JPH06283028A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH06283028A JPH06283028A JP5069598A JP6959893A JPH06283028A JP H06283028 A JPH06283028 A JP H06283028A JP 5069598 A JP5069598 A JP 5069598A JP 6959893 A JP6959893 A JP 6959893A JP H06283028 A JPH06283028 A JP H06283028A
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶粒径が小さく、焼結性が良く、絶縁抵抗
と絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器を得ることができる
誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 主成分として、［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）
y（ＭｇＯ）z］a（ＴｉＯ）bで表され、式中のａ／ｂの
値が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６なる範囲にあり、かつ
ｘ、ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、
ｙ、ｚの値が、ａ，ｂ，ｃ，ｄ（ここで、ａはｘ＝０．
５４，ｙ＝０．４５，ｚ＝０．０１、ｂはｘ＝０．６
９，ｙ＝０．３０，ｚ＝０．０１、ｃはｘ＝０．４５，
ｙ＝０．１５，ｚ＝０．４０、ｄはｘ＝０．３０，ｙ＝
０．３０，ｚ＝０．４０）で囲まれるモル比の範囲にあ
る組成を有する主成分１００重量部に対し、副成分とし
てニオブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物の
うちの一種もしくはそれらから選ばれる二種以上を０．
００１〜０．００６モル部を添加含有させた組成の構成
とする。
と絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器を得ることができる
誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 主成分として、［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）
y（ＭｇＯ）z］a（ＴｉＯ）bで表され、式中のａ／ｂの
値が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６なる範囲にあり、かつ
ｘ、ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、
ｙ、ｚの値が、ａ，ｂ，ｃ，ｄ（ここで、ａはｘ＝０．
５４，ｙ＝０．４５，ｚ＝０．０１、ｂはｘ＝０．６
９，ｙ＝０．３０，ｚ＝０．０１、ｃはｘ＝０．４５，
ｙ＝０．１５，ｚ＝０．４０、ｄはｘ＝０．３０，ｙ＝
０．３０，ｚ＝０．４０）で囲まれるモル比の範囲にあ
る組成を有する主成分１００重量部に対し、副成分とし
てニオブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物の
うちの一種もしくはそれらから選ばれる二種以上を０．
００１〜０．００６モル部を添加含有させた組成の構成
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁器コンデンサに使用さ
れる誘電体磁器組成物に関するものである。
れる誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の誘電体磁器組成物について
説明する。誘電体磁器組成物としてＳｒＯ−ＣａＯ−Ｔ
ｉＯ2に示されるような系が知られている。
説明する。誘電体磁器組成物としてＳｒＯ−ＣａＯ−Ｔ
ｉＯ2に示されるような系が知られている。
【０００３】上記の組成において、例えば０．３２Ｓｒ
Ｏ・０．１８ＣａＯ・０．５０ＴｉＯ2の組成比からな
る誘電体磁器組成物を使用し、１３８０℃で焼成し、円
板形磁器コンデンサを作製した場合には、誘電率：２５
０、静電容量温度係数：Ｎ８７０ｐｐｍ／℃、Ｑ：３０
００、絶縁抵抗：８．０×１０11Ω、絶縁破壊強度：２
０ｋｖ／mmおよび結晶粒径：５〜２０μｍの値を示すも
のが得られるというものであった。
Ｏ・０．１８ＣａＯ・０．５０ＴｉＯ2の組成比からな
る誘電体磁器組成物を使用し、１３８０℃で焼成し、円
板形磁器コンデンサを作製した場合には、誘電率：２５
０、静電容量温度係数：Ｎ８７０ｐｐｍ／℃、Ｑ：３０
００、絶縁抵抗：８．０×１０11Ω、絶縁破壊強度：２
０ｋｖ／mmおよび結晶粒径：５〜２０μｍの値を示すも
のが得られるというものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、絶縁抵抗が小さく、また結晶粒径が大き
いため、素体中の気孔率が大きくなるとともに結晶粒子
１個当たりにかかる電界強度が大きくなるので、絶縁破
壊強度も小さく、そして焼成温度が高いという問題点を
有していた。
来の構成では、絶縁抵抗が小さく、また結晶粒径が大き
いため、素体中の気孔率が大きくなるとともに結晶粒子
１個当たりにかかる電界強度が大きくなるので、絶縁破
壊強度も小さく、そして焼成温度が高いという問題点を
有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、結晶粒径が小さく、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が大き
く、焼結性の良い誘電体磁器を得ることができる誘電体
磁器組成物を提供することを目的とする。
で、結晶粒径が小さく、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が大き
く、焼結性の良い誘電体磁器を得ることができる誘電体
磁器組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために本発明による誘電体磁器組成物は、一般式として
［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）y（ＭｇＯ）z］a（ＴｉＯ2）b
で表され、式中のａ／ｂの値が１．００≦ａ／ｂ≦１．
０６なる範囲にあり、かつｘ、ｙおよびｚはモル比を表
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、ｙ、ｚの値が、上記（表１）
に示すａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する主成分１００重量部に対し、副成分としてニ
オブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物のうち
の一種以上をそれぞれＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の形
に換算して合計で０．００１〜０．００６モル部を添加
含有させてなる構成としたものである。
ために本発明による誘電体磁器組成物は、一般式として
［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）y（ＭｇＯ）z］a（ＴｉＯ2）b
で表され、式中のａ／ｂの値が１．００≦ａ／ｂ≦１．
０６なる範囲にあり、かつｘ、ｙおよびｚはモル比を表
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、ｙ、ｚの値が、上記（表１）
に示すａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する主成分１００重量部に対し、副成分としてニ
オブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物のうち
の一種以上をそれぞれＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の形
に換算して合計で０．００１〜０．００６モル部を添加
含有させてなる構成としたものである。
【０００７】
【作用】この構成によって、ＳｒＯ・ＣａＯの一部をＭ
ｇＯで置換することにより、焼結性を改善し、またＴｉ
Ｏ2に対するＳｒＯ・ＣａＯ・ＭｇＯのモル比率を大き
くすることにより、結晶粒径を小さくし、さらにニオブ
酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物もしくはそ
れらから選ばれる二種以上を副成分として含有させるこ
とにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗と絶縁破壊強度を
向上させることが可能となる。
ｇＯで置換することにより、焼結性を改善し、またＴｉ
Ｏ2に対するＳｒＯ・ＣａＯ・ＭｇＯのモル比率を大き
くすることにより、結晶粒径を小さくし、さらにニオブ
酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物もしくはそ
れらから選ばれる二種以上を副成分として含有させるこ
とにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗と絶縁破壊強度を
向上させることが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例による誘電体磁器組
成物について説明する。
成物について説明する。
【０００９】（実施例１）まず、出発原料には化学的に
高純度のＳｒＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ 2およ
びＮｂ2Ｏ5粉末を（表２）に示す組成比になるように秤
量し、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに
純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾
燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で１１０
０℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボー
ルを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入
れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機
バインダー（ポリビニルアルコール５ｗｔ％溶液）を適
量加え、均質とした後、３２メッシュのふるいを通して
整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／
cm2で直径１５mm、厚み０．４mmの円板状に成形した。
次いで、この成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミ
ナ質のサヤに入れ、空気中にて（表２）に示す焼成温度
で２時間焼成し、（表２）の試料番号１〜５に示す組成
比の誘電体磁器円板を得た。
高純度のＳｒＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ 2およ
びＮｂ2Ｏ5粉末を（表２）に示す組成比になるように秤
量し、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに
純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾
燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で１１０
０℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボー
ルを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入
れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機
バインダー（ポリビニルアルコール５ｗｔ％溶液）を適
量加え、均質とした後、３２メッシュのふるいを通して
整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／
cm2で直径１５mm、厚み０．４mmの円板状に成形した。
次いで、この成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミ
ナ質のサヤに入れ、空気中にて（表２）に示す焼成温度
で２時間焼成し、（表２）の試料番号１〜５に示す組成
比の誘電体磁器円板を得た。
【００１０】このようにして得られた誘電体磁器円板
は、厚みと直径を測定し、誘電率、Ｑ、静電容量温度係
数測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を
焼き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電
体磁器円板の外周より内側に１mmの幅で銀電極の無い部
分を設け、銀電極を焼き付けた。
は、厚みと直径を測定し、誘電率、Ｑ、静電容量温度係
数測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を
焼き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電
体磁器円板の外周より内側に１mmの幅で銀電極の無い部
分を設け、銀電極を焼き付けた。
【００１１】なお、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数は、
横河ヒューレット・パッカード（株）社製デジタルＬＣ
Ｒメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０
℃、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数１ＭHzでの測
定より求めた。
横河ヒューレット・パッカード（株）社製デジタルＬＣ
Ｒメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０
℃、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数１ＭHzでの測
定より求めた。
【００１２】また、静電容量温度係数は、２０℃と８５
℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
【００１３】 ＴＣ＝（Ｃ−ＣO）／ＣO×１／６５×１０6 ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃） ＣO：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率（Ｋ）は次式より求めた。
【００１４】Ｋ＝１４３．８×ＣO×ｔ／Ｄ2 Ｋ：誘電率 ＣO：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｄ：誘電体磁器の直径（mm） ｔ：誘電体磁器の厚み（mm） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒューレット・パッカード
（株）社製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測
定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定よ
り求めた。
（株）社製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測
定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定よ
り求めた。
【００１５】そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業
（株）製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３形を使用し、試料
をシリコンオイル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃに
より求めた絶縁破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１mm当
たりの絶縁破壊強度とした。
（株）製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３形を使用し、試料
をシリコンオイル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃに
より求めた絶縁破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１mm当
たりの絶縁破壊強度とした。
【００１６】また、結晶粒径は、倍率４００での光学顕
微鏡観察より求めた。上記測定結果を試料番号１〜５別
に（表３）に示す。
微鏡観察より求めた。上記測定結果を試料番号１〜５別
に（表３）に示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】また、図１は本発明にかかる組成物の主成
分のＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯのモル比範囲を示す三元組
成図であり、主成分のＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯのモル比
範囲を限定した理由を図１を参照しながら説明する。す
なわち、Ａ、Ｂ領域では静電容量温度係数がマイナス側
に大きくなりすぎて実用的でなくなる。また、Ｃ領域で
は誘電率が小さく実用的でなくなる。
分のＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯのモル比範囲を示す三元組
成図であり、主成分のＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯのモル比
範囲を限定した理由を図１を参照しながら説明する。す
なわち、Ａ、Ｂ領域では静電容量温度係数がマイナス側
に大きくなりすぎて実用的でなくなる。また、Ｃ領域で
は誘電率が小さく実用的でなくなる。
【００２０】さらに、ＴｉＯ2に対するＳｒＯ・ＣａＯ
・ＭｇＯのモル比率ａ／ｂを大きくすることにより、結
晶粒径を小さくする効果を有し、ａ／ｂが１未満では結
晶粒径が大きく、この発明の範囲から除外した。一方、
ａ／ｂが１．０６を越えると焼結性が著しく低下し、実
用的でなくなる。
・ＭｇＯのモル比率ａ／ｂを大きくすることにより、結
晶粒径を小さくする効果を有し、ａ／ｂが１未満では結
晶粒径が大きく、この発明の範囲から除外した。一方、
ａ／ｂが１．０６を越えると焼結性が著しく低下し、実
用的でなくなる。
【００２１】そして、主成分に対し、副成分Ｎｂ2Ｏ5を
添加含有することにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、
絶縁破壊強度を大きくする効果を有し、Ｎｂ2Ｏ5の含有
量が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満
はそれほど添加含有効果がなく、この発明の範囲から除
外した。一方、Ｎｂ2Ｏ5の含有量が主成分に対し、０．
００６モル部を越えると静電容量温度係数がマイナス側
に大きくなり、実用的でなくなる。
添加含有することにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、
絶縁破壊強度を大きくする効果を有し、Ｎｂ2Ｏ5の含有
量が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満
はそれほど添加含有効果がなく、この発明の範囲から除
外した。一方、Ｎｂ2Ｏ5の含有量が主成分に対し、０．
００６モル部を越えると静電容量温度係数がマイナス側
に大きくなり、実用的でなくなる。
【００２２】（実施例２）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて、高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表４）に示す組成
比になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に
処理して（表４）の試料番号６〜１０に示す組成比の誘
電体磁器円板を得、実施例１と同様に処理して特性を測
定した結果を試料番号６〜１０別に（表５）に示す。
に代えて、高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表４）に示す組成
比になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に
処理して（表４）の試料番号６〜１０に示す組成比の誘
電体磁器円板を得、実施例１と同様に処理して特性を測
定した結果を試料番号６〜１０別に（表５）に示す。
【００２３】
【表４】
【００２４】
【表５】
【００２５】ここで、主成分の組成範囲と構成を限定し
た理由は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
た理由は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
【００２６】そして、主成分に対し、副成分Ｔａ2Ｏ5を
添加含有することにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、
絶縁破壊強度を大きくする効果を有し、Ｔａ2Ｏ5の含有
量が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満
はそれほど添加含有効果がなく、この発明の範囲から除
外した。一方、Ｔａ2Ｏ5の含有量が主成分に対し、０．
００６モル部を越えると静電容量温度係数がマイナス側
に大きくなり、実用的でなくなる。
添加含有することにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、
絶縁破壊強度を大きくする効果を有し、Ｔａ2Ｏ5の含有
量が主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満
はそれほど添加含有効果がなく、この発明の範囲から除
外した。一方、Ｔａ2Ｏ5の含有量が主成分に対し、０．
００６モル部を越えると静電容量温度係数がマイナス側
に大きくなり、実用的でなくなる。
【００２７】（実施例３）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて、高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表６）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表６）の試料番号１１〜１５に示す組成比の誘
電体磁器円板を得、実施例１と同様に処理して特性を測
定した結果を試料番号２１〜３０別に（表７）に示す。
に代えて、高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表６）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表６）の試料番号１１〜１５に示す組成比の誘
電体磁器円板を得、実施例１と同様に処理して特性を測
定した結果を試料番号２１〜３０別に（表７）に示す。
【００２８】
【表６】
【００２９】
【表７】
【００３０】ここで、主成分の組成範囲と構成を限定し
た理由は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
た理由は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
【００３１】そして、主成分に対し、副成分Ｖ2Ｏ5を添
加含有することにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、絶
縁破壊強度を大きくする効果を有し、Ｖ2Ｏ5の含有量が
主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満はそ
れほど添加含有効果がなく、この発明の範囲から除外し
た。一方、Ｖ2Ｏ5の含有量が主成分に対し、０．００６
モル部を越えると絶縁抵抗が小さくなり、実用的でなく
なる。
加含有することにより、焼結性を改善し、絶縁抵抗、絶
縁破壊強度を大きくする効果を有し、Ｖ2Ｏ5の含有量が
主成分１００重量部に対し、０．００１モル部未満はそ
れほど添加含有効果がなく、この発明の範囲から除外し
た。一方、Ｖ2Ｏ5の含有量が主成分に対し、０．００６
モル部を越えると絶縁抵抗が小さくなり、実用的でなく
なる。
【００３２】（実施例４）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて、高純度のＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5およびＶ 2Ｏ5粉
末を（表８）に示す組成比になるように秤量し、以降の
工程を実施例１と同様に処理して（表８）の試料番号１
６〜２０に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例１
と同様に処理して特性を測定した結果を試料番号１６〜
２０別に（表９）に示す。
に代えて、高純度のＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5およびＶ 2Ｏ5粉
末を（表８）に示す組成比になるように秤量し、以降の
工程を実施例１と同様に処理して（表８）の試料番号１
６〜２０に示す組成比の誘電体磁器円板を得、実施例１
と同様に処理して特性を測定した結果を試料番号１６〜
２０別に（表９）に示す。
【００３３】
【表８】
【００３４】
【表９】
【００３５】ここで、主成分の組成範囲と構成を限定し
た理由は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
た理由は、実施例１と同様であるので説明は省略する。
【００３６】そして、主成分に対し、副成分Ｎｂ2Ｏ5、
Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5を添加含有することにより、焼結性を
改善し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度を大きくする効果を有
し、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の含有量の合計が主成
分１００重量部に対し、０．００１モル部未満はそれほ
ど添加含有効果がなく、この発明の範囲から除外した。
一方、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の含有量の合計が主
成分に対し、０．００６モル部を越えると絶縁抵抗が小
さくなり、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり
実用的でなくなる。また、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5
から選ばれる二種以上を含有することにより、Ｎｂ
2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5から選ばれる一種を含有するも
のに比べ、誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊強度を大きく
し、静電容量温度係数を小さくすることができる。
Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5を添加含有することにより、焼結性を
改善し、絶縁抵抗、絶縁破壊強度を大きくする効果を有
し、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の含有量の合計が主成
分１００重量部に対し、０．００１モル部未満はそれほ
ど添加含有効果がなく、この発明の範囲から除外した。
一方、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の含有量の合計が主
成分に対し、０．００６モル部を越えると絶縁抵抗が小
さくなり、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり
実用的でなくなる。また、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5
から選ばれる二種以上を含有することにより、Ｎｂ
2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5から選ばれる一種を含有するも
のに比べ、誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊強度を大きく
し、静電容量温度係数を小さくすることができる。
【００３７】なお、実施例における誘電体磁器の作製方
法では、ＳｒＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｎ
ｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5およびＶ2Ｏ5を使用したが、この方法
に限定されるものではなく、所望の組成比になるよう
に、ＳｒＴｉＯ3などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸
化物など空気中での加熱により、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5およびＶ2Ｏ5となる
化合物を使用しても実施例と同程度の特性を得ることが
できる。
法では、ＳｒＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｎ
ｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5およびＶ2Ｏ5を使用したが、この方法
に限定されるものではなく、所望の組成比になるよう
に、ＳｒＴｉＯ3などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸
化物など空気中での加熱により、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5およびＶ2Ｏ5となる
化合物を使用しても実施例と同程度の特性を得ることが
できる。
【００３８】また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分
を添加しても実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
を添加しても実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
【００３９】また、上述の基本組成のほかに、Ｓｉ
Ｏ2、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ａｌ 2Ｏ3など、一般
にフラックスと考えられている塩類、水酸化物、酸化物
などを、特性を損なわない範囲で加えることもできる。
Ｏ2、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ａｌ 2Ｏ3など、一般
にフラックスと考えられている塩類、水酸化物、酸化物
などを、特性を損なわない範囲で加えることもできる。
【００４０】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明は、一般式として［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）
y（ＭｇＯ）z］a（ＴｉＯ2）bで表され、式中のａ／ｂ
の値が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６なる範囲にあり、か
つｘ、ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で
ｘ、ｙ、ｚの値が、（表１）に示すａ、ｂ、ｃ、ｄで囲
まれるモル比の範囲にある組成を有する主成分に対し、
ニオブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物のう
ちの一種もしくはそれらから選ばれる二種以上を副成分
として含有させた誘電体磁器組成物の構成により、結晶
粒径が小さく、焼結性が良く、絶縁抵抗と絶縁破壊強度
が大きい誘電体磁器を得ることができるものである。
に本発明は、一般式として［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）
y（ＭｇＯ）z］a（ＴｉＯ2）bで表され、式中のａ／ｂ
の値が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６なる範囲にあり、か
つｘ、ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で
ｘ、ｙ、ｚの値が、（表１）に示すａ、ｂ、ｃ、ｄで囲
まれるモル比の範囲にある組成を有する主成分に対し、
ニオブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物のう
ちの一種もしくはそれらから選ばれる二種以上を副成分
として含有させた誘電体磁器組成物の構成により、結晶
粒径が小さく、焼結性が良く、絶縁抵抗と絶縁破壊強度
が大きい誘電体磁器を得ることができるものである。
【図１】本発明の一実施例の誘電体磁器組成物の主成分
の組成範囲を説明する三元組成図
の組成範囲を説明する三元組成図
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式として［（ＳｒＯ）x（ＣａＯ）y
（ＭｇＯ）z］a（ＴｉＯ2）bで表され、式中のａ／ｂの
値が１．００≦ａ／ｂ≦１．０６なる範囲にあり、かつ
ｘ、ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、
ｙ、ｚの値が、 【表１】 に示すａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する主成分１００重量部に対し、副成分としてニ
オブ酸化物、タンタル酸化物、バナジウム酸化物のうち
の一種をそれぞれＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の形に換
算して０．００１〜０．００６モル部を添加含有させて
なる誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 副成分として、ニオブ酸化物、タンタル
酸化物、バナジウム酸化物から選ばれる二種以上をそれ
ぞれＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5の形に換算して合計で
０．００１〜０．００６モル部を添加含有させてなる請
求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5069598A JPH06283028A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5069598A JPH06283028A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283028A true JPH06283028A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13407439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5069598A Pending JPH06283028A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP5069598A patent/JPH06283028A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6933256B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
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