JPH06236913A - ウェハーフォーク - Google Patents
ウェハーフォークInfo
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- JPH06236913A JPH06236913A JP2090593A JP2090593A JPH06236913A JP H06236913 A JPH06236913 A JP H06236913A JP 2090593 A JP2090593 A JP 2090593A JP 2090593 A JP2090593 A JP 2090593A JP H06236913 A JPH06236913 A JP H06236913A
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- fork
- powder
- wafer fork
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Abstract
(57)【要約】
【目的】不純物によるウェハーの汚染が少なく、また高
強度で高寸法精度を有するウェハーフォークを提供す
る。 【構成】本発明のウェハーフォークはウェハーを保持し
て順次搬送するウェハーフォークにおいて、ウェハーを
下方から接触載置する載置部と、ウェハーの周辺部と接
触してウェハーを所定位置に保持する保持部を有し、か
つ載置部および保持部がピンからなり、さらに載置部お
よび保持部の少なくともウェハーと接触する部位が、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少なくとも１
種からなる、またはウェハーと接触する部位の面積が２
０〜１００ｍｍ2 であることを特徴とする。
強度で高寸法精度を有するウェハーフォークを提供す
る。 【構成】本発明のウェハーフォークはウェハーを保持し
て順次搬送するウェハーフォークにおいて、ウェハーを
下方から接触載置する載置部と、ウェハーの周辺部と接
触してウェハーを所定位置に保持する保持部を有し、か
つ載置部および保持部がピンからなり、さらに載置部お
よび保持部の少なくともウェハーと接触する部位が、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少なくとも１
種からなる、またはウェハーと接触する部位の面積が２
０〜１００ｍｍ2 であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェハーの移送搬送用に
使用されるウェハーフォークに関し、特に不純物による
ウェハーの汚染などが少なく、またそりなどの発生が少
なく高強度で高寸法精度を有するウェハーフォークに関
する。
使用されるウェハーフォークに関し、特に不純物による
ウェハーの汚染などが少なく、またそりなどの発生が少
なく高強度で高寸法精度を有するウェハーフォークに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体製造工程のウェハーの熱
処理工程や搬送ラインにおいては、単結晶シリコンをス
ライスした多数のウェハーを順次、移送搬送するため
に、ウェハーフォークやウェハーチャックなどの各種保
持具が使用されている。ウェハーフォークは平板状の本
体中央部に、ウェハーが嵌入する浅い凹部を形成して構
成される一方、ウェハーチャックは、真空吸着または静
電作用に基づいてウェハーを吸着保持する保持具であ
る。
処理工程や搬送ラインにおいては、単結晶シリコンをス
ライスした多数のウェハーを順次、移送搬送するため
に、ウェハーフォークやウェハーチャックなどの各種保
持具が使用されている。ウェハーフォークは平板状の本
体中央部に、ウェハーが嵌入する浅い凹部を形成して構
成される一方、ウェハーチャックは、真空吸着または静
電作用に基づいてウェハーを吸着保持する保持具であ
る。
【０００３】上記ウェハーフォークは、例えば搬送ロボ
ットのアーム先端部に固着され、微細な間隙を介して多
段にウェハーを収納するカートリッジやキャリアの間隙
部に挿通され、ウェハーを凹部にすくい上げて保持し、
次工程の処理部などに搬送する。
ットのアーム先端部に固着され、微細な間隙を介して多
段にウェハーを収納するカートリッジやキャリアの間隙
部に挿通され、ウェハーを凹部にすくい上げて保持し、
次工程の処理部などに搬送する。
【０００４】従来、上記のウェハーフォークとしてステ
ンレス鋼板を所定形状に切削・研磨加工した後に、加工
表面をフッ素樹脂被膜などでコーティングしたものやフ
ォーク全体を石英ガラスで構成したものが主として使用
されていた。
ンレス鋼板を所定形状に切削・研磨加工した後に、加工
表面をフッ素樹脂被膜などでコーティングしたものやフ
ォーク全体を石英ガラスで構成したものが主として使用
されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらステンレ
ス鋼表面に樹脂コーティングしたウェハーフォークで
は、コーティング層が短期間に破れ、鉄やアルカリ塩な
どの不純物がウェハー側に転移しやすく汚染を引き起し
やすい欠点がある。また本体を構成するステンレス鋼が
塑性変形を起こしやすく、高精度の搬送動作が困難とな
る場合が多い。一方ステンレス鋼自体の靭性が高いた
め、万一搬送装置自体が誤動作した場合にはウェハーフ
ォークによって高価なロボットなどの周辺設備が破損さ
れ、製造工程が停止するおそれもあった。
ス鋼表面に樹脂コーティングしたウェハーフォークで
は、コーティング層が短期間に破れ、鉄やアルカリ塩な
どの不純物がウェハー側に転移しやすく汚染を引き起し
やすい欠点がある。また本体を構成するステンレス鋼が
塑性変形を起こしやすく、高精度の搬送動作が困難とな
る場合が多い。一方ステンレス鋼自体の靭性が高いた
め、万一搬送装置自体が誤動作した場合にはウェハーフ
ォークによって高価なロボットなどの周辺設備が破損さ
れ、製造工程が停止するおそれもあった。
【０００６】一方、石英ガラスで構成したウェハーフォ
ークでは、コーティング層を形成しない場合でも不純物
汚染の心配は少なく、また熱的に安定で有利である一
方、強度および剛性がやや低いため、繰り返して使用す
る構造体として使用するには難点があった。特に近年、
複数のウェハーを収納するカートリッジやキャリアにも
より多くのウェハーを装填することが求められ、隣接す
るウェハー間の間隙も狭められる傾向にあり、必然的
に、その間隙部に挿通されるウェハーフォークもより薄
型化する要請が高まっている。しかしながら、薄型化に
伴ってその機械的強度も小さくなり、短期にたわみを生
じやすくなり、寿命が短縮される問題点がある。
ークでは、コーティング層を形成しない場合でも不純物
汚染の心配は少なく、また熱的に安定で有利である一
方、強度および剛性がやや低いため、繰り返して使用す
る構造体として使用するには難点があった。特に近年、
複数のウェハーを収納するカートリッジやキャリアにも
より多くのウェハーを装填することが求められ、隣接す
るウェハー間の間隙も狭められる傾向にあり、必然的
に、その間隙部に挿通されるウェハーフォークもより薄
型化する要請が高まっている。しかしながら、薄型化に
伴ってその機械的強度も小さくなり、短期にたわみを生
じやすくなり、寿命が短縮される問題点がある。
【０００７】上記問題点を解決する手段として、純度９
９％以上のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）焼結体を研磨加工し
て形成したウェハーフォークも一部で使用されている。
このＡｌ2 Ｏ3 製ウェハーフォークは、図３および図４
に示すように周円段部３を設け、この周円段部３でウェ
ハー２を載置・保持している。しかしながら、このよう
に周円段部３でウェハー２を保持する構造では、ウェハ
ー２との接触面積が大きく、ウェハー２表面に不純物が
付着しやすい。またウェハーフォーク１の形状がウェハ
ー２といわゆるニアネットシェープになっているため、
特に硬質で脆弱な材料、例えばセラミックスでは研磨加
工が困難かつ高価なものとなり、さらなる改良が望まれ
ていた。
９％以上のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）焼結体を研磨加工し
て形成したウェハーフォークも一部で使用されている。
このＡｌ2 Ｏ3 製ウェハーフォークは、図３および図４
に示すように周円段部３を設け、この周円段部３でウェ
ハー２を載置・保持している。しかしながら、このよう
に周円段部３でウェハー２を保持する構造では、ウェハ
ー２との接触面積が大きく、ウェハー２表面に不純物が
付着しやすい。またウェハーフォーク１の形状がウェハ
ー２といわゆるニアネットシェープになっているため、
特に硬質で脆弱な材料、例えばセラミックスでは研磨加
工が困難かつ高価なものとなり、さらなる改良が望まれ
ていた。
【０００８】またＡｌ2 Ｏ3 製ウェハーフォークでは、
半導体製造工程の温度条件や雰囲気ガスによって、強度
特性や耐久性が大きく異なり、均質な信頼性が得られな
い欠点もある。一方、半導体基板の集積度も１Ｍビット
から４Ｍビットへと急増するに伴って、ウェハーに対す
る不純物の許容限度もより厳格化し、従来のＡｌ2 Ｏ3
製ウェハーフォークでは、対応不可能な状態になりつつ
ある。
半導体製造工程の温度条件や雰囲気ガスによって、強度
特性や耐久性が大きく異なり、均質な信頼性が得られな
い欠点もある。一方、半導体基板の集積度も１Ｍビット
から４Ｍビットへと急増するに伴って、ウェハーに対す
る不純物の許容限度もより厳格化し、従来のＡｌ2 Ｏ3
製ウェハーフォークでは、対応不可能な状態になりつつ
ある。
【０００９】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、不純物によるウェハーの汚染が少な
く、また高強度で高寸法精度を有するウェハーフォーク
を提供することを目的とする。
されたものであり、不純物によるウェハーの汚染が少な
く、また高強度で高寸法精度を有するウェハーフォーク
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願第１の発明に係るウェハーフォークは、ウェハ
ーを保持して順次搬送するウェハーフォークにおいて、
ウェハーを下方から接触載置する載置部と、ウェハーの
周辺部と接触してウェハーを所定位置に保持する保持部
を有し、かつ載置部および保持部がピンからなり、さら
に載置部および保持部の少なくともウェハーと接触する
部位が、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少
なくとも１種からなることを特徴とする。
め、本願第１の発明に係るウェハーフォークは、ウェハ
ーを保持して順次搬送するウェハーフォークにおいて、
ウェハーを下方から接触載置する載置部と、ウェハーの
周辺部と接触してウェハーを所定位置に保持する保持部
を有し、かつ載置部および保持部がピンからなり、さら
に載置部および保持部の少なくともウェハーと接触する
部位が、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少
なくとも１種からなることを特徴とする。
【００１１】ここで載置部および保持部がピンからなる
のは主としてウェハーとウェハーフォークの接触面積を
減らすためで、接触面積が減少することによりウェハー
への汚染は抑えられる。接触面積が２０〜１００ｍｍ2
であれば好ましく、特に４０〜７０ｍｍ2 であればより
好ましい。
のは主としてウェハーとウェハーフォークの接触面積を
減らすためで、接触面積が減少することによりウェハー
への汚染は抑えられる。接触面積が２０〜１００ｍｍ2
であれば好ましく、特に４０〜７０ｍｍ2 であればより
好ましい。
【００１２】また載置部および保持部の少なくともウェ
ハーと接触する部位を、Ｓｉ3 Ｎ4，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ，ＳｉＣの少なくとも１種としたのは、Ｓｉ3 Ｎ4 ，
Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣはいずれも他の材料、特に
セラミックスと比較して剛性、靭性などの強度値および
耐環境特性が高く、ウェハーフォークのように薄く形成
した場合においても、十分な耐久性を有するとともに、
耐熱衝撃性も優れているためである。
ハーと接触する部位を、Ｓｉ3 Ｎ4，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ，ＳｉＣの少なくとも１種としたのは、Ｓｉ3 Ｎ4 ，
Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣはいずれも他の材料、特に
セラミックスと比較して剛性、靭性などの強度値および
耐環境特性が高く、ウェハーフォークのように薄く形成
した場合においても、十分な耐久性を有するとともに、
耐熱衝撃性も優れているためである。
【００１３】また本願第２の発明に係るウェハーフォー
クは、ウェハーを保持して順次搬送するウェハーフォー
クにおいて、ウェハーと接触する部位の面積が２０〜１
００ｍｍ2 であることを特徴とする。
クは、ウェハーを保持して順次搬送するウェハーフォー
クにおいて、ウェハーと接触する部位の面積が２０〜１
００ｍｍ2 であることを特徴とする。
【００１４】ここでウェハーフォークのウェハーと接触
する部位の面積を２０〜１００ｍｍ2 としたのは、２０
ｍｍ2 未満の場合には、接触する面積が小さすぎてウェ
ハーを点で支えることになり、特に十分な強度を有して
いない材料によりウェハーフォークを製造した場合など
には一点に大きな力がかかりすぎて好ましくない。また
ウェハーの保持が不安定となりやすくなる。一方、１０
０ｍｍ2 を超える場合には、接触する面積が大きすぎて
ウェハーが汚染されやすく好ましくない。好ましい範囲
は４０〜７０ｍｍ2 である。この範囲ではウェハーも安
定して保持でき、またウェハーの汚染も多くはない。
する部位の面積を２０〜１００ｍｍ2 としたのは、２０
ｍｍ2 未満の場合には、接触する面積が小さすぎてウェ
ハーを点で支えることになり、特に十分な強度を有して
いない材料によりウェハーフォークを製造した場合など
には一点に大きな力がかかりすぎて好ましくない。また
ウェハーの保持が不安定となりやすくなる。一方、１０
０ｍｍ2 を超える場合には、接触する面積が大きすぎて
ウェハーが汚染されやすく好ましくない。好ましい範囲
は４０〜７０ｍｍ2 である。この範囲ではウェハーも安
定して保持でき、またウェハーの汚染も多くはない。
【００１５】さらに好ましい範囲は４５〜６０ｍｍ2 で
ある。この場合にはある程度の面積でウェハーを支える
ため、一点に大きな力がかかりすぎることもなく、また
ウェハーへの汚染もあまりない。
ある。この場合にはある程度の面積でウェハーを支える
ため、一点に大きな力がかかりすぎることもなく、また
ウェハーへの汚染もあまりない。
【００１６】また本願第２の発明においてはウェハーフ
ォークの材質は特に限定されないが、強度の優れた材質
よりなるものが好ましく、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ
−Ｎ，ＳｉＣなどの非酸化系セラミックスは好適であ
る。
ォークの材質は特に限定されないが、強度の優れた材質
よりなるものが好ましく、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ
−Ｎ，ＳｉＣなどの非酸化系セラミックスは好適であ
る。
【００１７】また接触面積が４０〜７０ｍｍ2 とする手
段としては、ウェハーフォークをピンで載置するのが好
ましい例であるが、特に限定されるものではない。従来
のように面状に形成した周円段部のウェハーと接触する
面積を極力小さくするなどしてなしても良い。
段としては、ウェハーフォークをピンで載置するのが好
ましい例であるが、特に限定されるものではない。従来
のように面状に形成した周円段部のウェハーと接触する
面積を極力小さくするなどしてなしても良い。
【００１８】またＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，Ｓ
ｉＣの少なくとも１種からなる焼結体で形成したウェハ
ーフォークは、そのままでも使用できるが、さらに焼結
体表面にフッ素樹脂コーティングなどの汚染防止層を形
成することにより、ウェハーの汚染をより効果的に防止
することができる。
ｉＣの少なくとも１種からなる焼結体で形成したウェハ
ーフォークは、そのままでも使用できるが、さらに焼結
体表面にフッ素樹脂コーティングなどの汚染防止層を形
成することにより、ウェハーの汚染をより効果的に防止
することができる。
【００１９】以下に製造方法の一例を述べる。この例で
は本願第１および第２の発明を同時に満たす、すなわち
材質はＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少く
とも１種、載置部と保持部をピンにより形成し、ウェハ
ーとウェハーフォークの接触面積を２０〜１００ｍｍ2
とする場合を説明する。
は本願第１および第２の発明を同時に満たす、すなわち
材質はＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少く
とも１種、載置部と保持部をピンにより形成し、ウェハ
ーとウェハーフォークの接触面積を２０〜１００ｍｍ2
とする場合を説明する。
【００２０】まず、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，
ＳｉＣの少くとも一種からなる粉末に対して、各種焼結
助剤を添加して均一に混合して原料混合体を調製し、こ
の原料混合体を金型プレス、冷間静水圧プレス（ＣＩ
Ｐ）などによって加圧成形し、均一な厚さを有する矩形
のセラミックス成形体が得られる。次に得られたセラミ
ックス成形体を機械加工により切断し、所定の輪郭を有
するウェハーフォーク成形体を形成する。この成形体を
焼結し、研削・研磨加工を施し、ウェハーフォーク本体
を製造する。一方、同様に製造されたピンをウェハーフ
ォークの所定の位置に取り付け載置部および保持部と
し、本願発明のウェハーフォークを製造する。
ＳｉＣの少くとも一種からなる粉末に対して、各種焼結
助剤を添加して均一に混合して原料混合体を調製し、こ
の原料混合体を金型プレス、冷間静水圧プレス（ＣＩ
Ｐ）などによって加圧成形し、均一な厚さを有する矩形
のセラミックス成形体が得られる。次に得られたセラミ
ックス成形体を機械加工により切断し、所定の輪郭を有
するウェハーフォーク成形体を形成する。この成形体を
焼結し、研削・研磨加工を施し、ウェハーフォーク本体
を製造する。一方、同様に製造されたピンをウェハーフ
ォークの所定の位置に取り付け載置部および保持部と
し、本願発明のウェハーフォークを製造する。
【００２１】
【作用】上記のような構成とした第１の発明のウェハー
フォークによれば、剛性や靭性値が高いＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少くとも一種で形成されて
いるため、耐久性、耐熱衝撃性に優れたウェハーフォー
クが得られる。またウェハーフォークのウェハーと接触
する部位（載置部および保持部）がピンでできているの
で、ウェハーの汚染を抑えられる。
フォークによれば、剛性や靭性値が高いＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少くとも一種で形成されて
いるため、耐久性、耐熱衝撃性に優れたウェハーフォー
クが得られる。またウェハーフォークのウェハーと接触
する部位（載置部および保持部）がピンでできているの
で、ウェハーの汚染を抑えられる。
【００２２】さらに第２の発明のウェハーフォークによ
れば、ウェハーとの接触面積が保持するには十分でウェ
ハーを汚染しない範囲としたので、半導体製造工程中に
ウェハーの汚染を抑えられる。
れば、ウェハーとの接触面積が保持するには十分でウェ
ハーを汚染しない範囲としたので、半導体製造工程中に
ウェハーの汚染を抑えられる。
【００２３】
【実施例】次に本発明を以下の実施例および図面を参照
してより具体的に説明する。 実施例１ Ｓｉ3 Ｎ4 粉末１００重量部に対してＡｌ2 Ｏ3 粉末を
４重量％と、ＡｌＮ粉末を３重量％と、Ｙ2 Ｏ3 粉末を
５重量％とを均一に添加した混合粉末を調合し、８００
ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でＣＩＰ成形し、得られた厚さ５ｍ
ｍのセラミックス成形体を機械加工により切断してウェ
ハーフォーク本体成形体を形成し、得られたウェハーフ
ォーク本体成形体を窒素ガス雰囲気中で温度７００℃で
３時間脱脂し、引き続き、窒素ガス雰囲気中にて温度１
７５０℃で６時間焼結してウェハーフォーク本体焼結体
７ａを製造した。
してより具体的に説明する。 実施例１ Ｓｉ3 Ｎ4 粉末１００重量部に対してＡｌ2 Ｏ3 粉末を
４重量％と、ＡｌＮ粉末を３重量％と、Ｙ2 Ｏ3 粉末を
５重量％とを均一に添加した混合粉末を調合し、８００
ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でＣＩＰ成形し、得られた厚さ５ｍ
ｍのセラミックス成形体を機械加工により切断してウェ
ハーフォーク本体成形体を形成し、得られたウェハーフ
ォーク本体成形体を窒素ガス雰囲気中で温度７００℃で
３時間脱脂し、引き続き、窒素ガス雰囲気中にて温度１
７５０℃で６時間焼結してウェハーフォーク本体焼結体
７ａを製造した。
【００２４】同様にして得られたピンを上述したウェハ
ーフォーク本体焼結体に取り付け載置部８および保持部
９とし、ウェハーフォーク７を製造した。このときのウ
ェハーフォーク７とウェハー２との接触面積は５０．２
４ｍｍ2 であった。 実施例２
ーフォーク本体焼結体に取り付け載置部８および保持部
９とし、ウェハーフォーク７を製造した。このときのウ
ェハーフォーク７とウェハー２との接触面積は５０．２
４ｍｍ2 であった。 実施例２
【００２５】純度９９．５％のＡｌ2 Ｏ3 粉末１００重
量部を８００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で金型プレス成形し、
得られた厚さ５ｍｍのセラミックス成形体を機械加工に
より切断してウェハーフォーク本体成形体を形成し、得
られたウェハーフォーク本体成形体を大気中で温度７０
０℃で１時間脱脂し、引き続き、大気中にて温度１７０
０℃で２時間焼結してウェハーフォーク本体焼結体７ａ
を調製した。
量部を８００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で金型プレス成形し、
得られた厚さ５ｍｍのセラミックス成形体を機械加工に
より切断してウェハーフォーク本体成形体を形成し、得
られたウェハーフォーク本体成形体を大気中で温度７０
０℃で１時間脱脂し、引き続き、大気中にて温度１７０
０℃で２時間焼結してウェハーフォーク本体焼結体７ａ
を調製した。
【００２６】同様にして得られたピンを上述したウェハ
ーフォーク本体焼結体７ａに取り付け載置部８および保
持部９とし、ウェハーフォーク７を製造した。このとき
のウェハーフォーク７とウェハー２との接触面積は５
０．２４ｍｍ2 であった。 比較例１
ーフォーク本体焼結体７ａに取り付け載置部８および保
持部９とし、ウェハーフォーク７を製造した。このとき
のウェハーフォーク７とウェハー２との接触面積は５
０．２４ｍｍ2 であった。 比較例１
【００２７】Ｓｉ3 Ｎ4 粉末１００重量部に対してＡｌ
2 Ｏ3 粉末を４重量％と、ＡｌＮ粉末を３重量％と、Ｙ
2 Ｏ3 粉末を５重量％とを均一に添加した混合粉末を調
合し、８００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で金型プレス成形し、
得られた厚さ５ｍｍのセラミックス成形体を機械加工に
より切断してフォーク本体成形体を形成し、得られたフ
ォーク本体成形体を窒素ガス雰囲気中で温度７００℃で
３時間脱脂し、引き続き、窒素ガス雰囲気中にて温度１
７５０℃で６時間焼結して一体型ウェハーフォーク焼結
体１ａを調製した。
2 Ｏ3 粉末を４重量％と、ＡｌＮ粉末を３重量％と、Ｙ
2 Ｏ3 粉末を５重量％とを均一に添加した混合粉末を調
合し、８００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で金型プレス成形し、
得られた厚さ５ｍｍのセラミックス成形体を機械加工に
より切断してフォーク本体成形体を形成し、得られたフ
ォーク本体成形体を窒素ガス雰囲気中で温度７００℃で
３時間脱脂し、引き続き、窒素ガス雰囲気中にて温度１
７５０℃で６時間焼結して一体型ウェハーフォーク焼結
体１ａを調製した。
【００２８】これに研削・研磨加工を施して周円段部３
および凹部４を形成し、従来のウェハーフォーク１を製
造した。このときのウェハーフォーク１とウェハー２と
の接触面積は６０２．５ｍｍ2 であった。 比較例２
および凹部４を形成し、従来のウェハーフォーク１を製
造した。このときのウェハーフォーク１とウェハー２と
の接触面積は６０２．５ｍｍ2 であった。 比較例２
【００２９】純度９９．５％のＡｌ2 Ｏ3 粉末１００重
量部を８００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で金型プレス成形し、
得られた厚さ５ｍｍのセラミックス成形体を機械加工に
より切断してウェハーフォーク本体成形体を形成し、得
られたウェハーフォーク本体成形体を大気中で温度７０
０℃で１時間脱脂し、引き続き、大気中にて温度１７０
０℃で２時間焼結してウェハーフォーク本体焼結体１ａ
を調製した。
量部を８００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で金型プレス成形し、
得られた厚さ５ｍｍのセラミックス成形体を機械加工に
より切断してウェハーフォーク本体成形体を形成し、得
られたウェハーフォーク本体成形体を大気中で温度７０
０℃で１時間脱脂し、引き続き、大気中にて温度１７０
０℃で２時間焼結してウェハーフォーク本体焼結体１ａ
を調製した。
【００３０】これに研削・研磨加工を施して周円段部３
および凹部４を形成し、従来のウェハーフォーク１を製
造した。このときのウェハーフォーク１とウェハー２と
の接触面積は６０２．５ｍｍ2 であった。
および凹部４を形成し、従来のウェハーフォーク１を製
造した。このときのウェハーフォーク１とウェハー２と
の接触面積は６０２．５ｍｍ2 であった。
【００３１】実施例１〜２および比較例１〜２に係る各
ウェハーフォークを各５つずつ製作し、通常の取り付け
方法でウェハー搬送装置で３ケ月間の連続運転に供し、
ウェハーのコンタミ不良比を測定した。この結果を下記
表１に示す。
ウェハーフォークを各５つずつ製作し、通常の取り付け
方法でウェハー搬送装置で３ケ月間の連続運転に供し、
ウェハーのコンタミ不良比を測定した。この結果を下記
表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１に示す結果から明らかなように実施例
１および実施例２に係るウェハーフォークによれば、従
来の研削・研磨加工を施して周円段部および凹部を形成
したウェハーフォークと比べて汚染が少なく、ウェハー
に鉄やアルカリなどの不純物が付着してウェハーを不良
とすることが低減できた。
１および実施例２に係るウェハーフォークによれば、従
来の研削・研磨加工を施して周円段部および凹部を形成
したウェハーフォークと比べて汚染が少なく、ウェハー
に鉄やアルカリなどの不純物が付着してウェハーを不良
とすることが低減できた。
【００３４】このように第１または第２の本発明に係る
ウェハーフォークを採用することにより、ウェハー搬送
の信頼性および半導体製造装置の稼動率が大幅に向上
し、半導体装置の生産性を大幅に向上させることができ
た。
ウェハーフォークを採用することにより、ウェハー搬送
の信頼性および半導体製造装置の稼動率が大幅に向上
し、半導体装置の生産性を大幅に向上させることができ
た。
【００３５】
【発明の効果】以上説明した通り、第１の本発明に係る
ウェハーフォークによれば、剛性や靭性値が高いＳｉ3
Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少くとも一種のピ
ンで形成されているため、耐久性、耐熱衝撃性に優れ、
かつウェハーの接触による不純物汚染も大幅に低減され
る。また第２の本発明に係るウェハーフォークによれ
ば、ウェハーとの接触面積が小さいのでウェハーを汚染
することがあまりなくなる。
ウェハーフォークによれば、剛性や靭性値が高いＳｉ3
Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少くとも一種のピ
ンで形成されているため、耐久性、耐熱衝撃性に優れ、
かつウェハーの接触による不純物汚染も大幅に低減され
る。また第２の本発明に係るウェハーフォークによれ
ば、ウェハーとの接触面積が小さいのでウェハーを汚染
することがあまりなくなる。
【００３６】したがって第１および第２の本発明に係る
ウェハーフォークはウェハー搬送の信頼性および半導体
製造装置の稼働率が向上し、半導体装置の生産性を大幅
に向上できる。
ウェハーフォークはウェハー搬送の信頼性および半導体
製造装置の稼働率が向上し、半導体装置の生産性を大幅
に向上できる。
【図１】第１の本発明のウェハーフォークの平面図。
【図２】図１におけるII−II矢視断面図。
【図３】従来のウェハーフォークの構造例を示す平面
図。
図。
【図４】図３におけるIV−IV矢視断面図。
【符号の説明】 １，１ａ 従来のウェハーフォーク ２ ウェハー ３ 周円段部 ４ 凹部 ５ ロボットアーム ６ 締着ねじ ７ 本発明のウェハーフォーク ７ａ 本発明のウェハーフォーク本体 ８ ピン（載置部） ９ ピン（保持部）整理番号 ９ＧＡ９２８００
１１
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Claims (2)
- 【請求項１】 ウェハーを保持して順次搬送するウェハ
ーフォークにおいて、ウェハーを下方から接触載置する
載置部と、ウェハーの周辺部と接触してウェハーを所定
位置に保持する保持部を有し、かつ載置部および保持部
がピンからなり、さらに載置部および保持部の少なくと
もウェハーと接触する部位が、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ−Ａｌ
−Ｏ−Ｎ，ＳｉＣの少なくとも１種からなることを特徴
とするウェハーフォーク。 - 【請求項２】 ウェハーを保持して順次搬送するウェハ
ーフォークにおいて、ウェハーと接触する部位の面積が
２０〜１００ｍｍ2 であることを特徴とするウェハーフ
ォーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2090593A JPH06236913A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | ウェハーフォーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2090593A JPH06236913A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | ウェハーフォーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236913A true JPH06236913A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12040251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2090593A Pending JPH06236913A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | ウェハーフォーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236913A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614190B2 (en) | 2001-01-31 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Ion implanter |
| EP1498934A3 (en) * | 1996-02-28 | 2005-12-21 | Ebara Corporation | Robotic wafer transport apparatus |
| JP2011026111A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 位置ずれ防止装置、これを備えた基板保持具、基板搬送装置および基板搬送方法 |
| US20110146578A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Hitachi-Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| US9012030B2 (en) | 2002-01-08 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component having yttrium—aluminum coating |
| TWI825613B (zh) * | 2022-03-08 | 2023-12-11 | 權亞石材股份有限公司 | 花崗岩牙叉 |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP2090593A patent/JPH06236913A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1498934A3 (en) * | 1996-02-28 | 2005-12-21 | Ebara Corporation | Robotic wafer transport apparatus |
| US6614190B2 (en) | 2001-01-31 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Ion implanter |
| US9012030B2 (en) | 2002-01-08 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component having yttrium—aluminum coating |
| JP2011026111A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 位置ずれ防止装置、これを備えた基板保持具、基板搬送装置および基板搬送方法 |
| TWI555681B (zh) * | 2009-07-03 | 2016-11-01 | Tokyo Electron Ltd | A position shift preventing device, a substrate holder including the same, a substrate handling device, and a substrate handling method |
| US20110146578A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Hitachi-Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| TWI825613B (zh) * | 2022-03-08 | 2023-12-11 | 權亞石材股份有限公司 | 花崗岩牙叉 |
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