JPH06259731A - Magneto-resistance effect type magnetic head - Google Patents
Magneto-resistance effect type magnetic headInfo
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- JPH06259731A JPH06259731A JP32932193A JP32932193A JPH06259731A JP H06259731 A JPH06259731 A JP H06259731A JP 32932193 A JP32932193 A JP 32932193A JP 32932193 A JP32932193 A JP 32932193A JP H06259731 A JPH06259731 A JP H06259731A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録再生するのに好適な磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic resistance effect type magnetic head suitable for recording and reproducing on, for example, a hard disk.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブ装置
等に搭載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長
感度に優れることから磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと称する。）が一般的に使用されてい
る。2. Description of the Related Art For example, as a read-only magnetic head mounted on a hard disk drive or the like, a magnetoresistive magnetic head (hereinafter referred to as an MR head) is generally used because of its excellent short wavelength sensitivity. It is used.
【０００３】上記ＭＲヘッドは、例えば先端部と後端部
にそれぞれ電極を積層した磁気抵抗効果薄膜よりなる磁
気抵抗効果感磁部（以下、ＭＲ感磁部と称する。）と、
このＭＲ感磁部に所要の向きの磁化状態を与えるバイア
ス導体とを有して構成されている。The MR head has, for example, a magnetoresistive effect sensitive section (hereinafter referred to as an MR sensitive section) which is composed of a magnetoresistive effect thin film in which electrodes are laminated at the front end portion and the rear end portion, respectively.
The MR magnetic sensing section is configured to have a bias conductor that gives a magnetized state in a desired direction.
【０００４】かかるＭＲヘッドは、例えばＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ等よりなるスライダと称される基板上に、所定間
隔を持って相対向して積層配置された一対の磁気シール
ドコア間に設けられ、再生用磁気ギャップをハードディ
スクとの対接面，すなわちＡＢＳ（エア・ベアリング・
サーフェス）面に臨むようにして設けられている。Such an MR head has, for example, Al 2 O 3 −.
A reproducing magnetic gap is provided between a pair of magnetic shield cores, which are laminated on a substrate made of TiC or the like and are opposed to each other with a predetermined gap, and a reproducing magnetic gap is formed on a contact surface with a hard disk, that is, ABS. (Air bearings
The surface is provided so as to face the surface.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＲ感磁部
は、その膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍと非常に薄いため
に、下地の影響を受けやすい。通常ＭＲ感磁部の下地
は、下層再生ギャップとして機能するＡｌ2 Ｏ3 やＳｉ
Ｏ2 等よりなる絶縁膜が使用され、その面粗度は膜厚が
０．１μｍ〜０．５μｍ程度と薄いこともあって中心線
平均粗さＲａで０．１ｎｍ程度とされている。By the way, since the MR magnetic sensing section has a very thin film thickness of 20 nm to 50 nm, it is easily affected by the underlying layer. Usually, the base of the MR magnetic sensing part is Al 2 O 3 or Si that functions as a lower layer reproducing gap.
An insulating film made of O 2 or the like is used, and its surface roughness is about 0.1 nm in terms of center line average roughness Ra because the film thickness is as thin as about 0.1 μm to 0.5 μm.
【０００６】ところが、上記絶縁膜を介してＭＲ感磁部
を形成する土台となる下層磁気シールドコアの表面粗度
が厳密に管理されていない。例えば、その下層磁気シー
ルドコアの表面粗度は中心線平均粗さＲａで２ｎｍ〜３
ｎｍ程度ある。このため、下層磁気シールドコア上に絶
縁膜を介してＭＲ感磁部を蒸着やスパッタリング等によ
って成膜した場合には、ＭＲ感磁部の磁区構造が乱れ、
バルクハウゼンノイズが発生するという不都合が生ず
る。この結果、再生出力が低下し、正確な情報記録信号
の読出しが行えなくなる。However, the surface roughness of the lower magnetic shield core, which is the base for forming the MR magnetic sensing portion via the insulating film, is not strictly controlled. For example, the surface roughness of the lower magnetic shield core is a center line average roughness Ra of 2 nm to 3 nm.
There is about nm. Therefore, when the MR magnetic sensitive portion is formed on the lower magnetic shield core via the insulating film by vapor deposition, sputtering, or the like, the magnetic domain structure of the MR magnetic sensitive portion is disturbed,
The inconvenience of Barkhausen noise occurs. As a result, the reproduction output is lowered, and the accurate information recording signal cannot be read.
【０００７】そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案
されたものであり、ＭＲ感磁部の磁区構造の乱れを防止
してバルクハウゼンノイズの発生を抑制し、再生出力の
高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的と
する。Therefore, the present invention has been proposed in view of the above circumstances, and prevents the disturbance of the magnetic domain structure of the MR magnetic sensitive section to suppress the generation of Barkhausen noise, and thus the magnetoresistive effect type having a high reproduction output. An object is to provide a magnetic head.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、磁気記録媒体と
の対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドが磁気シールドコア上に形成されて
なり、上記磁気シールドコアの表面粗度が中心線平均粗
さＲａで１ｎｍ以下であることを特徴とする。The present invention has been proposed in order to achieve the above-mentioned object, and is a magnetoresistive effect type which constitutes a reproducing magnetic gap facing a contact surface with a magnetic recording medium. A magnetic head is formed on a magnetic shield core, and the surface roughness of the magnetic shield core is 1 nm or less in terms of center line average roughness Ra.
【０００９】また、本発明は、磁気抵抗効果素子を一対
の磁気シールドコアによって挟み込んでなるシールド型
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを、アルミナ膜を成膜した
基板上に形成してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、上記アルミナ膜が成膜された基板を、磁気抵抗効果
型磁気ヘッドが形成される前に予めアニール処理するこ
とを特徴とする。Further, according to the present invention, a magnetoresistive effect magnetic head formed by sandwiching a magnetoresistive effect element between a pair of magnetic shield cores is formed on a substrate having an alumina film formed thereon. In the magnetic head, the substrate on which the alumina film is formed is annealed in advance before the magnetoresistive magnetic head is formed.
【００１０】[0010]
【作用】本発明においては、ＭＲ感磁部が形成される磁
気シールドコアの表面粗度が中心線平均粗さＲａで１ｎ
ｍ以下と凹凸の無い非常に良好な面粗度とされているの
で、この上に蒸着やスパッタリング等によって膜厚の薄
いＭＲ感磁部を成膜した場合、当該ＭＲ感磁部の磁区構
造の乱れが発生しない。これによって、再生出力の低下
が起こらず、情報記録信号を確実に読み出せることにな
る。In the present invention, the surface roughness of the magnetic shield core on which the MR magnetic sensitive portion is formed is 1n in terms of the center line average roughness Ra.
Since it has a very good surface roughness of m or less with no irregularities, when a thin MR sensitive portion is formed thereon by vapor deposition, sputtering, etc., the magnetic domain structure of the MR sensitive portion is reduced. Disturbance does not occur. As a result, the reproduction output does not decrease and the information recording signal can be reliably read.
【００１１】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
においては、アルミナ膜が成膜された基板を予めアニー
ル処理した後に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドをこの基板
上に形成しているので、アニール処理によってアルミナ
膜の応力が解放され、その後の磁気シールドコアのアニ
ール処理による基板の反りが回避される。In the magnetoresistive effect type magnetic head of the present invention, since the substrate on which the alumina film is formed is annealed in advance, the magnetoresistive effect type magnetic head is formed on this substrate. The treatment relieves the stress of the alumina film and avoids the warp of the substrate due to the subsequent annealing treatment of the magnetic shield core.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
同一基板上に再生用磁気ギャップを構成するＭＲヘッド
である再生ヘッドと、記録用磁気ギャップを構成する誘
導型磁気ヘッド（インダクティブヘッドと称する。）で
ある記録ヘッドを積層した，いわゆる複合型の磁気ヘッ
ドの例である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings. In this example,
A so-called composite type magnetic layer in which a reproducing head which is an MR head forming a reproducing magnetic gap and a recording head which is an induction type magnetic head (referred to as an inductive head) forming a recording magnetic gap are laminated on the same substrate. It is an example of a head.
【００１３】かかる複合型磁気ヘッドは、図１に示すよ
うに、ハードディスクとの対接面となるＡＢＳ面１に再
生用磁気ギャップｇ1 ，ｇ2 を臨ませるＭＲヘッドと、
同様にＡＢＳ面１に記録用磁気ギャップｇ3 を臨ませる
インダクティブヘッドを、Ａｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁膜
２が形成されたＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣからなる基板３上に
積層形成した，いわゆる２ギャップタイプの記録再生ヘ
ッド構成となっている。As shown in FIG. 1, such a composite magnetic head has an MR head in which reproducing magnetic gaps g 1 and g 2 are exposed on an ABS surface 1 which is a contact surface with a hard disk.
Similarly, an inductive head that exposes the recording magnetic gap g 3 on the ABS 1 is laminated and formed on a substrate 3 made of Al 2 O 3 —TiC on which an insulating film 2 made of Al 2 O 3 or the like is formed. It has a 2-gap type recording / reproducing head configuration.
【００１４】ＭＲヘッドは、図２に示すように、先端部
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極４ａ，４ｂ（以下、ＡＢＳ
面１にその先端を臨ませるようして形成される電極４ａ
を先端電極４ａ、後端側に設けられる電極４ｂを後端電
極４ｂと称する。）が積層された磁気抵抗効果素子のＭ
Ｒ感磁部５と、このＭＲ感磁部５に所要の向きの磁化状
態を与えるバイアス導体６とからなる。As shown in FIG. 2, the MR head has a pair of electrodes 4a and 4b (hereinafter referred to as ABS) for passing a sense current from a constant current source (not shown) to a front end portion and a rear end portion, respectively.
Electrode 4a formed so that its tip faces surface 1
Is referred to as a front end electrode 4a, and the electrode 4b provided on the rear end side is referred to as a rear end electrode 4b. ) Of the magnetoresistive effect element in which
It is composed of an R magnetic sensitive section 5 and a bias conductor 6 which gives the MR magnetic sensitive section 5 a magnetization state in a desired direction.
【００１５】ＭＲ感磁部５は、例えばインダクティブヘ
ッドの記録用磁気ギャップｇ3 のトラック幅Ｔｗよりも
若干幅狭の長方形パターンとして形成され、その長手方
向が上記ＡＢＳ面１に対して直交方向となるように設け
られるとともに、その一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むよ
うになっている。かかるＭＲ感磁部５は、例えばパーマ
ロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が２０ｎｍ〜
５０ｎｍと非常に薄い膜として蒸着やスパッタリング等
によって形成されている。The MR magnetic sensing portion 5 is formed as a rectangular pattern slightly narrower than the track width Tw of the recording magnetic gap g 3 of the inductive head, and its longitudinal direction is perpendicular to the ABS surface 1. It is provided so that one end edge thereof faces the ABS surface 1. The MR magnetic sensing part 5 is made of a ferromagnetic thin film such as permalloy and has a film thickness of 20 nm to 20 nm.
It is formed as a very thin film with a thickness of 50 nm by vapor deposition, sputtering or the like.
【００１６】なお、上記ＭＲ感磁部５は、ＭＲ薄膜の単
層の膜であってもよいが、例えばＳｉＯ2 等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜
を積層するようにしてもよい。積層膜構造とすることに
よって、バルクハウゼンノイズの発生が回避できる。The MR magnetic sensing section 5 may be a single layer of MR thin film, but a pair of MR magnetostatically coupled via a non-magnetic insulating layer made of, for example, SiO 2. You may make it laminate | stack a thin film. With the laminated film structure, it is possible to avoid the occurrence of Barkhausen noise.
【００１７】先端電極４ａは、上記ＭＲ感磁部５の先端
部に直接積層されるとともに、再生用磁気ギャップ
ｇ1 ，ｇ2 のデプスを規制するためのＭＲ感磁部５上に
形成される絶縁膜７ａ上に積層される形で設けられてい
る。このＭＲ感磁部５上に直接積層される配線パターン
は、その一側縁部が上記ＡＢＳ面１に露出するようにな
っている。なお、ＡＢＳ面１に露出する先端電極４ａ
は、上層の再生用磁気ギャップｇ2 を構成するギャップ
膜としても機能する。The tip electrode 4a is directly laminated on the tip of the MR magnetic sensing section 5 and is formed on the MR magnetic sensing section 5 for controlling the depth of the reproducing magnetic gaps g 1 and g 2. It is provided so as to be laminated on the insulating film 7a. The wiring pattern directly laminated on the MR magnetic sensing part 5 has its one side edge exposed on the ABS 1. The tip electrode 4a exposed on the ABS surface 1
Also functions as a gap film forming the upper reproducing magnetic gap g 2 .
【００１８】一方、後端電極４ｂは、上記先端電極４ａ
と同様ＭＲ感磁部５上に形成される絶縁膜７ａ上にその
一部が積層されるとともに、そのバック側で該ＭＲ感磁
部５に直接積層されるようになっている。On the other hand, the rear end electrode 4b is the front end electrode 4a.
Similarly to the above, a part of the insulating film 7a is formed on the insulating film 7a formed on the MR sensitive portion 5, and the back side thereof is directly laminated on the MR sensitive portion 5.
【００１９】上記バイアス導体６は、先端電極４ａと後
端電極４ｂの間に絶縁膜７ｂを介して積層されるととも
に、上記ＭＲ感磁部５に対して略直交する方向，つまり
ＭＲ感磁部５を横切る形で設けられている。このバイア
ス導体６の両端子部には、直流電源からのバイアス電流
が通電されるようになっている。したがって、直流電流
は配線パターンの長手方向であるトラック幅方向に流れ
ることになり、上記ＡＢＳ面１と直交する方向にバイア
ス磁界が印加される。The bias conductor 6 is laminated between the front end electrode 4a and the rear end electrode 4b with an insulating film 7b interposed therebetween, and is substantially orthogonal to the MR magnetic sensing part 5, that is, the MR magnetic sensing part. It is provided so as to cross 5. A bias current from a DC power source is applied to both terminals of the bias conductor 6. Therefore, the direct current flows in the track width direction which is the longitudinal direction of the wiring pattern, and the bias magnetic field is applied in the direction orthogonal to the ABS surface 1.
【００２０】このようにして構成された再生ヘッドとし
て機能する磁気回路部は、例えばパーマロイやセンダス
ト等よりなる一対の磁気シールドコア８，９によってそ
の上下より挾み込まれる形で設けられている。つまり、
シールド型構成となっている。シールド型構成をとるの
は、この種の一体型ヘッドでは、短波長再生を要求され
たり、再生波形がインダクティブヘッドの微分出力波形
と同じものを信号処理上求められるからである。The magnetic circuit portion functioning as a reproducing head constructed in this manner is provided so as to be sandwiched from above and below by a pair of magnetic shield cores 8 and 9 made of, for example, permalloy or sendust. That is,
It has a shield type configuration. The shield type configuration is adopted because this type of integrated head is required to reproduce a short wavelength, or the reproduction waveform is the same as the differential output waveform of the inductive head in signal processing.
【００２１】ＭＲ感磁部５の下側に設けられる磁気シー
ルドコア８は、基板３上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 等より
なる絶縁膜２上に、上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませ
るようにしてこのＡＢＳ面１に対して略直交する方向に
延在して設けられている。そして、この磁気シールドコ
ア８とＭＲ感磁部５との間には、下層の再生用磁気ギャ
ップｇ1 を構成するギャップ膜として機能するＡｌ2 Ｏ
3 よりなる下地膜１０が設けられている。かかる下地膜
１０は、例えばその膜厚が０．１μｍ〜０．５μｍとさ
れている。The magnetic shield core 8 provided on the lower side of the MR magnetic sensing portion 5 has its one end exposed to the ABS 1 on the insulating film 2 made of Al 2 O 3 or the like formed on the substrate 3. Thus, it is provided so as to extend in a direction substantially orthogonal to the ABS surface 1. Then, between the magnetic shield core 8 and the MR magnetic sensitive portion 5, Al 2 O that functions as a gap film that constitutes the lower reproducing magnetic gap g 1 is formed.
A base film 10 made of 3 is provided. The base film 10 has a film thickness of, for example, 0.1 μm to 0.5 μm.
【００２２】一方、ＭＲ感磁部５の上側に設けられる磁
気シールドコア９は、下層の磁気シールドコア８と同様
に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにしてこの
ＡＢＳ面１に対して略直交する方向に延在して設けられ
ている。また、この磁気シールドコア９は、ＡＢＳ面１
側で先端電極４ａに対して直接積層されるとともに、中
央部で絶縁膜１１を介して積層され、且つバック側で下
層磁気シールドコア８と直接接するようになっている。On the other hand, the magnetic shield core 9 provided on the upper side of the MR magnetic sensing portion 5 is made to face the ABS surface 1 with one end thereof facing the ABS surface 1 like the lower magnetic shield core 8. It is provided so as to extend in a substantially orthogonal direction. Further, the magnetic shield core 9 has an ABS surface 1
It is laminated directly to the tip electrode 4a on the side, is laminated via the insulating film 11 in the central portion, and is in direct contact with the lower magnetic shield core 8 on the back side.
【００２３】そして、上記ＭＲヘッド上に積層して設け
られるインダクティブヘッドは、ＭＲ感磁部５をシール
ドする上層の磁気シールドコア９を閉磁路を構成する一
方の薄膜磁気コアとし、この磁気シールドコア９に対向
して積層される他方の磁気シールドコア１２とによっ
て、上記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップｇ3 を構成するようになっている。In the inductive head laminated on the MR head, the upper magnetic shield core 9 that shields the MR magnetic sensing section 5 is used as one thin film magnetic core forming a closed magnetic path. The other magnetic shield core 12 laminated so as to face 9 forms a recording magnetic gap g 3 between the front ends of the magnetic shield core 12 and the ABS surface 1.
【００２４】すなわち、ＭＲ感磁部５をシールドする上
層の磁気シールドコア９に対向して積層される磁気シー
ルドコア１２は、上記ＡＢＳ面１に臨む前方端部でシー
ルドとして機能する磁気シールドコア９側に屈曲され、
その隙間が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップ
ｇ3 を構成するようになっている。なお、ＡＢＳ面１側
で屈曲される磁気シールドコア１２は、後方端部でシー
ルドコアとしても機能する磁気シールドコア９と直接接
するようになっている。That is, the magnetic shield core 12 laminated so as to face the upper magnetic shield core 9 that shields the MR magnetic sensitive section 5 functions as a shield at the front end portion facing the ABS surface 1. Bent to the side,
The recording magnetic gap g 3 is formed in the facing portion where the gap is narrowed. The magnetic shield core 12 that is bent on the ABS 1 side is in direct contact with the magnetic shield core 9 that also functions as a shield core at the rear end portion.
【００２５】そして、上記一対の磁気シールドコア９，
１２の接続部である磁気的結合部１３には、この磁気的
結合部１３を取り囲むようにしてスパイラル状のヘッド
巻線１４が設けられている。ヘッド巻線１４は、閉磁路
を構成する磁気シールドコア９，１２との絶縁性を確保
するために、絶縁膜１５によって埋め込まれるようにな
っている。また、上記ヘッド巻線１４の巻始めと巻終わ
りの端部である端子部には、交流電源からの記録電流が
供給されるようになっている。なお、最上層の磁気シー
ルドコア１２の上には、ＭＲヘッドとインダクティブヘ
ッドを保護するためのＡｌ2 Ｏ3 よりなる保護膜１６が
設けられている。The pair of magnetic shield cores 9,
A spiral head winding 14 is provided on the magnetic coupling portion 13, which is a connection portion of the magnetic recording medium 12, so as to surround the magnetic coupling portion 13. The head winding 14 is embedded with an insulating film 15 in order to ensure insulation with the magnetic shield cores 9 and 12 forming a closed magnetic circuit. A recording current is supplied from an AC power supply to the terminal portions of the head winding 14 at the winding start and winding end portions. A protective film 16 made of Al 2 O 3 for protecting the MR head and the inductive head is provided on the uppermost magnetic shield core 12.
【００２６】そして特に、この実施例の複合型磁気ヘッ
ドでは、下層の磁気シールドコア８の表面粗度が中心線
平均粗さＲａで１ｎｍ以下と凹凸がない極めて平滑な面
となされている。このため、上記磁気シールドコア８上
に成膜される下地膜１０の表面粗度も１ｎｍ以下となる
ことから、該下地膜１０上に積層されるＭＲ感磁部５
は、その膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍと非常に薄い膜であ
っても凹凸の無い平らな膜となる。この結果、上記ＭＲ
感磁部５の磁区構造の乱れが発生せず、バルクハウゼン
ノイズを抑制できる。In particular, in the composite type magnetic head of this embodiment, the surface roughness of the magnetic shield core 8 of the lower layer is 1 nm or less in the center line average roughness Ra, which is an extremely smooth surface with no irregularities. Therefore, since the surface roughness of the underlayer film 10 formed on the magnetic shield core 8 is also 1 nm or less, the MR magnetic sensing part 5 laminated on the underlayer film 10.
Is a flat film with no unevenness even if the film thickness is as very thin as 20 nm to 50 nm. As a result, the MR
The disturbance of the magnetic domain structure of the magnetic sensing section 5 does not occur, and Barkhausen noise can be suppressed.
【００２７】ところで、上述の複合型磁気ヘッドを作成
するには、以下のようにして行う。先ず、図５に示すよ
うに、絶縁膜として機能するアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜
２が成膜されたＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣからなる基板（以
下、アルチック基板と称する。）３を用意する。このと
きのアルミナ膜２は、表面粗度が中心線平均粗さＲａで
１ｎｍ以下である。The composite magnetic head described above is manufactured as follows. First, as shown in FIG. 5, a substrate (hereinafter, referred to as an Altic substrate) 3 made of Al 2 O 3 —TiC on which an alumina (Al 2 O 3 ) film 2 functioning as an insulating film is formed is prepared. . At this time, the surface roughness of the alumina film 2 is 1 nm or less in terms of the centerline average roughness Ra.
【００２８】次に、このアルチック基板３に対してアニ
ール処理を行う。磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する
前段階でアニール処理を行うのは、次のことに基づく。Next, the AlTiC substrate 3 is annealed. The reason why the annealing process is performed before the magnetoresistive head is manufactured is as follows.
【００２９】上述したヘッド構成のうち、下層の磁気シ
ールドコア８は、磁気シールドとしてのみ使用されるも
のであり、その磁気特性上センダストが有効である。セ
ンダストの磁気特性を十分発揮させるためにはアニール
が必要であり、通常５２０℃で１時間の保持が必要とさ
れる。In the head structure described above, the lower magnetic shield core 8 is used only as a magnetic shield, and sendust is effective in terms of its magnetic characteristics. Annealing is necessary in order to fully exhibit the magnetic characteristics of Sendust, and it is usually necessary to hold at 520 ° C. for 1 hour.
【００３０】ところが、センダストに対してアニールを
行うと、アルチック基板３と下層磁気シールドコア８間
の絶縁のために予め成膜されているアルミナ膜２が応力
解放され、アルチック基板３に反りが発生する。アニー
ル終了後に反りが発生すると、その後の下層磁気シール
ドコア８の平坦化研磨工程において、研磨のばらつきが
大きくなる等の問題が発生する。したがって、本実施例
では、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する前に、アル
チック基板３に対してアニール処理を施し、予めアルミ
ナ膜２の応力を解放させておく。However, when the sendust is annealed, the alumina film 2 previously formed for insulation between the AlTiC substrate 3 and the lower magnetic shield core 8 is released from stress, and the AlTiC substrate 3 is warped. To do. If warpage occurs after the annealing is finished, problems such as large variations in polishing occur in the subsequent flattening polishing step of the lower magnetic shield core 8. Therefore, in this embodiment, the AlTiC substrate 3 is annealed to release the stress of the alumina film 2 in advance before the magnetoresistive head is manufactured.
【００３１】通常、センダストのアニールは、磁気特性
を得るために最適な５２０℃で行われる。しかし、ここ
でのアニールは、５２０℃でのアルミナ膜２の応力解放
が行われればよいので、５２０℃〜６００℃程度であれ
ば問題ない。そこで、本実施例では、５２０℃〜６００
℃の真空中、若しくはＮ2 雰囲気中にてアニールする。
すると、アニールによってアルミナ膜２が応力解放され
て、図６に示すように、アルチック基板３は数μｍ反る
ことになる。Usually, the sendust anneal is performed at 520 ° C., which is optimum for obtaining magnetic properties. However, the annealing here only needs to release the stress of the alumina film 2 at 520 ° C., so that there is no problem if the annealing is performed at about 520 to 600 ° C. Therefore, in this embodiment, 520 ° C. to 600 ° C.
Anneal in a vacuum at ℃ or in N 2 atmosphere.
Then, the alumina film 2 is stress-released by annealing, and the AlTiC substrate 3 is warped by several μm as shown in FIG.
【００３２】次に、上記反ったアルチック基板３を、最
初にダイヤモンド研磨を行い、次にバフ研磨して図７に
示すように平坦化する。最初の研磨により、アルチック
基板３の厚みをコントロールできるので、スライダー長
規格にあった基板厚を容易に得ることができる。Next, the warped AlTiC substrate 3 is first subjected to diamond polishing and then buffed to be flattened as shown in FIG. Since the thickness of the AlTiC substrate 3 can be controlled by the first polishing, it is possible to easily obtain a substrate thickness that meets the slider length standard.
【００３３】しかる後、図８に示すように、平坦化され
たアルチック基板３のアルミナ膜２上にセンダストをス
パッタリング又はメッキすることにより、下層の磁気シ
ールドコア８を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 8, sendust is sputtered or plated on the alumina film 2 of the flattened AlTiC substrate 3 to form a lower magnetic shield core 8.
【００３４】次いで、図９に示すように、このセンダス
トよりなる磁気シールドコア８を５２０℃でアニール処
理する。そして、この磁気シールドコア８に対して、図
１０に示すように、所定形状となるようにパターニング
とエッチングを施す。Next, as shown in FIG. 9, the magnetic shield core 8 made of this sendust is annealed at 520.degree. Then, as shown in FIG. 10, the magnetic shield core 8 is subjected to patterning and etching so as to have a predetermined shape.
【００３５】次いで、電極形成など所定のプロセスを行
う。しかる後、図１１に示すように、次工程で上記磁気
シールドコア８を平坦化するために例えばＡｌ2 Ｏ3 よ
りなる平坦化膜４０を、この磁気シールドコア８の膜厚
よりも０．５μｍ〜１μｍ厚くなるように成膜する。Next, a predetermined process such as electrode formation is performed. Thereafter, as shown in FIG. 11, a flattening film 40 made of, for example, Al 2 O 3 is formed in order to flatten the magnetic shield core 8 in the next step by 0.5 μm from the film thickness of the magnetic shield core 8. The film is formed to have a thickness of ˜1 μm.
【００３６】そして、上記平坦化膜４０と磁気シールド
コア８を共に研磨して平坦化を図る。その際、磁気シー
ルドコア８の表面粗度を中心線平均粗さＲａが１ｎｍ以
下となるようにする。磁気シールドコア８の表面粗度を
１ｎｍ以下とするには、ダイヤモンド砥粒を使用した粗
研磨と、シリカ系超微粒子を使用した精研磨（バフ研
磨）を組み合わせて行う。Then, the flattening film 40 and the magnetic shield core 8 are both polished for flattening. At that time, the surface roughness of the magnetic shield core 8 is set so that the center line average roughness Ra is 1 nm or less. In order to reduce the surface roughness of the magnetic shield core 8 to 1 nm or less, rough polishing using diamond abrasive grains and fine polishing (buff polishing) using ultrafine silica particles are combined.
【００３７】ここで使用する研磨装置は、例えば図３及
び図４に示すように、主として研磨盤として機能する定
盤１８と、この定盤１８上に載置される基板３を左右方
向に揺動させる揺動機構１９とから構成される。The polishing apparatus used here, for example, as shown in FIGS. 3 and 4, swings the surface plate 18 mainly functioning as a polishing plate and the substrate 3 placed on the surface plate 18 in the left-right direction. And a swinging mechanism 19 for moving.
【００３８】粗研磨の際に使われる定盤１８は、例えば
銅と金属粒子を高分子材料で固めることにより円盤形状
として形成されてなるもので、平面矩形状をなす装置本
体２０の略中央部に図３中矢印Ａ方向に回転可能に設け
られている。なお、この定盤１８の平面度は、例えば１
０μｍ以下とされている。The surface plate 18 used for the rough polishing is formed in a disk shape by, for example, solidifying copper and metal particles with a polymer material, and is a substantially central portion of the apparatus main body 20 having a planar rectangular shape. Is rotatably provided in the direction of arrow A in FIG. The flatness of the surface plate 18 is, for example, 1
It is set to 0 μm or less.
【００３９】また、この粗研磨の際に使われる定盤１８
の表面には、ポリエステル不織布や発泡ポリウレタン
（人工皮革）或いは硬軟質二重構造等の弾性ポリッシャ
等よりなる研磨布３９が設けられている。さらに、この
定盤１８の上には、円盤形状とされた基板３が載置され
るが、この基板３をガイドし又は研磨レートをかせぐた
めに加圧する目的で、当該基板３を覆って治具２１が設
けられる。The surface plate 18 used for this rough polishing
A polishing cloth 39 made of polyester nonwoven fabric, expanded polyurethane (artificial leather), or an elastic polisher having a hard and soft double structure or the like is provided on the surface of the. Further, a disk-shaped substrate 3 is placed on the surface plate 18, and a jig covering the substrate 3 is used for the purpose of guiding the substrate 3 or pressurizing it in order to increase the polishing rate. 21 is provided.
【００４０】上記治具２１は、外形形状が円形となさ
れ、上記定盤１８と対向する面に上記基板３を嵌合させ
る円形状をなす凹部２２を有している。上記凹部２２の
深さは、治具２１が定盤１８によって研磨されないよう
に基板３の板厚寸法よりも浅くなされている。したがっ
て、上記凹部２２に基板３を嵌合させて定盤１８上に載
置した状態では、基板３のみが定盤１８に接触すること
になる。The jig 21 has a circular outer shape, and has a circular recess 22 on the surface facing the surface plate 18, into which the substrate 3 is fitted. The depth of the recess 22 is shallower than the thickness of the substrate 3 so that the jig 21 is not polished by the surface plate 18. Therefore, when the substrate 3 is fitted into the recess 22 and placed on the surface plate 18, only the substrate 3 comes into contact with the surface plate 18.
【００４１】一方、揺動機構１９は、上記一対の治具２
１を回転可能に保持するキャリア２３と、このキャリア
２３を定盤１８の中心線上に沿って図３中矢印Ｂで示す
左右方向に揺動させる駆動源として機能する駆動モータ
２４と、この駆動モータ２４の回転運動を揺動運動に変
換するカム２５とクランクシャフト２６と、一対のスラ
イダー２７，２８とから構成される。On the other hand, the swinging mechanism 19 includes the pair of jigs 2 described above.
A carrier 23 that holds 1 for rotation, a drive motor 24 that functions as a drive source that swings the carrier 23 in the left-right direction along the center line of the surface plate 18 as indicated by arrow B in FIG. It is composed of a cam 25, a crankshaft 26, and a pair of sliders 27, 28 for converting the rotational movement of 24 into a swinging movement.
【００４２】上記キャリア２３は、上記一対の治具２１
を回転可能に収納保持する円形状の治具収納部２９，３
０を有した平面形状がいわゆるメガネ形状をなす支持体
として形成されている。そして、このキャリア２３に
は、上記治具収納部２９，３０に収納される治具２１を
回転可能に収納保持するために、センターローラ３１と
ガイドローラ３２，３３が設けられている。The carrier 23 is composed of the pair of jigs 21.
Circular jig storage unit 29,3 for storing and holding the rotatably
A planar shape having 0 is formed as a so-called eyeglass-shaped support body. The carrier 23 is provided with a center roller 31 and guide rollers 32, 33 for rotatably housing and holding the jig 21 housed in the jig housing parts 29, 30.
【００４３】センターローラ３１は、上記一対の治具収
納部２９，３０の間に円盤体として回転可能に設けられ
ている。また、ガイドローラ３２，３３は、上記センタ
ーローラ３１と反対側の治具収納部２９，３０の外周囲
に円柱状をなすローラとして回転可能に設けられてい
る。The center roller 31 is rotatably provided as a disc between the pair of jig accommodating portions 29 and 30. Further, the guide rollers 32 and 33 are rotatably provided as cylindrical rollers around the outer periphery of the jig accommodating portions 29 and 30 on the opposite side of the center roller 31.
【００４４】そして、上記キャリア２３の両側には、該
キャリア２３を左右方向に揺動させるためのスライダー
２７，２８が設けられている。すなわち、上記キャリア
２３の両端部には、円柱状をなす連結部材３４，３５を
介して装置本体２０上をスライド自在とされるスライダ
ー２７，２８が設けられている。これらスライダー２
７，２８のうち一方のスライダー２７には、駆動モータ
２４の回転運動を揺動運動に変換するためのカム２５と
クランクシャフト２６が設けられている。On both sides of the carrier 23, sliders 27 and 28 for swinging the carrier 23 in the left-right direction are provided. That is, sliders 27, 28 are provided at both ends of the carrier 23 so as to be slidable on the apparatus main body 20 via columnar connecting members 34, 35. These sliders 2
One of the sliders 27 and 28 is provided with a cam 25 and a crankshaft 26 for converting the rotary motion of the drive motor 24 into a swing motion.
【００４５】したがって、上記駆動モータ２４の回転運
動は、カム２５に伝達され、該カム２５と係合するクラ
ンクシャフト２６によって揺動運動に変換せしめられ
る。これにより、キャリア２３が左右方向に揺動する。
なお、上記キャリア２３の揺動速さは、装置本体２０上
に設けられる制御装置３６によって適宜調整可能となさ
れている。Therefore, the rotational movement of the drive motor 24 is transmitted to the cam 25 and converted into the swing movement by the crankshaft 26 engaging with the cam 25. As a result, the carrier 23 swings in the left-right direction.
The swing speed of the carrier 23 can be appropriately adjusted by the control device 36 provided on the device body 20.
【００４６】以上のように構成された研磨装置を用い
て、上記アルチック基板３上に形成された磁気シールド
コア８を研磨し平坦化を図る。最初に、ダイヤモンド砥
粒を使用して粗研磨を行う。すなわち、定盤１８の上に
アルチック基板３を載せる。このとき、平坦化膜４０と
磁気シールドコア８が形成された研磨面が定盤１８と接
触するように前記アルチック基板３を載置する。The magnetic shield core 8 formed on the AlTiC substrate 3 is polished and flattened by using the polishing apparatus configured as described above. First, rough polishing is performed using diamond abrasive grains. That is, the AlTiC substrate 3 is placed on the surface plate 18. At this time, the AlTiC substrate 3 is placed so that the polishing surface on which the flattening film 40 and the magnetic shield core 8 are formed is in contact with the surface plate 18.
【００４７】次に、このアルチック基板３上に治具２１
を落とし込む。すると、治具２１に設けられた凹部２２
にアルチック基板３が嵌合し、当該アルチック基板３の
位置が決まると同時に、該アルチック基板３に荷重が加
わる。Next, the jig 21 is placed on the AlTiC substrate 3.
Drop in. Then, the concave portion 22 provided in the jig 21
The AlTiC substrate 3 is fitted into the AlTiC substrate 3 and the position of the AlTiC substrate 3 is determined.
【００４８】なお、アルチック基板３と治具２１とは、
ワックスや接着剤による接着がなされていないため、接
着歪みによる基板の反りやうねりが発生することがな
い。また、必要に応じて、治具２１の上に重りを載せて
加工圧を高くし、研磨レートを大きくするようにしても
よい。The Altic substrate 3 and the jig 21 are
Since no adhesion is made with wax or an adhesive, warpage or undulation of the substrate due to adhesion distortion does not occur. If necessary, a weight may be placed on the jig 21 to increase the processing pressure and increase the polishing rate.
【００４９】次に、これら治具２１をキャリア２３に設
けられた治具収納部２９，３０内にセットする。この結
果、治具２１は、センターローラ３１とガイドローラ３
２，３３とによって回転可能に保持される。次に、定盤
１８を回転させるとともに、駆動モータ２４のスイッチ
を入れる。Next, the jigs 21 are set in the jig accommodating portions 29 and 30 provided on the carrier 23. As a result, the jig 21 has the center roller 31 and the guide roller 3
It is rotatably held by 2 and 33. Next, the surface plate 18 is rotated and the drive motor 24 is turned on.
【００５０】すると、駆動モータ２４の回転がカム２５
に伝達され、このカム２５と連結されるクランクシャフ
ト２６によって揺動運動に変換せしめられる。そして、
このクランクシャフト２６に連結された一方のスライダ
ー２７と他方のスライダー２８とによって、上記キャリ
ア２３が左右方向に揺動する。この結果、キャリア２３
に回転可能に保持された治具２１及びアルチック基板３
もこれらと一緒に揺動する。Then, the rotation of the drive motor 24 causes the cam 25 to rotate.
Is transmitted to the cam 25 and is converted into a swinging motion by the crankshaft 26 connected to the cam 25. And
The one slider 27 and the other slider 28 connected to the crankshaft 26 swing the carrier 23 in the left-right direction. As a result, the carrier 23
Jig 21 and AlTiC substrate 3 rotatably held in
Also rocks with these.
【００５１】そして、研磨液供給タンク３７に接続され
るノズル３８の先端より、上記定盤１８上にダイヤモン
ドスラリーを供給する。すると、アルチック基板３が定
盤１８の回転運動とキャリア２３による揺動運動とによ
って基板全体に亘って研磨される。Then, the diamond slurry is supplied onto the surface plate 18 from the tip of the nozzle 38 connected to the polishing liquid supply tank 37. Then, the AlTiC substrate 3 is polished over the entire substrate by the rotational movement of the surface plate 18 and the swinging movement of the carrier 23.
【００５２】なお、アルチック基板３を揺動させない場
合には、該アルチック基板３の内外周の周速差によっ
て、当該基板中央部に偏摩耗が発生する。そして、ある
程度粗削りが終了した時点で、研磨を終了する。When the AlTiC substrate 3 is not swung, uneven wear occurs at the central portion of the AlTiC substrate 3 due to the difference in peripheral speed between the inner and outer circumferences of the AlTiC substrate 3. Then, when the rough cutting is completed to some extent, the polishing is completed.
【００５３】次に、シリカ系超微粒子をｐＨ１０前後の
アルカリ溶液に懸濁させた研磨液に取り替え、バフ研磨
を行う。アルカリ溶液は、平坦化膜４０と磁気シールド
コア８を化学的にエッチングさせるためのものであり、
加工液と材料との反応を促進させる機能をする。そし
て、このアルカリ溶液に懸濁させる微粒子は、研磨面の
凹凸をより滑らかにする作用をする。Next, the ultrafine silica particles are replaced with a polishing liquid suspended in an alkaline solution having a pH of about 10, and buffing is performed. The alkaline solution is for chemically etching the flattening film 40 and the magnetic shield core 8,
It functions to accelerate the reaction between the working fluid and the material. The fine particles suspended in the alkaline solution act to make unevenness on the polishing surface smoother.
【００５４】本実施例では、研磨液として粒子径５ｎｍ
〜１００ｎｍのＳｉＯ2 を、濃度約２０重量％ 〜４０
重量％，ｐＨ９．０〜ｐＨ１１．０のアルカリ溶液に懸
濁させたものを使用した。In this embodiment, the polishing liquid has a particle diameter of 5 nm.
˜100 nm of SiO 2 with a concentration of about 20% by weight˜40
A suspension in an alkali solution having a weight% of pH 9.0 to pH 11.0 was used.
【００５５】そして、この研磨液によって先の方法と同
様にして研磨（これをバフ研磨と称する。）を行い、磁
気シールドコア８の表面粗度が中心線平均粗さＲａで１
ｎｍ以下となるまで研磨を行う。ここでの研磨工程で
は、先のセンダストのアニール処理終了時でほとんどア
ルチック基板３が反らず、基板表面がある程度平坦化さ
れているので、平坦化処理が極めて容易に行える。Then, this polishing solution is used for polishing in the same manner as the previous method (this is referred to as buffing), and the surface roughness of the magnetic shield core 8 is 1 at the center line average roughness Ra.
Polishing is performed until it becomes less than or equal to nm. In the polishing step here, the AlTiC substrate 3 is hardly warped at the end of the previous sendust annealing treatment, and the substrate surface is flattened to some extent, so that the flattening treatment can be performed very easily.
【００５６】この結果、磁気シールドコア８の表面は、
図１２に示すように、ＳｉＯ2 砥粒による機械的作用と
加工液による科学的作用によってその表面粗度がＲａ１
ｎｍ以下と微細な凹凸の無い極めて平滑な面となる。As a result, the surface of the magnetic shield core 8 is
As shown in FIG. 12, the surface roughness is Ra1 due to the mechanical action of the SiO 2 abrasive grains and the scientific action of the working fluid.
It is an extremely smooth surface with no fine unevenness of less than nm.
【００５７】次に、平坦化された磁気シールドコア８の
上にＡｌ2 Ｏ3 を成膜し、下層の再生用磁気ギャップｇ
1 を構成するギャップ膜として機能する下地膜１０を形
成する。上記下地膜１０は、磁気シールドコア８の表面
粗度がＲａ１ｎｍ以下であるので、その表面粗度も同じ
くＲａ１ｎｍ以下となる。Next, an Al 2 O 3 film is formed on the flattened magnetic shield core 8 to form a reproducing magnetic gap g in the lower layer.
Forming the base film 10 which serves as a gap film forming the 1. Since the surface roughness of the magnetic shield core 8 of the underlayer film 10 is Ra 1 nm or less, the surface roughness thereof is also Ra 1 nm or less.
【００５８】次いで、上記下地膜１０の上にＭＲ感磁部
５を蒸着やスパッタリング等によってその膜厚が２０ｎ
ｍ〜５０ｎｍとなるように形成する。ＭＲ感磁部５は、
その膜厚が非常に薄いので下地に影響されやすいが、本
実施例ではその下地の表面粗度が極めて平滑であること
から、磁区構造の乱れが無い。Next, the MR magnetic sensing portion 5 is formed on the above-mentioned base film 10 by vapor deposition, sputtering or the like to a thickness of 20 n.
It is formed to have a thickness of m to 50 nm. The MR magnetic sensing unit 5
Since the film thickness is very thin, it is easily affected by the underlayer, but in this embodiment, the surface roughness of the underlayer is extremely smooth, so that the magnetic domain structure is not disturbed.
【００５９】また、下地が平坦化されていることから、
パターニングの際に、マスクと基板の距離のばらつきが
小さくなるため、マスク位置合わせずれを小さくでき
る。また、パターニングの際に、焦点深度が深くとれる
ため、解像度の高いシャープなパターンを形成すること
ができる。Since the base is flattened,
At the time of patterning, since the variation in the distance between the mask and the substrate becomes small, the mask misalignment can be made small. Further, since the depth of focus can be deep during patterning, a sharp pattern with high resolution can be formed.
【００６０】次に、上記ＭＲ感磁部５上に絶縁膜７ａを
形成した後、ＭＲ感磁部５と電気的に接続するためのＭ
Ｒ電極接続穴を形成する。そして、先端電極４ａと後端
電極４ｂをそれぞれ形成した後、絶縁膜７ｂを積層し、
その上にバイアス導体６を形成する。Next, after forming the insulating film 7a on the MR magnetic sensing part 5, M for electrically connecting to the MR magnetic sensing part 5 is formed.
An R electrode connection hole is formed. Then, after forming the front end electrode 4a and the rear end electrode 4b respectively, an insulating film 7b is laminated,
The bias conductor 6 is formed on it.
【００６１】次に、上記バイアス導体６上に絶縁膜１１
を積層した後、先端電極４ａと次工程で作成する磁気シ
ールドコア９との接続を図るための先端接続孔を形成す
る。そして、上記絶縁膜１１を覆って磁気シールドコア
９を形成する。この結果、磁気シールドコア９は、ＡＢ
Ｓ面１側で先端電極４ａと直接接するとともに、バック
側で下層の磁気シールドコア８と直接接することにな
る。Next, the insulating film 11 is formed on the bias conductor 6.
After laminating, a tip connection hole for connecting the tip electrode 4a and the magnetic shield core 9 created in the next step is formed. Then, the magnetic shield core 9 is formed so as to cover the insulating film 11. As a result, the magnetic shield core 9 is
The S surface 1 side is in direct contact with the tip electrode 4a, and the back side is in direct contact with the lower magnetic shield core 8.
【００６２】次いで、この磁気シールドコア９の上にヘ
ッド巻線１４を絶縁膜１５によって埋め込む形で設け
る。そして、上記ヘッド巻線１４を覆って最上層の磁気
シールドコア１２を形成する。上記磁気シールドコア１
２は、ＡＢＳ面１側で絶縁膜１５を介して磁気シールド
コア９と近接して所定ギャップ長となるように設け、バ
ック側で磁気シールドコア９と直接接するように形成す
る。Next, the head winding 14 is provided on the magnetic shield core 9 so as to be embedded with an insulating film 15. Then, the uppermost magnetic shield core 12 is formed so as to cover the head winding 14. The magnetic shield core 1
2 is provided so as to have a predetermined gap length close to the magnetic shield core 9 via the insulating film 15 on the ABS surface 1 side, and is formed so as to be in direct contact with the magnetic shield core 9 on the back side.
【００６３】この結果、ＡＢＳ面１側の上下磁気シール
ドコア９，１２とによって挟み込まれた間隙部に記録用
磁気ギャップｇ3 が構成される。そして最後に、これら
ＭＲヘッドとインダクティブヘッドを覆って保護膜１６
を積層し、ＡＢＳ面１を鏡面加工することによって複合
型磁気ヘッドが作製される。As a result, a recording magnetic gap g 3 is formed in the gap portion sandwiched by the upper and lower magnetic shield cores 9 and 12 on the ABS 1 side. Finally, a protective film 16 is formed to cover the MR head and the inductive head.
Is laminated and the ABS surface 1 is mirror-finished to manufacture a composite magnetic head.
【００６４】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例ではＭＲヘッドとインダクティブヘッドの磁性体を共
通化した構成としたものであるが、上下に設けられる磁
気シールドコアをＭＲヘッドとインダクティブヘッドと
でそれぞれ専用に設けるようにした構成の複合型磁気ヘ
ッドに対しても適用することができ、その作用効果は同
じである。The specific embodiments to which the present invention is applied have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, the magnetic bodies of the MR head and the inductive head are made common, but the magnetic shield cores provided above and below are provided exclusively for the MR head and the inductive head, respectively. It can also be applied to the composite type magnetic head of (1) and has the same effect.
【００６５】[0065]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、ＭＲ感磁部が形成される磁気シールドコ
アの表面粗度が中心線平均粗さＲａで１ｎｍ以下と凹凸
の無い非常に平滑な面とされているので、この上に蒸着
やスパッタリング等によって成膜される膜厚の薄いＭＲ
感磁部の磁区構造の乱れを防止することができ、これに
より再生出力を高めることができる。したがって、情報
記録信号を確実に読み出すことができる。As is apparent from the above description, in the present invention, the surface roughness of the magnetic shield core in which the MR magnetic sensitive portion is formed is 1 nm or less in the center line average roughness Ra, which means that there is no unevenness. Since it has a smooth surface, the MR with a thin film thickness is formed on it by evaporation or sputtering.
It is possible to prevent the magnetic domain structure of the magnetic sensing section from being disturbed, and thereby increase the reproduction output. Therefore, the information recording signal can be reliably read.
【００６６】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
においては、アルミナ膜が成膜された基板を予めアニー
ル処理した後に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドをこの基板
上に形成しているので、アニール処理によってアルミナ
膜の応力を解放することができ、その後の磁気シールド
コアのアニール処理による基板の反りを回避することが
できる。したがって、その後の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの作製を高精度に行え、信頼性の高い磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを提供できる。Further, in the magnetoresistive effect type magnetic head of the present invention, since the substrate on which the alumina film is formed is annealed in advance, the magnetoresistive effect type magnetic head is formed on this substrate. The stress of the alumina film can be released by the treatment, and the warp of the substrate due to the subsequent annealing treatment of the magnetic shield core can be avoided. Therefore, the magnetoresistive effect magnetic head can be manufactured with high accuracy thereafter, and a highly reliable magnetoresistive effect magnetic head can be provided.
【図１】複合型磁気ヘッドの拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a composite magnetic head.
【図２】複合型磁気ヘッドのＭＲヘッド部分を拡大して
示す要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of an essential part showing an MR head portion of a composite type magnetic head in an enlarged manner.
【図３】研磨装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a polishing apparatus.
【図４】研磨装置を一部破断して示す拡大側面図であ
る。FIG. 4 is an enlarged side view showing the polishing device partially broken away.
【図５】アルミナ膜が成膜されたアルチック基板の断面
図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of an AlTiC substrate on which an alumina film is formed.
【図６】アニール処理後のアルチック基板の断面図であ
る。FIG. 6 is a cross-sectional view of an AlTiC substrate after annealing treatment.
【図７】平坦化研磨後のアルチック基板の断面図であ
る。FIG. 7 is a cross-sectional view of an AlTiC substrate after flattening and polishing.
【図８】センダストスパッタ後のアルチック基板の断面
図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of an AlTiC substrate after sendust sputtering.
【図９】センダストスパッタ後にアニール処理した状態
を示すアルチック基板の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of an AlTiC substrate showing an annealed state after sendust sputtering.
【図１０】センダストをエッチングした状態を示すアル
チック基板の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of an AlTiC substrate showing a state in which sendust is etched.
【図１１】平坦化膜をスパッタした状態を示すアルチッ
ク基板の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of an AlTiC substrate showing a state in which a flattening film is sputtered.
【図１２】磁気シールドコアを平坦化した状態を示すア
ルチック基板の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view of an AlTiC substrate showing a flattened magnetic shield core.
１・・・ＡＢＳ面 ３・・・アルチック基板 ４ａ・・・先端電極 ４ｂ・・・後端電極 ５・・・ＭＲ感磁部 ６・・・バイアス導体 ８，９，１２・・・磁気シールドコア １０・・・絶縁膜 １８・・・定盤 １９・・・揺動機構 ２０・・・装置本体 ２１・・・治具 ２２・・・凹部 ２３・・・キャリア ２４・・・駆動モータ ２５・・・カム ２６・・・クランクシャフト ２７，２８・・・スライダー ４０・・・平坦化膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... ABS surface 3 ... AlTiC substrate 4a ... Front end electrode 4b ... Rear end electrode 5 ... MR magnetic sensing part 6 ... Bias conductor 8, 9, 12 ... Magnetic shield core 10 ... Insulating film 18 ... Surface plate 19 ... Oscillating mechanism 20 ... Device body 21 ... Jig 22 ... Recess 23 ... Carrier 24 ... Drive motor 25 ... -Cam 26 ... Crankshaft 27, 28 ... Slider 40 ... Flattening film
Claims (2)
磁気ギャップを構成する磁気抵抗効果型磁気ヘッドが磁
気シールドコア上に形成されてなり、 上記磁気シールドコアの表面粗度が中心線平均粗さＲａ
で１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁
気ヘッド。1. A magnetoresistive effect magnetic head forming a reproducing magnetic gap facing a contact surface with a magnetic recording medium is formed on a magnetic shield core, and the surface roughness of the magnetic shield core is central. Line average roughness Ra
Is 1 nm or less, a magnetoresistive effect type magnetic head.
コアによって挟み込んでなるシールド型の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを、アルミナ膜を成膜した基板上に形成し
てなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 上記アルミナ膜が成膜された基板は、磁気抵抗効果型磁
気ヘッドが形成される前に予めアニール処理されている
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。2. A magnetoresistive effect magnetic head comprising a shielded magnetoresistive effect magnetic head comprising a magnetoresistive effect element sandwiched between a pair of magnetic shield cores, formed on a substrate having an alumina film formed thereon. The magnetoresistive effect magnetic head, wherein the substrate on which the alumina film is formed is annealed in advance before the magnetoresistive effect magnetic head is formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32932193A JPH06259731A (en) | 1993-01-09 | 1993-12-27 | Magneto-resistance effect type magnetic head |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1824493 | 1993-01-09 | ||
| JP5-18244 | 1993-01-09 | ||
| JP32932193A JPH06259731A (en) | 1993-01-09 | 1993-12-27 | Magneto-resistance effect type magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06259731A true JPH06259731A (en) | 1994-09-16 |
Family
ID=26354892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32932193A Pending JPH06259731A (en) | 1993-01-09 | 1993-12-27 | Magneto-resistance effect type magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06259731A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH097125A (en) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Nec Ibaraki Ltd | Magnetoresistance type composite head |
| US5999378A (en) * | 1996-12-27 | 1999-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect head having a giant magnetoresistance effect film |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP32932193A patent/JPH06259731A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH097125A (en) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Nec Ibaraki Ltd | Magnetoresistance type composite head |
| US5999378A (en) * | 1996-12-27 | 1999-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect head having a giant magnetoresistance effect film |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030610 |