JPH06271329A - ガラス母材の製造方法及び装置 - Google Patents
ガラス母材の製造方法及び装置Info
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- JPH06271329A JPH06271329A JP5718893A JP5718893A JPH06271329A JP H06271329 A JPH06271329 A JP H06271329A JP 5718893 A JP5718893 A JP 5718893A JP 5718893 A JP5718893 A JP 5718893A JP H06271329 A JPH06271329 A JP H06271329A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
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Abstract
装置を提供する。 【構成】 上流端より反応管内にガラス形成用原料ガス
を導入し、前記反応管内の外壁を環軸方向に沿って加熱
源を井戸することにより管内で気相化学反応によりガラ
ス層を堆積させ、反応物の非堆積部分を前記反応管の下
流端より排出するガラス母材の製造方法において、前記
反応管の上流より下流の所定位置まで複数回前記加熱源
を移動する下流側移動終了端を段階的に上流側に移動せ
しめることを特徴とするガラス母材の製造方法及びその
ための装置。堆積部分末端での反応管の破損をふせぎ、
また同部分でのススの堆積も低減できる。
Description
hemical Vapor Deposit Method:内付けCVD法)によ
るガラス母材の製造方法及び装置に関するものである。
スと酸素とを反応管内に流しながら該反応管を外部から
加熱して反応管内で上記ガスの酸化反応を生起させ、生
成した酸化物(SiO2 等)スートを堆積させ且つ加熱
溶融することによりガラス層を形成する方法はMCVD
法としてよく知られている。
は、反応管堆積終了端部が図3のような形状になりガラ
ス堆積層10の終了端より反応管1が破損することがあ
る。これは例えばB2 O3のような熱膨張率の大きな物
質をドーパントに含むほど多く現れる現象であることか
ら、応力に因むと考えられており、特に終了端近傍では
応力の集中が予想される。ガラスは元来非常に微細なひ
びが所々に潜在しており、集中した応力はそのひびを成
長させるものと考えられ、その結果ガラスの強度は低下
する。これにより反応管およびガラス堆積層の破壊が起
きるものと考えられる。また、堆積終了端付近に堆積す
るガラス化しない反応生成物質(以降ススと称する)1
1による管の閉塞等も問題となっている。本発明はこの
ような問題を解消した光ファイバ母材の製造方法及び装
置を提供しようとするものである。
の手段として本発明は、 1)上流端より反応管内にガラス形成用原料ガスを導入
し、前記反応管の外にある加熱器を該反応管の管軸方向
に沿って上流より下流の所定位置まで複数回往復移動さ
せることにより該反応管内で気相化学反応により生成す
る反応物を堆積させ、反応物の非堆積部分を前記反応管
の下流端より排出するガラス母材の製造方法において、
前記加熱器を複数回往復移動させる際の下流側移動終了
端位置を段階的に上流側に移動せしめることを特徴とす
るガラス母材の製造方法、 2)上流端より反応管内にガラス形成用原料ガスを供給
する機構と、前記反応管を管径方向に回転する2つ以上
の支持部と該支持部の間を管軸方向に自在に移動する加
熱器を有し、下流端より反応管内に堆積しない原料等を
排気する機構を取り付けてなる装置において、該加熱器
の移動量と加熱器の位置を検出する機構及び加熱器の下
流側移動終了端を段階的に上流に移動せしめる制御機構
とをさらに有してなるガラス母材の製造装置、を提供す
る。
説明する図である。図示のように、石英ガラス等からな
る反応管1を回転する支持部2で把持することにより反
応管1を回転させる。図示を省略した原料供給部から例
えば四塩化ケイ素と三塩化ホウ素等のガラス原料ガス及
び酸素を、反応管1の一端より管内に供給しながら、反
応管1の軸方向に往復移動可能とするモーター4付きの
台座5に取り付けられた加熱バーナー等の加熱器3によ
り反応管1を外部から加熱することにより、反応管内に
おける原料ガスの酸化反応により生成した反応生成物で
あるススを管内壁に堆積及び加熱溶融させてガラス層
を形成する。また、反応後のガス等は反応管の下流に設
けられた図示していないスクラバー部で処理される。加
熱器3の移動可能な台座5には移動量検出器6も取り付
けてあり、検出された移動量の信号は制御装置9に送ら
れる。また台座5の一検出器7、8が上流側端部と下流
側端部に配置されている。まず、上流側一検出器7の検
出点から台座5を移動させ、反応管1内にガラス層を堆
積させ、下流側の位置検出器8での台座5を検出した点
から、台座5の移動量を設定し、この移動量が加熱器の
トラバース毎に段階的に減少するように、制御装置9に
て制御する。また、本発明方法は移動量検出器の移動量
そのものを位置として制御装置9に入力することにより
該位置検出器なしでも同様に制御することは可能であ
る。
するようにすることにより、本発明で得られる反応管の
堆積終了端部分の状態は図2に示すようになる。このよ
うに堆積終了端部のガラス層はテーパ状に厚さが減少し
ているので、応力を分散させることができる。すなわ
ち、図3のように堆積終了端が鋭角または直角に近い場
合その角には応力の集中が起きるが、本発明の場合図2
のように堆積終了端をより鈍角にすることによりその角
の応力を分散させることができる。これにより本発明の
方法では反応管1の破損を防ぐことができる。また、堆
積終了端を上流方向に段階的に移動させることによりス
ス11の堆積場所も上流方向に段階的に移動してテーパ
状となるので、スス11の堆積による反応管下流端部の
閉塞を軽減でき、スス除外の回数を低減できる。
製造した。反応管1として外径30mm、長さ1400
mmの石英管を使用し、加熱器3により加熱しつつ該反
応管1内に100層のガラス堆積層を形成せしめる際、
上流、下流の位置検出器7、8を850mm離した点に
固定する。次に下流位置検出器8が台座5を検出する点
より更に下流方向に50mm移動した点を最初の移動終
了端として制御装置9に入力する。次に1回当たりの下
流側移動減少量0.5mmを制御装置に入力し、上流端
より堆積を行った。その結果、反応管1の下流側終了端
部付近よりの破損は低減した。
うに、本発明によれば堆積終了端の堆積量を管軸方向に
段階的に減少させることにより、終了端よりの反応管の
破損を低減することができ、ガラス母材の生産性を向上
させることができる。また終了端付近に堆積するススの
堆積場所を分散させることにより反応管の終了端閉塞を
遅らせることができ、スス除外回数を低減させることが
できる。
端部分の形状を示している。
概略説明図である。
ター、 5 台座、6 移動量検出器、 7 上流側位
置検出器、 8下流側位置検出器、 9 制御装置、
10 ガラス堆積層、 11 スス。
Claims (2)
- 【請求項1】 上流端より反応管内にガラス形成用原料
ガスを導入し、前記反応管の外にある加熱器を該反応管
の管軸方向に沿って上流より下流の所定位置まで複数回
往復移動させることにより該反応管内で気相化学反応に
より生成する反応物を堆積させ、反応物の非堆積部分を
前記反応管の下流端より排出するガラス母材の製造方法
において、前記加熱器を複数回往復移動させる際の下流
側移動終了端位置を段階的に上流側に移動せしめること
を特徴とするガラス母材の製造方法。 - 【請求項2】 上流端より反応管内にガラス形成用原料
ガスを供給する機構と、前記反応管を管径方向に回転す
る2つ以上の支持部と該支持部の間を管軸方向に自在に
移動する加熱器を有し、下流端より反応管内に堆積しな
い原料等を排気する機構を取り付けてなる装置におい
て、該加熱器の移動量と加熱器の位置を検出する機構及
び加熱器の下流側移動終了端を段階的に上流に移動せし
める制御機構とをさらに有してなるガラス母材の製造装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5718893A JP3275428B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | ガラス母材の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5718893A JP3275428B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | ガラス母材の製造方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06271329A true JPH06271329A (ja) | 1994-09-27 |
JP3275428B2 JP3275428B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=13048521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5718893A Expired - Fee Related JP3275428B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | ガラス母材の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3275428B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7981485B2 (en) * | 2006-11-14 | 2011-07-19 | Drake Comteq, B.V. | Apparatus and method for performing a PCVD process |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5718893A patent/JP3275428B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7981485B2 (en) * | 2006-11-14 | 2011-07-19 | Drake Comteq, B.V. | Apparatus and method for performing a PCVD process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP3275428B2 (ja) | 2002-04-15 |
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