JPH06265613A - Magnetic sensor apparatus - Google Patents
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- JPH06265613A JPH06265613A JP5053616A JP5361693A JPH06265613A JP H06265613 A JPH06265613 A JP H06265613A JP 5053616 A JP5053616 A JP 5053616A JP 5361693 A JP5361693 A JP 5361693A JP H06265613 A JPH06265613 A JP H06265613A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はホール素子を用いて磁界
強度を検出する磁気センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic sensor for detecting magnetic field intensity using a Hall element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、この種の磁気センサ装置は構造
が簡単で装置を小型化することができることから、電力
計や電力量計用の乗算回路および磁界強度の計測回路な
どとして使用されている。2. Description of the Related Art Generally, a magnetic sensor device of this type has a simple structure and can be downsized, and is therefore used as a multiplication circuit for a power meter or a watt hour meter, a magnetic field strength measuring circuit, or the like. .
【０００３】以下、かかる磁気センサ装置について図１
３を参照して説明する。電源１の出力電圧は電圧−電流
変換回路２に入力されて電源１の出力電圧値に正比例す
る大きさの電流に変換され、制御電流としてホール素子
３の電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 に加えられる。ホール素子３は
電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 と直交するように配置された出力端
子Ｔ3 ，Ｔ4 を有し、電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 方向および出
力端子Ｔ3 ，Ｔ4 方向と直交する方向から加えられる磁
界によって発生する磁束密度と電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 間を
流れる制御電流との積に正比例する（１）式で与えられ
る大きさのホール電圧ＶH を出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生
じる。The magnetic sensor device will be described below with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. The output voltage of the power supply 1 is input to the voltage-current conversion circuit 2 and converted into a current of a magnitude that is directly proportional to the output voltage value of the power supply 1, and is applied as a control current to the current terminals T 1 and T 2 of the Hall element 3. . The Hall element 3 has output terminals T 3 and T 4 arranged so as to be orthogonal to the current terminals T 1 and T 2, and is orthogonal to the current terminal T 1 and T 2 directions and the output terminals T 3 and T 4 directions. The Hall voltage V H of the magnitude given by the equation (1), which is directly proportional to the product of the magnetic flux density generated by the magnetic field applied from the direction and the control current flowing between the current terminals T 1 and T 2 , is output terminals T 3 , T 2. It occurs between four .
【０００４】 ＶH ＝Ｒ・Ｂ・Ｊ （１） ただし、Ｒはホール係数、Ｂは磁束密度、Ｊは電流密度
である。減算回路４は出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じたホ
ール電圧ＶH の同相成分を除去して制御電流と磁束密度
の積に比例する電圧を出力し、この電圧は反転回路５に
おいて極性が反転されて外部へ出力される。V H = R · B · J (1) where R is Hall coefficient, B is magnetic flux density, and J is current density. The subtraction circuit 4 removes the in-phase component of the Hall voltage V H generated between the output terminals T 3 and T 4 and outputs a voltage proportional to the product of the control current and the magnetic flux density. It is inverted and output to the outside.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の磁気センサ装置では、ホール素子３の出力電圧特性の
線形性に関して次のような問題があった。従来の磁気セ
ンサ装置では（１）式のホール係数Ｒが一定であること
を前提にしているが、一般に磁束密度とホール素子３の
出力電圧との関係は磁束密度が小さい領域で非線形であ
ることから、図１４に示すようなホール電圧誤差が生じ
る。したがって、外部より与えられる磁界強度が小さい
場合に検出精度が低下するという問題があった。However, the above-mentioned conventional magnetic sensor device has the following problems regarding the linearity of the output voltage characteristic of the Hall element 3. The conventional magnetic sensor device is premised on that the Hall coefficient R in the equation (1) is constant, but generally, the relationship between the magnetic flux density and the output voltage of the Hall element 3 is non-linear in the region where the magnetic flux density is small. Therefore, a Hall voltage error as shown in FIG. 14 occurs. Therefore, there is a problem that the detection accuracy decreases when the magnetic field strength applied from the outside is small.
【０００６】本発明はこのような従来の問題を解決する
ためになされたものであり、磁界強度と出力電圧との関
係が非線形な場合においても、高い精度で磁気を検出す
ることができる磁気センサ装置を提供することを目的と
する。The present invention has been made in order to solve such a conventional problem, and can detect magnetism with high accuracy even when the relationship between the magnetic field strength and the output voltage is non-linear. The purpose is to provide a device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の磁気センサ装置では、ホール素子の
出力電圧に基づいて前記ホール素子のホール電圧誤差を
補正するための制御電圧を発生する制御電圧発生手段
と、前記ホール素子の一方の電流端子と一方の電圧端子
との間に接続され、前記制御電圧発生手段の出力電圧を
制御入力とする可変抵抗素子とを備えたことを要旨とす
る。In order to achieve the above object, in the magnetic sensor device according to claim 1, a control voltage for correcting the Hall voltage error of the Hall element is generated based on the output voltage of the Hall element. And a variable resistance element that is connected between one current terminal and one voltage terminal of the hall element and that uses the output voltage of the control voltage generating means as a control input. And
【０００８】また、請求項２記載の磁気センサ装置で
は、ホール素子の出力電圧に基づいて前記ホール素子の
ホール電圧誤差を補正するための制御電圧を発生する制
御電圧発生手段と、前記ホール素子の一方の電流端子と
一方の電圧端子との間に接続された第一の可変抵抗素子
と、この可変抵抗素子が接続されている前記電流端子と
この可変抵抗素子が接続されていない方の電圧端子との
間に接続された第二の可変抵抗素子と、前記制御電圧発
生手段の出力電圧を前記第一の可変抵抗素子の制御入力
と前記第二の可変抵抗素子の制御入力とへ相互的に切り
換えて入力するためのスイッチ手段とを備えたことを要
旨とする。According to another aspect of the magnetic sensor device of the present invention, the control voltage generating means for generating a control voltage for correcting the Hall voltage error of the Hall element based on the output voltage of the Hall element, and the Hall element. A first variable resistance element connected between one current terminal and one voltage terminal, the current terminal to which the variable resistance element is connected and the voltage terminal to which the variable resistance element is not connected A second variable resistance element connected between the control voltage generating means and the second variable resistance element, and the output voltage of the control voltage generating means to the control input of the first variable resistance element and the control input of the second variable resistance element. The gist is that it is provided with a switch means for switching and inputting.
【０００９】[0009]
【作用】請求項１記載の発明はこのような手段を講じた
ことにより、可変抵抗素子を用いてホール素子の一方の
電流端子と一方の出力端子間の抵抗値を変化させること
によって、ホール素子の出力電圧特性を制御することが
できる。可変抵抗素子の抵抗値を制御する電圧は、制御
電圧発生手段によって得られるホール素子の出力電圧の
例えば任意の関数で与えられるホール電圧誤差を補正す
るための電圧値であるから、ホール素子の磁束密度と出
力電圧間の任意の非線形性を補正してホール素子に加え
られる磁束密度の大きさに正しく比例する出力電圧を得
ることができる。According to the first aspect of the present invention, by taking such means, the resistance value between one current terminal and one output terminal of the Hall element is changed by using the variable resistance element, and thus the Hall element is changed. It is possible to control the output voltage characteristics of the. Since the voltage for controlling the resistance value of the variable resistance element is a voltage value for correcting the Hall voltage error given by, for example, an arbitrary function of the output voltage of the Hall element obtained by the control voltage generating means, the magnetic flux of the Hall element is Any non-linearity between the density and the output voltage can be corrected to obtain an output voltage that is correctly proportional to the magnitude of the magnetic flux density applied to the Hall element.
【００１０】また、請求項２記載の発明では第二の可変
抵抗素子とスイッチ手段を設けたことにより、出力電圧
誤差の極性の正負に応じて制御入力を第一の可変抵抗素
子へ入力するか、または第二の可変抵抗素子へ入力する
かを切り換えることができるので、正負いずれの方向の
出力電圧誤差も補正することができる。According to the second aspect of the present invention, since the second variable resistance element and the switch means are provided, whether the control input is input to the first variable resistance element according to the positive or negative polarity of the output voltage error. , Or the input to the second variable resistance element can be switched, so that the output voltage error in either the positive or negative direction can be corrected.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の磁気センサ装置の一実施例におけ
る構成を示すブロック図である。同図において、図１３
と同一部分には同一符号を付して詳しい説明は省略す
る。従来の装置と異なるところは制御電圧発生手段６と
可変抵抗素子７を新たに設けたことである。制御電圧発
生手段６は整流器６１と平滑回路６２から構成され、反
転回路５の交流出力電圧を平滑化する。可変抵抗素子７
は制御端子Ｃ1 に加えられる制御電圧によって抵抗値を
変えることができる抵抗器であって、制御電圧発生手段
６の出力電圧が制御電圧として入力される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the magnetic sensor device of the present invention. In FIG.
The same parts as those in FIG. The difference from the conventional device is that the control voltage generating means 6 and the variable resistance element 7 are newly provided. The control voltage generating means 6 is composed of a rectifier 61 and a smoothing circuit 62, and smoothes the AC output voltage of the inverting circuit 5. Variable resistance element 7
Is a resistor whose resistance value can be changed by the control voltage applied to the control terminal C 1, and the output voltage of the control voltage generating means 6 is input as the control voltage.
【００１２】次に、以上のように構成された装置の動作
について説明する。電源１からの出力電圧は電圧−電流
変換回路２によって電源１の出力電圧に正比例する大き
さの電流に変換され、ホール素子３の制御電流として電
流端子Ｔ1 に入力される。ホール素子３は電流端子Ｔ
1 ，Ｔ2 と直交するように配置された出力端子Ｔ3 ，Ｔ
4 を有し、電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 方向および出力端子Ｔ
3 ，Ｔ4 方向と直交する方向から加えられる磁界によっ
て発生する磁束密度と電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 間を流れる制
御電流との積に正比例する（１）式で与えられる大きさ
のホール電圧を出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じる。減算回
路４は出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じたホール電圧ＶH の
同相成分を除去して制御電流と磁束密度の積に比例する
電圧を出力し、この電圧は反転回路５において極性が反
転されて外部へ出力される。制御電圧発生手段６は整流
器６１と平滑回路６２から構成され、整流器６１によっ
て整流された電流は平滑回路６２の抵抗器Ｒ5 とコンデ
ンサＣa から成る積分回路によって整流器６１への入力
電圧に比例した直流電圧に変換されて、可変抵抗素子７
の制御電圧Ｖc として制御端子Ｃ1 へ入力される。Next, the operation of the apparatus configured as described above will be described. The output voltage from the power supply 1 is converted by the voltage-current conversion circuit 2 into a current having a magnitude that is directly proportional to the output voltage of the power supply 1, and is input to the current terminal T 1 as a control current for the Hall element 3. Hall element 3 is the current terminal T
Output terminals T 3 and T arranged so as to be orthogonal to 1 and T 2.
4 having current terminals T 1 and T 2 and output terminal T
The Hall voltage of the magnitude given by equation (1), which is directly proportional to the product of the magnetic flux density generated by the magnetic field applied from the direction orthogonal to 3 and T 4 and the control current flowing between the current terminals T 1 and T 2 , It occurs between the output terminals T 3 and T 4 . The subtraction circuit 4 removes the in-phase component of the Hall voltage V H generated between the output terminals T 3 and T 4 and outputs a voltage proportional to the product of the control current and the magnetic flux density. It is inverted and output to the outside. The control voltage generation means 6 is composed of a rectifier 61 and a smoothing circuit 62, and the current rectified by the rectifier 61 is proportional to the input voltage to the rectifier 61 by an integrating circuit composed of the resistor R 5 and the capacitor C a of the smoothing circuit 62. Converted to DC voltage, variable resistance element 7
Is input to the control terminal C 1 as the control voltage V c .
【００１３】次に、各部の波形を示す図５を参照して磁
束密度と制御電圧の関係について説明する。同図ａ１は
ホール素子３に加えられる交流磁界による磁束密度Ｂの
変動波形、同図ｂ２はホール効果によって発生したホー
ル電圧波形、同図ｃ１は整流器６１の２次側の電圧波
形、同図ｄ１は制御電圧発生手段６の出力電圧であり、
可変抵抗素子７の制御電圧Ｖc として可変抵抗素子７に
入力される電圧である。また、同図ａ２，ｂ２，ｃ２，
ｄ２はホール素子３の磁束密度Ｂが同図ａ１，ｂ１，ｃ
１，ｄ１の場合よりも大きい場合のそれぞれ対応する同
一箇所の各部の波形である。この様に、本実施例では磁
束密度Ｂの大きさに比例する制御電圧Ｖcが得られる。
可変抵抗素子７は制御端子Ｃ1 に加えられる制御電圧Ｖ
c の大きさによってその抵抗値が変化する性質をもつ素
子であって、ＦＥＴ，Ｃｄｓフォトカプラなどを用いて
構成することができる。Next, the relationship between the magnetic flux density and the control voltage will be described with reference to FIG. FIG. 1A1 shows a waveform of fluctuation of the magnetic flux density B due to an AC magnetic field applied to the Hall element 3, FIG. 2B shows a Hall voltage waveform generated by the Hall effect, FIG. Is the output voltage of the control voltage generating means 6,
This is a voltage input to the variable resistance element 7 as the control voltage V c of the variable resistance element 7. In addition, a2, b2, c2 in FIG.
d2 is the magnetic flux density B of the Hall element 3 a1, b1, c in FIG.
It is a waveform of each part of the corresponding corresponding place when it is larger than the case of 1, d1. In this way, in this embodiment, the control voltage V c proportional to the magnitude of the magnetic flux density B is obtained.
The variable resistance element 7 has a control voltage V applied to the control terminal C 1.
It is an element having a property that its resistance value changes depending on the size of c , and can be configured using an FET, a Cds photocoupler, or the like.
【００１４】図６はホール素子３の電流端子Ｔ3 と出力
端子Ｔ4 間に接続された可変抵抗素子７の抵抗値Ｒc と
ホール電圧誤差との関係が、抵抗値Ｒc の増加とともに
ホール電圧誤差が大きくなることを示している。一方、
可変抵抗素子７は図７に示すように制御電圧Ｖc にほぼ
反比例してその抵抗値Ｒc が小さくなるので、制御電圧
Ｖc とホール電圧誤差との関係は図８のようになる。し
たがって、磁束密度が小さくホール素子３の出力電圧が
低い場合は制御電圧発生手段６の出力電圧、すなわち可
変抵抗素子７の制御電圧Ｖc が低いので、図８の正側に
発生するホール電圧誤差と図１４の実線で示す負側に発
生するホール電圧誤差とが相互に打ち消して、図９のよ
うに磁束密度の変動に対してホール電圧誤差が小さくな
る。FIG. 6 shows the relationship between the Hall voltage error and the resistance value R c of the variable resistance element 7 connected between the current terminal T 3 and the output terminal T 4 of the Hall element 3 as the resistance value R c increases. It shows that the voltage error becomes large. on the other hand,
Since the variable resistance element 7 and the resistance value R c decreases substantially in inverse proportion to the control voltage V c as shown in FIG. 7, the relationship between the control voltage V c and the Hall voltage error is as shown in FIG. Therefore, when the magnetic flux density is small and the output voltage of the Hall element 3 is low, the output voltage of the control voltage generating means 6, that is, the control voltage V c of the variable resistance element 7 is low, so the Hall voltage error generated on the positive side in FIG. And the Hall voltage error generated on the negative side shown by the solid line in FIG. 14 cancel each other out, and the Hall voltage error becomes smaller with respect to the fluctuation of the magnetic flux density as shown in FIG.
【００１５】したがって、以上のような実施例の構成に
よれば、磁束密度が小さい場合のホール電圧誤差を制御
電圧発生手段６のフィードバック効果によって補償する
ことができるので、高精度の磁気検出をすることができ
る。Therefore, according to the configuration of the above embodiment, the Hall voltage error when the magnetic flux density is small can be compensated by the feedback effect of the control voltage generating means 6, so that highly accurate magnetic detection is performed. be able to.
【００１６】図２は本発明の他の実施例を示すものであ
り、出力端子Ｔ4 に接続されている第一の可変抵抗素子
７に加えてこれと対称位置の出力端子Ｔ3 に第二の可変
抵抗素子８を接続し、それぞれの制御端子Ｃ1 ，Ｃ2 は
スイッチ手段９の接点９１，９２を介して制御電圧発生
手段６の出力電圧が供給されるように構成されている。
接点９１，９２は相互的に切り換えられるものであっ
て、接点９１が閉じるときは接点９２が開き、逆に接点
９１が開くときは接点９２が閉じるように動作する。し
たがって、制御電圧Ｖc はスイッチ手段９によって第一
の可変抵抗素子７または第二の可変抵抗素子８のいずれ
か一方にのみ供給されることになる。先の実施例では磁
束密度Ｂによるホール電圧誤差が図１４の実線で示す負
側に発生する場合について説明したが、本実施例では同
図の破線で示す正側にホール電圧誤差が発生する場合、
スイッチ手段９の接点９１を開き、接点９２を閉じるこ
とによって同様にホール電圧誤差を補償することができ
る。FIG. 2 shows another embodiment of the present invention. In addition to the first variable resistance element 7 connected to the output terminal T 4 , a second variable resistance element 7 is provided at the symmetrical position to the output terminal T 3 . The variable resistance element 8 is connected, and the control terminals C 1 and C 2 are configured to be supplied with the output voltage of the control voltage generating means 6 via the contacts 91 and 92 of the switch means 9.
The contacts 91 and 92 are switched to each other. When the contact 91 is closed, the contact 92 is opened, and when the contact 91 is opened, the contact 92 is closed. Therefore, the control voltage V c is supplied to only one of the first variable resistance element 7 and the second variable resistance element 8 by the switch means 9. In the previous embodiment, the case where the Hall voltage error due to the magnetic flux density B occurs on the negative side shown by the solid line in FIG. 14 has been described, but in the present embodiment, when the Hall voltage error occurs on the positive side shown by the broken line in FIG. ,
By opening the contact 91 of the switch means 9 and closing the contact 92, the Hall voltage error can be similarly compensated.
【００１７】したがって、以上のような実施例の構成に
よれば、ホール電圧誤差が正負いずれの側に発生しても
誤差を補償することができる。図３は図２の実施例にお
いて、制御電圧発生手段６に対数増幅回路６３を追加す
ることによりホール電圧と制御電圧Ｖc との関係に対数
特性をもたせた場合の実施例である。制御電圧発生手段
６に対数特性をもたせたことにより、ホール電圧ＶH と
制御電圧Ｖc との関係は図１０に示した非線形性が与え
られる。これは図６の制御抵抗Ｒc とホール電圧誤差と
の非線形関係を補正するので、制御電圧Ｖc とホール電
圧誤差との関係が図１１のように線形に近い関係にな
り、磁束密度Ｂの変動に対してホール電圧誤差を図９の
場合よりもさらに減少させることができる。磁束密度と
ホール電圧誤差との関係が非線形な場合には、この非線
形性を補償するように制御電圧発生手段６の関数型を設
定することによって高精度の磁気検出を実現することが
できる。Therefore, according to the configuration of the above embodiment, it is possible to compensate the error regardless of whether the Hall voltage error occurs on the positive or negative side. 3 shows an embodiment in which a logarithmic characteristic is added to the relationship between the Hall voltage and the control voltage V c by adding a logarithmic amplifier circuit 63 to the control voltage generating means 6 in the embodiment of FIG. Since the control voltage generating means 6 has a logarithmic characteristic, the relationship between the Hall voltage V H and the control voltage V c has the non-linearity shown in FIG. This corrects the non-linear relationship between the control resistance R c and the Hall voltage error in FIG. 6, so that the relationship between the control voltage V c and the Hall voltage error is close to a linear relationship as shown in FIG. It is possible to further reduce the Hall voltage error with respect to the variation as compared with the case of FIG. When the relationship between the magnetic flux density and the Hall voltage error is non-linear, high-precision magnetic detection can be realized by setting the function type of the control voltage generating means 6 so as to compensate for this non-linearity.
【００１８】また、制御電圧発生手段６をディジタル回
路を用いて構成することにより、容易に任意の関数特性
を与えることができるので、なお一層の高精度を達成す
ることができる。なお、図４はホール素子３内に可変抵
抗素子７を組み込んでホール電圧ＶH の制御を行えるよ
うにした実施例であって、素子の数を減らすことができ
る。Further, by configuring the control voltage generating means 6 using a digital circuit, it is possible to easily give an arbitrary functional characteristic, so that it is possible to achieve even higher precision. FIG. 4 shows an embodiment in which the variable resistance element 7 is incorporated in the hall element 3 so that the hall voltage V H can be controlled, and the number of elements can be reduced.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、磁束密度が小さい場合に発生するホール電圧
誤差を制御電圧発生手段のフィードバック効果によって
補償することができる。しかも、磁束密度とホール電圧
誤差との関係が非線形な場合には、この非線形性を補償
するように制御電圧発生手段の関数型を設定することが
できるので、高精度の磁気検出を実現することができ
る。また、請求項２記載の発明によれば、ホール電圧誤
差が正負いずれの側に発生しても誤差を補償することが
できる。As described above, according to the first aspect of the invention, the Hall voltage error that occurs when the magnetic flux density is small can be compensated by the feedback effect of the control voltage generating means. Moreover, when the relationship between the magnetic flux density and the Hall voltage error is non-linear, the function type of the control voltage generating means can be set so as to compensate for this non-linearity, so that highly accurate magnetic detection can be realized. You can Further, according to the second aspect of the present invention, it is possible to compensate the error regardless of whether the Hall voltage error occurs on the positive or negative side.
【図１】本発明の請求項１の一実施例におけるブロック
構成図である。FIG. 1 is a block configuration diagram in an embodiment of claim 1 of the present invention.
【図２】本発明の請求項２の一実施例におけるブロック
構成図である。FIG. 2 is a block configuration diagram according to an embodiment of claim 2 of the present invention.
【図３】本発明の他の実施例におけるブロック構成図で
ある。FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the present invention.
【図４】本発明の他の実施例におけるブロック構成図で
ある。FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the present invention.
【図５】各部の波形を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing waveforms of various parts.
【図６】制御抵抗値Ｒc とホール電圧誤差の関係を示す
グラフである。FIG. 6 is a graph showing a relationship between a control resistance value R c and a Hall voltage error.
【図７】制御電圧Ｖc と制御抵抗値Ｒc の関係を示すグ
ラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between control voltage V c and control resistance value R c .
【図８】制御電圧Ｖc とホール電圧誤差の関係を示すグ
ラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between control voltage V c and Hall voltage error.
【図９】磁束密度Ｂとホール電圧誤差の関係を示すグラ
フである。FIG. 9 is a graph showing the relationship between magnetic flux density B and Hall voltage error.
【図１０】ホール電圧ＶH と制御電圧Ｖc の関係を示す
グラフである。FIG. 10 is a graph showing the relationship between the hall voltage V H and the control voltage V c .
【図１１】制御電圧Ｖc とホール電圧誤差の関係を示す
グラフである。FIG. 11 is a graph showing the relationship between control voltage V c and Hall voltage error.
【図１２】磁束密度Ｂとホール電圧誤差の関係を示すグ
ラフである。FIG. 12 is a graph showing the relationship between magnetic flux density B and Hall voltage error.
【図１３】従来例のブロック構成図である。FIG. 13 is a block diagram of a conventional example.
【図１４】磁束密度Ｂとホール電圧誤差の関係を示すグ
ラフである。FIG. 14 is a graph showing the relationship between magnetic flux density B and Hall voltage error.
１ 電源 ２ 電圧−電流変換回路 ３ ホール素子 ４ 減算回路 ５ 反転回路 ６ 制御電圧発生手段 ７，８ 可変抵抗素子 ９ スイッチ手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 power supply 2 voltage-current conversion circuit 3 hall element 4 subtraction circuit 5 inverting circuit 6 control voltage generating means 7, 8 variable resistance element 9 switch means
Claims (3)
磁気センサ装置において、ホール素子の出力電圧に基づ
いて前記ホール素子のホール電圧誤差を補正するための
制御電圧を発生する制御電圧発生手段と、前記ホール素
子の一方の電流端子と一方の電圧端子との間に接続さ
れ、前記制御電圧発生手段の出力電圧を制御入力とする
可変抵抗素子とを備えたことを特徴とする磁気センサ装
置。1. A magnetic sensor device for detecting a magnetic field intensity using a hall element, comprising: a control voltage generating means for generating a control voltage for correcting a hall voltage error of the hall element based on an output voltage of the hall element. A magnetic sensor device comprising: a variable resistance element connected between one current terminal and one voltage terminal of the Hall element and having the output voltage of the control voltage generating means as a control input.
磁気センサ装置において、ホール素子の出力電圧に基づ
いて前記ホール素子のホール電圧誤差を補正するための
制御電圧を発生する制御電圧発生手段と、前記ホール素
子の一方の電流端子と一方の電圧端子との間に接続され
た第一の可変抵抗素子と、この可変抵抗素子が接続され
ている前記電流端子とこの可変抵抗素子が接続されてい
ない方の電圧端子との間に接続された第二の可変抵抗素
子と、前記制御電圧発生手段の出力電圧を前記第一の可
変抵抗素子の制御入力と前記第二の可変抵抗素子の制御
入力とへ相互的に切り換えて入力するためのスイッチ手
段とを備えたことを特徴とする磁気センサ装置。2. A magnetic sensor device for detecting a magnetic field intensity using a hall element, comprising: a control voltage generating means for generating a control voltage for correcting a hall voltage error of the hall element based on an output voltage of the hall element. A first variable resistance element connected between one current terminal and one voltage terminal of the Hall element, the current terminal to which this variable resistance element is connected, and this variable resistance element A second variable resistance element connected between the other variable voltage terminal and an output voltage of the control voltage generating means, and a control input of the first variable resistance element and a control input of the second variable resistance element. And a switch means for inputting after switching to and from the magnetic sensor device.
出力電圧の関数である制御電圧を発生することを特徴と
する請求項１または２記載の磁気センサ装置。3. The magnetic sensor device according to claim 1, wherein the control voltage generating means generates a control voltage that is a function of the output voltage of the Hall element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05053616A JP3129874B2 (en) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | Magnetic sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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