JPH06252214A - Manufacture of film carrier - Google Patents
Manufacture of film carrierInfo
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- JPH06252214A JPH06252214A JP5036304A JP3630493A JPH06252214A JP H06252214 A JPH06252214 A JP H06252214A JP 5036304 A JP5036304 A JP 5036304A JP 3630493 A JP3630493 A JP 3630493A JP H06252214 A JPH06252214 A JP H06252214A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等半導体
集積回路チップの実装に用いられるフィルムキャリアに
係り、特に、上記半導体集積回路チップを実装した後に
おけるフィルムキャリアの残部を用いてフィルムキャリ
アを再製するフィルムキャリアの製造方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film carrier used for mounting semiconductor integrated circuit chips such as IC and LSI, and more particularly to a film carrier using the rest of the film carrier after mounting the semiconductor integrated circuit chip. The present invention relates to a method of manufacturing a film carrier for remanufacturing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種のフィルムキャリアは、図３〜図
４に示すようにサポートリングａを中央に介してデバイ
スホールｂとアウタリードホールｃが少なくとも設けら
れかつ幅方向両端側にスプロケットホールｄを有する帯
状の絶縁フィルムｅと、この絶縁フィルムｅ上に直接若
しくは接着剤を介して設けられリード端子の形状にパタ
ーニングされた金属被膜ｆとでその主要部が構成された
ものが知られている。2. Description of the Related Art As shown in FIGS. 3 to 4, a film carrier of this type is provided with at least a device hole b and an outer lead hole c with a support ring a in the center, and sprocket holes d on both ends in the width direction. It is known that the main part is composed of a strip-shaped insulating film e having a metal film and a metal film f formed on the insulating film e directly or via an adhesive and patterned in the shape of a lead terminal. .
【０００３】そして、このフィルムキャリアの上記デバ
イスホールｂに半導体集積回路チップ（図示せず）を搭
載し、かつ、図３において一点鎖線αで示された部位で
リード端子並びに絶縁フィルムｅを切断し、配線基板
（図示せず）の所定位置に上記半導体集積回路チップを
実装している。尚、図５〜図６は上記半導体集積回路チ
ップｇが図示外の配線基板に実装された状態を示してい
る。Then, a semiconductor integrated circuit chip (not shown) is mounted in the device hole b of the film carrier, and the lead terminal and the insulating film e are cut at the portion indicated by the alternate long and short dash line α in FIG. The semiconductor integrated circuit chip is mounted at a predetermined position on a wiring board (not shown). 5 to 6 show a state in which the semiconductor integrated circuit chip g is mounted on a wiring board (not shown).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のフィ
ルムキャリアにおいて上記絶縁フィルムｅとしてはその
絶縁性と耐熱性に優れたポリイミドフィルムが一般的に
使用されているが、このポリイミドフィルムはコストが
高いといった問題を有しており、このフィルムの再利用
を図る観点から半導体集積回路チップを実装した後にお
けるフィルムキャリアの残部を用いてフィルムキャリア
を再製する方法が要望されている。By the way, in the conventional film carrier, a polyimide film excellent in its insulating property and heat resistance is generally used as the insulating film e, but this polyimide film is high in cost. From the viewpoint of reusing the film, there is a demand for a method of remanufacturing the film carrier using the remaining part of the film carrier after mounting the semiconductor integrated circuit chip.
【０００５】しかし、上記リード端子と絶縁フィルムが
切断されて半導体集積回路チップを実装した後における
フィルムキャリアには、図７に示すようにその中央に開
口部ｈが形成されてしまうためこのままの状態で再利用
に供することは困難な問題点を有していた。However, as shown in FIG. 7, the opening h is formed in the center of the film carrier after the lead terminals and the insulating film have been cut and the semiconductor integrated circuit chip has been mounted. It had a difficult problem to use for reuse.
【０００６】このような技術的背景の下、本発明者は、
上記フィルムキャリアの残部に対しその絶縁フィルム上
に残留する金属被膜をエッチング溶解させて絶縁フィル
ム単体とし、この絶縁フィルム単体に対して接着剤を介
し銅箔等の金属箔を積層してフィルムキャリアを再製す
る方法を既に提案している（特開平３−１７７０３５号
公報参照）。Under such a technical background, the present inventor has
The remaining metal film of the film carrier is etched and dissolved to form a single insulating film on the insulating film, and a film carrier is formed by laminating a metal foil such as a copper foil via an adhesive to the single insulating film. A method for remanufacturing has already been proposed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-177035).
【０００７】本発明は、この再製方法を更に改善しその
作業性が良好なフィルムキャリアの製造方法を提供する
ことを目的としている。It is an object of the present invention to further improve this remanufacturing method and to provide a method for manufacturing a film carrier having good workability.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る発明は、サポートリングを中央に介してデバイスホー
ルとアウタリードホールが少なくとも設けられかつ幅方
向両端側にスプロケットホールを有する帯状の絶縁フィ
ルムと、この絶縁フィルム上に直接若しくは接着剤を介
して設けられリード端子の形状にパターニングされた金
属被膜とを備えるフィルムキャリアであって、このフィ
ルムキャリアの上記デバイスホールに半導体集積回路チ
ップを搭載し、かつ、上記リード端子並びに絶縁フィル
ムを切断して半導体集積回路チップを配線基板に実装さ
せた後におけるフィルムキャリアの残部を用いてフィル
ムキャリアを再製するフィルムキャリアの製造方法を前
提とし、上記リード端子並びに絶縁フィルムの切断処理
によりその中央に開口部が形成されたフィルムキャリア
の残部に対しその絶縁フィルム上に残留する金属被膜を
溶解させて絶縁フィルム単体とし、かつ、この絶縁フィ
ルム単体上に金属製膜体を一様に形成して積層基材とす
る工程と、メッキ被膜との密着性が弱い金属体表面と上
記積層基材の金属製膜体とを密着させ、かつ、上記開口
部から露出する金属体表面並びに金属製膜体の側面を金
属メッキして積層基材の開口部に金属メッキ体を形成す
る工程と、上記開口部から露出する金属メッキ体上に上
記絶縁フィルムのサポートリングを形成する工程と、上
記金属製膜体と金属メッキ体とで構成される金属被膜を
パターニング処理してリード端子を形成する工程、とを
具備することを特徴とするものである。That is, the invention according to claim 1 is a strip-shaped insulating film having at least a device hole and an outer lead hole with a support ring in the center and having sprocket holes on both widthwise end sides. And a metal coating provided on the insulating film directly or via an adhesive and patterned in the shape of a lead terminal, wherein a semiconductor integrated circuit chip is mounted in the device hole of the film carrier. In addition, the lead terminal is premised on a method for manufacturing a film carrier by cutting the lead terminal and the insulating film and mounting the semiconductor integrated circuit chip on the wiring board, and then remanufacturing the film carrier using the remaining portion of the film carrier. And by cutting the insulation film, The remaining metal film on the insulating film is melted into the remaining portion of the film carrier having the mouth portion to form a single insulating film, and a metal film body is uniformly formed and laminated on the single insulating film. In the step of forming a base material, the metal body surface having poor adhesion to the plated coating and the metal film body of the laminated base material are brought into close contact with each other, and the metal body surface exposed from the opening and the metal film body A step of metal-plating the side surface to form a metal-plated body in the opening of the laminated base material; a step of forming a support ring of the insulating film on the metal-plated body exposed from the opening; And a step of forming a lead terminal by patterning a metal coating composed of a metal plated body.
【０００９】このような技術的手段によれば、スパッタ
リング等の製膜手段で形成された金属製膜体とメッキ処
理により形成された金属メッキ体とで使用済みの金属被
膜を再形成しているため、接着剤を介し金属箔を積層し
て金属被膜を再形成する前記方法に較べ安定して上記金
属被膜を再形成することが可能となり、かつ、形成精度
の向上も図れる。According to such technical means, the used metal film is re-formed by the metal film-forming body formed by the film-forming means such as sputtering and the metal plated body formed by the plating treatment. Therefore, the metal coating can be re-formed more stably and the forming accuracy can be improved as compared with the method of forming the metal coating by laminating the metal foil via the adhesive.
【００１０】尚、この製造方法に適用できるフィルムキ
ャリアの残部については、絶縁フィルムと金属被膜間に
接着剤が存在しない２層テープ構造のものでも、両者間
にエポキシ系等の接着剤が介在する３層テープ構造のも
のでもよく任意である。As for the rest of the film carrier applicable to this manufacturing method, even if it has a two-layer tape structure in which an adhesive does not exist between the insulating film and the metal film, an epoxy-based adhesive or the like is interposed between the two. A three-layer tape structure may be used and is arbitrary.
【００１１】また、開口部から露出する金属メッキ体上
にサポートリングを形成する手段としては、ポリイミド
樹脂等の絶縁性樹脂材料が溶解された樹脂溶液をスクリ
ーン印刷等の印刷手段により形成する方法、上記開口部
にポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂材料を充填若しくは接
着剤を介してポリイミドフィルム等絶縁フィルムを貼着
しこれをフォトリソグラフィー処理によりパターニング
してサポートリングを形成する方法、あるいは、予めパ
ンチング処理によりサポートリング形状に加工されたポ
リイミドフィルム等絶縁フィルムを接着剤を介して上記
開口部から露出する金属メッキ体上に直接貼着する方法
等が適用できる。As a means for forming the support ring on the metal plated body exposed from the opening, a method of forming a resin solution in which an insulating resin material such as a polyimide resin is dissolved by a printing means such as screen printing, A method in which an insulating film such as a polyimide film is adhered to the opening by filling an insulating resin material such as a polyimide resin or an adhesive is used, and the insulating film is patterned by photolithography to form a support ring, or a punching process is performed in advance. Then, a method in which an insulating film such as a polyimide film processed into a support ring shape is directly attached to the metal plated body exposed from the opening through an adhesive agent can be applied.
【００１２】[0012]
【作用】請求項１に係る発明によれば、リード端子並び
に絶縁フィルムの切断処理によりその中央に開口部が形
成されたフィルムキャリアの残部に対しその絶縁フィル
ム上に残留する金属被膜を溶解させて絶縁フィルム単体
とし、かつ、この絶縁フィルム単体上に金属製膜体を一
様に形成して積層基材とする工程と、メッキ被膜との密
着性が弱い金属体表面と上記積層基材の金属製膜体とを
密着させ、かつ、上記開口部から露出する金属体表面並
びに金属製膜体の側面を金属メッキして積層基材の開口
部に金属メッキ体を形成する工程と、上記開口部から露
出する金属メッキ体上に上記絶縁フィルムのサポートリ
ングを形成する工程と、上記金属製膜体と金属メッキ体
とで構成される金属被膜をパターニング処理してリード
端子を形成する工程、によりフィルムキャリアを製造で
きるため、半導体集積回路チップを配線基板に実装させ
た後におけるフィルムキャリアの残部を用いてフィルム
キャリアを再製することが可能となる。According to the first aspect of the present invention, the metal film remaining on the insulating film is dissolved with respect to the rest of the film carrier having the opening formed at the center by cutting the lead terminal and the insulating film. A step of forming an insulating film as a single body, and forming a metal film body on the insulating film as a single body to form a laminated base material, and a metal body surface having poor adhesion to a plating film and the metal of the laminated base material. A step of bringing the metal body into close contact with the film body, and metal-plating the surface of the metal body exposed from the opening and the side surface of the metal film body to form a metal plated body in the opening of the laminated base; A step of forming a support ring of the insulating film on the metal plated body exposed from the step of forming a lead terminal by patterning a metal coating film composed of the metal film body and the metal plated body. By order capable of producing a film carrier, it is possible to rebuild the film carrier with the remainder of the film carrier in After mounting the semiconductor integrated circuit chip on a wiring board.
【００１３】また、スパッタリング等の製膜手段で形成
された金属製膜体とメッキ処理により形成された金属メ
ッキ体とで使用済みの金属被膜を再形成しているため、
接着剤を介し金属箔を積層して金属被膜を再形成する方
法に較べ安定して上記金属被膜を再形成することが可能
となり、かつ、再形成精度の向上も図れる。Further, since the used metal film is re-formed by the metal film-forming body formed by the film-forming means such as sputtering and the metal-plated body formed by the plating treatment,
As compared with the method of laminating metal foils via an adhesive to re-form the metal coating, the metal coating can be re-formed more stably, and the re-forming accuracy can be improved.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明実施例について図面を参照して
詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１５】まず、図１（Ｃ）を参照しながらこの実施
例に係る製造方法において使用される固定治具について
説明する。固定治具３０及び固定治具３１は、これらの
間に絶縁フィルム（ポリイミドフィルム）５１及び金属
製膜体５９からなる積層基材５３ａを挟んで固定し、か
つこのように固定した積層基材５３ａを含めてメッキ槽
に浸漬してフィルムキャリア残部の開口部に金属メッキ
体を形成するために使用されるものである。First, a fixing jig used in the manufacturing method according to this embodiment will be described with reference to FIG. The fixing jig 30 and the fixing jig 31 are fixed by sandwiching and fixing a laminated base material 53a including an insulating film (polyimide film) 51 and a metal film body 59 between them. It is used for forming a metal-plated body in the opening of the remaining portion of the film carrier by immersing it in a plating bath.
【００１６】そして、積層基材５３ａの支持用の固定治
具３０は、上記積層基材５３ａのスプロケットホール５
４に挿通される突起３２が起立した状態で設けられてお
り、かつ上記各突起３２の間に、上記開口部よりやや大
きな四角形状であって所望の面積を有する開孔３３が穿
設されている。The fixing jig 30 for supporting the laminated base material 53a is provided with the sprocket hole 5 of the laminated base material 53a.
4 are provided in a state of standing upright, and between each of the above-mentioned protrusions 32, an opening 33 having a rectangular shape slightly larger than the opening and having a desired area is formed. There is.
【００１７】また、固定治具３１は、積層基材５３ａが
固定される部分に、上記開孔３３よりやや大きい四角形
状をした平面状の金属板３５を嵌め込み固定した構造と
なっている。この金属板３５は、メッキ皮膜との密着性
が弱い金属であるＳＵＳ板により構成されている。ま
た、上記固定治具３１には、当該治具３１の図示上側か
ら金属板３５を突き抜けて吸着孔３６が穿設されてい
る。さらに、当該固定治具３１には、図示下側から上に
向けて位置決孔３７が設けられており、この位置決孔３
７は上記固定治具３０の突起３２を嵌入されることによ
り固定治具３０の位置決めに使用される。Further, the fixing jig 31 has a structure in which a flat metal plate 35 having a rectangular shape slightly larger than the opening 33 is fitted and fixed in a portion where the laminated base material 53a is fixed. The metal plate 35 is composed of a SUS plate, which is a metal whose adhesion to the plating film is weak. Further, the fixing jig 31 has a suction hole 36 formed by penetrating the metal plate 35 from the upper side of the jig 31 in the drawing. Further, the fixing jig 31 is provided with a positioning hole 37 from the lower side to the upper side in the drawing.
7 is used for positioning the fixing jig 30 by inserting the protrusion 32 of the fixing jig 30.
【００１８】次に、この実施例に係るフィルムキャリア
の製造方法について、図１（Ａ）〜（Ｆ）と図２（Ａ）
〜（Ｂ）を参照して詳細に説明する。Next, a method of manufacturing the film carrier according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 (A) to 1 (F) and FIG. 2 (A).
This will be described in detail with reference to (B).
【００１９】まず、図７において示された実装後におけ
るフィルムキャリアの残部について、これを、例えば、
塩化第二鉄液（液温４０℃、濃度６６５ｇ／ｌ）から成
るエッチング液に浸漬して絶縁フィルム（ポリイミドフ
ィルム）５１上に残留する金属被膜（Ｃｕ）を溶解さ
せ、図１（Ａ）及び図２（Ａ）に示すように絶縁フィル
ム単体（この絶縁フィルム単体は金属被膜が除去された
絶縁フィルムそのものであるため同一符号を付す）５１
とする。上記金属被膜を除去する理由は、この金属被膜
はリード端子の形状にパターニングされているため（図
７参照）、一様な金属被膜として利用できないからであ
る。尚、この絶縁フィルム単体５１には、半導体集積回
路チップ実装処理の際に形成された開口部１００が設け
られており、かつ、その幅方向両端側にはスプロケット
ホール５４も形成されている（図２Ａ参照）。First, regarding the remaining portion of the film carrier after mounting shown in FIG.
The metal coating (Cu) remaining on the insulating film (polyimide film) 51 is dissolved by immersing it in an etching solution composed of ferric chloride solution (liquid temperature 40 ° C., concentration 665 g / l), and then, as shown in FIG. As shown in FIG. 2A, a single insulating film (the single insulating film is the insulating film itself from which the metal coating has been removed, and therefore the same reference numerals are used) 51
And The reason for removing the metal coating is that the metal coating cannot be used as a uniform metal coating because it is patterned in the shape of the lead terminal (see FIG. 7). The insulating film 51 is provided with an opening 100 formed during the semiconductor integrated circuit chip mounting process, and sprocket holes 54 are formed at both ends in the width direction (see FIG. 2A).
【００２０】次に、この絶縁フィルム単体５１上にＣｕ
のスパッタリング法により、１０００〔オングストロー
ム〕厚の銅薄膜を製膜し、かつ、この銅薄膜上に電気メ
ッキによりＣｕをメッキして厚さ３５μｍの金属製膜体
（銅箔）５９を製膜して積層基材５３ａを得た（図１Ｂ
参照）。Next, Cu on the insulating film 51
A copper thin film having a thickness of 1000 angstroms is formed by the sputtering method described above, and Cu is plated on the copper thin film by electroplating to form a metal film body (copper foil) 59 having a thickness of 35 μm. To obtain a laminated base material 53a (FIG. 1B).
reference).
【００２１】次いで、この積層基材５３ａの金属製膜体
５９側が固定治具３１側に向くように、上記固定治具３
０の突起部３２を積層基材５３ａのスプロケットホール
５４に挿通させる。そして、上記固定治具３０の突起３
２を固定治具３１の位置決孔３７に嵌入させ、上記固定
治具３１の金属板３５の表面と上記積層基材５３ａの金
属製膜体５９の表面とを、治具３０、３１で挟みこむこ
とにより密着させる。また、吸着孔３６から吸引するこ
とにより金属板３５の表面と上記積層基材５３ａの金属
製膜体５９の表面とを更に密に密着させる（図１Ｃ参
照）。Next, the fixing jig 3 is set so that the metal film body 59 side of the laminated base material 53a faces the fixing jig 31 side.
The protrusion 32 of 0 is inserted into the sprocket hole 54 of the laminated base material 53a. Then, the protrusion 3 of the fixing jig 30
2 is inserted into the positioning hole 37 of the fixing jig 31, and the surface of the metal plate 35 of the fixing jig 31 and the surface of the metal film body 59 of the laminated base material 53a are sandwiched by the jigs 30 and 31. Make it close by rubbing. Further, by sucking through the suction holes 36, the surface of the metal plate 35 and the surface of the metal film body 59 of the laminated base material 53a are brought into closer contact (see FIG. 1C).
【００２２】このような状態でメッキ液に浸漬し、上記
絶縁フィルム単体５１の開口部１００から露出する金属
板３５表面並びに金属製膜体５９の側面を電気メッキし
てこの開口部１００に膜厚３５μｍの金属メッキ体（銅
メッキ）５２を形成する。この処理により、金属製膜体
５９と金属メッキ体５２とで構成される金属被膜が再形
成されることになる（図１Ｄ及び図２Ｂ参照）。In this state, the surface of the metal plate 35 exposed from the opening 100 of the insulating film 51 and the side surface of the metal film body 59 are electroplated by immersing in the plating solution, and the film thickness is formed in the opening 100. A 35 μm metal plated body (copper plated) 52 is formed. By this process, the metal coating film composed of the metal film body 59 and the metal plated body 52 is re-formed (see FIGS. 1D and 2B).
【００２３】次に、上記開口部１００から露出する金属
メッキ体５２上に、スクリーン印刷用ポリイミド樹脂
［東レ（株）商品名ＳＰ−１１０ 芳香族ポリアミド酸
溶液、溶媒Ｎ−メチルピロリドン・エチルセロソルブ］
によりパターン印刷して図１（Ｅ）に示すようにサポー
トリング５６を形成し、かつ、上記金属製膜体５９と金
属メッキ体５２とで構成される金属被膜をフォトリソグ
ラフィー処理にてリード端子１０１の形状にパターニン
グして図１（Ｆ）に示すようにフィルムキャリア１０２
を製造した。Next, a polyimide resin for screen printing [trade name: SP-110, aromatic polyamic acid solution, solvent N-methylpyrrolidone / ethylcellosolve] for screen printing is formed on the metal plating 52 exposed from the opening 100.
1E, a support ring 56 is formed by pattern printing, and a metal film composed of the metal film body 59 and the metal plated body 52 is photolithographically processed to form lead terminals 101. 1F, and the film carrier 102 is patterned as shown in FIG.
Was manufactured.
【００２４】尚、上記金属被膜をパターニング処理する
際、サポートリング５６により区画されたデバイスホー
ル５５とアウタリードホール５７が開放されていると、
各ホールからエッチング剤が侵入して金属製膜体５９と
金属メッキ体５２とで構成される金属被膜が絶縁フィル
ム単体５１側より裏面エッチングされてリード端子１０
１が形成できなくなるため、上記デバイスホール５４と
アウタリードホール５７内にフォトレジストにより構成
された裏止め剤を充填しておく必要がある。When patterning the metal film, if the device hole 55 and the outer lead hole 57 defined by the support ring 56 are opened,
The etching agent invades from each hole to etch the back surface of the metal film formed of the metal film body 59 and the metal plated body 52 from the side of the insulating film 51, thereby leading the lead terminal 10.
Since it becomes impossible to form No. 1, it is necessary to fill the device hole 54 and the outer lead hole 57 with a backing agent made of a photoresist.
【００２５】[0025]
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、半導体集
積回路チップを配線基板に実装させた後におけるフィル
ムキャリアの残部を用いてフィルムキャリアを再製する
ことが可能となり、かつ、スパッタリング等の製膜手段
で形成された金属製膜体とメッキ処理により形成された
金属メッキ体とで使用済みの金属被膜を再形成している
ため、この金属被膜を確実にしかも高い精度で再形成す
ることが可能となる。According to the invention of claim 1, it becomes possible to remanufacture the film carrier by using the remaining part of the film carrier after mounting the semiconductor integrated circuit chip on the wiring board, and to perform sputtering or the like. Since the used metal film is re-formed by the metal film-forming body formed by the film-forming means and the metal-plated body formed by the plating process, the metal film can be surely re-formed with high accuracy. Is possible.
【００２６】従って、ポリイミドフィルム等の高価な絶
縁フィルムを再利用することができると共に、フィルム
キャリアの製造コストの低減が図れる効果を有してい
る。Therefore, an expensive insulating film such as a polyimide film can be reused, and the manufacturing cost of the film carrier can be reduced.
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は実施例に係る製造方法の工程
説明図。1A to 1F are process explanatory diagrams of a manufacturing method according to an embodiment.
【図２】（Ａ）〜（Ｂ）は工程途上のフィルムキャリア
の平面図。FIG. 2A is a plan view of a film carrier in the process of being processed.
【図３】従来例に係るフィルムキャリアの平面図。FIG. 3 is a plan view of a film carrier according to a conventional example.
【図４】図３のIV−IV面断面図。4 is a sectional view taken along the line IV-IV of FIG.
【図５】半導体集積回路チップが実装された状態を示す
概略斜視図。FIG. 5 is a schematic perspective view showing a state in which a semiconductor integrated circuit chip is mounted.
【図６】図５のVI−VI面断面図。6 is a sectional view taken along the line VI-VI of FIG.
【図７】実装後におけるフィルムキャリア残部を示す概
略斜視図。FIG. 7 is a schematic perspective view showing the remaining portion of the film carrier after mounting.
３５ 金属板 ５１ 絶縁フィルム単体 ５２ 金属メッキ体 ５３ａ 積層基材 ５４ スプロケットホール ５５ デバイスホール ５６ サポートリング ５７ アウタリードホール ５９ 金属製膜体 １００ 開口部 １０１ リード端子 １０２ フィルムキャリア 35 Metal Plate 51 Insulating Film Single Element 52 Metal Plated Body 53a Laminated Substrate 54 Sprocket Hole 55 Device Hole 56 Support Ring 57 Outer Lead Hole 59 Metal Film Body 100 Opening 101 Lead Terminal 102 Film Carrier
Claims (1)
ールとアウタリードホールが少なくとも設けられかつ幅
方向両端側にスプロケットホールを有する帯状の絶縁フ
ィルムと、この絶縁フィルム上に直接若しくは接着剤を
介して設けられリード端子の形状にパターニングされた
金属被膜とを備えるフィルムキャリアであって、 このフィルムキャリアの上記デバイスホールに半導体集
積回路チップを搭載し、かつ、上記リード端子並びに絶
縁フィルムを切断して半導体集積回路チップを配線基板
に実装させた後におけるフィルムキャリアの残部を用い
てフィルムキャリアを再製するフィルムキャリアの製造
方法において、 上記リード端子並びに絶縁フィルムの切断処理によりそ
の中央に開口部が形成されたフィルムキャリアの残部に
対しその絶縁フィルム上に残留する金属被膜を溶解させ
て絶縁フィルム単体とし、かつ、この絶縁フィルム単体
上に金属製膜体を一様に形成して積層基材とする工程
と、 メッキ被膜との密着性が弱い金属体表面と上記積層基材
の金属製膜体とを密着させ、かつ、上記開口部から露出
する金属体表面並びに金属製膜体の側面を金属メッキし
て積層基材の開口部に金属メッキ体を形成する工程と、 上記開口部から露出する金属メッキ体上に上記絶縁フィ
ルムのサポートリングを形成する工程と、 上記金属製膜体と金属メッキ体とで構成される金属被膜
をパターニング処理してリード端子を形成する工程、 とを具備することを特徴とするフィルムキャリアの製造
方法。1. A strip-shaped insulating film having at least a device hole and an outer lead hole with a support ring in the center and having sprocket holes at both ends in the width direction, and directly or through an adhesive on the insulating film. A film carrier provided with a metal film patterned in the shape of a lead terminal, wherein a semiconductor integrated circuit chip is mounted in the device hole of the film carrier, and the lead terminal and the insulating film are cut to form a semiconductor. In the method of manufacturing a film carrier in which the remaining part of the film carrier after mounting the integrated circuit chip on the wiring board is used to remanufacture the film carrier, an opening is formed in the center by cutting the lead terminal and the insulating film. To the rest of the film carrier Adhesion between the plating film and the process of dissolving the metal film remaining on the insulation film into a single insulation film and forming a metal film uniformly on the insulation film to form a laminated base material. Is adhered to the weak metal body surface and the metal film body of the laminated base material, and the metal body surface exposed from the opening and the side surface of the metal film body are metal-plated to the opening of the laminated base material. Forming a metal plated body, forming a support ring of the insulating film on the metal plated body exposed from the opening, and patterning a metal coating film composed of the metal film body and the metal plated body. A step of processing to form a lead terminal, and a method of manufacturing a film carrier.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5036304A JPH06252214A (en) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | Manufacture of film carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5036304A JPH06252214A (en) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | Manufacture of film carrier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252214A true JPH06252214A (en) | 1994-09-09 |
Family
ID=12466094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5036304A Pending JPH06252214A (en) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | Manufacture of film carrier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252214A (en) |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP5036304A patent/JPH06252214A/en active Pending
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