JPH06265570A - Semiconductor acceleration sensor and pressure sensor - Google Patents
Semiconductor acceleration sensor and pressure sensorInfo
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- JPH06265570A JPH06265570A JP7875093A JP7875093A JPH06265570A JP H06265570 A JPH06265570 A JP H06265570A JP 7875093 A JP7875093 A JP 7875093A JP 7875093 A JP7875093 A JP 7875093A JP H06265570 A JPH06265570 A JP H06265570A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体加速度センサ及
び半導体圧力センサに関する。具体的には、加速度又は
振動によって生じるマス部の変位を加速度の変化として
検知する半導体加速度センサ及び空気等の圧力によって
生じるダイヤフラム部の変位を圧力の変化として検知す
る半導体圧力センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor acceleration sensor and a semiconductor pressure sensor. Specifically, the present invention relates to a semiconductor acceleration sensor that detects displacement of a mass portion caused by acceleration or vibration as a change in acceleration and a semiconductor pressure sensor that detects displacement of a diaphragm portion caused by pressure of air or the like as a change in pressure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８は、従来例の加速度センサ６１を示
す断面図である。この加速度センサ６１は、シリコン基
板よりなる角枠状をしたフレーム６２の開口部分の中央
にマス部６６が配設されており、マス部６６は２本のビ
ーム６５によって片持ち状にフレーム６２に支持されて
いる。マス部６６は、ビーム６５の弾性変形によってマ
ス部６６の厚さ方向に自由に微小変位できるようになっ
ており、その上面には可動電極６８が形成されている。2. Description of the Related Art FIG. 8 is a sectional view showing a conventional acceleration sensor 61. In this acceleration sensor 61, a mass portion 66 is arranged at the center of an opening portion of a frame 62 having a rectangular frame shape made of a silicon substrate, and the mass portion 66 is cantilevered on the frame 62 by two beams 65. It is supported. The mass portion 66 can be freely displaced in the thickness direction of the mass portion 66 by elastic deformation of the beam 65, and a movable electrode 68 is formed on the upper surface thereof.
【０００３】フレーム６２の上下面にはガラス基板６３
が重ねられ、ガラス基板６３の周辺部は陽極接合法によ
りフレーム６２に接合されている。フレーム６２上面の
ガラス基板６３の内面には、マス部６６の可動電極６８
と微小なギャップをへだてて固定電極６７が設けられて
おり、マス部６６の可動電極６８と固定電極６７とによ
りコンデンサが形成されている。A glass substrate 63 is provided on the upper and lower surfaces of the frame 62.
And the peripheral portion of the glass substrate 63 is bonded to the frame 62 by the anodic bonding method. The movable electrode 68 of the mass portion 66 is provided on the inner surface of the glass substrate 63 on the upper surface of the frame 62.
A fixed electrode 67 is provided with a small gap, and the movable electrode 68 of the mass portion 66 and the fixed electrode 67 form a capacitor.
【０００４】しかして、ビーム６５に支持されたマス部
６６が厚さ方向に加速度を受けて変位した場合、マス部
６６の変位量に応じてマス部６６の可動電極６８と固定
電極６７の間のギャップ量が変化して静電容量が変わ
る。したがって、この静電容量の値の変化を電気信号と
して出力することによって加速度を検知することができ
る。However, when the mass portion 66 supported by the beam 65 is displaced in the thickness direction due to acceleration, the space between the movable electrode 68 and the fixed electrode 67 of the mass portion 66 is changed according to the displacement amount of the mass portion 66. The gap amount changes and the capacitance changes. Therefore, the acceleration can be detected by outputting the change in the capacitance value as an electric signal.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、陽極接
合法によってフレーム６２にガラス基板６３を接合する
場合には、フレーム６２及びガラス基板６３に約３５０
℃の高温下において約８００Ｖの直流電圧を印加するこ
とになる。この後、再び室温に下げた場合には、フレー
ム６２のシリコン材とガラス基板６３のガラス材の線熱
膨張係数が異なるため、ガラス基板６３に歪みを生じ
る。また、シリコン材とガラス材は、互いに線熱膨張係
数の近いものが用いられる傾向にはあるが、線熱膨張係
数の等しいものは得られず、陽極接合時に生じる歪みを
なくすことはできない。すなわち、フレーム６２とガラ
ス基板６３を陽極接合すると、フレーム６２とガラス基
板６３との間に歪みを生じ、ガラス基板６３の固定電極
６７とマス部６６の可動電極６８とのギャップ量が変化
して、加速度センサ６１の精度が悪くなるというよう
に、センサの特性に影響を及ぼし、特性の安定した加速
度センサが得られないという問題点があった。However, when the glass substrate 63 is bonded to the frame 62 by the anodic bonding method, the frame 62 and the glass substrate 63 have about 350 parts.
A direct current voltage of about 800 V is applied at a high temperature of ° C. After that, when the temperature is lowered to room temperature again, the silicon material of the frame 62 and the glass material of the glass substrate 63 have different linear thermal expansion coefficients, so that the glass substrate 63 is distorted. Further, although silicon materials and glass materials tend to have materials having similar linear thermal expansion coefficients to each other, those having the same linear thermal expansion coefficient cannot be obtained, and the strain generated during anodic bonding cannot be eliminated. That is, when the frame 62 and the glass substrate 63 are anodically bonded, distortion occurs between the frame 62 and the glass substrate 63, and the gap amount between the fixed electrode 67 of the glass substrate 63 and the movable electrode 68 of the mass portion 66 changes. However, there is a problem in that the accuracy of the acceleration sensor 61 is deteriorated, which affects the characteristics of the sensor and an acceleration sensor having stable characteristics cannot be obtained.
【０００６】また、加速度センサ６１を使用する際に
も、高い温度条件下や温度変化の著しい環境下等で使用
する場合には、フレーム６２のシリコン材とガラス基板
６３のガラス材との線熱膨張係数の差により歪みを生
じ、加速度の測定に誤差を生じるという問題点もあっ
た。Also, when the acceleration sensor 61 is used, when it is used under high temperature conditions or in an environment where the temperature changes drastically, the linear heat between the silicon material of the frame 62 and the glass material of the glass substrate 63. There is also a problem that the difference in the expansion coefficient causes distortion, which causes an error in the measurement of acceleration.
【０００７】これらの歪みを防ぐために、フレーム６２
等に用いるシリコン材の厚さに比較して、ガラス基板６
３に用いるガラス材の厚みを薄くする方法もあるが、ガ
ラス材の加工限界が０.３ｍｍ〜１.５ｍｍ程度であっ
て、ガラス基板６３の厚みを極端に薄くすることができ
ず、依然として歪みを生じていた。To prevent these distortions, the frame 62
Compared with the thickness of the silicon material used for the glass substrate 6
There is also a method of reducing the thickness of the glass material used in No. 3, but the processing limit of the glass material is about 0.3 mm to 1.5 mm, and the thickness of the glass substrate 63 cannot be extremely reduced, and the distortion still occurs. Was occurring.
【０００８】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、フレームや
マス部が作製されるシリコン材と基板のガラス材との線
熱膨張係数の違いより生じる歪みを無くし、温度変化に
よっては測定感度などのセンサ特性に影響を与えない半
導体加速度センサ又は半導体圧力センサを提供すること
にある。The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the conventional examples, and an object of the present invention is to obtain a linear thermal expansion coefficient between a silicon material on which a frame or mass portion is manufactured and a glass material of a substrate. Another object of the present invention is to provide a semiconductor acceleration sensor or a semiconductor pressure sensor that eliminates the distortion caused by the difference between the two and does not affect the sensor characteristics such as measurement sensitivity depending on the temperature change.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体加
速度センサは、弾性を有するビームによりマス部を支持
させた支持体と基板とを貼り合わせた半導体加速度セン
サにおいて、前記基板の前記マス部に対向する面の反対
面に、前記マス部と対応する領域を通過する少なくとも
１本の溝状の歪緩和部を設けたことを特徴としている。A first semiconductor acceleration sensor of the present invention is a semiconductor acceleration sensor in which a support body having a mass portion supported by an elastic beam and a substrate are bonded together. It is characterized in that at least one groove-shaped strain relaxation section that passes through a region corresponding to the mass section is provided on the surface opposite to the surface facing the section.
【００１０】本発明の第２の半導体加速度センサは、弾
性を有するビームによりマス部を支持させた支持体と基
板とを貼り合わせた半導体加速度センサにおいて、前記
基板の前記マス部に対向する面の反対面に、前記マス部
と対応する領域に凹部よりなる歪緩和部を設けたことを
特徴としている。A second semiconductor acceleration sensor of the present invention is a semiconductor acceleration sensor in which a support body having a mass portion supported by an elastic beam and a substrate are bonded together, and a surface of the substrate facing the mass portion is bonded. It is characterized in that a strain relaxation portion formed of a concave portion is provided on the opposite surface in a region corresponding to the mass portion.
【００１１】本発明の第１の半導体圧力センサは、弾性
を有する感圧ダイヤフラム部を形成した支持体と基板と
を貼り合わせた半導体圧力センサにおいて、前記基板の
前記感圧ダイヤフラム部に対向する面の反対面に、前記
感圧ダイヤフラム部と対応する領域を通過する少なくと
も１本の溝状の歪緩和部を設けたことを特徴としてい
る。A first semiconductor pressure sensor of the present invention is a semiconductor pressure sensor in which a support having a pressure-sensitive diaphragm portion having elasticity and a substrate are bonded together, and a surface of the substrate facing the pressure-sensitive diaphragm portion. On the surface opposite to the above, at least one groove-shaped strain relaxation portion that passes through a region corresponding to the pressure-sensitive diaphragm portion is provided.
【００１２】また、本発明の第２の半導体圧力センサ
は、弾性を有する感圧ダイヤフラム部を形成した支持体
と基板とを貼り合わせた半導体圧力センサにおいて、前
記基板の前記感圧ダイヤフラム部に対向する面の反対面
に、前記感圧ダイヤフラム部と対応する領域に凹部より
なる歪緩和部を設けたことを特徴としている。A second semiconductor pressure sensor of the present invention is a semiconductor pressure sensor in which a support body having an elastic pressure-sensitive diaphragm portion and a substrate are bonded together, and the pressure-sensitive diaphragm portion of the substrate is opposed to the pressure-sensitive diaphragm portion. It is characterized in that a strain relief portion formed of a concave portion is provided in a region corresponding to the pressure-sensitive diaphragm portion on the surface opposite to the surface.
【００１３】上記の半導体加速度センサ及び半導体圧力
センサにおいては、ビーム上若しくは感圧ダイヤフラム
部上に歪検出素子を形成することとしてもよい。また、
マス部若しくは感圧ダイヤフラム部の電極面に対向させ
て基板に固定電極を配置することとしてもよい。In the above semiconductor acceleration sensor and semiconductor pressure sensor, the strain detecting element may be formed on the beam or on the pressure sensitive diaphragm portion. Also,
A fixed electrode may be arranged on the substrate so as to face the electrode surface of the mass portion or the pressure-sensitive diaphragm portion.
【００１４】また、半導体加速度センサ及び半導体圧力
センサの基板は、ガラス基板若しくはガラス基板及びシ
リコン半導体基板を接合した２層構造であることとして
もよい。Further, the substrates of the semiconductor acceleration sensor and the semiconductor pressure sensor may have a two-layer structure in which a glass substrate or a glass substrate and a silicon semiconductor substrate are bonded together.
【００１５】[0015]
【作用】本発明においては、基板上に溝状若しくは凹部
よりなる歪緩和部を設けているので、基板に生じる歪み
を歪緩和部で吸収することができる。例えばガラス基板
を用いた場合には、歪緩和部において、陽極接合時に生
じる歪みを小さくすることができる。また、溝状の歪緩
和部はマス部と対応する領域を通過し、あるいは、凹部
よりなる歪緩和部はマス部と対応する領域に設けること
としているので、特にマス部と対応する領域における歪
みを小さくすることができる。また、ガラス基板とシリ
コン基板とを貼り合わせた基板を用いた場合でも同様
に、歪みを少なくすることができる。In the present invention, since the strain relaxation portion formed of a groove or a recess is provided on the substrate, the strain relaxation portion can absorb the strain generated in the substrate. For example, when a glass substrate is used, the strain generated during anodic bonding can be reduced in the strain relaxation section. Further, since the groove-shaped strain relaxation portion passes through the region corresponding to the mass portion, or the strain relaxation portion composed of the concave portion is provided in the region corresponding to the mass portion, the strain in the region corresponding to the mass portion is particularly increased. Can be made smaller. Further, even when a substrate in which a glass substrate and a silicon substrate are attached to each other is used, distortion can be reduced similarly.
【００１６】したがって、例えば、ガラス基板上に設け
た固定電極とマス部若しくは感圧ダイヤフラム部上の可
動電極との間の歪みによるギャップ量の変化が少なく、
固定電極及び可動電極との間の静電容量の値が一定し、
センサ感度などの特性値のバラツキを少なくすることが
できる。また、ピエゾ抵抗素子などの歪検出素子をビー
ム上若しくは感圧ダイヤフラム部上に貼り付けた場合で
あっても、支持体とガラス基板の線熱膨張係数の差によ
る歪みが支持体に付加されないため、最大検出量などの
特性値にも影響を与えない。この結果、製造時のオフセ
ット感度における特性の安定化を図ることができ、歩留
りを向上させることができる。Therefore, for example, the change in the gap amount due to the distortion between the fixed electrode provided on the glass substrate and the movable electrode on the mass portion or the pressure sensitive diaphragm portion is small,
The capacitance value between the fixed electrode and the movable electrode is constant,
It is possible to reduce variations in characteristic values such as sensor sensitivity. Even when a strain detecting element such as a piezoresistive element is attached on the beam or on the pressure-sensitive diaphragm portion, the strain due to the difference in the coefficient of linear thermal expansion between the support and the glass substrate is not added to the support. , It does not affect the characteristic values such as the maximum detection amount. As a result, it is possible to stabilize the characteristics of the offset sensitivity during manufacturing and improve the yield.
【００１７】また、溝状の歪緩和部を設ける位置や本
数、あるいは、凹部よりなる歪緩和部を設ける位置や大
きさを変えることにより、マス部と対応する領域内にお
いて歪みによるバラツキを補正することもできるので、
より精度よく半導体加速度センサまたは半導体圧力セン
サを作製することができる。Further, by varying the position and the number of the groove-shaped strain relief portions or the position and the size of the strain relief portion composed of the concave portion, the variation due to the strain is corrected in the region corresponding to the mass portion. You can also
A semiconductor acceleration sensor or a semiconductor pressure sensor can be manufactured more accurately.
【００１８】また、温度変化による歪みを小さくするこ
とができるので、測定温度の変化による測定誤差を生じ
ることが少なく、幅の広い使用温度においても精度よく
測定できる半導体加速度センサ及び半導体圧力センサを
作製することができる。Further, since the strain due to the temperature change can be reduced, the measurement error due to the change of the measurement temperature is less likely to occur, and the semiconductor acceleration sensor and the semiconductor pressure sensor which can be accurately measured even in a wide operating temperature are manufactured. can do.
【００１９】[0019]
【実施例】図１に本発明による加速度センサ１を示す。
図１（ａ）は加速度センサ１を示す平面図、図１（ｂ）
は図１（ａ）におけるＡ−Ａ´線断面図である。図１
（ｂ）に示すように、加速度センサ１は、軸棒状若しく
は薄肉状をした２本のビーム５によって片持ち状にフレ
ーム２に支持されたマス部６が角枠状をしたフレーム２
の開口部分の中央に配設され、マス部６はビーム５の弾
性変形によってマス部６の厚さ方向に自由に微小変位で
きるようになっている。また、フレーム２とビーム５及
びマス部６は、結晶シリコンウエハを半導体製造プロセ
スを用いて一体として形成されており、マス部６の固定
電極７に対向した面６ａは可動電極８として機能するよ
うになっている。また、フレーム２の上面及び下面には
ガラス製のカバー３が重ねられ、カバー３の周辺部は陽
極接合法により約３５０℃に加温し約８００Ｖの直流電
圧を印加してフレーム２に接合されている。フレーム２
の上面のカバー３の内面には可動電極８に対向してマス
部６の変位を検知するための固定電極７が配設されてい
る。1 shows an acceleration sensor 1 according to the present invention.
FIG. 1A is a plan view showing the acceleration sensor 1, and FIG.
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. Figure 1
As shown in (b), the acceleration sensor 1 includes a frame 2 having a square frame-shaped mass portion 6 supported by the frame 2 in a cantilevered manner by two beams 5 each having an axial rod shape or a thin wall shape.
The mass portion 6 is arranged at the center of the opening of the mass portion 6 and can be freely displaced in the thickness direction of the mass portion 6 by elastic deformation of the beam 5. Further, the frame 2, the beam 5 and the mass portion 6 are integrally formed of a crystalline silicon wafer by using a semiconductor manufacturing process, and the surface 6 a of the mass portion 6 facing the fixed electrode 7 functions as the movable electrode 8. It has become. Further, a glass cover 3 is laid on the upper and lower surfaces of the frame 2, and the peripheral portion of the cover 3 is heated to about 350 ° C. by an anodic bonding method and a DC voltage of about 800 V is applied to bond the frame 3 to the frame 2. ing. Frame 2
A fixed electrode 7 for detecting the displacement of the mass portion 6 is disposed on the inner surface of the cover 3 on the upper surface of the cover 3 so as to face the movable electrode 8.
【００２０】フレーム２の上面のガラス製のカバー３の
外面には、図１（ａ）に示すように、マス部６の中心を
通りマス部６を縦横に直交する２本のダイシングライン
９が、カバー３の厚さの約半分程度の深さで設けられて
いる。また、フレーム２の下面のカバー３の外面にも同
様に、マス部６の中心を通りマス部６を縦横に直交する
２本のダイシングライン９が設けられている。On the outer surface of the glass cover 3 on the upper surface of the frame 2, as shown in FIG. 1A, two dicing lines 9 passing through the center of the mass portion 6 and orthogonally crossing the mass portion 6 vertically and horizontally are provided. The depth of the cover 3 is about half the thickness of the cover 3. Similarly, on the outer surface of the cover 3 on the lower surface of the frame 2, two dicing lines 9 passing through the center of the mass portion 6 and orthogonally crossing the mass portion 6 vertically and horizontally are provided.
【００２１】この加速度センサ１においては、薄板状の
ガラス板にダイシングソーによりダイシングライン９を
設けたカバー３を作製し、その後フレーム２の上下面に
カバー３を陽極接合してある。このように、ダイシング
ライン９を設けたカバー３を接合すれば、陽極接合法に
よる歪みを防ぐことができ、固定電極７及び可動電極８
間のギャップ量の変化を少なくすることができる。した
がって、陽極接合法にて加速度センサ１を作製する場合
にも、固定電極７と可動電極８との間のギャップ量が変
化したために所定の精度を得ることができず不良品とし
て取り扱われることが少なくなり、製品の歩留りを上げ
ることができる。In this acceleration sensor 1, a cover 3 having a thin glass plate provided with a dicing line 9 with a dicing saw is produced, and then the cover 3 is anodically bonded to the upper and lower surfaces of the frame 2. By joining the cover 3 provided with the dicing line 9 in this manner, distortion due to the anodic joining method can be prevented, and the fixed electrode 7 and the movable electrode 8 can be prevented.
It is possible to reduce the change in the gap amount between them. Therefore, even when the acceleration sensor 1 is manufactured by the anodic bonding method, a predetermined accuracy cannot be obtained because the gap amount between the fixed electrode 7 and the movable electrode 8 is changed, and it may be treated as a defective product. It can be reduced and the product yield can be increased.
【００２２】また、加速度センサの使用温度が高い場合
や環境の温度変化が激しい場合でも、カバー３とマス部
６とに生じる歪みが少ないので、加速度センサ１の検出
精度に影響を与えることがなく、温度変化による測定誤
差を少なくできる。また、温度変化によるギャップ量の
変化は少ないので、より高い温度においても使用するこ
とができるようにもなる。Further, even when the acceleration sensor is used at a high temperature or when the temperature of the environment changes drastically, the distortion generated in the cover 3 and the mass portion 6 is small, so that the detection accuracy of the acceleration sensor 1 is not affected. The measurement error due to temperature change can be reduced. Further, since the change in the gap amount due to the temperature change is small, it can be used even at a higher temperature.
【００２３】また、フレーム２とカバー３とを陽極接合
したのちに、カバー３にダイシングライン９を設けるこ
ととしてもよい。この場合であっても、温度変化による
感度の変化を少なくすることができる。Further, the dicing line 9 may be provided in the cover 3 after the frame 2 and the cover 3 are anodically bonded. Even in this case, it is possible to reduce changes in sensitivity due to changes in temperature.
【００２４】なお、ダイシングライン９は、本実施例の
ように、望ましくはマス部６の中心を通り、マス部６を
縦横に直交するように設けるのが効果的ではあるが、こ
れに限られるものではない。例えば、マス部６の中心を
通りマス部６を横切する１本のダイシングライン９を設
けることでもよい。また、マス部６を横切するダイシン
グライン９を３本以上設けることとしてもよい。このよ
うに、ダイシングライン９の本数を増やしたり、ダイシ
ングライン９の設ける位置を変えることにすれば、マス
部６の平面内におけるバラツキを補正することができる
ので、より精度のよい加速度センサを作製することがで
きる。It is effective that the dicing line 9 passes through the center of the mass portion 6 and the mass portion 6 is orthogonal to the vertical and horizontal directions, as in the present embodiment, but the present invention is not limited to this. Not a thing. For example, one dicing line 9 that passes through the center of the mass portion 6 and crosses the mass portion 6 may be provided. In addition, three or more dicing lines 9 that cross the mass portion 6 may be provided. In this way, by increasing the number of dicing lines 9 or changing the position where the dicing lines 9 are provided, variations in the plane of the mass portion 6 can be corrected, so that a more accurate acceleration sensor can be manufactured. can do.
【００２５】また、ダイシングライン９は、例えば数ｍ
ｍ程度の幅が広いものであってもよい。さらに、ダイシ
ングライン９の深さは、深いほどよいがガラスの加工限
界等を考慮して決めることにすればよい。The dicing line 9 is, for example, several meters.
It may be as wide as about m. Further, the deeper the dicing line 9 is, the better, but it may be determined in consideration of the processing limit of glass and the like.
【００２６】図２は本発明のさらに別な実施例である加
速度センサ１１を示す。図２（ａ）は加速度センサ１１
の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ´線断面図
である。図２（ａ）（ｂ）に示すように、フレーム２の
上面及び下面のカバー３には、ほぼマス部６全体を含む
ように凹部１２が設けられている。このように、カバー
３のマス部６に対向する面の反対面、特にマス部６と対
応する領域においてカバー３の厚さを薄く加工すれば、
薄肉となった凹部１２によって歪みを吸収させることが
でき、カバー３のガラス材とマス部６のシリコン材との
線熱膨張率の差による歪みを少なくすることができ、固
定電極７及び可動電極８とのギャップ量の変動を少なく
することができる。FIG. 2 shows an acceleration sensor 11 which is another embodiment of the present invention. FIG. 2A shows an acceleration sensor 11
2B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. As shown in FIGS. 2A and 2B, the cover 3 on the upper surface and the lower surface of the frame 2 is provided with a recess 12 so as to substantially include the entire mass portion 6. In this way, if the thickness of the cover 3 is thinned on the surface opposite to the surface of the cover 3 facing the mass portion 6, particularly in the region corresponding to the mass portion 6,
Strain can be absorbed by the thin recess 12 and strain due to the difference in coefficient of linear thermal expansion between the glass material of the cover 3 and the silicon material of the mass portion 6 can be reduced, and the fixed electrode 7 and the movable electrode 7 can be reduced. It is possible to reduce fluctuations in the gap amount with respect to No. 8.
【００２７】なお、凹部１２はマス部６の中心に位置す
るように設けると効果的である。また、マス部６の中心
の位置からずらして凹部１２を設けたり、凹部１２の面
積を広げたり狭めたりすることにより、マス部６と対応
する領域内における歪みのバラツキを少なくすることも
できる。It is effective to provide the recess 12 so as to be located at the center of the mass portion 6. Further, it is possible to reduce the variation of the strain in the region corresponding to the mass portion 6 by providing the recessed portion 12 displaced from the center position of the mass portion 6 or by widening or narrowing the area of the recessed portion 12.
【００２８】図３に本発明のさらに別な実施例である加
速度センサ２１を示す。図３（ａ）は加速度センサ２１
の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ´線断面図
である。図３（ｂ）に示すように、ビーム２５及びマス
部２６が形成されたフレーム２２の上面及び下面には、
ガラス製の第１のカバー材２３ａとシリコン製の第２の
カバー材２３ｂとが陽極接合されたカバー２３が、第１
のカバー材２３ａとマス部２６とを対向するように重ね
られ、カバー２３の周辺部は陽極接合法によりフレーム
２２に接合されている。このシリコン製の第２のカバー
材２３ｂには、図３（ａ）に示すように、マス部２６の
中心を通りマス部２６を縦横に直交する２本のダイシン
グライン２９が設けられている。FIG. 3 shows an acceleration sensor 21 which is still another embodiment of the present invention. FIG. 3A shows the acceleration sensor 21.
3B is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG. 3A. As shown in FIG. 3B, on the upper surface and the lower surface of the frame 22 on which the beam 25 and the mass portion 26 are formed,
The cover 23 in which the first cover material 23a made of glass and the second cover material 23b made of silicon are anodically bonded is
The cover material 23a and the mass portion 26 are stacked so as to face each other, and the peripheral portion of the cover 23 is joined to the frame 22 by an anodic joining method. As shown in FIG. 3A, the second cover material 23b made of silicon is provided with two dicing lines 29 passing through the center of the mass portion 26 and orthogonally crossing the mass portion 26 vertically and horizontally.
【００２９】また、ダイシングライン２９は、本実施例
のように、第１のカバー材２３ａの上面にまで届く深い
ものが望ましいが、第２のカバー材２３ｂの途中の深さ
までであってもよい。また、ガラス製の第１のカバー材
２３ａの厚さは、シリコン製の第２のカバー材２３ｂの
厚さに比較して薄くするのが望ましい（ただし、ガラス
の加工限界から考えると、その厚さは約０.３ｍｍが限
界である）。Further, the dicing line 29 is preferably deep so as to reach the upper surface of the first cover material 23a as in the present embodiment, but may be up to an intermediate depth of the second cover material 23b. . Further, it is desirable that the thickness of the first cover material 23a made of glass is thinner than the thickness of the second cover material 23b made of silicon (However, considering the processing limit of glass, the thickness of The limit is about 0.3 mm).
【００３０】このように、ガラス製の第１のカバー材２
３ａの外側にシリコン製の第２のカバー２３ｂを接合し
た２層状のカバー２３を陽極接合する場合においても、
ダイシングライン２９を設けると、歪みを少なくするこ
とができ、歩留りよく加速度センサ２１を作製すること
ができる。As described above, the first cover member 2 made of glass is used.
Also in the case of anodic bonding the two-layer cover 23 in which the second cover 23b made of silicon is bonded to the outside of 3a,
When the dicing line 29 is provided, distortion can be reduced and the acceleration sensor 21 can be manufactured with high yield.
【００３１】なお、ダイシングライン２９は、加速度セ
ンサ１のように、望ましくはマス部２６の中心を通りマ
ス部２６を縦横に直交するように設けるのが効果的では
あるが、第１の実施例と同様、これに限られるものでは
ない。The dicing line 29, like the acceleration sensor 1, is preferably provided so as to pass through the center of the mass portion 26 and be orthogonal to the mass portion 26 in the vertical and horizontal directions. Like, is not limited to this.
【００３２】図４に、さらに別な実施例である加速度セ
ンサ３１を示す。図４（ａ）は加速度センサ３１の平面
図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ´線断面図であ
る。図４（ｂ）に示すように、カバー２３にはほぼマス
部２６全体を含むように凹部３２が設けられている。FIG. 4 shows an acceleration sensor 31 which is another embodiment. FIG. 4A is a plan view of the acceleration sensor 31, and FIG. 4B is a sectional view taken along the line DD ′ of FIG. 4A. As shown in FIG. 4B, the cover 23 is provided with a concave portion 32 so as to substantially include the entire mass portion 26.
【００３３】この加速度センサ３１においては、ガラス
製の第１のカバー材２３ａとシリコン製の第２のカバー
材２３ｂとが陽極接合され、次にエッチング手法により
第２のカバー材２３ｂに凹部３２が設けられ、カバー２
３が作製される。この凹部３２が設けられたカバー２３
が、マス部２６等の形成されたフレーム２２の上下面に
陽極接合法により接合され、加速度センサ３１が作製さ
れる。In this acceleration sensor 31, the first cover member 23a made of glass and the second cover member 23b made of silicon are anodically bonded, and then the recess 32 is formed in the second cover member 23b by an etching method. Provided, cover 2
3 is produced. The cover 23 provided with this recess 32
Are bonded to the upper and lower surfaces of the frame 22 on which the mass portion 26 and the like are formed by the anodic bonding method, and the acceleration sensor 31 is manufactured.
【００３４】図５に本発明のさらに別な実施例である加
速度センサ４１を示す。図５（ａ）は加速度センサ４１
を示す平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＥ−Ｅ´線
断面図である。図５（ｂ）に示すように、加速度センサ
４１のビーム５上には、マス部６の変位を検出するため
のピエゾ抵抗素子１０が貼り付けられている。また、フ
レーム２の上面のカバー３の外面には、図５（ａ）に示
すように、マス部６の中心を通り、マス部６を縦横に直
交する２本のダイシングライン９が設けられている。ま
た、フレーム２の下面のカバー３の外面にも同様にダイ
シングライン９が設けられている。FIG. 5 shows an acceleration sensor 41 which is still another embodiment of the present invention. FIG. 5A shows an acceleration sensor 41.
5B is a cross-sectional view taken along line EE ′ of FIG. 5A. As shown in FIG. 5B, the piezoresistive element 10 for detecting the displacement of the mass portion 6 is attached on the beam 5 of the acceleration sensor 41. Further, on the outer surface of the cover 3 on the upper surface of the frame 2, as shown in FIG. 5A, two dicing lines 9 that pass through the center of the mass portion 6 and are orthogonal to each other in the vertical and horizontal directions are provided. There is. Further, a dicing line 9 is similarly provided on the outer surface of the cover 3 on the lower surface of the frame 2.
【００３５】このピエゾ抵抗素子１０が貼り付けられた
加速度センサ４１においても、シリコン材であるフレー
ム２とガラス基板の線熱膨張係数の差によるフレーム２
への歪みを少なくでき、ピエゾ抵抗素子１０への影響が
少なくなる。また、カバー３とマス部６との間のギャッ
プ量の変動をほとんど無くすることができる。このた
め、陽極接合によりギャップ量が狭くなって、マス部６
がカバー３と干渉し易くなり、その結果所定の最大検出
量が得られないということがなくなり、加速度センサ４
１を安定に得ることができる。また、温度変化によるピ
エゾ抵抗素子１０への影響やギャップ量の変化も少ない
ために、より広い温度範囲で使用することもできる。Also in the acceleration sensor 41 to which the piezoresistive element 10 is attached, the frame 2 due to the difference in linear thermal expansion coefficient between the frame 2 which is a silicon material and the glass substrate.
Strain on the piezoresistive element 10 is reduced. Further, it is possible to almost eliminate the fluctuation of the gap amount between the cover 3 and the mass portion 6. Therefore, the gap amount is narrowed by the anodic bonding, and the mass portion 6
Is more likely to interfere with the cover 3, and as a result, the predetermined maximum detection amount cannot be obtained, and the acceleration sensor 4
1 can be stably obtained. Further, since the influence of the temperature change on the piezoresistive element 10 and the change of the gap amount are small, it can be used in a wider temperature range.
【００３６】図６に本発明の一実施例である圧力センサ
５１を示す。図６（ａ）は圧力センサ５１の平面図、図
６（ｂ）は図６（ａ）のＦ−Ｆ´線断面図である。圧力
センサ５１は、角枠状をしたフレーム５２の枠内全面に
薄膜状に支持されたダイヤフラム部５６が中央に配設さ
れ、ダイヤフラム部５６の弾性変形によってダイヤフラ
ム部５６の厚さ方向に自由に微小変位できるようになっ
ている。また、フレーム５２とダイヤフラム部５６は、
結晶シリコンウエハを半導体製造プロセスを用いて一体
として形成されており、ダイヤフラム部５６の固定電極
５７に対向する面５６ａは可動電極５８として機能す
る。FIG. 6 shows a pressure sensor 51 which is an embodiment of the present invention. 6A is a plan view of the pressure sensor 51, and FIG. 6B is a sectional view taken along the line FF ′ of FIG. 6A. In the pressure sensor 51, a diaphragm portion 56, which is supported in a thin film shape, is disposed in the center on the entire surface of a frame 52 having a square frame shape, and the diaphragm portion 56 is elastically deformed to freely move in the thickness direction of the diaphragm portion 56. It is designed to be able to make small displacements. Further, the frame 52 and the diaphragm portion 56 are
A crystalline silicon wafer is integrally formed by using a semiconductor manufacturing process, and a surface 56a of the diaphragm portion 56 facing the fixed electrode 57 functions as a movable electrode 58.
【００３７】フレーム５２の上面及び下面にはガラス製
のカバー５３が、フレーム５２に重ねられ、カバー５３
の周辺部は陽極接合法により接合されている。フレーム
５２上面のカバー５３の内面には可動電極５８に対向し
てダイヤフラム部５６の変位を検知するための固定電極
５７が配設されている。また、図示はしないが、フレー
ム５２の下面のカバー５３には、圧力導入口が開口され
ていて、圧力導入口から目的とする空気や水などの圧力
を持ったガスや液体が送り込まれるようになっている。A glass cover 53 is placed on the upper surface and the lower surface of the frame 52 so as to overlap the frame 52.
The peripheral portion of is bonded by the anodic bonding method. A fixed electrode 57 for detecting the displacement of the diaphragm portion 56 is provided on the inner surface of the cover 53 on the upper surface of the frame 52 so as to face the movable electrode 58. Although not shown, the cover 53 on the lower surface of the frame 52 has a pressure inlet opening so that a gas or liquid having a desired pressure such as air or water can be fed from the pressure inlet. Has become.
【００３８】また、図６（ａ）に示すように、フレーム
５２の上下面のカバー５３にはそれぞれ、マス部５６の
中心を通りマス部５６を縦横に直交する２本のダイシン
グライン５９が、カバー５３の厚さの約半分程度の深さ
で設けられている。このようにダイシングライン５９が
設けられた圧力センサ５１においては、ガラス材とシリ
コン材の線熱膨張係数の差による歪みが生じるのを防
ぎ、温度差による固定電極５７とダイヤフラム部５６と
の間のギャップ量の変化を少なくすることができる。Further, as shown in FIG. 6A, two dicing lines 59 which pass through the center of the mass portion 56 and are orthogonal to each other in the vertical and horizontal directions are provided on the upper and lower covers 53 of the frame 52, respectively. The cover 53 is provided with a depth of about half the thickness of the cover 53. In the pressure sensor 51 provided with the dicing line 59 as described above, distortion due to the difference in linear thermal expansion coefficient between the glass material and the silicon material is prevented from occurring, and the temperature difference between the fixed electrode 57 and the diaphragm portion 56 is prevented. The change in the gap amount can be reduced.
【００３９】また、ダイシングラインを設ける他に、図
２の実施例と同様にマス部に該当する領域を含むよう
に、カバーに凹部を設けることとしてもよい。Besides providing the dicing line, a recess may be provided in the cover so as to include a region corresponding to the mass portion as in the embodiment of FIG.
【００４０】さらに、図３又は図４に示すような加速度
センサの構造を圧力センサに応用することも可能であっ
て、フレームの上面及び下面にガラス製のカバー材とシ
リコン製のカバー材を接合したカバーを重ねることにし
てもよい。さらに、図５に示すように、ダイヤフラム部
上にピエゾ抵抗素子を貼り付けることとしてもよい。Further, the structure of the acceleration sensor as shown in FIG. 3 or FIG. 4 can be applied to the pressure sensor, and the cover material made of glass and the cover material made of silicon are joined to the upper and lower surfaces of the frame. The covers may be stacked. Further, as shown in FIG. 5, a piezoresistive element may be attached on the diaphragm portion.
【００４１】図７はダイシングラインの形態と単位温度
当りのギャップ量の変化量との関係を示す図である。異
なるダイシングラインをカバーに設けた本発明による加
速度センサを用いて、温度変化による固定電極とマス部
の電極面との間のギャップ量の変化量を測定した結果を
表わす。実験には、ガラス製のカバー材とシリコン製の
カバー材よりなるカバーをフレームに貼り合わせた５層
構造の加速度センサを用いた。なお、横軸には実験に用
いたサンプル番号、縦軸には単位温度当りのギャップ量
の変化量を示している。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the form of the dicing line and the amount of change in the gap amount per unit temperature. The results of measuring the amount of change in the gap amount between the fixed electrode and the electrode surface of the mass portion due to temperature change using the acceleration sensor according to the present invention in which different dicing lines are provided on the cover are shown. In the experiment, a 5-layer structure acceleration sensor in which a cover made of a glass cover material and a cover material made of silicon were attached to a frame was used. The horizontal axis shows the sample number used in the experiment, and the vertical axis shows the amount of change in the gap amount per unit temperature.
【００４２】従来例として、ダイシングラインを設けて
いない加速度センサ、つまり、ガラス製の第１のカバー
材とシリコン製の第２のカバー材とを陽極接合したカバ
ーを作製し、フレームの上下面にこの２層のカバーを陽
極接合した加速度センサを用いた（サンプル１）。な
お、フレームの厚さは４００μｍ、ガラス製の第１のカ
バー材の厚さは４００μｍ、またシリコン製の第２のカ
バー材の厚さは５００μｍのものをそれぞれ用いた。ま
た、固定電極とマス部の可動電極表面とのギャップ量は
３μｍとした。As a conventional example, an acceleration sensor having no dicing line, that is, a cover in which a first cover material made of glass and a second cover material made of silicon are anodically bonded to each other is prepared, and the upper and lower surfaces of the frame are formed. An acceleration sensor in which this two-layer cover was anodically bonded was used (Sample 1). A frame having a thickness of 400 μm, a glass first cover member having a thickness of 400 μm, and a silicon second cover member having a thickness of 500 μm were used. Further, the gap amount between the fixed electrode and the movable electrode surface of the mass portion was 3 μm.
【００４３】実施例のサンプルには、それぞれ従来例と
同じ構造をしたものにそれぞれ異なるダイシングライン
を設けた加速度センサを用いた。ここでは、０.１ｍｍ
幅のダイシングラインを１本設けた加速度センサ（サン
プル２）、０.１ｍｍ幅のダイシングラインを２本平行
に設けた加速度センサ（サンプル３）、０.１ｍｍ幅の
ダイシングラインを縦横に２本直交させて設けた加速度
センサ（サンプル４）及び２ｍｍ幅のダイシングライン
を１本を設けた加速度センサ（サンプル５）の４種類の
加速度センサを用いた。また、いずれのダイシングライ
ンもマス部の中心を通るように設けた。As the samples of the examples, acceleration sensors each having the same structure as the conventional example and provided with different dicing lines were used. Here, 0.1 mm
Acceleration sensor with one width dicing line (Sample 2), two 0.1 mm width dicing lines in parallel (Sample 3), two 0.1 mm width dicing lines vertically and horizontally Four types of acceleration sensors were used: an acceleration sensor (Sample 4) provided in this way and an acceleration sensor (Sample 5) provided with one dicing line having a width of 2 mm. Further, each dicing line was provided so as to pass through the center of the mass portion.
【００４４】図７からわかるように、サンプル２のダイ
シングラインを１本設けた加速度センサでは、ギャップ
量の変化は、従来例であるサンプル１の１０×１０
-4（μｍ／℃）から、６.２×１０-4（μｍ／℃）へと
約６０％にまで減少した。さらにサンプル３のダイシン
グラインを２本設けた加速度センサでは、さらにギャッ
プ量の変化量は少なくなった。As can be seen from FIG. 7, in the acceleration sensor provided with one dicing line of sample 2, the gap amount changes by 10 × 10 of sample 1 which is the conventional example.
-4 (μm / ° C) to 6.2 × 10 -4 (μm / ° C), down to about 60%. Furthermore, in the acceleration sensor having two dicing lines of sample 3, the amount of change in the gap amount was further reduced.
【００４５】また、同じ幅の２本のダイシングラインで
も、サンプル４のようにダイシングラインを直交させて
設けた加速度センサでは、その変化量は１.９×１０-4
（μｍ／℃）へと、従来例に比べ約１／５に、また、２
本平行に設けたサンプル３の加速度センサに比較しても
約１／２に減少している。さらに、サンプル５の２ｍｍ
幅のダイシングラインを設けた加速度センサにおいて
は、約１／１０に減少することがわかる。Even in the case of two dicing lines having the same width, the change amount is 1.9 × 10 −4 in the acceleration sensor in which the dicing lines are provided so as to be orthogonal to each other as in Sample 4.
(Μm / ° C), about 1/5 of the conventional example, and 2
Compared to the acceleration sensor of Sample 3 provided in parallel, the value is reduced to about 1/2. Furthermore, 2 mm of sample 5
It can be seen that the acceleration sensor provided with the dicing line having the width reduces to about 1/10.
【００４６】このように、ダイシングラインをカバーに
設けることにより、温度の変化によるギャップ量の変化
を少なくすることができる。この実験では、２ｍｍ幅の
ダイシングラインを設けたときに最も効果が大きかった
が、幅広いダイシングラインを設ける作業性等を考慮す
れば、ダイシングラインの幅は狭くとも、直交する２本
のダイシングラインを設けるのが効果的であった。As described above, by providing the dicing line on the cover, the change in the gap amount due to the change in temperature can be reduced. In this experiment, the effect was greatest when a dicing line having a width of 2 mm was provided. However, considering the workability of providing a wide dicing line, even if the width of the dicing line is narrow, two dicing lines that are orthogonal to each other are used. It was effective to provide.
【００４７】[0047]
【発明の効果】本発明の半導体加速度センサ及び半導体
圧力センサにあっては、陽極接合時に発生する歪みを少
なくすることができる。したがって、陽極接合時に生じ
る基板とマス部とのギャップ量の変化を少なくすること
ができるので、センサの感度や最大検出量などのセンサ
の特性値が一定したものが得られるようになる。また、
溝状や凹部からなる歪緩和部を設けることで、歪みのバ
ラツキも調整することができるので、さらに、特性値を
安定することができる。According to the semiconductor acceleration sensor and the semiconductor pressure sensor of the present invention, the strain generated during anodic bonding can be reduced. Therefore, it is possible to reduce a change in the amount of the gap between the substrate and the mass portion that occurs during anodic bonding, and it is possible to obtain a sensor having constant sensor characteristic values such as the sensitivity and the maximum detection amount. Also,
By providing the strain relief portion having a groove shape or a concave portion, variation in strain can be adjusted, and thus the characteristic value can be further stabilized.
【００４８】また、オフセット感度による特性の安定化
を図ることができるので、半導体加速度センサ若しくは
半導体圧力センサの歩留りを向上させることができる。Since the characteristics can be stabilized by the offset sensitivity, the yield of the semiconductor acceleration sensor or the semiconductor pressure sensor can be improved.
【００４９】また、温度変化による歪みを小さくするこ
とができるので、使用温度によるセンサの測定誤差等も
少なくすることができ、幅の広い温度範囲で精度よく測
定することができる。Further, since the distortion due to the temperature change can be reduced, the measurement error of the sensor due to the operating temperature can be reduced and the measurement can be performed accurately in a wide temperature range.
【図１】（ａ）は本発明の一実施例である加速度センサ
の平面図、（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ´線断面
図である。FIG. 1A is a plan view of an acceleration sensor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
【図２】（ａ）は本発明の別な実施例である加速度セン
サの平面図、（ｂ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ´線断
面図である。FIG. 2A is a plan view of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a sectional view taken along line BB ′ in FIG.
【図３】（ａ）は本発明のさらに別な実施例である加速
度センサの平面図、（ｂ）は図３（ａ）におけるＣ−Ｃ
´線断面図である。3A is a plan view of an acceleration sensor according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a sectional view taken along line CC in FIG. 3A.
It is a cross-sectional view taken along the line.
【図４】（ａ）は本発明のさらに別な実施例である加速
度センサの平面図、（ｂ）は図４（ａ）におけるＤ−Ｄ
´線断面図である。4A is a plan view of an acceleration sensor according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a DD view of FIG. 4A.
It is a cross-sectional view taken along the line.
【図５】（ａ）は本発明のさらに別な実施例である加速
度センサの平面図、（ｂ）は図５（ａ）におけるＥ−Ｅ
´線断面図である。5A is a plan view of an acceleration sensor according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a sectional view taken along line EE in FIG. 5A.
It is a cross-sectional view taken along the line.
【図６】（ａ）は本発明のさらに別な実施例である加速
度センサの平面図、（ｂ）は図６（ａ）におけるＦ−Ｆ
´線断面図である。6A is a plan view of an acceleration sensor according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a sectional view taken along line FF in FIG. 6A.
It is a cross-sectional view taken along the line.
【図７】ダイシングラインの形態と単位温度当りのギャ
ップ量の変化量との関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the form of the dicing line and the amount of change in the gap amount per unit temperature.
【図８】従来例の加速度センサを示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional acceleration sensor.
２ フレーム ３ カバー ６ マス部 ９ ダイシングライン １２ 凹部 2 Frame 3 Cover 6 Mass 9 Dicing line 12 Recess
Claims (12)
させた支持体と基板とを貼り合わせた半導体加速度セン
サにおいて、 前記基板の前記マス部に対向する面の反対面に、前記マ
ス部と対応する領域を通過する少なくとも１本の溝状の
歪緩和部を設けたことを特徴とする加速度センサ。1. A semiconductor acceleration sensor in which a substrate having a mass portion supported by an elastic beam and a substrate are bonded together, wherein a surface of the substrate opposite to a surface facing the mass portion corresponds to the mass portion. An acceleration sensor, characterized in that at least one groove-shaped strain relaxation section that passes through the area is provided.
させた支持体と基板とを貼り合わせた半導体加速度セン
サにおいて、 前記基板の前記マス部に対向する面の反対面に、前記マ
ス部と対応する領域に凹部よりなる歪緩和部を設けたこ
とを特徴とする加速度センサ。2. A semiconductor acceleration sensor in which a substrate having a mass portion supported by an elastic beam and a substrate are bonded to each other, wherein the surface opposite to the surface of the substrate facing the mass portion corresponds to the mass portion. An acceleration sensor, characterized in that a strain relaxation portion formed of a concave portion is provided in a region to be formed.
徴とする請求項１又は２に記載の半導体加速度センサ。3. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein a strain detecting element is provided on the beam.
固定電極を配置したことを特徴とする請求項１又は２に
記載の半導体加速度センサ。4. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein a fixed electrode is arranged on the substrate so as to face the electrode surface of the mass portion.
とする請求項１，２，３又は４に記載の半導体加速度セ
ンサ。5. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the substrate is a glass substrate.
体基板が接合された２層構造であることを特徴とする請
求項１，２，３又は４に記載の半導体加速度センサ。6. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein the substrate has a two-layer structure in which a glass substrate and a silicon semiconductor substrate are bonded together.
した支持体と基板とを貼り合わせた半導体圧力センサに
おいて、 前記基板の前記感圧ダイヤフラム部に対向する面の反対
面に、前記感圧ダイヤフラム部と対応する領域を通過す
る少なくとも１本の溝状の歪緩和部を設けたことを特徴
とする半導体圧力センサ。7. A semiconductor pressure sensor in which a support having a pressure-sensitive diaphragm portion having elasticity and a substrate are bonded together, wherein the pressure-sensitive diaphragm is provided on a surface of the substrate opposite to a surface facing the pressure-sensitive diaphragm portion. A semiconductor pressure sensor, wherein at least one groove-shaped strain relaxation section that passes through a region corresponding to the section is provided.
した支持体と基板とを貼り合わせた半導体圧力センサに
おいて、 前記基板の前記感圧ダイヤフラム部に対向する面の反対
面に、前記感圧ダイヤフラム部と対応する領域に凹部よ
りなる歪緩和部を設けたことを特徴とする半導体圧力セ
ンサ。8. A semiconductor pressure sensor in which a support having a pressure-sensitive diaphragm portion having elasticity and a substrate are bonded together, wherein the pressure-sensitive diaphragm is provided on a surface of the substrate opposite to a surface facing the pressure-sensitive diaphragm portion. A semiconductor pressure sensor characterized in that a strain relaxation portion formed of a concave portion is provided in a region corresponding to the portion.
を設けたことを特徴とする請求項７又は８に記載の半導
体圧力センサ。9. The semiconductor pressure sensor according to claim 7, wherein a strain detecting element is provided on the pressure sensitive diaphragm portion.
向させて前記基板に固定電極を配置したことを特徴とす
る請求項７又は８に記載の半導体圧力センサ。10. The semiconductor pressure sensor according to claim 7, wherein a fixed electrode is arranged on the substrate so as to face the electrode surface of the pressure-sensitive diaphragm portion.
徴とする請求項７，８，９又は１０に記載の半導体圧力
センサ。11. The semiconductor pressure sensor according to claim 7, 8, 9 or 10, wherein the substrate is a glass substrate.
導体基板が接合された２層構造であることを特徴とする
請求項７，８，９又は１０に記載の半導体圧力センサ。12. The semiconductor pressure sensor according to claim 7, wherein the substrate has a two-layer structure in which a glass substrate and a silicon semiconductor substrate are bonded together.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7875093A JPH06265570A (en) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | Semiconductor acceleration sensor and pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7875093A JPH06265570A (en) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | Semiconductor acceleration sensor and pressure sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06265570A true JPH06265570A (en) | 1994-09-22 |
Family
ID=13670576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7875093A Pending JPH06265570A (en) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | Semiconductor acceleration sensor and pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06265570A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007116740A1 (en) | 2006-03-29 | 2007-10-18 | Mitsubishi Materials Corporation | Arc start material for electroslag redissolution of super alloy and arc stating method employing that arc start material |
-
1993
- 1993-03-11 JP JP7875093A patent/JPH06265570A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007116740A1 (en) | 2006-03-29 | 2007-10-18 | Mitsubishi Materials Corporation | Arc start material for electroslag redissolution of super alloy and arc stating method employing that arc start material |
| US8177879B2 (en) | 2006-03-29 | 2012-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Arc start material for electroslag remelting of superalloy and arc starting method employing the arc start material |
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