JPH06244140A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH06244140A JPH06244140A JP28971992A JP28971992A JPH06244140A JP H06244140 A JPH06244140 A JP H06244140A JP 28971992 A JP28971992 A JP 28971992A JP 28971992 A JP28971992 A JP 28971992A JP H06244140 A JPH06244140 A JP H06244140A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】マイクロ波を使用するドライエッチング装置に
おいて、マイクロ波の漏洩発生時の安全性を確保する。 【構成】マイクロ波発生部２及び導波管３の外周囲にマ
イクロ波検出する検出器５を設け、インターロック回路
６にて設定した量以上の漏洩量があった場合、マイクロ
波発生部２を制御する電源制御部４に対してマイクロ波
発生停止信号を出し、ただちにマイクロ波の発生を中断
する。
おいて、マイクロ波の漏洩発生時の安全性を確保する。 【構成】マイクロ波発生部２及び導波管３の外周囲にマ
イクロ波検出する検出器５を設け、インターロック回路
６にて設定した量以上の漏洩量があった場合、マイクロ
波発生部２を制御する電源制御部４に対してマイクロ波
発生停止信号を出し、ただちにマイクロ波の発生を中断
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置に
関し特にマイクロ波を利用したドライエッチング装置に
関する。
関し特にマイクロ波を利用したドライエッチング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のマイクロ波を利用したド
ライエッチング装置は、プラズマを励起させるために用
いるマイクロ波を使用している。また、このマイクロ波
を処理室に導入するのに導波管を使用していた。
ライエッチング装置は、プラズマを励起させるために用
いるマイクロ波を使用している。また、このマイクロ波
を処理室に導入するのに導波管を使用していた。
【０００３】この導波管は１本の導波管ではなく、直管
やベント管など形状の異なる幾つかの導波管を組合せ接
続し、処理室とマイクロ波発生部と接続していた。ま
た、こられ導波管を互に接続する場合、それぞれの導波
管の端部であるフランジを互に突き合わせてビス止めし
て行なっていた。
やベント管など形状の異なる幾つかの導波管を組合せ接
続し、処理室とマイクロ波発生部と接続していた。ま
た、こられ導波管を互に接続する場合、それぞれの導波
管の端部であるフランジを互に突き合わせてビス止めし
て行なっていた。
【０００４】また、この導波管の接続を完全に行った
後、導波管の未端部は金属物で完全に遮へいする例えば
網状の金属物で覆う等の処理を行ってマイクロ波が外部
に漏れることを防止していた。
後、導波管の未端部は金属物で完全に遮へいする例えば
網状の金属物で覆う等の処理を行ってマイクロ波が外部
に漏れることを防止していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のドライエッ
チング装置では、導波管の接続部においては、導波管の
フランジの突き合わせのビス止めによってマイクロ波の
外部への漏洩を防止し、導波管の未端部においては金属
物で完全に遮へいすることによりマイクロ波の外部への
漏洩を防止しているものの、運転時にマイクロ波の漏洩
の検知する手段をもっていなかった。従って、人体に有
害なマイクロ波の漏洩が発生してもマイクロ波の漏洩の
測定を行なうまで発見できずに、マイクロ波による人体
に悪影響を及ぼす危険性があるという問題がある。
チング装置では、導波管の接続部においては、導波管の
フランジの突き合わせのビス止めによってマイクロ波の
外部への漏洩を防止し、導波管の未端部においては金属
物で完全に遮へいすることによりマイクロ波の外部への
漏洩を防止しているものの、運転時にマイクロ波の漏洩
の検知する手段をもっていなかった。従って、人体に有
害なマイクロ波の漏洩が発生してもマイクロ波の漏洩の
測定を行なうまで発見できずに、マイクロ波による人体
に悪影響を及ぼす危険性があるという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、常に漏洩するマイクロ波
を監視し完全に運転できるドライエッチング装置を提供
することである。
を監視し完全に運転できるドライエッチング装置を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、マイクロ波を用いてプラズマを励起させ半導
体基板をエッチングするマイクロ波利用のドライエッチ
ング装置において、マイクロ波の伝送する複数の導波管
の連結部の外周囲にマイクロ波検出器を備え、このマイ
クロ波検出器がマイクロ波の漏洩量を一定の値以上を検
知すると、マイクロ波発生部を制御する電源制御に対し
てマイクロ波発生停止信号を出しエッチング処理を中断
するインターロック回路を有することを特徴としてい
る。
グ装置は、マイクロ波を用いてプラズマを励起させ半導
体基板をエッチングするマイクロ波利用のドライエッチ
ング装置において、マイクロ波の伝送する複数の導波管
の連結部の外周囲にマイクロ波検出器を備え、このマイ
クロ波検出器がマイクロ波の漏洩量を一定の値以上を検
知すると、マイクロ波発生部を制御する電源制御に対し
てマイクロ波発生停止信号を出しエッチング処理を中断
するインターロック回路を有することを特徴としてい
る。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例におけるドライエ
ッチング装置の主要部を構成を示す図である。このドラ
イエッチング装置は、図１に示すように、半導体基板を
収納するとともにエッチング処理する処理室１と、この
エッチング処理室１にマイクロ波を導入する導波管３
と、導波管３に接続されるマイクロ波発生部２と、マイ
クロ波発生部２の電源供給及び制御する電源制御部４
と、この電源制御部４と処理室１を制御する処理制御部
７と、導波管３の連部及び処理室１と導波管３との接続
部に配置され漏洩マイクロ波を検出する検出器５と、こ
の検出器５の検出信号により処理制御部７を介して電源
制御部４に停止信号を送るインタロック回路６を備えて
いる。
ッチング装置の主要部を構成を示す図である。このドラ
イエッチング装置は、図１に示すように、半導体基板を
収納するとともにエッチング処理する処理室１と、この
エッチング処理室１にマイクロ波を導入する導波管３
と、導波管３に接続されるマイクロ波発生部２と、マイ
クロ波発生部２の電源供給及び制御する電源制御部４
と、この電源制御部４と処理室１を制御する処理制御部
７と、導波管３の連部及び処理室１と導波管３との接続
部に配置され漏洩マイクロ波を検出する検出器５と、こ
の検出器５の検出信号により処理制御部７を介して電源
制御部４に停止信号を送るインタロック回路６を備えて
いる。
【００１０】次に、このドライエッチング装置の動作を
説明する。まず、処理室１に半導体基板を収納し、真空
排気して、ガスを導入しながら所定の圧力に維持する。
次に、処理室の上下に電極に電圧を印加するとともにマ
イクロ波発生部２よりマイクロ波を発生し、処理室１内
でプラズマ励起し、イオンを発生させ、このイオンで半
導体基板をエッチングする。
説明する。まず、処理室１に半導体基板を収納し、真空
排気して、ガスを導入しながら所定の圧力に維持する。
次に、処理室の上下に電極に電圧を印加するとともにマ
イクロ波発生部２よりマイクロ波を発生し、処理室１内
でプラズマ励起し、イオンを発生させ、このイオンで半
導体基板をエッチングする。
【００１１】ここでドライエッチング装置は、前述した
ように、マイクロ波発生部２、導波管３の接続部及び導
波管の未端部の近くにマイクロ波検出器５を設けてある
ので、いずれかの検出器５がマイクロ波を検知すると、
インターロック回路６にて設定した許容値と比較する。
もし、検出される漏洩量が許容値を超えると、インタロ
ック回路６は処理制御部７を介して電源制御部４にマイ
クロ波発生停止信号を出力し、ただちにマイクロ波の発
生を中断する。
ように、マイクロ波発生部２、導波管３の接続部及び導
波管の未端部の近くにマイクロ波検出器５を設けてある
ので、いずれかの検出器５がマイクロ波を検知すると、
インターロック回路６にて設定した許容値と比較する。
もし、検出される漏洩量が許容値を超えると、インタロ
ック回路６は処理制御部７を介して電源制御部４にマイ
クロ波発生停止信号を出力し、ただちにマイクロ波の発
生を中断する。
【００１２】なお、マイクロ波の漏洩量のインタロック
回路６の設定量は、半導体基板ドライエッチング装置の
場合、工業用加熱利用に関する安全法令基準の定めがな
いので、電子レンジの電気用品取締法の安全基準値に準
じて漏洩量を規定し、例えば１ｍＷ／ｃｍ2 とする。
回路６の設定量は、半導体基板ドライエッチング装置の
場合、工業用加熱利用に関する安全法令基準の定めがな
いので、電子レンジの電気用品取締法の安全基準値に準
じて漏洩量を規定し、例えば１ｍＷ／ｃｍ2 とする。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、マイクロ
波の伝送に使用する導波管の連結部の外周囲にマイクロ
波検出器を設け、マイクロ波漏洩を検出する機能をもた
せることにより早期にマイクロ波の漏洩を発見すること
ができ、万一、マイクロ波の漏洩が発生してもただちに
ドライエッチング処理を中断して、人体に悪影響を及ぼ
す危険性を回避できるという効果を有する。
波の伝送に使用する導波管の連結部の外周囲にマイクロ
波検出器を設け、マイクロ波漏洩を検出する機能をもた
せることにより早期にマイクロ波の漏洩を発見すること
ができ、万一、マイクロ波の漏洩が発生してもただちに
ドライエッチング処理を中断して、人体に悪影響を及ぼ
す危険性を回避できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例におけるドライエッチング装
置の主要部の構成を示す図である。
置の主要部の構成を示す図である。
１ 処理室 ２ マイクロ波発生部 ３ 導波管 ４ 電源制御部 ５ 検出器 ６ インターロック回路 ７ 処理制御部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】従来、この種のマイクロ波を利用したドラ
イエッチング装置は、プラズマを励起させるためにマイ
クロ波を使用している。また、このマイクロ波を処理室
に導入するのに導波管を使用していた。
イエッチング装置は、プラズマを励起させるためにマイ
クロ波を使用している。また、このマイクロ波を処理室
に導入するのに導波管を使用していた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】この導波管は１本の導波管でなく、直管や
ベンド管など形状の異なる幾つかの導波管を組合せ接続
し、処理室とマイクロ波発生部と接続していた。また、
これら導波管を互に接続する場合、それぞれの導波管の
端部であるフランジを互に突き有わせてビス止めして行
なっていた。
ベンド管など形状の異なる幾つかの導波管を組合せ接続
し、処理室とマイクロ波発生部と接続していた。また、
これら導波管を互に接続する場合、それぞれの導波管の
端部であるフランジを互に突き有わせてビス止めして行
なっていた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】また、この導波管の接続を完全に行なった
後、導波管の末端部は金属物で完全に遮へいする例えば
網状の金属物で覆う等の処理を行なってマイクロ波が外
部に漏れることを防止していた。
後、導波管の末端部は金属物で完全に遮へいする例えば
網状の金属物で覆う等の処理を行なってマイクロ波が外
部に漏れることを防止していた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】この従来のドライエッチング装置では、導
波管の接続部においては、導波管のフランジの突き合わ
せのビス止めによってマイクロ波の外部への漏洩を防止
し、導波管の末端部においては金属物で完全に遮へいす
ることによりマイクロ波の外部への漏洩を防止している
ものの、運転時にマイクロ波の漏洩を検知する手段をも
っていなかった。従って、人体に有害なマイクロ波の漏
洩が発生してもマイクロ波の漏洩の測定を行なうまで発
見できずに、マイクロ波による人体に悪影響を及ぼす危
険があるという問題がある。
波管の接続部においては、導波管のフランジの突き合わ
せのビス止めによってマイクロ波の外部への漏洩を防止
し、導波管の末端部においては金属物で完全に遮へいす
ることによりマイクロ波の外部への漏洩を防止している
ものの、運転時にマイクロ波の漏洩を検知する手段をも
っていなかった。従って、人体に有害なマイクロ波の漏
洩が発生してもマイクロ波の漏洩の測定を行なうまで発
見できずに、マイクロ波による人体に悪影響を及ぼす危
険があるという問題がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】本発明の目的は、常に漏洩するマイクロ波
を監視し安全に運転できるドライエッチング装置を提供
することである。
を監視し安全に運転できるドライエッチング装置を提供
することである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】本発明のドライエッチング装置は、マイク
ロ波を用いてプラズマを励起させ半導体基板をエッチン
グするマイクロ波利用のドライエッチング装置におい
て、マイクロ波の伝送する複数の導波管の連結部の外周
囲にマイクロ波検出器を備え、このマイクロ波検出器
が、マイクロ波の漏洩量を一定の値以上を検知すると、
マイクロ波発生部を制御する電源制御部に対してマイク
ロ波発生停止信号を出しエッチング処理を中断するイン
ターロック回路を有することを特徴としている。
ロ波を用いてプラズマを励起させ半導体基板をエッチン
グするマイクロ波利用のドライエッチング装置におい
て、マイクロ波の伝送する複数の導波管の連結部の外周
囲にマイクロ波検出器を備え、このマイクロ波検出器
が、マイクロ波の漏洩量を一定の値以上を検知すると、
マイクロ波発生部を制御する電源制御部に対してマイク
ロ波発生停止信号を出しエッチング処理を中断するイン
ターロック回路を有することを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】図１は本発明の一実施例におけるドライエ
ッチング装置の主要部の構成を示す図である。このドラ
イエッチング装置は、図１に示すように、半導体基板を
収納するとともにエッチング処理する処理室１と、この
エッチング処理室１にマイクロ波を導入する導波管３
と、導波管３に接続されるマイクロ波発生部２と、マイ
クロ波発生部２の電源供給及び制御する電源制御部４
と、この電源制御部４と処理室１を制御する処理制御部
７と、導波管３の連結部及び処理室１と導波管３との接
続部に配置された漏洩マイクロ波を検出する検出器５
と、この検出器５の検出信号により処理制御部７を介し
て電源制御部４に停止信号を送るインタロック回路６を
備えている。
ッチング装置の主要部の構成を示す図である。このドラ
イエッチング装置は、図１に示すように、半導体基板を
収納するとともにエッチング処理する処理室１と、この
エッチング処理室１にマイクロ波を導入する導波管３
と、導波管３に接続されるマイクロ波発生部２と、マイ
クロ波発生部２の電源供給及び制御する電源制御部４
と、この電源制御部４と処理室１を制御する処理制御部
７と、導波管３の連結部及び処理室１と導波管３との接
続部に配置された漏洩マイクロ波を検出する検出器５
と、この検出器５の検出信号により処理制御部７を介し
て電源制御部４に停止信号を送るインタロック回路６を
備えている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】次に、このドライエッチング装置の動作を
説明する。まず、処理室１に半導体基板を収納し、真空
排気して、ガスを導入しながら所定の圧力に維持する。
次に、マイクロ波発生部２よりマイクロ波を発生し、処
理室１内でプラズマ励起しイオンを発生させ半導体基板
をエッチングする。
説明する。まず、処理室１に半導体基板を収納し、真空
排気して、ガスを導入しながら所定の圧力に維持する。
次に、マイクロ波発生部２よりマイクロ波を発生し、処
理室１内でプラズマ励起しイオンを発生させ半導体基板
をエッチングする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】ここでドライエッチング装置は、前述した
ように、マイクロ波発生部２、導波管３の接続部及び導
波管の末端部の近くにマイクロ波検出器５を設けてある
ので、いずれかの検出器５がマイクロ波を検出すると、
インターロック回路６にて設定した許容値と比較する。
もし、検出される漏洩量が許容値を超えると、インタロ
ック回路６は処理制御部７を介して電源制御部４にマイ
クロ波発生停止信号を出力し、ただちにマイクロ波の発
生を中断する。
ように、マイクロ波発生部２、導波管３の接続部及び導
波管の末端部の近くにマイクロ波検出器５を設けてある
ので、いずれかの検出器５がマイクロ波を検出すると、
インターロック回路６にて設定した許容値と比較する。
もし、検出される漏洩量が許容値を超えると、インタロ
ック回路６は処理制御部７を介して電源制御部４にマイ
クロ波発生停止信号を出力し、ただちにマイクロ波の発
生を中断する。
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波を用いてプラズマを励起させ
半導体基板をエッチングするマイクロ波利用のドライエ
ッチング装置において、マイクロ波の伝送する複数の導
波管の連結部の外周囲にマイクロ波検出器を備え、この
マイクロ波検出器がマイクロ波の漏洩量を一定の値以上
を検知すると、マイクロ波発生部を制御する電源制御に
対してマイクロ波発生停止信号を出しエッチング処理を
中断するインターロック回路を有することを特徴とする
ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28971992A JPH06244140A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28971992A JPH06244140A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244140A true JPH06244140A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=17746871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28971992A Pending JPH06244140A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244140A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006095396A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Nippon Spindle Mfg Co Ltd | マイクロ波検知装置 |
| JP2007220586A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
| US7921804B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
| US7976672B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-07-12 | Saian Corporation | Plasma generation apparatus and work processing apparatus |
| US8035057B2 (en) | 2004-07-07 | 2011-10-11 | Amarante Technologies, Inc. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
| WO2020039562A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP28971992A patent/JPH06244140A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8035057B2 (en) | 2004-07-07 | 2011-10-11 | Amarante Technologies, Inc. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
| JP2006095396A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Nippon Spindle Mfg Co Ltd | マイクロ波検知装置 |
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| US7682482B2 (en) | 2006-02-20 | 2010-03-23 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Plasma generation apparatus and work processing apparatus |
| JP4699235B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-06-08 | 株式会社サイアン | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
| US7921804B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
| WO2020039562A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990525 |