JPH06283489A - Washing method and washing device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄方法および洗浄装
置に関し、特に半導体ウエハのごとき平板の表面を洗浄
するのに適した洗浄方法および洗浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning method and a cleaning apparatus, and more particularly to a cleaning method and a cleaning apparatus suitable for cleaning the surface of a flat plate such as a semiconductor wafer.
【０００２】ＬＳＩ製造工程における半導体ウエハやＬ
ＣＤあるいは太陽電池等の表面上の微粒子や汚れは、最
終製品の歩留りを大きく低下させる。このため、ウエハ
の表面洗浄が極めて重要である。なお、洗浄に伴って環
境破壊を生じさせないことも重要である。Semiconductor wafers and L in the LSI manufacturing process
Fine particles and stains on the surface of CDs or solar cells greatly reduce the yield of the final product. Therefore, cleaning the surface of the wafer is extremely important. In addition, it is important not to cause environmental damage with cleaning.
【０００３】[0003]
【従来の技術】従来より種々の表面洗浄方法が提案され
ている。半導体ウエハやＬＣＤの表面洗浄に用いられる
表面洗浄方法を概略的に以下に説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, various surface cleaning methods have been proposed. A surface cleaning method used for cleaning the surfaces of semiconductor wafers and LCDs will be briefly described below.
【０００４】化学洗浄または溶剤洗浄 表面の汚れを化学反応もしくは溶解によって除去する方
法である。水、酸、有機溶媒、フレオン等が用いられる
が、除去すべき汚れに対して有効な薬剤を選択する必要
がある。超音波洗浄と組み合わせることにより、物理的
洗浄力を増大させることもできる。洗浄後の表面に汚れ
を残さないためには、高純度の薬剤を使用する必要があ
る。 Chemical cleaning or solvent cleaning is a method of removing stains on the surface by a chemical reaction or dissolution. Water, acid, organic solvent, freon, etc. are used, but it is necessary to select an agent effective for the stain to be removed. In combination with ultrasonic cleaning, physical cleaning power can also be increased. It is necessary to use high-purity chemicals in order to leave no stain on the surface after cleaning.
【０００５】水は、高純度が得易く、大量に使用するこ
ともできるが、表面に水が残ると、その後の汚染原因と
なる。また、水によって溶解することのできる汚れの種
類は限られている。[0005] Water can easily obtain a high purity and can be used in a large amount, but if water remains on the surface, it becomes a cause of subsequent contamination. Also, the types of stains that can be dissolved by water are limited.
【０００６】その他の有用な溶剤は、使用後廃棄すると
環境破壊を生じさせるものが多い。環境破壊を防止する
ため循環使用する場合は、循環液の再精製が困難であ
り、高価なものとなる。また、同一薬剤を用いて洗浄を
繰り返し、薬剤中に汚染物が累積すると、洗浄表面にこ
の汚染物が付着することとなり、製品不良を起こしてし
まう。Many other useful solvents cause environmental damage when discarded after use. When it is reused in order to prevent environmental damage, it is difficult to re-refining the circulating fluid and it becomes expensive. Further, when cleaning is repeated using the same chemical and contaminants accumulate in the chemicals, the contaminants adhere to the cleaning surface, resulting in product defects.
【０００７】氷微粒子吹き付け 氷の微粒子を表面に吹き付け、表面上の微粒子および汚
れを除去する方法である。しかしながら、現在作成でき
る氷の微粒子の径は、十分小さくすることができず、１
μｍ以下の微粒子の除去が困難である。 Spraying ice particles This is a method of spraying ice particles onto the surface to remove particles and stains on the surface. However, the diameter of ice particles that can be created at present cannot be made sufficiently small, and
It is difficult to remove fine particles of μm or less.
【０００８】ＣＯ2 微粒子吹き付け ドライアイスの微粒子を表面に吹き付け、表面上の微粒
子および汚れを除去する方法である。しかしながら、炭
酸ガス中から炭化水素化合物を極低濃度まで除去するこ
とは極めて困難であり、ＣＯ2 を冷却して吹き付ける
と、炭化水素化合物が凝縮し、洗浄表面に固着してしま
う。また、ＣＯ2 もＣの汚染源となる。 CO 2 particulate spraying This is a method of spraying dry ice particulates onto the surface to remove particulates and dirt on the surface. However, it is extremely difficult to remove the hydrocarbon compound from carbon dioxide gas to an extremely low concentration, and when CO 2 is cooled and sprayed, the hydrocarbon compound is condensed and adheres to the cleaning surface. CO 2 is also a source of C pollution.
【０００９】ガス噴射 ガスを固体表面に吹き付け、固体表面を洗浄する方法で
ある。しかしながら、固体表面上にはガス流速が極めて
遅い境界層が形成されてしまい、このような遅いガス流
速によっては微粒子を除去する力が弱い。したがって、
１μｍ以下の微粒子の除去は困難である。なお、粒子の
表面付着力は直径に比例し、ガス流が粒子に与える除去
力は粒子の直径の二乗に比例する。This is a method of spraying a gas injection gas onto a solid surface to clean the solid surface. However, a boundary layer having an extremely low gas flow rate is formed on the solid surface, and the force for removing fine particles is weak due to such a low gas flow rate. Therefore,
It is difficult to remove fine particles of 1 μm or less. It should be noted that the surface adhesion force of particles is proportional to the diameter, and the removal force given to the particles by the gas flow is proportional to the square of the diameter of the particles.
【００１０】極低温アルゴンガス吹き付け アルゴンガスまたはアルゴンガスを含む混合ガスを極低
温にし、表面に吹き付ける方法である。ノズルから真空
容器中にガスを開放することにより、ガスは急激に断熱
膨張し、その温度を低下させる。温度低下の結果、固体
アルゴンが形成され、固体アルゴン微粒子が表面上に衝
突する。 Cryogenic argon gas spraying This is a method of spraying argon gas or a mixed gas containing argon gas to a cryogenic temperature and spraying it onto the surface. By releasing the gas from the nozzle into the vacuum vessel, the gas rapidly adiabatically expands, lowering its temperature. As a result of the temperature drop, solid argon is formed and solid argon particles impinge on the surface.
【００１１】たとえば、加圧状態でのアルゴンを含むガ
スを、その圧力でのアルゴンガスの液化点よりも高い温
度まで冷却し、ノズルから真空容器中に吹き出すことに
より、気体アルゴンを固体アルゴンに変化させる方法が
提案されている（たとえば、ＥＰ−Ａ２−４６１４７６
号公報参照）。For example, a gas containing argon in a pressurized state is cooled to a temperature higher than the liquefaction point of argon gas at that pressure, and blown from a nozzle into a vacuum container to change the gaseous argon into solid argon. The method of making it possible is proposed (for example, EP-A2-461476).
(See the official gazette).
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】アルゴンは不活性元素
であり、固体表面に付着しても悪影響を与えることは極
めて少ない。また、アルゴンの固化温度は比較的高温で
あり、冷却によって固体アルゴンを得ることも比較的容
易である。Argon is an inert element, and even if it adheres to the surface of a solid, it has very little adverse effect. Further, the solidification temperature of argon is relatively high, and it is relatively easy to obtain solid argon by cooling.
【００１３】しかしながら、固体アルゴンの微粒子を含
む極低温の流体を吹きつけられた被洗浄物は、表面が短
時間の内に急速に冷却され、表面と内部の温度差による
熱歪で損傷を受けることがある。また、アルゴン微粒子
吹きつけによる洗浄のあとに被洗浄物をすぐに洗浄装置
から取り出すと、低温の被洗浄物表面に大気中の水分が
結露、結霜して被洗浄物を再汚染する。したがって、結
露、結霜を防止するためには、洗浄後の低温状態の被洗
浄物を常温状態にまで時間をかけて昇温する必要があ
る。そのために、洗浄処理の速度を低下させ生産性を落
とすことになる。However, the surface of the object to be cleaned blown with a cryogenic fluid containing fine particles of solid argon is rapidly cooled within a short time, and is damaged by thermal strain due to the temperature difference between the surface and the inside. Sometimes. Further, if the object to be cleaned is immediately taken out of the cleaning device after cleaning by spraying argon fine particles, moisture in the atmosphere is condensed and frosted on the surface of the object to be cleaned at low temperature to recontaminate the object to be cleaned. Therefore, in order to prevent dew condensation and frost formation, it is necessary to raise the temperature of the low temperature object to be cleaned after cleaning to room temperature over time. Therefore, the speed of the cleaning process is reduced and the productivity is reduced.
【００１４】また、被洗浄物を下部からヒータのような
もので加熱すると、被洗浄物が熱変形して反り返りの問
題が発生する。本発明の目的は、アルゴンを用い、洗浄
処理速度を低下することなくしかも再汚染の心配のない
実用的な洗浄方法および洗浄装置を提供することであ
る。If the object to be cleaned is heated from below by a heater or the like, the object to be cleaned is thermally deformed and the problem of warping occurs. It is an object of the present invention to provide a practical cleaning method and cleaning apparatus using argon, which does not reduce the cleaning processing speed and does not cause recontamination.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、第
１のノズル装置からアルゴンを含む極低温流体を吹き出
し、アルゴン微粒子を含む流体を生成し吹きつける工程
と、第２のノズル装置から気体を吹き出す工程と、前記
第１のノズル装置からの前記流体と前記第２のノズル装
置からの前記気体の吹き出し方向に被洗浄物を配置し、
前記両ノズル装置と前記被洗浄物とを相対的に所定方向
に移動させる工程とを含む。According to the cleaning method of the present invention, a cryogenic fluid containing argon is blown from a first nozzle device to generate and blow a fluid containing argon fine particles, and a second nozzle device is used. A step of blowing out a gas, arranging an object to be cleaned in a blowing direction of the fluid from the first nozzle device and the gas from the second nozzle device,
And a step of relatively moving the both nozzle devices and the object to be cleaned in a predetermined direction.
【００１６】また、本発明の洗浄装置は、アルゴン微粒
子を含む流体を生成し吹きつけるための第１のノズル装
置と、気体を吹き出すための第２のノズル装置と、前記
アルゴン微粒子を含む流体の吹き出し方向および前記気
体の吹き出し方向に被洗浄物を支持し、前記両ノズル装
置と前記被洗浄物とを相対的に所定方向に移動させるこ
とのできる駆動手段と、前記両ノズル装置および前記駆
動手段を収容する真空容器と、前記真空容器内を排気で
きる排気手段とを有する。Further, the cleaning apparatus of the present invention comprises a first nozzle device for generating and spraying a fluid containing argon fine particles, a second nozzle device for blowing out a gas, and a fluid containing argon fine particles. Driving means for supporting the object to be cleaned in the blowing direction and the gas blowing direction and capable of relatively moving the both nozzle devices and the cleaning object in a predetermined direction, the both nozzle devices and the driving means. And a gas exhaust unit capable of exhausting the inside of the vacuum container.
【００１７】[0017]
【作用】第１のノズル装置からはアルゴン微粒子が被洗
浄物に対して吹きつけられて洗浄を行い、別の第２のノ
ズル装置からは被洗浄物に気体が吹きつけられることに
より、被洗浄物を気体により加温できる。The argon fine particles are blown onto the object to be cleaned from the first nozzle device for cleaning, and the gas is blown to the object to be cleaned from another second nozzle device to clean the object to be cleaned. Things can be heated by gas.
【００１８】[0018]
【実施例】図１に、本発明の実施例による洗浄装置の基
本構成を示す。アルゴンガスのボンベ１および窒素ガス
のボンベ２は、それぞれ圧力調整弁３、４を介して合流
点５に配管で接続される。合流点５で混合されたＡｒ＋
Ｎ2 混合ガスは、配管６を介してフィルタ７に供給さ
れ、ガス中の粒子が除去される。1 shows the basic construction of a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. The argon gas cylinder 1 and the nitrogen gas cylinder 2 are connected to the confluence point 5 by pipes via pressure control valves 3 and 4, respectively. Ar + mixed at junction 5
The N 2 mixed gas is supplied to the filter 7 through the pipe 6 and particles in the gas are removed.
【００１９】粒子の除去された混合ガスは、配管８を介
して冷却器（または熱交換器）９で冷却され、ノズル装
置１０から真空容器１１内に吹き出される。冷却器９の
出力の混合ガスの圧力および温度は、圧力計および温度
計（いずれも図示せず）で測定され、冷却器９の最低冷
却温度がその圧力でのアルゴンの液化点以下になるよう
に冷却器９が制御される。液化点以下に冷却されること
により、混合ガス中に多数のアルゴン液滴が発生する。The mixed gas from which particles have been removed is cooled by a cooler (or heat exchanger) 9 via a pipe 8 and blown out from a nozzle device 10 into a vacuum container 11. The pressure and temperature of the mixed gas at the output of the cooler 9 are measured by a pressure gauge and a thermometer (both not shown) so that the minimum cooling temperature of the cooler 9 is below the liquefaction point of argon at that pressure. The cooler 9 is controlled to. By cooling below the liquefaction point, a large number of argon droplets are generated in the mixed gas.
【００２０】真空容器１１は、排気装置１２に接続され
ており、内部を排気して所定の真空度に保つ。真空容器
１１内のノズル装置１０は複数のノズルが列状に配置さ
れている。The vacuum container 11 is connected to an exhaust device 12, and the inside of the vacuum container 11 is exhausted to maintain a predetermined degree of vacuum. The nozzle device 10 in the vacuum container 11 has a plurality of nozzles arranged in a row.
【００２１】ノズル装置１０のノズル列に対向して半導
体ウエハ等の被洗浄物１３を載置する駆動機構１４が設
けられている。駆動機構１４は、複数のノズルの配列方
向であるｘ方向およびそれに垂直な方向であるｙ方向に
駆動可能である。A drive mechanism 14 for mounting an object to be cleaned 13 such as a semiconductor wafer is provided facing the nozzle row of the nozzle device 10. The drive mechanism 14 can be driven in the x direction, which is the arrangement direction of the plurality of nozzles, and the y direction, which is the direction perpendicular to the arrangement direction.
【００２２】ノズル装置１０から真空容器１１中にアル
ゴンの好ましくは液化温度以下に冷却された混合ガスを
吹き出すことにより、ガスの圧力は急激に低下し、断熱
膨張を行なう。このため、ガスの温度は急激に低下し、
アルゴンは固体アルゴンの微粒子に変化する。By blowing out the mixed gas, which is preferably cooled to a liquefying temperature of argon or lower, from the nozzle device 10 into the vacuum container 11, the pressure of the gas sharply drops and adiabatic expansion is performed. Therefore, the temperature of the gas drops sharply,
Argon is transformed into solid argon particles.
【００２３】このようにして、多量の固体アルゴン微粒
子を含む流体が被洗浄物１３の表面に噴射される。この
ため、被洗浄物１３の表面は固体アルゴンの微粒子によ
り効率的に洗浄される。In this way, the fluid containing a large amount of solid argon fine particles is jetted onto the surface of the object to be cleaned 13. Therefore, the surface of the object to be cleaned 13 is efficiently cleaned with the fine particles of solid argon.
【００２４】窒素ガスのボンベ２にはもう一つの圧力調
整弁１５が配管により接続され、圧力調整弁１５から配
管１６を介してフィルタ１７に接続されている。フィル
タ１７では窒素ガス中の粒子が除去される。Another pressure adjusting valve 15 is connected to the nitrogen gas cylinder 2 by a pipe, and the pressure adjusting valve 15 is connected to a filter 17 via a pipe 16. The filter 17 removes particles in the nitrogen gas.
【００２５】粒子の除去された窒素ガスは、配管１８を
介してもう一方のノズル装置２０から真空容器１１内に
吹き出される。窒素ガスの配管１８の近傍、または内部
にはヒータ装置１９が配置され、窒素ガスを加熱するこ
とができる。ノズル装置１０と２０の先端部は接近して
配置される。好ましくは、真空容器中で断熱膨張した後
の状態で室温程度以上となるようにヒータ装置１９で窒
素ガスを昇温する。The nitrogen gas from which particles have been removed is blown into the vacuum container 11 from the other nozzle device 20 via the pipe 18. A heater device 19 is disposed near or inside the nitrogen gas pipe 18 to heat the nitrogen gas. The tip ends of the nozzle devices 10 and 20 are arranged close to each other. Preferably, the temperature of the nitrogen gas is raised by the heater device 19 so that the temperature after the adiabatic expansion in the vacuum container is about room temperature or higher.
【００２６】ノズル装置１０からアルゴン混合ガスを真
空中に噴射しつつ、駆動機構１４によって被洗浄物１３
を図１のｙ方向のノズルに近づく向きにゆっくりと移動
すると、ノズル装置１０からの極低温のアルゴン微粒子
が被洗浄物１３の表面をｙ方向に走査することになる。
低温のアルゴン微粒子を含む流体が被洗浄物１３の表面
の汚染物を叩き飛ばして洗浄すると同時に被洗浄物１３
表面は低温に冷却される。While the argon gas mixture is being injected into the vacuum from the nozzle device 10, the drive mechanism 14 drives the object 13 to be cleaned.
1 is slowly moved in the direction of approaching the nozzle in the y direction in FIG. 1, the cryogenic argon fine particles from the nozzle device 10 scan the surface of the object to be cleaned 13 in the y direction.
A fluid containing low-temperature argon fine particles knocks off contaminants on the surface of the object to be cleaned 13 for cleaning, and at the same time the object to be cleaned 13
The surface is cooled to a low temperature.
【００２７】被洗浄物１３表面の洗浄により冷却された
部分にノズル２０から窒素ガスが吹きつけられる。窒素
ガスは室温に近いか、あるいはヒータ装置１９により適
温に加熱されているので、冷却された被洗浄物１３表面
は昇温される。好ましくは、室温程度まで昇温する。Nitrogen gas is blown from the nozzle 20 to the portion of the surface to be cleaned 13 that has been cooled by cleaning. Since the nitrogen gas is close to room temperature or is heated to an appropriate temperature by the heater device 19, the cooled surface of the object to be cleaned 13 is heated. Preferably, the temperature is raised to about room temperature.
【００２８】アルゴン微粒子による洗浄後すぐに窒素ガ
スで室温程度以上まで加温されるので、洗浄処理後にす
ぐに真空容器１１の外部に被洗浄物１３を取り出して
も、結露、結霜することがない。また、温度差による熱
歪で被洗浄物１３が損傷されることも少ない。さらに、
被洗浄物全体をヒータで加熱するものではないので反り
の問題も少ない。Since the nitrogen gas is heated to room temperature or more immediately after cleaning with the fine particles of argon, even if the object to be cleaned 13 is taken out of the vacuum container 11 immediately after the cleaning process, dew condensation or frost formation may occur. Absent. Also, the object to be cleaned 13 is less likely to be damaged by the thermal strain due to the temperature difference. further,
Since the entire object to be cleaned is not heated by the heater, the problem of warpage is small.
【００２９】図２は、真空容器１１を上部よりみた洗浄
装置の構成を示す。ノズル装置１０は複数のノズルがｘ
方向に一列に配置されている。ノズル装置１０には冷却
器９からＡｒ＋Ｎ2 混合ガスが供給される。その後ろ側
に配置されたもう一つのノズル装置２０も複数のノズル
がｘ方向に一列に配置されている。FIG. 2 shows the structure of the cleaning device when the vacuum container 11 is viewed from above. The nozzle device 10 has a plurality of nozzles x
They are arranged in a line in the direction. The Ar + N 2 mixed gas is supplied to the nozzle device 10 from the cooler 9. The other nozzle device 20 arranged on the rear side of the nozzle device 20 also has a plurality of nozzles arranged in a line in the x direction.
【００３０】ノズル装置１０と２０のノズルは図２のよ
うに交互に配置される。この配置は、冷却されたＡｒ＋
Ｎ2 混合ガス流と加温用Ｎ2 ガス流を、なるべく相互干
渉させないために有効である。The nozzles of the nozzle devices 10 and 20 are arranged alternately as shown in FIG. This arrangement is cooled by Ar +
It is effective to prevent the N 2 mixed gas flow and the heating N 2 gas flow from interfering with each other as much as possible.
【００３１】また、駆動機構１４によって被洗浄物１３
をｘ方向に高速に往復駆動し、ｙ方向のノズルに近づく
向きにゆっくりと駆動すると、図中ジグザグの矢印２１
で概略的に示すように、アルゴン微粒子および加温用ガ
ス流による軌跡が形成され、被洗浄物全表面がより均一
に洗浄でき、冷却された表面を再び室温程度以上まで昇
温できる。また、被洗浄物１３は固定し、ノズル装置１
０，２０側を駆動しても同様な効果が得られる。Further, the cleaning mechanism 13 is driven by the drive mechanism 14.
Is reciprocally driven in the x direction at high speed and slowly driven in the direction of approaching the nozzle in the y direction.
As schematically shown in (1), a locus is formed by the argon fine particles and the heating gas flow, the entire surface of the object to be cleaned can be cleaned more uniformly, and the cooled surface can be heated again to about room temperature or higher. Further, the object to be cleaned 13 is fixed, and the nozzle device 1
Similar effects can be obtained by driving the 0, 20 side.
【００３２】アルゴン混合ガスと加温用気体を、被洗浄
物に対して同一方向から吹き付ける場合を説明したが、
図３に示すように、両吹き付け方向を対向させてもよ
い。たとえば、図示のように、第１のノズル１０から吹
き出すアルゴン混合ガス流２２と、第２のノズル２０か
ら吹き出す加温用ガス流２３を右と左に対向させ、駆動
機構を右から左に向けて駆動する。The case where the argon mixed gas and the heating gas are sprayed from the same direction on the object to be cleaned has been described.
As shown in FIG. 3, both spray directions may be opposed to each other. For example, as shown in the drawing, the argon mixed gas flow 22 blown out from the first nozzle 10 and the warming gas flow 23 blown out from the second nozzle 20 are opposed to the right and left, and the drive mechanism is directed from right to left. Drive.
【００３３】被洗浄物１３表面は、初めに洗浄されて冷
却され、次に加温される。なお、以上の説明あるいは図
示したノズルの配置、ノズルの数は例示であって、制限
的なものではない。被洗浄物１３の形状や大きさなどに
よって、適宜選択、変更されるものである。また、加温
するための気体として窒素ガス以外にも不活性ガスのよ
うな他の気体を使用することも可能である。The surface of the object 13 to be cleaned is first cleaned and cooled, and then heated. It should be noted that the nozzle arrangement and the number of nozzles described above or shown in the drawings are examples, and are not restrictive. It is appropriately selected and changed depending on the shape and size of the object to be cleaned 13. In addition to nitrogen gas, other gas such as an inert gas can be used as the heating gas.
【００３４】洗浄による冷却後加温する場合を説明した
が、加温後、洗浄を行ない、結果として被洗浄物表面
を、室温程度になるようにしてもよい。以上実施例に沿
って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限される
ものではない。たとえば、混合ガスとしてアルゴンガス
とアルゴンよりも液化温度の低い他の不活性ガスとの混
合ガスを用いてもよい。Although the case of heating after cooling by cleaning has been described, cleaning may be performed after heating, and as a result, the surface of the object to be cleaned may be brought to about room temperature. Although the present invention has been described above with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. For example, a mixed gas of an argon gas and another inert gas having a liquefaction temperature lower than that of argon may be used as the mixed gas.
【００３５】被洗浄物は半導体ウエハに限らない。たと
えば、プリント基板、光ディスク、磁気ディスク、液晶
表示装置のフラットパネル、太陽電池等の製造工程にお
ける表面洗浄に用いることもできる。The object to be cleaned is not limited to the semiconductor wafer. For example, it can be used for cleaning the surface of a printed circuit board, an optical disk, a magnetic disk, a flat panel of a liquid crystal display device, a solar cell or the like in the manufacturing process.
【００３６】その他、種々の変更、改良、組み合わせ等
が可能なことは当業者に自明であろう。It will be apparent to those skilled in the art that various other modifications, improvements, combinations and the like can be made.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したように、アルゴン微粒子に
よる洗浄と気体による加温を組合せることにより、洗浄
処理後にすぐに真空容器の外部に被洗浄物を取り出して
も、結露、結霜を防止することができる。また、表面と
内部の温度差による被洗浄物の損傷も防止し易い。さら
に、被洗浄物全体をヒータで加熱するものではないので
反りの問題は少ない。As described above, by combining the cleaning with the argon fine particles and the heating with the gas, even if the object to be cleaned is taken out of the vacuum container immediately after the cleaning process, the condensation and the frost are prevented. can do. Further, it is easy to prevent the object to be cleaned from being damaged due to the temperature difference between the surface and the inside. Furthermore, since the entire object to be cleaned is not heated by the heater, the problem of warpage is small.
【図１】本発明の実施例による洗浄装置の基本構成を示
す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a basic configuration of a cleaning device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例による洗浄装置の真空容器の部
分を上部からみた図である。FIG. 2 is a view of a vacuum container portion of the cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention as viewed from above.
【図３】洗浄用アルゴン混合ガスと加温用気体の他の吹
き付け態様を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing another mode of spraying an argon mixed gas for cleaning and a heating gas.
１ アルゴンガスボンベ ２ 窒素ガスボンベ ３，４，１５ 圧力調整弁 ７，１７ フィルタ ９ 冷却器 １０，２０ ノズル装置 １２ 排気装置 １３ 被洗浄物 １４ 駆動機構 １９ ヒータ装置 1 Argon Gas Cylinder 2 Nitrogen Gas Cylinder 3,4,15 Pressure Control Valve 7,17 Filter 9 Cooler 10,20 Nozzle Device 12 Exhaust Device 13 Cleaning Object 14 Drive Mechanism 19 Heater Device
Claims (8)
微粒子を含む流体を吹き出す工程と、 第２のノズル装置（２０）から気体を吹き出す工程と、 前記第１のノズル装置からの前記流体と前記第２のノズ
ル装置からの前記気体の吹き出し方向に被洗浄物（１
３）を配置し、前記両ノズル装置と前記被洗浄物とを相
対的に所定方向に移動させる工程とを含む洗浄方法。1. A step of ejecting a fluid containing argon fine particles from a first nozzle device (10), a step of ejecting a gas from a second nozzle device (20), and the fluid from the first nozzle device. An object to be cleaned (1) is blown in the direction in which the gas is blown from the second nozzle device.
3) is arranged, and the step of moving both the nozzle devices and the object to be cleaned relatively in a predetermined direction.
を加熱する工程をさらに含む請求項１記載の洗浄方法。2. The cleaning method according to claim 1, further comprising the step of heating the gas blown out from the second nozzle device.
ル装置からの前記流体が前記被洗浄物に吹きつけられた
跡をさらに前記第２のノズル装置から吹き出す気体を吹
きつける請求項１記載の洗浄方法。3. The gas ejected from the second nozzle device is further blown along the trace of the fluid from the first nozzle device being blown onto the object to be cleaned during the moving step. Cleaning method.
が窒素ガスである請求項３記載の洗浄方法。4. The cleaning method according to claim 3, wherein the gas blown out from the second nozzle device is nitrogen gas.
めの第１のノズル装置（１０）と、 気体を吹き出すための第２のノズル装置（２０）と、 前記アルゴン微粒子を含む流体の吹き出し方向および前
記気体の吹き出し方法に被洗浄物（１３）を支持し、前
記両ノズル装置と前記被洗浄物とを相対的に所定方向に
移動させることのできる駆動手段（１４）と、 前記両ノズル装置および前記駆動手段を収容する真空容
器（１１）と、 前記真空容器内を排気できる排気手段（１２）とを有す
る洗浄装置。5. A first nozzle device (10) for blowing out a fluid containing argon fine particles, a second nozzle device (20) for blowing out a gas, a blowing direction of the fluid containing the argon fine particles, and the above. Driving means (14) capable of supporting the object to be cleaned (13) by a gas blowing method and moving the both nozzle devices and the object to be cleaned relatively in a predetermined direction; A cleaning device comprising: a vacuum container (11) accommodating a driving unit; and an exhaust unit (12) capable of exhausting the inside of the vacuum container.
ぞれ、複数のノズルがある方向に配列されたノズル列を
有し、前記第１のノズル装置の前記ノズル列は前記第２
のノズル装置の前記ノズル列と平行に配置される請求項
５記載の洗浄装置。6. The first and second nozzle devices each have a nozzle array in which a plurality of nozzles are arranged in a certain direction, and the nozzle array of the first nozzle device is the second nozzle device.
The cleaning device according to claim 5, wherein the cleaning device is arranged in parallel with the nozzle row of the nozzle device.
ル列の方向およびそれに直交する方向に移動可能である
請求項６記載の洗浄装置。7. The cleaning device according to claim 6, wherein the drive means is movable in the direction of the nozzle rows of the both nozzle devices and in the direction orthogonal thereto.
体を加熱する装置（１９）を有する請求項６記載の洗浄
装置。8. A cleaning device according to claim 6, wherein the second nozzle device further comprises a device (19) for heating the gas.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7177793A JPH06283489A (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Washing method and washing device |
| US08/185,184 US5512106A (en) | 1993-01-27 | 1994-01-21 | Surface cleaning with argon |
| KR1019940001248A KR100332707B1 (en) | 1993-01-27 | 1994-01-25 | Surface cleaning by argon |
| DE4402247A DE4402247B4 (en) | 1993-01-27 | 1994-01-26 | Surface cleaning with argon |
| GB9401588A GB2274742B (en) | 1993-01-27 | 1994-01-27 | Surface cleaning with argon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7177793A JPH06283489A (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Washing method and washing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283489A true JPH06283489A (en) | 1994-10-07 |
Family
ID=13470341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7177793A Pending JPH06283489A (en) | 1993-01-27 | 1993-03-30 | Washing method and washing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283489A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996013067A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-05-02 | Tadahiro Ohmi | Method of, and apparatus for, producing thin film transistor |
| KR100385431B1 (en) * | 2000-09-19 | 2003-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | Surface cleaning aerosol production system |
| JP2007117838A (en) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Asahi Sunac Corp | Work-washing method and work-washing system |
| JP2009267005A (en) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Tokyo Electron Ltd | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7177793A patent/JPH06283489A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996013067A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-05-02 | Tadahiro Ohmi | Method of, and apparatus for, producing thin film transistor |
| KR100385431B1 (en) * | 2000-09-19 | 2003-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | Surface cleaning aerosol production system |
| JP2007117838A (en) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Asahi Sunac Corp | Work-washing method and work-washing system |
| JP2009267005A (en) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Tokyo Electron Ltd | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030924 |