JPH06283797A - 半導体レーザの波長安定化方法及び波長安定化光源 - Google Patents
半導体レーザの波長安定化方法及び波長安定化光源Info
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- JPH06283797A JPH06283797A JP7139893A JP7139893A JPH06283797A JP H06283797 A JPH06283797 A JP H06283797A JP 7139893 A JP7139893 A JP 7139893A JP 7139893 A JP7139893 A JP 7139893A JP H06283797 A JPH06283797 A JP H06283797A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザの経時変化による波長ドリフト
を補償することにより、波長変化の小さいレーザ光源を
実現する。 【構成】 半導体レーザ101の出力光パワーは、光検
出器によりモニタされ、制御装置102により、一定値
P0 に安定化される。また、ヒートシンク103の温度
は、温度検出器104により検出され、制御装置105
により、温度T0に安定化される。このとき、温度T0
は、半導体レーザの経時変化に伴う消費電力変化を半導
体レーザに流れる全電流と端子電圧によりモニタし、こ
れにより半導体レーザの活性層の温度が変化しないよう
に、制御装置106により設定される。活性層の温度が
一定なため、波長ドリフトを生じない。また、定光出力
動作も同時に実現できる。
を補償することにより、波長変化の小さいレーザ光源を
実現する。 【構成】 半導体レーザ101の出力光パワーは、光検
出器によりモニタされ、制御装置102により、一定値
P0 に安定化される。また、ヒートシンク103の温度
は、温度検出器104により検出され、制御装置105
により、温度T0に安定化される。このとき、温度T0
は、半導体レーザの経時変化に伴う消費電力変化を半導
体レーザに流れる全電流と端子電圧によりモニタし、こ
れにより半導体レーザの活性層の温度が変化しないよう
に、制御装置106により設定される。活性層の温度が
一定なため、波長ドリフトを生じない。また、定光出力
動作も同時に実現できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの波長を
安定化させる波長安定化方法と光源に関する。
安定化させる波長安定化方法と光源に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザの波長安定化方法に関して
は、例えば、アイトリプルイー・ジャーナル・オブ・ク
アンタム・エレクトロニクス(IEEE Journa
l of Quantum Electronic
s),28巻,1号,75頁に記載のアセチレンの吸収
線を用いた波長安定化方法がある。
は、例えば、アイトリプルイー・ジャーナル・オブ・ク
アンタム・エレクトロニクス(IEEE Journa
l of Quantum Electronic
s),28巻,1号,75頁に記載のアセチレンの吸収
線を用いた波長安定化方法がある。
【0003】図2は、この第1の従来例を説明するため
のブロック図である。
のブロック図である。
【0004】図2において、半導体レーザ201の周囲
温度は、温度制御装置202により一定に保たれる。ま
た、半導体レーザ201の電流は、発振器203により
微小に変調され、これにより出力光の波長も微小に変調
されている。半導体レーザ201の出力光は、アセチレ
ンセル204を透過し、光検出器205により光電変換
され、同期検波器206により、発振器203の発振周
波数で同期検波される。
温度は、温度制御装置202により一定に保たれる。ま
た、半導体レーザ201の電流は、発振器203により
微小に変調され、これにより出力光の波長も微小に変調
されている。半導体レーザ201の出力光は、アセチレ
ンセル204を透過し、光検出器205により光電変換
され、同期検波器206により、発振器203の発振周
波数で同期検波される。
【0005】同期検波器206の出力は、半導体レーザ
201の波長とアセチレンの吸収線のピークの波長の差
に比例した波長誤差信号となるので、同期検波器206
の出力を誤差信号として、PID制御方式などを用いた
制御装置207により、半導体レーザ201の電流に帰
還することにより、半導体レーザ201の波長をアセチ
レンの吸収線のピークの波長に制御する。アセチレンの
吸収線の波長は、非常に安定なので、半導体レーザ20
1の波長も高安定化される。
201の波長とアセチレンの吸収線のピークの波長の差
に比例した波長誤差信号となるので、同期検波器206
の出力を誤差信号として、PID制御方式などを用いた
制御装置207により、半導体レーザ201の電流に帰
還することにより、半導体レーザ201の波長をアセチ
レンの吸収線のピークの波長に制御する。アセチレンの
吸収線の波長は、非常に安定なので、半導体レーザ20
1の波長も高安定化される。
【0006】半導体レーザの波長安定化方法に関するこ
の他の従来例としては、例えば、特開昭64−7478
0号公報に記載の半導体レーザの端子電圧から温度を検
出し、半導体レーザを温度制御することにより波長安定
化する方法がある。
の他の従来例としては、例えば、特開昭64−7478
0号公報に記載の半導体レーザの端子電圧から温度を検
出し、半導体レーザを温度制御することにより波長安定
化する方法がある。
【0007】図3は、この第2の従来例を説明するため
のブロック図である。
のブロック図である。
【0008】図3において、半導体レーザ303は、恒
温層301内に置かれ、定電流源304により駆動され
る。半導体レーザの順方向電圧降下Vfは、(1)式で表
される。
温層301内に置かれ、定電流源304により駆動され
る。半導体レーザの順方向電圧降下Vfは、(1)式で表
される。
【0009】 Vf =k・ln(1+If /Io )/e・T (1) ただし、Io :順方向飽和電流 If :励起電流 e:電子の電荷 k:ボルツマン定数 T:絶対温度。
【0010】このように、半導体レーザの順方向電圧降
下Vf は、半導体レーザの温度Tに比例するので、順方
向電圧降下Vfを差動アンプ305により検出することに
より、半導体レーザ303の温度を正確に検出すること
ができ、制御装置306により、ペルチェ素子302を
用いて、半導体レーザ303の温度を一定に保つことが
出来る。半導体レーザの波長は、温度と電流により決ま
るので、両者を一定に保つことにより、半導体レーザ3
03の波長が安定化される。
下Vf は、半導体レーザの温度Tに比例するので、順方
向電圧降下Vfを差動アンプ305により検出することに
より、半導体レーザ303の温度を正確に検出すること
ができ、制御装置306により、ペルチェ素子302を
用いて、半導体レーザ303の温度を一定に保つことが
出来る。半導体レーザの波長は、温度と電流により決ま
るので、両者を一定に保つことにより、半導体レーザ3
03の波長が安定化される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】第1の従来例において
は、波長誤差を検出するためにアセチレンセルや同期検
波器などを必要とするため、装置が大型化し、高価にな
る。
は、波長誤差を検出するためにアセチレンセルや同期検
波器などを必要とするため、装置が大型化し、高価にな
る。
【0012】第2の従来例においては、半導体レーザの
経時変化によるリーク電流の増加,非発光再結合電流の
増加により、半導体レーザの温度が正確に検出できなく
なり、半導体レーザの温度,励起電流が変化し、結果的
に、半導体レーザの出力光パワーと波長が変化してしま
う。
経時変化によるリーク電流の増加,非発光再結合電流の
増加により、半導体レーザの温度が正確に検出できなく
なり、半導体レーザの温度,励起電流が変化し、結果的
に、半導体レーザの出力光パワーと波長が変化してしま
う。
【0013】本発明の目的は、吸収セルや同期検波器を
用いない簡単な構成で、半導体レーザの経時変化によ
り、リーク電流,非発光再結合電流が増加しても、出力
光パワーと波長を一定に保つことのできる波長安定化光
源を提供することにある。
用いない簡単な構成で、半導体レーザの経時変化によ
り、リーク電流,非発光再結合電流が増加しても、出力
光パワーと波長を一定に保つことのできる波長安定化光
源を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体レー
ザの波長安定化方法は、半導体レーザの駆動電流と端子
電圧と出力光パワーを検出し、半導体レーザの発光に寄
与する電流と活性層の温度が一定になるように半導体レ
ーザの駆動電流とヒートシンクの温度を制御することを
特徴とする。
ザの波長安定化方法は、半導体レーザの駆動電流と端子
電圧と出力光パワーを検出し、半導体レーザの発光に寄
与する電流と活性層の温度が一定になるように半導体レ
ーザの駆動電流とヒートシンクの温度を制御することを
特徴とする。
【0015】第2の発明の波長安定化光源は、半導体レ
ーザと、前記半導体レーザの出力光パワーを検出し、前
記半導体レーザの出力光パワーを前記半導体レーザの駆
動電流を制御することにより一定に保つ第1の制御装置
と、前記半導体レーザの駆動電流と端子電圧を検出し、
前記半導体レーザの経時変化による消費電力の増加によ
る温度変化を打ち消すように前記半導体レーザのヒート
シンクの設定温度を制御する第2の制御装置と、前記ヒ
ートシンクの温度を検出し、電熱変換器により前記ヒー
トシンクの温度を前記第2の制御装置の設定値に制御す
る第3の制御装置とから構成されることを特徴とする。
ーザと、前記半導体レーザの出力光パワーを検出し、前
記半導体レーザの出力光パワーを前記半導体レーザの駆
動電流を制御することにより一定に保つ第1の制御装置
と、前記半導体レーザの駆動電流と端子電圧を検出し、
前記半導体レーザの経時変化による消費電力の増加によ
る温度変化を打ち消すように前記半導体レーザのヒート
シンクの設定温度を制御する第2の制御装置と、前記ヒ
ートシンクの温度を検出し、電熱変換器により前記ヒー
トシンクの温度を前記第2の制御装置の設定値に制御す
る第3の制御装置とから構成されることを特徴とする。
【0016】
【作用】第1の発明では、半導体レーザの駆動電流と端
子電圧と出力光パワーを検出するので、半導体レーザの
消費電力と出力光パワーの関係が測定出来る。従って、
出力光パワーを一定にするように半導体レーザの駆動電
流を制御すると同時に、半導体レーザの経時変化による
同一出力光パワーを得るための消費電力の増加による活
性層の温度上昇を打ち消すようにヒートシンクの温度を
制御することが出来る。
子電圧と出力光パワーを検出するので、半導体レーザの
消費電力と出力光パワーの関係が測定出来る。従って、
出力光パワーを一定にするように半導体レーザの駆動電
流を制御すると同時に、半導体レーザの経時変化による
同一出力光パワーを得るための消費電力の増加による活
性層の温度上昇を打ち消すようにヒートシンクの温度を
制御することが出来る。
【0017】第2の発明では、第1の制御装置で半導体
レーザの出力光パワーを半導体レーザの駆動電流を制御
することにより一定に保ち、第2の制御装置で半導体レ
ーザの経時変化による消費電力の増加による温度変化を
打ち消すように半導体レーザのヒートシンクの設定温度
を制御するので、第1の発明の波長安定化方法が容易に
実現出来る。
レーザの出力光パワーを半導体レーザの駆動電流を制御
することにより一定に保ち、第2の制御装置で半導体レ
ーザの経時変化による消費電力の増加による温度変化を
打ち消すように半導体レーザのヒートシンクの設定温度
を制御するので、第1の発明の波長安定化方法が容易に
実現出来る。
【0018】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳しく説明す
る。
る。
【0019】半導体レーザは、定光出力,定温動作時
(出力光パワーが一定となるように駆動電流を制御する
と同時に、ヒートシンクが一定温度になるようにペルチ
ェ素子などを用いた電熱変換器の電流を制御した状態)
において、長期的に波長変動を示す。この波長変動の原
因は、電流ブロック層の劣化によるリーク電流の増加と
活性層の劣化による非発光再結合電流の増加により、半
導体レーザに注入された全電流の内のレーザ発振に寄与
する割合が変化したことにあると考えられる。例えば、
定光出力,定温度動作時には、劣化により全電流に対す
る発光に寄与する電流の割合が減少するので、それを補
うために全電流が増加し、活性層の温度が上昇するの
で、発振波長は長波長側へドリフトする。
(出力光パワーが一定となるように駆動電流を制御する
と同時に、ヒートシンクが一定温度になるようにペルチ
ェ素子などを用いた電熱変換器の電流を制御した状態)
において、長期的に波長変動を示す。この波長変動の原
因は、電流ブロック層の劣化によるリーク電流の増加と
活性層の劣化による非発光再結合電流の増加により、半
導体レーザに注入された全電流の内のレーザ発振に寄与
する割合が変化したことにあると考えられる。例えば、
定光出力,定温度動作時には、劣化により全電流に対す
る発光に寄与する電流の割合が減少するので、それを補
うために全電流が増加し、活性層の温度が上昇するの
で、発振波長は長波長側へドリフトする。
【0020】以下、数式を用いて第1の発明を説明す
る。
る。
【0021】半導体レーザの光共振器内の光学的損出
は、ほとんど変化しないと考えられるので、発振中のキ
ャリア密度はほぼ一定値に保たれ、波長変化に寄与しな
いと考えられる。従って、波長変化Δλは、活性層温度
の変化ΔTに起因すると考えられ、一次近似を用いる
と、(2)式で表される。
は、ほとんど変化しないと考えられるので、発振中のキ
ャリア密度はほぼ一定値に保たれ、波長変化に寄与しな
いと考えられる。従って、波長変化Δλは、活性層温度
の変化ΔTに起因すると考えられ、一次近似を用いる
と、(2)式で表される。
【0022】
【数1】
【0023】(2)式は、活性層の真の温度が一定なら
ば、波長変化が無いことを示している。通常、半導体レ
ーザモジュールは、温調されているが、温度センサと活
性層間の熱抵抗のために、一定温度制御では、消費電力
の変化により活性層の真の温度が変化してしまう。活性
層温度の変化ΔTは、活性層の消費電力変化ΔW,熱抵
抗θ,定温側温度変化(設定温度変化)ΔTc を用い
て、(3)式で表される。
ば、波長変化が無いことを示している。通常、半導体レ
ーザモジュールは、温調されているが、温度センサと活
性層間の熱抵抗のために、一定温度制御では、消費電力
の変化により活性層の真の温度が変化してしまう。活性
層温度の変化ΔTは、活性層の消費電力変化ΔW,熱抵
抗θ,定温側温度変化(設定温度変化)ΔTc を用い
て、(3)式で表される。
【0024】 ΔT=θΔW+ΔTc (3) 従って、 ΔTc =−θΔW (4) とすれば、活性層の温度変化を無くす(ΔT=0)こと
ができ、波長が一定に保たれる。ここで、全電流it,端
子間電圧v は、初期全電流it0 ,初期端子間電圧
v0 ,全電流変化Δit ,端子間電圧変化Δvを用い
て、それぞれ(5a)式、(5b)式で表される。
ができ、波長が一定に保たれる。ここで、全電流it,端
子間電圧v は、初期全電流it0 ,初期端子間電圧
v0 ,全電流変化Δit ,端子間電圧変化Δvを用い
て、それぞれ(5a)式、(5b)式で表される。
【0025】 it =it o +Δit (5a) v=v0 +Δv (5b) これを用いると活性層の消費電力変化ΔWは、(6)式
となる。 ΔW=W−W0 =it v−it 0 v0 =Δit v0 +it 0 Δv+Δit Δv (6) 図1は、第2の発明を適用した波長安定化光源の1実施
例を説明するためのブロック図である。
となる。 ΔW=W−W0 =it v−it 0 v0 =Δit v0 +it 0 Δv+Δit Δv (6) 図1は、第2の発明を適用した波長安定化光源の1実施
例を説明するためのブロック図である。
【0026】図1において、半導体レーザ101の出力
光パワーは、光検出器によりモニタされ、制御装置10
2により、一定値P0 に安定化される。また、ヒートシ
ンク103の温度は、温度検出器104により検出さ
れ、制御装置105により、温度T0 に安定化される。
このとき、温度T0 は、半導体レーザの経時変化に伴う
消費電力変化を半導体レーザに流れる全電流と端子電圧
によりモニタし、第1の発明の方法に従って、半導体レ
ーザの活性層の温度が変化しないように、制御装置10
6により設定される。
光パワーは、光検出器によりモニタされ、制御装置10
2により、一定値P0 に安定化される。また、ヒートシ
ンク103の温度は、温度検出器104により検出さ
れ、制御装置105により、温度T0 に安定化される。
このとき、温度T0 は、半導体レーザの経時変化に伴う
消費電力変化を半導体レーザに流れる全電流と端子電圧
によりモニタし、第1の発明の方法に従って、半導体レ
ーザの活性層の温度が変化しないように、制御装置10
6により設定される。
【0027】以上、実施例をもって本発明を詳細に説明
したが、本発明は、この実施例のみに限定されるもので
はない。例えば、図1において、半導体レーザ101の
出力光パワーを一定値に制御する制御装置102とヒー
トシンク103の温度を制御する制御装置105とヒー
トシンク103の温度を設定する制御装置106を別の
制御装置としたが、1台の制御装置で半導体レーザの電
流とヒートシンクの温度をまとめて制御することもでき
る。
したが、本発明は、この実施例のみに限定されるもので
はない。例えば、図1において、半導体レーザ101の
出力光パワーを一定値に制御する制御装置102とヒー
トシンク103の温度を制御する制御装置105とヒー
トシンク103の温度を設定する制御装置106を別の
制御装置としたが、1台の制御装置で半導体レーザの電
流とヒートシンクの温度をまとめて制御することもでき
る。
【0028】
【発明の効果】以上、説明した様に、第1の発明を適用
するならば、半導体レーザの駆動電流と端子電圧と出力
光パワーを検出し、出力光パワーを一定にするように半
導体レーザの駆動電流を制御すると同時に、半導体レー
ザの経時変化による同一出力光パワーを得るための消費
電力の増加による活性層の温度上昇を打ち消すようにヒ
ートシンクの温度を制御するので、吸収セルや同期検波
器を用いない簡便な構成で、半導体レーザの経時変化に
よる波長ドリフトを防いで、波長安定化することが出来
る。
するならば、半導体レーザの駆動電流と端子電圧と出力
光パワーを検出し、出力光パワーを一定にするように半
導体レーザの駆動電流を制御すると同時に、半導体レー
ザの経時変化による同一出力光パワーを得るための消費
電力の増加による活性層の温度上昇を打ち消すようにヒ
ートシンクの温度を制御するので、吸収セルや同期検波
器を用いない簡便な構成で、半導体レーザの経時変化に
よる波長ドリフトを防いで、波長安定化することが出来
る。
【0029】第2の発明を適用するならば、第1の制御
装置で半導体レーザの出力光パワーを半導体レーザの駆
動電流を制御することにより一定に保ち、第2の制御装
置で半導体レーザの経時変化による消費電力の増加によ
る温度変化を打ち消すように半導体レーザのヒートシン
クの設定温度を制御するので、第1の発明の波長安定化
方法が容易に実現出来る。
装置で半導体レーザの出力光パワーを半導体レーザの駆
動電流を制御することにより一定に保ち、第2の制御装
置で半導体レーザの経時変化による消費電力の増加によ
る温度変化を打ち消すように半導体レーザのヒートシン
クの設定温度を制御するので、第1の発明の波長安定化
方法が容易に実現出来る。
【図1】第2の発明を適用した波長安定化光源の1実施
例を説明するためのブロック図である。
例を説明するためのブロック図である。
【図2】第1の従来例を説明するためのブロック図であ
る。
る。
【図3】第2の従来例を説明するためのブロック図であ
る。
る。
101,201,303 半導体レーザ 102,105,106,207,306 制御装置 103 ヒートシンク 104 温度検出器 202 温度制御装置 203 発振器 204 アセチレンセル 205 光検出器 206 同期検波器 301 恒温層 302 ペルチェ素子 304 定電流源 305 差動アンプ
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体レーザの駆動電流と端子電圧と出
力光パワーを検出し、半導体レーザの発光に寄与する電
流と活性層の温度が一定になるように半導体レーザの駆
動電流とヒートシンクの温度を制御することを特徴とす
る半導体レーザの波長安定化方法。 - 【請求項2】 半導体レーザと、前記半導体レーザの出
力光パワーを検出し、前記半導体レーザの出力光パワー
を前記半導体レーザの駆動電流を制御することにより一
定に保つ第1の制御装置と、前記半導体レーザの駆動電
流と端子電圧を検出し、前記半導体レーザの経時変化に
よる消費電力の増加による温度変化を打ち消すように前
記半導体レーザのヒートシンクの設定温度を制御する第
2の制御装置と、前記ヒートシンクの温度を検出し、電
熱変換器により前記ヒートシンクの温度を前記第2の制
御装置の設定値に制御する第3の制御装置とから構成さ
れることを特徴とする波長安定化光源。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7139893A JPH0770777B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 半導体レーザの波長安定化方法及び波長安定化光源 |
EP94105059A EP0618653B1 (en) | 1993-03-30 | 1994-03-30 | Frequency stabilization method of semiconductor laser and frequency-stabilized light source |
DE69404190T DE69404190T2 (de) | 1993-03-30 | 1994-03-30 | Frequenzstabilisationsverfahren für Halbleiterlaser und frequenzstabilisierte Lichtquelle |
US08/220,223 US5392303A (en) | 1993-03-30 | 1994-03-30 | Frequency stabilization method of semiconductor laser, frequency-stabilized light source and laser module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7139893A JPH0770777B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 半導体レーザの波長安定化方法及び波長安定化光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06283797A true JPH06283797A (ja) | 1994-10-07 |
JPH0770777B2 JPH0770777B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13459374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7139893A Expired - Fee Related JPH0770777B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 半導体レーザの波長安定化方法及び波長安定化光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0770777B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11163462A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 光波長安定制御装置、光送信器、光波長多重送信器 |
US6590686B1 (en) | 1998-12-24 | 2003-07-08 | Fujitsu Limited | Optical transmitter |
JP2006100414A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信器 |
JP2006114774A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 波長安定化半導体レーザ装置 |
JP2008166412A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Koito Mfg Co Ltd | 発光素子駆動回路及び車両用灯具 |
CN100464473C (zh) * | 2007-05-22 | 2009-02-25 | 南昌航空大学 | 一种半导体激光精密调准及温控装置 |
JP2013258357A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光源装置 |
JP2016092146A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7139893A patent/JPH0770777B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11163462A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 光波長安定制御装置、光送信器、光波長多重送信器 |
US6229832B1 (en) | 1997-11-27 | 2001-05-08 | Hitachi, Ltd. | Optical wavelength stability control apparatus, optical transmitter and multiple wavelength transmitter |
US6590686B1 (en) | 1998-12-24 | 2003-07-08 | Fujitsu Limited | Optical transmitter |
JP2006100414A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信器 |
JP2006114774A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 波長安定化半導体レーザ装置 |
JP2008166412A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Koito Mfg Co Ltd | 発光素子駆動回路及び車両用灯具 |
CN100464473C (zh) * | 2007-05-22 | 2009-02-25 | 南昌航空大学 | 一种半导体激光精密调准及温控装置 |
JP2013258357A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光源装置 |
JP2016092146A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
Also Published As
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