JPH06283498A - Semiconductor production device - Google Patents
Semiconductor production deviceInfo
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- JPH06283498A JPH06283498A JP6676293A JP6676293A JPH06283498A JP H06283498 A JPH06283498 A JP H06283498A JP 6676293 A JP6676293 A JP 6676293A JP 6676293 A JP6676293 A JP 6676293A JP H06283498 A JPH06283498 A JP H06283498A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ウェットエッチング
によりICやLSIを製造する半導体製造装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing ICs and LSIs by wet etching.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体製造装置の構成について図
5を参照しながら説明する。図5は、従来の半導体製造
装置を示す図である。2. Description of the Related Art The structure of a conventional semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
【0003】図5において、1はBHF液、HF液等の
薬液、2は薬液1が循環するテフロンチューブ等の配
管、3は薬液1を循環させるためのポンプ、4は異物を
除去するためのフィルター、5はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、6は内槽5からオーバーフロー
した薬液1を溜めるためのエッチング槽の外槽、7はシ
リコンウエハを収納したバスケット、8はエッチングを
行うシリコンウエハである。In FIG. 5, 1 is a chemical liquid such as BHF liquid and HF liquid, 2 is a pipe such as a Teflon tube through which the chemical liquid 1 circulates, 3 is a pump for circulating the chemical liquid 1, 4 is a foreign matter removing device. Filter 5 is an inner tank of an etching tank for etching, 6 is an outer tank of the etching tank for storing the chemical solution 1 overflowing from the inner tank 5, 7 is a basket containing a silicon wafer, and 8 is silicon for etching. It is a wafer.
【0004】次に、従来の半導体製造装置の動作につい
て図5を参照しながら説明する。まず、エッチングしよ
うとするシリコンウエハ8をバスケット7に入れ、エッ
チングを行う内槽5に浸す。そして、薬液1中に所定時
間浸した後、図には示していない水洗槽にバスケット7
を入れて、薬液1の除去を行った後、乾燥を行ってエッ
チングは完了する。このような手順で被エッチング膜の
パターン形成をウェットエッチングで行っている。Next, the operation of the conventional semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIG. First, the silicon wafer 8 to be etched is placed in the basket 7 and immersed in the inner tank 5 for etching. Then, after soaking in the chemical solution 1 for a predetermined time, the basket 7 is placed in a washing tank (not shown).
After removing the chemical liquid 1 by putting in, the product is dried to complete the etching. The pattern formation of the film to be etched is performed by wet etching in this procedure.
【0005】ところが、エッチング槽の内槽5にはシリ
コンウエハ8から持ち込まれた異物やエッチングによっ
て発生した反応生成物等の異物が多数蓄積される。この
ため、エッチング槽の内槽5は、オーバーフローするよ
うに形成されているので、異物もオーバーフローされて
外槽6に移動する。そして、オーバーフローした薬液1
はポンプ3により配管2を通り、ポンプ3とフィルター
4を通過して、内槽5に戻るようになっている。この時
に、異物はフィルター4に除去されて、内槽5には異物
のない薬液1が供給されるようになっている。そして、
この循環をくり返し行うことによりエッチング槽の異物
は減少するようになっている。However, in the inner tank 5 of the etching tank, many foreign materials such as foreign materials brought in from the silicon wafer 8 and reaction products generated by etching are accumulated. Therefore, since the inner tank 5 of the etching tank is formed so as to overflow, foreign matters also overflow and move to the outer tank 6. And the drug solution 1 that overflowed
Is passed through the pipe 2 by the pump 3, passes through the pump 3 and the filter 4, and returns to the inner tank 5. At this time, the foreign matter is removed by the filter 4, and the chemical liquid 1 free from the foreign matter is supplied to the inner tank 5. And
By repeating this circulation, the foreign matter in the etching bath is reduced.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
半導体製造装置は、薬液1をフィルター4を通して循環
させ異物を減少させるようになっているが、この薬液1
の異物数に関して常時インラインで管理することができ
ないという問題点があった。In the conventional semiconductor manufacturing apparatus as described above, the chemical liquid 1 is circulated through the filter 4 to reduce foreign matters.
However, there was a problem that the number of foreign substances could not always be managed inline.
【0007】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、インラインで薬液の異物を管理す
ることができ、フィルターの管理もすることができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain a semiconductor manufacturing apparatus capable of managing foreign substances of a chemical solution in-line and also managing a filter. To do.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 薬液の異物数を測定する計数手段。 〔2〕 前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演
算手段。 〔3〕 前記演算により求めた異物回復特性があらかじ
め求めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力す
る警報手段。A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention comprises the following means. [1] Counting means for measuring the number of foreign substances in the chemical liquid. [2] Calculation means for obtaining the foreign matter recovery characteristic based on the number of foreign matter. [3] Alarm means for outputting an alarm to that effect when the foreign matter recovery characteristic obtained by the above calculation is worse than the reference characteristic obtained in advance.
【0009】[0009]
【作用】この発明に係る半導体製造装置においては、計
数手段によって、薬液の異物数が測定される。また、演
算手段によって、前記異物数に基づいて異物回復特性が
求められる。そして、警報手段によって、前記演算によ
り求めた異物回復特性があらかじめ求めた基準特性より
悪いときはその旨の警報が出力される。In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the number of foreign substances in the chemical liquid is measured by the counting means. Further, the foreign matter recovery characteristic is obtained by the computing means based on the number of foreign matter. When the foreign matter recovery characteristic obtained by the above calculation is worse than the reference characteristic obtained in advance, the alarm means outputs an alarm to that effect.
【0010】[0010]
【実施例】実施例1.以下、この発明の実施例1の構成
について図1及び図2を参照しながら説明する。図1
は、この発明の実施例1を示す図である。また、図2
は、この発明の実施例1の制御装置を示すブロック図で
ある。EXAMPLES Example 1. The configuration of the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. Figure 1
FIG. 3 is a diagram showing Embodiment 1 of the present invention. Also, FIG.
FIG. 3 is a block diagram showing a control device of Embodiment 1 of the present invention.
【0011】図1において、1はBHF液、HF液等の
薬液、2は薬液1が循環するテフロンチューブ等の配
管、3は薬液1を循環させるためのポンプ、4は異物を
除去するためのフィルター、5はエッチングを行うため
のエッチング槽の内槽、6は内槽5からオーバーフロー
した薬液1を溜めるためのエッチング槽の外槽、7はシ
リコンウエハを収納したバスケット、8はエッチングを
行うシリコンウエハである。In FIG. 1, 1 is a chemical liquid such as BHF liquid and HF liquid, 2 is a pipe such as a Teflon tube through which the chemical liquid 1 circulates, 3 is a pump for circulating the chemical liquid 1 and 4 is a foreign matter removing device. Filter 5 is an inner tank of an etching tank for etching, 6 is an outer tank of the etching tank for storing the chemical solution 1 overflowing from the inner tank 5, 7 is a basket containing a silicon wafer, and 8 is silicon for etching. It is a wafer.
【0012】また、図1において、9はレーザ等の光学
手段により異物の反射光に基づいて異物数を求める液中
ダストカウンター、10は液中ダストカウンター9に接
続された制御装置、11は制御装置10に接続された警
報器である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。Further, in FIG. 1, 9 is a submerged dust counter for obtaining the number of foreign substances based on the reflected light of the foreign substances by an optical means such as a laser, 10 is a control device connected to the submerged dust counter 9, and 11 is a control unit. An alarm device connected to the device 10. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
【0013】図2において、制御装置10は、ROM、
CPU、RAMなどから構成されている。In FIG. 2, the control device 10 includes a ROM,
It is composed of a CPU, a RAM, and the like.
【0014】ところで、この発明の計数手段は、この実
施例1では液中ダストカウンター9に相当し、この発明
の演算手段は、この実施例1では制御装置10に相当
し、この発明の警報手段は、この実施例1では警報器1
1に相当する。By the way, the counting means of the present invention corresponds to the submerged dust counter 9 in the first embodiment, and the computing means of the present invention corresponds to the control device 10 in the first embodiment, and the alarm means of the present invention. Is the alarm device 1 in the first embodiment.
Equivalent to 1.
【0015】この発明の実施例1の動作について図3及
び図4を参照しながら説明する。図3は、この発明の実
施例1の動作を示すフローチャートである。また、図4
は、この発明の実施例1の異物の回復特性を示す図であ
る。The operation of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the first embodiment of the present invention. Also, FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a foreign matter recovery characteristic according to the first embodiment of the present invention.
【0016】エッチングに使用されてフィルター4に送
られる薬液1は、バイパスの配管2を通して液中ダスト
カウンター9に送り込まれ常時異物を測定することがで
きる。この時、エッチングを行うと異物数は図4に示す
ようにシリコンウエハ8を引き上げると、急増し、時間
の経過とともに減少するという回復特性を示す。この異
物数の回復特性はそれぞれの薬液1に特有のものである
ため、あらかじめ薬液1の良好状態の異物数回復特性許
容角度θ0を設定しておき、回復特性角度が許容角度よ
りも大きくなった時(異物数回復特性アラーム角度θ
a)に、この異物回復特性を用いてアラームが鳴るよう
になっている。The chemical liquid 1 used for etching and sent to the filter 4 is sent to the submerged dust counter 9 through the bypass pipe 2 so that foreign substances can be constantly measured. At this time, when the etching is performed, the number of foreign matters shows a recovery characteristic that the number of foreign matters increases sharply when the silicon wafer 8 is pulled up and decreases with the passage of time as shown in FIG. Since the recovery characteristic of the foreign substance number is peculiar to each chemical liquid 1, the foreign substance number recovery characteristic permissible angle θ 0 in a good state of the chemical liquid 1 is set in advance, and the recovery characteristic angle becomes larger than the permissible angle. When the foreign matter number recovery characteristic alarm angle θ
In a), an alarm is set to sound using this foreign matter recovery characteristic.
【0017】薬液1の異物を制御する制御装置10は、
前述したようにプログラムされたマイクロコンピュータ
ーで構成することができる。すなわち、この制御装置1
0は、図2に示すように、CPUと、プログラムが格納
されたROMと、制御用データが格納されたRAMとを
備え、液中ダストカウンター9のデータが入力されると
CPUで演算処理し、制御出力信号を警報器11に送
る。The control device 10 for controlling the foreign matter in the chemical liquid 1 is
It can be composed of a microcomputer programmed as described above. That is, this control device 1
As shown in FIG. 2, 0 has a CPU, a ROM in which a program is stored, and a RAM in which control data is stored. When data of the submerged dust counter 9 is input, the CPU 0 performs arithmetic processing. , Sends a control output signal to the alarm device 11.
【0018】上記RAMに格納される制御用データは、
異物数回復特性許容角度θ0である。この実施例1によ
る異物の制御に際し、液中ダストカウンター9からの出
力値の演算結果が異物数回復特性許容角度θ0より大き
くなるとアラームを発する。The control data stored in the RAM is
The foreign matter number recovery characteristic allowable angle θ 0 . When controlling the foreign matter according to the first embodiment, an alarm is issued when the calculation result of the output value from the submerged dust counter 9 becomes larger than the foreign matter number recovery characteristic allowable angle θ 0 .
【0019】次に、図3に示すフローチャートに従って
制御装置10の動作について説明する。まず、ステップ
30において、RAMに異物数回復特性許容角度θ0な
どを記憶して初期設定を行う。Next, the operation of the control device 10 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, in step 30, the foreign matter number recovery characteristic allowable angle θ 0 and the like are stored in the RAM and initialization is performed.
【0020】ステップ31において、液中ダストカウン
ター9のデータから一次回帰直線logN=a(t−t
o)+bを求める。ここで、Nは液中ダストカウンター
9が計数した異物数、tは時間、toは異物最大値(N
MAX)の時間である。なお、b=logNMAXである。In step 31, the linear regression line logN = a (t-t) is obtained from the data of the submerged dust counter 9.
o) + b is calculated. Here, N is the number of foreign matters counted by the submerged dust counter 9, t is time, and to is maximum foreign matter (N
MAX ) time. Note that b = logN MAX .
【0021】ステップ32において、θ=tan-1aを
求める。In step 32, θ = tan -1 a is calculated.
【0022】ステップ33において、前のステップ32
で求めたθと初期設定値の異物数回復特性許容角度θ0
を比較し、θ≧θ0であれば、ステップ34においてア
ラームを発し、それ以外はステップ31に戻りステップ
31からステップ33までの処理を繰り返す。In step 33, the previous step 32
And the initial set value of the foreign matter number recovery characteristic allowable angle θ 0
If θ ≧ θ 0 , an alarm is issued in step 34, otherwise the process returns to step 31 and the processes from step 31 to step 33 are repeated.
【0023】以上ように、インラインで異物管理が行え
るようになり、高歩留、高信頼性の半導体装置の製造を
行うことができる。また、この装置はフィルター4の管
理にも用いることができる。As described above, the foreign matter can be controlled in-line, and the semiconductor device with high yield and high reliability can be manufactured. This device can also be used to manage the filter 4.
【0024】この発明の実施例1は、前述したように、
液中ダストカウンター9を併設し、常時薬液1の異物数
を測定できるようにし、インラインで異物管理やフィル
ター4の管理を行えることを特徴とする。図4に示すよ
うなエッチング時の異物回復特性を利用してインライン
で異物管理を行えるようにしたものである。The first embodiment of the present invention, as described above,
A submerged dust counter 9 is provided so that the number of foreign substances in the chemical liquid 1 can be constantly measured, and foreign substances and filters 4 can be managed in-line. The foreign matter management characteristic during etching as shown in FIG. 4 is utilized to enable foreign matter management inline.
【0025】すなわち、この発明の実施例1によれば、
液中ダストカウンター9によってエッチング中に常時、
異物測定が行えるようになり、エッチング液の異物管理
をインラインで行い、高品質及び高信頼性のウェットエ
ッチング装置を得るものである。That is, according to the first embodiment of the present invention,
During the etching by the submerged dust counter 9,
The foreign matter can be measured, and the foreign matter of the etching liquid is controlled in-line to obtain a high quality and highly reliable wet etching apparatus.
【0026】[0026]
【発明の効果】この発明に係る半導体製造装置は、以上
説明したとおり、薬液の異物数を測定する計数手段と、
前記異物数に基づいて異物回復特性を求める演算手段
と、前記演算により求めた異物回復特性があらかじめ求
めた基準特性より悪いときはその旨の警報を出力する警
報手段とを備えたので、常時薬液の異物管理ができ、ま
たフィルターの管理も行えるという効果を奏する。As described above, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention comprises counting means for measuring the number of foreign substances in a chemical solution,
Since the foreign matter recovery characteristic is calculated based on the number of foreign matter and the foreign matter recovery characteristic obtained by the calculation is worse than the previously determined reference characteristic, an alarm means for outputting an alarm to that effect is provided. It is possible to manage foreign substances and also manage filters.
【図1】この発明の実施例1を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施例1の制御装置を示すブロック
図である。FIG. 2 is a block diagram showing a control device according to the first embodiment of the present invention.
【図3】この発明の実施例1の動作を示すフローチャー
トである。FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the first embodiment of the present invention.
【図4】この発明の実施例1の異物数回復特性を示す図
である。FIG. 4 is a diagram showing foreign matter number recovery characteristics according to the first embodiment of the present invention.
【図5】従来の半導体製造装置を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
1 薬液 2 配管 3 ポンプ 4 フィルター 5 エッチング槽の内槽 6 エッチング槽の外槽 7 ウエハバスケット 8 シリコンウエハ 9 液中ダストカウンター 10 制御装置 11 警報器 1 Chemical Solution 2 Piping 3 Pump 4 Filter 5 Inner Tank of Etching Tank 6 Outer Tank of Etching Tank 7 Wafer Basket 8 Silicon Wafer 9 Liquid Dust Counter 10 Controller 11 Alarm
Claims (1)
異物数に基づいて異物回復特性を求める演算手段、及び
前記演算により求めた異物回復特性があらかじめ求めた
基準特性より悪いときはその旨の警報を出力する警報手
段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。1. A counting unit for measuring the number of foreign substances in a chemical solution, a calculating unit for obtaining a foreign substance recovery characteristic based on the number of foreign substances, and a foreign substance recovery characteristic obtained by the calculation when it is worse than a reference characteristic obtained in advance. A semiconductor manufacturing apparatus comprising an alarm means for outputting the alarm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06676293A JP3150222B2 (en) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06676293A JP3150222B2 (en) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06283498A true JPH06283498A (en) | 1994-10-07 |
JP3150222B2 JP3150222B2 (en) | 2001-03-26 |
Family
ID=13325220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06676293A Expired - Fee Related JP3150222B2 (en) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3150222B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6916657B2 (en) | 2000-06-26 | 2005-07-12 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Evaluation method for polycrystalline silicon |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP06676293A patent/JP3150222B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6916657B2 (en) | 2000-06-26 | 2005-07-12 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Evaluation method for polycrystalline silicon |
DE10129489B4 (en) * | 2000-06-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Materials Corp. | Evaluation method for polycrystalline silicon |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3150222B2 (en) | 2001-03-26 |
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---|---|---|---|
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