JPH06268446A - Frequency modulator - Google Patents
Frequency modulatorInfo
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- JPH06268446A JPH06268446A JP5052642A JP5264293A JPH06268446A JP H06268446 A JPH06268446 A JP H06268446A JP 5052642 A JP5052642 A JP 5052642A JP 5264293 A JP5264293 A JP 5264293A JP H06268446 A JPH06268446 A JP H06268446A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はミリ波領域の周波数変調
信号の発生に利用する。本発明は自動車に装備される接
近警報装置、衝突防止装置、その他電磁波によるレーダ
に利用するために開発されたものであるが、この他の装
置にも利用することができる。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is used to generate a frequency modulation signal in the millimeter wave region. The present invention was developed for use in a proximity warning device, a collision prevention device, and other radars that use electromagnetic waves, which are installed in automobiles, but can also be used in other devices.
【０００２】[0002]
【従来の技術】きわめて高い周波数の電磁波を利用した
レーダ装置により、先行車両との接近警報装置、接近す
る物体を警報する衝突防止装置、その他を自動車に装備
することが試みられている。近年、自動車用のレーダ装
置としては６０ＧＨｚ帯の電波割当が行われることが計
画されている。2. Description of the Related Art It has been attempted to equip a vehicle with a proximity warning device for a preceding vehicle, a collision prevention device for warning an approaching object, and the like by a radar device utilizing an electromagnetic wave having an extremely high frequency. In recent years, it has been planned to allocate radio waves in the 60 GHz band to radar devices for automobiles.
【０００３】この周波数帯の発振器あるいは集積回路に
ついての技術は、例えば本願発明者の一人が発表した
「米山：非放射性誘電体線路を用いたミリ波集積回路，
電子情報通信学会論文誌Ｃ−Ｉ，Vol J73-C-I No3 pp87
-94 1990年３月」に開示がある。この文献には、３５Ｇ
Ｈｚ帯の発振器、ガイド、電力分配器、アンテナなどに
ついての記載がある。A technique for an oscillator or an integrated circuit in this frequency band is disclosed by, for example, one of the inventors of the present application, "Yoneyama: Millimeter wave integrated circuit using non-radiative dielectric line,
IEICE Transactions CI, Vol J73-CI No3 pp87
-94 March 1990 ". In this document, 35G
There is a description about a Hz band oscillator, a guide, a power distributor, an antenna, and the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】６０ＧＨｚ帯の電磁波
はその波長が約５ｍｍであり、従来の立体回路や半導体
集積回路を単に小型化しても実用的な発振器や変調器を
実現することができない。Electromagnetic waves in the 60 GHz band have a wavelength of about 5 mm, and practical oscillators and modulators cannot be realized by simply downsizing conventional three-dimensional circuits and semiconductor integrated circuits.
【０００５】本発明はこのような背景に行われたもので
あって、ミリ波帯の有効な周波数変調器を簡単な構成で
実現することを目的とする。本発明は自動車に搭載して
利用できるミリ波帯の周波数変調器を実現することを目
的とする。The present invention has been made against such a background, and an object thereof is to realize an effective frequency modulator in the millimeter wave band with a simple structure. An object of the present invention is to realize a millimeter waveband frequency modulator that can be used by being mounted on an automobile.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は周波数変調器で
あり、本発明の特徴とするところは、搬送波が導入され
る非放射性誘電体線路と、この非放射性誘電体線路にそ
の伝搬方向に沿って非接触に設けられた可変容量ダイオ
ードと、この可変容量ダイオードが一方の端面に設けら
れ他方の端面に無反射終端が設けられた結合器とを備
え、この結合器は、前記非放射性誘電体線路に近接して
（接触もしくは小さい間隔をおいて）設けられ、前記可
変容量ダイオードの電極に変調信号を印加する変調回路
を備えたところにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a frequency modulator, which is characterized in that a non-radiative dielectric line into which a carrier wave is introduced, and a non-radiative dielectric line in the propagation direction thereof. A variable capacitance diode provided in a non-contact manner, and a coupler having the variable capacitance diode on one end face and a reflectionless termination on the other end face, the coupler including the non-radiative dielectric It is provided with a modulation circuit which is provided close to (in contact with or at a small interval from) the body line and applies a modulation signal to the electrode of the variable capacitance diode.
【０００７】この周波数変調回路は、前記搬送波周波数
を５０〜７０ＧＨｚに選ぶことができる。In this frequency modulation circuit, the carrier frequency can be selected to be 50 to 70 GHz.
【０００８】前記搬送波は、ガンダイオード発振回路
と、このガンダイオードの電極に接続され発振周波数に
共振する共振器とを含む発振器から送出され、前記可変
容量ダイオードはバラクタダイオードであることが望ま
しい。The carrier wave is transmitted from an oscillator including a Gunn diode oscillation circuit and a resonator connected to an electrode of the Gunn diode and resonating at an oscillation frequency, and the variable capacitance diode is preferably a varactor diode.
【０００９】[0009]
【作用】ガンダイオードから発生した発振出力は、金属
ストリップ共振器に共振して５０〜７０ＧＨｚ中の任意
の発振周波数となる。この発振器出力は、非放射性誘電
体線路中を伝搬する。変調器は、結合器の一方の端面に
可変容量ダイオードを非放射性誘電体にマウントしたも
のを設け、他方の端面に無反射終端を設けたものを用い
る。この結合器を非放射性誘電体線路に近接させて設け
る。可変容量ダイオードは、電圧に対して静電容量が変
化する素子である。非放射性誘電体線路を伝搬する発振
器出力の一部が結合器にも分岐されて伝搬する。このと
き、結合器に伝搬して可変容量ダイオードマウント側か
ら反射した発振器出力が結合器を介して影響を受ける。
この発振器側に戻る信号が可変容量ダイオードの容量と
共に変化する。これにより、発振器の出力の発振周波数
が変化して変調される。この装置により、簡単な構成に
よるミリ波帯の有効な周波数変調器が実現できる。The oscillation output generated from the Gunn diode resonates with the metal strip resonator and has an arbitrary oscillation frequency within 50 to 70 GHz. The oscillator output propagates in the non-radiative dielectric line. As the modulator, one in which a variable capacitance diode is mounted on a non-radiative dielectric is provided on one end face of the coupler, and a non-reflection termination is provided on the other end face. This coupler is provided close to the non-radiative dielectric line. The variable capacitance diode is an element whose capacitance changes with voltage. A part of the oscillator output propagating through the non-radiative dielectric line is branched into the coupler and propagates. At this time, the oscillator output propagating to the coupler and reflected from the varicap diode mount side is affected via the coupler.
The signal returning to the oscillator side changes with the capacitance of the variable capacitance diode. As a result, the oscillation frequency of the output of the oscillator changes and is modulated. With this device, an effective frequency modulator in the millimeter wave band can be realized with a simple configuration.
【００１０】[0010]
【実施例】本発明実施例の構成を図１ないし図３を参照
して説明する。図１は本発明実施例装置の構成図であ
る。図２は本発明実施例装置の斜視図である。図３はバ
ラクタダイオードマウントの構成図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram of an apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of the device of the present invention. FIG. 3 is a configuration diagram of a varactor diode mount.
【００１１】本発明は周波数変調器であり、本発明の特
徴とするところは、搬送波が導入される非放射性誘電体
線路として四フッ化エチレン樹脂片７と、この四フッ化
エチレン樹脂片７にその伝搬方向に沿って非接触に設け
られた可変容量ダイオードとしてバラクタダイオード１
と、このバラクタダイオード１が一方の端面に設けられ
他方の端面に無反射終端６が設けられた結合器として方
向性結合器（１８０°ベント）９とを備え、この指向性
結合器９は、四フッ化エチレン樹脂片７に近接して設け
られ、バラクタダイオード１の電極に変調信号を印加す
る変調回路２０を備えたところにある。この周波数変調
回路は、搬送波周波数が５０〜７０ＧＨｚである。The present invention is a frequency modulator. The feature of the present invention resides in that a tetrafluoroethylene resin piece 7 is provided as a non-radiative dielectric line into which a carrier wave is introduced, and the tetrafluoroethylene resin piece 7 is Varactor diode 1 as a variable capacitance diode provided in a non-contact manner along the propagation direction
And a directional coupler (180 ° vent) 9 as a coupler in which the varactor diode 1 is provided on one end face and the non-reflection termination 6 is provided on the other end face, and the directional coupler 9 is It is provided with a modulation circuit 20 which is provided near the tetrafluoroethylene resin piece 7 and applies a modulation signal to the electrode of the varactor diode 1. This frequency modulation circuit has a carrier frequency of 50 to 70 GHz.
【００１２】搬送波は、ガンダイオード発振回路として
ガンダイオードマウント４と、このガンダイオード３の
電極に接続され発振周波数に共振する共振器として金属
ストリップ共振器５とを含む発振器２２から送出され
る。The carrier wave is transmitted from an oscillator 22 including a Gunn diode mount 4 as a Gunn diode oscillation circuit and a metal strip resonator 5 as a resonator which is connected to the electrodes of the Gunn diode 3 and resonates at an oscillation frequency.
【００１３】次に、図３を参照して本発明実施例装置の
動作を説明する。図３はバラクタダイオードマウント２
を示す図である。図３に示すようにバラクタダイオード
１を四フッ化エチレン樹脂板１４の上に銅箔１３により
マウントする。このバラクタダイオードマウント２の電
極に変調回路２０により変調信号を印加する。図１およ
び図２に戻ると、このバラクタダイオードマウント２に
高誘電率板８を介して一方の端面が近接している方向性
結合器９を伝搬する周波数が変調回路２０からの信号に
より変化する。四フッ化エチレン樹脂片７を伝搬する搬
送波は、方向性結合器９との結合により方向性結合器９
側にも伝搬する。このとき方向性結合器９のバラクタダ
イオードマウント２側から反射された発振器出力の周波
数が影響を受け、発振器２２側に戻る信号が可変容量ダ
イオードの容量と共に変化する。これにより、発振器２
２の出力の発振周波数が変化して変調される。Next, the operation of the apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. Figure 3 shows the varactor diode mount 2
FIG. As shown in FIG. 3, the varactor diode 1 is mounted on the tetrafluoroethylene resin plate 14 with the copper foil 13. The modulation signal is applied to the electrodes of the varactor diode mount 2 by the modulation circuit 20. Returning to FIG. 1 and FIG. 2, the frequency propagating through the directional coupler 9 whose one end face is close to the varactor diode mount 2 via the high dielectric constant plate 8 is changed by the signal from the modulation circuit 20. . The carrier wave propagating through the tetrafluoroethylene resin piece 7 is coupled with the directional coupler 9 so that the directional coupler 9
Propagate to the side. At this time, the frequency of the oscillator output reflected from the varactor diode mount 2 side of the directional coupler 9 is affected, and the signal returning to the oscillator 22 side changes with the capacitance of the variable capacitance diode. As a result, the oscillator 2
The oscillation frequency of the output of 2 is changed and modulated.
【００１４】高誘電率板８はバラクタダイオードマウン
ト２とのインピーダンス整合をとるために介挿される。The high dielectric constant plate 8 is inserted for impedance matching with the varactor diode mount 2.
【００１５】次に、図４を参照して本発明実施例の動作
特性を測定する構成を説明する。図４は動作特性を測定
する構成を示す図である。本発明実施例装置の四フッ化
エチレン樹脂片７を変換ホーン１１に挿入することによ
り、変換ホーン１１はアンテナとして動作する。アッテ
ネータ３０を介して方向性結合器３２に入力された被測
定信号は、分岐されてスプクトラムアナライザに出力さ
れる。他の被測定信号は、さらにＥＨチューナ３４およ
びパワーメータ３６に入力される。Next, the configuration for measuring the operating characteristics of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram showing a configuration for measuring operating characteristics. By inserting the tetrafluoroethylene resin piece 7 of the device of the embodiment of the present invention into the conversion horn 11, the conversion horn 11 operates as an antenna. The signal under measurement input to the directional coupler 32 via the attenuator 30 is branched and output to the spectrum analyzer. Other measured signals are further input to the EH tuner 34 and the power meter 36.
【００１６】次に、図４に示した動作特性を測定する構
成を用いて本発明実施例装置の周波数特性を説明する。
図５は本発明実施例装置の周波数特性を示す図である。
横軸にバラクタダイオードバイアス値をとり、縦軸に周
波数変調幅をとる。本発明実施例装置を用いればおよそ
３０〜４０ＭＨｚにわたり出力５０ｍＷ以上のほぼ線形
な変調特性が得られる。Next, the frequency characteristic of the apparatus of the present invention will be described using the configuration for measuring the operating characteristic shown in FIG.
FIG. 5 is a diagram showing frequency characteristics of the device of the present invention.
The horizontal axis shows the varactor diode bias value, and the vertical axis shows the frequency modulation width. Using the device of the present invention, a substantially linear modulation characteristic with an output of 50 mW or more can be obtained over approximately 30 to 40 MHz.
【００１７】次に、図６〜図９を参照して本発明実施例
装置のその他の特性を説明する。図６は方向性結合器９
と金属ストリップ共振器５との距離Ｌによる周波数変調
幅を示す図である。横軸に方向性結合器９と金属ストリ
ップ共振器５との距離Ｌをとり、縦軸に周波数変調幅お
よび発振出力をとる。距離Ｌが７ｍｍくらいのところで
周波数変調幅は最大となる。Next, other characteristics of the apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 shows a directional coupler 9.
6 is a diagram showing a frequency modulation width according to a distance L between the metal strip resonator 5 and the metal strip resonator 5. FIG. The horizontal axis represents the distance L between the directional coupler 9 and the metal strip resonator 5, and the vertical axis represents the frequency modulation width and oscillation output. The frequency modulation width becomes maximum when the distance L is about 7 mm.
【００１８】図７は方向性結合器９と四フッ化エチレン
樹脂片７との距離ｄによる周波数変調幅を示す図であ
る。横軸に距離ｄをとり、縦軸に周波数変調幅をとる。
距離ｄは１．０ｍｍ〜１．２ｍｍくらいで周波数変調幅
は最大となる。FIG. 7 is a diagram showing a frequency modulation width depending on the distance d between the directional coupler 9 and the tetrafluoroethylene resin piece 7. The horizontal axis represents the distance d, and the vertical axis represents the frequency modulation width.
The frequency modulation width becomes maximum when the distance d is about 1.0 mm to 1.2 mm.
【００１９】図８は高誘電率板８の厚さと周波数変調幅
との関係を示す図である。横軸に高誘電率板８の厚さを
とり、縦軸に周波数変調幅をとる。高誘電率板８は厚さ
０．１ｍｍで周波数変調幅は最大となる。FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the thickness of the high dielectric constant plate 8 and the frequency modulation width. The horizontal axis represents the thickness of the high dielectric constant plate 8, and the vertical axis represents the frequency modulation width. The high dielectric constant plate 8 has a thickness of 0.1 mm and has a maximum frequency modulation width.
【００２０】図９は図７の説明で述べた方向性結合器９
と四フッ化エチレン樹脂片７との距離ｄを示す図であ
る。FIG. 9 shows the directional coupler 9 described in the explanation of FIG.
It is a figure which shows the distance d between the and the tetrafluoroethylene resin piece 7.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば簡
単な構成によりミリ波帯の有効な周波数変調器が実現で
きる。自動車に搭載して利用できるミリ波帯の周波数変
調器が実現できる。As described above, according to the present invention, an effective frequency modulator in the millimeter wave band can be realized with a simple structure. It is possible to realize a millimeter-wave frequency modulator that can be mounted on a vehicle and used.
【図１】本発明実施例装置の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of an apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明実施例装置の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of an apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図３】バラクタダイオードマウントを示す図。FIG. 3 is a diagram showing a varactor diode mount.
【図４】動作特性を測定する構成を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a configuration for measuring operating characteristics.
【図５】本発明実施例装置の周波数特性を示す図。FIG. 5 is a diagram showing frequency characteristics of the device according to the embodiment of the present invention.
【図６】結合器と金属ストリップ共振器との距離による
周波数変調幅を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a frequency modulation width according to a distance between a coupler and a metal strip resonator.
【図７】結合器と四フッ化エチレン樹脂片との距離によ
る周波数変調幅を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a frequency modulation width depending on a distance between a coupler and a tetrafluoroethylene resin piece.
【図８】高誘電率板の厚さと周波数変調幅との関係を示
す図。FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the thickness of a high dielectric constant plate and the frequency modulation width.
【図９】方向性結合器と四フッ化エチレン樹脂片との距
離を示す図。FIG. 9 is a diagram showing a distance between a directional coupler and a tetrafluoroethylene resin piece.
１ バラクタダイオード ２ ダラクタダイオードマウント ３ ガンダイオード ４ ガンダイオードマウント ５ 金属ストリップ共振器 ６ 無反射終端 ７ 四フッ化エチレン樹脂片 ８ 高誘電率板 ９ 方向性結合器（１８０°ベンド） １０ アルミ板 １１ 変換ホーン １３ 銅箔 １４ 四フッ化エチレン樹脂板 ２０ 変調回路 ２２ 発振器 ３０ アッテネータ ３２ 方向性結合器 ３４ ＥＨチューナ ３６ パワーメータ 1 Varactor diode 2 Dullactor diode mount 3 Gunn diode 4 Gunn diode mount 5 Metal strip resonator 6 Non-reflective termination 7 Tetrafluoroethylene resin piece 8 High dielectric constant plate 9 Directional coupler (180 ° bend) 10 Aluminum plate 11 Conversion horn 13 Copper foil 14 Tetrafluoroethylene resin plate 20 Modulation circuit 22 Oscillator 30 Attenuator 32 Directional coupler 34 EH tuner 36 Power meter
Claims (1)
と、この非放射性誘電体線路にその伝搬方向に沿って非
接触に設けられた可変容量ダイオードと、この可変容量
ダイオードが一方の端面に設けられ他方の端面に無反射
終端が設けられた結合器とを備え、 この結合器は、前記非放射性誘電体線路に近接させて設
けられ、 前記可変容量ダイオードの電極に変調信号を印加する変
調回路を備えたことを特徴とする周波数変調器。1. A non-radiative dielectric line into which a carrier wave is introduced, a variable capacitance diode provided in the non-radiative dielectric line in a non-contact manner along its propagation direction, and this variable capacitance diode is provided on one end face. And a coupler having a reflection-free termination provided on the other end face thereof, the coupler being provided close to the non-radiative dielectric line, and applying a modulation signal to an electrode of the variable capacitance diode. A frequency modulator comprising a circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05052642A JP3086884B2 (en) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | Frequency modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05052642A JP3086884B2 (en) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | Frequency modulator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268446A true JPH06268446A (en) | 1994-09-22 |
| JP3086884B2 JP3086884B2 (en) | 2000-09-11 |
Family
ID=12920495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05052642A Expired - Fee Related JP3086884B2 (en) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | Frequency modulator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3086884B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034574A (en) * | 1997-03-21 | 2000-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Modulation apparatus |
| US7265711B2 (en) | 2004-06-29 | 2007-09-04 | Kyocera Corporation | High-frequency oscillator, high-frequency transmission-reception apparatus using the same, radar apparatus, and radar-apparatus-equipped vehicle and small boat equipped with the same |
| JP2010266274A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Alps Electric Co Ltd | Sensor device |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP05052642A patent/JP3086884B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034574A (en) * | 1997-03-21 | 2000-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Modulation apparatus |
| US7265711B2 (en) | 2004-06-29 | 2007-09-04 | Kyocera Corporation | High-frequency oscillator, high-frequency transmission-reception apparatus using the same, radar apparatus, and radar-apparatus-equipped vehicle and small boat equipped with the same |
| JP2010266274A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Alps Electric Co Ltd | Sensor device |
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|---|---|
| JP3086884B2 (en) | 2000-09-11 |
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