JPH06248444A

JPH06248444A - スパッタリング用ターゲット

Info

Publication number: JPH06248444A
Application number: JP3897993A
Authority: JP
Inventors: Shuji Miki; 修司三木; Terushi Mishima; 昭史三島
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1993-02-26
Filing date: 1993-02-26
Publication date: 1994-09-06

Abstract

(57)【要約】【目的】ボンディング時の熱膨張差に伴う応力集中や
スパッタリング時の異常放電等により、発生する割れを
防止することができるターゲットを提供する。【構成】本発明のスパッタリング用ターゲット１１
は、ターゲット本体１２の被スパッタ面１３と外周面１
４との角部に、ターゲット本体１２の厚みの５〜８０％
の幅の面取り面１５を形成したことを特徴とする。ま
た、被スパッタ面と面取り面との角部及び外周面と面取
り面との角部各々に半径が０．１〜１．０ｍｍの糸面取
りを施してもよく、ターゲット本体の表面に腐食処理を
施しても、また、前記被スパッタ面に鏡面研磨処理を施
してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ボンディング時の熱
膨張差に伴う応力集中、スパッタリング時の異常放電等
により発生する割れを防止することができるスパッタリ
ング用ターゲットに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、高速スパッタリングに用いられる
大型のスパッタリング用ターゲット（以下、ターゲット
と略称する）の一例として、Ｓｉのターゲットが挙げら
れる。このターゲットは、図３に示す様に、Ｓｉ単結晶
から切り出した円板状のＳｉをダイヤモンド砥石等を用
いて所定の寸法に機械加工したＳｉ板（ターゲット本
体）１をボンディングにより冷却用銅板２に接合し、仕
上加工を行なったものである。このターゲット３は、半
導体製造プロセスにおける反射防止膜、光ディスク、光
磁気ディスクにおける保護膜等を製造する場合におい
て、好適に用いられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ターゲット３においては、図４に示すように、ターゲッ
ト本体１の被スパッタ面４と外周面５との角部６が鋭利
なために、この角部６に０．１〜０．５ｍｍ程度の大き
さの微小クラック７が発生し易く、ボンディング時（Ｓ
ｉ板１と冷却用銅板２との接合時）に、Ｓｉ板１と冷却
用銅板２との熱膨張差に伴う応力がこの角部６に集中
し、微小クラック７部分から割れが生じるという問題点
があった。また、このターゲット３を用いてスパッタリ
ングを行なった場合、前記微小クラック７の角部が鋭利
なため、スパッタリング中に微小クラック７の角部に異
常放電が発生し易く、この異常放電によっても微小クラ
ック７部分から割れが生じるという問題点があった。

【０００４】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、ボンディング時の熱膨張差に伴う応力集
中やスパッタリング時の異常放電等により、発生する割
れを防止することができるターゲットを提供することに
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なターゲットを採用した。すなわ
ち、請求項１記載のターゲットは、ターゲット本体の被
スパッタ面と外周面との角部に、全周に亙って面取り面
を形成し、前記面取り面の幅は、前記ターゲット本体の
厚みの５〜８０％であることを特徴としている。

【０００６】また、請求項２記載のターゲットは、ター
ゲット本体の被スパッタ面と外周面との角部に、全周に
亙って面取り面を形成し、さらに、前記被スパッタ面と
面取り面との角部及び前記外周面と面取り面との角部に
糸面取り面を施してなり、前記各糸面取りの半径は、
０．１〜１．０ｍｍであることを特徴としている。

【０００７】また、請求項３記載のターゲットは、請求
項１または２記載のスパッタリング用ターゲットにおい
て、前記ターゲット本体の表面に腐食処理を施してなる
ことを特徴としている。

【０００８】また、請求項４記載のターゲットは、請求
項１または２記載のスパッタリング用ターゲットにおい
て、前記被スパッタ面に鏡面研磨処理を施し、該鏡面の
表面粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．１μｍであること
を特徴としている。

【０００９】

【作用】この発明の請求項１記載のターゲットでは、タ
ーゲット本体の被スパッタ面と外周面との角部に全周に
亙って面取り面を形成し、前記面取り面の幅を前記ター
ゲット本体の厚みの５〜８０％としたことにより、該角
部が鋭利でなくなり、ターゲット本体の機械的強度を損
なうことなく、ボンディング時の熱膨張差に伴う前記角
部における応力集中を効果的に防止し、したがって、ボ
ンディング時の応力集中による割れの発生を効果的に防
止する。また、面取り面を形成することにより前記角部
の単位面積当りの微小クラックの発生数が減少し、スパ
ッタリング中の異常放電の発生率が減少する。

【００１０】ここで、前記面取り面の幅を前記ターゲッ
ト本体の厚みの５〜８０％とした理由は、５％未満では
応力集中を防止する効果が認められず、また、８０％を
越えるとターゲット本体の機械的強度が低下しボンディ
ング時の熱膨張差に伴う応力により割れが発生し易くな
るからである。

【００１１】また、請求項２記載のターゲットでは、タ
ーゲット本体の被スパッタ面と外周面との角部に全周に
亙って面取り面を形成し、さらに、前記被スパッタ面と
面取り面との角部及び前記外周面と面取り面との角部に
糸面取り面を施し、各糸面取りの半径を０．１〜１．０
ｍｍとしたことにより、被スパッタ面と外周面との角部
が更に鋭利でなくなり、微小クラックの発生を防止す
る。また、スパッタリング中の異常放電の発生を防止
し、したがって、スパッタリング中にターゲット本体に
割れが発生するのを防止する。

【００１２】ここで、前記糸面取りのＲを０．１〜１．
０ｍｍとした理由は、０．１ｍｍ未満では微小クラック
を除去することができず、また、１．０ｍｍを越えると
逆に微小クラックが増大し、スパッタリング中の異常放
電の発生を防止することができないからである。

【００１３】また、請求項３記載のターゲットでは、前
記ターゲット本体の表面に腐食処理を施したことによ
り、研削等の機械加工による表面歪が原因で発生したマ
イクロクラックを除去し、スパッタリング中の異常放電
の発生を防止する。

【００１４】また、請求項４記載のターゲットでは、前
記被スパッタ面に鏡面研磨処理を施したことにより、タ
ーゲット本体の機械的強度を損なうことなく該角部のボ
ンディング時の熱膨張差に伴う応力集中を更に防止し割
れを防止する。したがって、スパッタリング時の成膜速
度が向上し、ターゲットの寿命を延ばす。

【００１５】ここで、鏡面の表面粗さ（Ｒａ）を０．０
１〜０．１μｍとした理由は、０．０１μｍ未満は機械
加工による研磨精度の限界を越えるために実際の工程上
では困難であるからであり、また、０．１μｍを越える
と角部のボンディング時の熱膨張差に伴う応力集中を防
止することができないからである。

【００１６】

【実施例】以下、この発明に係るターゲットの各実施例
について説明する。（第１実施例）図１は、この発明に係るターゲットの第
１実施例を示すものである。このターゲット１１は、円
板状のターゲット本体１２が冷却用銅板２にボンディン
グにより接合され、このターゲット本体１２の被スパッ
タ面１３と外周面１４との角部には、前記被スパッタ面
１３及び外周面１４それぞれに対して傾斜した面取り面
１５が形成されている。

【００１７】本発明は、Ｓｉ，ＷＳｉ，ＭｏＳｉ，Ｔｉ
Ｓｉ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＰＺＴ，ＰＬＺＴ，ＰＴＯ，ＳＴＯ，
ＢＳＴＯ，ＨｆＢ₂等の脆弱なターゲットに対して特に
有効である。

【００１８】また、面取り面１５の幅は、ボンディング
時の熱膨張差に伴う応力が集中し割れが発生するのを防
止できればよく、ターゲット本体１２の厚みの５〜８０
％が有効である。

【００１９】表１は、面取り面１５の幅が上記範囲内の
ターゲット（実施例：Ｎｏ．１〜１０）、面取り面１５
の幅が上記範囲から外れたターゲット（比較例：Ｎｏ．
１１〜１４）、面取り面１５が形成されていない従来の
ターゲット（従来例：Ｎｏ．１５）各々の特性及び評価
結果を示したものである。

【００２０】

【表１】

【００２１】ここでは、各試料のサンプル数を各々２０
０個とし、ターゲット本体１２として、脆弱なターゲッ
ト材料の代表である外径２００ｍｍ、厚み６ｍｍの円板
状のＳｉ板を用い、該ターゲット本体１２を外径２６０
ｍｍ、厚み１２ｍｍの冷却用銅板２にボンディングによ
り接合した。また、評価は、スパッタ時の投入パワー、
スパッタによるエロージョン深さ、及び単位面積当りの
微小クラックの発生数の３項目について行なった。

【００２２】スパッタ時の投入パワーはターゲットの大
きさにより変化するので、ここでは、投入パワーを被ス
パッタ面１３の面積で除すことにより単位面積当りの投
入パワーを求め評価した。また、スパッタによるエロー
ジョン深さは、被スパッタ面１３にストレートゲージを
載置し、該ストレートゲージを基準面として最も深いエ
ロージョン部の深さをデップスノギスを用いて測定し評
価した。

【００２３】また、単位面積当りの微小クラックの発生
数については、ボンディング後のターゲット本体１２の
角部の単位面積当りの微小クラックの発生数を顕微鏡を
用いて計測した。

【００２４】表１により、本実施例のターゲットは、ス
パッタ時の投入パワーが比較例の３．３倍以上及び従来
例の５倍以上になっており、また、スパッタによるエロ
ージョン深さが比較例及び従来例の３倍以上になってい
ることがわかる。また、比較例及び従来例においては単
位面積当りの微小クラックの発生数は３０個／ｍｍ²以
上であったのに対して、本実施例のターゲットにおいて
は１０個／ｍｍ²以下であり大幅に減少していることが
わかる。

【００２５】これより、ターゲット本体１２の角部の単
位面積当りの微小クラックの発生数を減少させることが
でき、ボンディング時の応力集中による割れの発生を防
止することができ、本実施例のターゲットを用いてスパ
ッタリングを行なった場合、成膜速度を向上させること
ができ、ターゲットの寿命を延ばすことができることは
明かである。

【００２６】なお、ターゲット本体１２をＳｉ以外の材
料、ＷＳｉ，ＭｏＳｉ，ＴｉＳｉ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＰＺＴ，
ＰＬＺＴ，ＰＴＯ，ＳＴＯ，ＢＳＴＯ，ＨｆＢ₂等と置
き換えた場合においても、全く同様の作用・効果を奏す
ることが確認された。

【００２７】以上説明した様に、本実施例のターゲット
によれば、ターゲット本体１２の被スパッタ面１３と外
周面１４との角部に面取り面１５を形成し、面取り面１
５の幅をターゲット本体１２の厚みの５〜８０％とした
ので、ターゲット本体１２の機械的強度を損なうことな
く該角部のボンディング時の熱膨張差に伴う応力集中を
防止することができ、割れを防止することができる。し
たがって、スパッタリング時の成膜速度を向上させるこ
とができ、ターゲットの寿命を延ばすことができる。ま
た、面取り面１５を形成することにより前記角部の単位
面積当りの微小クラックの発生数を減少させることがで
き、スパッタリング中の異常放電の発生率を減少させる
ことができる。

【００２８】（第２実施例）図２は、この発明に係るタ
ーゲットの第２実施例を示すものである。このターゲッ
ト２１は、第１実施例のターゲット本体１２の被スパッ
タ面１３と面取り面１５との角部及び外周面１４と面取
り面１５との角部に糸面取り面２２，２３が施されたも
のである。前記糸面取り面２２，２３の半径（Ｒ）は、
これら糸面取り面２２，２３に微小クラックが発生する
のを防止できればよく、０．１〜１．０ｍｍが有効であ
る。

【００２９】表２は、糸面取り面２２，２３の半径
（Ｒ）が上記範囲内のターゲット（実施例：Ｎｏ．２１
〜２９）、糸面取り面２２，２３の半径（Ｒ）が上記範
囲から外れたターゲット（比較例１：Ｎｏ．３０〜３
５）、糸面取り面２２，２３が形成されていない上記第
１実施例のターゲット（比較例２：Ｎｏ．３６〜３８）
各々の特性及び評価結果を示したものである。

【００３０】

【表２】

【００３１】ここでは、各試料のサンプル数を各々２０
０個とし、３種類の面取り面１５の幅各々に対して糸面
取り面２２，２３のＲを表２のように変化させた。ま
た、スパッタ時の投入パワー、スパッタによるエロージ
ョン深さ及び単位面積当りの微小クラックの発生数各々
の評価方法については上記第１実施例の場合と全く同様
とした。

【００３２】表２により、本実施例のターゲットは、ス
パッタ時の投入パワーが比較例１，２の１．５倍以上に
なっており、また、スパッタによるエロージョン深さが
比較例１，２の１．４倍以上になっていることがわか
る。また、比較例１，２においては単位面積当りの微小
クラックの発生数は８個／ｍｍ²以上であったのに対し
て、本実施例のターゲットにおいては２個／ｍｍ²以下
でありさらに減少していることがわかる。

【００３３】これより、ボンディング時の応力集中によ
る割れの発生を更に防止することができ、本実施例のタ
ーゲットを用いてスパッタリングを行なった場合、成膜
速度を向上させることができ、ターゲットの寿命を延ば
すことができることは明かである。

【００３４】なお、この実施例においても、ターゲット
本体１２をＳｉ以外の材料、ＷＳｉ，ＭｏＳｉ，ＴｉＳ
ｉ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＰＺＴ，ＰＬＺＴ，ＰＴＯ，ＳＴＯ，Ｂ
ＳＴＯ，ＨｆＢ₂等と置き換えた場合において、全く同
様の作用・効果を奏することが確認された。

【００３５】以上説明した様に、本実施例のターゲット
によれば、ターゲット１１の被スパッタ面１３と面取り
面１５との角部に該角部を丸めた糸面取り面２２を形成
し、外周面１４と面取り面１５との角部に該角部を丸め
た糸面取り面２３を形成したので、被スパッタ面１３と
外周面１４との角部が更に鋭利でなくなり、前記角部の
単位面積当りの微小クラックの発生数を減少させること
ができる。したがって、スパッタリング中の異常放電の
発生を防止することができ、スパッタリング中にターゲ
ット本体に割れが発生するのを防止することができる。
これより、スパッタリング時の成膜速度を向上させるこ
とができ、ターゲットの寿命を延ばすことができる。

【００３６】（第３実施例）以下、この発明に係るター
ゲットの第３実施例について説明する。このターゲット
は、第１実施例のターゲット本体１２の表面に化学的腐
食処理施したものである。この化学的腐食は、ターゲッ
ト本体１２の研削等の機械加工による表面歪が原因で発
生したマイクロクラックを除去するのに十分な深さまで
腐食されていればよく、腐食剤としては、Ｓｉの場合で
は、弗酸、硝酸、酢酸と弗酸の混合溶液等、また、Ｈｆ
Ｂ₂の場合では、王水、弗硝酸等、また、ＰＺＴの場合
では、弗硝酸等が好適に用いられる。また、上記以外の
材料、例えば、ＰＴＯ，ＰＬＺＴ，ＳＴＯ，ＢＳＴＯ，
ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＷＳｉ，ＭｏＳｉ，ＰＬＴＯ，Ｔ
ｉＳｉ等においても最適な腐食剤を選択して腐食を施す
ことにより、研削等の機械加工による表面歪が原因で発
生したマイクロクラックを効果的に除去することができ
る。

【００３７】表３は、この実施例のターゲット（実施
例：Ｎｏ．４１〜４９）及び化学的腐食が施されていな
い第１実施例のターゲット（比較例：Ｎｏ．５０〜５
２）各々の特性及び評価結果を示したものである。

【００３８】

【表３】

【００３９】ここでは、各試料のサンプル数を各々２０
０個とし、３種類の面取り面１５の幅各々に対して表３
に示す腐食剤を用いて化学的腐食を施した。また、マイ
クロクラックについては、ボンディング後のターゲット
本体１２の表面全体を顕微鏡により観察し、マイクロク
ラックがあるサンプルが２０％以上であった場合
「×」、マイクロクラックがあるサンプルが２０％以下
であった場合「○」、マイクロクラックが全く認められ
なかった場合「◎」とした。また、スパッタ時の投入パ
ワー及びスパッタによるエロージョン深さ各々の評価方
法については上記第１実施例の場合と全く同様とした。

【００４０】表３により、本実施例のターゲットは、ス
パッタ時の投入パワーが比較例の１．４倍以上になって
おり、また、スパッタによるエロージョン深さが比較例
の約１．４倍以上になっていることがわかる。また、比
較例においては歪が僅かに認められたのに対して、本実
施例のターゲットにおいては歪は認められなかった。

【００４１】これより、研削等の機械加工による表面歪
が原因で発生したマイクロクラックを除去することがで
き、ボンディング時の応力集中による割れの発生を防止
することができ、本実施例のターゲットを用いてスパッ
タリングを行なった場合、成膜速度を向上させることが
でき、ターゲットの寿命を延ばすことができることは明
かである。

【００４２】なお、この実施例においても、ターゲット
本体１２をＳｉ以外の材料、ＷＳｉ，ＭｏＳｉ，ＴｉＳ
ｉ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＰＺＴ，ＰＬＺＴ，ＰＴＯ，ＳＴＯ，Ｂ
ＳＴＯ，ＨｆＢ₂等と置き換えた場合において、全く同
様の作用・効果を奏することが確認された。

【００４３】以上説明した様に、本実施例のターゲット
によれば、ターゲット本体１２の被スパッタ面１３と外
周面１４との角部に面取り面１５を形成し、このターゲ
ット本体１２の表面を化学的腐食により腐食したので、
研削等の機械加工による表面歪が原因で発生したマイク
ロクラックを除去することができ、ボンディング時の応
力集中による割れの発生を防止することができ、このタ
ーゲットを用いてスパッタリングを行なった場合、成膜
速度を向上させることができ、ターゲットの寿命を延ば
すことができる。

【００４４】（第４実施例）以下、この発明に係るター
ゲットの第４実施例について説明する。このターゲット
は、第１実施例のターゲット本体１２において、面取り
面１５が形成された後に鏡面研磨が施されたもので、こ
の鏡面研磨は、ボンディング時の熱膨張差に伴う応力集
中を緩和するためのものであり、割れを防止するために
は、その表面粗さＲａが０．０１〜０．１μｍの範囲で
あれば有効である。

【００４５】表４は、鏡面研磨の表面粗さＲａが上記範
囲内のターゲット（実施例：Ｎｏ．６１〜６９）、表面
粗さＲａが上記範囲から外れたターゲット（比較例１：
Ｎｏ．７０〜７５）、鏡面研磨が施されていない上記第
１実施例のターゲット（比較例２：Ｎｏ．７６〜７８）
各々の特性及び評価結果を示したものである。

【００４６】

【表４】

【００４７】ここでは、各試料のサンプル数を各々２０
０個とし、３種類の面取り面１５の幅各々に対して鏡面
研磨の表面粗さを表４のように変化させた。また、ボン
ディング時の割れの有無については、ボンディング後の
ターゲット本体１２の割れの有無を目視にて観察した。
また、スパッタ時の投入パワー及びスパッタによるエロ
ージョン深さ各々の評価方法については上記第１実施例
の場合と全く同様とした。

【００４８】表４により、本実施例のターゲットは、ス
パッタ時の投入パワーが比較例１，２の１．５倍以上に
なっており、また、スパッタによるエロージョン深さが
比較例１，２の１．６倍以上になっていることがわか
る。また、比較例１，２においてはボンディング時の割
れが僅かに認められたのに対して、本実施例のターゲッ
トにおいてはボンディング時の割れは認められなかっ
た。

【００４９】これより、ボンディング時の応力集中によ
る割れの発生を更に防止することができ、本実施例のタ
ーゲットを用いてスパッタリングを行なった場合、成膜
速度を向上させることができ、ターゲットの寿命を延ば
すことができることは明かである。

【００５０】なお、この実施例においても、ターゲット
本体１２をＳｉ以外の材料、ＷＳｉ，ＭｏＳｉ，ＴｉＳ
ｉ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＰＺＴ，ＰＬＺＴ，ＰＴＯ，ＳＴＯ，Ｂ
ＳＴＯ，ＨｆＢ₂等と置き換えた場合において、全く同
様の作用・効果を奏することが確認された。

【００５１】以上説明した様に、本実施例のターゲット
によれば、ターゲット本体１２に面取り面１５を形成し
た後に鏡面研磨を施し、この鏡面研磨の表面粗さを０．
０１〜０．１μｍＲａの範囲としたので、ターゲット本
体１２の機械的強度を損なうことなく該角部のボンディ
ング時の熱膨張差に伴う応力集中を更に防止することが
でき、割れを防止することができる。したがって、スパ
ッタリング時の成膜速度を向上させることができ、ター
ゲットの寿命を延ばすことができる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のターゲットによれば、ターゲット本体の被スパッ
タ面と外周面との角部に、全周に亙って面取り面を形成
し、前記面取り面の幅は、前記ターゲット本体の厚みの
５〜８０％であることとしたので、ターゲット本体の機
械的強度を損なうことなく、ボンディング時の熱膨張差
に伴う前記角部における応力集中を効果的に防止するこ
とができ、したがって、ボンディング時の応力集中によ
る割れの発生を効果的に防止することができる。また、
面取り面を形成することにより前記角部の単位面積当り
の微小クラックの発生数を減少させることができ、スパ
ッタリング中の異常放電の発生率を減少させることがで
きる。

【００５３】また、請求項２記載のターゲットによれ
ば、ターゲット本体の被スパッタ面と外周面との角部
に、全周に亙って面取り面を形成し、さらに、前記被ス
パッタ面と面取り面との角部及び前記外周面と面取り面
との角部に糸面取り面を施してなり、前記各糸面取りの
半径は、０．１〜１．０ｍｍであることとしたので、前
記角部の微小クラックの発生を防止することができる。
また、スパッタリング中の異常放電の発生を防止するこ
とができ、したがって、スパッタリング中にターゲット
本体に割れが発生するのを防止することができる。

【００５４】また、請求項３記載のターゲットによれ
ば、請求項１または２記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記ターゲット本体の表面に腐食処理を施
してなることとしたので、研削等の機械加工による表面
歪が原因で発生したマイクロクラックを除去することが
でき、スパッタリング中の異常放電の発生を防止するこ
とができる。

【００５５】また、請求項４記載のターゲットによれ
ば、請求項１または２記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記被スパッタ面に鏡面研磨処理を施して
なり、該鏡面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．１
μｍであることとしたので、ターゲット本体の機械的強
度を損なうことなく該角部のボンディング時の熱膨張差
に伴う応力集中を更に防止することができ、割れを防止
することができる。したがって、スパッタリング時の成
膜速度を向上させることができ、ターゲットの寿命を延
ばすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のターゲットの縦断面図で
ある。

【図２】本発明の第２実施例のターゲットの縦断面図で
ある。

【図３】従来のターゲットの縦断面図である。

【図４】従来のターゲットの不具合の状態を示す縦断面
図である。

【符号の説明】

１１ターゲット１２ターゲット本体１３被スパッタ面１４外周面１５面取り面２１ターゲット２２，２３糸面取り面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ターゲット本体の被スパッタ面と外周面
との角部に、全周に亙って面取り面を形成し、前記面取り面の幅は、前記ターゲット本体の厚みの５〜
８０％であることを特徴とするスパッタリング用ターゲ
ット。
【請求項２】ターゲット本体の被スパッタ面と外周面
との角部に、全周に亙って面取り面を形成し、さらに、
前記被スパッタ面と面取り面との角部及び前記外周面と
面取り面との角部に糸面取り面を施してなり、前記各糸面取りの半径は、０．１〜１．０ｍｍであるこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
【請求項３】請求項１または２記載のスパッタリング
用ターゲットにおいて、前記ターゲット本体の表面に腐食処理を施してなること
を特徴とするスパッタリング用ターゲット。
【請求項４】請求項１または２記載のスパッタリング
用ターゲットにおいて、前記被スパッタ面に鏡面研磨処理を施してなり、該鏡面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．１μｍで
あることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。