー ７ 保持部肉厚部 ８、８’ 気密封止用樹脂 ９ 圧電振動部周辺肉薄部
Claims (6)
- 【請求項１】交流電界印加により振動する部分を有する
圧電振動基体と、一部に凹部を有し該凹部内に交流電界
印加励振用電極を有する保持部からなり、前記励振用電
極が前記振動部近傍にあってかつ振動時にも前記振動部
に直接触れないだけの空隙を有するように、前記振動基
体と前記保持部を固定していることを特徴とする圧電振
動子。 - 【請求項２】交流電界印加により振動する部分を有する
圧電振動基体と、交流電界印加励振用電極を有する保持
部からなり、前記励振用電極が前記振動部近傍にあって
かつ振動時にも前記振動部に直接触れないだけの空隙を
有するように、前記振動基体と前記保持部間にスペイサ
ーを入れて固定していることを特徴とする圧電振動子。 - 【請求項３】一部に振動部よりも厚い部分を有する交流
電界印加により振動する部分を有する圧電振動基体と、
交流電界印加励振用電極を有する保持部からなり、前記
励振用電極が振動部近傍にあってかつ振動時にも前記振
動部に直接触れないだけの空隙を有するように、前記振
動基体肉厚部と前記電極保持部の一部とを固定している
ことを特徴とする圧電振動子。 - 【請求項４】圧電振動基体に水晶を用い、励振用電極保
持部に水晶またはガラスまたはシリコンを用い、前記振
動基体と前記電極保持部との固定が、前記両者の表面親
水処理および熱処理による直接接合によって行われてい
ることを特徴とする請求項１または３記載の圧電振動
子。 - 【請求項５】圧電振動基体と保持部の固定部および取り
出し電極部の空隙封止物によって前記振動部が気密封止
されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか
に記載の圧電振動子。 - 【請求項６】圧電振動基体振動部の厚みを該振動部周辺
部よりも厚くすることにより、振動エネルギーを閉じこ
めたことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載
の圧電振動子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4180856A JPH06291587A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 圧電振動子 |
| EP97110176A EP0797300B1 (en) | 1992-07-08 | 1993-07-08 | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof |
| DE69322819T DE69322819T2 (de) | 1992-07-08 | 1993-07-08 | Piezoelektrischer Schwinger und sein Herstellungsverfahren |
| EP93110915A EP0580025B1 (en) | 1992-07-08 | 1993-07-08 | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof |
| DE69330499T DE69330499T2 (de) | 1992-07-08 | 1993-07-08 | Piezoelektrischer Resonator und Herstellungsverfahren derselben |
| US08/424,648 US5548178A (en) | 1992-07-08 | 1995-04-19 | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4180856A JPH06291587A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 圧電振動子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291587A true JPH06291587A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=16090561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4180856A Pending JPH06291587A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 圧電振動子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5548178A (ja) |
| EP (2) | EP0580025B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06291587A (ja) |
| DE (2) | DE69322819T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118440A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-19 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電振動子 |
| KR20020038197A (ko) * | 2000-11-16 | 2002-05-23 | 박명수 | 압전소자를 이용한 골도 보청기용 진동자 |
| JP2007181105A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP2007274347A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kyocera Kinseki Corp | ラーメモード水晶振動子およびその製造方法 |
| JP2009272708A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子及び電子部品 |
| JP2012134786A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| JP2016517652A (ja) * | 2013-03-11 | 2016-06-16 | ノキア テクノロジーズ オーユー | 共振周波数をチューニングする装置及び方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06350376A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気密封止された圧電デバイスおよび気密封止パッケージ |
| US5686779A (en) * | 1995-03-01 | 1997-11-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High sensitivity temperature sensor and sensor array |
| US6016025A (en) * | 1997-05-15 | 2000-01-18 | M-Tron Industries, Inc. | Selected overtone resonator with channels |
| JP3731348B2 (ja) * | 1998-06-09 | 2006-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 圧電振動子 |
| JP2000252786A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動素子 |
| US6654711B1 (en) | 1999-06-15 | 2003-11-25 | Seiko Epson Corporation | Correction factors for the analysis of piezoelectric devices |
| US6658376B1 (en) | 1999-06-15 | 2003-12-02 | Seiko Epson Corporation | Determination of vibration frequency characteristics of electroded crystal plate |
| DE19928179B4 (de) * | 1999-06-19 | 2008-07-31 | Robert Bosch Gmbh | Piezoaktor |
| DE19928190A1 (de) * | 1999-06-19 | 2001-01-11 | Bosch Gmbh Robert | Piezoaktor |
| US6984571B1 (en) | 1999-10-01 | 2006-01-10 | Ziptronix, Inc. | Three dimensional device integration method and integrated device |
| US6500694B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-12-31 | Ziptronix, Inc. | Three dimensional device integration method and integrated device |
| US6902987B1 (en) * | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
| US6563133B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-05-13 | Ziptronix, Inc. | Method of epitaxial-like wafer bonding at low temperature and bonded structure |
| US6628048B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-09-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Crystal oscillator with improved shock resistance |
| US6958566B2 (en) * | 2001-08-16 | 2005-10-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Mechanical resonator device having phenomena-dependent electrical stiffness |
| US7109092B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-09-19 | Ziptronix, Inc. | Method of room temperature covalent bonding |
| US7990025B1 (en) * | 2004-09-01 | 2011-08-02 | Pablo Ferreiro | Silicon package with embedded oscillator |
| JP4997780B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2012-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動片の製造方法 |
| US20060284628A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Jiun-Der Yu | Super element for the prediction of viscosity effect on crystal plate |
| US7568377B2 (en) * | 2005-07-28 | 2009-08-04 | University Of South Florida | High frequency thickness shear mode acoustic wave sensor for gas and organic vapor detection |
| EP2015449A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-14 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Packaging for piezoelectric resonator |
| US8242664B2 (en) * | 2008-12-26 | 2012-08-14 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Elastic wave device and electronic component |
| US20130235001A1 (en) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Piezoelectric resonator with airgap |
| WO2015084456A2 (en) * | 2013-09-18 | 2015-06-11 | The Regents Of The University Of California | Tunable q resonator |
| WO2017075413A1 (en) | 2015-10-28 | 2017-05-04 | Georgia Tech Research Corporation | Comb-driven substrate decoupled annulus pitch/roll baw gyroscope with slanted quadrature tuning electrode |
| WO2018057071A1 (en) * | 2016-06-07 | 2018-03-29 | Georgia Tech Research Corporation | Pitch/roll annulus gyroscope with slanted quadrature tuning electrodes and related fabrication methods |
| CN109668952A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-04-23 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 压电传感芯片、压电传感器及其制备方法 |
| DE102019113797A1 (de) * | 2019-05-23 | 2020-12-10 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit reduzierten Verlusten, HF-Filter, Multiplexer und Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators |
| CN113395053B (zh) * | 2021-03-02 | 2022-12-09 | 广州乐仪投资有限公司 | 石英薄膜谐振器及其制造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550721A (en) * | 1978-10-09 | 1980-04-12 | France Etat | Piezooelectric twin resonator |
| JPS6141215A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| JPS6163107A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| JPH0257009A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-26 | Yokogawa Electric Corp | 圧電共振器 |
| JPH0276034A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-03-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 知識ベースと推論を手続型ソース・プログラム・コードに変換する方法 |
| JPH03141715A (ja) * | 1990-10-11 | 1991-06-17 | Yokogawa Electric Corp | 圧電共振器 |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2133647A (en) * | 1931-06-25 | 1938-10-18 | Pierce George Washington | Electromechanical vibrator |
| US2229172A (en) * | 1938-11-28 | 1941-01-21 | Rca Corp | Method of and apparatus for mounting piezoelectric crystals |
| US2427825A (en) * | 1943-11-06 | 1947-09-23 | Rca Corp | Art of mounting piezoelectric crystals |
| NL122607C (ja) * | 1961-07-26 | 1900-01-01 | ||
| US3339091A (en) * | 1964-05-25 | 1967-08-29 | Hewlett Packard Co | Crystal resonators |
| US3694677A (en) * | 1971-03-03 | 1972-09-26 | Us Army | Vhf-uhf piezoelectric resonators |
| SU513471A1 (ru) * | 1973-01-17 | 1976-05-05 | Предприятие П/Я Г-4149 | Кварцевый резонатор |
| SU510775A1 (ru) * | 1974-03-12 | 1976-04-15 | Предприятие П/Я Х-5332 | Пьезоэлектрический резонатор |
| DE2516307A1 (de) * | 1975-04-15 | 1976-10-28 | Licentia Gmbh | Als frequenznormal verwendbare elektromechanische resonatoranordnung |
| FR2338607A1 (fr) * | 1976-01-16 | 1977-08-12 | France Etat | Resonateur a quartz a electrodes non adherentes au cristal |
| SU580621A1 (ru) * | 1976-06-25 | 1977-11-15 | Предприятие П/Я Х-5332 | Герметичный пьезоэлектрический резонатор |
| US4141209A (en) * | 1976-12-27 | 1979-02-27 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Crystal controlled oscillator and method of tuning same |
| JPS5478693A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-22 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Crystal vibrator |
| US4270105A (en) * | 1979-05-14 | 1981-05-26 | Raytheon Company | Stabilized surface wave device |
| FR2458150A1 (fr) * | 1979-05-31 | 1980-12-26 | Ebauches Sa | Resonateur a cristal taille pour fonctionner en cisaillement d'epaisseur |
| FR2462055A1 (fr) * | 1979-07-18 | 1981-02-06 | France Etat | Oscillateur haute frequence autothermostate |
| GB2068672B (en) * | 1979-12-24 | 1984-11-07 | Clarion Co Ltd | Surface-acoustic-wave parametric device |
| US4531267A (en) * | 1982-03-30 | 1985-07-30 | Honeywell Inc. | Method for forming a pressure sensor |
| FR2527865A1 (fr) * | 1982-06-01 | 1983-12-02 | Cepe | Resonateur piezo-electrique a haute frequence et son procede de fabrication |
| FR2538953B1 (fr) * | 1982-12-30 | 1986-02-28 | Thomson Csf | Structure epitaxiale a effet piezoelectrique exalte et dispositif electronique a ondes acoustiques de surface comportant une telle structure |
| FR2554289B1 (fr) * | 1983-10-28 | 1985-12-27 | Cepe | Procede et dispositif d'usinage d'une lame de resonateur et lame ainsi obtenue |
| CH655423GA3 (ja) * | 1984-02-15 | 1986-04-30 | ||
| US4945079A (en) * | 1984-11-13 | 1990-07-31 | Aluminum Company Of America | Catalyst of nickel and molybdenum supported on alumina |
| EP0220320B1 (en) * | 1985-04-11 | 1996-08-28 | Toyo Communication Equipment Co.,Ltd. | Piezo-electric resonator for generating overtones |
| US4719383A (en) * | 1985-05-20 | 1988-01-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Piezoelectric shear wave resonator and method of making same |
| JPS6227040A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-05 | Sapporo Breweries Ltd | 物質を澱粉に吸着あるいは包接させる方法 |
| US4665374A (en) * | 1985-12-20 | 1987-05-12 | Allied Corporation | Monolithic programmable signal processor using PI-FET taps |
| US4898897A (en) * | 1987-04-24 | 1990-02-06 | Konica Corporation | Process for producing polyester resin composition |
| JPS63285195A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Yokogawa Electric Corp | 単結晶水晶体の接合方法 |
| GB8802506D0 (en) * | 1988-02-04 | 1988-03-02 | Am Int | Piezo-electric laminate |
| US5189914A (en) * | 1988-02-29 | 1993-03-02 | The Regents Of The University Of California | Plate-mode ultrasonic sensor |
| JPH06103821B2 (ja) * | 1988-10-31 | 1994-12-14 | 横河電機株式会社 | 水晶振動子 |
| JPH036912A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子 |
| DE3922671A1 (de) * | 1989-07-10 | 1991-01-24 | Siemens Ag | Akustoelektronisches bauelement mit einer oberflaechenwellenanordnung und einer elektronischen halbleiterschaltung |
| JPH03178206A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-02 | Nec Corp | モノリシック集積回路化発振器 |
| US5075641A (en) * | 1990-12-04 | 1991-12-24 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device |
| JP2643620B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1997-08-20 | 松下電器産業株式会社 | 電圧制御発振器とその製造方法 |
| US5185589A (en) * | 1991-05-17 | 1993-02-09 | Westinghouse Electric Corp. | Microwave film bulk acoustic resonator and manifolded filter bank |
| JPH0522071A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Yokogawa Electric Corp | 非接触電極型水晶振動子 |
| DE69232277T2 (de) * | 1991-09-12 | 2002-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektroakustische hybride integrierte Schaltung und Methode zu deren Herstellung |
| US5198716A (en) * | 1991-12-09 | 1993-03-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Micro-machined resonator |
| US5453652A (en) * | 1992-12-17 | 1995-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with interdigital transducers formed on a holding substrate thereof and a method of producing the same |
| US5448126A (en) * | 1993-10-05 | 1995-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave-semiconductor composite device |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP4180856A patent/JPH06291587A/ja active Pending
-
1993
- 1993-07-08 EP EP93110915A patent/EP0580025B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-08 DE DE69322819T patent/DE69322819T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-08 EP EP97110176A patent/EP0797300B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-08 DE DE69330499T patent/DE69330499T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-19 US US08/424,648 patent/US5548178A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550721A (en) * | 1978-10-09 | 1980-04-12 | France Etat | Piezooelectric twin resonator |
| JPS6141215A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| JPS6163107A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| JPH0276034A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-03-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 知識ベースと推論を手続型ソース・プログラム・コードに変換する方法 |
| JPH0257009A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-26 | Yokogawa Electric Corp | 圧電共振器 |
| JPH03141715A (ja) * | 1990-10-11 | 1991-06-17 | Yokogawa Electric Corp | 圧電共振器 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118440A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-19 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電振動子 |
| KR20020038197A (ko) * | 2000-11-16 | 2002-05-23 | 박명수 | 압전소자를 이용한 골도 보청기용 진동자 |
| JP2007181105A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP4692277B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-06-01 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
| JP2007274347A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kyocera Kinseki Corp | ラーメモード水晶振動子およびその製造方法 |
| JP2009272708A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子及び電子部品 |
| JP2012134786A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| JP2016517652A (ja) * | 2013-03-11 | 2016-06-16 | ノキア テクノロジーズ オーユー | 共振周波数をチューニングする装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0797300A1 (en) | 1997-09-24 |
| DE69322819D1 (de) | 1999-02-11 |
| US5548178A (en) | 1996-08-20 |
| DE69330499D1 (de) | 2001-08-30 |
| EP0580025B1 (en) | 1998-12-30 |
| DE69322819T2 (de) | 1999-08-19 |
| EP0797300B1 (en) | 2001-07-25 |
| DE69330499T2 (de) | 2002-06-06 |
| EP0580025A1 (en) | 1994-01-26 |
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