JPH06252215A - フィルムキャリア - Google Patents
フィルムキャリアInfo
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- JPH06252215A JPH06252215A JP6144593A JP6144593A JPH06252215A JP H06252215 A JPH06252215 A JP H06252215A JP 6144593 A JP6144593 A JP 6144593A JP 6144593 A JP6144593 A JP 6144593A JP H06252215 A JPH06252215 A JP H06252215A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ICと接続されるリードのショートや断線、
捩れや曲がり等の変形やプリント基板との接続時のリー
ド曲がりを有効に防止し得るフィルムキャリアを提供す
る。 【構成】 絶縁性フィルム上に金属箔膜パターンを形成
し、ICやプリント基板と接続される部分の絶縁性フィ
ルムの一部または全てに除去部分を設けたフィルムキャ
リアにおいて、該除去部分の金属箔裏面側の一部または
全てに樹脂被膜層を形成することを特徴とするフィルム
キャリア。
捩れや曲がり等の変形やプリント基板との接続時のリー
ド曲がりを有効に防止し得るフィルムキャリアを提供す
る。 【構成】 絶縁性フィルム上に金属箔膜パターンを形成
し、ICやプリント基板と接続される部分の絶縁性フィ
ルムの一部または全てに除去部分を設けたフィルムキャ
リアにおいて、該除去部分の金属箔裏面側の一部または
全てに樹脂被膜層を形成することを特徴とするフィルム
キャリア。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリア(T
AB)に関し、詳しくはICと接続されるリードのショ
ートや断線、捩れや曲がり等の変形やプリント基板と接
続されるリードの変形や曲がりを有効に防止し得るフィ
ルムキャリアに関する。
AB)に関し、詳しくはICと接続されるリードのショ
ートや断線、捩れや曲がり等の変形やプリント基板と接
続されるリードの変形や曲がりを有効に防止し得るフィ
ルムキャリアに関する。
【0002】
【従来の技術】フィルムキャリアにICを接続する方法
として、フィルムキャリアの銅等の導体で形成されたリ
ードをICチップ電極上に形成されたAuバンプと位置
合わせした後、リードとバンプを接合する反対側よりボ
ンディング用ツールを用いて加熱加圧することによって
接合することが一般的である。
として、フィルムキャリアの銅等の導体で形成されたリ
ードをICチップ電極上に形成されたAuバンプと位置
合わせした後、リードとバンプを接合する反対側よりボ
ンディング用ツールを用いて加熱加圧することによって
接合することが一般的である。
【0003】ところが、絶縁性フィルムは製造時や搬送
時の強度や寸法安定性を必要とするため、一般的には5
0μm以上のものを使用する。そのためリードの裏に絶
縁性フィルムがあるとボンディング用ツールを用いて加
熱加圧しても十分な熱が接合部に伝わらず接続不良を起
こす。
時の強度や寸法安定性を必要とするため、一般的には5
0μm以上のものを使用する。そのためリードの裏に絶
縁性フィルムがあるとボンディング用ツールを用いて加
熱加圧しても十分な熱が接合部に伝わらず接続不良を起
こす。
【0004】このことはリードと絶縁性フィルムの間に
接着剤を介してなる3層構造のフィルムキャリアでは著
しい。
接着剤を介してなる3層構造のフィルムキャリアでは著
しい。
【0005】そのため、従来、半導体素子を接続するフ
ィルムキャリアでは、次に示す構造となっている。この
フィルムキャリアの断面図および平面図を図1(a)〜
(b)に示す。同図において、1は絶縁性フィルム、2
はデバイスホール、3はインナーリード、4はアウター
ホール、5はアウターリードをそれぞれ示す。また、以
下の図面において、同一の符号は同様のものを示す。
ィルムキャリアでは、次に示す構造となっている。この
フィルムキャリアの断面図および平面図を図1(a)〜
(b)に示す。同図において、1は絶縁性フィルム、2
はデバイスホール、3はインナーリード、4はアウター
ホール、5はアウターリードをそれぞれ示す。また、以
下の図面において、同一の符号は同様のものを示す。
【0006】すなわち、図1(a)および(b)に示さ
れるように、ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹脂、B
Tレジン、ポリエステルテープ等の絶縁性フィルム(ベ
ースフィルム)1にICを接続するための穴(デバイス
ホール)2を、パンチングやポリイミドエッチング等に
より設け、さらにデバイスホールにはインナーリード3
をオーバーハングさせ、ICチップ電極上に形成された
Auバンプと位置合わせした後、リードとバンプを接合
するために、反対側よりボンディング用ツールを用いて
加熱加圧することによって接合する方法が一般的であ
る。
れるように、ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹脂、B
Tレジン、ポリエステルテープ等の絶縁性フィルム(ベ
ースフィルム)1にICを接続するための穴(デバイス
ホール)2を、パンチングやポリイミドエッチング等に
より設け、さらにデバイスホールにはインナーリード3
をオーバーハングさせ、ICチップ電極上に形成された
Auバンプと位置合わせした後、リードとバンプを接合
するために、反対側よりボンディング用ツールを用いて
加熱加圧することによって接合する方法が一般的であ
る。
【0007】また、予めインナーリードにバンプを形成
し、ICチップ電極に接合する方法もある。
し、ICチップ電極に接合する方法もある。
【0008】このように接続されたICは信頼性の確保
のために、エポキシ系樹脂等の封止樹脂により封止され
る。
のために、エポキシ系樹脂等の封止樹脂により封止され
る。
【0009】また、フィルムキャリアをプリント基板等
に接続するための穴(アウターホール)4をベースフィ
ルム上の所定の場所にパンチングやポリイミドエッチン
グ等により形成する。そして、アウターホール部にアウ
ターリード5を形成し、上記方法にてICを接続後フィ
ルムキャリア1個ずつ切断し、プリント基板に搭載しや
すいようにアウターリードを所定の形状にフォーミング
を行ない半田付け等によりプリント基板に接続する。
に接続するための穴(アウターホール)4をベースフィ
ルム上の所定の場所にパンチングやポリイミドエッチン
グ等により形成する。そして、アウターホール部にアウ
ターリード5を形成し、上記方法にてICを接続後フィ
ルムキャリア1個ずつ切断し、プリント基板に搭載しや
すいようにアウターリードを所定の形状にフォーミング
を行ない半田付け等によりプリント基板に接続する。
【0010】近年、ICの高性能化に伴いフィルムキャ
リアの導体パターンのピッチもファインピッチ化へと急
速に進んでいる。しかし、従来より行なわれている一般
的なプロセスでは以下の問題がある。
リアの導体パターンのピッチもファインピッチ化へと急
速に進んでいる。しかし、従来より行なわれている一般
的なプロセスでは以下の問題がある。
【0011】すなわち、ファインピッチとするために
は、リード幅を小さくするばかりでなく、使用する金属
箔(金属層)の厚みを薄くすることが必要である。しか
し、リード幅を小さくしたり、金属箔の厚みを薄くした
場合、デバイスホール内にオーバーハングされたインナ
ーリードも必然的に薄くなり、インナーリードの強度が
低下し変形し易くなる。
は、リード幅を小さくするばかりでなく、使用する金属
箔(金属層)の厚みを薄くすることが必要である。しか
し、リード幅を小さくしたり、金属箔の厚みを薄くした
場合、デバイスホール内にオーバーハングされたインナ
ーリードも必然的に薄くなり、インナーリードの強度が
低下し変形し易くなる。
【0012】そのため、インナーリードの変形によりI
Cとの接合時に接合できないとう問題が起こる。また、
接合はできたもののインナーリードが薄いためICを支
えることができずに断線したり、あるいは封止樹脂の硬
化時の応力により断線したりする。
Cとの接合時に接合できないとう問題が起こる。また、
接合はできたもののインナーリードが薄いためICを支
えることができずに断線したり、あるいは封止樹脂の硬
化時の応力により断線したりする。
【0013】このような理由により使用する金属箔の厚
みは、通常18μm以上、好ましくは25μm以上を使
用することが必要となる。
みは、通常18μm以上、好ましくは25μm以上を使
用することが必要となる。
【0014】これらのことより、インナーリードピッチ
が60μm以下のファインピッチのフィルムキャリアで
は、ICとの接合信頼性を十分満足するものは得られて
いない。また、ピッチが100μm以下で接合信頼性を
満足するものは得られているが、作業性が悪くコストが
高くなる。
が60μm以下のファインピッチのフィルムキャリアで
は、ICとの接合信頼性を十分満足するものは得られて
いない。また、ピッチが100μm以下で接合信頼性を
満足するものは得られているが、作業性が悪くコストが
高くなる。
【0015】また、ICの高性能化に伴ないアウターリ
ードのピッチもファインとなりそのためリード数は多く
なり、またリード幅も小さくなる。また、銅箔厚みも薄
くなるためリードの強度は著しく低下し変形し易くな
る。
ードのピッチもファインとなりそのためリード数は多く
なり、またリード幅も小さくなる。また、銅箔厚みも薄
くなるためリードの強度は著しく低下し変形し易くな
る。
【0016】アウターリードの変形によりプリント基板
との接合時に接合できないという問題が起こる。また、
接合はできたもののアウターリードの幅が狭く、また厚
さが薄いためフィルムキャリアを支えることができずに
断線したり、隣接するアウターリードと接触しショート
したりする。
との接合時に接合できないという問題が起こる。また、
接合はできたもののアウターリードの幅が狭く、また厚
さが薄いためフィルムキャリアを支えることができずに
断線したり、隣接するアウターリードと接触しショート
したりする。
【0017】これらのことより、アウターリードピッチ
250μm以下のファインピッチのフィルムキャリアで
は、プリント基板との接続信頼性を十分満足するものは
得られていない。
250μm以下のファインピッチのフィルムキャリアで
は、プリント基板との接続信頼性を十分満足するものは
得られていない。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の課題を解決すべくなされたもので、ICと接続され
るリードのショートや断線、捩れや曲がり等の変形やプ
リント基板との接続時のリード曲がりを有効に防止し得
るフィルムキャリアを提供することを目的とする。
術の課題を解決すべくなされたもので、ICと接続され
るリードのショートや断線、捩れや曲がり等の変形やプ
リント基板との接続時のリード曲がりを有効に防止し得
るフィルムキャリアを提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、I
Cやプリント基板と接続される部分の絶縁性フィルムの
一部または全てに除去部分を設け、該除去部分の金属箔
裏面側の一部または全てに樹脂被膜層を形成すること等
によって達成される。
Cやプリント基板と接続される部分の絶縁性フィルムの
一部または全てに除去部分を設け、該除去部分の金属箔
裏面側の一部または全てに樹脂被膜層を形成すること等
によって達成される。
【0020】すなわち、本発明は、絶縁性フィルム上に
金属箔膜パターンを形成し、ICやプリント基板と接続
される部分の絶縁性フィルムの一部または全てに除去部
分を設けたフィルムキャリアにおいて、該除去部分の金
属箔裏面側の一部または全てに樹脂被膜層を形成するこ
とを特徴とするフィルムキャリアにある。
金属箔膜パターンを形成し、ICやプリント基板と接続
される部分の絶縁性フィルムの一部または全てに除去部
分を設けたフィルムキャリアにおいて、該除去部分の金
属箔裏面側の一部または全てに樹脂被膜層を形成するこ
とを特徴とするフィルムキャリアにある。
【0021】また、本発明は、上記したプリント基板と
接続される部分に設けられた除去部分に形成されたアウ
ターリードの厚さを他の金属箔膜より厚くすることを特
徴とするフィルムキャリアにある。
接続される部分に設けられた除去部分に形成されたアウ
ターリードの厚さを他の金属箔膜より厚くすることを特
徴とするフィルムキャリアにある。
【0022】以下、本発明のフィルムキャリアについて
図面に基づいて詳細に説明する。図2(a)は、本発明
の樹脂を被覆したフィルムキャリアの側面図であり、同
図(b)はその上面図、同図(c)はその断面図であ
る。同図において、6は樹脂被覆層を示す。
図面に基づいて詳細に説明する。図2(a)は、本発明
の樹脂を被覆したフィルムキャリアの側面図であり、同
図(b)はその上面図、同図(c)はその断面図であ
る。同図において、6は樹脂被覆層を示す。
【0023】同図に示されるように、絶縁性フィルム1
の一部または全部をパンチングやポリイミドエッチング
等により除去して、デバイスホール2やアウターホール
4が設けられている。
の一部または全部をパンチングやポリイミドエッチング
等により除去して、デバイスホール2やアウターホール
4が設けられている。
【0024】ここに用いられる金属箔膜(金属層)は、
導体パターンが形成できる導電性のものであれば特に限
定されていないが、銅箔が一般的である。また、絶縁性
フィルムとしては、ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹
脂、BTレジン、ポリエステルテープ等が例示される
が、加工性や特性等を考慮するとポリイミド樹脂が好ま
しく使用される。
導体パターンが形成できる導電性のものであれば特に限
定されていないが、銅箔が一般的である。また、絶縁性
フィルムとしては、ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹
脂、BTレジン、ポリエステルテープ等が例示される
が、加工性や特性等を考慮するとポリイミド樹脂が好ま
しく使用される。
【0025】さらに、絶縁性フィルムに除去部分を設け
る手段は、パンチングやポリイミドエッチングに限らず
任意である。
る手段は、パンチングやポリイミドエッチングに限らず
任意である。
【0026】この図2では、デバイスホール2の金属箔
膜裏面に樹脂被膜層6を形成している。この樹脂被膜層
を形成する樹脂は、耐熱性の高い樹脂で、例えばポリイ
ミド系樹脂、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂、その他
エポキシ系樹脂等が例示される。
膜裏面に樹脂被膜層6を形成している。この樹脂被膜層
を形成する樹脂は、耐熱性の高い樹脂で、例えばポリイ
ミド系樹脂、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂、その他
エポキシ系樹脂等が例示される。
【0027】また、樹脂被膜の形成方法は、スクリーン
印刷、タンポ印刷、ロールコータ、ディスペンサーもし
くは手塗り等の任意の方法が採用される。樹脂被膜を形
成する工程は、パターン形成前でもパターン形成後で
も、あるいはスズメッキ、金メッキ等のメッキ処理前で
も後でも良い。
印刷、タンポ印刷、ロールコータ、ディスペンサーもし
くは手塗り等の任意の方法が採用される。樹脂被膜を形
成する工程は、パターン形成前でもパターン形成後で
も、あるいはスズメッキ、金メッキ等のメッキ処理前で
も後でも良い。
【0028】このようにして得られた樹脂被膜層の厚さ
は5〜80μm、好ましくは10〜60μmが望まし
い。
は5〜80μm、好ましくは10〜60μmが望まし
い。
【0029】このように、除去部分に樹脂被膜を形成す
ることにより、ファインピッチでもインナーリードの変
形や断線を防ぐことができ、また樹脂被膜の熱伝導性が
絶縁フィルムより非常に高く、さらには樹脂被覆層の厚
みを任意にできるため、加熱したボンディング用ツール
の熱が十分接続部に加わり信頼性の高い接合ができる。
ることにより、ファインピッチでもインナーリードの変
形や断線を防ぐことができ、また樹脂被膜の熱伝導性が
絶縁フィルムより非常に高く、さらには樹脂被覆層の厚
みを任意にできるため、加熱したボンディング用ツール
の熱が十分接続部に加わり信頼性の高い接合ができる。
【0030】また、図3(a)は、本発明の樹脂を被覆
したフィルムキャリアの第2の例を示す側面図であり、
同図(b)はその上面図、同図(c)はその断面図であ
る。
したフィルムキャリアの第2の例を示す側面図であり、
同図(b)はその上面図、同図(c)はその断面図であ
る。
【0031】同図に示されるように、プリント基板と接
続するアウターリード部はパンチングやポリイミドエッ
チング等により除去して、アウターホール4が設けられ
ている。
続するアウターリード部はパンチングやポリイミドエッ
チング等により除去して、アウターホール4が設けられ
ている。
【0032】この図3では、アウターホール4の金属箔
膜裏面に樹脂被膜層6を形成する。この樹脂被膜層を形
成する樹脂や形成方法、形成時期は上記図2に関する説
明で述べたのと同様である。
膜裏面に樹脂被膜層6を形成する。この樹脂被膜層を形
成する樹脂や形成方法、形成時期は上記図2に関する説
明で述べたのと同様である。
【0033】このようにして得られた樹脂被膜層の厚さ
は5〜100μm、好ましくは10〜80μmが望まし
い。
は5〜100μm、好ましくは10〜80μmが望まし
い。
【0034】このように、除去部分に樹脂被膜を形成す
ることにより、ファインピッチでもアウターリードの変
形を防ぐことができ、信頼性の高い接合ができる。
ることにより、ファインピッチでもアウターリードの変
形を防ぐことができ、信頼性の高い接合ができる。
【0035】また、図4(a)は、本発明のフィルムキ
ャリアの第3の例を示す側面図であり、同図(b)はそ
の断面図である。
ャリアの第3の例を示す側面図であり、同図(b)はそ
の断面図である。
【0036】同図に示されるように、プリント基板と接
続するアウターリード部はパンチングやポリイミドエッ
チング等により除去して、アウターホール4が設けられ
ている。
続するアウターリード部はパンチングやポリイミドエッ
チング等により除去して、アウターホール4が設けられ
ている。
【0037】該除去部分に形成されたアウターリード5
の厚さを他の金属箔膜より厚くすることにより、ファイ
ンピッチでアウターリードの強度が著しく高いフィルム
キャリアが得られる。
の厚さを他の金属箔膜より厚くすることにより、ファイ
ンピッチでアウターリードの強度が著しく高いフィルム
キャリアが得られる。
【0038】該除去部分に形成されたアウターリードの
厚さは35〜200μm、好ましくは50〜150μm
が望ましい。厚みが200μmを超えると強度は強くな
るものの、逆にリードフォーミングの作業性が悪くな
る。
厚さは35〜200μm、好ましくは50〜150μm
が望ましい。厚みが200μmを超えると強度は強くな
るものの、逆にリードフォーミングの作業性が悪くな
る。
【0039】このように、アウターリード5の厚さを他
の金属箔膜より厚くする方法としては、フォトリソグラ
フィ法により導体パターン形成する前に、絶縁フィルム
側の金属層に電気メッキを行う方法や、導体パターン形
成後にアウターリード5以外のパターンをレジストで覆
い、その後電気メッキする方法等があり、特に限定され
ない。
の金属箔膜より厚くする方法としては、フォトリソグラ
フィ法により導体パターン形成する前に、絶縁フィルム
側の金属層に電気メッキを行う方法や、導体パターン形
成後にアウターリード5以外のパターンをレジストで覆
い、その後電気メッキする方法等があり、特に限定され
ない。
【0040】さらに強度を増す方法として、インナーリ
ードよりアウターリードの本数を少なくすることによ
り、アウターリードの幅を広くすることも有効である。
ードよりアウターリードの本数を少なくすることによ
り、アウターリードの幅を広くすることも有効である。
【0041】また、これらの本発明を組み合わせること
により、さらに信頼性の高いフィルムキャリアが得られ
る。
により、さらに信頼性の高いフィルムキャリアが得られ
る。
【0042】
【実施例】以下、実施例等に基づいて本発明を具体的に
説明する。
説明する。
【0043】実施例1 ベースフィルムとして75μmのポリイミド樹脂(商品
名ユーピレックス、宇部興産社製)を用い、パンチにて
デバイスホールを設けた。次にベースフィルムに25μ
mの電解銅箔(商品名VLP、三井金属鉱業社製)をエ
ポキシ樹脂系接着剤でラミネートした。
名ユーピレックス、宇部興産社製)を用い、パンチにて
デバイスホールを設けた。次にベースフィルムに25μ
mの電解銅箔(商品名VLP、三井金属鉱業社製)をエ
ポキシ樹脂系接着剤でラミネートした。
【0044】その後、デバイスホールの金属箔裏面側に
スクリーン印刷にて樹脂被膜としてポリイミド樹脂(商
品名FS−100、宇部興産社製)を20μm厚となる
ように塗布した。次に、パターンエッチングし、さらに
メッキを施し、インナーリードの線幅30μm、ギャッ
プ30μmでインナーリードの本数を348本のフィル
ムキャリアを100個作成し、これをテストサンプルと
した。
スクリーン印刷にて樹脂被膜としてポリイミド樹脂(商
品名FS−100、宇部興産社製)を20μm厚となる
ように塗布した。次に、パターンエッチングし、さらに
メッキを施し、インナーリードの線幅30μm、ギャッ
プ30μmでインナーリードの本数を348本のフィル
ムキャリアを100個作成し、これをテストサンプルと
した。
【0045】このようにして得られたフィルムキャリア
の評価として、ICを接続し電気検査を行ったところ、
100個すべてに接続不良は起こらなかった。
の評価として、ICを接続し電気検査を行ったところ、
100個すべてに接続不良は起こらなかった。
【0046】比較例1 デバイスホールの金属箔裏面側に樹脂被膜しない以外
は、実施例1と同様の材料、工程によってフィルムキャ
リアを100個作成した。
は、実施例1と同様の材料、工程によってフィルムキャ
リアを100個作成した。
【0047】このようにして得られたフィルムキャリア
について、実施例1と同様の評価を行なったところ、イ
ンナーリードの曲がりにより100個中、36個の接続
不良が発生した。
について、実施例1と同様の評価を行なったところ、イ
ンナーリードの曲がりにより100個中、36個の接続
不良が発生した。
【0048】実施例2 ベースフィルムとして125μmのポリイミド樹脂(商
品名ユーピレックス、宇部興産社製)を用い、パンチに
てアウターホールを設けた。次にベースフィルムに25
μmの電解銅箔(商品名VLP、三井金属鉱業社製)を
エポキシ樹脂系接着剤でラミネートした。
品名ユーピレックス、宇部興産社製)を用い、パンチに
てアウターホールを設けた。次にベースフィルムに25
μmの電解銅箔(商品名VLP、三井金属鉱業社製)を
エポキシ樹脂系接着剤でラミネートした。
【0049】その後、アウターホールの金属箔裏面側に
スクリーン印刷にて樹脂被膜としてポリイミド樹脂(商
品名FS−100、宇部興産社製)を80μm厚となる
ように塗布した。次に、パターンエッチングし、さらに
メッキを施し、アウターリードの線幅100μm、ギャ
ップ100μmでアウターリードの本数を348本のフ
ィルムキャリアを100個作成し、これをテストサンプ
ルとした。
スクリーン印刷にて樹脂被膜としてポリイミド樹脂(商
品名FS−100、宇部興産社製)を80μm厚となる
ように塗布した。次に、パターンエッチングし、さらに
メッキを施し、アウターリードの線幅100μm、ギャ
ップ100μmでアウターリードの本数を348本のフ
ィルムキャリアを100個作成し、これをテストサンプ
ルとした。
【0050】このようにして得られたフィルムキャリア
の評価として、プリント基板に半田を用いて接続し電気
検査を行ったところ、100個すべてに接続不良は起こ
らなかった。
の評価として、プリント基板に半田を用いて接続し電気
検査を行ったところ、100個すべてに接続不良は起こ
らなかった。
【0051】実施例3 ベースフィルムとして125μmのポリイミド樹脂(商
品名ユーピレックス、宇部興産社製)を用い、パンチに
てアウターホールを設けた。次にベースフィルムに25
μmの電解銅箔(商品名VLP、三井金属鉱業社製)を
エポキシ樹脂系接着剤でラミネートした。
品名ユーピレックス、宇部興産社製)を用い、パンチに
てアウターホールを設けた。次にベースフィルムに25
μmの電解銅箔(商品名VLP、三井金属鉱業社製)を
エポキシ樹脂系接着剤でラミネートした。
【0052】その後、アウターホールの金属箔裏面側だ
けに電気メッキを行ない銅層の厚みを70μmとした。
次に、パターンエッチングし、さらにメッキを施し、ア
ウターリードの線幅100μm、ギャップ100μm、
厚み70μmでアウターリードの本数を348本のフィ
ルムキャリアを100個作成し、これをテストサンプル
とした。
けに電気メッキを行ない銅層の厚みを70μmとした。
次に、パターンエッチングし、さらにメッキを施し、ア
ウターリードの線幅100μm、ギャップ100μm、
厚み70μmでアウターリードの本数を348本のフィ
ルムキャリアを100個作成し、これをテストサンプル
とした。
【0053】このようにして得られたフィルムキャリア
の評価として、実施例2と同様の評価を行ったところ、
100個すべてに接続不良は起こらなかった。
の評価として、実施例2と同様の評価を行ったところ、
100個すべてに接続不良は起こらなかった。
【0054】比較例2 アウターホールの金属箔裏面側に樹脂被膜しない以外
は、実施例2と同様の材料、工程によってフィルムキャ
リアを100個作成した。
は、実施例2と同様の材料、工程によってフィルムキャ
リアを100個作成した。
【0055】このようにして得られたフィルムキャリア
について実施例2と同様の評価を行なったところ、アウ
ターリードの曲がりにより100個全てに接続不良が発
生した。
について実施例2と同様の評価を行なったところ、アウ
ターリードの曲がりにより100個全てに接続不良が発
生した。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフィルム
キャリアは、ICと接続されるリードのショートや断
線、捩れや曲がり等の変形を有効に防止し得る。また、
本発明のフィルムキャリアは、プリント基板との接続時
のリード曲がりを有効に防止し得る。
キャリアは、ICと接続されるリードのショートや断
線、捩れや曲がり等の変形を有効に防止し得る。また、
本発明のフィルムキャリアは、プリント基板との接続時
のリード曲がりを有効に防止し得る。
【図1】 従来のフィルムキャリアの側面図および上面
図。
図。
【図2】 本発明のフィルムキャリアの第1の例を示す
側面図、上面図および断面図。
側面図、上面図および断面図。
【図3】 本発明のフィルムキャリアの第2の例を示す
側面図、上面図および断面図。
側面図、上面図および断面図。
【図4】 本発明のフィルムキャリアの第3の例を示す
側面図および断面図。
側面図および断面図。
1:絶縁性フィルム、2:デバイスホール、3:インナ
ーリード、4:アウターホール、5:アウターリード、
6:樹脂被膜層。
ーリード、4:アウターホール、5:アウターリード、
6:樹脂被膜層。
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁性フィルムとその上に金属箔膜で形
成されたパターンを有し、ICと接続される部分の絶縁
性フィルムの一部または全てが除去されているフィルム
キャリアにおいて、該除去部分の金属箔裏面側の一部ま
たは全てに樹脂被膜層が設けられていることを特徴とす
るフィルムキャリア。 - 【請求項2】 絶縁性フィルムとその上に金属箔膜で形
成されたパターンを有し、プリント基板と接続される部
分の絶縁性フィルムの一部または全てが除去されている
フィルムキャリアにおいて、該除去部分の金属箔裏面側
の一部または全てに樹脂被膜層が設けられていることを
特徴とするフィルムキャリア。 - 【請求項3】 絶縁性フィルムとその上に金属箔膜で形
成されたパターンを有し、プリント基板と接続される部
分の絶縁性フィルムの一部または全てが除去されている
フィルムキャリアにおいて、該除去部分に形成されたア
ウターリードの厚さが他の金属箔膜より厚いことを特徴
とするフィルムキャリア。 - 【請求項4】 前記除去部分に形成されたアウターリー
ドの本数がインナーリードの本数より少ない請求項1、
2または3に記載のフィルムキャリア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6144593A JPH06252215A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | フィルムキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6144593A JPH06252215A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | フィルムキャリア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06252215A true JPH06252215A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13171276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6144593A Pending JPH06252215A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | フィルムキャリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06252215A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980032687A (ko) * | 1996-10-09 | 1998-07-25 | 윌리엄비.켐플러 | 캐리어 테이프, 및 캐리어 테이프 제조 방법 |
US7408242B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-08-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Carrier with reinforced leads that are to be connected to a chip |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP6144593A patent/JPH06252215A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980032687A (ko) * | 1996-10-09 | 1998-07-25 | 윌리엄비.켐플러 | 캐리어 테이프, 및 캐리어 테이프 제조 방법 |
US7408242B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-08-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Carrier with reinforced leads that are to be connected to a chip |
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