JPH06279188A - Silicon single crystal rod and drawing method for that - Google Patents
Silicon single crystal rod and drawing method for thatInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁耐圧などの電気特
性の向上した半導体デバイスを製造することができるシ
リコン単結晶棒およびその引上げ方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a silicon single crystal ingot capable of manufacturing a semiconductor device having improved electric characteristics such as withstand voltage and a pulling method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】先に、本出願人は、特開昭６１−２０１
６９２号公報「欠陥発生の少ないシリコン単結晶の引上
げ育成方法」において、ＣＺ法で引き上げるシリコン単
結晶棒の引上げ方法を提案した。この公報に記載したシ
リコン単結晶棒の引上げ方法は、引き上げ中のシリコン
単結晶棒を９００〜１１００℃の温度領域に３時間以上
保持するものである。そして、この引き上げられたシリ
コン単結晶棒からシリコンウェーハを製造すると、この
シリコンウェーハは、半導体デバイス工程における種々
の高温熱処理によっても微小析出物の発生が少ないもの
である。2. Description of the Related Art The applicant of the present invention has previously filed Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-201.
In Japanese Patent No. 692, "Method for pulling up and growing silicon single crystal with few defects", a method for pulling up a silicon single crystal ingot by CZ method was proposed. The method for pulling a silicon single crystal rod described in this publication holds the silicon single crystal rod being pulled in a temperature range of 900 to 1100 ° C. for 3 hours or more. Then, when a silicon wafer is manufactured from the pulled silicon single crystal ingot, the silicon wafer has little generation of fine precipitates even by various high temperature heat treatments in the semiconductor device process.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のシリコン単結晶棒の引上げ方法によって引き
上げられたシリコン単結晶棒には、各種Ａｓ−ｇｒｏｗ
ｎ欠陥が多く含有していた。この各種Ａｓ−ｇｒｏｗｎ
欠陥とは、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle），
ＦＰＤ（フロー・パターン・ディフェクト），ＬＳＴＤ
（赤外散乱体）であり、シリコンウェーハ単結晶棒の結
晶育成時にシリコン融液から取り込まれたと考えられる
ものである。ここに、ＣＯＰとは、結晶に由来しＳＣ１
洗浄でシリコンウェーハの表面にエッチピットとして顕
在化する欠陥である。このＳＣ１洗浄とは、Ｈ2ＯとＨ2
Ｏ2とＮＨ4ＯＨとで構成されるＳＣ１（Standard Clean
inng1）液による洗浄をいう。また、ＦＰＤとは、ＳＥ
ＣＣＯ液で選択エッチングすることにより観察すること
ができるさざ波模様の欠陥である。このＳＥＣＣＯ液と
は、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸と水との混合液である。ま
た、ＬＳＴＤとは、光散乱トモグラフにより検出される
欠陥である。そして、これらのＡｓ−ｇｒｏｗｎ欠陥
は、シリコン単結晶棒からシリコンウェーハを製造し、
このシリコンウェーハに半導体デバイスを形成した場
合、このデバイスに絶縁耐圧不良などの重大な特性劣化
を招くものであった。すなわち、このようなシリコン単
結晶棒からは、絶縁耐圧の向上した半導体デバイスを製
造することはできないという課題があった。However, various types of As-grow are found in the silicon single crystal rods pulled by such a conventional method for pulling a silicon single crystal rod.
Many n defects were contained. This various As-grown
A defect is a COP (Crystal Originated Particle),
FPD (Flow Pattern Defect), LSTD
It is (infrared scatterer) and is considered to have been taken in from the silicon melt during crystal growth of a silicon wafer single crystal rod. Here, COP is derived from crystals and is SC1.
It is a defect that appears as an etch pit on the surface of a silicon wafer during cleaning. This SC1 cleaning means H 2 O and H 2
SC1 (Standard Clean consisting of O 2 and NH 4 OH
inng1) Washing with liquid. In addition, FPD is SE
It is a ripple pattern defect that can be observed by selective etching with a CCO liquid. The SECCO liquid is a mixed liquid of K 2 Cr 2 O 7 , hydrofluoric acid and water. The LSTD is a defect detected by a light scattering tomography. And these As-grown defects produce a silicon wafer from a silicon single crystal rod,
When a semiconductor device is formed on this silicon wafer, this device causes serious deterioration of characteristics such as defective insulation voltage. That is, there is a problem that a semiconductor device having an improved dielectric strength cannot be manufactured from such a silicon single crystal ingot.
【０００４】そこで、本発明は、絶縁耐圧などの電気特
性の向上した半導体デバイスを製造することができるシ
リコン単結晶棒およびその製造方法を提供することを、
その目的とする。Therefore, the present invention provides a silicon single crystal ingot capable of producing a semiconductor device having improved electrical characteristics such as withstand voltage and a method for producing the same.
To that end.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ＣＯＰの密度が１０4個／ｃｍ3以下、もしくは、Ｆ
ＰＤの密度が１０4個／ｃｍ3以下、または、ＬＳＴＤの
密度が１０4個／ｃｍ3以下のシリコン単結晶棒である。The invention according to claim 1 has a COP density of 10 4 pieces / cm 3 or less or F
The silicon single crystal ingot has a PD density of 10 4 / cm 3 or less or an LSTD density of 10 4 / cm 3 or less.
【０００６】また、請求項２に記載の発明は、シリコン
単結晶棒をシリコン融液から引き上げる際に、全長にわ
たって、１２００℃〜１４２０℃の温度領域に、１時間
以上シリコン単結晶棒を保持するシリコン単結晶棒の引
上げ方法である。According to the second aspect of the invention, when pulling the silicon single crystal ingot from the silicon melt, the silicon single crystal ingot is held in the temperature range of 1200 ° C. to 1420 ° C. for 1 hour or more over the entire length. This is a method of pulling a silicon single crystal ingot.
【０００７】[0007]
【作用】請求項１の発明に係るシリコン単結晶棒のＣＯ
Ｐの密度は１０4個／ｃｍ3以下である。もしくは、その
ＦＰＤの密度が１０4個／ｃｍ3以下である。または、そ
のＬＳＴＤの密度が１０4個／ｃｍ3以下である。この条
件に適合したシリコン単結晶棒からシリコンウェーハを
製造し、このシリコンウェーハに半導体デバイスを形成
した場合、この半導体デバイスの絶縁耐圧は従来よりも
向上している。The CO of the silicon single crystal ingot according to the invention of claim 1
The density of P is 10 4 pieces / cm 3 or less. Alternatively, the density of the FPD is 10 4 pieces / cm 3 or less. Alternatively, the density of the LSTD is 10 4 pieces / cm 3 or less. When a silicon wafer is manufactured from a silicon single crystal rod conforming to this condition and a semiconductor device is formed on this silicon wafer, the withstand voltage of this semiconductor device is higher than before.
【０００８】また、請求項２の発明に係るシリコン単結
晶棒の引上げ方法では、シリコン単結晶棒をシリコン融
液から引き上げる際に、その全長にわたって、１２００
℃〜１４２０℃の温度領域に、１時間以上シリコン単結
晶棒を保持する。この結果、シリコン単結晶棒のＣＯＰ
の密度は１０4個／ｃｍ3以下であるか、もしくは、その
ＦＰＤの密度は１０4個／ｃｍ3以下であり、または、そ
のＬＳＴＤ密度が１０4個／ｃｍ3以下である。In the method for pulling a silicon single crystal ingot according to the invention of claim 2, when pulling the silicon single crystal ingot from the silicon melt, the whole length of the silicon single crystal ingot is 1200.
The silicon single crystal ingot is held in the temperature range of ℃ to 1420 ℃ for 1 hour or more. As a result, the COP of the silicon single crystal rod
Is 10 4 / cm 3 or less, or the FPD has a density of 10 4 / cm 3 or less, or its LSTD density is 10 4 / cm 3 or less.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。この実施
例に係るシリコン単結晶棒は、直径が５インチ、Ｎ型、
引上方位が＜１００＞、結晶長が８００ｍｍ、抵抗率が
１０Ωｃｍ程度である。このシリコン単結晶棒を結晶軸
方向に沿って、厚さ２ｍｍの複数のサンプルにダイヤモ
ンドソーで縦割する。そして、これらのサンプルのＣＯ
Ｐ密度、ＦＰＤ密度およびＬＳＴＤ密度をそれぞれ測定
する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. The silicon single crystal ingot according to this example has a diameter of 5 inches, N type,
The pulling direction is <100>, the crystal length is 800 mm, and the resistivity is about 10 Ωcm. This silicon single crystal ingot is vertically divided by a diamond saw into a plurality of samples having a thickness of 2 mm along the crystal axis direction. And the CO of these samples
P density, FPD density and LSTD density are measured respectively.
【００１０】まず、一サンプルの表面をラップまたは研
削し、さらに表面の加工歪を除去するため、化学的エッ
チングを行う。そして、このサンプルの表面を鏡面研磨
し、ＳＣ１洗浄を１回だけ施す。このＳＣ１洗浄液は、
Ｈ2Ｏ2水溶液（比重１．１）、ＮＨ4ＯＨ（比重０．
９）、Ｈ2Ｏを、Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2：ＮＨ4ＯＨ＝５：１：
１の容積比で混合したものである。ＮＨ4ＯＨのＨ2Ｏ2
に対するモル濃度比は、１．５３である。ＳＣ１液中の
Ｈ2Ｏ2濃度は、１．４ｍｏｌ／ｌである。なお、ＳＣ１
洗浄の時間は２０分間、液温は８０℃とする。このサン
プルのＣＯＰ密度を、パーティクル・カウンタで測定す
る。この測定結果を図１に示す。１２００℃〜１４２０
℃の温度領域に１時間以上保持されたものはＣＯＰ密度
が著しく減少している。First, the surface of one sample is lapped or ground, and then chemical etching is performed to remove processing strains on the surface. Then, the surface of this sample is mirror-polished and SC1 cleaning is performed only once. This SC1 cleaning solution
H 2 O 2 aqueous solution (specific gravity 1.1), NH 4 OH (specific gravity 0.1.
9), H 2 O, H 2 O: H 2 O 2 : NH 4 OH = 5: 1:
They are mixed at a volume ratio of 1. NH 4 OH H 2 O 2
The molar concentration ratio is 1.53. The H 2 O 2 concentration in the SC1 liquid is 1.4 mol / l. In addition, SC1
The washing time is 20 minutes and the liquid temperature is 80 ° C. The COP density of this sample is measured with a particle counter. The measurement result is shown in FIG. 1200 ° C-1420
The COP density is remarkably reduced in the material kept in the temperature range of ° C for 1 hour or more.
【００１１】また、他のサンプルの表面をラップまたは
研削し、さらに表面の加工歪を除去するため、化学的エ
ッチングを行し、その表面を鏡面研磨する。この鏡面研
磨されたサンプルを、フッ酸と硝酸との混合液によりミ
ラーエッチングし、十分に純水で水洗する。この後、
０．１５ｍｏｌのＫ2Ｃｒ2Ｏ7の水溶液と４９％のフッ
酸とを１：２の体積比で構成したＳＥＣＣＯ液で３０分
の間、サンプルを選択エッチングする。このサンプルの
光学顕微鏡観察を行うことにより、その全体の分布を調
べる。この結果を図２に示す。この図から判断すると、
１２００℃〜１４２０℃の温度領域に１時間以上保持さ
れたものはＦＰＤ密度が著しく減少している。Further, the surface of another sample is lapped or ground, and in order to remove the processing strain of the surface, chemical etching is performed and the surface is mirror-polished. This mirror-polished sample is mirror-etched with a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid, and sufficiently washed with pure water. After this,
The sample is selectively etched with a SECCO solution composed of a 0.12 mol K 2 Cr 2 O 7 aqueous solution and 49% hydrofluoric acid in a volume ratio of 1: 2 for 30 minutes. The entire distribution is examined by observing this sample with an optical microscope. The result is shown in FIG. Judging from this figure,
Those kept in the temperature range of 1200 ° C to 1420 ° C for 1 hour or more have a significantly reduced FPD density.
【００１２】さらに、その他のサンプルは、光散乱トモ
グラフにより、その断面からＬＳＴＤを観察した。その
結果を図３に示す。この図から判断すると、１２００℃
〜１４２０℃の温度領域に１時間以上保持されたものは
ＬＳＴＤ密度が著しく減少している。Further, other samples were observed for LSTD from the cross section by a light scattering tomography. The result is shown in FIG. Judging from this figure, 1200 ℃
Those held in the temperature range of -1420 ° C for 1 hour or more have a significantly reduced LSTD density.
【００１３】次に、上記と同じシリコン単結晶棒からシ
リコンウェーハを製造する。この方法は、シリコン単結
晶棒をスライサによってスライスし、切断されたもの表
面をラップまたは研削し、さらにその表面の加工歪を除
去するため、化学的エッチングを行い、鏡面仕上げを施
す。この結果、シリコンウェーハが製造される。Next, a silicon wafer is manufactured from the same silicon single crystal ingot as described above. In this method, a silicon single crystal ingot is sliced by a slicer, the surface of the cut one is lapped or ground, and chemical etching is performed to remove a processing strain on the surface, and mirror finishing is performed. As a result, a silicon wafer is manufactured.
【００１４】以下に、このシリコン単結晶棒を製造する
ための引上装置を説明する。図４は本発明の一実施例に
係る引上装置の断面図である。The pulling apparatus for producing this silicon single crystal ingot will be described below. FIG. 4 is a sectional view of a lifting device according to an embodiment of the present invention.
【００１５】この図に示すように、引上装置は、結晶径
が５インチのシリコン単結晶棒９の引き上げに際し、シ
リコン単結晶棒９を外気から遮蔽する水冷のチャンバ１
を有している。チャンバ１内には、回転自在であって昇
降可能な坩堝軸２が設けられている。この坩堝軸２の上
端には、石英坩堝３が固定されている。この石英坩堝３
は略半球形状をなしている。この石英坩堝３内には、メ
ルト状態のシリコン融液６が保持されている。石英坩堝
３の外側には、シリコン融液６の加熱用ヒータ５（他の
加熱手段も可）および熱シールド材４がこの石英坩堝３
を取り囲むように配設されている。As shown in this drawing, the pulling apparatus is a water-cooled chamber 1 for shielding the silicon single crystal rod 9 from the outside air when pulling the silicon single crystal rod 9 having a crystal diameter of 5 inches.
have. In the chamber 1, a crucible shaft 2 that is rotatable and can be raised and lowered is provided. A quartz crucible 3 is fixed to the upper end of the crucible shaft 2. This quartz crucible 3
Has a substantially hemispherical shape. A silicon melt 6 in a melted state is held in the quartz crucible 3. On the outside of the quartz crucible 3, a heater 5 for heating the silicon melt 6 (other heating means is also possible) and a heat shield material 4 are provided on the quartz crucible 3
It is arranged so as to surround.
【００１６】シリコン融液６の上方には、温度制御装置
として各種のものがあるが、例えば多段加熱ヒータ１０
が固定されている。この多段加熱ヒータ１０は、円筒形
状であり、引き上げられるシリコン単結晶棒９の周囲
に、１２００℃〜１４２０℃のホットゾーンを構成する
ものである。そして、この多段加熱ヒータ１０の開口を
通ってシリコン単結晶棒９が上方に向かって引き上げら
れる構成である。さらに、この多段加熱ヒータ１０の上
方には、シリコン単結晶棒９を引き上げるための引上機
構７が設けられている。この引上機構７が石英坩堝３の
上方で、石英坩堝３と反対方向に回転しつつ昇降するよ
うになっている。この引上機構７の先端には、シリコン
単結晶の種子結晶８が取り付けられている。この種子結
晶８を、シリコン融液６に浸した後上昇させることによ
り、種子結晶８を始点として順次成長したシリコン単結
晶棒９がアルゴン雰囲気中で引き上げられる構成であ
る。There are various temperature control devices above the silicon melt 6, for example, a multi-stage heater 10.
Is fixed. The multi-stage heater 10 has a cylindrical shape and constitutes a hot zone of 1200 ° C to 1420 ° C around the silicon single crystal ingot 9 to be pulled. Then, the silicon single crystal ingot 9 is pulled upward through the opening of the multi-stage heater 10. Further, above the multistage heater 10, a pulling mechanism 7 for pulling up the silicon single crystal ingot 9 is provided. The pulling mechanism 7 is arranged above the quartz crucible 3 and ascends and descends while rotating in a direction opposite to the quartz crucible 3. A seed crystal 8 of a silicon single crystal is attached to the tip of the pulling mechanism 7. By immersing the seed crystal 8 in the silicon melt 6 and then raising it, the silicon single crystal ingots 9 sequentially grown with the seed crystal 8 as a starting point are pulled in an argon atmosphere.
【００１７】次に、シリコン単結晶棒９の引上げ方法を
説明する。シリコン単結晶棒９の引き上げに先立って、
石英坩堝３内に高純度多結晶シリコン、および、リンを
高濃度にドープしたシリコン結晶の小片を入れる。そし
て、この石英坩堝３を坩堝軸２に取り付ける。さらに、
チャンバ１内を真空装置で真空にした後アルゴンガスを
供給し、チャンバ１内を１０〜２０Ｔｏｒｒのアルゴン
雰囲気にする。次いで、ヒータ５に通電して石英坩堝３
を加熱し、原料のシリコン等を溶融する。そして、引上
機構７にシリコン単結晶の種子結晶８を取り付ける。こ
の種子結晶８をシリコン融液６の液面の中心に接触させ
る。この接触と同時に、坩堝軸２を一定の坩堝回転速度
で一方向に回転させるともに、引上機構７により、所定
の結晶回転速度で種子結晶を、坩堝回転速度とは逆方向
に回転させながらゆっくり上昇させる。Next, a method of pulling the silicon single crystal ingot 9 will be described. Prior to pulling up the silicon single crystal rod 9,
Into the quartz crucible 3, high-purity polycrystalline silicon and a small piece of silicon crystal highly doped with phosphorus are put. Then, the quartz crucible 3 is attached to the crucible shaft 2. further,
After the inside of the chamber 1 is evacuated with a vacuum device, argon gas is supplied to make the inside of the chamber 1 an argon atmosphere of 10 to 20 Torr. Next, the heater 5 is energized to turn on the quartz crucible 3
Is heated to melt the raw material such as silicon. Then, the silicon single crystal seed crystal 8 is attached to the pulling mechanism 7. The seed crystal 8 is brought into contact with the center of the liquid surface of the silicon melt 6. Simultaneously with this contact, the crucible shaft 2 is rotated in one direction at a constant crucible rotation speed, and the pulling mechanism 7 slowly rotates the seed crystal in a direction opposite to the crucible rotation speed at a predetermined crystal rotation speed. To raise.
【００１８】この引き上げの開始後は所定速度でシリコ
ン単結晶棒９を引き上げ、種子結晶８の下端にダッシュ
ズネック（Dash's neck）部を形成する。この後、引上
速度を遅くし、シリコン単結晶棒９の直径を増大して肩
部を形成する。この後、引上速度等を変化させて、シリ
コン単結晶棒９の直胴部を形成する。そして、引上げら
れたシリコン単結晶棒９の所定帯域に対して多段加熱ヒ
ータ１０（他の手段も可）により１２００℃〜１４２０
℃の熱処理を１時間以上施すものであり、このような熱
処理を施したシリコン単結晶棒９において、１２００℃
〜１４２０℃のホットゾーンに１時間だけ保持された部
分のＣＯＰの密度は１０4個／ｃｍ3であり、そのＦＰＤ
の密度は１０4個／ｃｍ3であり、そのＬＳＴＤの密度は
１０4個／ｃｍ3である。After the pulling is started, the silicon single crystal ingot 9 is pulled up at a predetermined speed to form a Dash's neck at the lower end of the seed crystal 8. After that, the pulling speed is slowed down and the diameter of the silicon single crystal ingot 9 is increased to form the shoulder portion. After that, the pulling speed and the like are changed to form the straight body portion of the silicon single crystal ingot 9. Then, with respect to the predetermined band of the pulled silicon single crystal ingot 9, a multi-stage heater 10 (other means is also possible) is applied to 1200 ° C. to 1420.
The heat treatment at a temperature of 1 ° C. is performed for 1 hour or more.
The COP density of the part held in the hot zone of ~ 1420 ° C for 1 hour was 10 4 pieces / cm 3 , and its FPD
The density of a 10 4 / cm 3, density of the LSTD is 10 4 / cm 3.
【００１９】したがって、この引上げ方法によって引上
げられたシリコン単結晶棒は、そのＣＯＰの密度が１０
4個／ｃｍ3以下であり、かつ、そのＦＰＤの密度は１０
4個／ｃｍ3以下である。また、そのＬＳＴＤ密度は１０
4個／ｃｍ3以下である。このようにＡｓ−ｇｒｏｗｎ欠
陥の少ないシリコン単結晶棒が得られる。このシリコン
単結晶棒からシリコンウェーハを製造し、このシリコン
ウェーハに半導体デバイスを形成すると、この半導体デ
バイスの絶縁耐圧は向上している。すなわち、半導体デ
バイスの絶縁破壊などの電気特性を向上させることがで
きる。Therefore, the silicon single crystal ingot pulled up by this pulling method has a COP density of 10
4 pieces / cm 3 or less, and the density of the FPD is 10
4 pieces / cm 3 or less. The LSTD density is 10
4 pieces / cm 3 or less. In this way, a silicon single crystal ingot with few As-grown defects can be obtained. When a silicon wafer is manufactured from this silicon single crystal ingot and a semiconductor device is formed on this silicon wafer, the withstand voltage of this semiconductor device is improved. That is, electrical characteristics such as dielectric breakdown of the semiconductor device can be improved.
【００２０】[0020]
【発明の効果】本発明に係るシリコン単結晶棒はＡｓ−
ｇｒｏｗｎ欠陥が少ない。したがって、このシリコン単
結晶棒からは絶縁耐圧などの電気特性の向上した半導体
デバイスを製造することができる。また、本発明方法に
よれば、そのようなシリコン単結晶棒を製造することが
できる。The silicon single crystal ingot according to the present invention is As-
There are few grown defects. Therefore, a semiconductor device having improved electrical characteristics such as withstand voltage can be manufactured from this silicon single crystal ingot. Further, according to the method of the present invention, such a silicon single crystal ingot can be manufactured.
【図１】本発明の一実施例に係るシリコン単結晶棒の断
面組織を示すものである。FIG. 1 shows a sectional structure of a silicon single crystal ingot according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例に係るシリコン単結晶棒の断
面組織を示すものである。FIG. 2 shows a cross-sectional structure of a silicon single crystal ingot according to an example of the present invention.
【図３】本発明の一実施例に係るシリコン単結晶棒の断
面組織を示すものである。FIG. 3 shows a cross-sectional structure of a silicon single crystal ingot according to an example of the present invention.
【図４】本発明の一実施例に係る引上装置の断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view of a lifting device according to an embodiment of the present invention.
２ チャンバ ３ 石英坩堝 ４ シリコン融液（結晶融液） ５ ヒータ ９ シリコン単結晶棒 １０ 多段加熱ヒータ 2 chamber 3 quartz crucible 4 silicon melt (crystal melt) 5 heater 9 silicon single crystal rod 10 multi-stage heating heater
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年２月２４日[Submission date] February 24, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図２[Name of item to be corrected] Figure 2
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図２】本発明の一実施例に係るシリコン単結晶棒の断
面の金属組織を示す図面代用写真である。[Figure 2] interruption of the silicon single crystal rod according to an embodiment of the present invention
It is a drawing substitute photograph which shows the metallographic structure of a surface .
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図３[Name of item to be corrected] Figure 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図３】本発明の一実施例に係るシリコン単結晶棒の断
面の金属組織を示す図面代用写真である。[Figure 3] interruption of the silicon single crystal rod according to an embodiment of the present invention
It is a drawing substitute photograph which shows the metallographic structure of a surface .
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図２[Name of item to be corrected] Figure 2
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図２】 [Fig. 2]
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図３[Name of item to be corrected] Figure 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図３】 [Figure 3]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takayuki Shinnai 1-297 Kitabukurocho, Omiya City, Saitama Prefecture Mitsubishi Materials Corporation Central Research Laboratory
Claims (2)
しくは、ＦＰＤの密度が１０4個／ｃｍ3以下、または、
ＬＳＴＤ（赤外散乱体）の密度が１０4個／ｃｍ3以下で
あることを特徴とするシリコン単結晶棒。1. The density of COP is 10 4 pieces / cm 3 or less, or the density of FPD is 10 4 pieces / cm 3 or less, or
A silicon single crystal ingot having an LSTD (infrared scatterer) density of 10 4 pieces / cm 3 or less.
き上げる際に、全長にわたって、１２００℃〜１４２０
℃の温度領域に、１時間以上シリコン単結晶棒を保持す
ることを特徴とするシリコン単結晶棒の引上げ方法。2. When pulling a silicon single crystal ingot from a silicon melt, the entire length is from 1200 ° C. to 1420.
A method for pulling a silicon single crystal ingot, comprising holding the silicon single crystal ingot in a temperature range of ° C for 1 hour or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206493A JPH06279188A (en) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | Silicon single crystal rod and drawing method for that |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206493A JPH06279188A (en) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | Silicon single crystal rod and drawing method for that |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279188A true JPH06279188A (en) | 1994-10-04 |
Family
ID=14044052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9206493A Pending JPH06279188A (en) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | Silicon single crystal rod and drawing method for that |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06279188A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026393A1 (en) * | 1996-01-19 | 1997-07-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal with no crystal defect in peripheral part of wafer and process for producing the same |
| WO1999039380A1 (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-05 | Nippon Steel Corporation | Soi substrate and method for manufacturing the same |
| US5935326A (en) * | 1996-11-21 | 1999-08-10 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor single crystals |
| US5948159A (en) * | 1997-03-19 | 1999-09-07 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of controlling defects of a silicon single crystal |
| WO1999057344A1 (en) * | 1998-05-01 | 1999-11-11 | Nippon Steel Corporation | Silicon semiconductor wafer and method for producing the same |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP9206493A patent/JPH06279188A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026393A1 (en) * | 1996-01-19 | 1997-07-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal with no crystal defect in peripheral part of wafer and process for producing the same |
| US6120749A (en) * | 1996-01-19 | 2000-09-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Silicon single crystal with no crystal defect in peripheral part of wafer and process for producing the same |
| US5935326A (en) * | 1996-11-21 | 1999-08-10 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor single crystals |
| US5948159A (en) * | 1997-03-19 | 1999-09-07 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of controlling defects of a silicon single crystal |
| WO1999039380A1 (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-05 | Nippon Steel Corporation | Soi substrate and method for manufacturing the same |
| US6617034B1 (en) | 1998-02-02 | 2003-09-09 | Nippon Steel Corporation | SOI substrate and method for production thereof |
| WO1999057344A1 (en) * | 1998-05-01 | 1999-11-11 | Nippon Steel Corporation | Silicon semiconductor wafer and method for producing the same |
| US6548886B1 (en) | 1998-05-01 | 2003-04-15 | Wacker Nsce Corporation | Silicon semiconductor wafer and method for producing the same |
| KR100541882B1 (en) * | 1998-05-01 | 2006-01-16 | 왁커 엔에스씨이 코포레이션 | Silicon semiconductor wafer and method for producing the same |
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