JPH06283830A - Thick film circuit board and production thereof - Google Patents
Thick film circuit board and production thereofInfo
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- JPH06283830A JPH06283830A JP6653193A JP6653193A JPH06283830A JP H06283830 A JPH06283830 A JP H06283830A JP 6653193 A JP6653193 A JP 6653193A JP 6653193 A JP6653193 A JP 6653193A JP H06283830 A JPH06283830 A JP H06283830A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高い信頼性、高線占率
（高導体占有率）、高密度配線を要求される厚膜回路基
板に関するものである。さらには、回路に比較的高い電
流値が必要とされる、小型コイル、高密度コネクター等
に使用される厚膜回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thick film circuit board which requires high reliability, high line occupancy (high conductor occupancy) and high density wiring. Further, the present invention relates to a thick film circuit used for a small coil, a high density connector, etc., which requires a relatively high current value in the circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的な厚膜回路として、銅張り基板、
フォトリソグラフィーおよびエッチングを組み合わせ得
られるものが知られている。しかしながら、この方法で
得られる厚膜回路は、エッチング時におけるサイドエッ
チ現象を抑制することが極めて困難であるため、導体パ
ターンの間隔が増大する傾向にあり、また、配線パター
ンの断面がエッチングにより台形状になるため高密度の
配線を得ることは出来なかった。さらに、導体高さが大
きくなるにつれて、この現象が顕著になるため、通常使
用されている銅張り基板の銅箔の厚みは１８〜３５μｍ
で、アスペクト比は２以下である。As a general thick film circuit, a copper-clad substrate,
It is known that a combination of photolithography and etching can be obtained. However, in the thick film circuit obtained by this method, it is extremely difficult to suppress the side-etching phenomenon during etching, so that the interval between conductor patterns tends to increase, and the cross-section of the wiring pattern is not supported by etching. Because of the shape, it was not possible to obtain high-density wiring. Furthermore, since this phenomenon becomes more remarkable as the conductor height increases, the thickness of the copper foil of the copper-clad substrate that is usually used is 18 to 35 μm.
Therefore, the aspect ratio is 2 or less.
【０００３】他の厚膜回路として、例えば、特開昭５２
−１３７６６６、特開昭５７−１６２４８９にはレジス
トパターンに厚膜ペースト材料を充填する方法、特開昭
５５−４１７２９には厚膜ペーストとポジ型レジストを
混合し、露光・現像する方法が開示されている。しかし
ながら、これらの方法で得られる厚膜回路は、導電体内
に気孔が生じたり、導体間での短絡による不良を招いた
り、さらには、導体抵抗の増大による回路特性の悪化が
起こる。As another thick film circuit, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 52-52
-137666 and JP-A-57-162489 disclose a method of filling a resist pattern with a thick film paste material, and JP-A-55-41729 discloses a method of mixing a thick film paste and a positive resist and exposing and developing. ing. However, in the thick film circuit obtained by these methods, pores are generated in the conductor, defects are caused due to a short circuit between the conductors, and further, circuit characteristics are deteriorated due to an increase in conductor resistance.
【０００４】特開昭５９−１９８７９２には導電性基板
をベースとして、レジスト積層・露光を繰り返した後、
現像、電気メッキによる厚膜回路およびその製造方法が
開示されている。この方法では比較的アスペクト比の高
いレジストパターンが得られることが予想されるが、工
程が複雑であり、積層・露光時の位置ズレによる欠陥の
導入、さらには現像段階でのサイドエッチによるレジス
ト形状不良にともなう回路の短絡等、問題が多い。In Japanese Patent Laid-Open No. 59-198792, a conductive substrate is used as a base, and after resist lamination and exposure are repeated,
Thick film circuits by development and electroplating and methods of making the same are disclosed. It is expected that a resist pattern with a relatively high aspect ratio can be obtained by this method, but the process is complicated, and defects are introduced due to misalignment during stacking / exposure, as well as the resist shape due to side etching during the development stage. There are many problems such as short circuits in circuits due to defects.
【０００５】また、特開昭５６−９４６９０、特開昭６
０−１６１６０５には導電性基板とフォトリソグラフィ
ーを組み合わせ、電解メッキによるファインパターン回
路の成形方法が示されている。この方法では、導体設計
をメッキスタート幅でコントロールしており、かつ、導
体形状が球形であるため、高密度化には好ましくない。Further, Japanese Patent Laid-Open Nos. 56-94690 and 6-
0-161605 describes a method for forming a fine pattern circuit by electrolytic plating by combining a conductive substrate and photolithography. In this method, the conductor design is controlled by the plating start width, and the conductor shape is spherical, which is not preferable for increasing the density.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解決するためになされたものである。すなわち、高い
アスペクト比の導体と小さい導体間距離の回路を形成す
ることにより、信頼性、回路特性を低下させることな
く、高密度配線でかつ比較的高い通過電流を可能にする
厚膜回路基板およびその製造方法を提供することを目的
とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks. That is, by forming a conductor having a high aspect ratio and a circuit having a small distance between conductors, a thick film circuit board which enables a relatively high passing current with high density wiring without lowering reliability and circuit characteristics, and It is an object to provide a manufacturing method thereof.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、導体間の絶縁
層として感光性樹脂を用いた厚膜回路基板において、導
体の断面形状が矩形状を呈し、導体の幅方向の厚みのば
らつきが平均値の±２０％以内、導体断面の高さが２０
μｍ以上、さらに絶縁層がエチレン性不飽和結合濃度が
１０-2〜２×１０-4ｍｏｌ／ｇ、かつ分子量が１５００
〜５００００であるエチレン性不飽和結合を有するプレ
ポリマーとエチレン性不飽和化合物単量体からなる液状
感光性樹脂硬化物を用いることで問題点を解決できるこ
とを見いだしたものである。この厚膜回路基板を得る具
体的な方法は、（１）基板に必要に応じて無電解メッキ
に対する触媒付与を行い、その表面に厚さ２０μｍ以上
のエチレン性不飽和結合濃度が１０-2〜２×１０-4ｍｏ
ｌ／ｇ、かつ分子量が１５００〜５００００であるエチ
レン性不飽和結合を有するプレポリマーとエチレン性不
飽和化合物単量体からなる液状感光性樹脂を被着する工
程、（２）上記感光性樹脂を露光・現像し、レジストパ
ターンを形成する工程、（３）感光性樹脂の除去された
部分に、必要に応じて無電解メッキを行い下地導電体層
を形成した後、電解メッキにより金属皮膜を析出させ、
導体を形成する工程、（４）必要に応じて形成したレジ
ストパターンおよび導体を絶縁基板上に転写した後、ベ
ース基板を除去し、導体間を絶縁化する工程、を順次行
うことで得られる。According to the present invention, in a thick film circuit board using a photosensitive resin as an insulating layer between conductors, the conductors have a rectangular cross-sectional shape, and variations in thickness in the width direction of the conductors occur. Within ± 20% of average value, height of conductor cross section is 20
μm or more, the insulating layer has an ethylenically unsaturated bond concentration of 10 −2 to 2 × 10 −4 mol / g, and a molecular weight of 1,500.
It has been found that the problem can be solved by using a liquid photosensitive resin cured product consisting of a prepolymer having an ethylenically unsaturated bond of ˜50,000 and an ethylenically unsaturated compound monomer. A specific method for obtaining this thick film circuit board is as follows: (1) The substrate is provided with a catalyst for electroless plating if necessary, and the surface thereof has an ethylenically unsaturated bond concentration of 10 −2 to 20 μm or more. 2 × 10 -4 mo
a step of depositing a liquid photosensitive resin composed of a prepolymer having an ethylenically unsaturated bond of 1 / g and a molecular weight of 1500 to 50,000 and an ethylenically unsaturated compound monomer, (2) the photosensitive resin Step of exposing and developing to form a resist pattern, (3) electroless plating is performed on the removed portion of the photosensitive resin to form a base conductor layer, and then a metal film is deposited by electrolytic plating. Let
It can be obtained by sequentially performing the step of forming a conductor, (4) the step of transferring the resist pattern and the conductor formed as necessary onto an insulating substrate, then removing the base substrate and insulating the conductor.
【０００８】さらに、感光性樹脂組成物１００部に対し
て、不飽和基を有するリン酸部分エステルを０．１〜１
０重量部を含有する事により、基板と感光性樹脂との接
着性が向上し、極めて微細なレジストパターンが得られ
る。特に好ましいリン酸部分エステルとしてリン酸モノ
（２−メタクリロイルオキシエチル）が挙げられる。ま
た、露光時に平行光光源を使用すると、目的の厚膜回路
基板が比較的容易に得られる。Further, 0.1 to 1 part of phosphoric acid partial ester having an unsaturated group is added to 100 parts of the photosensitive resin composition.
By containing 0 part by weight, the adhesiveness between the substrate and the photosensitive resin is improved, and an extremely fine resist pattern can be obtained. Particularly preferred phosphoric acid partial ester is mono (2-methacryloyloxyethyl) phosphate. Further, when a parallel light source is used during exposure, the target thick film circuit board can be obtained relatively easily.
【０００９】なお、本発明での数値限定は、理想的な厚
膜回路での数値限定ではなく、現実的に得られる範囲に
おいてその数値を限定したものである。すなわち、導体
の断面形状は線占率を増大するために矩形状であること
が好ましい。導体形状を台形で仮定した場合、導体の幅
方向の厚みのばらつきが平均値（導体の高さ方向に１０
分割し、その点での導体の幅方向の厚みを測定した平均
値）の±Ｘ％の場合、一つの導体内での線占率Ｙ（％）
は以下の式で表せる。The numerical limitation in the present invention is not limited to the ideal thick film circuit, but is limited within a practically obtainable range. That is, the cross-sectional shape of the conductor is preferably rectangular in order to increase the line occupation ratio. If the conductor shape is assumed to be trapezoidal, the variation in the thickness of the conductor in the width direction is an average value (10 in the conductor height direction).
In the case of ± X% of the average value obtained by dividing the conductor and measuring the thickness in the width direction of the conductor at that point, the line occupation ratio Y (%) within one conductor
Can be expressed by the following formula.
【００１０】Ｙ＝１００００／（１００＋Ｘ） すなわち、一つの導体内での線占率８０％以上を与える
Ｘは約２０％以内である。導体断面の高さは２０μｍ未
満では回路を流れる電流が大きい場合、発熱による損失
が大きくなる。Y = 10000 / (100 + X) That is, X giving a line occupation ratio of 80% or more in one conductor is within about 20%. If the height of the conductor cross section is less than 20 μm, the loss due to heat generation increases when the current flowing through the circuit is large.
【００１１】導体間距離は短いことが好ましいが、本発
明の厚膜回路基板では、導体の断面形状が実質矩形であ
り、しかもその幅方向の厚みのばらつきも非常に小さく
することができるので、短絡の心配なく導体間距離を２
μｍまでも短縮することができる。これにより従来技術
では到底実現することができないきわめて高密度の配線
が高アスペクト比で厚膜回路基板において可能となっ
た。It is preferable that the distance between the conductors is short, but in the thick film circuit board of the present invention, the conductor has a substantially rectangular cross-sectional shape, and the variation in thickness in the width direction can be made very small. 2 distance between conductors without worrying about short circuit
It can be shortened to μm. As a result, extremely high density wiring, which cannot be realized by the conventional technology, has been made possible in a thick film circuit board with a high aspect ratio.
【００１２】使用する感光性樹脂が液状の場合、厚みの
制御が容易であり、さらに、現像性に優れているため、
極めてアスペクト比の高いレジストパターンが得られ
る。また、樹脂の透光性が高く、樹脂内部での光散乱が
小さいため、レジスト形状はシャープな矩形を呈する。When the photosensitive resin used is a liquid, the thickness can be easily controlled and the developability is excellent.
A resist pattern having an extremely high aspect ratio can be obtained. Further, since the resin has a high light-transmitting property and the light scattering inside the resin is small, the resist shape exhibits a sharp rectangle.
【００１３】感光性樹脂原料の代表的な構成は、エチレ
ン重合性不飽和基を有するプレポリマーとエチレン性不
飽和単量体であり、必要により光重合増感剤、熱重合禁
止剤が添加される。A typical constitution of the photosensitive resin raw material is a prepolymer having an ethylenically unsaturated group and an ethylenically unsaturated monomer, and if necessary, a photopolymerization sensitizer and a heat polymerization inhibitor are added. It
【００１４】プレポリマー中のエチレン性不飽和結合濃
度が１０-2ｍｏｌ／ｇを越えると、露光後の樹脂硬化物
の機械的強度が低下し、２×１０-4ｍｏｌ／ｇ未満では
十分に架橋せず、解像度の著しい低下を招く。また、分
子量が１５００未満の場合、感光性樹脂の流動性が高
く、厚いレジストパターンを得ることができず、逆に５
００００を越えると露光後の現像性が著しく低下し、高
解像度のレジストパターンが得られない。When the ethylenically unsaturated bond concentration in the prepolymer exceeds 10 -2 mol / g, the mechanical strength of the resin cured product after exposure decreases, and when it is less than 2 x 10 -4 mol / g, it is sufficient. It does not crosslink, resulting in a significant decrease in resolution. When the molecular weight is less than 1500, the fluidity of the photosensitive resin is high, and a thick resist pattern cannot be obtained.
If it exceeds 0000, the developability after exposure is remarkably reduced, and a high-resolution resist pattern cannot be obtained.
【００１５】プレポリマーとしては、不飽和ポリエステ
ル、不飽和ポリウレタン、オリゴエステルアクリレート
類、不飽和ポリアミド、不飽和ポリイミド、不飽和ポリ
エーテル、不飽和ポリ（メタ）アクリレート、およびこ
れらの各種変性体、側鎖に付加重合性炭素−炭素二重結
合を有する高分子化合物、炭素−炭素二重結合を有する
各種ゴム化合物等を例示することができる。As the prepolymer, unsaturated polyester, unsaturated polyurethane, oligoester acrylates, unsaturated polyamide, unsaturated polyimide, unsaturated polyether, unsaturated poly (meth) acrylate, and various modified products thereof, Examples thereof include polymer compounds having an addition-polymerizable carbon-carbon double bond in the chain and various rubber compounds having a carbon-carbon double bond.
【００１６】不飽和ポリエステルとしては、例えばマレ
イン酸、フマル酸、イタコン酸のような不飽和二塩基酸
またはその酸無水物とエチレングリコール、プロピレン
グリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリ
コール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタ
エリトリット、末端水酸基を有する１，４−ポリブタジ
エン、水添または非水添１，２−ポリブタジエン、ブタ
ジエン−スチレン共重合体、ブタジエン−アクリロニト
リル共重合体等の多価アルコールとを反応させたポリエ
ステル、また、前記酸成分の一部をコハク酸、アジピン
酸、フタル酸、イソフタル酸、無水フタル酸、トリメリ
ット酸等の飽和多塩基酸に置き換えたポリエステル、あ
るいは乾性油脂肪酸または半乾性油脂肪酸で変性したポ
リエステルなどが挙げられる。Examples of unsaturated polyesters include unsaturated dibasic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid or acid anhydrides thereof and ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, glycerin, trimethylolpropane, Polyester reacted with polyhydric alcohol such as pentaerythritol, 1,4-polybutadiene having a terminal hydroxyl group, hydrogenated or non-hydrogenated 1,2-polybutadiene, butadiene-styrene copolymer, butadiene-acrylonitrile copolymer In addition, a polyester in which a part of the acid component is replaced with a saturated polybasic acid such as succinic acid, adipic acid, phthalic acid, isophthalic acid, phthalic anhydride, trimellitic acid, or a drying oil fatty acid or a semi-drying oil fatty acid is used. Modified polyester It is below.
【００１７】不飽和ポリウレタンとしては、例えば、前
記した多価アルコールやポリエステルポリオール、ポリ
エーテルポリオールなどのポリオール、末端水酸基を有
する１，４−ポリブタジエン、水添または非水添１，２
−ポリブタジエン、ブタジエン−スチレン共重合体、ブ
タジエン−アクリロニトリル共重合体等と、トルイレン
ジイソシアネート、ジフェニルメタン、４，４’−ジイ
ソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどの
ポリイソシアネートから誘導されたポリウレタンの末端
イソシアネート基、あるいは水酸基の反応性を利用して
不飽和基を導入した化合物が挙げられる。すなわち、水
酸基、カルボキシル基、アミノ基等の活性水素を有する
化合物とイソシアネートとの反応により不飽和基を導入
したり、カルボキシル基と水酸基との反応により不飽和
基を導入したり、または前記の不飽和ポリエステルをポ
リイソシアネートで連結した化合物などである。Examples of unsaturated polyurethanes include polyols such as the above-mentioned polyhydric alcohols, polyester polyols and polyether polyols, 1,4-polybutadiene having a terminal hydroxyl group, hydrogenated or non-hydrogenated 1,2.
-Polybutadiene, butadiene-styrene copolymer, butadiene-acrylonitrile copolymer and the like, and a terminal isocyanate group of polyurethane derived from toluylene diisocyanate, diphenylmethane, 4,4'-diisocyanate, hexamethylene diisocyanate or the like, or A compound in which an unsaturated group is introduced by utilizing the reactivity of the hydroxyl group can be mentioned. That is, a hydroxyl group, a carboxyl group, an unsaturated group is introduced by the reaction of a compound having active hydrogen such as an amino group with an isocyanate, an unsaturated group is introduced by the reaction of a carboxyl group and a hydroxyl group, or the above-mentioned Examples thereof include compounds in which saturated polyester is linked with polyisocyanate.
【００１８】オリゴエステルアクリレート類としては、
例えば、アジピン酸、フタル酸、イソフタル酸または酸
無水物などの多塩基酸とエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレング
リコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペン
タエリトリットなどの多価アルコールとのエステル化反
応にアクリル酸またはメタクリル酸を共存させ、縮合さ
せたものである。As the oligoester acrylates,
For example, esterification of polybasic acids such as adipic acid, phthalic acid, isophthalic acid or acid anhydride with polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, glycerin, trimethylolpropane and pentaerythritol. Acrylic acid or methacrylic acid coexists in the reaction and is condensed.
【００１９】エポキシアクリレート類として、例えば、
多価アルコール、多価フェノール、ポリフェノールとエ
ピクロルヒドリン、アルキレノキシドとの縮重合反応に
より得られるエポキシ基を有する化合物と、アクリル酸
またはメタクリル酸とのエステルがある。As the epoxy acrylates, for example,
There are esters of acrylic acid or methacrylic acid with a compound having an epoxy group obtained by a polycondensation reaction of polyhydric alcohol, polyhydric phenol, polyphenol with epichlorohydrin or alkylenoxide.
【００２０】側鎖に付加重合性炭素−炭素二重結合を有
する高分子化合物としては、例えば、ポリビニルアルコ
ール、セルロースのような水酸基をもつ高分子化合物と
不飽和カルボン酸またはその酸無水物とを反応させて得
られる化合物や、アクリル酸またはメタクリル酸の重合
体または共重合体のようなカルボキシル基を持つ高分子
化合物に不飽和アルコール、グリシジルアクリレートま
たはメタクリレートをエステル結合させた化合物や、無
水マレイン酸を含有する共重合体とアリルアルコール、
ヒドロキシアルキルアクリレートまたはメタクリレート
との反応物や、グリシジルアクリレートまたはメタクリ
レートを共重合成分として含有する共重合体とアクリル
酸またはメタクリル酸との反応物などを挙げることがで
きる。As the polymer compound having an addition-polymerizable carbon-carbon double bond in its side chain, for example, a polymer compound having a hydroxyl group such as polyvinyl alcohol or cellulose and an unsaturated carboxylic acid or an acid anhydride thereof can be used. Compounds obtained by the reaction, compounds obtained by ester-bonding unsaturated alcohol, glycidyl acrylate or methacrylate to a polymer compound having a carboxyl group such as a polymer or copolymer of acrylic acid or methacrylic acid, maleic anhydride A copolymer containing allyl alcohol,
Examples thereof include a reaction product with hydroxyalkyl acrylate or methacrylate, a reaction product with a copolymer containing glycidyl acrylate or methacrylate as a copolymerization component, and acrylic acid or methacrylic acid.
【００２１】各種ゴム化合物としては、（１）１，４−
ポリブタジエン、１，２−ポリブタジエン、ブタジエン
−スチレン共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、ＥＰＤＭ、（２）上記（１）の水添化物、イソ
ブチレン−イソプレン共重合体、そして（１）に示され
るゴム化合物に公知の技術によりエチレン性不飽和基を
導入した不飽和変性ゴムなどを開示できる。（１）の化
合物はそのままでも使用することができるが、その不飽
和基を導入するには末端官能基を有するゴム化合物を用
いるのが便利である。また、１，２−ポリブタジエンセ
グメントを有するゴム化合物の場合は該化合物に無水マ
レイン酸類を付加することにより、該不飽和基を容易に
導入できる。Various rubber compounds include (1) 1,4-
Polybutadiene, 1,2-polybutadiene, butadiene-styrene copolymer, butadiene-acrylonitrile copolymer, EPDM, (2) hydrogenated product of (1) above, isobutylene-isoprene copolymer, and (1) An unsaturated modified rubber in which an ethylenically unsaturated group is introduced into a rubber compound by a known technique can be disclosed. The compound (1) can be used as it is, but it is convenient to use a rubber compound having a terminal functional group for introducing the unsaturated group. Further, in the case of a rubber compound having a 1,2-polybutadiene segment, the unsaturated group can be easily introduced by adding maleic anhydride to the compound.
【００２２】エチレン性不飽和単量体としては、公知の
種類の化合物を使用できる。例えばアクリル酸、メタク
リル酸などの不飽和カルボン酸またはそのエステルとし
て、例えばアルキル、シクロアルキル、ハロゲン化アル
キル、アルコキシアルキル、ヒドロキシアルキル、アミ
ノアルキル、テトラヒドロフルフリル、アリル、グリシ
ジル、ベンジル、フェノキシ等の各基を有するアクリレ
ートおよびメタクリレート、またアルキレングリコー
ル、ポリオキシアルキレングリコールのモノまたはジア
クリレートおよびメタクリレート、またトリメチロール
プロパントリアクリレートおよびメタクリレート、また
ペンタエリトリットテトラアクリレートおよびメタクリ
レートなどが挙げられる。As the ethylenically unsaturated monomer, known types of compounds can be used. Examples of unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid and methacrylic acid or esters thereof include alkyl, cycloalkyl, alkyl halide, alkoxyalkyl, hydroxyalkyl, aminoalkyl, tetrahydrofurfuryl, allyl, glycidyl, benzyl and phenoxy. Examples thereof include acrylates and methacrylates having groups, alkylene glycols, mono- or diacrylates of polyoxyalkylene glycols and methacrylates, trimethylolpropane triacrylates and methacrylates, and pentaerythritol tetraacrylates and methacrylates.
【００２３】アクリルアミド、メタクリルアミドまたは
その誘導体として、例えばアルキル、ヒドロキシアルキ
ルでＮ−置換またはＮ，Ｎ’−置換したアクリルアミド
およびメタクリルアミド、またジアセトンアクリルアミ
ドおよびメタクリルアミド、またＮ，Ｎ’−アルキレン
ビスアクリルアミドおよびメタクリルアミドなどが挙げ
られる。As acrylamides, methacrylamides or their derivatives, for example N-substituted or N, N'-substituted acrylamides and methacrylamides with alkyl, hydroxyalkyl, also diacetone acrylamides and methacrylamides, also N, N'-alkylenebis. Examples thereof include acrylamide and methacrylamide.
【００２４】アリル化合物として、例えばアリルアルコ
ール、アリルイソシアネート、ジアリルフタレート、ト
リアリルシアヌレートなどが、またマレイン酸、無水マ
レイン酸、フマル酸またはそのエステルとして、例えば
アルキル、ハロゲン化アルキル、アルコキシアルキルの
モノまたはジマレエートおよびフマレエートなどが挙げ
られる。As the allyl compound, for example, allyl alcohol, allyl isocyanate, diallyl phthalate, triallyl cyanurate, etc., and as the maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid or its ester, for example, alkyl, halogenated alkyl or alkoxyalkyl monoalkyl compounds. Or dimaleate and fumarate etc. are mentioned.
【００２５】その他の不飽和化合物としては、例えばス
チレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、Ｎ−ビニルピロリドン等を挙げること
ができる。Examples of other unsaturated compounds include styrene, vinyltoluene, divinylbenzene, N-vinylcarbazole, N-vinylpyrrolidone and the like.
【００２６】これらの単量体の一部をアジド系化合物、
例えば、４，４’−ジアジドスチルベン、ｐ−フェニレ
ン−ビスアジド、４，４’−ジアジドベンゾフェノン、
４，４’−ジアジドフェニルメタン、４，４’−ジアジ
ドアルコン，２，６−ジ（４’−アジドベンザル）−シ
クロヘキサノン、４，４’−ジアジドスチルベン−α−
カルボン酸、４，４’−ジアジドジフェニル，４，４’
−ジアジドスチルベン−２，２’−ジスルホン酸ソーダ
等に置き換えることができる。Some of these monomers are azide compounds,
For example, 4,4′-diazidostilbene, p-phenylene-bisazide, 4,4′-diazidobenzophenone,
4,4'-diazidophenylmethane, 4,4'-diazidoalkone, 2,6-di (4'-azidobenzal) -cyclohexanone, 4,4'-diazidostilbene-α-
Carboxylic acid, 4,4'-diazidodiphenyl, 4,4 '
-It can be replaced with diazidostilbene-2,2'-sodium disulfonate or the like.
【００２７】これらの単量体はプレポリマー１００部に
対し、０〜２００重量部の範囲で添加すればよい。ま
た、接着性向上のためリン酸部分エステルの添加が効果
的である。本発明において用いられる不飽和基を有する
リン酸部分エステルとは、三価の一部だけが不飽和基を
有する化合物でエステル化されたものを意味する。この
ような部分エステルの例としては、リン酸モノ（２−メ
タクリロイルオキシエチル）、リン酸モノ（２−アクリ
ロイルオキシエチル）、リン酸ジ（２−メタクリロイル
オキシエチル）、リン酸ジ（２−アクリロイルオキシエ
チル）などが挙げられるが、好ましくはリン酸モノ（２
−メタクリロイルオキシエチル）である。These monomers may be added in the range of 0 to 200 parts by weight with respect to 100 parts of the prepolymer. Further, addition of a partial ester of phosphoric acid is effective for improving the adhesiveness. The phosphoric acid partial ester having an unsaturated group used in the present invention means an esterified compound with a compound having only a part of trivalent unsaturated group. Examples of such partial esters include mono (2-methacryloyloxyethyl) phosphate, mono (2-acryloyloxyethyl) phosphate, di (2-methacryloyloxyethyl) phosphate, di (2-acryloyl phosphate). Oxyethyl) and the like, but monophosphate (2
-Methacryloyloxyethyl).
【００２８】これらのリン酸エステルの添加量は、プレ
ポリマーと単量体からなる樹脂成分１００部に対して、
０．１〜１０重量部の範囲で選ばれる。この量が０．１
重量部未満では効果が不充分であるし、１０重量部を超
えると白濁が生じ、粘度も上昇するため、光硬化性、現
像性、硬化物の物性が低下するので好ましくない。The amount of the phosphoric acid ester added is 100 parts by weight of the resin component consisting of the prepolymer and the monomer.
It is selected in the range of 0.1 to 10 parts by weight. This amount is 0.1
If it is less than 10 parts by weight, the effect is insufficient, and if it exceeds 10 parts by weight, white turbidity occurs and the viscosity increases, so that photocurability, developability, and physical properties of the cured product deteriorate, which is not preferable.
【００２９】さらに感光性レジストの感度を高める方法
として、光重合増感剤の添加が効果的である。光増感剤
としては公知のものが使用できる。例えば、ベンゾイン
やベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン−ｎ−プロピ
ルエーテル、ベンゾイン−イソプロピルエーテル、ベン
ゾイン−イソブチルエーテルなどのベンゾインアルキル
エーテル類、また２，２−ジメトキシ−２−フェニルア
セトフェノン、ベンゾフェノン、ベンジル、ジアセチ
ル、ジフェニルスルフィド、エオシン、チオニン、９，
１０−アントラキノン、ミヒラーケトンなどがあり、組
成物に対して、０．００１〜１０重量部の範囲で使用で
きる。Further, as a method of increasing the sensitivity of the photosensitive resist, the addition of a photopolymerization sensitizer is effective. Known photosensitizers can be used. For example, benzoin, benzoin ethyl ether, benzoin-n-propyl ether, benzoin-isopropyl ether, benzoin-isobutyl ether, and other benzoin alkyl ethers, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, benzophenone, benzyl, diacetyl, diphenyl. Sulfide, eosin, thionine, 9,
There are 10-anthraquinone, Michler's ketone and the like, which can be used in the range of 0.001 to 10 parts by weight based on the composition.
【００３０】また感光性レジストを安定化させる目的で
熱重合禁止剤の添加も効果的である。一般に、ハイドロ
キノン、モノ第三ブチルハイドロキノン、ベンゾキノ
ン、２，５−ジフェニル−ｐ−ベンゾキノン、ピクリド
ン酸、ジ−ｐ−フルオロフェニルアミン、ｐ−メトキシ
フェノール、２，６−ジ第三ブチル−ｐ−クレゾールな
どを挙げることができる。これらの熱重合禁止剤は、熱
重合反応（暗反応）を防止するものであることが好まし
い。熱重合禁止剤の添加量は、プレポリマーとエチレン
性不飽和単量体の総量に対し、０．００５〜５．０重量
部の範囲であることが好ましい。It is also effective to add a thermal polymerization inhibitor for the purpose of stabilizing the photosensitive resist. Generally, hydroquinone, mono-tert-butyl hydroquinone, benzoquinone, 2,5-diphenyl-p-benzoquinone, picridonic acid, di-p-fluorophenylamine, p-methoxyphenol, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol. And so on. It is preferable that these thermal polymerization inhibitors prevent thermal polymerization reaction (dark reaction). The addition amount of the thermal polymerization inhibitor is preferably in the range of 0.005 to 5.0 parts by weight with respect to the total amount of the prepolymer and the ethylenically unsaturated monomer.
【００３１】露光時の光源としては、レジストパターン
を垂直に立てるために、平行光光源を使用するのが最も
好ましい。平行光を使用した場合、樹脂内部での光の直
進性が優れていること、基板表面からの反射光が垂直に
戻ることから、レジストのかぶりを最小限に抑えること
が可能であり、極めて微細なレジストパターンを作成す
ることができる。As a light source for exposure, it is most preferable to use a parallel light source for standing the resist pattern vertically. When parallel light is used, the straightness of the light inside the resin is excellent, and the light reflected from the substrate surface returns to the vertical direction. It is possible to create a different resist pattern.
【００３２】また、さらにアスペクト比の高い配線導体
が要求される場合は、基板表面に接着剤を塗布すること
で、現像時に起こるレジストパターンの消失やよれ等を
防ぐことが可能である。使用する接着剤は、通常の市販
品で充分であり、ニトリルゴム系、ポリエステル系、シ
アノアクリレート系、エポキシ系、酢ビ共重合系、合成
ゴム系、アクリル系、クロロプレン系、ウレタン系、シ
ラン化合物等が挙げられるが、特にウレタン系接着剤が
好ましい。Further, when a wiring conductor having a higher aspect ratio is required, it is possible to prevent the resist pattern from disappearing or wrinkling during development by applying an adhesive to the surface of the substrate. As the adhesive to be used, ordinary commercial products are sufficient, and nitrile rubber-based, polyester-based, cyanoacrylate-based, epoxy-based, vinyl acetate copolymer-based, synthetic rubber-based, acrylic-based, chloroprene-based, urethane-based, silane compounds The urethane adhesive is particularly preferable.
【００３３】[0033]
【実施例】以下、本発明を実施例を示し詳細に説明す
る。なお、本発明は実施例により限定されるものではな
い。EXAMPLES The present invention will now be described in detail with reference to examples. The present invention is not limited to the examples.
【００３４】実施例１ 所定のモル比になるように原料を秤量し、窒素雰囲気
中、反応温度１８０℃、６時間、減圧下で重合し、表１
の平均分子量、二重結合濃度を有するプレポリマーを得
た。このプレポリマー７０重量部にアクリル酸１０重量
部、アクリルアミド１０重量部、スチレン１０重量部、
ベンゾイン１重量部、ハイドロキノン０．１重量部をそ
れぞれ添加し、４０℃の温浴中で撹拌混合することによ
り、感光性樹脂組成物を調製した。Example 1 The raw materials were weighed so as to have a predetermined molar ratio, and polymerized under reduced pressure in a nitrogen atmosphere at a reaction temperature of 180 ° C. for 6 hours, and Table 1
A prepolymer having an average molecular weight of and a double bond concentration was obtained. 70 parts by weight of this prepolymer, 10 parts by weight of acrylic acid, 10 parts by weight of acrylamide, 10 parts by weight of styrene,
A photosensitive resin composition was prepared by adding 1 part by weight of benzoin and 0.1 part by weight of hydroquinone and stirring and mixing in a 40 ° C. hot bath.
【００３５】[0035]
【表１】 [Table 1]
【００３６】 ただし、ＰＰＧ＝ポリオキシプロピレングリコール（分
子量３００） ＤＥＧ＝ジエチレングリコール ＰＧ＝プロピレングルコール ＥＧ＝エチレングリコール ＴＭＧ＝テトラメチレングリコール ＭＡ＝マレイン酸 ＦＡ＝フマル酸 ＧＡ＝グルタコン酸 ＳＡ＝セバシン酸 ＧＬＡ＝グルタル酸 ＡＡ＝アジピン酸 次に＃６００の耐水研磨紙で表面を粗化した、厚さ１０
０μｍのアルミニウム基板上に、調製した感光性樹脂組
成物を旭化成工業（株）製ＳＲＢ装置を用いて塗布し
た。この際、レジスト層の厚みが２５μｍになるように
スペーサーで調節した。所定のガラスマスクとＯＲＣ社
製平行光方式光源を用いてマスク露光、現像（水酸化ナ
トリウム０．３％溶液、４０〜４５℃、吐出圧力０．１
ｋｇ／ｃｍ2）を行い、アルミニウム基板上に幅３μ
ｍ、高さ２４μｍのレジストパターンを得た。However, PPG = polyoxypropylene glycol (molecular weight 300) DEG = diethylene glycol PG = propylene glycol EG = ethylene glycol TMG = tetramethylene glycol MA = maleic acid FA = fumaric acid GA = glutaconic acid SA = sebacic acid GLA = Glutaric acid AA = adipic acid The surface was roughened with a # 600 water resistant abrasive paper, thickness 10
The prepared photosensitive resin composition was applied onto a 0 μm aluminum substrate by using an SRB device manufactured by Asahi Chemical Industry Co., Ltd. At this time, the spacer was adjusted so that the thickness of the resist layer was 25 μm. Mask exposure using a predetermined glass mask and a parallel light source manufactured by ORC, and development (sodium hydroxide 0.3% solution, 40 to 45 ° C., discharge pressure 0.1)
kg / cm 2 ) and the width is 3μ on the aluminum substrate.
A resist pattern of m and a height of 24 μm was obtained.
【００３７】このレジストパターン内にハーショウ村田
社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、陰極の電流密度１
４Ａ／ｄｍ2の条件で２０μｍのメッキ銅皮膜を析出さ
せ、導体を形成した。A current density of the cathode was set to 1 in the resist pattern using a copper pyrophosphate plating solution manufactured by Hersho Murata.
A 20 μm plated copper film was deposited under the condition of 4 A / dm 2 to form a conductor.
【００３８】得られた基板の表面に接着剤（セメダイン
ＥＰ００８、ＥＰ１７０）をスクリーン印刷し、ガラス
エポキシ絶縁基板上に転着した後、アルミニウム基板を
１０％塩酸でエッチング、除去し、厚膜回路基板を得
た。An adhesive (cemedine EP008, EP170) was screen-printed on the surface of the obtained substrate, transferred onto a glass epoxy insulating substrate, and then the aluminum substrate was etched and removed with 10% hydrochloric acid to give a thick film circuit board. Got
【００３９】得られた基板を２ｃｍ角に切断し、エポキ
シ樹脂で硬化させた後、研磨機により断面を鏡面研磨し
た。回路部分を光学顕微鏡で観察した結果、表１記載の
いずれの原料組成による不飽和ポリエステルを用いた場
合においても導体間距離３μｍ、断面形状が幅６μｍ、
高さ２０μｍ、矩形状を呈する導体パターンが得られ
た。The obtained substrate was cut into 2 cm square pieces, cured with an epoxy resin, and then its cross section was mirror-polished with a grinder. As a result of observing the circuit portion with an optical microscope, the distance between conductors was 3 μm and the cross-sectional shape was 6 μm in width, even when unsaturated polyester having any of the raw material compositions shown in Table 1 was used
A rectangular conductor pattern having a height of 20 μm was obtained.
【００４０】比較例１ ポリオキシプロピレングリコール、マレイン酸、セバシ
ン酸をそれぞれモル比で０．５０／０．０５／０．１２
の割合で縮合させて得た不飽和ポリエステル樹脂（二重
結合濃度：４×１０-4、分子量：６００００）７０重量
部にアクリル酸１０重量部、アクリルアミド１０重量
部、スチレン１０重量部、ベンゾイン１重量部、ハイド
ロキノン０．１重量部をそれぞれ添加し、４０℃の温浴
中で撹拌混合することにより、感光性樹脂組成物を調製
した。Comparative Example 1 Polyoxypropylene glycol, maleic acid and sebacic acid were added in a molar ratio of 0.50 / 0.05 / 0.12.
70 parts by weight of an unsaturated polyester resin (double bond concentration: 4 × 10 −4 , molecular weight: 60,000) obtained by condensation at a ratio of 10 parts by weight of acrylic acid, 10 parts by weight of acrylamide, 10 parts by weight of styrene, 1 part of benzoin By weight, 0.1 parts by weight of hydroquinone was added, and the mixture was stirred and mixed in a warm bath at 40 ° C. to prepare a photosensitive resin composition.
【００４１】次に＃６００の耐水研磨紙で表面を粗化し
た、厚さ１００μｍのアルミニウム基板上に、調製した
感光性樹脂組成物を旭化成工業（株）製ＳＲＢ装置を用
いて塗布した。この際、レジスト層の厚みが２０μｍに
なるようにスペーサーで調節した。所定のガラスマスク
とＯＲＣ社製平行光方式光源を用いてマスク露光、現像
（水酸化ナトリウム０．３％溶液、４０〜４５℃、吐出
圧力０．１ｋｇ／ｃｍ 2）を行ったところ、現像性が著
しく低下し、実施例１で得られたようなレジストパター
ンを得ることはできなかった。Next, the surface is roughened with # 600 water resistant abrasive paper.
Further, it was prepared on an aluminum substrate having a thickness of 100 μm.
Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd.'s SRB device for photosensitive resin composition
Applied. At this time, the resist layer has a thickness of 20 μm.
The spacer was adjusted so that Predetermined glass mask
And mask exposure and development using ORC parallel light source
(Sodium hydroxide 0.3% solution, 40-45 ° C, discharge
Pressure 0.1kg / cm 2), The developability is remarkable.
Resist pattern as obtained in Example 1
I couldn't get it.
【００４２】実施例２ 厚さ１００μｍのポリエステル基板の上に、東洋モート
ン社製ウレタン系接着剤を５μｍの厚みになるようにド
クターブレードで塗布し、乾燥・熟成を行った。この基
板を１０％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬処理した後、
塩化第一スズの塩酸水溶液、次いで塩化パラジウムの塩
酸水溶液で処理・乾燥し、無電解メッキに対する活性化
処理を行った。Example 2 A 100 μm thick polyester substrate was coated with a urethane adhesive manufactured by Toyo Morton Co., Ltd. with a doctor blade to a thickness of 5 μm, and dried and aged. After dipping the substrate in a 10% sodium hydroxide aqueous solution,
It was treated and dried with an aqueous solution of stannous chloride in hydrochloric acid and then with an aqueous solution of palladium chloride in hydrochloric acid to carry out activation treatment for electroless plating.
【００４３】次に透明なガラス板上に、フォトマスクお
よび厚み２０μｍのポリプロピレンフィルムを重ね合わ
せ、実施例１で得た感光性樹脂組成物を実施例１と同様
の方法で塗布・露光・現像した。なお、レジスト層の厚
みは１５０μｍになるようにスペサーで調節した。かく
して、ポリエステル基板上に幅２０μｍ、高さ１５０μ
ｍのレジストパターンを得た。Next, a photomask and a polypropylene film having a thickness of 20 μm were superposed on a transparent glass plate, and the photosensitive resin composition obtained in Example 1 was applied, exposed and developed in the same manner as in Example 1. . The thickness of the resist layer was adjusted with a spacer so as to be 150 μm. Thus, on the polyester substrate width 20μm, height 150μ
m resist pattern was obtained.
【００４４】次いで、上村工業（株）社製無電解メッキ
液「ＥＬＣ−ＵＭ」を用いて、２〜３μｍの下地導電体
層を形成した後、硫酸銅溶液を用いて、陰極の電流密度
２．５Ａ／ｄｍ2の条件下で１４０μｍのメッキ銅皮膜
を析出させ、導体パターンを形成した。得られた導体を
光学顕微鏡で観察した結果、表１記載のいずれの原料組
成による不飽和ポリエステルを用いた場合においても導
体間距離２０μｍ、断面形状が幅４０μｍ、幅方向の厚
みのばらつきが平均値の±１％以内、高さ１４０μｍ、
矩形状を呈していた。Next, an electroless plating solution "ELC-UM" manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd. was used to form an underlying conductor layer having a thickness of 2 to 3 μm, and then a copper sulfate solution was used to obtain a cathode current density of 2 μm. A 140 μm plated copper film was deposited under the condition of 0.5 A / dm 2 to form a conductor pattern. As a result of observing the obtained conductor with an optical microscope, the distance between conductors was 20 μm, the cross-sectional shape was 40 μm in width, and the variation in thickness in the width direction was an average value when unsaturated polyesters having any of the raw material compositions shown in Table 1 were used. Within ± 1% of height 140 μm,
It had a rectangular shape.
【００４５】実施例３ プロピレングリコール、ジエチレングリコールとアジピ
ン酸、イソフタル酸、フマル酸をそれぞれモル比で０．
１２／０．３８／０．２４／０．１２／０．１４の割合
で縮合させて得たプレポリマー（二重結合濃度：１×１
０-3、分子量：３０００）１００重量部に、ジエチレン
グリコールジメタクリレート１２重量部、テトラエチレ
ングリコールジメタクリレート３０重量部、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート１２重量部、ジアセトンアク
リルアミド６重量部、リン酸モノ（２−メタクリロイル
オキシエチル）３重量部、ベンゾインイソブチルエーテ
ル２重量部、４−ターシャリーブチルカテコール０．０
３重量部を加え、充分、撹拌・混合し、感光性樹脂組成
物を得た。Example 3 Propylene glycol, diethylene glycol and adipic acid, isophthalic acid and fumaric acid were used in a molar ratio of 0.
Prepolymer obtained by condensation at a ratio of 12 / 0.38 / 0.24 / 0.12 / 0.14 (double bond concentration: 1 × 1
0 -3, molecular weight: 3000) in 100 parts by weight, diethylene glycol dimethacrylate 12 parts by weight, 30 parts by weight of tetraethylene glycol dimethacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate 12 parts by weight, diacetone acrylamide, 6 parts by weight, monophosphate (2 -Methacryloyloxyethyl) 3 parts by weight, benzoin isobutyl ether 2 parts by weight, 4-tert-butyl catechol 0.0
3 parts by weight was added and sufficiently stirred and mixed to obtain a photosensitive resin composition.
【００４６】次に厚さ１００μｍのアルミニウム基板を
バフロール研磨機で表面研磨し、感光性樹脂組成物を実
施例１と同様の方法で塗布・露光・現像した。この際、
レジスト層の厚みが４１０μｍになるようにスペサーで
調節した。かくして、アルミニウム基板上に幅４０μ
ｍ、高さ４１０μｍのレジストパターンを得た。Next, a 100 μm thick aluminum substrate was surface-polished with a Buffol polishing machine, and the photosensitive resin composition was applied, exposed and developed in the same manner as in Example 1. On this occasion,
The thickness of the resist layer was adjusted with a spacer so as to be 410 μm. Thus, the width of 40μ on the aluminum substrate
A resist pattern of m and a height of 410 μm was obtained.
【００４７】このレジストパターン内にハーショウ村田
社製ピロリドン酸銅メッキ液を用いて、陰極の電流密度
１４Ａ／ｄｍ2の条件で、４００μｍのメッキ銅皮膜を
析出させ、導体を形成した。A copper plating film of 400 μm was deposited in this resist pattern using a copper pyrrolidonic acid copper plating solution manufactured by Hersho Murata Co., Ltd. under the condition of a current density of 14 A / dm 2 of the cathode to form a conductor.
【００４８】得られた基板の表面に接着剤（セメダイン
ＥＰ００８、ＥＰ１７０）をスクリーン印刷し、ガラス
エポキシ絶縁基板上に転写・接着した後、アルミニウム
基板を１０％塩酸でエッチング、除去し、膜厚回路基板
を得た。An adhesive (cemedine EP008, EP170) was screen-printed on the surface of the obtained substrate, transferred and adhered onto a glass epoxy insulating substrate, and then the aluminum substrate was etched and removed with 10% hydrochloric acid to obtain a film thickness circuit. A substrate was obtained.
【００４９】得られた基板を２ｃｍ角に切断し、エポキ
シ樹脂で硬化させた後、研磨機により断面を鏡面研磨し
た。回路部分を光学顕微鏡で観察した結果、導体間距離
４０μｍ、断面形状が幅６２μｍ、幅方向の厚みのばら
つきが平均値の±３％以内、高さ４００μｍ、矩形状を
呈していた。The obtained substrate was cut into 2 cm square pieces, cured with an epoxy resin, and then its cross section was mirror-polished with a polishing machine. As a result of observing the circuit portion with an optical microscope, it was found that the distance between conductors was 40 μm, the cross-sectional shape was 62 μm in width, the variation in thickness in the width direction was within ± 3% of the average value, the height was 400 μm, and the shape was rectangular.
【００５０】[0050]
【発明の効果】本発明によれば、導体間の絶縁層にエチ
レン性不飽和結合を有する特定のプレポリマーとエチレ
ン性不飽和化合物単量体からなる液状感光性樹脂硬化物
を用いることにより、幅方向の厚みのばらつきが小さ
く、高いアスペクト比で、狭い配線ピッチの回路構成が
可能であり、高信頼性、高線占率、高密度配線を要求さ
れる厚膜回路基板を得ることができる。According to the present invention, by using a liquid photosensitive resin cured product comprising a specific prepolymer having an ethylenically unsaturated bond and an ethylenically unsaturated compound monomer in the insulating layer between conductors, The thickness variation in the width direction is small, the circuit configuration with a high aspect ratio and a narrow wiring pitch is possible, and it is possible to obtain a thick film circuit board that requires high reliability, high line occupancy, and high density wiring. .
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/26 7124−2Ｈ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｅ 6921−4Ｅ 3/18 Ｄ 7511−4Ｅ Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Reference number within the agency FI Technical display location G03F 7/26 7124-2H H05K 3/06 E 6921-4E 3/18 D 7511-4E
Claims (4)
を用いた厚膜回路基板において、導体の断面形状が矩形
状を呈し、導体の幅方向の厚みのばらつきが平均値の±
２０％以内、導体断面の高さが２０μｍ以上、さらに絶
縁層がエチレン性不飽和結合濃度が１０-2〜２×１０-4
ｍｏｌ／ｇ、かつ分子量が１５００〜５００００である
エチレン性不飽和結合を有するプレポリマーとエチレン
性不飽和化合物単量体からなる液状感光性樹脂硬化物で
あることを特徴とする厚膜回路基板。1. A thick film circuit board using a photosensitive resin cured product as an insulating layer between conductors, wherein the conductor has a rectangular cross-sectional shape, and the variation in thickness in the width direction of the conductor is ± of the average value.
Within 20%, the height of the conductor cross section is 20 μm or more, and the insulating layer has an ethylenically unsaturated bond concentration of 10 −2 to 2 × 10 −4.
A thick film circuit board, which is a liquid photosensitive resin cured product comprising a prepolymer having an ethylenically unsaturated bond having a mol / g and a molecular weight of 1,500 to 50,000 and an ethylenically unsaturated compound monomer.
キルジオールと分子内に５個以下のエーテル結合を有す
るジオールとの混合物からなるアルコール成分と、エチ
レン性不飽和結合を有するジカルボン酸単独もしくはエ
チレン性不飽和結合を有しないジカルボン酸とエチレン
性不飽和結合を有するジカルボン酸との混合物とからな
る酸成分との縮重合により得られる不飽和ポリエステル
であることを特徴とする請求項１に記載の厚膜回路基
板。2. A prepolymer used for the insulating layer is an alcohol component comprising a mixture of an alkyl diol and a diol having 5 or less ether bonds in the molecule, and a dicarboxylic acid having an ethylenically unsaturated bond alone or ethylene. An unsaturated polyester obtained by polycondensation with an acid component comprising a mixture of a dicarboxylic acid having no unsaturated unsaturated bond and a dicarboxylic acid having an ethylenically unsaturated bond. Thick film circuit board.
不飽和基を有するリン酸部分エステルを０．１〜１０重
量部を含有する請求項１または２記載の厚膜回路基板。3. The insulating layer is based on 100 parts of the resin composition,
The thick film circuit board according to claim 1 or 2, which contains 0.1 to 10 parts by weight of a partial phosphoric acid ester having an unsaturated group.
与を行い、その表面に厚さ２０μｍ以上の請求項１また
は２または３記載の液状感光性樹脂を被着する工程、 （２）上記感光性樹脂を露光・現像し、レジストパター
ンを形成する工程、 （３）感光性樹脂の除去された部分に、必要に応じて無
電解メッキを行い、引き続き電解メッキにより金属皮膜
を析出させ、導体を形成する工程、 （４）形成したレジストパターンおよび導体を、必要に
応じて絶縁基板上に転写し、ベース基板を除去し、導体
間を絶縁化する工程、 を有することを特徴とする厚膜回路基板の製造方法。4. The method for producing a thick film circuit board according to claim 1, wherein the substrate is provided with a catalyst for electroless plating, if necessary, and has a thickness of 20 μm or more. Step of applying liquid photosensitive resin, (2) Step of exposing / developing the photosensitive resin to form a resist pattern, (3) Electroless plating on a portion where the photosensitive resin is removed, if necessary. And subsequently depositing a metal film by electrolytic plating to form a conductor. (4) The formed resist pattern and conductor are transferred onto an insulating substrate as necessary, the base substrate is removed, and the conductor is separated. A method of manufacturing a thick film circuit board, comprising: an insulating step.
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|---|---|---|---|
| JP6653193A JP3073358B2 (en) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | Thick film circuit board and method of manufacturing the same |
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| JP6653193A JP3073358B2 (en) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | Thick film circuit board and method of manufacturing the same |
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