JPH06267916A - Bonding device for semiconductor wafer - Google Patents

Bonding device for semiconductor wafer

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JPH06267916A
JPH06267916A JP4915593A JP4915593A JPH06267916A JP H06267916 A JPH06267916 A JP H06267916A JP 4915593 A JP4915593 A JP 4915593A JP 4915593 A JP4915593 A JP 4915593A JP H06267916 A JPH06267916 A JP H06267916A
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semiconductor wafer
wafer
adhesive
semiconductor
pad
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Kazunori Saeki
和憲 佐伯
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Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

PURPOSE:To inhibit the generation of dimples in semiconductor wafers subsequent to polishing by a method wherein when a plurality of the semiconductor wafers are bonded on the surface of a carrier plate, a wax is applied on the surfaces of the wafers evenly and thin and at the same time, dusts and bubbles are prevented from being mixed in the wax. CONSTITUTION:A wafer transfer device H, which transfers wafers in bloc to various devices constituting a bonding device, is provided with a beam 116, which is coupled with a plurality of wafer hands 114 and is arranged over a base 115, and driving parts 120 to 124, which are arranged under the lower part of the base 115 and move the beam in the transfer direction of the semiconductor wafers and in the vertical directions. Each wafer hand 114 consists of one pair of placement members for placing each semiconductor wafer and a bar member 118, which is coupled with these placement members and is fixed on the lower surface of the beam.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの研磨
を行うにあたり、研磨装置のキャリアプレートに半導体
ウェーハを接着するための半導体ウェーハの接着装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer bonding apparatus for bonding a semiconductor wafer to a carrier plate of a polishing apparatus when polishing the semiconductor wafer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】シリコン単結晶などの半導体ウェーハ
（以下、単にウェーハとも言う）においては、キャリア
プレートにウェーハを接着固定し、このキャリアプレー
トをポリッシングなどの研磨装置に投入することにより
ウェーハの研磨を行っている。2. Description of the Related Art In the case of a semiconductor wafer such as a silicon single crystal (hereinafter, simply referred to as a wafer), the wafer is bonded and fixed to a carrier plate, and the carrier plate is put into a polishing device such as polishing to polish the wafer. Is going.

【０００３】従来、キャリアプレートにウェーハを接着
固定する場合は、ウェーハの裏面（鏡面研磨する面に対
する裏面）に予めワックスなどの接着剤を塗布してお
き、キャリアプレートの上面に複数のウェーハを配列し
て一次接着を行ったのち、加圧接着装置を用いて二次接
着を施していた。Conventionally, when a wafer is adhered and fixed to a carrier plate, an adhesive such as wax is previously applied to the back surface of the wafer (the back surface with respect to the mirror-polished surface), and a plurality of wafers are arranged on the top surface of the carrier plate. Then, the primary adhesion was performed, and then the secondary adhesion was performed using a pressure adhesion device.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェーハに
要求される平坦度は益々厳しくなっており、研磨方法の
改善やキャリアプレートの平坦度管理の強化が行われて
いるが、高平坦度のウェーハを得るためには、上述した
ワックスの厚さおよび厚さ分布もきわめて重要な管理項
目である。By the way, the flatness required for the wafer is becoming more and more severe, and the polishing method is improved and the flatness control of the carrier plate is strengthened. In order to obtain the above, the above-mentioned wax thickness and thickness distribution are also extremely important control items.

【０００５】そのため、ウェーハの裏面に塗布されるワ
ックスの厚さは１μｍ以下に管理され、しかも、この極
薄ワックス層に起因してウェーハとキャリアプレートと
の間に微少な塵埃や気泡が浸入しただけで、研磨後のウ
ェーハにディンプルと呼ばれる欠陥が発生し、ウェーハ
の平坦度を著しく低下させるという問題があった。Therefore, the thickness of the wax applied to the back surface of the wafer is controlled to 1 μm or less, and in addition, minute dust and air bubbles intrude between the wafer and the carrier plate due to the extremely thin wax layer. As a result, defects such as dimples are generated in the wafer after polishing, and there is a problem that the flatness of the wafer is significantly reduced.

【０００６】このような問題は、集積度が高まったり、
半導体ウェーハの口径が大きくなればなる程、均一な加
圧が困難となり、しかも塵埃や気泡の浸入確率が増加す
ることから、ウェーハの製造工程にとってきわめて深刻
な問題となっていた。Such a problem is caused by an increase in the degree of integration,
As the diameter of the semiconductor wafer becomes larger, it becomes more difficult to apply uniform pressure, and the probability of dust and air bubbles intruding increases, which has been a serious problem for the wafer manufacturing process.

【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、複数の半導体ウェーハをキ
ャリアプレートの表面に接着する際に、ワックスを均一
に薄く塗布するとともに塵埃や気泡の混入を防止するこ
とにより、研磨後のディンプルの発生を抑止することを
目的とする。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and when a plurality of semiconductor wafers are adhered to the surface of a carrier plate, wax is uniformly applied thinly and dust and air bubbles are applied. The purpose of this is to prevent the generation of dimples after polishing by preventing the mixture of the above.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェーハの接着装置は、順次送り込
まれた半導体ウェーハを研磨装置のキャリアプレートの
表面に接着剤を介在させて圧着させる半導体ウェーハの
接着装置において、（Ａ）前記送り込まれた半導体ウェ
ーハのウェーハ搬送手段に対する相対位置を定位置に修
正する位置決め手段と、（Ｂ）前記半導体ウェーハの裏
面を吸着して回転させながら前記半導体ウェーハの表面
に洗浄液を噴射するとともに、当該洗浄液の噴射後に前
記半導体ウェーハを高速で回転させて水切りを行う前洗
浄手段と、（Ｃ）前記前洗浄手段により水切りされた半
導体ウェーハを加熱板により加熱して、当該半導体ウェ
ーハの表面に残留した水膜を蒸発除去する乾燥手段と、
（Ｄ）前記半導体ウェーハの裏面を吸着して把持し、当
該半導体ウェーハの表面に接着剤を滴下したのち高速回
転させることにより半導体ウェーハの表面に接着剤を拡
散させる接着剤塗布手段と、（Ｅ）前記接着剤塗布手段
により接着剤が塗布された半導体ウェーハを加熱板によ
り加熱して、前記接着剤に含まれた溶剤を蒸発させる溶
剤除去手段と、（Ｆ）前記半導体ウェーハに形成された
オリエンテーションフラット面を検出して、当該オリエ
ンテーションフラット面を決められた方向に位置決めす
るオリフラ合わせ手段と、（Ｇ）前記半導体ウェーハを
ウェーハパッドにより吸着し、前記半導体ウェーハを張
り付けるべきキャリアプレートを順次回転させながら前
記ウェーハパッドを反転させることにより前記キャリア
プレートに所定間隔で前記半導体ウェーハを張り付ける
張り付け手段と、（Ｈ）前記位置決め手段、前洗浄手
段、乾燥手段、接着剤塗布手段、溶剤除去手段、オリフ
ラ合わせ手段の各位置に対応して設けられたウェーハハ
ンドをビームで連結し、当該ビームを搬送方向および上
下方向に移動自在に設けることにより、前記各手段に投
入された半導体ウェーハを一括して次の手段に搬送する
ウェーハ搬送手段と、を備えたことを特徴としている。In order to achieve the above-mentioned object, the semiconductor wafer bonding apparatus of the present invention is such that the sequentially fed semiconductor wafers are pressure-bonded to the surface of a carrier plate of a polishing apparatus with an adhesive interposed. In a semiconductor wafer bonding apparatus, (A) positioning means for correcting the relative position of the fed semiconductor wafer with respect to the wafer carrying means to a fixed position, and (B) sucking and rotating the back surface of the semiconductor wafer to rotate the semiconductor. Pre-cleaning means for spraying a cleaning liquid onto the surface of the wafer and for draining the semiconductor wafer by rotating the semiconductor wafer at a high speed after spraying the cleaning liquid; and (C) heating the semiconductor wafer drained by the pre-cleaning means with a heating plate. Then, a drying means for removing the water film remaining on the surface of the semiconductor wafer by evaporation,
(D) Adhesive coating means for adsorbing and holding the back surface of the semiconductor wafer, dropping the adhesive on the front surface of the semiconductor wafer, and then rotating at high speed to spread the adhesive on the front surface of the semiconductor wafer. ) A solvent removing means for heating the semiconductor wafer coated with the adhesive by the adhesive coating means with a heating plate to evaporate the solvent contained in the adhesive, and (F) an orientation formed on the semiconductor wafer. Orientation flat aligning means for detecting a flat surface and positioning the orientation flat surface in a predetermined direction, and (G) adsorbing the semiconductor wafer by a wafer pad, and sequentially rotating a carrier plate to which the semiconductor wafer is attached. While reversing the wafer pad, And (H) a wafer hand provided corresponding to each of the positioning means, the pre-cleaning means, the drying means, the adhesive applying means, the solvent removing means, and the orientation flat aligning means. Wafer transfer means for connecting the semiconductor wafers thrown into the respective means to the next means all at once by connecting with the beam and movably providing the beams in the transfer direction and the vertical direction. It has a feature.

【０００９】前記位置決め手段（Ａ）は、位置決めプレ
ートに対して昇降可能に設けられ前記半導体ウェーハを
載置するリフタと、前記半導体ウェーハの口径に応じて
前記位置決めプレートに固定され、前記リフタにより下
降してきた前記半導体ウェーハの端縁に接触する呼び込
み面が形成された位置決めピンとを備えることが好まし
い。The positioning means (A) is provided so as to be able to move up and down with respect to a positioning plate, and a lifter for mounting the semiconductor wafer, and is fixed to the positioning plate according to the diameter of the semiconductor wafer, and is lowered by the lifter. It is preferable to provide a positioning pin formed with an attracting surface that contacts the edge of the semiconductor wafer.

【００１０】前記前洗浄手段（Ｂ）は、ベースに対して
回転自在に設けられ、前記半導体の裏面を吸着する真空
引き用孔が形成されたウェーハパッドと、前記半導体ウ
ェーハの表面に洗浄液を噴射するノズルを有し、前記ウ
ェーハパッドに吸着把持された半導体ウェーハに対して
揺動可能に設けられた洗浄液噴射部と、前記ウェーハパ
ッドの回転により前記半導体ウェーハの表面から放射状
に飛散する洗浄液を受け止めドレンに導く飛散防止プレ
ートと、前記半導体ウェーハの受渡しを行うために前記
ベースに対して昇降可能に設けられたリフタと、を備え
ることが好ましい。The pre-cleaning means (B) is rotatably provided with respect to a base, and sprays a cleaning liquid on a wafer pad having a vacuum suction hole for adsorbing the back surface of the semiconductor and a front surface of the semiconductor wafer. A cleaning liquid jetting unit having a nozzle that is capable of swinging with respect to the semiconductor wafer sucked and held by the wafer pad, and receives a cleaning liquid that is radially scattered from the surface of the semiconductor wafer by the rotation of the wafer pad. It is preferable to provide a scattering prevention plate that leads to a drain, and a lifter that can be moved up and down with respect to the base to transfer the semiconductor wafer.

【００１１】前記接着剤塗布手段（Ｄ）は、ベースに対
して回転自在に設けられ、前記半導体の裏面を吸着する
真空引き用孔が形成されたウェーハパッドと、前記半導
体ウェーハを表面に接着剤を滴下するノズルを有する接
着剤滴下部と、前記ウェーハパッドの回転により前記半
導体ウェーハの表面から放射状に飛散する接着剤を受け
止めワックスドレンに導く飛散防止プレートと、前記ワ
ックスドレンに集約された接着剤を加熱するヒータと、
前記ウェーハパッドの裏面中心から前記半導体ウェーハ
の裏面に沿って放射状に気体を噴射するガス噴射部と、
前記半導体ウェーハの受渡しを行うために前記ベースに
対して昇降可能に設けられたリフタとを備え、前記ウェ
ーハパッドを低速で回転させながら前記ノズルから前記
半導体ウェーハの表面に接着剤を滴下したのち、前記ウ
ェーハパッドを高速で回転させて前記接着剤を拡散させ
ることが好ましい。The adhesive applying means (D) is rotatably provided with respect to a base and has a wafer pad having a vacuum suction hole for adsorbing the back surface of the semiconductor, and the semiconductor wafer having an adhesive on the front surface. An adhesive dropping portion having a nozzle for dropping, an anti-scattering plate that receives an adhesive that is radially scattered from the surface of the semiconductor wafer by the rotation of the wafer pad and guides it to a wax drain, and an adhesive collected in the wax drain A heater to heat the
A gas ejecting unit that ejects gas radially from the center of the back surface of the wafer pad along the back surface of the semiconductor wafer,
A lifter provided so as to be able to move up and down with respect to the base in order to transfer the semiconductor wafer, and after dropping an adhesive from the nozzle onto the surface of the semiconductor wafer while rotating the wafer pad at a low speed, It is preferable to rotate the wafer pad at a high speed to diffuse the adhesive.

【００１２】前記溶剤除去手段（Ｅ）は、ベースに固定
された加熱板と、前記半導体ウェーハの受渡しを行うた
めに前記加熱板に対して昇降可能に設けられたリフタと
を備え、前記加熱板の表面と半導体ウェーハとの間に僅
かな隙間を有する位置で前記半導体ウェーハを加熱する
ことが好ましい。The solvent removing means (E) includes a heating plate fixed to a base, and a lifter that can be moved up and down with respect to the heating plate to transfer the semiconductor wafer. It is preferable to heat the semiconductor wafer at a position having a slight gap between the surface of the semiconductor wafer and the semiconductor wafer.

【００１３】前記オリフラ合わせ手段（Ｆ）は、前記半
導体ウェーハを吸着しながら回転する回転軸と、前記回
転軸を回転させる駆動部と、前記回転軸の回転角度を検
出するエンコーダと、前記回転軸に吸着された半導体ウ
ェーハのオリエンテーションフラット面の有無を検出す
るセンサとを備え、前記回転軸を１回転させたときに前
記センサにより検出されるオリエンテーションフラット
面の通過時間や回転角などの特性を演算し、この演算結
果に基づいて回転軸を所定位置に停止させることが好ま
しい。The orientation flat aligning means (F) includes a rotating shaft that rotates while adsorbing the semiconductor wafer, a drive unit that rotates the rotating shaft, an encoder that detects a rotation angle of the rotating shaft, and the rotating shaft. And a sensor for detecting the presence or absence of an orientation flat surface of the semiconductor wafer adsorbed on the substrate, and calculating characteristics such as a passage time and a rotation angle of the orientation flat surface detected by the sensor when the rotating shaft is rotated once. However, it is preferable to stop the rotary shaft at a predetermined position based on the calculation result.

【００１４】前記張り付け手段（Ｇ）は、前記半導体ウ
ェーハの口径に応じて位置決めプレートに固定され前記
半導体ウェーハの端縁に接触する呼び込み面が形成され
た位置決めピンと、先端にウェーハパッドが揺動自在に
設けられ前記位置決めピンにより定位置に修正された半
導体ウェーハの裏面を吸着してキャリアプレート上に反
転させる反転機構とを備えることが好ましい。The attaching means (G) is fixed to a positioning plate according to the diameter of the semiconductor wafer and has a positioning pin formed with an attracting surface for contacting an edge of the semiconductor wafer, and a wafer pad is swingable at the tip. And a reversing mechanism for adsorbing the back surface of the semiconductor wafer corrected to a fixed position by the positioning pin and reversing it on the carrier plate.

【００１５】前記ウェーハ搬送手段（Ｈ）は、複数のウ
ェーハハンドを連結しベースの上方に配備されたビーム
と、前記ベースの下方に配備され前記ビームを半導体ウ
ェーハの搬送方向および上下方向に移動させる駆動部と
を備え、前記ウェーハハンドは前記半導体ウェーハを載
置する一対の載置部材と、これら載置部材を連結して前
記ビームに固定する棒部材からなることが好ましい。The wafer transfer means (H) connects a plurality of wafer hands and is arranged above the base, and is arranged below the base to move the beam in the semiconductor wafer transfer direction and the vertical direction. It is preferable that the wafer hand includes a pair of mounting members on which the semiconductor wafer is mounted, and a rod member that connects the mounting members and fixes the mounting member to the beam.

【００１６】[0016]

【作用】ポリッシングなどの研磨時に生じるディンプル
を抑止するためには、複数の半導体ウェーハをキャリア
プレートの表面に接着する際に、ワックスを均一に薄く
塗布し、かつ塵埃や気泡の混入を防止する必要がある。In order to prevent dimples that occur during polishing such as polishing, it is necessary to apply a thin wax evenly and prevent dust and air bubbles from entering when bonding a plurality of semiconductor wafers to the surface of a carrier plate. There is.

【００１７】そのため、本発明に係る半導体ウェーハの
接着装置では、順次送り込まれた半導体ウェーハを研磨
装置のキャリアプレートの表面に接着剤を介在させて圧
着させるにあたり、まず位置決め手段により、送り込ま
れた半導体ウェーハのウェーハ搬送手段に対する相対位
置を定位置に修正する。これにより、後述する各手段へ
の受渡し位置を一定位置に定めることができ、ウェーハ
の把持ミスや載置ミスを防止することができる。Therefore, in the semiconductor wafer bonding apparatus according to the present invention, when the semiconductor wafers sequentially fed are pressure-bonded to the surface of the carrier plate of the polishing apparatus with the adhesive interposed, first, the semiconductors fed by the positioning means are fed. The relative position of the wafer with respect to the wafer transfer means is corrected to a fixed position. This makes it possible to set the delivery position to each means to be described later at a fixed position, and prevent wafer mistaking and placement errors.

【００１８】位置決め手段により定位置に修正された半
導体ウェーハは、ウェーハ搬送手段によって前洗浄手段
に移送される。この前洗浄手段では、半導体ウェーハの
裏面を吸着して回転させながら、半導体ウェーハの表面
に洗浄液を噴射し、ウェーハ表面（研磨面）に付着した
塵埃などを洗い流す。The semiconductor wafer corrected to the fixed position by the positioning means is transferred to the pre-cleaning means by the wafer transfer means. In this pre-cleaning means, the back surface of the semiconductor wafer is sucked and rotated, and a cleaning liquid is sprayed onto the front surface of the semiconductor wafer to wash away dust and the like adhering to the front surface (polishing surface) of the wafer.

【００１９】そして、この洗浄後に半導体ウェーハをさ
らに高速で回転させることにより水切りを行うが、半導
体ウェーハの表面には薄い水膜が残留しているため、前
洗浄手段により水切りされた半導体ウェーハをウェーハ
搬送手段によって乾燥手段に移送し、この乾燥手段の加
熱板でウェーハを加熱して、ウェーハ表面に残留した水
膜を蒸発させる。After the cleaning, the semiconductor wafer is drained by rotating the semiconductor wafer at a higher speed. However, since a thin water film remains on the surface of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer drained by the pre-cleaning means is removed from the wafer. The transfer means transfers the wafer to the drying means, the heating plate of the drying means heats the wafer, and the water film remaining on the wafer surface is evaporated.

【００２０】ついで、前洗浄手段および乾燥手段で塵埃
等が除去され清浄になったウェーハをウェーハ搬送手段
を用いて接着剤塗布手段に移送する。この接着剤塗布手
段では、半導体ウェーハの裏面を吸着して把持し、最初
は低速で回転させながら半導体ウェーハの表面に接着剤
を滴下する。これによりウェーハ表面にある程度均一に
接着剤がゆきわたるが、未だ薄膜状の接着剤層とはなら
ないため、つぎにウェーハを高速回転させることによ
り、半導体ウェーハの表面に薄膜状に接着剤を拡散させ
る。Then, the wafer cleaned by removing dust and the like by the pre-cleaning means and the drying means is transferred to the adhesive applying means by using the wafer transfer means. With this adhesive application means, the back surface of the semiconductor wafer is adsorbed and gripped, and the adhesive is dropped onto the front surface of the semiconductor wafer while initially rotating at low speed. As a result, the adhesive spreads to the surface of the wafer to some extent uniformly, but it does not yet form a thin film adhesive layer. Therefore, the wafer is rotated at a high speed next to diffuse the adhesive in a thin film form on the surface of the semiconductor wafer.

【００２１】この薄膜で形成された接着剤層には、接着
剤の流動性を付与するための溶剤（揮発成分）が含まれ
ており、この溶剤は、ウェーハをキャリアプレートへ張
り付ける際に加熱されることにより接着剤層から蒸発
し、その部分に気泡が発生することになる。The adhesive layer formed of this thin film contains a solvent (volatile component) for imparting fluidity to the adhesive, and this solvent is heated when the wafer is attached to the carrier plate. By doing so, the adhesive layer evaporates, and bubbles are generated in that portion.

【００２２】このように、予め接着剤層から不要な溶剤
を除去するために、接着剤塗布手段により接着剤が塗布
された半導体ウェーハをウェーハ搬送手段によって溶剤
除去手段に移送し、この溶剤除去手段の加熱板で半導体
ウェーハを加熱する。このとき、加熱板とウェーハとの
間に隙間を形成しておくことにより、ウェーハの裏面に
まで回り込んだ接着剤の炭化を防止することができる。Thus, in order to remove the unnecessary solvent from the adhesive layer in advance, the semiconductor wafer coated with the adhesive by the adhesive applying means is transferred to the solvent removing means by the wafer carrying means, and the solvent removing means is used. The semiconductor wafer is heated by the heating plate. At this time, by forming a gap between the heating plate and the wafer, it is possible to prevent carbonization of the adhesive that has reached the back surface of the wafer.

【００２３】溶剤が除去された接着剤層を有する半導体
ウェーハをウェーハ搬送手段によってオリフラ合わせ手
段に移送する。そして、半導体ウェーハに形成されたオ
リエンテーションフラット面をセンサで検出して、当該
オリエンテーションフラット面を決められた方向に位置
決めする。The semiconductor wafer having the adhesive layer from which the solvent has been removed is transferred to the orientation flat aligning means by the wafer carrying means. Then, the sensor detects the orientation flat surface formed on the semiconductor wafer, and positions the orientation flat surface in a predetermined direction.

【００２４】最後に、半導体ウェーハをウェーハパッド
で吸着し、半導体ウェーハを張り付けるべきキャリアプ
レートを順次回転させながらウェーハパッドを反転させ
る。これにより、ウェーハ搬送手段によって順次移送さ
れる半導体ウェーハをキャリアプレートに所定間隔で張
り付けることができる。Finally, the semiconductor wafer is sucked by the wafer pad, and the wafer pad is inverted while sequentially rotating the carrier plate to which the semiconductor wafer is attached. As a result, the semiconductor wafers sequentially transferred by the wafer transfer means can be attached to the carrier plate at predetermined intervals.

【００２５】[0025]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。半導体ウェーハの接着装置の全体構成 図１は本発明の半導体ウェーハの接着装置全体を示す平
面図であり、例えば、厚さ分類装置などによって厚さ別
にバッチ構成された半導体ウェーハにワックスを塗布し
て研磨装置のキャリアプレートに張り付ける装置であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Overall Configuration of Bonding Device for Semiconductor Wafers FIG. 1 is a plan view showing the entire bonding device for semiconductor wafers according to the present invention. For example, wax is applied to semiconductor wafers which are batch-configured by thickness by a thickness classification device or the like. It is a device that is attached to a carrier plate of a polishing device.

【００２６】「Ｒ1 」はウェーハ移載用ロボットであ
り、厚さ分類装置から順次搬送されてきた半導体ウェー
ハＷを把持し、本実施例の接着装置に案内する。ロボッ
トＲ1の下流側には、２つの並列した搬送路１ａ，１ｂ
が形成されており、これらそれぞれの搬送路１ａ，１ｂ
に沿って、位置決め装置Ａ、前洗浄装置Ｂ、乾燥装置
Ｃ、接着剤塗布装置Ｄ、溶剤除去装置Ｅ、オリフラ合わ
せ装置Ｆの各装置が設けられている。“R 1 ” is a wafer transfer robot, which grips the semiconductor wafers W sequentially conveyed from the thickness sorting apparatus and guides them to the bonding apparatus of this embodiment. Two parallel transport paths 1a and 1b are provided on the downstream side of the robot R 1.
Are formed, and the respective transport paths 1a and 1b are formed.
Along with, a positioning device A, a pre-cleaning device B, a drying device C, an adhesive application device D, a solvent removing device E, and an orientation flat aligning device F are provided.

【００２７】オリフラ合わせ装置Ｆの下流側には別のロ
ボットＲ2 が設けられており、上述した２つの搬送路１
ａ，１ｂから送られてきた半導体ウェーハＷを交互に張
り付け装置Ｇに移載する。また、２つの搬送路１ａ，１
ｂのそれぞれに沿ってウェーハ搬送装置Ｈ，Ｈが設けら
れており、各装置に位置する半導体ウェーハを一括して
１ステージづつ移送する。なお、半導体ウェーハＷが張
り付けられたキャリアプレート２は図示しない研磨装置
に送られ、そこで半導体ウェーハの研磨が行われる。Another robot R 2 is provided on the downstream side of the orientation flat aligning device F, and the two transport paths 1 described above are provided.
The semiconductor wafers W sent from a and 1b are transferred to the bonding apparatus G alternately. In addition, the two transport paths 1a, 1
Wafer transfer devices H and H are provided along each of b, and the semiconductor wafers located in the respective devices are collectively transferred one stage at a time. The carrier plate 2 to which the semiconductor wafer W is attached is sent to a polishing device (not shown), where the semiconductor wafer is polished.

【００２８】次に、搬送路に設けられた各装置の構成に
ついて説明する。位置決め装置Ａ 図２（ａ）は本発明に係る位置決め装置（位置決め手
段）を示す平面図、図２（ｂ）は同じく縦断面図であ
る。同図に示すように、本実施例に係る位置決め装置Ａ
は、ベース３に脚部４を介して取り付けられた位置決め
プレート５と、ベース３に固定されたエアーシリンダ６
などの駆動部によって昇降するリフタ７とを有してお
り、さらに、位置決めプレート５の上面には、半導体ウ
ェーハＷの口径に応じて取り付けられた位置決めピン８
ａ，８ｂを有している。Next, the configuration of each device provided on the transport path will be described. Positioning Device A FIG. 2 (a) is a plan view showing a positioning device (positioning means) according to the present invention, and FIG. 2 (b) is a longitudinal sectional view of the same. As shown in the figure, the positioning device A according to the present embodiment
Is a positioning plate 5 attached to the base 3 via the legs 4, and an air cylinder 6 fixed to the base 3.
And a lifter 7 which is moved up and down by a driving unit such as the above. Further, a positioning pin 8 attached to the upper surface of the positioning plate 5 according to the diameter of the semiconductor wafer W.
a and 8b.

【００２９】位置決めプレート５の中心には、リフタ７
が昇降する際に通過し得る開口９が開設されており、リ
フタ７はエアーシリンダ６によって上昇してロボットＲ
1 から半導体ウェーハＷを受け取る位置（図２（ｂ）に
二点鎖線で示す）と、下降しながら半導体ウェーハＷを
位置決めプレート５上に載置する位置（図２（ｂ）に実
線で示す）との間を上下移動する。At the center of the positioning plate 5, a lifter 7 is provided.
Has an opening 9 through which the robot R can move up and down, and the lifter 7 is lifted by the air cylinder 6 to move the robot R.
A position for receiving the semiconductor wafer W from 1 (shown by a chain double-dashed line in FIG. 2B) and a position for placing the semiconductor wafer W on the positioning plate 5 while descending (shown by a solid line in FIG. 2B). Move up and down between and.

【００３０】このリフタ７の下降時において、当該リフ
タ７に載置された半導体ウェーハＷは位置決めプレート
５に取り付けられた位置決めピン８ａまたは８ｂに接触
するが、位置決めピン８ａ，８ｂの先端にはテーパ状の
呼び込み面１０が形成されており、この呼び込み面１０
によってリフタ７に載置されたウェーハＷの位置が多少
ずれていたとしても位置決めピン８ａ，８ｂが取り付け
られた定位置に修正することができる。When the lifter 7 descends, the semiconductor wafer W placed on the lifter 7 comes into contact with the positioning pins 8a or 8b attached to the positioning plate 5, but the tip ends of the positioning pins 8a and 8b are tapered. The call-in surface 10 is formed, and the call-in surface 10 is formed.
Thus, even if the position of the wafer W placed on the lifter 7 is slightly deviated, it can be corrected to the fixed position where the positioning pins 8a and 8b are attached.

【００３１】なお、本実施例では半導体ウェーハＷを例
えば６インチと８インチの２種類としているため、それ
ぞれの口径に応じた位置決めピン８ａ，８ｂを取り付け
ている。すなわち、「８ａ」が６インチ用の位置決めピ
ンであり、「８ｂ」が８インチ用の位置決めピンであ
る。In this embodiment, since the semiconductor wafer W is of two kinds, for example, 6 inches and 8 inches, the positioning pins 8a and 8b corresponding to the respective diameters are attached. That is, "8a" is a positioning pin for 6 inches, and "8b" is a positioning pin for 8 inches.

【００３２】ただし、本発明においては適用される半導
体ウェーハの具体的口径については何ら限定されること
はない。したがって、搬送路に投入される半導体ウェー
ハの口径に応じて位置決めピンの取付位置を変更するこ
とができる。However, the specific diameter of the semiconductor wafer applied in the present invention is not limited at all. Therefore, the mounting position of the positioning pin can be changed according to the diameter of the semiconductor wafer loaded into the transfer path.

【００３３】なお、図２（ｂ）に示す符号「１１」はベ
ース３に取り付けられた光電管であり、リフタ７上のウ
ェーハＷの有無を検出することにより、エアーシリンダ
６とのインターロックを行っている。Reference numeral "11" shown in FIG. 2 (b) is a photoelectric tube attached to the base 3 and interlocks with the air cylinder 6 by detecting the presence or absence of the wafer W on the lifter 7. ing.

【００３４】前洗浄装置Ｂ 図３は本発明に係る前洗浄装置（前洗浄手段）を示す縦
断面図、図４は同じく平面図である。同図に示すよう
に、本実施例の前洗浄装置Ｂは、上ベース１２と下ベー
ス１３とに固定されたスリーブ１４を有しており、この
スリーブ１４内に軸受を介して回転軸１５が回転自在に
支持されている。この回転軸１５は、タイミングプーリ
１６およびタイミングベルト１７を介して下ベース１３
に固定されたＡＣサーボモータ１８により所望の回転速
度で回転する。回転軸１５の先端には、半導体ウェーハ
Ｗを吸着保持するためのウェーハパッド１９が取り付け
られており、ウェーハパッド１９および回転軸１５に穿
設された真空引き用孔２０を利用して真空引きを行うこ
とにより半導体ウェーハＷはウェーハパッド１９に吸着
されることになる。 Pre-cleaning device B FIG. 3 is a vertical sectional view showing a pre-cleaning device (pre-cleaning means) according to the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the same. As shown in the figure, the pre-cleaning device B of this embodiment has a sleeve 14 fixed to an upper base 12 and a lower base 13, and a rotary shaft 15 is provided in the sleeve 14 via a bearing. It is rotatably supported. The rotary shaft 15 is connected to the lower base 13 via a timing pulley 16 and a timing belt 17.
It is rotated at a desired rotation speed by the AC servo motor 18 fixed to. A wafer pad 19 for sucking and holding the semiconductor wafer W is attached to the tip of the rotary shaft 15, and the wafer pad 19 and the vacuuming hole 20 formed in the rotary shaft 15 are used to perform vacuuming. By doing so, the semiconductor wafer W is attracted to the wafer pad 19.

【００３５】また、半導体ウェーハＷの受渡しを行うた
めに、下ベース１３に固定されたエアーシリンダ２１な
どの駆動部により昇降するリフタ２２が設けられてお
り、リフタ２２の先端は上ベース１２を貫通して半導体
ウェーハＷを受け取る位置（図３に二点鎖線で示す）
と、この位置から下降して半導体ウェーハＷをウェーハ
パッド１９に載置する位置（図３に実線で示す）との間
を上下移動するようになっている。本実施例の前洗浄装
置Ｂでは、かかるリフタ２２を３本設ける（図４参照）
ことにより半導体ウェーハＷを保持する。Further, in order to transfer the semiconductor wafer W, a lifter 22 which is moved up and down by a driving unit such as an air cylinder 21 fixed to the lower base 13 is provided, and the tip of the lifter 22 penetrates the upper base 12. And a position for receiving the semiconductor wafer W (shown by a chain double-dashed line in FIG. 3)
And the position where the semiconductor wafer W is placed on the wafer pad 19 by descending from this position (shown by the solid line in FIG. 3) is moved up and down. In the pre-cleaning device B of this embodiment, three such lifters 22 are provided (see FIG. 4).
As a result, the semiconductor wafer W is held.

【００３６】上ベース１２の上面には、半導体ウェーハ
Ｗの洗浄処理を行うためのチャンバ２３が形成されてお
り、このチャンバ２３には、中央にウェーハＷが挿通し
得る開口２４を有する飛散防止プレート２５が取り付け
られている。A chamber 23 for cleaning the semiconductor wafer W is formed on the upper surface of the upper base 12, and the chamber 23 has a shatterproof plate having an opening 24 at the center through which the wafer W can be inserted. 25 is attached.

【００３７】この飛散防止プレート２５は、チャンバ２
３の側縁に沿って設けられた環状プレートであって、ウ
ェーハパッド１９に保持された半導体ウェーハＷの外周
縁から放射位置に取り付けられており、かつ若干傾斜し
て設けられている。これは、ウェーハパッド１９の回転
により半導体ウェーハＷの外周縁から放射状に飛散する
洗浄液を受け止め、チャンバ２３の底部に貯留させる機
能を有している。したがって、飛散防止プレート２５の
傾斜角度は、かかる機能を考慮して形成することが望ま
しい。少なくとも、飛散防止プレート２５に飛び散った
洗浄液が再び半導体ウェーハＷに飛散して付着しないよ
うな傾斜角度を選択する。The shatterproof plate 25 is used in the chamber 2
3 is an annular plate provided along the side edge of the semiconductor wafer W. The annular plate is attached to the radial position from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer W held by the wafer pad 19, and is provided with a slight inclination. This has a function of receiving the cleaning liquid radially scattered from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer W by the rotation of the wafer pad 19 and storing the cleaning liquid in the bottom of the chamber 23. Therefore, the inclination angle of the shatterproof plate 25 is preferably formed in consideration of such a function. At least, an inclination angle is selected so that the cleaning liquid scattered on the scattering prevention plate 25 does not scatter and adhere to the semiconductor wafer W again.

【００３８】この飛散防止プレート２５によって集約さ
れた洗浄液は、チャンバ２３の底部に設けられたドレン
管２６から外部に排出され、一方、チャンバ２３の底部
に貯留しない微細な水粒や粉塵などは、チャンバ２３に
形成された排出口２７から吸引されるようになってい
る。The cleaning liquid collected by the anti-scattering plate 25 is discharged to the outside from the drain pipe 26 provided at the bottom of the chamber 23, while fine water particles and dust not stored at the bottom of the chamber 23 A suction port 27 formed in the chamber 23 is used for suction.

【００３９】洗浄液の噴射は、チャンバ２３の上部に設
けられたノズル２８によって行われる。このノズル２８
は、固定プレート２９に軸受を介して回転自在に取り付
けられたアーム３０の先端に設けられており、例えば超
音波を混入した純水を半導体ウェーハの表面に噴射し、
ウェーハ表面に付着した粉塵などを叩き出す機能を司
る。The injection of the cleaning liquid is performed by the nozzle 28 provided in the upper part of the chamber 23. This nozzle 28
Is provided at the tip of an arm 30 rotatably attached to a fixed plate 29 via a bearing. For example, pure water mixed with ultrasonic waves is jetted onto the surface of a semiconductor wafer,
It controls the function of knocking out dust etc. adhering to the wafer surface.

【００４０】また、本実施例の前洗浄装置Ｂでは、ノズ
ル２８から洗浄液を噴射させるにあたり、半導体ウェー
ハＷの表面全体に洗浄液が噴射されるようにノズル２８
を旋回させるように構成されている。Further, in the pre-cleaning apparatus B of this embodiment, when the cleaning liquid is sprayed from the nozzle 28, the nozzle 28 is sprayed so that the cleaning liquid is sprayed on the entire surface of the semiconductor wafer W.
Is configured to rotate.

【００４１】具体的には、固定プレート２９に取り付け
られたスピードコントロールモータ３１の出力軸の先端
にはカムフォロア３２が取り付けられており、このカム
フォロア３２はアーム３０の基端に固定されたカム３３
のカム溝に係合されている。したがって、スピードコン
トロールモータ３１の出力軸が回転すると、カムフォロ
ア３２も回転し、これによりカム３３はアーム３０の基
端３０ａを中心にして揺動することになり、その結果ア
ーム３０の先端、すなわちノズル２８が揺動することに
なる。このような構成の洗浄液噴射部３４は、図４に示
すように２対設けられており、一方の洗浄液噴射部３４
ａは図４において半導体ウェーハＷの中心から上側に揺
動し、他方の洗浄液噴射部３４ｂは中心から下側に揺動
する。Specifically, a cam follower 32 is attached to the tip of the output shaft of the speed control motor 31 attached to the fixed plate 29, and the cam follower 32 is fixed to the base end of the arm 30 with a cam 33.
Is engaged with the cam groove. Therefore, when the output shaft of the speed control motor 31 rotates, the cam follower 32 also rotates, which causes the cam 33 to swing about the base end 30a of the arm 30. As a result, the tip of the arm 30, that is, the nozzle. 28 will swing. As shown in FIG. 4, two pairs of cleaning liquid ejecting sections 34 having such a configuration are provided, and one cleaning liquid ejecting section 34 is provided.
In FIG. 4, “a” swings upward from the center of the semiconductor wafer W, and the other cleaning liquid ejecting portion 34b swings downward from the center.

【００４２】なお、図３に示す符号「３５」は、ウェー
ハパッド１９に半導体ウェーハＷが吸着されているか否
かを検出するための光電スイッチである。Reference numeral "35" shown in FIG. 3 is a photoelectric switch for detecting whether or not the semiconductor wafer W is attracted to the wafer pad 19.

【００４３】このように構成された前洗浄装置Ｂでは、
まず、２対のノズル２８を搬入されてきた半導体ウェー
ハＷと干渉しない位置（図４に二点鎖線で示す）まで待
避させておき、エアーシリンダ２１を作動させて３本の
リフタ２２を上昇させる。そして、このリフタ２２上に
後述するウェーハ搬送装置Ｈによって処理すべき半導体
ウェーハＷを載置したのち、当該リフタ２２を下降させ
ながらウェーハパッド１９に吸着させる。In the pre-cleaning device B thus constructed,
First, the two pairs of nozzles 28 are retracted to a position where they do not interfere with the loaded semiconductor wafer W (shown by the chain double-dashed line in FIG. 4), and the air cylinder 21 is operated to raise the three lifters 22. . Then, after placing a semiconductor wafer W to be processed by the wafer transfer device H described later on the lifter 22, the lifter 22 is lowered and adsorbed to the wafer pad 19.

【００４４】ついで、ＡＣサーボモータ１８を作動させ
て最初は低速（３０〜１００ｒｐｍ）で回転させ、これ
と同時にスピードコントロールモータ３１を作動させて
ノズル２８を揺動させながら、当該ノズル２８から超音
波を混入した純水を半導体ウェーハＷの表面に噴射す
る。Next, the AC servo motor 18 is operated to rotate at a low speed (30 to 100 rpm) at first, and at the same time, the speed control motor 31 is operated to swing the nozzle 28, and ultrasonic waves are emitted from the nozzle 28. Pure water mixed with is sprayed onto the surface of the semiconductor wafer W.

【００４５】これにより、前工程で付着した粉塵などを
叩き出すことができるが、半導体ウェーハＷの外周縁か
ら放射状に飛び散った洗浄液は、飛散防止プレート２５
に受け止められてチャンバ２３の底部に集約されたの
ち、ドレン管２６から排出される。また、チャンバ２３
内に充満した洗浄液の水粒は排気口２７から外部に排出
される。このように、半導体ウェーハから除去された粉
塵等は再びウェーハに付着することなく適切に除去され
ることになる。As a result, the dust and the like adhering in the previous step can be knocked out, but the cleaning liquid radially scattered from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer W is prevented from scattering.
It is received by and collected at the bottom of the chamber 23, and then discharged from the drain pipe 26. Also, the chamber 23
The water droplets of the cleaning liquid filling the inside are discharged from the exhaust port 27 to the outside. In this way, the dust and the like removed from the semiconductor wafer are properly removed without adhering to the wafer again.

【００４６】ある程度の洗浄液の噴射を行ったらノズル
２８からの噴射を停止する。そして、今度はＡＣサーボ
モータ１８を高速（５００〜１０００ｒｐｍ）で回転さ
せることにより、半導体ウェーハＷの水切りを行う。こ
の水切りを行う場合にも、半導体ウェーハの外周縁から
放射状に飛散した洗浄液は飛散防止プレート２５によっ
てチャンバ２３の底部に集約されドレン管２６から排出
されることになる。When the cleaning liquid has been sprayed to some extent, the spray from the nozzle 28 is stopped. Then, this time, the AC servo motor 18 is rotated at high speed (500 to 1000 rpm) to drain the semiconductor wafer W. Even when this draining is performed, the cleaning liquid radially scattered from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer is collected by the scattering prevention plate 25 at the bottom of the chamber 23 and discharged from the drain pipe 26.

【００４７】高速回転による水切りを終了すると、再び
ノズル２８を待避位置に戻し、ウェーハパッド１９の真
空引きを停止すると同時に、リフタ２２を上昇させて半
導体ウェーハＷをウェーハ搬送装置Ｈの移送位置（図３
に二点鎖線で示す）まで上昇させ、次の乾燥工程に送
る。When the draining by the high speed rotation is completed, the nozzle 28 is returned to the retracted position again, the vacuuming of the wafer pad 19 is stopped, and at the same time, the lifter 22 is raised to move the semiconductor wafer W to the transfer position of the wafer transfer device H (see FIG. Three
(Indicated by the chain double-dashed line) and sent to the next drying step.

【００４８】乾燥装置Ｃ 図５（ａ）は本発明に係る乾燥装置（乾燥手段）を示す
平面図、図５（ｂ）は同じく縦断面図である。上述した
前洗浄装置Ｂにおいて半導体ウェーハを高速回転させる
と、ある程度の水切りは行われる。しかしながら、ウェ
ーハ表面には、遠心力によっては除去され難い水膜が形
成されており、これが残留すると後工程で塗布されるワ
ックスとの相溶性の点から好ましくないので本乾燥装置
Ｃにて蒸発させて除去するようにしている。 Drying Device C FIG. 5 (a) is a plan view showing a drying device (drying means) according to the present invention, and FIG. 5 (b) is a vertical sectional view of the same. When the semiconductor wafer is rotated at a high speed in the above-described pre-cleaning apparatus B, drainage is performed to some extent. However, a water film that is difficult to remove by centrifugal force is formed on the wafer surface, and if this water film remains, it is not preferable from the viewpoint of compatibility with the wax that will be applied in the subsequent process. I try to remove it.

【００４９】本乾燥装置Ｃにおいては、図５に示すよう
に、ベース３６に断熱材３７を介して加熱板３８が固定
されており、この加熱板３８には加熱源となる熱電対３
９が挿入されている。また、ベース３６に対して固定さ
れた下ベース４０にはエアーシリンダ４１などの駆動部
が取り付けられており、このエアーシリンダ４１のロッ
ド先端にプレート４２を介して３本のリフタ４３が設け
られている。このリフタ４３は、上昇して半導体ウェー
ハＷを受け取る位置と下降して加熱板３８上に半導体ウ
ェーハＷを載置する位置との間を上下移動するようにな
っている。In the present drying device C, as shown in FIG. 5, a heating plate 38 is fixed to the base 36 via a heat insulating material 37, and the heating plate 38 has a thermocouple 3 serving as a heating source.
9 has been inserted. Further, a drive unit such as an air cylinder 41 is attached to the lower base 40 fixed to the base 36, and three lifters 43 are provided at the rod tip of the air cylinder 41 via a plate 42. There is. The lifter 43 moves up and down between a position where it is raised to receive the semiconductor wafer W and a position where it is lowered to place the semiconductor wafer W on the heating plate 38.

【００５０】なお、図５（ｂ）において符号「４４」
は、加熱板３８上に半導体ウェーハＷが存在するか否か
を検出するための光電スイッチである。In FIG. 5 (b), reference numeral "44"
Is a photoelectric switch for detecting whether or not the semiconductor wafer W is present on the heating plate 38.

【００５１】このように構成された乾燥装置Ｃでは、ま
ずエアーシリンダ４１を作動させることにより３本のリ
フタ４３を上昇させ、後述するウェーハ搬送装置Ｈにて
搬送されてきた半導体ウェーハＷを受け取る。そして、
当該リフタ４３を下降させることによりリフタ４３に載
置された半導体ウェーハＷを加熱板３８上に移載する。
加熱板３８は熱電対３９によって約４０〜８０℃に加温
されているため、半導体ウェーハＷに残留した水膜は蒸
発することにより払拭される。乾燥を終えた半導体ウェ
ーハＷは、上昇するリフタ４３に保持されて、ウェーハ
搬送装置Ｈによる受渡し位置まで上昇する。In the drying device C thus constructed, first, the air cylinder 41 is operated to raise the three lifters 43, and the semiconductor wafer W transferred by the wafer transfer device H described later is received. And
By lowering the lifter 43, the semiconductor wafer W placed on the lifter 43 is transferred onto the heating plate 38.
Since the heating plate 38 is heated to about 40 to 80 ° C. by the thermocouple 39, the water film remaining on the semiconductor wafer W is evaporated and wiped off. The semiconductor wafer W, which has been dried, is held by the lifting lifter 43 and moves up to the delivery position by the wafer transfer device H.

【００５２】接着剤塗布装置Ｄ 図６は本発明に係る接着剤塗布装置（接着剤塗布手段）
を示す縦断面図、図７は同じく平面図である。前洗浄装
置Ｂおよび乾燥装置Ｃにより粉塵等が除去された半導体
ウェーハＷは、ウェーハ搬送装置Ｈによって接着剤塗布
装置Ｄに搬入される。 Adhesive Coating Device D FIG. 6 shows an adhesive coating device according to the present invention (adhesive coating means).
FIG. 7 is a vertical cross-sectional view, and FIG. 7 is a plan view of the same. The semiconductor wafer W from which dust and the like have been removed by the pre-cleaning device B and the drying device C is carried into the adhesive application device D by the wafer transfer device H.

【００５３】本実施例の接着剤塗布装置Ｄは、上ベース
４５と下ベース４６とに固定されたスリーブ４７を有し
ており、このスリーブ４７内に軸受を介して回転軸４８
が回転自在に支持されている。この回転軸４８は、タイ
ミングプーリ４９およびタイミングベルト５０を介して
下ベース４６に固定されたＡＣサーボモータ５１により
所望の回転速度で回転する。回転軸４８の先端には、半
導体ウェーハＷを吸着保持するためのウェーハパッド５
２が取り付けられており、ウェーハパッド５２および回
転軸４８に穿設された真空引き用孔５３を利用して真空
引きを行うことにより半導体ウェーハＷはウェーハパッ
ド５２に吸着される。The adhesive coating device D of this embodiment has a sleeve 47 fixed to an upper base 45 and a lower base 46, and a rotary shaft 48 is mounted in the sleeve 47 via a bearing.
Is rotatably supported. The rotation shaft 48 is rotated at a desired rotation speed by an AC servomotor 51 fixed to the lower base 46 via a timing pulley 49 and a timing belt 50. At the tip of the rotary shaft 48, a wafer pad 5 for sucking and holding the semiconductor wafer W is attached.
2 is attached, and the semiconductor wafer W is attracted to the wafer pad 52 by performing vacuuming using the wafer pad 52 and the vacuuming hole 53 formed in the rotary shaft 48.

【００５４】また、半導体ウェーハＷの受渡しを行うた
めに、下ベース４６に固定されたエアーシリンダ５４な
どの駆動部により昇降するリフタ５５が設けられてお
り、リフタ５５の先端は上ベース４５を貫通して半導体
ウェーハＷを受け取る位置と、この位置から下降して半
導体ウェーハＷをウェーハパッド５２に載置する位置と
の間を上下移動するようになっている。本実施例の前洗
浄装置では、かかるリフタ５５を３本設けることにより
半導体ウェーハＷを保持する。Further, in order to transfer the semiconductor wafer W, a lifter 55 which is moved up and down by a driving unit such as an air cylinder 54 fixed to a lower base 46 is provided, and a tip of the lifter 55 penetrates the upper base 45. Then, the semiconductor wafer W is vertically moved between a position for receiving the semiconductor wafer W and a position for descending from this position and mounting the semiconductor wafer W on the wafer pad 52. In the pre-cleaning device of this embodiment, the semiconductor wafer W is held by providing three such lifters 55.

【００５５】上ベース４５の上面には、半導体ウェーハ
Ｗへの塗布処理を行うためのチャンバ５６が形成されて
おり、このチャンバ５６には中央にウェーハＷが挿通し
得る開口５７が形成された飛散防止プレート５８が取り
付けられている。この飛散防止プレート５８は、チャン
バ５６の側縁に沿って設けられた環状プレートであっ
て、ウェーハパッド５２に保持された半導体ウェーハＷ
の外周縁から放射位置に取り付けられており、かつ若干
傾斜して設けられている。これは、ウェーハパッド５２
の回転により半導体ウェーハＷの外周縁から放射状に飛
散する接着剤を受け止め、チャンバ５６の底部５６ａに
滴下させる機能を有している。したがって、飛散防止プ
レート５８の傾斜角度は、かかる機能を考慮して形成す
ることが望ましい。少なくとも、飛散防止プレート５８
に飛び散った接着剤が再び半導体ウェーハＷに飛散して
付着しないような傾斜角度を選択する。A chamber 56 for coating the semiconductor wafer W is formed on the upper surface of the upper base 45, and an opening 57 is formed in the center of the chamber 56 to allow the wafer W to pass therethrough. A prevention plate 58 is attached. The scattering prevention plate 58 is an annular plate provided along the side edge of the chamber 56, and is a semiconductor wafer W held by the wafer pad 52.
Is attached to the radial position from the outer peripheral edge of and is provided with a slight inclination. This is the wafer pad 52
Has a function of receiving the adhesive that is radially scattered from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer W and dropping it onto the bottom portion 56a of the chamber 56. Therefore, it is preferable that the inclination angle of the shatterproof plate 58 be formed in consideration of such a function. At least the shatterproof plate 58
The inclination angle is selected so that the adhesive scattered to the semiconductor wafer W does not scatter and adhere to the semiconductor wafer W again.

【００５６】この飛散防止プレート５８によって集約さ
れた接着剤は、チャンバの底部５６ａに設けられたドレ
ン管５９から外部に排出され、また、チャンバの底部５
６ａに貯留しない微細な水粒や粉塵などは、チャンバ５
６に形成された排出口６０から吸引されるようになって
いる。The adhesive collected by the scattering prevention plate 58 is discharged to the outside from the drain pipe 59 provided at the bottom portion 56a of the chamber, and the bottom portion 5 of the chamber is discharged.
Fine water particles and dust that are not stored in 6a are stored in chamber 5
It is adapted to be sucked from a discharge port 60 formed in 6.

【００５７】特に本実施例の接着剤塗布装置Ｄでは、接
着剤をドレン管５９から排出するにあたり、接着剤の粘
度を下げて円滑な排出を実現するために、チャンバの底
部５６ａにはヒータ６１が埋設されている。そして、半
導体ウェーハＷから飛散した接着剤がある程度チャンバ
５６に貯留したら、ヒータ６１を作動させて接着剤の粘
度を低下させることにより流動性を高め、ドレン管５９
に導く。In particular, in the adhesive coating device D of this embodiment, when the adhesive is discharged from the drain pipe 59, the heater 61 is provided at the bottom 56a of the chamber in order to reduce the viscosity of the adhesive and realize smooth discharge. Is buried. When the adhesive scattered from the semiconductor wafer W is stored in the chamber 56 to some extent, the heater 61 is operated to reduce the viscosity of the adhesive to improve the fluidity, and the drain pipe 59 is used.
Lead to.

【００５８】ただし、本実施例では接着剤として常温リ
キッドワックス（常温で液体状の粘性を有するワック
ス）を用いていることに鑑み、常時ヒータ６１を作動さ
せて貯留した接着剤を加温すると、処理中の半導体ウェ
ーハＷに蒸発した溶剤が付着し、これが処理ムラとなる
ため、半導体ウェーハに接着剤を塗布している間はヒー
タ６１を停止しておき、処理すべき半導体ウェーハがチ
ャンバ５６内にないときにヒータ６１を作動させて接着
剤の排出を行う。However, in this embodiment, in consideration of the fact that the room temperature liquid wax (wax having a liquid viscosity at room temperature) is used as the adhesive, when the heater 61 is always operated to heat the stored adhesive, Since the evaporated solvent adheres to the semiconductor wafer W being processed and causes unevenness in processing, the heater 61 is stopped while the adhesive is being applied to the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer to be processed is stored in the chamber 56. If not, the heater 61 is operated to discharge the adhesive.

【００５９】また、半導体ウェーハ表面に滴下された接
着剤がウェーハの裏面に回り込むのを防止するために、
以下の構成を採用している。すなわち、チャンバ５６内
には、ウェーハＷがウェーハパッド５２に載置された状
態で、当該ウェーハの裏面との間に僅かな隙間Ｓが形成
されるように環状の***部６２が形成されており、さら
に、この環状***部６２の内部から外部に向かってガス
が流れるようにガス導入口６３がベース４５に穿設され
ている。そして、ガス導入口６３から例えば窒素ガスな
どを吹き込むことにより、ウェーハパッド５２に載置さ
れた半導体ウェーハＷの裏面に沿って、中心から外周に
向かって窒素ガスが流れるようになっている。このガス
により、半導体ウェーハＷの表面に滴下された接着剤
は、遠心力によって外周縁から放射状に飛散し、ウェー
ハＷの裏面に回り込むことが防止される。In order to prevent the adhesive dropped on the front surface of the semiconductor wafer from flowing around to the back surface of the wafer,
The following configuration is adopted. That is, an annular raised portion 62 is formed in the chamber 56 so that a slight gap S is formed between the wafer W and the back surface of the wafer W placed on the wafer pad 52. Further, a gas inlet 63 is formed in the base 45 so that gas flows from the inside of the annular raised portion 62 to the outside. Then, by blowing, for example, nitrogen gas or the like from the gas introduction port 63, the nitrogen gas flows from the center to the outer periphery along the back surface of the semiconductor wafer W mounted on the wafer pad 52. Due to this gas, the adhesive dropped on the front surface of the semiconductor wafer W is prevented from being radially scattered from the outer peripheral edge by the centrifugal force and flowing around to the back surface of the wafer W.

【００６０】接着剤の噴射は、チャンバ５６の上部に設
けられたワックスディスペンサ６４によって行われる。
固定プレート６５にはロータリアクチュエータ６６が固
定されており、このロータリアクチュエータ６６の出力
軸に取り付けられたアーム６７の先端にワックスディス
ペンサ６４が設けられている。そして、ロータリアクチ
ュエータ６６の作動によって、ワックスディスペンサ６
４は、図７に実線で示す塗布位置と、同図に二点鎖線で
示す待避位置との間を回動し得るようになっており、半
導体ウェーハＷをチャンバ５６内に搬入したり搬出した
りするときには待避位置に回動する。The adhesive is sprayed by the wax dispenser 64 provided on the upper portion of the chamber 56.
A rotary actuator 66 is fixed to the fixed plate 65, and a wax dispenser 64 is provided at the tip of an arm 67 attached to the output shaft of the rotary actuator 66. Then, the wax dispenser 6 is operated by the operation of the rotary actuator 66.
4 can rotate between a coating position shown by a solid line in FIG. 7 and a retracted position shown by a chain double-dashed line in FIG. 7, so that the semiconductor wafer W can be loaded into or unloaded from the chamber 56. When it does, it rotates to the retracted position.

【００６１】また、本実施例の接着剤塗布装置Ｄでは、
アーム６７に２つのワックスディスペンサ６４，６４を
取り付けており、例えば８インチウェーハのように大口
径のウェーハに対しては２つのワックスディスペンサを
使用して接着剤の塗布を行う。これに対して、６インチ
ウェーハなどのように比較的それより小口径のウェーハ
に対しては１つのワックスディスペンサのみを使用して
接着剤の塗布を行う。Further, in the adhesive applying device D of this embodiment,
Two wax dispensers 64, 64 are attached to the arm 67, and for a wafer having a large diameter such as an 8-inch wafer, the adhesive is applied using the two wax dispensers. On the other hand, for a wafer having a relatively smaller diameter such as a 6-inch wafer, the adhesive is applied using only one wax dispenser.

【００６２】なお、図６に示す符号「６８」は、ウェー
ハパッド５２に半導体ウェーハＷが吸着されているか否
かを検出するための光電スイッチである。Reference numeral "68" shown in FIG. 6 is a photoelectric switch for detecting whether or not the semiconductor wafer W is adsorbed on the wafer pad 52.

【００６３】このように構成された接着剤塗布装置Ｄで
は、まず、ワックスディスペンサ６４を待避位置（図７
に二点鎖線で示す）に回動させておき、エアーシリンダ
５４を作動させて３本のリフタ５５を上昇させる。そし
て、このリフタ５５上に後述するウェーハ搬送装置Ｈに
よって処理すべき半導体ウェーハＷを載置したのち、リ
フタ５５を下降させながらウェーハパッド５２に吸着さ
せる。ついで、ロータリアクチュエータ６６によりワッ
クスディスペンサ６４を塗布位置まで回転させ、ＡＣサ
ーボモータ５１を作動させて最初は低速（１０〜６０ｒ
ｐｍ）で回転させながら、ワックスディスペンサ６４か
ら接着剤を滴下する。In the adhesive applicator D having such a configuration, first, the wax dispenser 64 is moved to the retracted position (see FIG. 7).
(Shown by the chain double-dashed line), and the air cylinder 54 is operated to raise the three lifters 55. Then, a semiconductor wafer W to be processed by a wafer transfer device H described later is placed on the lifter 55, and then the lifter 55 is lowered and adsorbed to the wafer pad 52. Next, the wax dispenser 64 is rotated to the coating position by the rotary actuator 66, and the AC servomotor 51 is operated to start at a low speed (10 to 60 r).
While rotating at pm), the adhesive is dropped from the wax dispenser 64.

【００６４】これにより、接着剤が半導体ウェーハ表面
にある程度均等に行きわたることになるが、未だ薄膜状
の接着剤層とはなっていないので、次に、ＡＣサーボモ
ータ５１を操作して高速（２０００〜４５００ｒｐｍ）
で回転させる。半導体ウェーハＷの表面にある程度均等
に引き延ばされた接着剤は、遠心力によってさらに引き
延ばされ、余分な接着剤は、半導体ウェーハの外周縁か
ら放射状に飛び散るが、この飛散した接着剤は、飛散防
止プレート５８に受け止められてチャンバの底部５６ａ
に集約されることになる。As a result, the adhesive is evenly distributed over the surface of the semiconductor wafer to some extent, but since it is not yet a thin film adhesive layer, the AC servomotor 51 is operated next to the high speed ( 2000-4500 rpm)
Rotate with. The adhesive that is evenly spread over the surface of the semiconductor wafer W to some extent is further expanded by the centrifugal force, and the excess adhesive is radially scattered from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer. , The bottom 56a of the chamber received by the shatterproof plate 58
Will be summarized in.

【００６５】高速回転による接着剤の薄膜化を終了する
と、再びワックスディスペンサ６４を待避位置まで戻
し、ウェーハパッド５２の真空引きを停止すると同時
に、リフタ５５を上昇させて半導体ウェーハＷをウェー
ハ搬送装置Ｈの移送位置まで上昇させ、次の溶剤除去工
程に送る。When the thinning of the adhesive by the high-speed rotation is completed, the wax dispenser 64 is returned to the retracted position again, the evacuation of the wafer pad 52 is stopped, and at the same time, the lifter 55 is raised to transfer the semiconductor wafer W to the wafer transfer device H. It is moved up to the transfer position and sent to the next solvent removal step.

【００６６】溶剤除去装置Ｅ 図８（ａ）は本発明に係る溶剤除去装置（溶剤除去手
段）を示す平面図、図８（ｂ）は同じく縦断面図であ
る。上述した接着剤塗布装置Ｄによって半導体ウェーハ
表面には薄膜の接着剤層が形成される。しかしながら、
この薄膜接着剤層には、接着剤の流動性を付与するため
の溶剤（揮発成分）が含まれており、この溶剤は、ウェ
ーハをキャリアプレートへ張り付ける際に、加熱される
ことにより接着剤層から蒸発し、その部分に気泡が発生
するという不具合を引き起こす。したがって、キャリア
プレートに張り付ける前に溶剤を除去しておく必要があ
る。 Solvent Removal Device E FIG. 8 (a) is a plan view showing a solvent removal device (solvent removal means) according to the present invention, and FIG. 8 (b) is a longitudinal sectional view thereof. A thin adhesive layer is formed on the surface of the semiconductor wafer by the adhesive coating device D described above. However,
This thin film adhesive layer contains a solvent (volatile component) for imparting fluidity to the adhesive, and this solvent is heated by the adhesive when the wafer is attached to the carrier plate. Evaporation from the layer causes a problem that bubbles are generated in that portion. Therefore, it is necessary to remove the solvent before sticking to the carrier plate.

【００６７】このように、予め接着剤層から不要な溶剤
を除去するために、半導体ウェーハＷをウェーハ搬送装
置Ｈによって溶剤除去装置Ｅに移送し、この溶剤除去装
置Ｅの加熱板で半導体ウェーハを加熱する。As described above, in order to remove the unnecessary solvent from the adhesive layer in advance, the semiconductor wafer W is transferred to the solvent removing device E by the wafer transfer device H, and the semiconductor wafer is heated by the heating plate of the solvent removing device E. To heat.

【００６８】本溶剤除去装置Ｅは、図８に示すように、
ベース６９に断熱材７０を介して加熱板７１が固定され
ており、この加熱板７１には加熱源となる熱電対７６が
挿入されている。また、ベース６９に対して固定された
下ベース７２にはエアーシリンダ７３などの駆動部が取
り付けられており、このエアーシリンダ７３のロッド先
端にプレート７４を介して３本のリフタ７５が設けられ
ている。As shown in FIG. 8, the solvent removing device E is
A heating plate 71 is fixed to the base 69 via a heat insulating material 70, and a thermocouple 76 serving as a heating source is inserted into the heating plate 71. Further, a drive unit such as an air cylinder 73 is attached to the lower base 72 fixed to the base 69, and three lifters 75 are provided at the rod tip of this air cylinder 73 via a plate 74. There is.

【００６９】このリフタ７５は、上昇して半導体ウェー
ハＷを受け取る位置と、下降して加熱板７１上に半導体
ウェーハＷを載置する位置（ただし、加熱位置では半導
体ウェーハＷと加熱板７１との間に１〜２ｍｍ程度の僅
かな隙間Ｓが設定されている）との間を上下移動するよ
うになっている。The lifter 75 moves up to receive the semiconductor wafer W, and moves down to place the semiconductor wafer W on the heating plate 71 (however, at the heating position, the semiconductor wafer W and the heating plate 71 are separated from each other). (A slight gap S of about 1 to 2 mm is set between them).

【００７０】なお、図８（ｂ）に示す符号「７７」は、
加熱板７１上に半導体ウェーハＷが存在するか否かを検
出するための光電スイッチである。The reference numeral "77" shown in FIG. 8B is
It is a photoelectric switch for detecting whether or not the semiconductor wafer W is present on the heating plate 71.

【００７１】このように構成された溶剤除去装置Ｅで
は、まずエアーシリンダ７３を作動させることにより３
本のリフタ７５を上昇させ、後述するウェーハ搬送装置
Ｈにて搬送されてきた半導体ウェーハＷを受け取る。そ
して、当該リフタ７５を下降させることによりリフタ７
５に載置された半導体ウェーハＷを加熱板７１まで下降
させる。加熱板７１は熱電対７６によって約４０〜８０
℃に加温されているため、半導体ウェーハＷに形成され
た接着剤層に含まれた溶剤は、蒸発することにより除去
される。In the solvent removing device E thus constructed, the air cylinder 73 is first operated to remove the solvent.
The book lifter 75 is raised to receive the semiconductor wafer W transferred by the wafer transfer device H described later. Then, by lowering the lifter 75, the lifter 7
The semiconductor wafer W placed on the substrate 5 is lowered to the heating plate 71. The heating plate 71 is about 40-80 by the thermocouple 76.
Since it has been heated to 0 ° C., the solvent contained in the adhesive layer formed on the semiconductor wafer W is removed by evaporation.

【００７２】このとき、半導体ウェーハＷを加熱板７１
から僅かに持ち上げた状態で加熱処理を行っているた
め、仮に接着剤塗布装置Ｄによって半導体ウェーハＷの
裏面に接着剤が回り込んでいたとしても、その接着剤が
加熱板７１によって過熱されて炭化されることはない。At this time, the semiconductor wafer W is heated to the heating plate 71.
Since the heat treatment is performed in a state of being slightly lifted from above, even if the adhesive spreads on the back surface of the semiconductor wafer W by the adhesive coating device D, the adhesive is overheated by the heating plate 71 and carbonized. It will not be done.

【００７３】溶剤の除去を終えた半導体ウェーハＷは、
上昇するリフタ７５に保持されて、ウェーハ搬送装置Ｈ
による受渡し位置まで上昇する。The semiconductor wafer W from which the solvent has been removed is
The wafer transfer device H is held by the lifting lifter 75.
Ascend to the delivery position.

【００７４】オリフラ合わせ装置Ｆ 図９は本発明に係るオリフラ合わせ装置（オリフラ合わ
せ手段）を示す縦断面図である。ポリッシングなどの研
磨装置においては、キャリアプレートへのウェーハの配
置が原因で「面だれ」なる不具合が生じることが経験的
に知られている。これは例えば研磨装置の特性によって
キャリアプレートの外側が研磨され易いといった不具合
であるが、本発明の接着装置では、キャリアプレートに
おける半導体ウェーハの配置を考慮することにより極力
面だれ現象を抑制しようとしている。Orientation Flat Aligning Device F FIG. 9 is a vertical sectional view showing an orientation flat aligning device (orientation flat alignment means) according to the present invention. It is empirically known that, in a polishing apparatus such as polishing, a "face warping" problem occurs due to the placement of a wafer on a carrier plate. This is a problem that the outside of the carrier plate is easily polished due to the characteristics of the polishing apparatus, for example, but the bonding apparatus of the present invention attempts to suppress the sag phenomenon as much as possible by considering the arrangement of the semiconductor wafer on the carrier plate. .

【００７５】具体的には、図１３（ｂ）（ｃ）に示すよ
うに、半導体ウェーハのオリエンテーションフラット面
ＯＦをキャリアプレート２の外側に向けて接着する。こ
れにより、全ての半導体ウェーハＷはオリエンテーショ
ンフラット面側が研磨され易くなり、その後の品質管理
にとって好ましいものとなる。これと同時に、オリエン
テーションフラット面ＯＦをキャリアプレート２の外側
に向かわせて配置すると、キャリアプレート２の外径が
小さくなるという効果もある。また、一定方向に配置す
ることにより研磨品質の解析を行う上で好都合となる。Specifically, as shown in FIGS. 13B and 13C, the orientation flat surface OF of the semiconductor wafer is bonded toward the outside of the carrier plate 2. As a result, all the semiconductor wafers W are easily polished on the orientation flat surface side, which is preferable for quality control thereafter. At the same time, arranging the orientation flat surface OF so as to face the outside of the carrier plate 2 also has the effect of reducing the outer diameter of the carrier plate 2. Further, the arrangement in a certain direction is convenient for analyzing the polishing quality.

【００７６】このような事情により、本実施例のオリフ
ラ合わせ装置Ｆでは、半導体ウェーハのオリエンテーシ
ョンフラット面ＯＦを検出し、これを張り付け装置Ｇに
搬出するときにウェーハＷを一定方向に位置決めするよ
うに構成されている。Under such circumstances, in the orientation flat aligning apparatus F of this embodiment, the orientation flat surface OF of the semiconductor wafer is detected and the wafer W is positioned in a fixed direction when it is carried out to the bonding apparatus G. It is configured.

【００７７】すなわち、上ベース７８に固定されたスリ
ーブ７９には軸受を介して回転軸８０が回転自在に支持
されており、この回転軸８０は、タイミングプーリ８１
およびタイミングベルト８２を介して下ベース８３に固
定されたＡＣサーボモータ８４により回転する。回転軸
８０の先端には、半導体ウェーハＷを吸着保持するため
のウェーハパッド８５が取り付けられており、ウェーハ
パッド８５および回転軸８０に穿設された真空引き用孔
８６を利用して真空引きを行うことにより半導体ウェー
ハＷはウェーハパッド８５に吸着される。That is, a rotating shaft 80 is rotatably supported by a sleeve 79 fixed to the upper base 78 via a bearing, and the rotating shaft 80 has a timing pulley 81.
Also, it is rotated by an AC servo motor 84 fixed to the lower base 83 via a timing belt 82. A wafer pad 85 for sucking and holding the semiconductor wafer W is attached to the tip of the rotary shaft 80, and a vacuum suction hole 86 formed in the wafer pad 85 and the rotary shaft 80 is used for vacuuming. By doing so, the semiconductor wafer W is attracted to the wafer pad 85.

【００７８】一方、回転軸８０の基端には、ロータリエ
ンコーダ８７が設けられており、回転軸８０の回転角度
を検出する。また、上ベース７８に立設されたスタンド
８８には２対のレーザセンサ８９，９０が互いに対向し
て設けられており、内側のレーザセンサ９０は、例えば
６インチウェーハ用、外側のレーザセンサ８９は、例え
ば８インチウェーハ用としてそれぞれ設けられている。
これらレーザセンサ８９，９０の取付位置については、
ウェーハパッド８５により半導体ウェーハＷを吸着し、
これを回転させたときに、オリエンテーションフラット
面ＯＦに対してはレーザ光が通過するが、それ以外の面
に対しては遮光する位置とする。On the other hand, a rotary encoder 87 is provided at the base end of the rotary shaft 80 to detect the rotation angle of the rotary shaft 80. Further, a pair of laser sensors 89 and 90 are provided on a stand 88 erected on the upper base 78 so as to face each other. The inner laser sensor 90 is, for example, for a 6-inch wafer and the outer laser sensor 89. Are provided for 8 inch wafers, respectively.
Regarding the mounting positions of these laser sensors 89 and 90,
The semiconductor pad W is attracted by the wafer pad 85,
When this is rotated, the laser beam passes through the orientation flat surface OF, but is shielded by the other surfaces.

【００７９】このようなオリフラ合わせ装置Ｆにあって
は、まずウェーハ搬送装置Ｈによって搬入された半導体
ウェーハＷをウェーハパッド８５で吸着する。このと
き、回転軸８０の中心とウェーハＷの中心は一致してい
る。ついで、ＡＣサーボモータ８４を作動させ回転軸８
０を定速で１回転させながらレーザセンサ８９，９０か
らの信号を取り込む。レーザセンサ８９，９０による検
出信号は、オリエンテーションフラット面ＯＦでは通過
（受光素子に受光）、その他の面では遮光となるため、
オリエンテーションフラット面ＯＦの通過時間ｔ（ロー
タリエンコーダ８７による通過角度でもよい）を計測す
る。In such an orientation flat aligner F, first, the semiconductor wafer W carried in by the wafer carrier H is adsorbed by the wafer pad 85. At this time, the center of the rotating shaft 80 and the center of the wafer W are aligned. Then, the AC servomotor 84 is operated to rotate the rotary shaft 8
Signals from the laser sensors 89 and 90 are taken in while rotating 0 at a constant speed. The detection signals from the laser sensors 89 and 90 pass through the orientation flat surface OF (light is received by the light receiving element) and are shielded on the other surfaces.
The passing time t of the orientation flat surface OF (or the passing angle by the rotary encoder 87) may be measured.

【００８０】そして、さらに回転軸８０を１回転させ、
ロータリエンコーダ８７に基づいてオリエンテーション
フラット面ＯＦの端部からｔ／２時間だけ回転させた位
置で回転軸８０を停止する。これにより、ウェーハパッ
ド８５に対するオリエンテーションフラット面ＯＦの位
置が定まることになり、次にウェーハ搬送装置Ｈを用い
て張り付け装置Ｇに搬出する。Then, the rotary shaft 80 is further rotated once,
Based on the rotary encoder 87, the rotary shaft 80 is stopped at a position where it is rotated by t / 2 hours from the end of the orientation flat surface OF. As a result, the position of the orientation flat surface OF with respect to the wafer pad 85 is determined, and then the wafer transfer device H is used to carry the wafer to the attachment device G.

【００８１】張り付け装置Ｇ 図１０は本発明に係る張り付け装置（張り付け手段）を
示す縦断面図、図１１（ａ）は同装置のウェーハパッド
を示す平面図、図１１（ｂ）（ｃ）はキャリアプレート
への割り付けの一例を示す平面図であって図１１（ｂ）
は６インチウェーハ、図１１（ｃ）は８インチウェーハ
を示す。 Sticking Device G FIG. 10 is a vertical sectional view showing a sticking device (sticking means) according to the present invention, FIG. 11 (a) is a plan view showing a wafer pad of the same, and FIGS. 11 (b) and (c) are FIG. 11B is a plan view showing an example of allocation to the carrier plate, and FIG.
Shows a 6-inch wafer, and FIG. 11C shows an 8-inch wafer.

【００８２】上述したオリフラ合わせ装置Ｆによってオ
リエンテーションフラット面ＯＦが一定方向に位置決め
された半導体ウェーハＷは、その状態で研磨装置のキャ
リアプレート２に張り付けられるが、接着剤層が形成さ
れた面はウェーハの表面であるため、キャリアプレート
２に張り付けるにあたってはウェーハＷを反転させる必
要がある。また、キャリアプレート２への張り付け位置
精度は研磨品質に影響するため、半導体ウェーハの位置
精度も重要となる。The semiconductor wafer W whose orientation flat surface OF is positioned in a certain direction by the above-mentioned orientation flat aligning device F is attached to the carrier plate 2 of the polishing device in that state, but the surface on which the adhesive layer is formed is the wafer. Therefore, the wafer W needs to be inverted when the wafer W is attached to the carrier plate 2. Further, since the positional accuracy of the attachment to the carrier plate 2 affects the polishing quality, the positional accuracy of the semiconductor wafer is also important.

【００８３】そのため、本実施例の張り付け装置Ｇで
は、位置決めプレート９１上に半導体ウェーハＷの口径
に応じて固定された位置決めピン９２，９３を有してお
り、この位置決めピン９２，９３には半導体ウェーハＷ
の端縁に接触する呼び込み面９４が形成されている。こ
の呼び込み面９４によってロボットＲ2 に載置されたウ
ェーハの位置が多少ずれていたとしても、位置決めピン
の取り付けられた定位置に修正することができる。Therefore, the sticking apparatus G of this embodiment has positioning pins 92, 93 fixed on the positioning plate 91 in accordance with the diameter of the semiconductor wafer W. The positioning pins 92, 93 are provided with semiconductors. Wafer W
Has a contact surface 94 that comes into contact with the edge of the. Even if the position of the wafer placed on the robot R 2 is slightly deviated by the attracting surface 94, it can be corrected to the fixed position where the positioning pin is attached.

【００８４】なお、図１１（ａ）に示すように、本実施
例では半導体ウェーハを例えば６インチと８インチの２
種類としているため、本実施例の位置決めピン９２，９
３は、それぞれの口径に応じた位置に取り付けられてい
る。すなわち、「９３」が６インチ用の位置決めピンで
あり、「９２」が８インチ用の位置決めピンである。As shown in FIG. 11A, in this embodiment, the semiconductor wafer is, for example, 2 inches of 6 inches and 8 inches.
Since the types are used, the positioning pins 92, 9 of the present embodiment
3 is attached at a position corresponding to each aperture. That is, "93" is a positioning pin for 6 inches, and "92" is a positioning pin for 8 inches.

【００８５】この位置決めピン９２，９３によって定位
置に修正された半導体ウェーハＷに対し、このウェーハ
Ｗを吸着して反転させる反転機構が設けられている。A reversing mechanism for adsorbing and reversing the wafer W on the semiconductor wafer W fixed to the fixed position by the positioning pins 92 and 93 is provided.

【００８６】この反転機構にあっては、ウェーハＷを吸
着するウェーハパッド９５が回転軸９６を中心に約１８
０゜回転し得るアーム９７に取り付けられ、さらにエア
ーシリンダ９８によってアーム先端に対して相対的に前
後移動可能になっている。アーム９７はモータ９９によ
り回転するとともに、アーム９７の基台１００とベース
１０１との間にはスライドガイド１０２が介装されてい
る。また、このスライドガイド１０２およびエアーシリ
ンダ１０３によって、アームの基台１００はベース１０
１に対してキャリアプレート２の中心方向に接近離反移
動可能となっている。これは例えば６インチウェーハと
８インチウェーハではキャリアプレート２に張り付ける
位置が相違するからである。In this reversing mechanism, the wafer pad 95 for adsorbing the wafer W is about 18 around the rotation shaft 96.
It is attached to an arm 97 that can rotate 0 °, and can be moved back and forth relative to the tip of the arm by an air cylinder 98. The arm 97 is rotated by a motor 99, and a slide guide 102 is interposed between a base 100 and a base 101 of the arm 97. The slide guide 102 and the air cylinder 103 allow the arm base 100 to move to the base 10.
The carrier plate 2 can move toward and away from the carrier plate 1 in the center direction. This is because, for example, a 6-inch wafer and an 8-inch wafer have different positions to be attached to the carrier plate 2.

【００８７】また、ウェーハパッド９５がアーム９７に
対して揺動し得るように、ウェーハパッド９５とエアー
シリンダ９８のロッドとの間には自在軸受１０４が設け
られており、キャリアプレート２に対してウェーハパッ
ド９５が多少傾斜していても、この自在軸受１０４によ
って修正することができるようになっている。Further, a universal bearing 104 is provided between the wafer pad 95 and the rod of the air cylinder 98 so that the wafer pad 95 can swing with respect to the arm 97, and with respect to the carrier plate 2. Even if the wafer pad 95 is slightly inclined, it can be corrected by the universal bearing 104.

【００８８】一方、研磨装置のキャリアプレート２を回
転させながら張り付けられる半導体ウェーハの位置を割
り付けるために、キャリアプレート２のターンテーブル
１０５が配備されている。このターンテーブル１０５
は、ベース１０６に固定されたスリーブ１０７に回転軸
１０８が軸受を介して回転自在に嵌挿されており、さら
にこのスリーブ１０７にはキャリアプレート２を加温す
るための加熱板１０９が設けられている。加熱板１０９
は均熱ヒータによってキャリアプレート２を加熱し、反
転して張り付けられる半導体ウェーハの接着剤を流動化
させる機能を司る。On the other hand, a turntable 105 of the carrier plate 2 is provided for allocating positions of semiconductor wafers to be attached while rotating the carrier plate 2 of the polishing apparatus. This turntable 105
A rotary shaft 108 is rotatably fitted into a sleeve 107 fixed to a base 106 via a bearing, and a heating plate 109 for heating the carrier plate 2 is provided on the sleeve 107. There is. Heating plate 109
Has a function of heating the carrier plate 2 by a soaking heater and fluidizing the adhesive of the semiconductor wafer to be reversed and attached.

【００８９】また、キャリアプレート２は加熱板１０９
上に載置されている状態であるが、回転軸１０８の先端
に係合する孔１１０が中心に穿設されており、この孔１
１０と回転軸１０８の先端が係合することにより、回転
軸１０８の上昇／下降および回転に追従することにな
る。The carrier plate 2 is the heating plate 109.
Although it is placed on the upper side, a hole 110 that engages with the tip of the rotary shaft 108 is formed at the center.
The engagement between 10 and the tip of the rotary shaft 108 follows up / down and rotation of the rotary shaft 108.

【００９０】回転軸１０８はステッピングモータ１１１
によって所定の割り付け角だけ順次回転するが、エアー
シリンダ１１２によって上下移動も可能になっている。
これは、回転軸１０８によりキャリアプレート２を回転
させる場合、そのまま回転させると加熱板１０９とキャ
リアプレート２が摩耗するため、キャリアプレート２を
回転させるときはエアーシリンダ１１２を作動させてキ
ャリアプレート２を若干持ち上げた状態で回転させるよ
うにしている。具体的には、エアーシリンダ１１２が作
動するとベース１０６に固定されたリニアブッシュ１１
３に沿って回転軸１０８が上下移動する。The rotary shaft 108 is a stepping motor 111.
Although it rotates sequentially by a predetermined allocation angle, it can be moved up and down by the air cylinder 112.
This is because when the carrier plate 2 is rotated by the rotating shaft 108, the heating plate 109 and the carrier plate 2 are worn if the carrier plate 2 is rotated as it is. Therefore, when the carrier plate 2 is rotated, the air cylinder 112 is operated to move the carrier plate 2. It is designed to rotate with a slight lift. Specifically, when the air cylinder 112 operates, the linear bush 11 fixed to the base 106
The rotary shaft 108 moves up and down along the line 3.

【００９１】このように構成された張り付け装置Ｇで
は、まず図１に示すロボットＲ2 により半導体ウェーハ
Ｗが位置決めピン９２または９３に載置され、この位置
決めピン９２，９３によって定位置に修正されたのち、
アーム９７に取り付けられたエアーシリンダ９８を作動
させてウェーハパッド９５に半導体ウェーハＷを吸着す
る。この状態からアーム９７を回転させ、ウェーハパッ
ド９５に吸着された半導体ウェーハＷをキャリアプレー
ト２の方に向かって反転させる。In the pasting device G having the above-mentioned structure, the semiconductor wafer W is first placed on the positioning pins 92 or 93 by the robot R 2 shown in FIG. Later,
The air cylinder 98 attached to the arm 97 is operated to attract the semiconductor wafer W to the wafer pad 95. From this state, the arm 97 is rotated, and the semiconductor wafer W attracted to the wafer pad 95 is inverted toward the carrier plate 2.

【００９２】一方、キャリアプレート２は、エアーシリ
ンダ１１２を作動させることにより加熱板１０９から若
干持ち上げられ、ステッピングモータ１１１により選択
された割り付け角度の位置まで回転して待機する。アー
ム９７の回転により半導体ウェーハＷはキャリアプレー
ト２に接触し圧着されるが、加熱板１０９の作用によっ
てキャリアプレート２は加熱されているため、半導体ウ
ェーハＷに塗布された接着剤は軟化し、キャリアプレー
ト２への接着が円滑に行われることになる。On the other hand, the carrier plate 2 is slightly lifted from the heating plate 109 by operating the air cylinder 112, rotates to the position of the allocation angle selected by the stepping motor 111, and stands by. The semiconductor wafer W comes into contact with and is pressed against the carrier plate 2 by the rotation of the arm 97, but since the carrier plate 2 is heated by the action of the heating plate 109, the adhesive applied to the semiconductor wafer W is softened and the carrier Adhesion to the plate 2 is smoothly performed.

【００９３】なお、仮に半導体ウェーハＷとキャリアプ
レート２が相対的に傾斜していても、ウェーハパッド９
５に設けられた自在軸受１０４によって傾斜が修正さ
れ、その結果、半導体ウェーハＷとキャリアプレート２
との間に気泡などが混入することなく円滑に接着され
る。Even if the semiconductor wafer W and the carrier plate 2 are relatively inclined, the wafer pad 9
5, the tilt is corrected by the universal bearing 104, and as a result, the semiconductor wafer W and the carrier plate 2 are
It is bonded smoothly without bubbles and the like mixed in between.

【００９４】半導体ウェーハＷをキャリアプレート２に
接着すると、ウェーハパッド９５の真空引きを停止して
半導体ウェーハＷの保持を解除し、アーム９７を原位置
に戻す。一方、エアーシリンダ１１２により回転軸１０
８を下降させ、キャリアプレート２を加熱板１０９上に
載置する。When the semiconductor wafer W is adhered to the carrier plate 2, the evacuation of the wafer pad 95 is stopped, the holding of the semiconductor wafer W is released, and the arm 97 is returned to the original position. On the other hand, the rotating shaft 10 is rotated by the air cylinder 112.
8 is lowered, and the carrier plate 2 is placed on the heating plate 109.

【００９５】なお、キャリアプレート２上への半導体ウ
ェーハＷの張り付けは、例えば、６インチウェーハであ
れば図１１（ｂ）、８インチウェーハであれば図１１
（ｃ）のようにする。The semiconductor wafer W is attached to the carrier plate 2 by, for example, FIG. 11B for a 6-inch wafer and FIG. 11B for an 8-inch wafer.
Do as in (c).

【００９６】ウェーハ搬送装置Ｈ 図１２（ａ）は本発明に係るウェーハ搬送装置（ウェー
ハ搬送手段）を示す平面図、図１２（ｂ）は同じく縦断
面図、図１３（ａ）は同装置の駆動部を示す平面図、図
１３（ｂ）は同じく縦断面図である。以上説明した位置
決め装置Ａ、前洗浄装置Ｂ、乾燥装置Ｃ、接着剤塗布装
置Ｄ、溶剤除去装置Ｅおよびオリフラ合わせ装置Ｆの各
装置間の半導体ウェーハＷの移送は、図１２および図１
３に示すウェーハ搬送装置Ｈによって行われる。 Wafer Transfer Device H FIG. 12 (a) is a plan view showing the wafer transfer device (wafer transfer means) according to the present invention, FIG. 12 (b) is the same vertical sectional view, and FIG. 13 (a) is the same. FIG. 13 (b) is a vertical sectional view showing the drive unit. The transfer of the semiconductor wafer W between the positioning device A, the pre-cleaning device B, the drying device C, the adhesive applying device D, the solvent removing device E, and the orientation flat aligning device F described above is performed with reference to FIGS.
Wafer transfer device H shown in FIG.

【００９７】このウェーハ搬送装置Ｈは、複数のウェー
ハハンド１１４が連結され、ベース１１５の上方に配備
されたビーム１１６を有しており、このビーム１１６は
図１に示す搬送路１ａ，１ｂに沿って設けられている。
ウェーハハンド１１４は、フッ素系樹脂（例えばトリテ
トラフルオロエチレンＰＴＦＥ）などの材料により成形
されており、図１３（ｂ）に示すように、半導体ウェー
ハの底面を抱え込むように対向した一対の載置部材１１
７によって構成されている。これら一対のウェーハハン
ド１１４は、例えば石英棒からなる棒部材１１８で連結
され、各装置間の距離に応じてビーム１１６に固定され
ている。したがって、例えば各装置の天井から吹き出さ
れた空調および防塵用エアーはそのまま半導体ウェーハ
に吹き付けられることになる。The wafer transfer apparatus H has a beam 116 connected to a plurality of wafer hands 114 and arranged above a base 115. The beam 116 extends along the transfer paths 1a and 1b shown in FIG. Is provided.
The wafer hand 114 is formed of a material such as a fluororesin (eg, tritetrafluoroethylene PTFE), and as shown in FIG. 13B, a pair of mounting members facing each other so as to hold the bottom surface of the semiconductor wafer. 11
It is composed of 7. The pair of wafer hands 114 are connected by a rod member 118 made of, for example, a quartz rod, and are fixed to the beam 116 according to the distance between the devices. Therefore, for example, the air conditioning and dustproof air blown from the ceiling of each device is directly blown to the semiconductor wafer.

【００９８】ベース１１５の下方には、ビーム１１６を
半導体ウェーハＷの搬送方向および上下方向に移動させ
る駆動部が設けられている。すなわち、図１３（ｂ）に
示すように、ベース１１５の裏面に固定されたフレーム
１１９にはウェーハの搬送方向（搬送路の方向）に沿っ
てリニアガイド１２０が設けられており、図１２（ａ）
（ｂ）に示すボールネジ１２１と当該ボールネジ１２１
を回転させるステッピングモータ１２２によって、ビー
ム１１６は搬送方向に移動する。A drive unit for moving the beam 116 in the carrying direction of the semiconductor wafer W and in the vertical direction is provided below the base 115. That is, as shown in FIG. 13B, the frame 119 fixed to the back surface of the base 115 is provided with the linear guide 120 along the wafer transfer direction (direction of the transfer path). )
The ball screw 121 shown in (b) and the ball screw 121.
The beam 116 moves in the transport direction by a stepping motor 122 that rotates the beam.

【００９９】一方、リニアガイド１２０の可動部側には
リニアブッシュ１２３が設けられており、エアーシリン
ダ１２４を作動させることによりビーム１１６が可動部
に対して上下移動するようになっている。On the other hand, a linear bush 123 is provided on the movable portion side of the linear guide 120, and the beam 116 is moved up and down with respect to the movable portion by operating the air cylinder 124.

【０１００】このように構成されたウェーハ搬送装置Ｈ
では、まずビーム１１６が下降した状態で図１に示す上
方に移動し、半導体ウェーハＷを把持する。ついで、そ
のままビーム１１６を上昇させたのち、図１に示す下方
側の次の装置まで移動する。最後にビーム１１６を下降
させてウェーハハンド１１４に把持した半導体ウェーハ
Ｗを次の装置の定位置に載置する。このようにして半導
体ウェーハＷの移送を終了すると、次の移送に備えて原
位置に戻る。Wafer transfer device H having the above-mentioned structure
Then, first, the beam 116 is moved downward to move upward in FIG. 1 to grip the semiconductor wafer W. Then, the beam 116 is raised as it is, and then moved to the next apparatus on the lower side shown in FIG. Finally, the beam 116 is lowered and the semiconductor wafer W held by the wafer hand 114 is placed at a fixed position in the next apparatus. When the transfer of the semiconductor wafer W is completed in this way, the semiconductor wafer W returns to the original position in preparation for the next transfer.

【０１０１】このように本実施例のウェーハ搬送装置Ｈ
では、発塵源となる駆動部をベース１１５の下部に配備
し、ビーム１１６およびウェーハハンド１１４のみをベ
ース１１５の上部に設けているため、特に防塵が要求さ
れる半導体ウェーハの搬送手段としては好ましいといえ
る。Thus, the wafer transfer apparatus H of this embodiment is
In this case, since the drive unit serving as a dust source is provided below the base 115 and only the beam 116 and the wafer hand 114 are provided above the base 115, it is particularly preferable as a transporting means for semiconductor wafers requiring dust protection. Can be said.

【０１０２】次に、接着装置全体の作用を説明する。ポ
リッシングなどの研磨時に生じるディンプルを抑止する
ためには、複数の半導体ウェーハＷをキャリアプレート
２の表面に接着する際に、ワックスを均一に薄く塗布
し、かつ塵埃や気泡の混入を防止する必要がある。Next, the operation of the entire bonding apparatus will be described. In order to prevent dimples that occur during polishing such as polishing, when a plurality of semiconductor wafers W are bonded to the surface of the carrier plate 2, it is necessary to apply a thin wax evenly and prevent dust and air bubbles from entering. is there.

【０１０３】そのため、本実施例に係る半導体ウェーハ
の接着装置では、順次送り込まれた半導体ウェーハＷを
研磨装置のキャリアプレート２の表面に接着剤を介在さ
せて圧着させるにあたり、以下の作用を司る。Therefore, in the semiconductor wafer bonding apparatus according to this embodiment, when the semiconductor wafers W that have been sequentially fed are pressure-bonded to the surface of the carrier plate 2 of the polishing apparatus with an adhesive interposed, the following operations are performed.

【０１０４】まず、ロボットＲ1 によって半導体ウェー
ハＷが位置決め装置Ａに送られる。本実施例では、図１
に示すように２つの搬送路１ａ，１ｂが設けられている
ため、ロボットＲ1 は交互に搬送路１ａ，１ｂにウェー
ハを送る。この位置決め装置Ａにより、ウェーハ搬送装
置Ｈに対する相対位置が定位置に修正され、これによっ
て、後述する各装置Ｂ〜Ｇへの受渡し位置が一定位置に
定められ、ウェーハの把持ミスや載置ミスが防止され
る。First, the semiconductor wafer W is sent to the positioning device A by the robot R 1 . In this embodiment, FIG.
Since the two transfer paths 1a and 1b are provided, the robot R 1 alternately transfers the wafers to the transfer paths 1a and 1b. By this positioning device A, the relative position with respect to the wafer transfer device H is corrected to a fixed position, whereby the delivery position to each of the devices B to G described later is set to a fixed position, and a wafer gripping error or a mounting error occurs. To be prevented.

【０１０５】次に、位置決め装置Ａにより定位置に修正
された半導体ウェーハＷは、ウェーハ搬送装置Ｈによっ
て前洗浄装置Ｂに移送される。この前洗浄装置Ｂでは、
半導体ウェーハＷの裏面を吸着して回転させながら、半
導体ウェーハの表面に超音波を混入させた純水を洗浄液
として噴射し、ウェーハ表面（研磨面）に付着した塵埃
などを洗い流す。Next, the semiconductor wafer W corrected to the fixed position by the positioning device A is transferred to the pre-cleaning device B by the wafer transfer device H. In this pre-cleaning device B,
While adsorbing and rotating the back surface of the semiconductor wafer W, pure water mixed with ultrasonic waves is sprayed as a cleaning liquid on the front surface of the semiconductor wafer to wash away dust and the like adhering to the front surface (polishing surface) of the wafer.

【０１０６】そして、この洗浄後に半導体ウェーハＷを
さらに高速で回転させることにより水切りを行うが、半
導体ウェーハＷの表面には薄い水膜が残留しているた
め、前洗浄装置Ｂにより水切りされた半導体ウェーハを
ウェーハ搬送装置Ｈによって乾燥装置Ｃに移送し、この
乾燥装置Ｃの加熱板３８でウェーハを加熱して、ウェー
ハ表面に残留した水膜を蒸発させる。After the cleaning, the semiconductor wafer W is rotated at a higher speed to drain water. However, since a thin water film remains on the surface of the semiconductor wafer W, the semiconductor drained by the pre-cleaning apparatus B is drained. The wafer is transferred to the drying device C by the wafer transfer device H, the wafer is heated by the heating plate 38 of the drying device C, and the water film remaining on the wafer surface is evaporated.

【０１０７】ついで、前洗浄装置Ｂおよび乾燥装置Ｃで
塵埃等が除去され清浄になったウェーハをウェーハ搬送
装置Ｈを用いて接着剤塗布装置Ｄに移送する。この接着
剤塗布装置Ｄでは、半導体ウェーハＷの裏面を吸着して
把持し、最初は低速で回転させながら半導体ウェーハの
表面に接着剤を滴下する。これによりウェーハ表面にあ
る程度均一に接着剤がゆきわたるが、未だ薄膜状の接着
剤層とはならないため、つぎにウェーハを高速回転させ
ることにより、半導体ウェーハの表面に薄膜状に接着剤
を拡散させる。Then, the wafer cleaned of dust and the like by the pre-cleaning device B and the drying device C is transferred to the adhesive coating device D by using the wafer transfer device H. In this adhesive application device D, the back surface of the semiconductor wafer W is adsorbed and gripped, and the adhesive is dropped on the front surface of the semiconductor wafer while initially rotating at a low speed. As a result, the adhesive spreads to the surface of the wafer to some extent uniformly, but it does not yet form a thin film adhesive layer. Therefore, the wafer is rotated at a high speed next to diffuse the adhesive in a thin film form on the surface of the semiconductor wafer.

【０１０８】この薄膜で形成された接着剤層には、接着
剤の流動性を付与するための溶剤（揮発成分）が含まれ
ており、この溶剤は、ウェーハＷをキャリアプレート２
へ張り付ける際に加熱されることにより接着剤層から蒸
発し、その部分に気泡が発生することになる。The adhesive layer formed of this thin film contains a solvent (volatile component) for imparting fluidity to the adhesive.
The adhesive layer evaporates by being heated when it is attached, and bubbles are generated in that portion.

【０１０９】そこで、予め接着剤層から不要な溶剤を除
去するために、接着剤塗布装置Ｄにより接着剤が塗布さ
れた半導体ウェーハＷをウェーハ搬送装置Ｈによって溶
剤除去装置Ｅに移送し、この溶剤除去装置Ｅの加熱板７
１で半導体ウェーハＷを加熱する。このとき、加熱板７
１とウェーハＷとの間に隙間を形成しておくことによ
り、ウェーハの裏面にまで回り込んだ接着剤の炭化を防
止することができる。Therefore, in order to remove the unnecessary solvent from the adhesive layer in advance, the semiconductor wafer W coated with the adhesive by the adhesive coating device D is transferred to the solvent removing device E by the wafer transfer device H, and the solvent is removed. Heating plate 7 of the removing device E
At 1, the semiconductor wafer W is heated. At this time, the heating plate 7
By forming a gap between the wafer 1 and the wafer W, it is possible to prevent carbonization of the adhesive that has reached the back surface of the wafer.

【０１１０】溶剤が除去された接着剤層を有する半導体
ウェーハＷをウェーハ搬送装置Ｈによってオリフラ合わ
せ装置Ｆに移送する。そして、半導体ウェーハＷに形成
されたオリエンテーションフラット面ＯＦをレーザセン
サ８９，９０で検出して、当該オリエンテーションフラ
ット面ＯＦを決められた方向に位置決めする。The semiconductor wafer W having the adhesive layer from which the solvent has been removed is transferred to the orientation flat aligning device F by the wafer transfer device H. Then, the orientation flat surface OF formed on the semiconductor wafer W is detected by the laser sensors 89 and 90, and the orientation flat surface OF is positioned in the determined direction.

【０１１１】最後に、オリエンテーションフラット面Ｏ
Ｆが位置決めされた半導体ウェーハＷをロボットＲ2 を
用いて張り付け装置Ｇの位置決めピン９２，９３に載置
し、定位置に修正したのち、この半導体ウェーハＷをウ
ェーハパッド９５で吸着し、キャリアプレート２を順次
回転させながらウェーハパッド９５を反転させる。これ
により、ウェーハ搬送装置Ｈによって順次移送される半
導体ウェーハをキャリアプレート２に所定間隔で張り付
けることができる。Finally, the orientation flat surface O
The semiconductor wafer W on which F has been positioned is placed on the positioning pins 92 and 93 of the sticking device G by using the robot R 2 and corrected to a fixed position, and then this semiconductor wafer W is adsorbed by the wafer pad 95 and the carrier plate The wafer pad 95 is inverted while rotating 2 sequentially. Thereby, the semiconductor wafers sequentially transferred by the wafer transfer device H can be attached to the carrier plate 2 at a predetermined interval.

【０１１２】なお、以上説明した実施例は、本発明の理
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上述した実施例に開示された各要素は、本発明の技
術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨
である。The embodiments described above are provided for facilitating the understanding of the present invention, and not for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above-described embodiments is intended to include all design changes and equivalents within the technical scope of the present invention.

【０１１３】[0113]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、複数
の半導体ウェーハをキャリアプレートの表面に接着する
際に、ワックスを均一に薄く塗布することができ、しか
も塵埃や気泡の混入を防止することにより、研磨後のデ
ィンプルの発生を抑止することができる。As described above, according to the present invention, when a plurality of semiconductor wafers are bonded to the surface of the carrier plate, the wax can be applied uniformly and thinly, and dust and air bubbles can be prevented from being mixed. By doing so, the generation of dimples after polishing can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の半導体ウェーハの接着装置全体を示す
平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an entire semiconductor wafer bonding apparatus of the present invention.

【図２】（ａ）は本発明に係る位置決め装置（位置決め
手段）を示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面図である。FIG. 2A is a plan view showing a positioning device (positioning means) according to the present invention, and FIG. 2B is a vertical sectional view of the same.

【図３】本発明に係る前洗浄装置（前洗浄手段）を示す
縦断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view showing a pre-cleaning device (pre-cleaning means) according to the present invention.

【図４】本発明に係る前洗浄手段（前洗浄手段）を示す
平面図である。FIG. 4 is a plan view showing pre-cleaning means (pre-cleaning means) according to the present invention.

【図５】（ａ）は本発明に係る乾燥装置（乾燥手段）を
示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面図である。FIG. 5 (a) is a plan view showing a drying device (drying means) according to the present invention, and FIG. 5 (b) is a longitudinal sectional view thereof.

【図６】本発明に係る接着剤塗布装置（接着剤塗布手
段）を示す縦断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing an adhesive applying device (adhesive applying means) according to the present invention.

【図７】本発明に係る接着剤塗布装置（接着剤塗布手
段）を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing an adhesive applying device (adhesive applying means) according to the present invention.

【図８】（ａ）は本発明に係る溶剤除去装置（溶剤除去
手段）を示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面図である。8A is a plan view showing a solvent removing device (solvent removing means) according to the present invention, and FIG. 8B is a vertical sectional view of the same.

【図９】本発明に係るオリフラ合わせ装置（オリフラ合
わせ手段）を示す縦断面図である。FIG. 9 is a vertical sectional view showing an orientation flat aligning device (orientation flat aligning means) according to the present invention.

【図１０】本発明に係る張り付け装置（張り付け手段）
を示す縦断面図である。FIG. 10 is a sticking device (sticking means) according to the present invention.
FIG.

【図１１】（ａ）は図１０と同じ本発明に係る張り付け
装置のウェーハパッドを示す平面図、（ｂ）（ｃ）はキ
ャリアプレートへの割り付けの一例を示す平面図であ
り、（ｂ）は６インチウェーハ、（ｃ）は８インチウェ
ーハを示す。11A is a plan view showing a wafer pad of a sticking apparatus according to the present invention, which is the same as FIG. 10, and FIGS. 11B and 11C are plan views showing an example of allocation to a carrier plate, and FIG. Shows a 6 inch wafer, and (c) shows an 8 inch wafer.

【図１２】（ａ）は本発明に係るウェーハ搬送装置（ウ
ェーハ搬送手段）を示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面
図である。FIG. 12 (a) is a plan view showing a wafer transfer device (wafer transfer means) according to the present invention, and FIG. 12 (b) is a vertical sectional view thereof.

【図１３】（ａ）は図１２と同じ本発明に係るウェーハ
搬送装置の駆動部を示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面
図である。13A is a plan view showing a drive unit of the wafer transfer apparatus according to the present invention, which is the same as FIG. 12, and FIG. 13B is a vertical sectional view of the same.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ａ…位置決め手段 Ｂ…前洗浄手段 Ｃ…乾燥手段 Ｄ…接着剤塗布手段 Ｅ…溶剤除去手段 Ｆ…オリフラ合わせ手段 Ｇ…張り付け手段 Ｈ…ウェーハ搬送手段 A ... Positioning means B ... Pre-cleaning means C ... Drying means D ... Adhesive applying means E ... Solvent removing means F ... Orientation flat aligning means G ... Sticking means H ... Wafer transporting means

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】順次送り込まれた半導体ウェーハを研磨装
置のキャリアプレートの表面に接着剤を介在させて圧着
させる半導体ウェーハの接着装置において、 （Ａ）前記送り込まれた半導体ウェーハのウェーハ搬送
手段に対する相対位置を定位置に修正する位置決め手段
と、 （Ｂ）前記半導体ウェーハの裏面を吸着して回転させな
がら前記半導体ウェーハの表面に洗浄液を噴射するとと
もに、当該洗浄液の噴射後に前記半導体ウェーハを高速
で回転させて水切りを行う前洗浄手段と、 （Ｃ）前記前洗浄手段により水切りされた半導体ウェー
ハを加熱板により加熱して、当該半導体ウェーハの表面
に残留した水膜を蒸発除去する乾燥手段と、 （Ｄ）前記半導体ウェーハの裏面を吸着して把持し、当
該半導体ウェーハの表面に接着剤を滴下したのち高速回
転させることにより半導体ウェーハの表面に接着剤を拡
散させる接着剤塗布手段と、 （Ｅ）前記接着剤塗布手段により接着剤が塗布された半
導体ウェーハを加熱板により加熱して、前記接着剤に含
まれた溶剤を蒸発させる溶剤除去手段と、 （Ｆ）前記半導体ウェーハに形成されたオリエンテーシ
ョンフラット面を検出して、当該オリエンテーションフ
ラット面を決められた方向に位置決めするオリフラ合わ
せ手段と、 （Ｇ）前記半導体ウェーハをウェーハパッドにより吸着
し、前記半導体ウェーハを張り付けるべきキャリアプレ
ートを順次回転させながら前記ウェーハパッドを反転さ
せることにより前記キャリアプレートに所定間隔で前記
半導体ウェーハを張り付ける張り付け手段と、 （Ｈ）前記位置決め手段、前洗浄手段、乾燥手段、接着
剤塗布手段、溶剤除去手段、オリフラ合わせ手段の各位
置に対応して設けられたウェーハハンドをビームで連結
し、当該ビームを搬送方向および上下方向に移動自在に
設けることにより、前記各手段に投入された半導体ウェ
ーハを一括して次の手段に搬送するウェーハ搬送手段
と、を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの接着装
置。1. A semiconductor wafer bonding apparatus for sequentially bonding semiconductor wafers to a surface of a carrier plate of a polishing apparatus with an adhesive agent interposed therebetween. (A) Relative to the wafer transfer means of the transferred semiconductor wafers. Positioning means for correcting the position to a fixed position, and (B) spraying a cleaning liquid on the front surface of the semiconductor wafer while adsorbing and rotating the back surface of the semiconductor wafer, and rotating the semiconductor wafer at a high speed after the cleaning liquid is sprayed. And (C) a drying unit that heats the semiconductor wafer drained by the pre-cleaning unit with a heating plate to evaporate and remove the water film remaining on the surface of the semiconductor wafer. D) The back surface of the semiconductor wafer is adsorbed and gripped, and the adhesive is dropped on the front surface of the semiconductor wafer. And (E) an adhesive coating means for diffusing the adhesive on the surface of the semiconductor wafer by rotating at a high speed; And (F) an orientation flat aligning unit that detects an orientation flat surface formed on the semiconductor wafer and positions the orientation flat surface in a determined direction. ) Adhering means for adsorbing the semiconductor wafer by a wafer pad and adhering the semiconductor wafer to the carrier plate at predetermined intervals by reversing the wafer pad while sequentially rotating the carrier plate to which the semiconductor wafer is to be adhered, (H) Positioning means, pre-cleaning means, drying Means, adhesive applying means, solvent removing means, and orientation flat aligning means are connected to each other by a beam, and the beam is provided so as to be movable in the carrying direction and the vertical direction. An apparatus for bonding a semiconductor wafer, comprising: a wafer transfer unit that collectively transfers the semiconductor wafers put into the unit to the next unit. 【請求項２】前記位置決め手段（Ａ）は、位置決めプレ
ートに対して昇降可能に設けられ前記半導体ウェーハを
載置するリフタと、前記半導体ウェーハの口径に応じて
前記位置決めプレートに固定され、前記リフタにより下
降してきた前記半導体ウェーハの端縁に接触する呼び込
み面が形成された位置決めピンとを備えたことを特徴と
する請求項１に記載の半導体ウェーハの接着装置。2. The positioning means (A) is provided with a lifter that can be moved up and down with respect to a positioning plate and mounts the semiconductor wafer, and is fixed to the positioning plate according to the diameter of the semiconductor wafer, and the lifter. The semiconductor wafer bonding apparatus according to claim 1, further comprising: a positioning pin having a call-in surface that comes into contact with an edge of the semiconductor wafer that has descended by. 【請求項３】前記前洗浄手段（Ｂ）は、ベースに対して
回転自在に設けられ、前記半導体の裏面を吸着する真空
引き用孔が形成されたウェーハパッドと、前記半導体ウ
ェーハを表面に洗浄液を噴射するノズルを有し、前記ウ
ェーハパッドに吸着把持された半導体ウェーハに対して
揺動可能に設けられた洗浄液噴射部と、前記ウェーハパ
ッドの回転により前記半導体ウェーハの表面から放射状
に飛散する洗浄液を受け止めドレンに導く飛散防止プレ
ートと、前記半導体ウェーハの受渡しを行うために前記
ベースに対して昇降可能に設けられたリフタとを備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの接
着装置。3. The pre-cleaning means (B) is rotatably provided with respect to a base and has a wafer pad having a vacuum suction hole for adsorbing the back surface of the semiconductor, and a cleaning liquid for cleaning the semiconductor wafer on the front surface. A cleaning liquid spraying unit having a nozzle for spraying, the cleaning liquid spraying unit being swingable with respect to the semiconductor wafer sucked and held by the wafer pad, and the cleaning liquid radially scattered from the surface of the semiconductor wafer by the rotation of the wafer pad The adhesion of a semiconductor wafer according to claim 1, further comprising: a scattering prevention plate that receives the catch and guides it to a drain, and a lifter that is movable up and down with respect to the base to transfer the semiconductor wafer. apparatus. 【請求項４】前記接着剤塗布手段（Ｄ）は、ベースに対
して回転自在に設けられ、前記半導体の裏面を吸着する
真空引き用孔が形成されたウェーハパッドと、前記半導
体ウェーハを表面に接着剤を滴下するノズルを有する接
着剤滴下部と、前記ウェーハパッドの回転により前記半
導体ウェーハの表面から放射状に飛散する接着剤を受け
止めワックスドレンに導く飛散防止プレートと、前記ワ
ックスドレンに集約された接着剤を加熱するヒータと、
前記ウェーハパッドの裏面中心から前記半導体ウェーハ
の裏面に沿って放射状に気体を噴射するガス噴射部と、
前記半導体ウェーハの受渡しを行うために前記ベースに
対して昇降可能に設けられたリフタとを備え、前記ウェ
ーハパッドを低速で回転させながら前記ノズルから前記
半導体ウェーハの表面に接着剤を滴下したのち、前記ウ
ェーハパッドを高速で回転させて前記接着剤を拡散させ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの
接着装置。4. The adhesive applying means (D) is rotatably provided with respect to a base and has a wafer pad formed with a vacuuming hole for adsorbing the back surface of the semiconductor, and the semiconductor wafer on the front surface. An adhesive dropping portion having a nozzle for dropping the adhesive, a splash prevention plate for receiving the adhesive radially splashed from the surface of the semiconductor wafer by the rotation of the wafer pad and guiding it to the wax drain, and the wax drain A heater to heat the adhesive,
A gas ejecting unit that ejects gas radially from the center of the back surface of the wafer pad along the back surface of the semiconductor wafer,
A lifter provided so as to be able to move up and down with respect to the base in order to transfer the semiconductor wafer, and after dropping an adhesive from the nozzle onto the surface of the semiconductor wafer while rotating the wafer pad at a low speed, The semiconductor wafer bonding apparatus according to claim 1, wherein the wafer pad is rotated at a high speed to diffuse the adhesive. 【請求項５】前記溶剤除去手段（Ｅ）は、ベースに固定
された加熱板と、前記半導体ウェーハの受渡しを行うた
めに前記加熱板に対して昇降可能に設けられたリフタと
を備え、前記加熱板の表面と半導体ウェーハとの間に僅
かな隙間を有する位置で前記半導体ウェーハを加熱する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの接
着装置。5. The solvent removing means (E) includes a heating plate fixed to a base, and a lifter that can be moved up and down with respect to the heating plate to transfer the semiconductor wafer. The semiconductor wafer bonding apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor wafer is heated at a position having a slight gap between the surface of the heating plate and the semiconductor wafer. 【請求項６】前記オリフラ合わせ手段（Ｆ）は、前記半
導体ウェーハを吸着しながら回転する回転軸と、前記回
転軸を回転させる駆動部と、前記回転軸の回転角度を検
出するエンコーダと、前記回転軸に吸着された半導体ウ
ェーハのオリエンテーションフラット面の有無を検出す
るセンサとを備え、前記回転軸を１回転させたときに前
記センサにより検出されるオリエンテーションフラット
面の通過時間や回転角などの特性を演算し、この演算結
果に基づいて回転軸を所定位置に停止させることを特徴
とする請求項１に記載の半導体ウェーハの接着装置。6. The orientation flat aligning means (F) rotates a rotary shaft that sucks the semiconductor wafer, a drive unit that rotates the rotary shaft, an encoder that detects a rotation angle of the rotary shaft, and A sensor for detecting the presence or absence of an orientation flat surface of a semiconductor wafer adsorbed on a rotation axis, and characteristics such as a passage time and a rotation angle of the orientation flat surface detected by the sensor when the rotation axis is rotated once. Is calculated, and the rotary shaft is stopped at a predetermined position based on the calculation result. 【請求項７】前記張り付け手段（Ｇ）は、前記半導体ウ
ェーハの口径に応じて位置決めプレートに固定され前記
半導体ウェーハの端縁に接触する呼び込み面が形成され
た位置決めピンと、先端にウェーハパッドが揺動自在に
設けられ前記位置決めピンにより定位置に修正された半
導体ウェーハの裏面を吸着してキャリアプレート上に反
転させる反転機構とを備えたことを特徴とする請求項１
に記載の半導体ウェーハの接着装置。7. The sticking means (G) has a positioning pin fixed to a positioning plate according to the diameter of the semiconductor wafer and formed with a call-in surface for contacting an edge of the semiconductor wafer, and a wafer pad swinging at the tip. 2. A reversing mechanism, which is movably provided and which adsorbs a back surface of a semiconductor wafer corrected to a fixed position by the positioning pin and reverses it on a carrier plate.
A semiconductor wafer bonding apparatus according to item 1. 【請求項８】前記ウェーハ搬送手段（Ｈ）は、複数のウ
ェーハハンドを連結しベースの上方に配備されたビーム
と、前記ベースの下方に配備され前記ビームを半導体ウ
ェーハの搬送方向および上下方向に移動させる駆動部と
を備え、前記ウェーハハンドは前記半導体ウェーハを載
置する一対の載置部材と、これら載置部材を連結して前
記ビームに固定する棒部材からなることを特徴とする請
求項１に記載の半導体ウェーハの接着装置。8. The wafer transfer means (H) connects a plurality of wafer hands and is provided above a base, and below the base, the beam is provided in a semiconductor wafer transfer direction and a vertical direction. A driving unit for moving the wafer, and the wafer hand includes a pair of mounting members for mounting the semiconductor wafer, and a bar member for connecting the mounting members and fixing the beam to the beam. 1. The semiconductor wafer bonding apparatus according to 1.
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