JPH0624183B2 - Electron beam drawing apparatus and method - Google Patents
Electron beam drawing apparatus and methodInfo
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- JPH0624183B2 JPH0624183B2 JP58024722A JP2472283A JPH0624183B2 JP H0624183 B2 JPH0624183 B2 JP H0624183B2 JP 58024722 A JP58024722 A JP 58024722A JP 2472283 A JP2472283 A JP 2472283A JP H0624183 B2 JPH0624183 B2 JP H0624183B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は電子線描画装置、特に描画精度およびスループ
ツトを向上させた可変矩形ビーム形電子線描画装置およ
び方法に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam drawing apparatus, and more particularly to a variable rectangular beam type electron beam drawing apparatus and method in which drawing accuracy and throughput are improved.
可変矩形ビーム型電子線描画装置は、点ビーム型電子線
描画装置の欠点であるスループツトの低さを改良すべく
開発されたものである。しかし、可変矩形ビーム型電子
線描画装置の電子光学系の調整は複雑であり、完全な調
整が困難であるという本質的問題を有している。The variable rectangular beam type electron beam writer is developed to improve the low throughput, which is a drawback of the point beam type electron beam writer. However, there is an essential problem that the adjustment of the electron optical system of the variable rectangular beam type electron beam drawing apparatus is complicated and complete adjustment is difficult.
従来の可変矩形ビーム型電子線描画装置では、矩形ビー
ムの長辺の寸法と短辺の寸法を独立に定めている。この
場合、わずかな調整ずれのため、矩形ビームが偏向方向
に対して傾いていると、第１図に示す如き状態になる。
第１図(A)は大面積パターンの例を示すもので、この場
合には前記傾きの影響は小さいが、第１図(B)に示した
如き細い線状のパターンの場合には、ビームシヨツトの
接続部が分離するという問題があつた。In the conventional variable rectangular beam type electron beam drawing apparatus, the dimension of the long side and the dimension of the short side of the rectangular beam are independently determined. In this case, if the rectangular beam is tilted with respect to the deflection direction due to a slight adjustment deviation, the state shown in FIG. 1 is obtained.
FIG. 1 (A) shows an example of a large area pattern. In this case, the influence of the inclination is small, but in the case of the thin linear pattern as shown in FIG. 1 (B), the beam shot is There was a problem that the connection part of was separated.
これを防止するために、第２図に示す如く、パターン周
辺(A)および細い線状パターン(B)の場合にのみ、電子ビ
ーム形状を小さくして、スループツトの低下を最小限に
迎えようとする装置も提案されているが、この装置にお
いては、大面積図形の中心部分の最大ビームサイズと周
辺部および細いパターンの最大ビームサイズを別個に指
定しなければならないため、図形データの増大を招くと
いう別の問題が生ずる。In order to prevent this, as shown in FIG. 2, the electron beam shape is made small only in the case of the pattern periphery (A) and the thin linear pattern (B) so as to minimize the deterioration of the throughput. Although a device has been proposed, the maximum beam size of the central portion of the large area graphic and the maximum beam size of the peripheral portion and the thin pattern of the large area graphic must be specified separately, which causes increase in graphic data. Another problem arises.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の電子線描画装置における上述の如
き問題を解消し、描画精度およびスループツトを向上可
能な電子線描画装置および方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to solve the problems as described above in a conventional electron beam drawing apparatus, and to provide an electron beam drawing apparatus and method capable of improving drawing accuracy and throughput. To provide.
本発明の要点は、可変矩形ビーム型電子線描画装置にお
いて、矩形ビームの長辺と短辺との寸法を独立に定める
のではなく、長辺の寸法と短辺の寸法との比率を一定と
し、かつ短辺寸法の最大値を定め、これらの値を、描画
パターンの最小線幅およびビーム接続精度等に対応させ
て装置内の記憶手段に記憶させておき、ビーム寸法決定
の際に参照するようにした点にある。The point of the present invention is that, in the variable rectangular beam electron beam writing apparatus, the dimensions of the long side and the short side of the rectangular beam are not determined independently, but the ratio of the dimension of the long side to the dimension of the short side is constant. Also, the maximum values of the short side dimensions are determined, and these values are stored in the storage means in the device in association with the minimum line width of the drawing pattern, the beam connection accuracy, etc., and referred to when determining the beam dimensions. There is a point in doing so.
第３図は本発明の要点をより具体的に説明するためのも
のであり、(A)，(B)は電子ビームの偏向方向に対して平
行な辺および垂直な辺で構成された図形、(C)は電子ビ
ームの偏向方向に対して傾いた辺を含む図形の例を示す
ものである。FIG. 3 is for more specifically explaining the main points of the present invention. (A) and (B) are figures composed of sides parallel and perpendicular to the deflection direction of the electron beam, (C) shows an example of a figure including a side inclined with respect to the deflection direction of the electron beam.
前記長辺と短辺の寸法との比率をＢ、短辺寸法の最大値
をＡとした場合、図形の幅Ｗが上記Ａより大であれば、
ビーム寸法は短辺寸法をＡ、長辺寸法をＡ×Ｂ（図(A)
参照）とし、図形の幅Ｗが上記Ａより小であればビーム
寸法は短辺をＷ、長辺をＷ×Ｂ（図(B)参照）とする。
また、図(C)の如く傾いた辺を含む図形の場合には、偏
向方向に平行な辺および垂直な辺で構成される図形１と
三角形２とに分解して描画を行い、この場合、図形１に
関しては短辺寸法をＡ以下、長辺寸法をＡ×Ｂ以下とす
る。When the ratio of the dimension of the long side to the short side is B and the maximum value of the short side dimension is A, if the width W of the figure is larger than the above A,
The beam dimension is A for the short side dimension and A × B for the long side dimension (Figure (A)
If the width W of the figure is smaller than A, the beam dimension is W on the short side and W × B on the long side (see FIG. (B)).
Further, in the case of a figure including an inclined side as shown in FIG. (C), the figure 1 composed of sides parallel to the deflection direction and a side perpendicular to the deflection direction and the triangle 2 are disassembled and drawn. Regarding the figure 1, the short side dimension is A or less and the long side dimension is A × B or less.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第４図は本発明の一実施例である電子線描画装置の概略
構成を示す図である。図において、１０は電子線描画装
置本体であり、電子銃１１，第１整形アパーチヤ１２，
整形偏向器１３，第２整形アパーチヤ１４，縮小レンズ
１５および対物レンズ１６から構成されているものであ
る。１７は描画対象の例としてのウエハである。また、
２０はパターンデータを記憶する記憶部、３０はシヨツ
ト分解条件を記憶するレジスタ回路、４０はパターン分
解回路４１およびシヨツト分解回路４２を有する分解回
路、５０はバツフアメモリ、そして６０は上記各回路を
制御するＣＰＵである。FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of an electron beam drawing apparatus which is an embodiment of the present invention. In the figure, 10 is an electron beam drawing apparatus main body, which includes an electron gun 11, a first shaping aperture 12,
The shaping deflector 13, the second shaping aperture 14, the reduction lens 15, and the objective lens 16 are included. Reference numeral 17 denotes a wafer as an example of a drawing target. Also,
Reference numeral 20 is a storage unit for storing pattern data, 30 is a register circuit for storing shot decomposition conditions, 40 is a decomposition circuit having a pattern decomposition circuit 41 and a shot decomposition circuit 42, 50 is a buffer memory, and 60 controls each of the above circuits. It is a CPU.
本実施例の動作を以下、第５図により説明する。第５図
は本実施例装置の機能構成図であり、記号30Ａはシヨツ
ト分解条件を、41Ａはパターン分解処理を、42Ａはシヨ
ツト分解処理を、また、20Ａはパターンデータ記憶を示
している。The operation of this embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 5 is a functional block diagram of the apparatus of the present embodiment. Symbol 30A indicates shot decomposition conditions, 41A indicates pattern decomposition processing, 42A indicates shot decomposition processing, and 20A indicates pattern data storage.
シヨツト分解条件30Ａとしては描画パターンを矩形ビー
ムに分解してシヨツトするための条件、ここでは矩形ビ
ームの短辺ｓの最大値Ａおよび矩形ビームの長辺ｌと短
辺ｓとの比l／sの最大値Ｂとが登録されている。The shot decomposition condition 30A is a condition for dividing the drawing pattern into rectangular beams and performing the simulation, and here, the maximum value A of the short sides s of the rectangular beam and the ratio 1 / s of the long sides 1 and the short sides s of the rectangular beams. And the maximum value B of are registered.
幅Ｗ0，高さＨ0なるパターンデータが与えられると、バ
ツフアメモリ５０にＷ＝Ｗ0，Ｈ＝Ｈ0として記憶され
る。次に、パターン分解回路４１によりパターン分解処
理41Ａが実施される。この処理は、上記パターンを図中
に示される３つの条件によつて決定される高さｓ，幅Ｗ
のパターンに分解して記憶するものである。すなわち、
図から明らかなように、描画パターンの短辺Ｈが、Ｈ≦
Ａのとき矩形ビームの短辺ｓをＨに、２Ａ＞Ｈ＞Ａのと
き矩形ビームの短辺ｓをＨ／２に、Ｈ≧２Ａのとき矩形
ビームの短辺ｓをＡにしている。次に、シヨツト分解４
２によるシヨツト分解処理42Ａが実施される。この処理
は上記パターン分解処理41Ａにより得られた、高さｓ，
幅Ｗのパターンを、図中の３つの条件によつて決定され
る長辺ｌ，短辺ｓの矩形ビームによりシヨツトするもの
である。すなわち、図から明らかなように、描画パター
ンの長辺Ｗが、Ｗ≦Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺１を
Ｗに、２×Ａ×Ｂ＞Ｗ＞Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺
１をＷ／２に、Ｗ≧２×Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺
１をＡ×Ｂにしている。該シヨツト終了後、バツフアメ
モリ５０内のパターン50Ａの幅がＷからＷ−ｌに置換え
られ、上記パターン分離処理41Ａおよびシヨツト分解処
理42Ａが、Ｗ＝０となるまで繰返される。次いで、上記
バツフアメモリ５０内のパターン50Ａの高さがＨからＨ
−ｓに置換えられ、上記パターン分解処理41Ａおよびシ
ヨツト分解処理42Ａが、Ｈ＝０となるまで繰返される。When the pattern data having the width W 0 and the height H 0 is given, it is stored in the buffer memory 50 as W = W 0 , H = H 0 . Next, the pattern decomposition circuit 41 performs the pattern decomposition process 41A. In this process, the height s and the width W determined by the above-mentioned pattern under the three conditions shown in FIG.
It is decomposed into a pattern and stored. That is,
As is clear from the figure, the short side H of the drawing pattern is H ≦
When A, the short side s of the rectangular beam is set to H, when 2A>H> A, the short side s of the rectangular beam is set to H / 2, and when H ≧ 2A, the short side s of the rectangular beam is set to A. Next, shoot decomposition 4
The shutter disassembly processing 42A according to 2 is carried out. This process is performed by the height s, obtained by the pattern decomposition process 41A.
A pattern having a width W is shot by a rectangular beam having a long side 1 and a short side s determined by three conditions in the figure. That is, as is clear from the figure, when the long side W of the drawing pattern is W ≦ A × B, the long side 1 of the rectangular beam is W, and when the long side W of 2 × A × B>W> A × B is the rectangular beam. The long side 1 is W / 2, and when W ≧ 2 × A × B, the long side 1 of the rectangular beam is A × B. After the shutdown, the width of the pattern 50A in the buffer memory 50 is replaced by W to W-1, and the pattern separation processing 41A and the shot decomposition processing 42A are repeated until W = 0. Then, the height of the pattern 50A in the buffer memory 50 is changed from H to H.
It is replaced with -s, and the pattern decomposition processing 41A and the shot decomposition processing 42A are repeated until H = 0.
第６図は上述の第５図に示した手順によつて描画パター
ンを矩形ビームシヨツトに分解した例を示すものであ
る。第６図においては、矩形ビームの短辺の最大値Ａを
２μｍ，長辺と短辺との比の最大値Ｂを２．０とした場
合の、(A)５μｍ×１０μｍパターン，(B)１μｍ×１０
μｍパターンおよび(C)０．５μｍ×１０μｍパターン
についての矩形ビームの形状を示すものである。図から
も明らかな如く、大面積パターン(A)は前記条件での最
大の矩形ビーム形状２μｍ×４μｍでシヨツトされ、中
程度のパターン(B)は１μｍ×２μｍ，矩形ビームの接
続精度が問題となる微細パターン(C)は０．５μｍ×１
μｍのビーム形状でシヨツトされる。このようにシヨツ
トすることにより大面積パターンにおける描画時間の短
縮と微細パターンにおける接続精度の両方を満足する電
子線描画装置を実現することができる。FIG. 6 shows an example in which the drawing pattern is decomposed into rectangular beam shots by the procedure shown in FIG. In FIG. 6, when the maximum value A of the short side of the rectangular beam is 2 μm and the maximum value B of the ratio of the long side to the short side is 2.0, (A) 5 μm × 10 μm pattern, (B) 1 μm x 10
FIG. 3 shows the shapes of rectangular beams for a μm pattern and (C) 0.5 μm × 10 μm pattern. As is clear from the figure, the large area pattern (A) is shot with the maximum rectangular beam shape of 2 μm × 4 μm under the above conditions, the medium pattern (B) is 1 μm × 2 μm, and the connection accuracy of the rectangular beam is a problem. Fine pattern (C) is 0.5 μm x 1
It is shot with a beam shape of μm. By such a shot, it is possible to realize an electron beam drawing apparatus that satisfies both the drawing time reduction in a large area pattern and the connection accuracy in a fine pattern.
第７図は本発明の他の実施例を示すもので、本発明をい
わゆる輪郭描画法と組合わせた場合の実施例である。第
７図(A)は７μｍ×１０μｍパターン、(B)は５μｍ×１
０μｍパターンそして(C)は０．５μｍ×１０μｍパタ
ーンを図形処理プログラムにより輪郭図形７１と中心図
形７２とに分解したものに、本発明を適用した例を示す
ものである。FIG. 7 shows another embodiment of the present invention, which is an embodiment when the present invention is combined with a so-called contour drawing method. FIG. 7 (A) shows a 7 μm × 10 μm pattern, (B) shows a 5 μm × 1 pattern.
The 0 μm pattern and (C) show an example in which the present invention is applied to a 0.5 μm × 10 μm pattern decomposed into a contour graphic 71 and a central graphic 72 by a graphic processing program.
第７図は、輪郭図形の幅を１μｍとし、矩形ビームの短
辺の最大値Ａを２．５μｍ，長辺と短辺との比の最大値
Ｂを２．０とした場合の矩形ビームサイズを示してお
り、大面積パターン(A)においては、中心図形７２に対
しては最大ビームサイズ２．５μｍ×４μｍが用いられ
ても、輪郭図形７１に対しては１μｍ×２μｍのビーム
でシヨツトされる。FIG. 7 shows a rectangular beam size when the width of the contour figure is 1 μm, the maximum value A of the short side of the rectangular beam is 2.5 μm, and the maximum value B of the ratio of the long side to the short side is 2.0. In the large area pattern (A), although the maximum beam size of 2.5 μm × 4 μm is used for the central figure 72, the contour figure 71 is shot with a beam of 1 μm × 2 μm. It
第８図は本発明の更に他の実施例を示すもので、第７図
に示した第２の実施例において、矩形ビームの長辺寸法
の最大値Ｃを規定する機能を加えた実施例である。この
場合、矩形ビームの長辺寸法は短辺寸法の最大値ＡのＢ
倍（最大値）と、長辺寸法の最大値Ｃとの小さい方とす
る。FIG. 8 shows still another embodiment of the present invention, which is the same as the second embodiment shown in FIG. 7 except that a function for defining the maximum value C of the long side dimension of the rectangular beam is added. is there. In this case, the long side dimension of the rectangular beam is B, which is the maximum value A of the short side dimension.
It is the smaller of the double (maximum value) and the maximum value C of the long side dimension.
第８図は上記第２の実施例と同様の輪郭図形７１と中心
図形７２について、矩形ビームの短辺の最大値Ａを４μ
ｍ，長辺と短辺との比Ｂの最大値Ｂを２．０，また、長
辺の最大値Ｃを４μとした場合の、６μｍ×１０μｍパ
ターンのシヨツトビームの形状を示しており、この例で
は、中心図形７２が４μｍ×４μｍの２シヨツトで描画
され、中心図形の描画速度が前記第２の実施例の２倍と
なると同時に、矩形ビームが大きくなりすぎて、電流密
度が均一性を欠く状態となるのを防止するという利点を
有するものである。FIG. 8 shows that the maximum value A of the short side of the rectangular beam is 4 μm for the contour figure 71 and the center figure 72 similar to those in the second embodiment.
m, the maximum value B of the ratio B of the long side to the short side is 2.0, and the maximum value C of the long side is 4 μ, the figure shows the shape of a 6 μm × 10 μm pattern shot beam. Then, the central figure 72 is drawn with two shots of 4 μm × 4 μm, the drawing speed of the central figure is double that of the second embodiment, and at the same time, the rectangular beam becomes too large and the current density lacks uniformity. This has the advantage of preventing the situation.
上記長辺の最大値Ｃは、矩形ビームの大きさがある程度
大きくなる場合に、その形状を略正方形とする如く定め
ることが有効である。It is effective to set the maximum value C of the long side so that the shape thereof is substantially square when the size of the rectangular beam becomes large to some extent.
第９図は本発明の更に他の実施例を示すものであり、矩
形ビームの長辺寸法と短辺寸法との比の最大値Ｂを一定
の値でなく、短辺寸法の関数とするようにした実施例で
ある。FIG. 9 shows still another embodiment of the present invention, in which the maximum value B of the ratio between the long side dimension and the short side dimension of the rectangular beam is not a constant value but a function of the short side dimension. It is an example of
第９図(A)は矩形ビームの短辺の最大値Ａと長辺と短辺
との比の最大値（図では「長辺／短辺」と示している）
Ｂとの関係の一例を示すものであり、この関係を用いて
６μｍ×１０μｍパターンおよび０．５μｍ×１０μｍ
パターンをシヨツト分解した状況を第９図(B)，(C)に示
した。第９図(B)に示した分解状況は第８図に示した分
解状況と差がないが、第９図(C)に示した分解状況は、
第７図(C)に示した分解状況と比較すると、シヨツト数
が３０％減じていることが理解されよう。FIG. 9A shows the maximum value A of the short side of the rectangular beam and the maximum value of the ratio of the long side to the short side (indicated as "long side / short side" in the figure).
An example of the relationship with B is shown. Using this relationship, a 6 μm × 10 μm pattern and 0.5 μm × 10 μm
The situation in which the pattern was shot-disassembled is shown in FIGS. 9 (B) and 9 (C). Although the disassembly status shown in FIG. 9 (B) is not different from the disassembly status shown in FIG. 8, the disassembly status shown in FIG. 9 (C) is
It can be understood that the number of shots is reduced by 30% as compared with the disassembly state shown in FIG. 7 (C).
これは、前述の通り、矩形ビームの大きさがある範囲内
にある間は、できるだけ大きな面積の矩形ビームを使つ
てシヨツト数を少なくするということと、微細パターン
の接続精度を悪化させないということの両方を満足でき
る方向である。As described above, this means that while the size of the rectangular beam is within a certain range, the rectangular beam with the largest possible area is used to reduce the number of shots and that the connection accuracy of the fine pattern is not deteriorated. It is a direction that can satisfy both.
なお、第９図(A)には、短辺寸法の最大値Ａと長辺寸法
と短辺寸法との比の最大値Ｂとの関係を曲線で表した例
を示したが、この関係は直線あるいは折れ線グラフとし
て表現しても良いことは言うまでもない。In addition, FIG. 9 (A) shows an example in which the relationship between the maximum value A of the short side dimension and the maximum value B of the ratio of the long side dimension to the short side dimension is represented by a curve. It goes without saying that it may be expressed as a straight line or a line graph.
以上述べた如く、本発明によれば、可変矩形ビーム型電
子線描画装置および描画方法において、矩形ビームの長
辺と短辺との寸法を独立に決めるのでなく、長辺の寸法
と短辺の寸法との比率を一定とし、かつ短辺寸法の最大
値を定め、これらの値を描画パターンの最小線幅および
ビーム接続精度等に対応させて装置内の記憶手段に記憶
させておき、ビーム寸法決定の際に参照するようにした
ので、描画精度およびスループツトを向上させた電子線
描画装置を実現できるという顕著な効果を奏するもので
ある。As described above, according to the present invention, in the variable-beam-type electron beam writing apparatus and writing method, the dimensions of the long side and the short side of the rectangular beam are not determined independently, but the dimensions of the long side and the short side are determined. The ratio to the dimension is fixed, the maximum value of the short side dimension is determined, and these values are stored in the storage means in the device in correspondence with the minimum line width of the drawing pattern, the beam connection accuracy, etc. Since the reference is made at the time of determination, there is a remarkable effect that it is possible to realize an electron beam drawing apparatus with improved drawing accuracy and throughput.
第１図，第２図は従来の装置によるシヨツト分解図、第
３図は本発明の要点を説明するための図、第４図は本発
明の一実施例である電子線描画装置の概略構成を示す
図、第５図はその機能構成図、第６図〜第９図はシヨツ
ト分解の具体例を示す図である。 １０：電子線描画装置本体、２０：パターンデータ記憶
部、３０：レジスタ回路、４１：パターン分解回路、４
２：シヨツト分解回路、５０：バツフアメモリ、６０：
ＣＰＵ。FIGS. 1 and 2 are exploded views of a shot by a conventional device, FIG. 3 is a diagram for explaining the main points of the present invention, and FIG. 4 is a schematic configuration of an electron beam drawing device which is an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a functional configuration diagram thereof, and FIGS. 6 to 9 are diagrams showing specific examples of shot disassembly. 10: electron beam drawing apparatus main body, 20: pattern data storage unit, 30: register circuit, 41: pattern decomposition circuit, 4
2: Shot decomposition circuit, 50: Buffer memory, 60:
CPU.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須賀 治 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭56−79429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−118633（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Osamu Suga 1-280, Higashi Koikekubo, Kokubunji, Tokyo (56) References JP-A-56-79429 (JP, A) JP-A-55 -118633 (JP, A)
Claims (6)
て、描画パターンを描画するための矩形ビームの短辺の
寸法の最大値Ａおよび該矩形ビームの短辺の寸法と長辺
の寸法の比の最大値Ｂを保持するショット分解条件レジ
スタと、描画パターンの短辺の寸法Ｈと前記ショット分
解条件レジスタに保持されている矩形ビームの短辺の寸
法の最大値Ａを参照することによって前記描画パターン
の短辺の寸法ＨをＡ以下の値ｓに分解するパターン分解
回路と、描画パターンの長辺の寸法Ｗと前記ショット分
解回路に保持されている矩形ビームの短辺の寸法の最大
値Ａおよび矩形ビームの短辺の寸法と長辺の寸法の比の
最大値Ｂを参照することによって前記描画パターンの長
辺の寸法Ｗをｓ×Ｂ以下の値に分解するショット分解回
路とを有し、前記パターン分解回路および前記ショット
分解回路によって求められた短辺の寸法と長辺の寸法を
有する矩形ビームによって描画を行うことを特徴とする
電子線描画装置。1. A variable rectangular beam type electron beam writing apparatus comprising: a maximum value A of a dimension of a short side of a rectangular beam for writing a writing pattern; and a ratio of a dimension of the short side of the rectangular beam to a dimension of the long side. By referring to the shot decomposition condition register that holds the maximum value B, the short-side dimension H of the drawing pattern and the maximum value A of the short-side dimension of the rectangular beam that is held in the shot decomposition condition register, the drawing pattern Of the pattern decomposing circuit for decomposing the dimension H of the short side into a value s less than A, the dimension W of the long side of the drawing pattern, and the maximum value A of the dimension of the short side of the rectangular beam held in the shot decomposing circuit. A shot decomposition circuit that decomposes the dimension W of the long side of the drawing pattern into a value of s × B or less by referring to the maximum value B of the ratio of the dimension of the short side to the dimension of the long side of the rectangular beam, The above Electron beam lithography system, characterized in that for drawing the rectangular beam having the dimensions of the long side of the short side determined by chromatography down decomposition circuit and the shot separation circuit.
置において、前記パターン分解回路は、描画パターンの
短辺の寸法Ｈが、Ｈ≦Ａのとき矩形ビームの短辺の寸法
ｓをＨに、２Ａ＞Ｈ＞Ａのとき矩形ビームの短辺の寸法
ｓをＨ／２に、Ｈ≧２Ａのとき矩形ビームの短辺の寸法
ｓをＡにし、 前記ショット分解回路は、描画パターンの長辺の寸法Ｗ
が、Ｗ≦Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺の寸法１をＷ
に、２×Ａ×Ｂ＞Ｗ＞Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長辺の
寸法をＷ／２に、Ｗ≧２×Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長
辺の寸法１をＡ×Ｂにすることを特徴とする電子線描画
装置。2. The electron beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the pattern decomposing circuit sets the short side dimension s of the rectangular beam when the short side dimension H of the writing pattern is H ≦ A. When H is 2A>H> A, the short side dimension s of the rectangular beam is set to H / 2, and when H ≧ 2A, the short side dimension s of the rectangular beam is set to A. Long side dimension W
Is W ≦ A × B, the dimension 1 of the long side of the rectangular beam is W
When 2 × A × B>W> A × B, the long side dimension of the rectangular beam is set to W / 2, and when W ≧ 2 × A × B, the long side dimension 1 of the rectangular beam is set to A × B. An electron beam drawing apparatus characterized by:
電子線描画装置において、前記描画パターンを輪郭図形
と中心図形とに分解する手段を備えたことを特徴とする
電子線描画装置。3. An electron beam drawing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising means for decomposing the drawing pattern into a contour figure and a central figure. .
の短辺の寸法の最大値Ａおよび該矩形ビームの短辺の寸
法と長辺の寸法の比の最大値Ｂを保持する第１のステッ
プと、前記描画パターンの短辺の寸法と前記保持されて
いる矩形ビームの短辺の寸法の最大値Ａを参照すること
によって該描画パターンの短辺の寸法をＡ以下の値ｓに
分解する第２のステップと、前記描画パターンの長辺の
寸法と前記ショット分解回路に保持されている矩形ビー
ムの短辺の寸法の最大値Ａおよび矩形ビームの短辺の寸
法と長辺の寸法の比の最大値Ｂを参照することによって
該描画パターンの長辺の寸法をｓ×Ｂ以下の値に分解す
る第３のステップと、前記第２のステップと第３のステ
ップによって求められた短辺の寸法と長辺の寸法を有す
る矩形ビームによって描画する第４のステップからなる
ことを特徴とする電子線描画方法。4. A first step of holding a maximum value A of a short side dimension of a rectangular beam for drawing a drawing pattern and a maximum value B of a ratio of a short side dimension and a long side dimension of the rectangular beam. And decomposing the short-side dimension of the drawing pattern into a value s less than or equal to A by referring to the short-side dimension of the drawing pattern and the maximum value A of the short-side dimension of the held rectangular beam. Step 2, the maximum value A of the dimension of the long side of the drawing pattern and the dimension of the short side of the rectangular beam held in the shot decomposition circuit, and the ratio of the dimension of the short side of the rectangular beam to the dimension of the long side. A third step of decomposing the dimension of the long side of the drawing pattern into a value of s × B or less by referring to the maximum value B, and the dimension of the short side obtained by the second step and the third step. And a rectangular beam with long side dimensions Electron beam drawing method characterized by comprising the fourth step of rendering Te.
法において、前記第２のステップは、前記描画パターン
の短辺の寸法Ｈが、Ｈ≦Ａのとき矩形ビームの短辺の寸
法ｓをＨに、２Ａ＞Ｈ＞Ａのとき矩形ビームの短辺の寸
法ｓをＨ／２に、Ｈ≧２Ａのとき矩形ビームの短辺の寸
法ｓをＡにし、前記第３のステップは、前記描画パター
ンの長辺の寸法Ｗが、Ｗ≦Ａ×Ｂのとき矩形ビームの長
辺の寸法１をＷに、２×Ａ×Ｂ＞Ｗ＞Ａ×Ｂのとき矩形
ビームの長辺の寸法１をＷ／２に、Ｗ≧２×Ａ×Ｂのと
き矩形ビームの長辺の寸法１をＡ×Ｂにするステップで
あることを特徴とする電子線描画方法。5. The electron beam writing method according to claim 4, wherein in the second step, when the dimension H of the short side of the writing pattern is H ≦ A, the dimension of the short side of the rectangular beam. When s is H, the dimension s of the short side of the rectangular beam is H / 2 when 2A>H> A, and the dimension s of the short side of the rectangular beam is A when H ≧ 2A, and the third step is When the dimension W of the long side of the drawing pattern is W ≦ A × B, the dimension 1 of the long side of the rectangular beam is W, and when 2 × A × B>W> A × B, the dimension of the long side of the rectangular beam 1 is W / 2, and W ≧ 2 × A × B, and the step of setting the dimension 1 of the long side of the rectangular beam to A × B.
電子線描画方法において、前記第１のステップの前に描
画パターンを輪郭図形と中心図形とに分解するステップ
を有し、分解された輪郭図形と中心図形の各々に対して
前記第１〜第４のステップを適用することを特徴とする
電子線描画方法。6. The electron beam drawing method according to claim 4 or 5, further comprising a step of dividing the drawing pattern into a contour figure and a central figure before the first step. An electron beam drawing method, characterized in that the first to fourth steps are applied to each of the contour figure and the center figure that have been created.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024722A JPH0624183B2 (en) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | Electron beam drawing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024722A JPH0624183B2 (en) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | Electron beam drawing apparatus and method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151423A JPS59151423A (en) | 1984-08-29 |
| JPH0624183B2 true JPH0624183B2 (en) | 1994-03-30 |
Family
ID=12146046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58024722A Expired - Lifetime JPH0624183B2 (en) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | Electron beam drawing apparatus and method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624183B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4308467B2 (en) * | 2001-12-27 | 2009-08-05 | 新光電気工業株式会社 | Exposure method and exposure apparatus |
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118633A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-11 | Fujitsu Ltd | Exposing method for electron beam |
| JPS5679429A (en) * | 1979-12-03 | 1981-06-30 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam exposure process |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP58024722A patent/JPH0624183B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59151423A (en) | 1984-08-29 |
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