JPH0625834A - Formation of vapor phase film - Google Patents
Formation of vapor phase filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高エネルギービームに
よる蒸発を用いた真空蒸着法による気相膜の形成方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a vapor phase film by a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、スパッタリング法や電子ビーム蒸
着法などの物理的蒸着法(ＰＶＤ法)では、蒸発させるタ
ーゲット材は高純度が要求され、高純度パウダーなどの
焼結で作製されたものが一般に用いられている。このた
め、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸着法
においても、ターゲット材には焼結材が一般に用いられ
ている。高エネルギービームとして、例えばレーザを用
いた場合にも、例えば特公昭62−230号公報に示される
ように焼結材がターゲットに用いられている。図４は、
このレーザ蒸着装置の概略構成図である。図において、
(1)はターゲット、(2)はレーザ光、(3)はレーザ光を集
光するレンズ、(4)は蒸発物を蒸着する基板、(5)はヒー
タである。なお、(3)はレンズ光を集光するミラーでも
よい。また、(8)はレーザの透過窓、(9)は真空チャン
バ、(10)はレーザの光路を変換・調整するミラー、(11)
はシャッターである。2. Description of the Related Art Conventionally, in a physical vapor deposition method (PVD method) such as a sputtering method or an electron beam vapor deposition method, a target material to be vaporized is required to have a high purity, and a target material produced by sintering a high purity powder or the like is used. It is commonly used. Therefore, the sintered material is generally used as the target material even in the vacuum vapor deposition method using the evaporation by the high energy beam. Even when a laser, for example, is used as the high energy beam, a sintered material is used as a target as shown in Japanese Patent Publication No. 62-230. Figure 4
It is a schematic block diagram of this laser vapor deposition apparatus. In the figure,
Reference numeral (1) is a target, (2) is a laser beam, (3) is a lens for condensing the laser beam, (4) is a substrate for vapor deposition, and (5) is a heater. Note that (3) may be a mirror that collects lens light. Further, (8) is a transparent window of the laser, (9) is a vacuum chamber, (10) is a mirror for converting and adjusting the optical path of the laser, (11)
Is a shutter.
【０００３】次に、動作について説明する。レーザ光
(2)は、レンズ(3)によって集光され、ターゲット(1)に
照射される。ターゲット(1)は、高エネルギービームで
あるレーザ光(2)により加熱され、ターゲット(1)からは
蒸発物が発生する。その結果、発生した蒸発物が基板
(4)に蒸着される。Next, the operation will be described. Laser light
The lens (3) collects the light (2) and irradiates the target (1). The target (1) is heated by the laser beam (2) which is a high energy beam, and an evaporated substance is generated from the target (1). As a result, the generated evaporation is
It is vapor-deposited on (4).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の高エネルギービ
ームを用いた真空蒸着法を以下に高エネルギービームと
してレーザ光を用いるレーザ蒸着法を例に説明する。従
来のレーザ蒸着法は以上のように構成されていおり、タ
ーゲットに焼結材が用いられている。しかし、ターゲッ
トとなる焼結材によっては、焼結材の焼結粒径と同等の
大きさ(１ｍｍ〜０.１μｍ)あるいは一桁〜二桁小さい
大きさ(０.０１〜０.１μｍ)のいわゆる粗大粒子が発生
し易い。例えば焼結にバインダーを用いてない高純度の
ＳｉＣ焼結材では、粒径１μｍ以下程度の微細粒(粗大
粒子)が発生する。この原因としては、高エネルギービ
ームの照射によって急速に蒸発粒子が発生したり分解し
てガスが発生したりすることで圧力が急速に高まるた
め、焼結強度が弱い焼結粒界が分断されて爆発的に焼結
粒子が飛散することなどが考えられている。このような
粗大粒子が発生し、膜に付着・堆積すると、膜表面の平
坦さが損なわれたり、膜に隙間(いわゆるピンホール)が
残存したポーラスな構造となり易くなるため膜の強度や
基板との付着力が損なわれたりする。A conventional vacuum vapor deposition method using a high energy beam will be described below by taking a laser vapor deposition method using a laser beam as a high energy beam as an example. The conventional laser vapor deposition method is configured as described above, and the sintered material is used as the target. However, depending on the target sintered material, the size may be the same as the sintered particle size (1 mm to 0.1 μm) or one to two orders of magnitude smaller (0.01 to 0.1 μm). So-called coarse particles are likely to occur. For example, in a high-purity SiC sintered material that does not use a binder for sintering, fine particles (coarse particles) having a particle diameter of about 1 μm or less are generated. The reason for this is that the pressure rises rapidly due to the rapid generation of vaporized particles by the irradiation of a high-energy beam or the decomposition of the gas to generate a gas, so that the sintered grain boundaries with low sintering strength are separated. It is considered that sintered particles are explosively scattered. When such coarse particles are generated and adhere to and deposit on the film, the flatness of the film surface is impaired, and a porous structure in which gaps (so-called pinholes) remain in the film tends to be formed, so that the film strength and the substrate The adhesive force of is damaged.
【０００５】このため、膜特性に影響を与えない組成の
バインダーを添加して焼結したターゲット材を用いたり
することなどで粗大粒子の発生を抑制するよう試みられ
ているが、粗大粒子発生を完全に抑制することはできな
い。これは、現在用いられているバインダーの材質や添
加量では発生を抑制するという考え方で粗大粒子を少な
くするのには限界があることを示している。For this reason, it has been attempted to suppress the generation of coarse particles by using a target material obtained by adding a binder having a composition which does not affect the film characteristics and sintering it. It cannot be completely suppressed. This indicates that there is a limit to reducing coarse particles with the idea of suppressing the generation with the binder material and the amount added at present.
【０００６】本発明は、係る問題点を解決するためにな
されたもので、例えば高エネルギービームによる蒸発を
用いた真空蒸着法による気相膜の形成に際して、粗大粒
子の発生または粗大粒子の堆積を主体とする膜形成によ
りピンホールなどの欠陥が形成されるのを抑制し、気相
膜を緻密化することを目的とするものである。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. For example, when forming a vapor phase film by a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam, generation of coarse particles or deposition of coarse particles is prevented. The purpose of the present invention is to suppress the formation of defects such as pinholes due to the film formation mainly, and to densify the vapor phase film.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る気相膜の形
成方法は、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空
蒸着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子が発
生し易い物質を蒸着する際に、ターゲットとして異なる
構成成分の前記粗大粒子が発生し易い物質及び完全に蒸
気化する物質とを使用することを特徴とする。A method for forming a vapor phase film according to the present invention is a method for forming a vapor phase film by a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam, in which a substance that easily produces coarse particles is vapor-deposited. In this case, a target is a substance that is likely to generate the coarse particles and a substance that is completely vaporized, which have different components.
【０００８】更に、本発明に係る別の気相膜の形成方法
は、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸着法
による気相膜の形成方法において、粗大粒子が発生し易
い物質を蒸着する際に、前記粗大粒子が発生し易い物質
と完全に蒸気化する物質とを混合して作製した蒸発用タ
ーゲットを使用することを特徴とする。Another method of forming a vapor phase film according to the present invention is the method of forming a vapor phase film according to a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam, in the case of depositing a substance which is likely to generate coarse particles. In addition, it is characterized in that an evaporation target produced by mixing a substance that easily generates coarse particles and a substance that completely vaporizes is used.
【０００９】また、本発明に係る更に別の気相膜の形成
方法は、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸
着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子が発生
し易い状態に形成された蒸発用ターゲットを用いて蒸着
する際に、主に同じ物質で構成され、かつ完全に蒸気化
し易い状態に形成された蒸発用ターゲットを同時に蒸着
することを特徴とする。Still another vapor phase film forming method according to the present invention is a vapor phase film forming method by a vacuum vapor deposition method using evaporation by a high energy beam, in which coarse particles are easily generated. When the vapor deposition target is vapor-deposited, the vapor deposition target mainly composed of the same material and completely vaporized is simultaneously vapor-deposited.
【００１０】[0010]
【作用】上記のように本発明により、高エネルギービー
ムの照射による粗大粒子の発生または粗大粒子の堆積を
主体とする気相膜の形成によりピンホールなどの欠陥が
形成されるのを抑制して膜を緻密化でき、気相膜の強度
や基板との付着力を向上できる。As described above, according to the present invention, it is possible to suppress the formation of defects such as pinholes due to the formation of a vapor phase film mainly including the generation of coarse particles or the deposition of coarse particles due to the irradiation of a high energy beam. The film can be densified, and the strength of the vapor phase film and the adhesion to the substrate can be improved.
【００１１】更に、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着す
る際に、粗大粒子が発生し易い物質を完全に蒸気化する
物質と混合して作製した蒸発用ターゲットを用いれば、
蒸発用ターゲットを別々に容易して蒸発させる場合２本
必要な照射ビームが１本で済み、かつ蒸着する構成も簡
略化できるので、装置作製のコストやランニングコスト
が低減することもできる。Further, when a substance that easily produces coarse particles is vapor-deposited, an evaporation target prepared by mixing a substance that easily produces coarse particles with a substance that completely vaporizes is used.
When the evaporation targets are easily evaporated separately, only two irradiation beams are required, and the structure for vapor deposition can be simplified, so that the cost for manufacturing the device and the running cost can be reduced.
【００１２】また、完全に蒸気化し易い状態の蒸発用タ
ーゲットを形成する製造コストが高い物質(例えばＳｉ
Ｃ、ＣｕＯ、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3などの単結晶)を蒸
着する際に、製造コストが低い粗大粒子が発生し易い状
態に形成された蒸発用ターゲットを主に用い、かつ完全
に蒸気化し易い状態の蒸発用ターゲットを補助的に用い
ることができるので、気相膜の強度や基板との付着力の
高い気相膜をより安く製造できる。[0012] Further, a substance having a high manufacturing cost (for example, Si
When vapor-depositing C, CuO, TiO 2 , SrTiO 3 and the like), a vapor deposition target mainly formed in a state where coarse particles are easily produced at a low manufacturing cost is used, and it is easily vaporized completely. Since the target for vaporization can be used supplementarily, the vapor phase film having high strength and high adhesion to the substrate can be manufactured at a lower cost.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明方法を詳述する。 実施例１．図１は、本発明の一実施例を示す気相膜の形
成方法を示す図であり、即ち、高エネルギービームに例
えばレーザを用いた場合に、真空中でレーザを粗大粒子
が発生し易い物質の蒸発用ターゲットに照射して蒸発さ
せ蒸着する際に、前記ターゲットと異なる構成成分の完
全に蒸気化する物質の蒸発用ターゲットにも同時に照射
して同時に蒸着する方法の一例を示す図であり、(1-a)
は粗大粒子が発生し易い物質の蒸発用ターゲット、(1-
b)は完全に蒸気化する物質の蒸発用ターゲットを示す図
である。図において、(2-a)は蒸発用ターゲット(1-a)に
照射するレーザ光、(2-b)は蒸発用ターゲット(1-b)に照
射するレーザ光を示す。また、(12-a)はターゲット(1-
a)から発生する粗大粒子、(13-a)はターゲット(1-a)か
ら発生する粗大粒子以外の主に蒸気化した蒸発粒子、(1
3-b)はターゲット(1-b)から発生する主に完全に蒸気化
した蒸発粒子を示す。なお、(14)は基板(4)上に形成さ
れる気相膜である。The method of the present invention will be described in detail below. Example 1. FIG. 1 is a diagram showing a method of forming a vapor phase film showing an embodiment of the present invention, that is, a substance in which coarse particles are easily generated by a laser in a vacuum when a laser is used for a high energy beam. When irradiating and evaporating and vaporizing the evaporation target of, it is a diagram showing an example of a method of simultaneously irradiating and simultaneously irradiating the evaporation target of the substance that completely vaporizes the constituent components different from the target, (1-a)
Is a target for evaporation of substances that easily generate coarse particles, (1-
b) is a diagram showing a target for evaporation of a substance that is completely vaporized. In the figure, (2-a) shows the laser light with which the evaporation target (1-a) is irradiated, and (2-b) shows the laser light with which the evaporation target (1-b) is irradiated. Also, (12-a) is the target (1-
Coarse particles generated from a), (13-a) is mainly vaporized particles other than the coarse particles generated from the target (1-a), (1
3-b) indicates mainly completely vaporized vaporized particles generated from the target (1-b). Incidentally, (14) is a vapor phase film formed on the substrate (4).
【００１４】図１に示すように、蒸発用ターゲット(1-
a)から発生した粗大粒子が多い蒸発粒子と同時に蒸発用
ターゲット(1-b)から発生する蒸気化した蒸発粒子を堆
積させるので、気相膜を緻密化することができる。As shown in FIG. 1, the evaporation target (1-
Since vaporized vaporized particles generated from the vaporization target (1-b) are deposited at the same time as vaporized particles containing a large amount of coarse particles generated from a), the vapor phase film can be densified.
【００１５】この場合、レーザ光(2-a)とレーザ光(2-b)
の照射条件は独立に設定できるので、膜の緻密度をより
最適化するために、それぞれの蒸発用ターゲット(1-
a)、(1-b)からの蒸発量や蒸発時間を任意に設定でき
る。この蒸発量や蒸発時間の設定は連続的でも間欠的で
もよい。この結果として、成膜初期のみ膜を緻密化して
膜の付着力を高め、膜の上層は粗大粒子を主体とするポ
ーラスな膜にすることも可能である。あるいは、その繰
り返しや逆の積み重ねにより、緻密度を多層化させた膜
や傾斜させた膜の形成も可能である。In this case, laser light (2-a) and laser light (2-b)
Since the irradiation conditions can be set independently, each evaporation target (1--
The evaporation amount and evaporation time from a) and (1-b) can be set arbitrarily. The evaporation amount and evaporation time may be set continuously or intermittently. As a result, the film can be densified only in the initial stage of film formation to enhance the adhesive force of the film, and the upper layer of the film can be a porous film mainly containing coarse particles. Alternatively, it is possible to form a film having a multilayered density or a film having an inclination by repeating the above process or stacking them in the reverse order.
【００１６】また、この方法によれば、緻密度だけでな
く膜の組成分布なども制御できるので、組成の傾斜膜の
形成も可能である。Further, according to this method, not only the density but also the composition distribution of the film can be controlled, so that a graded film having a composition can be formed.
【００１７】更に、レーザ光(2-a)とレーザ光(2-b)の種
類を変えてもよく、また、レーザ光以外の高エネルギー
ビーム、例えば電子ビームやイオンビームを用いること
もできる。Further, the types of the laser beam (2-a) and the laser beam (2-b) may be changed, and a high energy beam other than the laser beam, for example, an electron beam or an ion beam may be used.
【００１８】なお、蒸発用ターゲット(1-a)の材質すな
わち粗大粒子の発生し易い物質としては、ＳｉＣ、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの分解・昇華性物質や酸化銅
(ＣｕＯ)、酸化ビスマス(Ｂｉ2Ｏ3)、酸化チタン(Ｔｉ
Ｏ2)などの分解時にガスを発生し易い物質(２ＣｕＯ→
Ｃｕ2Ｏ＋１／２Ｏ2など)が挙げられる。また、これら
の物質を主成分とする混合物あるいは多成分の化合物の
焼結体でも粗大粒子が発生し易い(例えばＳｒＴｉＯ3、
ＢａＴｉＯ3、ＰＺＴなど)。また、どのような物質で
も、焼結体でその結合強度が弱い場合、例えばバインダ
ーを混ぜない高純度の場合には粗大粒子が発生し易い。
また、焼結粒子が細かい場合にも粗大粒子が発生し易
い。Incidentally, as the material of the evaporation target (1-a), that is, the substance in which coarse particles are easily generated, SiC, Si
Decomposable / sublimable substances such as 3 N 4 , AlN, TiN and copper oxide
(CuO), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), titanium oxide (Ti
O 2 ) and other substances that easily generate gas during decomposition (2CuO →
Cu 2 O + 1 / 2O 2 and the like). Further, coarse particles are easily generated even in a mixture containing these substances as a main component or a sintered body of a multi-component compound (for example, SrTiO 3 ,
BaTiO 3 , PZT, etc.). In addition, coarse particles are likely to be generated in any material if the bonding strength of the sintered body is weak, for example, in the case of high purity without mixing a binder.
Also, coarse particles are likely to occur even when the sintered particles are fine.
【００１９】また、蒸発用ターゲット(1-b)の材質すな
わち完全に蒸気化し易いものとしては、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｎＯなどが挙げられる。特に、高エネ
ルギービームの照射を受けても結晶粒のない溶融体の状
態で安定に存在できるＳｉＯ2では完全に緻密な膜が形
成できる。また、金属単体または金属複組成物は、完全
に蒸気化し易い。Further, as a material of the evaporation target (1-b), that is, a material which is easily vaporized completely, SiO 2 , Al 2
O 3 , MgO, ZnO and the like can be mentioned. In particular, SiO 2 which can stably exist in a molten state without crystal grains even when irradiated with a high energy beam can form a completely dense film. Further, a simple substance of metal or a complex composition of metal is easily vaporized completely.
【００２０】上述のような実施態様によれば、例えばＳ
ｉＣとＳｉＯ2の組み合わせ、Ｓｉ3Ｎ4とＳｉＯ2の組み
合わせ、ＣｕＯとＡｌ2Ｏ3の組み合わせ、ＡｌＮとＡｌ
2Ｏ3の組み合わせ、ＴｉＮとＴｉの組み合わせ、Ｂｉ2
Ｏ3とＺｎＯの組み合わせ等、様々な組み合わせで緻密
な気相膜が形成できる。According to the embodiment as described above, for example, S
iC and SiO 2 combination, Si 3 N 4 and SiO 2 combination, CuO and Al 2 O 3 combination, AlN and Al
2 O 3 combination, TiN and Ti combination, Bi 2
A dense vapor phase film can be formed by various combinations such as a combination of O 3 and ZnO.
【００２１】更に、高エネルギービームに例えばレーザ
を用いた場合に、粗大粒子が発生し易い状態に形成され
た蒸発用ターゲット(1-a)と、主に蒸発用ターゲット(1-
a)と同じ物質で構成されかつ完全に蒸気化し易い状態に
形成された蒸発用ターゲット(1-b)とを同時に蒸着する
ことによっても、蒸発用ターゲット(1-a)から発生した
粗大粒子が多い蒸発粒子と同時に蒸発用ターゲット(1-
b)から発生する完全に蒸気化した蒸発粒子を堆積させる
ことができるので、得られる気相膜を緻密化することが
できる。Further, when a laser is used for the high energy beam, for example, an evaporation target (1-a) formed in a state where coarse particles are easily generated, and an evaporation target (1-a) is mainly formed.
Coarse deposition of an evaporation target (1-b) formed of the same substance as a) and in a state where it is easily vaporized completely also causes coarse particles generated from the evaporation target (1-a). Evaporation target (1-
Since the completely vaporized vaporized particles generated from b) can be deposited, the vapor phase film obtained can be densified.
【００２２】このため、蒸発用ターゲット(1-b)の製造
が難しい場合や製造コストの高い場合、蒸発用ターゲッ
ト(1-b)のみを用いなくても、蒸発用ターゲット(1-b)に
比べて製造が容易または製造コストの低い蒸発用ターゲ
ット(1-a)を主に用い、蒸発用ターゲット(1-b)を補助的
に用いて成膜を行って気相膜を緻密化できるので、気相
膜の強度や基板との付着力の高い気相膜をより安く製造
できる。Therefore, when it is difficult to manufacture the evaporation target (1-b) or the manufacturing cost is high, the evaporation target (1-b) can be used as the evaporation target (1-b) without using only the evaporation target (1-b). Compared to the evaporation target (1-a), which is easier to manufacture or has a lower manufacturing cost than the evaporation target (1-b), the evaporation target (1-b) can be used as an auxiliary film to form a dense vapor phase film. In addition, it is possible to inexpensively manufacture a vapor-phase film having high vapor-phase film strength and high adhesion to a substrate.
【００２３】例えば、ＳｉＣの単結晶ターゲットであれ
ば、粗大粒子は発生しにくいが製造はきわめて困難であ
る。そこで、ＳｉＣの焼結ターゲットを蒸発用ターゲッ
ト(1-a)とし、ＳｉＣの単結晶を蒸発用ターゲット(1-b)
として併用し、蒸発用ターゲット(1-b)を補助的に使用
することにより上記のような効果が得られる。For example, in the case of a SiC single crystal target, coarse particles are unlikely to be generated, but production is extremely difficult. Therefore, the SiC sintering target is used as the evaporation target (1-a), and the SiC single crystal is used as the evaporation target (1-b).
The effect as described above can be obtained by using the evaporation target (1-b) as an auxiliary in combination.
【００２４】更に、焼結ターゲットで比較的蒸気化し易
いＡｌ2Ｏ3やＭｇＯでも高価な単結晶ターゲットや溶融
凝固ターゲットを蒸発用ターゲット(1-b)として用いる
ことで、安価に気相膜の緻密化が実現できるなど上記の
ような効果が得られる。Furthermore, even if Al 2 O 3 or MgO, which is relatively easily vaporized by a sintering target, is used as an evaporation target (1-b) by using an expensive single crystal target or a melt solidification target, the vapor phase film can be formed at a low cost. The above-described effects such as the densification can be achieved.
【００２５】実施例２．図２は、本発明の更に他の実施
例を示す気相膜の形成方法を示す図であり、即ち、高エ
ネルギービームに例えばレーザ光を用いた場合に、粗大
粒子が発生し易い物質に完全に蒸気化する物質を混合し
て作製した蒸発用ターゲットを用いる方法の一例を示す
図である。図において、(1-c)は粗大粒子が発生し易い
物質に完全に蒸気化する物質を混合して作製した蒸発用
ターゲットを示す。また、(12-c)はターゲット(1-c)か
ら発生する粗大粒子、(13-c)はターゲット(1-c)から発
生する粗大粒子以外の主に蒸気化した蒸発粒子を示す。Example 2. FIG. 2 is a diagram showing a method for forming a vapor phase film showing still another embodiment of the present invention, that is, when a laser beam is used for a high energy beam, for example, a substance which is likely to generate coarse particles is completely removed. It is a figure which shows an example of the method of using the evaporation target produced by mixing the substance to vaporize into. In the figure, (1-c) shows an evaporation target prepared by mixing a substance that easily generates coarse particles with a substance that completely vaporizes. Further, (12-c) indicates coarse particles generated from the target (1-c), and (13-c) indicates mainly vaporized evaporated particles other than the coarse particles generated from the target (1-c).
【００２６】図２に示すように、蒸発用ターゲット(1-
c)からは、発生した粗大粒子が多い蒸発粒子(12-c)と同
時に、完全に蒸気化したものが多い蒸発粒子(13-c)を堆
積させるので、膜を緻密化することができる。As shown in FIG. 2, the evaporation target (1-
From c), vaporized particles (12-c) with many coarse particles generated are simultaneously deposited with vaporized particles (13-c) with many vaporized particles completely, so that the film can be densified.
【００２７】また、例えば蒸気化し易い成分の比率が多
い場合や粗大粒子化し易い物質に対して蒸気化し易い成
分がバインダー的作用を有する場合など蒸発用ターゲッ
ト(1-c)の作製条件によっては、完全に蒸気化し易い成
分を混合していることで粗大粒子の発生を抑制する場合
があり、この場合には、ピンホールなどの欠陥が形成さ
れにくくなるので、膜をより一層緻密化することができ
る。Further, depending on the preparation conditions of the evaporation target (1-c), for example, when the ratio of the components that are easily vaporized is large, or when the components that are easily vaporized with respect to the substance that is easily made into coarse particles have a binder action, Occurrence of coarse particles may be suppressed by mixing the components that are easily vaporized completely. In this case, defects such as pinholes are less likely to be formed, so the film can be made more dense. it can.
【００２８】更に、粗大粒子が発生し易い物質のターゲ
ットは、焼結粒の焼結強度が低い場合が多いため、照射
する高エネルギービームのエネルギー密度が大きすぎる
と熱衝撃などによりターゲットが破壊してしまうことが
あった。しかし、本発明により蒸気化し易い物質を混合
したターゲットでは、例えば粒界の結合強度を上げるた
めに適温、適圧下で焼結する場合のように、蒸発用ター
ゲット(1-c)の作製条件によっては完全に蒸気化し易い
成分が混合していることでターゲットが破壊されにくく
なる場合があり、この場合にはより大きなエネルギー密
度の照射により蒸着速度を大きくでき、成膜の高速化が
可能となる。Further, since a target made of a material that easily produces coarse particles often has a low sintering strength of the sintered particles, if the energy density of the high-energy beam to be irradiated is too large, the target is destroyed by thermal shock or the like. There were times when it happened. However, according to the present invention, in a target mixed with a substance that easily vaporizes, depending on the production conditions of the evaporation target (1-c), as in the case of sintering at an appropriate temperature and an appropriate pressure in order to increase the bond strength of the grain boundary. In some cases, the target may be less likely to be destroyed due to the mixture of components that are easily vaporized. In this case, the deposition rate can be increased by irradiation with a higher energy density, which enables faster film formation. .
【００２９】図３(ａ)は、例えばＳｉＣにＳｉＯ2を重
量パーセントでＳｉＣとＳｉＯ2の比率が１：１になる
ように混合し、例えば１５００〜１９００℃の温度で例
えば常圧あるいは加圧しながら焼結した蒸発用ターゲッ
ト(1-c)として、ＣＯ2レーザ光を１００Ｗの出力、０.
６ｍｍのスポット径で集光照射して蒸着した場合に得ら
れる膜の断面(研磨面)の走査電子顕微鏡写真である。In FIG. 3 (a), for example, SiC is mixed with SiO 2 in a weight percentage such that the ratio of SiC to SiO 2 is 1: 1 and the mixture is subjected to normal pressure or pressure at a temperature of 1500 to 1900 ° C., for example. However, as a vaporization target (1-c) which was sintered, CO 2 laser light was output at 100 W, and
It is a scanning electron micrograph of the cross section (polishing surface) of the film obtained when vapor deposition is performed by converging irradiation with a spot diameter of 6 mm.
【００３０】図３において、層Ｉが蒸着膜であり、下部
の領域IIは膜を形成した基板である。図３(ｂ)は、例え
ばＳｉＣのみの蒸発用ターゲットに、例えば図３(ａ)の
場合と同様の条件で蒸着した場合に得られる膜の断面
(研磨面)の走査電子顕微鏡写真の一例である。図におい
て、図３(ｂ)の層IIIがＳｉＣの蒸着膜で、この場合に
は膜の付着力を確保するために別の物質の層IVをバッフ
ァー膜として形成してある。下部の領域IIは膜を形成し
た基板である。更に、下部の領域IIは、図３(ａ)と同じ
く膜を形成した基板である。In FIG. 3, layer I is a vapor deposited film, and lower region II is a film-formed substrate. FIG. 3 (b) is a cross-section of a film obtained when vapor-deposited on, for example, a SiC-only evaporation target under the same conditions as in FIG. 3 (a).
It is an example of a scanning electron micrograph of (polished surface). In FIG. 3B, layer III in FIG. 3B is a vapor-deposited film of SiC, and in this case, layer IV of another substance is formed as a buffer film in order to secure the adhesive force of the film. The lower region II is the film-formed substrate. Further, the lower region II is a substrate on which a film is formed as in FIG.
【００３１】図３に示すように、粗大粒子の発生し易い
物質ＳｉＣに完全に蒸気化する物質ＳｉＯ2を混合し焼
結した蒸発用ターゲットを用いて膜を蒸着すれば［図３
(ａ)、層Ｉ］、粗大粒子の発生し易い物質ＳｉＣのみで
膜を蒸着した場合［図３(ｂ)、層III］に比べて膜が緻
密にできる。As shown in FIG. 3, when a film is deposited by using an evaporation target obtained by mixing a substance SiC 2 which is likely to generate coarse particles with a substance SiO 2 which is completely vaporized and sintering the mixture [FIG.
(a), layer I], and when the film is vapor-deposited only with SiC, which is a substance in which coarse particles are easily generated [FIG. 3 (b), layer III], the film can be denser.
【００３２】本実施例では、ＳｉＣとＳｉＯ2の比率が
１：１の場合の膜を一例に示したが、通常１：５〜５：
１の範囲内例えば１：５、１：２、２：１、５：１など
でも、同様の効果の傾向が得られる。この場合、比率に
よって膜の緻密さも異なるので、比率を変えることで所
望の緻密度を得ることもできる。なお、ＳｉＣ：ＳｉＯ
2＝１：５に近い程蒸着速度は速くなり、膜強度は５：
１に近くなる程大きくなる。In this embodiment, the film in which the ratio of SiC to SiO 2 is 1: 1 is shown as an example, but it is usually 1: 5 to 5: 5.
Within the range of 1, for example, 1: 5, 1: 2, 2: 1, 5: 1, etc., the same tendency of the effect can be obtained. In this case, since the denseness of the film varies depending on the ratio, it is possible to obtain a desired denseness by changing the ratio. Note that SiC: SiO
The closer to 2 = 1: 5, the faster the deposition rate and the film strength is 5 :.
The closer it is to 1, the larger it becomes.
【００３３】更に、ここではＳｉＣとＳｉＯ2の組み合
わせの一例のみを示したが、他の物質の組み合わせでも
同様の効果が得られる。例えばＳｉ3Ｎ4とＳｉＯ2、Ｔ
ｉＮとＴｉ、ＡｌＮとＡｌ2Ｏ3、ＭｏＳ2とＭｏなど様
々な組み合わせで同様の効果が得られる。Further, here, only one example of the combination of SiC and SiO 2 is shown, but the same effect can be obtained by combining other substances. For example, Si 3 N 4 and SiO 2 , T
Similar effects can be obtained by various combinations such as iN and Ti, AlN and Al 2 O 3 , MoS 2 and Mo.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載するような効果を有する：高エ
ネルギービームの照射による蒸着では膜を緻密化できに
くい物質でも、膜を緻密化できるので、膜の強度や基板
との付着力を向上できる。更に、その場合に完全に蒸気
化する物質と混合して作製した蒸発用ターゲットを用い
れば、照射ビーム数が１本で済み、かつ蒸着する構成も
簡略化できるので、装置作製のコストやランニングコス
トが低減できる。また、完全に蒸気化し易い状態の蒸発
用ターゲットの製造コストが高い物質の場合に、製造コ
ストが低い粗大粒子が発生し易い状態に形成された蒸発
用ターゲットを主に用い、かつ完全に蒸気化し易い状態
の蒸発用ターゲットを補助的に用いても緻密な膜が形成
できるので、膜の強度や基板との付着力の高い膜をより
安く製造できる。Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects: Even if it is difficult to densify the film by vapor deposition by irradiation with a high energy beam, the film is densified. Therefore, the strength of the film and the adhesion to the substrate can be improved. Furthermore, in that case, if an evaporation target prepared by mixing with a substance that is completely vaporized is used, the number of irradiation beams is only one, and the structure for vapor deposition can be simplified. Can be reduced. Further, in the case of a substance with a high manufacturing cost of the evaporation target in a state where it is easily vaporized completely, the evaporation target formed in a state where coarse particles with a low manufacturing cost are likely to be generated is mainly used and completely vaporized. Since a dense film can be formed even if an evaporation target in an easy state is used as an auxiliary, a film having high film strength and high adhesion to the substrate can be manufactured more cheaply.
【図１】本発明の実施例１を示す気相膜の形成方法を示
す図であり、高エネルギービームに例えばレーザ光を用
い、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着する際に、完全に
蒸気化する物質を同時に蒸着することを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a method of forming a vapor phase film showing Example 1 of the present invention, in which a vapor is completely vaporized when a substance which easily generates coarse particles is vapor-deposited by using, for example, a laser beam as a high energy beam. It is a figure which shows vapor-depositing the substance which turns into the same thing.
【図２】本発明の実施例２を示す気相膜の形成方法を示
す図であり、高エネルギービームに例えばレーザ光を用
い、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着する際に、完全に
蒸気化する物質と混合して作製した蒸発用ターゲットを
用いることを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a method of forming a vapor phase film showing Example 2 of the present invention, in which a laser beam is used as a high-energy beam to completely vaporize a substance in which coarse particles are easily generated. It is a figure which shows using the target for evaporation produced by mixing with the substance to change.
【図３】本発明の実施例２において、粗大粒子の発生し
易い物質ＳｉＣに完全に蒸気化する物質ＳｉＯ2を混合
し焼結したＳｉＣとＳｉＯ2の比率が１：１の蒸発用タ
ーゲットを用いて蒸着した膜の断面(研磨面)の走査電子
顕微鏡写真の一例を示す図である。FIG. 3 shows an evaporation target having a ratio of SiC to SiO 2 of 1: 1 which is obtained by mixing and sintering a substance SiO 2 which completely vaporizes into a substance SiC which easily generates coarse particles in Example 2 of the present invention. It is a figure which shows an example of the scanning electron microscope photograph of the cross section (polishing surface) of the film vapor-deposited using it.
【図４】従来の高エネルギービームを用いた蒸着法の一
例で、例えば高エネルギービームに例えばレーザ光を用
いたレーザ蒸着装置の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a laser vapor deposition apparatus that uses, for example, a laser beam for a high energy beam, which is an example of a conventional vapor deposition method using a high energy beam.
１ａ、１ｂ、１ｃ 蒸発用ターゲット ２ａ、２ｂ、２ｃ レーザ光 ４ 基板 １４ 気相膜 1a, 1b, 1c Target for evaporation 2a, 2b, 2c Laser light 4 Substrate 14 Gas phase film
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年２月１日[Submission date] February 1, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】発明の詳細な説明[Name of item to be amended] Detailed explanation of the invention
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高エネルギービームに
よる蒸発を用いた真空蒸着法による気相膜の形成方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a vapor phase film by a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、スパッタリング法や電子ビーム蒸
着法などの物理的蒸着法(ＰＶＤ法)では、蒸発させるタ
ーゲット材は高純度が要求され、高純度パウダーなどの
焼結で作製されたものが一般に用いられている。このた
め、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸着法
においても、ターゲット材には焼結材が一般に用いられ
ている。高エネルギービームとして、例えばレーザを用
いた場合にも、例えば特公昭62−230号公報に示される
ように焼結材がターゲットに用いられている。図４は、
このレーザ蒸着装置の概略構成図である。図において、
(1)はターゲット、(2)はレーザ光、(3)はレーザ光を集
光するレンズ、(4)は蒸発物を蒸着する基板、(5)はヒー
タである。なお、(3)はレンズ光を集光するミラーでも
よい。また、(8)はレーザの透過窓、(9)は真空チャン
バ、(10)はレーザの光路を変換・調整するミラー、(11)
はシャッターである。2. Description of the Related Art Conventionally, in a physical vapor deposition method (PVD method) such as a sputtering method or an electron beam vapor deposition method, a target material to be vaporized is required to have a high purity, and a target material produced by sintering a high purity powder or the like is used. It is commonly used. Therefore, the sintered material is generally used as the target material even in the vacuum vapor deposition method using the evaporation by the high energy beam. Even when a laser, for example, is used as the high energy beam, a sintered material is used as a target as shown in Japanese Patent Publication No. 62-230. Figure 4
It is a schematic block diagram of this laser vapor deposition apparatus. In the figure,
Reference numeral (1) is a target, (2) is a laser beam, (3) is a lens for condensing the laser beam, (4) is a substrate for vapor deposition, and (5) is a heater. Note that (3) may be a mirror that collects lens light. Further, (8) is a transparent window of the laser, (9) is a vacuum chamber, (10) is a mirror for converting and adjusting the optical path of the laser, (11)
Is a shutter.
【０００３】次に、動作について説明する。レーザ光
(2)は、レンズ(3)によって集光され、ターゲット(1)に
照射される。ターゲット(1)は、高エネルギービームで
あるレーザ光(2)により加熱され、ターゲット(1)からは
蒸発物が発生する。その結果、発生した蒸発物が基板
(4)に蒸着される。Next, the operation will be described. Laser light
The lens (3) collects the light (2) and irradiates the target (1). The target (1) is heated by the laser beam (2) which is a high energy beam, and an evaporated substance is generated from the target (1). As a result, the generated evaporation is
It is vapor-deposited on (4).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の高エネルギービ
ームを用いた真空蒸着法を以下に高エネルギービームと
してレーザ光を用いるレーザ蒸着法を例に説明する。従
来のレーザ蒸着法は以上のように構成されていおり、タ
ーゲットに焼結材が用いられている。しかし、ターゲッ
トとなる焼結材によっては、焼結材の焼結粒径と同等の
大きさ(１ｍｍ〜０.１μｍ)あるいは一桁〜二桁小さい
大きさ(０.０１〜０.１μｍ)のいわゆる粗大粒子が発生
し易い。例えば焼結にバインダーを用いていない高純度
のＳｉＣ焼結材では、粒径１μｍ以下程度の微細粒(粗
大粒子)が発生する。この原因としては、高エネルギー
ビームの照射によって急速に蒸発粒子が発生したり分解
してガスが発生したりすることで圧力が急速に高まるた
め、焼結強度が弱い焼結粒界が分断されて爆発的に焼結
粒子が飛散することなどが考えられている。このような
粗大粒子が発生し、膜に付着・堆積すると、膜表面の平
坦さが損なわれたり、膜に隙間(いわゆるピンホール)が
残存したポーラスな構造となり易くなるため膜の強度や
基板との付着力が損なわれたりする。A conventional vacuum vapor deposition method using a high energy beam will be described below by taking a laser vapor deposition method using a laser beam as a high energy beam as an example. The conventional laser vapor deposition method is configured as described above, and the sintered material is used as the target. However, depending on the target sintered material, the size may be the same as the sintered particle size (1 mm to 0.1 μm) or one to two orders of magnitude smaller (0.01 to 0.1 μm). So-called coarse particles are likely to occur. For example, in a high-purity SiC sintered material that does not use a binder for sintering, fine particles (coarse particles) having a particle size of about 1 μm or less are generated. The reason for this is that the pressure rises rapidly due to the rapid generation of vaporized particles by the irradiation of a high-energy beam or the decomposition of the gas to generate a gas, so that the sintered grain boundaries with low sintering strength are separated. It is considered that sintered particles are explosively scattered. When such coarse particles are generated and adhere to and deposit on the film, the flatness of the film surface is impaired, and a porous structure in which gaps (so-called pinholes) remain in the film tends to be formed, so that the film strength and the substrate The adhesive force of is damaged.
【０００５】このため、膜特性に影響を与えない組成の
バインダーを添加して焼結したターゲット材を用いたり
することなどで粗大粒子の発生を抑制するよう試みられ
ているが、粗大粒子発生を完全に抑制することはできな
い。これは、現在用いられているバインダーの材質や添
加量では発生を抑制するという考え方で粗大粒子を少な
くするのには限界があることを示している。For this reason, it has been attempted to suppress the generation of coarse particles by using a target material obtained by adding a binder having a composition which does not affect the film characteristics and sintering it. It cannot be completely suppressed. This indicates that there is a limit to reducing coarse particles with the idea of suppressing the generation with the binder material and the amount added at present.
【０００６】本発明は、係る問題点を解決するためにな
されたもので、例えば高エネルギービームによる蒸発を
用いた真空蒸着法による気相膜の形成に際して、粗大粒
子の発生または粗大粒子の堆積を主体とする膜形成によ
りピンホールなどの欠陥が形成されるのを抑制し、気相
膜を緻密化することを目的とするものである。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. For example, when forming a vapor phase film by a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam, generation of coarse particles or deposition of coarse particles is prevented. The purpose of the present invention is to suppress the formation of defects such as pinholes due to the film formation mainly, and to densify the vapor phase film.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る気相膜の形
成方法は、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空
蒸着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子が発
生し易い物質を蒸着する際に、ターゲットとして異なる
構成成分の前記粗大粒子が発生し易い物質及び完全に蒸
気化する物質とを使用することを特徴とする。A method for forming a vapor phase film according to the present invention is a method for forming a vapor phase film by a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam, in which a substance that easily produces coarse particles is vapor-deposited. In this case, a target is a substance that is likely to generate the coarse particles and a substance that is completely vaporized, which have different components.
【０００８】更に、本発明に係る別の気相膜の形成方法
は、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸着法
による気相膜の形成方法において、粗大粒子が発生し易
い物質を蒸着する際に、前記粗大粒子が発生し易い物質
と完全に蒸気化する物質とを混合して作製した蒸発用タ
ーゲットを使用することを特徴とする。Another method of forming a vapor phase film according to the present invention is the method of forming a vapor phase film according to a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam, in the case of depositing a substance which is likely to generate coarse particles. In addition, it is characterized in that an evaporation target produced by mixing a substance that easily generates coarse particles and a substance that completely vaporizes is used.
【０００９】また、本発明に係る更に別の気相膜の形成
方法は、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸
着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子が発生
し易い状態に形成された蒸発用ターゲットを用いて蒸着
する際に、主に同じ物質で構成され、かつ完全に蒸気化
し易い状態に形成された蒸発用ターゲットを同時に蒸着
することを特徴とする。Still another vapor phase film forming method according to the present invention is a vapor phase film forming method by a vacuum vapor deposition method using evaporation by a high energy beam, in which coarse particles are easily generated. When the vapor deposition target is vapor-deposited, the vapor deposition target mainly composed of the same material and completely vaporized is simultaneously vapor-deposited.
【００１０】[0010]
【作用】上記のように本発明により、高エネルギービー
ムの照射による粗大粒子の発生または粗大粒子の堆積を
主体とする気相膜の形成によりピンホールなどの欠陥が
形成されるのを抑制して膜を緻密化でき、気相膜の強度
や基板との付着力を向上できる。As described above, according to the present invention, it is possible to suppress the formation of defects such as pinholes due to the formation of a vapor phase film mainly including the generation of coarse particles or the deposition of coarse particles due to the irradiation of a high energy beam. The film can be densified, and the strength of the vapor phase film and the adhesion to the substrate can be improved.
【００１１】更に、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着す
る際に、粗大粒子が発生し易い物質を完全に蒸気化する
物質と混合して作製した蒸発用ターゲットを用いれば、
蒸発用ターゲットを別々に容易して蒸発させる場合２本
必要な照射ビームが１本で済み、かつ蒸着する構成も簡
略化できるので、装置作製のコストやランニングコスト
を低減することもできる。Further, when a substance that easily produces coarse particles is vapor-deposited, an evaporation target prepared by mixing a substance that easily produces coarse particles with a substance that completely vaporizes is used.
When evaporation targets are easily evaporated separately, two irradiation beams are required, and the structure for vapor deposition can be simplified.
It can also be reduced.
【００１２】また、完全に蒸気化し易い状態の蒸発用タ
ーゲットを形成する製造コストが高い物質(例えばＳｉ
Ｃ、ＣｕＯ、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3などの単結晶)を蒸
着する際に、製造コストが低い粗大粒子が発生し易い状
態に形成された蒸発用ターゲットを主に用い、かつ完全
に蒸気化し易い状態の蒸発用ターゲットを補助的に用い
ることができるので、気相膜の強度や基板との付着力の
高い気相膜をより安く製造できる。[0012] Further, a substance having a high manufacturing cost (for example, Si
When vapor-depositing C, CuO, TiO 2 , SrTiO 3 and the like), a vapor deposition target mainly formed in a state where coarse particles are easily produced at a low manufacturing cost is used, and it is easily vaporized completely. Since the target for vaporization can be used supplementarily, the vapor phase film having high strength and high adhesion to the substrate can be manufactured at a lower cost.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明方法を詳述する。 実施例１．図１は、本発明の一実施例を示す気相膜の形
成方法を示す図であり、即ち、高エネルギービームに例
えばレーザを用いた場合に、真空中でレーザを粗大粒子
が発生し易い物質の蒸発用ターゲットに照射して蒸発さ
せ蒸着する際に、前記ターゲットと異なる構成成分の完
全に蒸気化する物質の蒸発用ターゲットにも同時に照射
して同時に蒸着する方法の一例を示す図であり、(1-a)
は粗大粒子が発生し易い物質の蒸発用ターゲット、(1-
b)は完全に蒸気化する物質の蒸発用ターゲットを示す図
である。図において、(2-a)は蒸発用ターゲット(1-a)に
照射するレーザ光、(2-b)は蒸発用ターゲット(1-b)に照
射するレーザ光を示す。また、(12-a)はターゲット(1-
a)から発生する粗大粒子、(13-a)はターゲット(1-a)か
ら発生する粗大粒子以外の主に蒸気化した蒸発粒子、(1
3-b)はターゲット(1-b)から発生する主に完全に蒸気化
した蒸発粒子を示す。なお、(14)は基板(4)上に形成さ
れる気相膜である。The method of the present invention will be described in detail below. Example 1. FIG. 1 is a diagram showing a method of forming a vapor phase film showing an embodiment of the present invention, that is, a substance in which coarse particles are easily generated by a laser in a vacuum when a laser is used for a high energy beam. When irradiating and evaporating and vaporizing the evaporation target of, it is a diagram showing an example of a method of simultaneously irradiating and simultaneously irradiating the evaporation target of the substance that completely vaporizes the constituent components different from the target, (1-a)
Is a target for evaporation of substances that easily generate coarse particles, (1-
b) is a diagram showing a target for evaporation of a substance that is completely vaporized. In the figure, (2-a) shows the laser light with which the evaporation target (1-a) is irradiated, and (2-b) shows the laser light with which the evaporation target (1-b) is irradiated. Also, (12-a) is the target (1-
Coarse particles generated from a), (13-a) is mainly vaporized particles other than the coarse particles generated from the target (1-a), (1
3-b) indicates mainly completely vaporized vaporized particles generated from the target (1-b). Incidentally, (14) is a vapor phase film formed on the substrate (4).
【００１４】図１に示すように、蒸発用ターゲット(1-
a)から発生した粗大粒子が多い蒸発粒子と同時に蒸発用
ターゲット(1-b)から発生する蒸気化した蒸発粒子を堆
積させるので、気相膜を緻密化することができる。As shown in FIG. 1, the evaporation target (1-
Since vaporized vaporized particles generated from the vaporization target (1-b) are deposited at the same time as vaporized particles containing a large amount of coarse particles generated from a), the vapor phase film can be densified.
【００１５】この場合、レーザ光(2-a)とレーザ光(2-b)
の照射条件は独立に設定できるので、膜の緻密度をより
最適化するために、それぞれの蒸発用ターゲット(1-
a)、(1-b)からの蒸発量や蒸発時間を任意に設定でき
る。この蒸発量や蒸発時間の設定は連続的でも間欠的で
もよい。この結果として、成膜初期のみ膜を緻密化して
膜の付着力を高め、膜の上層は粗大粒子を主体とするポ
ーラスな膜にすることも可能である。あるいは、その繰
り返しや逆の積み重ねにより、緻密度を多層化させた膜
や傾斜させた膜の形成も可能である。In this case, laser light (2-a) and laser light (2-b)
Since the irradiation conditions can be set independently, each evaporation target (1--
The evaporation amount and evaporation time from a) and (1-b) can be set arbitrarily. The evaporation amount and evaporation time may be set continuously or intermittently. As a result, the film can be densified only in the initial stage of film formation to enhance the adhesive force of the film, and the upper layer of the film can be a porous film mainly containing coarse particles. Alternatively, it is possible to form a film having a multilayered density or a film having an inclination by repeating the above process or stacking them in the reverse order.
【００１６】また、この方法によれば、緻密度だけでな
く膜の組成分布なども制御できるので、組成の傾斜膜の
形成も可能である。Further, according to this method, not only the density but also the composition distribution of the film can be controlled, so that a graded film having a composition can be formed.
【００１７】更に、レーザ光(2-a)とレーザ光(2-b)の種
類を変えてもよく、また、レーザ光以外の高エネルギー
ビーム、例えば電子ビームやイオンビームを用いること
もできる。Further, the types of the laser beam (2-a) and the laser beam (2-b) may be changed, and a high energy beam other than the laser beam, for example, an electron beam or an ion beam may be used.
【００１８】なお、蒸発用ターゲット(1-a)の材質すな
わち粗大粒子の発生し易い物質としては、ＳｉＣ、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの分解・昇華性物質や酸化銅
(ＣｕＯ)、酸化ビスマス(Ｂｉ2Ｏ3)、酸化チタン(Ｔｉ
Ｏ2)などの分解時にガスを発生し易い物質(２ＣｕＯ→
Ｃｕ2Ｏ＋１／２Ｏ2など)が挙げられる。また、これら
の物質を主成分とする混合物あるいは多成分の化合物の
焼結体でも粗大粒子が発生し易い(例えばＳｒＴｉＯ3、
ＢａＴｉＯ3、ＰＺＴなど)。また、どのような物質で
も、焼結体でその結合強度が弱い場合、例えばバインダ
ーを混ぜない高純度の場合には粗大粒子が発生し易い。
また、焼結粒子が細かい場合にも粗大粒子が発生し易
い。Incidentally, as the material of the evaporation target (1-a), that is, the substance in which coarse particles are easily generated, SiC, Si
Decomposable / sublimable substances such as 3 N 4 , AlN, TiN and copper oxide
(CuO), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), titanium oxide (Ti
O 2 ) and other substances that easily generate gas during decomposition (2CuO →
Cu 2 O + 1 / 2O 2 and the like). Further, coarse particles are easily generated even in a mixture containing these substances as a main component or a sintered body of a multi-component compound (for example, SrTiO 3 ,
BaTiO 3 , PZT, etc.). In addition, coarse particles are likely to be generated in any material if the bonding strength of the sintered body is weak, for example, in the case of high purity without mixing a binder.
Also, coarse particles are likely to occur even when the sintered particles are fine.
【００１９】また、蒸発用ターゲット(1-b)の材質すな
わち完全に蒸気化し易いものとしては、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｎＯなどが挙げられる。特に、高エネ
ルギービームの照射を受けても結晶粒のない溶融体の状
態で安定に存在できるＳｉＯ2では完全に緻密な膜が形
成できる。また、金属単体または金属複組成物例えばＡ
ｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｔｉ、Ｔｉ−Ｐｔなど
は、完全に蒸気化し易い。Further, the material of the evaporation target (1-b) is
In other words, SiO is one that can be easily vaporized completely.2, Al2
O3, MgO, ZnO and the like. Especially high energy
The state of a melt without crystal grains even when irradiated with a rugie beam
SiO that can exist in a stable state2Then a completely dense film is shaped
Can be done. In addition, a single metal or a double metal compositionFor example, A
l-Si, Al-Ti, Si-Ti, Ti-Pt, etc.
Is easily vaporized completely.
【００２０】上述のような実施態様によれば、例えばＳ
ｉＣとＳｉＯ2の組み合わせ、Ｓｉ3Ｎ4とＳｉＯ2の組み
合わせ、ＣｕＯとＡｌ2Ｏ3の組み合わせ、ＡｌＮとＡｌ
2Ｏ3の組み合わせ、ＴｉＮとＴｉの組み合わせ、Ｂｉ2
Ｏ3とＺｎＯの組み合わせ等、様々な組み合わせで緻密
な気相膜が形成できる。According to the embodiment as described above, for example, S
iC and SiO 2 combination, Si 3 N 4 and SiO 2 combination, CuO and Al 2 O 3 combination, AlN and Al
2 O 3 combination, TiN and Ti combination, Bi 2
A dense vapor phase film can be formed by various combinations such as a combination of O 3 and ZnO.
【００２１】例えば、ＳｉＣとＳｉＯ2の組み合わせで
は、ＳｉＣに対してＳｉＯ2の重量比率(パーセント)が
０.２〜２０倍の範囲になるように蒸発させて形成する
ことができる。 For example, a combination of SiC and SiO 2
Is the weight ratio (percentage) of SiO 2 to SiC.
Form by evaporating to a range of 0.2 to 20 times
be able to.
【００２２】更に、高エネルギービームに例えばレーザ
を用いた場合に、粗大粒子が発生し易い状態に形成され
た蒸発用ターゲット(1-a)と、主に蒸発用ターゲット(1-
a)と同じ物質で構成されかつ完全に蒸気化し易い状態に
形成された蒸発用ターゲット(1-b)とを同時に蒸着する
ことによっても、蒸発用ターゲット(1-a)から発生した
粗大粒子が多い蒸発粒子と同時に蒸発用ターゲット(1-
b)から発生する完全に蒸気化した蒸発粒子を堆積させる
ことができるので、得られる気相膜を緻密化することが
できる。Further, when a laser is used for the high energy beam, for example, an evaporation target (1-a) formed in a state where coarse particles are easily generated, and an evaporation target (1-a) is mainly formed.
Coarse deposition of an evaporation target (1-b) formed of the same substance as a) and in a state where it is easily vaporized completely also causes coarse particles generated from the evaporation target (1-a). Evaporation target (1-
Since the completely vaporized vaporized particles generated from b) can be deposited, the vapor phase film obtained can be densified.
【００２３】このため、蒸発用ターゲット(1-b)の製造
が難しい場合や製造コストの高い場合、蒸発用ターゲッ
ト(1-b)のみを用いなくても、蒸発用ターゲット(1-b)に
比べて製造が容易または製造コストの低い蒸発用ターゲ
ット(1-a)を主に用い、蒸発用ターゲット(1-b)を補助的
に用いて成膜を行って気相膜を緻密化できるので、気相
膜の強度や基板との付着力の高い気相膜をより安く製造
できる。ここで、補助的というのは、例えば膜の厚さや
組織などは蒸発用ターゲット(1-a)の蒸発物質で形成
し、その際形成される粗大粒子間の隙間などを蒸発用タ
ーゲット(1-b)の蒸発粒子で埋めて構成していくという
ことである。 Therefore, when it is difficult to manufacture the evaporation target (1-b) or the manufacturing cost is high, the evaporation target (1-b) can be used as the evaporation target (1-b) without using only the evaporation target (1-b). Compared to the evaporation target (1-a), which is easier to manufacture or has a lower manufacturing cost than the evaporation target (1-b), the evaporation target (1-b) can be used as an auxiliary film to form a dense vapor phase film. In addition, it is possible to inexpensively manufacture a vapor-phase film having high vapor-phase film strength and high adhesion to a substrate. Here, auxiliary means, for example, the thickness of the film or
Tissue, etc. is formed by evaporation material of evaporation target (1-a)
However, the gaps between the coarse particles formed at that time should be
It is said that it will be filled with evaporated particles of target (1-b)
That is.
【００２４】例えば、ＳｉＣの単結晶ターゲットであれ
ば、粗大粒子は発生しにくいが製造はきわめて困難であ
る。そこで、ＳｉＣの焼結ターゲットを蒸発用ターゲッ
ト(1-a)とし、ＳｉＣの単結晶を蒸発用ターゲット(1-b)
として併用し、蒸発用ターゲット(1-b)を補助的に使用
することにより上記のような効果が得られる。For example, in the case of a SiC single crystal target, coarse particles are unlikely to be generated, but production is extremely difficult. Therefore, the SiC sintering target is used as the evaporation target (1-a), and the SiC single crystal is used as the evaporation target (1-b).
The effect as described above can be obtained by using the evaporation target (1-b) as an auxiliary in combination.
【００２５】更に、焼結ターゲットで比較的蒸気化し易
いＡｌ2Ｏ3やＭｇＯでも高価な単結晶ターゲットや溶融
凝固ターゲットを蒸発用ターゲット(1-b)として用いる
ことで、安価に気相膜の緻密化が実現できるなど上記の
ような効果が得られる。Furthermore, even if Al 2 O 3 or MgO, which is relatively easily vaporized by a sintering target, is used as an evaporation target (1-b) by using an expensive single crystal target or a melt solidification target, the vapor phase film can be formed at low cost. The above-described effects such as the densification can be achieved.
【００２６】実施例２．図２は、本発明の更に他の実施
例を示す気相膜の形成方法を示す図であり、即ち、高エ
ネルギービームに例えばレーザ光を用いた場合に、粗大
粒子が発生し易い物質に完全に蒸気化する物質を混合し
て作製した蒸発用ターゲットを用いる方法の一例を示す
図である。図において、(1-c)は粗大粒子が発生し易い
物質に完全に蒸気化する物質を混合して作製した蒸発用
ターゲットを示す。また、(12-c)はターゲット(1-c)か
ら発生する粗大粒子、(13-c)はターゲット(1-c)から発
生する粗大粒子以外の主に蒸気化した蒸発粒子を示す。Example 2. FIG. 2 is a diagram showing a method for forming a vapor phase film showing still another embodiment of the present invention, that is, when a laser beam is used for a high energy beam, for example, a substance which is likely to generate coarse particles is completely removed. It is a figure which shows an example of the method of using the evaporation target produced by mixing the substance to vaporize into. In the figure, (1-c) shows an evaporation target prepared by mixing a substance that easily generates coarse particles with a substance that completely vaporizes. Further, (12-c) indicates coarse particles generated from the target (1-c), and (13-c) indicates mainly vaporized evaporated particles other than the coarse particles generated from the target (1-c).
【００２７】図２に示すように、蒸発用ターゲット(1-
c)からは、発生した粗大粒子が多い蒸発粒子(12-c)と同
時に、完全に蒸気化したものが多い蒸発粒子(13-c)を堆
積させるので、膜を緻密化することができる。As shown in FIG. 2, the evaporation target (1-
From c), vaporized particles (12-c) with many coarse particles generated are simultaneously deposited with vaporized particles (13-c) with many vaporized particles completely, so that the film can be densified.
【００２８】また、例えば蒸気化し易い成分の比率が多
い場合や粗大粒子化し易い物質に対して蒸気化し易い成
分がバインダー的作用を有する場合など蒸発用ターゲッ
ト(1-c)の作製条件によっては、完全に蒸気化し易い成
分を混合していることで粗大粒子の発生を抑制する場合
があり、この場合には、ピンホールなどの欠陥が形成さ
れにくくなるので、膜をより一層緻密化することができ
る。Further, depending on the preparation conditions of the evaporation target (1-c), for example, when the ratio of the components that are easily vaporized is large or when the components that are easily vaporized with respect to the substance that easily becomes coarse particles have a binder-like action, Occurrence of coarse particles may be suppressed by mixing the components that are easily vaporized completely. In this case, defects such as pinholes are less likely to be formed, so the film can be made more dense. it can.
【００２９】更に、粗大粒子が発生し易い物質のターゲ
ットは、焼結粒の焼結強度が低い場合が多いため、照射
する高エネルギービームのエネルギー密度が大きすぎる
と熱衝撃などによりターゲットが破壊してしまうことが
あった。しかし、本発明により蒸気化し易い物質を混合
したターゲットでは、例えば粒界の結合強度を上げるた
めに適温、適圧下で焼結する場合のように、蒸発用ター
ゲット(1-c)の作製条件によっては完全に蒸気化し易い
成分が混合していることでターゲットが破壊されにくく
なる場合があり、この場合にはより大きなエネルギー密
度の照射により蒸着速度を大きくでき、成膜の高速化が
可能となる。Further, since a target made of a material that easily generates coarse particles often has a low sintering strength of the sintered particles, if the energy density of the high-energy beam to be irradiated is too large, the target is destroyed by thermal shock or the like. There were times when it happened. However, according to the present invention, in a target mixed with a substance that easily vaporizes, depending on the production conditions of the evaporation target (1-c), as in the case of sintering at an appropriate temperature and an appropriate pressure in order to increase the bond strength of the grain boundary. In some cases, the target may be less likely to be destroyed due to the mixture of components that are easily vaporized. In this case, the deposition rate can be increased by irradiation with a higher energy density, which enables faster film formation. .
【００３０】図３(ａ)は、例えばＳｉＣにＳｉＯ2を重
量パーセントでＳｉＣとＳｉＯ2の比率が１：１になる
ように混合し、例えば１５００〜１９００℃の温度で例
えば常圧あるいは加圧(例えば１気圧)しながら焼結した
蒸発用ターゲット(1-c)として、ＣＯ2レーザ光を１００
Ｗの出力、０.６ｍｍのスポット径で３分間集光照射し
て蒸着した場合に得られる膜の断面(研磨面)の走査電子
顕微鏡写真である。なお、基板としては黄銅板あるいは
Ｓｉ板を使用し、基板の温度を２５０℃とし、得られた
気相膜の厚さは６μｍであった。 In FIG. 3 (a), for example, SiC is mixed with SiO 2 in a weight ratio of 1: 1 so that the ratio of SiC to SiO 2 is 1: 1 and the temperature is 1500 to 1900 ° C. As the evaporation target (1-c) which was sintered while (for example, 1 atm) , CO 2 laser light of 100
It is a scanning electron micrograph of the cross section (polishing surface) of the film obtained when light is condensed and irradiated with a W output and a spot diameter of 0.6 mm for 3 minutes . As a substrate, brass plate or
Obtained by using a Si plate at a substrate temperature of 250 ° C.
The thickness of the vapor phase film was 6 μm.
【００３１】図３において、層Ｉが蒸着膜であり、下部
の領域IIは膜を形成した基板である。図３(ｂ)は、例え
ばＳｉＣのみの蒸発用ターゲットに、例えば図３(ａ)の
場合と同様の条件で蒸着した場合に得られる膜の断面
(研磨面)の走査電子顕微鏡写真の一例である。図におい
て、図３(ｂ)の層IIIがＳｉＣの蒸着膜で、この場合に
は膜の付着力を確保するために別の物質の層IVをバッフ
ァー膜として形成してある。下部の領域IIは膜を形成し
た基板である。更に、下部の領域IIは、図３(ａ)と同じ
く膜を形成した基板である。In FIG. 3, layer I is the vapor deposited film and the lower region II is the film-formed substrate. FIG. 3 (b) is a cross-section of a film obtained when vapor-deposited on, for example, a SiC-only evaporation target under the same conditions as in FIG. 3 (a).
It is an example of a scanning electron micrograph of (polished surface). In FIG. 3B, layer III in FIG. 3B is a vapor-deposited film of SiC, and in this case, layer IV of another substance is formed as a buffer film in order to secure the adhesive force of the film. The lower region II is the film-formed substrate. Further, the lower region II is a substrate on which a film is formed as in FIG.
【００３２】図３に示すように、粗大粒子の発生し易い
物質ＳｉＣに完全に蒸気化する物質ＳｉＯ2を混合し焼
結した蒸発用ターゲットを用いて膜を蒸着すれば［図３
(ａ)、層Ｉ］、粗大粒子の発生し易い物質ＳｉＣのみで
膜を蒸着した場合［図３(ｂ)、層III］に比べて膜が緻
密にできる。As shown in FIG. 3, if a substance SiO 2 which is likely to generate coarse particles is mixed with a substance SiO 2 which is completely vaporized and is sintered, a film is deposited by using an evaporation target [FIG.
(a), layer I], and when the film is vapor-deposited only with SiC, which is a substance in which coarse particles are easily generated [FIG. 3 (b), layer III], the film can be denser.
【００３３】本実施例では、ＳｉＣとＳｉＯ2の比率が
１：１の場合の膜を一例に示したが、通常１：５〜５：
１の範囲内例えば１：５、１：２、２：１、５：１など
でも、同様の効果の傾向が得られる。この場合、比率に
よって膜の緻密さも異なるので、比率を変えることで所
望の緻密度を得ることもできる。なお、ＳｉＣ：ＳｉＯ
2＝１：５に近い程蒸着速度は速くなり、膜強度は５：
１に近くなる程大きくなる。In this embodiment, a film in which the ratio of SiC to SiO 2 is 1: 1 is shown as an example, but it is usually 1: 5 to 5: 5.
Within the range of 1, for example, 1: 5, 1: 2, 2: 1, 5: 1, etc., the same tendency of the effect can be obtained. In this case, since the denseness of the film varies depending on the ratio, it is possible to obtain a desired denseness by changing the ratio. Note that SiC: SiO
The closer to 2 = 1: 5, the faster the deposition rate and the film strength is 5 :.
The closer it is to 1, the larger it becomes.
【００３４】この実施態様において、蒸発用ターゲット
(1-c)として使用できる焼結体としてはＳｉＣとＳｉ
Ｏ2、ＳｉＮ3とＳｉＯ2、ＴｉＮとＴｉ、ＡｌＮとＡｌ2
Ｏ3、ＭｏＳ2とＭｏの組み合わせなどにより得られた焼
結体を例示することができる。例えば、ＳｉＣとＳｉＯ
2の組み合わせでは、ＳｉＣに対するＳｉＯ2の重量比率
(パーセント)が０.１〜１０倍の範囲になるように焼結
体を作製することが好ましい。 In this embodiment, the evaporation target
As the sintered body that can be used as (1-c), SiC and Si
O 2 , SiN 3 and SiO 2 , TiN and Ti, AlN and Al 2
Firing obtained by combining O 3 , MoS 2 and Mo, etc.
A tie can be exemplified. For example, SiC and SiO
In the combination of 2 , the weight ratio of SiO 2 to SiC
Sintered so that (percent) is in the range of 0.1 to 10 times
It is preferable to create a body.
【００３５】なお、実施例１においても、例えば次のよ
うな条件で膜を形成すると、図３(ａ)と同様の膜が得ら
れた。例えば、ターゲット(1-a)としてＳｉＣを、ター
ゲット(1-b)としてＳｉＯ2を用い、ターゲット(1-a)に
はＣＯ2レーザ光を１００Ｗの出力で、ターゲット(1-b)
にはＣＯ2レーザ光を５０Ｗの出力でそれぞれスポット
径０.６ｍｍと０.８ｍｍで２分間集光照射して蒸着し
た。この場合、基板は黄銅板またはＳｉ板で、基板温度
は２５０℃とした。得られた膜は７μｍであり、様相は
図３(ａ)と同様であった。 Also in the first embodiment, for example,
When a film is formed under such conditions, a film similar to that shown in Fig. 3 (a) is obtained.
It was For example, SiC is used as the target (1-a).
Use SiO 2 as the get (1-b) and use it as the target (1-a)
Is a target (1-b) with an output of 100 W of CO 2 laser light.
CO 2 laser light with 50 W output
Concentrated irradiation with diameters of 0.6 mm and 0.8 mm for 2 minutes for vapor deposition
It was In this case, the substrate is brass plate or Si plate, the substrate temperature
Was set to 250 ° C. The obtained film was 7 μm, and the appearance was
It was similar to FIG.
【００３６】更に、ここではＳｉＣとＳｉＯ2の組み合
わせの一例のみを示したが、他の物質の組み合わせでも
同様の効果が得られる。例えばＳｉ3Ｎ4とＳｉＯ2、Ｔ
ｉＮとＴｉ、ＡｌＮとＡｌ2Ｏ3、ＭｏＳ2とＭｏなど様
々な組み合わせで同様の効果が得られる。Further, although only one example of the combination of SiC and SiO 2 is shown here, the same effect can be obtained by combining other substances. For example, Si 3 N 4 and SiO 2 , T
Similar effects can be obtained by various combinations such as iN and Ti, AlN and Al 2 O 3 , MoS 2 and Mo.
【００３７】[0037]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載するような効果を有する：高エ
ネルギービームの照射による蒸着では膜を緻密化できに
くい物質でも、膜を緻密化できるので、膜の強度や基板
との付着力を向上できる。更に、その場合に完全に蒸気
化する物質と混合して作製した蒸発用ターゲットを用い
れば、照射ビーム数が１本で済み、かつ蒸着する構成も
簡略化できるので、装置作製のコストやランニングコス
トが低減できる。また、完全に蒸気化し易い状態の蒸発
用ターゲットの製造コストが高い物質の場合に、製造コ
ストが低い粗大粒子が発生し易い状態に形成された蒸発
用ターゲットを主に用い、かつ完全に蒸気化し易い状態
の蒸発用ターゲットを補助的に用いても緻密な膜が形成
できるので、膜の強度や基板との付着力の高い膜をより
安く製造できる。 ─────────────────────────────────────────────────────
Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects: Even if it is difficult to densify the film by vapor deposition by irradiation with a high energy beam, the film is densified. Therefore, the strength of the film and the adhesion to the substrate can be improved. Furthermore, in that case, if an evaporation target prepared by mixing with a substance that is completely vaporized is used, the number of irradiation beams is only one, and the structure for vapor deposition can be simplified. Can be reduced. Further, in the case of a substance with a high manufacturing cost of the evaporation target in a state where it is easily vaporized completely, the evaporation target formed in a state where coarse particles with a low manufacturing cost are likely to be generated is mainly used and completely vaporized. Since a dense film can be formed even if an evaporation target in an easy state is used as an auxiliary, a film having high film strength and high adhesion to the substrate can be manufactured more cheaply. ─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年３月５日[Submission date] March 5, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の実施例１を示す気相膜の形成方法を示
す図であり、高エネルギービームに例えばレーザ光を用
い、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着する際に、完全に
蒸気化する物質を同時に蒸着することを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a method of forming a vapor phase film showing Example 1 of the present invention, in which a vapor is completely vaporized when a substance which easily generates coarse particles is vapor-deposited by using, for example, a laser beam as a high energy beam. It is a figure which shows vapor-depositing the substance which turns into the same thing.
【図２】本発明の実施例２を示す気相膜の形成方法を示
す図であり、高エネルギービームに例えばレーザ光を用
い、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着する際に、完全に
蒸気化する物質と混合して作製した蒸発用ターゲットを
用いることを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a method of forming a vapor phase film showing Example 2 of the present invention, in which a laser beam is used as a high-energy beam to completely vaporize a substance in which coarse particles are easily generated. It is a figure which shows using the target for evaporation produced by mixing with the substance to change.
【図３】本発明の実施例２において、粗大粒子の発生し
易い物質ＳｉＣに完全に蒸気化する物質ＳｉＯ2を混合
し焼結したＳｉＣとＳｉＯ2の比率が１：１の蒸発用タ
ーゲットを用いて蒸着した膜の断面(研磨面)の粒子構造
を示す走査電子顕微鏡写真の一例を示す図である。FIG. 3 shows an evaporation target having a ratio of SiC to SiO 2 of 1: 1 which is obtained by mixing and sintering a substance SiO 2 which completely vaporizes into a substance SiC which easily generates coarse particles in Example 2 of the present invention. Structure of the cross section (polished surface) of the film deposited by using
Is a diagram illustrating an example of a scanning electron micrograph showing the.
【図４】従来の高エネルギービームを用いた蒸着法の一
例で、例えば高エネルギービームに例えばレーザ光を用
いたレーザ蒸着装置の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a laser vapor deposition apparatus that uses, for example, a laser beam for a high energy beam, which is an example of a conventional vapor deposition method using a high energy beam.
【符号の説明】 １ａ、１ｂ、１ｃ 蒸発用ターゲット ２ａ、２ｂ、２ｃ レーザ光 ４ 基板 １４ 気相膜[Explanation of reference numerals] 1a, 1b, 1c evaporation target 2a, 2b, 2c laser light 4 substrate 14 vapor phase film
Claims (3)
真空蒸着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子
が発生し易い物質を蒸着する際に、ターゲットとして異
なる構成成分の前記粗大粒子が発生し易い物質及び完全
に蒸気化する物質とを使用することを特徴とする気相膜
の形成方法。1. In a method of forming a vapor phase film by a vacuum deposition method using evaporation with a high energy beam, when a substance that is likely to generate coarse particles is vapor-deposited, the coarse particles having different constituents are generated as a target. A method for forming a vapor phase film, which comprises using a substance that is easy to vaporize and a substance that completely vaporizes.
真空蒸着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子
が発生し易い物質を蒸着する際に、前記粗大粒子が発生
し易い物質と完全に蒸気化する物質とを混合して作製し
た蒸発用ターゲットを使用することを特徴とする気相膜
の形成方法。2. In a method of forming a vapor phase film by a vacuum deposition method using evaporation with a high energy beam, when a substance that easily causes coarse particles is vapor-deposited, the substance that easily causes coarse particles and a vapor are completely vaporized. A method for forming a vapor phase film, comprising using an evaporation target produced by mixing with a substance to be vaporized.
真空蒸着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子
が発生し易い状態に形成された蒸発用ターゲットを用い
て蒸着する際に、主に同じ物質で構成され、かつ完全に
蒸気化し易い状態に形成された蒸発用ターゲットを同時
に蒸着することを特徴とする気相膜の形成方法。3. A method of forming a vapor phase film by a vacuum vapor deposition method using vaporization with a high energy beam, which is mainly the same when vapor depositing using a vaporization target formed in a state where coarse particles are easily generated. A method for forming a vapor-phase film, which comprises simultaneously vapor-depositing an evaporation target composed of a substance and in a state in which it is easily vaporized completely.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20320192A JPH0625834A (en) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | Formation of vapor phase film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20320192A JPH0625834A (en) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | Formation of vapor phase film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625834A true JPH0625834A (en) | 1994-02-01 |
Family
ID=16470145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20320192A Pending JPH0625834A (en) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | Formation of vapor phase film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625834A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3704623A1 (en) * | 1986-02-14 | 1987-10-29 | Aisin Seiki | ANTI-BLOCKING DEVICE FOR A MOTOR VEHICLE |
| US4834468A (en) * | 1986-09-22 | 1989-05-30 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Antiskid apparatus |
| US4846535A (en) * | 1986-09-24 | 1989-07-11 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Antiskid apparatus |
| US4874207A (en) * | 1987-06-27 | 1989-10-17 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Hydraulic braking system for an automotive vehicle |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP20320192A patent/JPH0625834A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3704623A1 (en) * | 1986-02-14 | 1987-10-29 | Aisin Seiki | ANTI-BLOCKING DEVICE FOR A MOTOR VEHICLE |
| US4834468A (en) * | 1986-09-22 | 1989-05-30 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Antiskid apparatus |
| US4846535A (en) * | 1986-09-24 | 1989-07-11 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Antiskid apparatus |
| US4874207A (en) * | 1987-06-27 | 1989-10-17 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Hydraulic braking system for an automotive vehicle |
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