JPH06291361A - 光非線形素子 - Google Patents
光非線形素子Info
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- JPH06291361A JPH06291361A JP5095077A JP9507793A JPH06291361A JP H06291361 A JPH06291361 A JP H06291361A JP 5095077 A JP5095077 A JP 5095077A JP 9507793 A JP9507793 A JP 9507793A JP H06291361 A JPH06291361 A JP H06291361A
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- electrodes
- ohmic
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易にキャリアの蓄積効果を得ることがで
き、素子構造が簡単でしかも材料系により制限されるこ
とのない光非線形素子を得る。 【構成】 真性層に量子井戸構造を含むｐ−ｉ−ｎ構造
のｐ側とｎ側それぞれに電極を設け、これらの電極の少
なくともいずれか一方は非オーム性接合により接合した
ことを特徴とする。前記非オーム性接合をショットキー
接合または高抵抗の接合とすればさらによく、また、電
極を非オーム性電極、特にショットキー電極としてもよ
い。また量子井戸構造を結合型量子井戸構造としてもよ
い。
き、素子構造が簡単でしかも材料系により制限されるこ
とのない光非線形素子を得る。 【構成】 真性層に量子井戸構造を含むｐ−ｉ−ｎ構造
のｐ側とｎ側それぞれに電極を設け、これらの電極の少
なくともいずれか一方は非オーム性接合により接合した
ことを特徴とする。前記非オーム性接合をショットキー
接合または高抵抗の接合とすればさらによく、また、電
極を非オーム性電極、特にショットキー電極としてもよ
い。また量子井戸構造を結合型量子井戸構造としてもよ
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光入力に対して光出
力または電気出力が非線形的な応答を示す光非線形素子
に関するものである。
力または電気出力が非線形的な応答を示す光非線形素子
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えばアプライド フィジックス
レターズ、５７巻、４１９−４２１頁、１９９０年
（Applied Physics Letters. vol.57, 419, 1990) に示
された従来のｐ−ｉ−ｎダイオード（光非線形素子）を
示す断面側面図であり、１は９０ÅのＧａＡｓ井戸層と
１００ÅのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ井戸間障壁層とを交互
に各２０層ずつ積層した周期構造の多重量子井戸構造
（ＭＱＷ）、２は５０ÅのＡｌＡｓ層、３はアンドープ
Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層、４はｐ型Ａｌ0.45Ｇ
ａ0.55Ａｓ層、５はｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層、６は
ｐ型ＧａＡｓ層、７はｎ型ＧａＡｓ基板、８，９はオー
ミック電極、１０は多重量子井戸構造１、ＡｌＡｓ層
２、アンドープＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層３，３
より構成される真性層（ｉ層）である。
レターズ、５７巻、４１９−４２１頁、１９９０年
（Applied Physics Letters. vol.57, 419, 1990) に示
された従来のｐ−ｉ−ｎダイオード（光非線形素子）を
示す断面側面図であり、１は９０ÅのＧａＡｓ井戸層と
１００ÅのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ井戸間障壁層とを交互
に各２０層ずつ積層した周期構造の多重量子井戸構造
（ＭＱＷ）、２は５０ÅのＡｌＡｓ層、３はアンドープ
Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層、４はｐ型Ａｌ0.45Ｇ
ａ0.55Ａｓ層、５はｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層、６は
ｐ型ＧａＡｓ層、７はｎ型ＧａＡｓ基板、８，９はオー
ミック電極、１０は多重量子井戸構造１、ＡｌＡｓ層
２、アンドープＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層３，３
より構成される真性層（ｉ層）である。
【０００３】次に動作について説明する。ここで、図４
は前記ｐ−ｉ−ｎダイオードのエネルギーバンド構造を
示す概念図である。このｐ−ｉ−ｎダイオードに光１１
が入射した場合、この光１１が多重量子井戸構造１に吸
収されると、光励起された電子（ｅ）と正孔（ｈ）がで
き、この電子と正孔は内部電界により、電子はｎ側に、
正孔はｐ側にそれぞれ移動する。この場合、エネルギー
バンドはビルトイン電界のために図４に示すようにｐ側
が持ち上がるように真性層１０全体が傾いている。
は前記ｐ−ｉ−ｎダイオードのエネルギーバンド構造を
示す概念図である。このｐ−ｉ−ｎダイオードに光１１
が入射した場合、この光１１が多重量子井戸構造１に吸
収されると、光励起された電子（ｅ）と正孔（ｈ）がで
き、この電子と正孔は内部電界により、電子はｎ側に、
正孔はｐ側にそれぞれ移動する。この場合、エネルギー
バンドはビルトイン電界のために図４に示すようにｐ側
が持ち上がるように真性層１０全体が傾いている。
【０００４】次いで、外部回路に電流が流れにくいよう
な工夫を施すと、閉じ込められた光励起された電子と正
孔はビルトイン電界を打ち消すように働き、真性層１０
のエネルギーバンドの傾きをゆるやかにする。ここで、
量子井戸の吸収ピークは一般に鋭く、かつエネルギーバ
ンドの傾きに対してその波長が大きくシフトするので、
入力光の波長を吸収ピーク波長の近傍とし、その光強度
を変化させると、光強度に対する吸収係数が大きく変化
する。この結果、入力光強度と出力光強度または外部回
路を流れる光電流との間に非線形応答特性が現われる。
この素子の特徴は、外部回路に抵抗を入れる必要のない
ことである。
な工夫を施すと、閉じ込められた光励起された電子と正
孔はビルトイン電界を打ち消すように働き、真性層１０
のエネルギーバンドの傾きをゆるやかにする。ここで、
量子井戸の吸収ピークは一般に鋭く、かつエネルギーバ
ンドの傾きに対してその波長が大きくシフトするので、
入力光の波長を吸収ピーク波長の近傍とし、その光強度
を変化させると、光強度に対する吸収係数が大きく変化
する。この結果、入力光強度と出力光強度または外部回
路を流れる光電流との間に非線形応答特性が現われる。
この素子の特徴は、外部回路に抵抗を入れる必要のない
ことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のｐ−ｉ−ｎダイ
オードは以上のように構成されているので、光励起キャ
リアを外部回路に流し難くするために、ｐ側に正孔に対
する障壁としてのＡｌＡｓ層２を形成することが必要
で、また、電子に対する閉じ込め効果を高めるために、
アンドープＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層３のＡｌの
組成を正確に０．４５に制御する必要がある等の問題点
があった。したがって、素子の構造が複雑であり、積層
する各層の厚みを高度に制御する成膜技術が必要になる
等の問題点があった。また、上記の III−Ｖ族化合物半
導体以外の材料系については、同様の機能を有する素子
の構造はまず分かっていない。
オードは以上のように構成されているので、光励起キャ
リアを外部回路に流し難くするために、ｐ側に正孔に対
する障壁としてのＡｌＡｓ層２を形成することが必要
で、また、電子に対する閉じ込め効果を高めるために、
アンドープＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層３のＡｌの
組成を正確に０．４５に制御する必要がある等の問題点
があった。したがって、素子の構造が複雑であり、積層
する各層の厚みを高度に制御する成膜技術が必要になる
等の問題点があった。また、上記の III−Ｖ族化合物半
導体以外の材料系については、同様の機能を有する素子
の構造はまず分かっていない。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、容易にキャリアの蓄積効果を得
ることができ、素子構造が簡単でしかも材料系に制限の
ない光非線形素子を得ることを目的とする。
ためになされたもので、容易にキャリアの蓄積効果を得
ることができ、素子構造が簡単でしかも材料系に制限の
ない光非線形素子を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
非線形素子は、真性層に量子井戸構造を含むｐ−ｉ−ｎ
構造のｐ側とｎ側それぞれに電極を設けたもので、前記
電極の少なくともいずれか一方は、非オーム性接合によ
り接合したものである。
非線形素子は、真性層に量子井戸構造を含むｐ−ｉ−ｎ
構造のｐ側とｎ側それぞれに電極を設けたもので、前記
電極の少なくともいずれか一方は、非オーム性接合によ
り接合したものである。
【０００８】また、請求項２の発明に係る光非線形素子
は、前記非オーム性接合をショットキー接合とするもの
である。
は、前記非オーム性接合をショットキー接合とするもの
である。
【０００９】また、請求項３の発明に係る光非線形素子
は、前記非オーム性接合を高抵抗の接合とするものであ
る。
は、前記非オーム性接合を高抵抗の接合とするものであ
る。
【００１０】また、請求項４の発明に係る光非線形素子
は、真性層に量子井戸構造を含むｐ−ｉ−ｎ構造のｐ側
とｎ側それぞれに電極を設けたもので、前記電極の少な
くともいずれか一方は、非オーム性電極とするものであ
る。
は、真性層に量子井戸構造を含むｐ−ｉ−ｎ構造のｐ側
とｎ側それぞれに電極を設けたもので、前記電極の少な
くともいずれか一方は、非オーム性電極とするものであ
る。
【００１１】また、請求項５の発明に係る光非線形素子
は、前記非オーム性電極をショットキー電極とするもの
である。
は、前記非オーム性電極をショットキー電極とするもの
である。
【００１２】また、請求項６の発明に係る光非線形素子
は、前記量子井戸構造を結合型量子井戸構造とするもの
である。
は、前記量子井戸構造を結合型量子井戸構造とするもの
である。
【００１３】
【作用】請求項１の発明における光非線形素子は、前記
電極の少なくともいずれか一方を非オーム性接合により
接合したことにより、該電極の接合界面に、順方向側に
流れようとする電流をある順方向バイアス電圧まで流れ
難くする障壁が形成され、この障壁が光励起されたキャ
リアを素子内部に良好に閉じ込める。
電極の少なくともいずれか一方を非オーム性接合により
接合したことにより、該電極の接合界面に、順方向側に
流れようとする電流をある順方向バイアス電圧まで流れ
難くする障壁が形成され、この障壁が光励起されたキャ
リアを素子内部に良好に閉じ込める。
【００１４】また、請求項２の発明における光非線形素
子は、前記非オーム性接合をショットキー接合とするこ
とにより、該電極の接合界面に整流特性を有するショッ
トキー障壁が形成され、このショットキー障壁が光励起
されたキャリアを素子内部に良好に閉じ込める。
子は、前記非オーム性接合をショットキー接合とするこ
とにより、該電極の接合界面に整流特性を有するショッ
トキー障壁が形成され、このショットキー障壁が光励起
されたキャリアを素子内部に良好に閉じ込める。
【００１５】また、請求項３の発明における光非線形素
子は、前記非オーム性接合を高抵抗の接合とすることに
より、該電極の接合界面に高抵抗の障壁が形成され、こ
の高抵抗の障壁が光励起されたキャリアを素子内部に良
好に閉じ込める。
子は、前記非オーム性接合を高抵抗の接合とすることに
より、該電極の接合界面に高抵抗の障壁が形成され、こ
の高抵抗の障壁が光励起されたキャリアを素子内部に良
好に閉じ込める。
【００１６】また、請求項４の発明における光非線形素
子は、前記電極の少なくともいずれか一方を非オーム性
電極とすることにより、該電極自体が順方向側に流れよ
うとする電流をある順方向バイアス電圧まで流れ難くす
る障壁となり、この電極が光励起されたキャリアを素子
内部に良好に閉じ込める。
子は、前記電極の少なくともいずれか一方を非オーム性
電極とすることにより、該電極自体が順方向側に流れよ
うとする電流をある順方向バイアス電圧まで流れ難くす
る障壁となり、この電極が光励起されたキャリアを素子
内部に良好に閉じ込める。
【００１７】また、請求項５の発明における光非線形素
子は、前記非オーム性電極をショットキー電極とするこ
とにより、該電極自体が整流特性を有するショットキー
障壁となり、この電極が光励起されたキャリアを素子内
部に良好に閉じ込める。
子は、前記非オーム性電極をショットキー電極とするこ
とにより、該電極自体が整流特性を有するショットキー
障壁となり、この電極が光励起されたキャリアを素子内
部に良好に閉じ込める。
【００１８】また、請求項６の発明における光非線形素
子は、前記量子井戸構造を結合型量子井戸構造とするこ
とにより、該結合型量子井戸構造の吸収ピークがエネル
ギーバンドの傾きに対しより敏感に変わる。したがって
光強度に対し吸収係数がより敏感に変化することとな
り、より敏感な非線形応答を示す。
子は、前記量子井戸構造を結合型量子井戸構造とするこ
とにより、該結合型量子井戸構造の吸収ピークがエネル
ギーバンドの傾きに対しより敏感に変わる。したがって
光強度に対し吸収係数がより敏感に変化することとな
り、より敏感な非線形応答を示す。
【００１９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、１は９０ÅのＧａＡｓ井戸層と１
００ÅのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ井戸間障壁層とを交互に
各２０層ずつ積層した周期構造の多重量子井戸構造（Ｍ
ＱＷ）、２２はアンドープＡｌＧａＡｓ層、２３はｐ型
ＡｌＧａＡｓ層、２４はｎ型ＡｌＧａＡｓ層、７はｎ型
ＧａＡｓ基板、２６はｐ型ＡｌＧａＡｓ層２３に接合さ
れたショットキー電極、２７はｎ型ＧａＡｓ基板７に接
合されたショットキー電極、２８は多重量子井戸構造
１、アンドープＡｌＧａＡｓ層２２，２２より構成され
る真性層（ｉ層）である。
する。図１において、１は９０ÅのＧａＡｓ井戸層と１
００ÅのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ井戸間障壁層とを交互に
各２０層ずつ積層した周期構造の多重量子井戸構造（Ｍ
ＱＷ）、２２はアンドープＡｌＧａＡｓ層、２３はｐ型
ＡｌＧａＡｓ層、２４はｎ型ＡｌＧａＡｓ層、７はｎ型
ＧａＡｓ基板、２６はｐ型ＡｌＧａＡｓ層２３に接合さ
れたショットキー電極、２７はｎ型ＧａＡｓ基板７に接
合されたショットキー電極、２８は多重量子井戸構造
１、アンドープＡｌＧａＡｓ層２２，２２より構成され
る真性層（ｉ層）である。
【００２０】次に動作について説明する。ここで、図２
はこの実施例の光非線形素子のエネルギーバンド構造を
示す概念図である。この光非線形素子に光１１が入射し
た場合、この光１１が多重量子井戸構造１に吸収される
と、光励起された電子（ｅ）と正孔（ｈ）ができ、この
電子と正孔は内部電界により、電子はｎ側に、正孔はｐ
側にそれぞれ移動する。この場合電極がオーミックであ
ればキャリアは容易に外部回路に流れ出すこととなり、
素子内部に蓄積されることはないが、この実施例ではシ
ョットキー電極２６，２７が形成されているので、図２
に示すように、電極−半導体界面のエネルギーバンドが
変形する。
はこの実施例の光非線形素子のエネルギーバンド構造を
示す概念図である。この光非線形素子に光１１が入射し
た場合、この光１１が多重量子井戸構造１に吸収される
と、光励起された電子（ｅ）と正孔（ｈ）ができ、この
電子と正孔は内部電界により、電子はｎ側に、正孔はｐ
側にそれぞれ移動する。この場合電極がオーミックであ
ればキャリアは容易に外部回路に流れ出すこととなり、
素子内部に蓄積されることはないが、この実施例ではシ
ョットキー電極２６，２７が形成されているので、図２
に示すように、電極−半導体界面のエネルギーバンドが
変形する。
【００２１】この場合、ショットキー電極２６−ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ層２３界面に尖頭状のショットキー障壁が形
成され、このショットキー障壁によるせき止め効果によ
りキャリアである正孔（ｈ）が良好に閉じ込められ、外
部回路に流れ難くなる。同様に、ショットキー電極２７
−ｎ型ＧａＡｓ基板７界面に尖頭状のショットキー障壁
が形成され、このショットキー障壁によるせき止め効果
によりキャリアである電子（ｅ）が良好に閉じ込めら
れ、外部回路に流れ難くなる。
ｌＧａＡｓ層２３界面に尖頭状のショットキー障壁が形
成され、このショットキー障壁によるせき止め効果によ
りキャリアである正孔（ｈ）が良好に閉じ込められ、外
部回路に流れ難くなる。同様に、ショットキー電極２７
−ｎ型ＧａＡｓ基板７界面に尖頭状のショットキー障壁
が形成され、このショットキー障壁によるせき止め効果
によりキャリアである電子（ｅ）が良好に閉じ込めら
れ、外部回路に流れ難くなる。
【００２２】上記のせき止め効果は、従来のｐ−ｉ−ｎ
ダイオードにおけるＡｌＡｓ層２、及びアンドープＡｌ
0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層３の有する閉じ込め効果と
同様の働きをする。
ダイオードにおけるＡｌＡｓ層２、及びアンドープＡｌ
0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層３の有する閉じ込め効果と
同様の働きをする。
【００２３】せき止め効果により閉じ込められたキャリ
アは、ｐ−ｎ接合のビルトイン電界を打ち消す様に働
き、したがって入射光強度が強く、多くの光励起キャリ
アが生じれば生じるほど、真性層２８のエネルギーバン
ドの傾きはゆるやかになりフラットな面に近づくことと
なる。
アは、ｐ−ｎ接合のビルトイン電界を打ち消す様に働
き、したがって入射光強度が強く、多くの光励起キャリ
アが生じれば生じるほど、真性層２８のエネルギーバン
ドの傾きはゆるやかになりフラットな面に近づくことと
なる。
【００２４】また、この光非線形素子は、光吸収層に多
重量子井戸構造１を用いているので、その吸収ピークは
エネルギーバンドの傾きに対して敏感に変化する。した
がって、光強度に対して吸収係数が異なることとなり、
その結果、光非線形素子としての動作を行なうことが可
能になる。
重量子井戸構造１を用いているので、その吸収ピークは
エネルギーバンドの傾きに対して敏感に変化する。した
がって、光強度に対して吸収係数が異なることとなり、
その結果、光非線形素子としての動作を行なうことが可
能になる。
【００２５】以上のように、この光非線形素子によれ
ば、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層２３にショットキー電極２６
を、ｎ型ＧａＡｓ基板７にショットキー電極２７をそれ
ぞれ接合したので、キャリアを良好に閉じ込めることが
でき、また、従来のようにＡｌＡｓ層２を形成したり、
アンドープＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層３のＡｌの
組成を正確に制御する必要がないので、素子構造が簡単
になり、材料系の制限もない等の効果がある。
ば、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層２３にショットキー電極２６
を、ｎ型ＧａＡｓ基板７にショットキー電極２７をそれ
ぞれ接合したので、キャリアを良好に閉じ込めることが
でき、また、従来のようにＡｌＡｓ層２を形成したり、
アンドープＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ閉じ込め層３のＡｌの
組成を正確に制御する必要がないので、素子構造が簡単
になり、材料系の制限もない等の効果がある。
【００２６】また、ショットキー電極は、電極付の後の
熱処理を必要とせずに良好なショットキー接合が得られ
るので、従来のオーミック電極の形成過程において必須
であった熱処理工程を省略することができ、素子製造プ
ロセスが簡単になる効果がある。
熱処理を必要とせずに良好なショットキー接合が得られ
るので、従来のオーミック電極の形成過程において必須
であった熱処理工程を省略することができ、素子製造プ
ロセスが簡単になる効果がある。
【００２７】なお、エネルギーバンドの傾きに対しより
敏感な吸収ピークの変化をえる必要がある場合、例えば
アプライド フィジックス レターズ、５４巻，１２３
２頁，１９８９年（Applied Physics Letters vol.54,
1232, 1989)に記載されたような結合型の量子井戸構造
を真性層内に形成すればよい。また、上記実施例では、
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体のｐ側及びｎ側それ
ぞれにショットキー電極を設けた光非線形素子を示した
が、この半導体材料は電極−半導体界面にショットキー
障壁を形成することができる材料であればよく、上記材
料に限定されることなく、例えば他の III−Ｖ族化合物
半導体やII−VI族化合物半導体等に対しても適用可能で
ある。
敏感な吸収ピークの変化をえる必要がある場合、例えば
アプライド フィジックス レターズ、５４巻，１２３
２頁，１９８９年（Applied Physics Letters vol.54,
1232, 1989)に記載されたような結合型の量子井戸構造
を真性層内に形成すればよい。また、上記実施例では、
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体のｐ側及びｎ側それ
ぞれにショットキー電極を設けた光非線形素子を示した
が、この半導体材料は電極−半導体界面にショットキー
障壁を形成することができる材料であればよく、上記材
料に限定されることなく、例えば他の III−Ｖ族化合物
半導体やII−VI族化合物半導体等に対しても適用可能で
ある。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、電極の少なくともいずれか一方を非オーム性接合に
より接合するように構成したので、光励起されたキャリ
アを良好に閉じ込めることができ、キャリアの蓄積効果
が得られ、素子構造が簡単になり、しかも材料系により
制限されない効果がある。
ば、電極の少なくともいずれか一方を非オーム性接合に
より接合するように構成したので、光励起されたキャリ
アを良好に閉じ込めることができ、キャリアの蓄積効果
が得られ、素子構造が簡単になり、しかも材料系により
制限されない効果がある。
【００２９】また、請求項２の発明によれば、非オーム
性接合がショットキー接合であるように構成したので、
ショットキー障壁の整流作用により光励起されたキャリ
アを良好に閉じ込めることができ、キャリアの蓄積効果
が得られる効果がある。
性接合がショットキー接合であるように構成したので、
ショットキー障壁の整流作用により光励起されたキャリ
アを良好に閉じ込めることができ、キャリアの蓄積効果
が得られる効果がある。
【００３０】また、請求項３の発明によれば、非オーム
性接合が高抵抗の接合であるように構成したので、界面
の高抵抗領域により光励起されたキャリアを良好に閉じ
込めることができ、キャリアの蓄積効果が得られる効果
がある。
性接合が高抵抗の接合であるように構成したので、界面
の高抵抗領域により光励起されたキャリアを良好に閉じ
込めることができ、キャリアの蓄積効果が得られる効果
がある。
【００３１】また、請求項４の発明によれば、電極の少
なくともいずれか一方が非オーム性電極であるように構
成したので、この電極により光励起されたキャリアを良
好に閉じ込めることができ、キャリアの蓄積効果が得ら
れる効果がある。
なくともいずれか一方が非オーム性電極であるように構
成したので、この電極により光励起されたキャリアを良
好に閉じ込めることができ、キャリアの蓄積効果が得ら
れる効果がある。
【００３２】また、請求項５の発明によれば、非オーム
性電極がショットキー電極であるように構成したので、
この電極の有するショットキー障壁の整流作用により光
励起されたキャリアを良好に閉じ込めることができ、キ
ャリアの蓄積効果が得られる効果がある。
性電極がショットキー電極であるように構成したので、
この電極の有するショットキー障壁の整流作用により光
励起されたキャリアを良好に閉じ込めることができ、キ
ャリアの蓄積効果が得られる効果がある。
【００３３】また、請求項６の発明によれば、量子井戸
構造が結合型量子井戸構造であるように構成したので、
光強度に対し吸収係数をより敏感に変化させることがで
き、より敏感な非線形応答を示すことができる効果があ
る。
構造が結合型量子井戸構造であるように構成したので、
光強度に対し吸収係数をより敏感に変化させることがで
き、より敏感な非線形応答を示すことができる効果があ
る。
【図１】この発明の一実施例による光非線形素子を示す
断面側面図である。
断面側面図である。
【図２】この発明の一実施例による光非線形素子のエネ
ルギーバンド構造を示す概念図である。
ルギーバンド構造を示す概念図である。
【図３】従来のｐ−ｉ−ｎダイオードを示す断面側面図
である。
である。
【図４】従来のｐ−ｉ−ｎダイオードのエネルギーバン
ド構造を示す概念図である。
ド構造を示す概念図である。
１ Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ井戸間障壁層／ＧａＡｓ井戸
層（多重量子井戸構造） ２６ ショットキー電極 ２７ ショットキー電極 ２８ 真性層（ｉ層）
層（多重量子井戸構造） ２６ ショットキー電極 ２７ ショットキー電極 ２８ 真性層（ｉ層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 8422−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ
Claims (6)
- 【請求項１】 真性層に量子井戸構造を含むｐ−ｉ−ｎ
構造のｐ側とｎ側それぞれに電極を設けた光非線形素子
において、前記電極の少なくともいずれか一方は、非オ
ーム性接合により接続したことを特徴とする光非線形素
子。 - 【請求項２】 前記非オーム性接合はショットキー接合
であることを特徴とする請求項１記載の光非線形素子。 - 【請求項３】 前記非オーム性接合は高抵抗の接合であ
ることを特徴とする請求項１記載の光非線形素子。 - 【請求項４】 真性層に量子井戸構造を含むｐ−ｉ−ｎ
構造のｐ側とｎ側それぞれに電極を設けた光非線形素子
において、前記電極の少なくともいずれか一方は、非オ
ーム性電極であることを特徴とする光非線形素子。 - 【請求項５】 前記非オーム性電極はショットキー電極
であることを特徴とする請求項４記載の光非線形素子。 - 【請求項６】 前記量井戸構造は結合型量子井戸構造で
あることを特徴とする請求項１，２，３，４または５の
いずれか１項記載の光非線形素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095077A JPH06291361A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 光非線形素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095077A JPH06291361A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 光非線形素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291361A true JPH06291361A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14127907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5095077A Pending JPH06291361A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 光非線形素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7242238B2 (en) | 2004-03-19 | 2007-07-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Drive circuit for voltage driven type semiconductor element |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5095077A patent/JPH06291361A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7242238B2 (en) | 2004-03-19 | 2007-07-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Drive circuit for voltage driven type semiconductor element |
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