JPH06236873A - Insulating film forming method and semiconductor element - Google Patents
Insulating film forming method and semiconductor elementInfo
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- JPH06236873A JPH06236873A JP4330893A JP4330893A JPH06236873A JP H06236873 A JPH06236873 A JP H06236873A JP 4330893 A JP4330893 A JP 4330893A JP 4330893 A JP4330893 A JP 4330893A JP H06236873 A JPH06236873 A JP H06236873A
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子等の絶縁膜
に係わり、ＳｉＯ2-X（０≦Ｘ＜１）からなる良好な絶
縁膜を低温かつ低真空度の条件で安価に形成する方法、
及びＳｉＯ2-Xからなる良好な絶縁膜を有する半導体素
子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insulating film of a semiconductor element or the like and forms a good insulating film of SiO 2 -X (0 ≦ X <1) at a low temperature and a low vacuum degree at a low cost. Method,
And a semiconductor element having a good insulating film made of SiO 2− X.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体素子等におけるＳｉＯ
2-X（０≦Ｘ＜１）からなる絶縁膜は、下記（ａ）〜
（ｃ）の方法により形成されている。 （ａ）シランガス等を用いたＣＶＤ（chemical vapour
deposition）法 Ｓｉのハロゲン化物，硫化物あるいは水素化物（例えば
モノシランガス（ＳｉＨ4）等）を高温（７００℃以
上）中で熱分解，酸化，還元あるいは重合反応させるこ
とによりＳｉＯ2を生成し基板上に沈着させる方法。 （ｂ）ＳｉＯ2のＥＢ（electron beam）加熱による真空
蒸着 高真空（１０-6Torr以下）中で石英（ＳｉＯ2）を電子
ビームにより加熱して蒸発させ基板上に蒸着させる方
法。 （ｃ）シリコンの熱酸化膜法 酸素雰囲気中でシリコン基板の表面を加熱し（１０００
℃以上）酸化させることにより、シリコン基板表面にＳ
ｉＯ2層を形成する方法。2. Description of the Related Art Generally, SiO in a semiconductor device or the like.
The insulating film made of 2-X (0 ≦ X <1) has the following (a) to
It is formed by the method of (c). (A) CVD (chemical vapor) using silane gas, etc.
deposition method Si halides, sulfides or hydrides of Si (eg monosilane gas (SiH 4 ) etc.) are thermally decomposed, oxidized, reduced or polymerized at high temperature (700 ° C. or higher) to produce SiO 2 on the substrate. How to deposit on. (B) Vacuum deposition of SiO 2 by EB (electron beam) heating A method of evaporating quartz (SiO 2 ) by heating it with an electron beam in a high vacuum (10 −6 Torr or less) to deposit it on a substrate. (C) Thermal Oxidation Film Method of Silicon The surface of the silicon substrate is heated in an oxygen atmosphere (1000
By oxidizing it, S
A method of forming an iO 2 layer.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記形成方
法（ａ），（ｃ）にあっては、高温プロセスであるた
め、熱による悪影響で成膜性（膜面の稠密性，平坦性）
を高く確保するのが困難であり、半導体素子等の製品の
歩留り向上に限界があるとともに、加熱手段が大掛かり
となるために成膜装置が高価なものとなるという改善す
べき問題点を有していた。一方、形成方法（ｂ）にあっ
ては、物理的蒸着であるため、やはり成膜性や膜の接着
性（剥離に対する強さ）を高く確保するのが困難であっ
た。また、高真空雰囲気を作り出す必要があるため、イ
ンデックスタイム（処理圧力等を設定するまでに要する
時間）が長く生産性が劣るとともに、排気系が大掛かり
なものとなって成膜装置が高価になるという問題点があ
った。By the way, since the above-mentioned forming methods (a) and (c) are high-temperature processes, film forming properties (denseness and flatness of the film surface) are adversely affected by heat.
It is difficult to secure a high temperature, there is a limit to the improvement of the yield of products such as semiconductor elements, and there is a problem to be improved that the film forming apparatus becomes expensive due to the large heating means. Was there. On the other hand, in the forming method (b), since it is physical vapor deposition, it is still difficult to secure high film-forming properties and film adhesiveness (strength against peeling). Further, since it is necessary to create a high vacuum atmosphere, the index time (the time required to set the processing pressure and the like) is long and the productivity is poor, and the exhaust system becomes large and the film forming apparatus becomes expensive. There was a problem.
【０００４】そこで本発明は、ＳｉＯ2-X（０≦Ｘ＜
１）からなる良好な絶縁膜を低温かつ低真空度の条件で
安価に形成する方法、及びＳｉＯ2-Xからなる良好な絶
縁膜を有する半導体素子を提供することを目的としてい
る。Therefore, according to the present invention, SiO 2 -X (0 ≦ X <
It is an object of the present invention to provide a method for inexpensively forming a good insulating film composed of 1) under low temperature and low vacuum conditions, and to provide a semiconductor element having a good insulating film composed of SiO 2 -X .
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明による絶縁膜形成方法は、Ｓｉ
Ｏ2-X（０≦Ｘ＜１）からなる絶縁膜を基板上に形成す
る絶縁膜形成方法であって、ＳｉＯの個体又は粉末を加
熱蒸発させ、蒸発したＳｉＯを気相中又は基板上で酸素
と反応させて前記ＳｉＯ2-Xを生成し、このＳｉＯ2-Xを
基板上に付着させて前記絶縁膜を形成するようにしたこ
とを特徴とする。In order to achieve the above object, the method for forming an insulating film according to the first aspect of the present invention uses Si
A method for forming an insulating film made of O 2−x (0 ≦ X <1) on a substrate, wherein a solid substance or powder of SiO is heated and evaporated, and the evaporated SiO is in a gas phase or on the substrate. It is characterized in that it reacts with oxygen to generate the SiO 2−x , and the SiO 2−x is adhered onto a substrate to form the insulating film.
【０００６】請求項２記載の発明による半導体素子は、
ＳｉＯ2-X（０≦Ｘ＜１）からなる絶縁膜を基板上に有
する半導体素子であって、前記絶縁膜は、ＳｉＯの個体
又は粉末を加熱蒸発させ、蒸発したＳｉＯを気相中又は
基板上で酸素と反応させて前記ＳｉＯ2-Xを生成し、こ
のＳｉＯ2-Xを基板上に付着させることにより形成され
ていることを特徴とする。The semiconductor device according to the second aspect of the invention is
A semiconductor device having an insulating film made of SiO 2 -X (0 ≦ X <1) on a substrate, wherein the insulating film heat-evaporates solid SiO powder or powder, and vaporizes the evaporated SiO in a gas phase or on a substrate. It is characterized in that it is formed by reacting with oxygen above to generate the above - mentioned SiO 2 -X , and adhering this SiO 2 -X onto the substrate.
【０００７】請求項３記載の発明による絶縁膜形成方法
は、前記絶縁膜の形成を酸素雰囲気中で行ない、該雰囲
気の真空度は１０-5〜１０-2Torrの範囲内であることを
特徴とする。In the method for forming an insulating film according to the third aspect of the present invention, the insulating film is formed in an oxygen atmosphere, and the degree of vacuum of the atmosphere is in the range of 10 -5 to 10 -2 Torr. And
【０００８】請求項４記載の発明による半導体素子は、
前記絶縁膜の形成が酸素雰囲気中で行なわれ、該雰囲気
の真空度は１０-5〜１０-2Torrの範囲内であることを特
徴とする請求項２記載の半導体。A semiconductor device according to a fourth aspect of the invention is
3. The semiconductor according to claim 2, wherein the insulating film is formed in an oxygen atmosphere, and the degree of vacuum of the atmosphere is in the range of 10 −5 to 10 −2 Torr.
【０００９】[0009]
【作用】本発明では、ＳｉＯの個体又は粉末を加熱蒸発
させ、蒸発したＳｉＯを気相中又は基板上で酸素と反応
させて前記ＳｉＯ2-Xを生成し、このＳｉＯ2-Xを基板上
に付着させるという化学的蒸着により、ＳｉＯ2-X（０
≦Ｘ＜１）からなる絶縁膜を形成している。また、この
ＳｉＯ2-Xが生成され付着する現象は、常温又は低温
（１００℃〜２００℃）中であって、しかも中，低真空
（１０-5Torr以上）中において生じる。このため、接着
性や成膜性の良い絶縁膜となり、高熱による悪影響が無
くなって、インデックスタイムも短縮されるとともに、
成膜装置における加熱手段や排気系が比較的簡単な構成
で済むようになる。According to the present invention, vaporized by heating the SiO individual or powder, vaporized SiO is reacted with oxygen in the vapor phase or substrate to generate the SiO 2-X, a substrate the SiO 2-X The chemical vapor deposition of SiO 2 -X (0
An insulating film of ≦ X <1) is formed. Further, the phenomenon that the SiO 2−X is generated and adheres occurs at room temperature or low temperature (100 ° C. to 200 ° C.), and also in medium and low vacuum (10 −5 Torr or more). Therefore, the insulating film has good adhesiveness and film-forming property, the adverse effect of high heat is eliminated, and the index time is shortened.
The heating means and the exhaust system in the film forming apparatus can have a relatively simple structure.
【００１０】さらに、上記絶縁膜の形成を酸素雰囲気中
であって、１０-5〜１０-2Torrの圧力条件で行なった場
合には、不純物混入の可能性が極めて少なくなってさら
に膜質が良くなるとともに、反応のための酸素が十分供
給されてＳｉＯ2に近い成分よりなる絶縁性能の良好な
絶縁膜が得られる。Furthermore, when the insulating film is formed in an oxygen atmosphere under a pressure condition of 10 -5 to 10 -2 Torr, the possibility of impurities being mixed in is extremely reduced and the film quality is further improved. At the same time, sufficient oxygen for reaction is supplied, and an insulating film having a good insulating performance and composed of a component close to SiO 2 can be obtained.
【００１１】そして、このような方法により形成された
良好な絶縁膜を有する半導体素子では、絶縁膜に関する
不良が減って歩留りが向上しコストが低減されるととも
に、製品の品質が向上する。In the semiconductor element having a good insulating film formed by such a method, defects relating to the insulating film are reduced, yield is improved, cost is reduced, and product quality is improved.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明に係る絶縁膜形成方法の一実施
例について説明する。図１は本実施例の絶縁膜形成方法
を実施するための成膜装置の側断面図である。この成膜
装置は、上部中央に基板１が回転可能に支持されるベル
ジャ２と、このベルジャ２の外側上方に配置され基板１
を駆動するモータ３と、ベルジャ２内の低部であって基
板１が支持される位置の真下よりも横方向に離れた位置
に配設されたタンタルボート４と、ベルジャ２内の上方
側部に配設された水晶膜圧計５と、図示省略した排気手
段，加熱手段及び酸素供給手段とを備える。EXAMPLE An example of an insulating film forming method according to the present invention will be described below. FIG. 1 is a side sectional view of a film forming apparatus for carrying out the insulating film forming method of this embodiment. This film forming apparatus includes a bell jar 2 on which a substrate 1 is rotatably supported at the center of an upper part thereof, and a substrate 1 which is arranged above and outside the bell jar 2.
A motor 3 for driving the tantalum boat 4, a lower part of the bell jar 2 disposed laterally away from a position below the position where the substrate 1 is supported, and an upper side part of the bell jar 2 And a quartz film pressure gauge 5 disposed in the above, and an exhaust means, a heating means, and an oxygen supply means (not shown).
【００１３】ベルジャ２は、例えばガラス又はステンレ
ススチール等の材料により構成された真空用密閉容器
で、底面に形成された排気口２ａにおいて排気手段に接
続され、内部の圧力（真空度）が設定されるようになっ
ている。また、図示省略した反応ガス供給口が酸素供給
手段に接続されて、内部に酸素が供給される構成となっ
ている。なお、基板１を駆動するためのモータ３の出力
軸はこのベルジャ２の上部を貫通しているが、この貫通
部は真空用の軸封部品によりシールされていることはい
うまでもない。The bell jar 2 is a vacuum closed container made of a material such as glass or stainless steel. The bell jar 2 is connected to an exhaust means at an exhaust port 2a formed on the bottom surface to set the internal pressure (degree of vacuum). It has become so. Further, a reaction gas supply port (not shown) is connected to the oxygen supply means so that oxygen is supplied to the inside. Although the output shaft of the motor 3 for driving the substrate 1 penetrates the upper portion of the bell jar 2, it goes without saying that this penetrating portion is sealed by a shaft sealing component for vacuum.
【００１４】タンタルボート４は、Ｔａ金属よりなり、
全体としてボート状の形状とされた蒸発皿である。この
タンタルボート４は、図３に示すように、皿４ａ，中蓋
４ｂ，上蓋４ｃとから構成され、皿４ａ内に蒸発源（Ｓ
ｉＯ）が充填され、中蓋４ｂ，上蓋４ｃに形成された穴
から蒸気が基板１や水晶膜厚計５に向って飛出すように
なっている。The tantalum boat 4 is made of Ta metal,
It is an evaporation dish having a boat shape as a whole. As shown in FIG. 3, the tantalum boat 4 is composed of a dish 4a, an inner lid 4b, and an upper lid 4c, and the evaporation source (S
iO) is filled, and vapor is ejected toward the substrate 1 and the crystal film thickness meter 5 from the holes formed in the inner lid 4b and the upper lid 4c.
【００１５】排気手段としては、処理圧力が１０-3〜１
０-2Torr程度であれば、例えば油回転ポンプとメカニカ
ルブースターを二段に組合せた簡単な構成のものでよ
く、また、処理圧力を高く設定する場合でも最高１０-5
Torrであるので、真空側に例えば小型のターボ分子ポン
プ等を設けた構成でよい。As the exhaust means, the processing pressure is 10 -3 to 1
If it is about 0 -2 Torr, for example, a simple structure in which an oil rotary pump and a mechanical booster are combined in two stages may be used, and even if the processing pressure is set to a high level, a maximum of 10-5
Since it is Torr, for example, a small turbo molecular pump or the like may be provided on the vacuum side.
【００１６】加熱手段は、この場合、タンタルボート４
に電流を流すことによりタンタルボート４から発熱させ
て直接加熱するいわゆる抵抗加熱方式によるものであ
る。なお、加熱手段としては、レーザ加熱方式又は誘導
加熱方式等によるものを採用することもできる。また、
酸素供給手段は、例えば酸素ボンベである。In this case, the heating means is the tantalum boat 4
This is based on a so-called resistance heating method in which the tantalum boat 4 is caused to generate heat and is directly heated by passing a current therethrough. As the heating means, a laser heating method, an induction heating method, or the like can be adopted. Also,
The oxygen supply means is, for example, an oxygen cylinder.
【００１７】次に、上記成膜装置により実施するＳｉＯ
2-X（０≦Ｘ＜１）よりなる絶縁膜の形成方法を説明す
る。まず、図２に示すように、タンタルボート４内にＳ
ｉＯの顆粒（粒の大きさが１００mesh以下のもの）を充
填した後、ベルジャ２内を排気するとともに酸素を供給
して、圧力が１０-5〜１０-2Torrの酸素でベルジャ２内
が満たされた状態を維持する。ついで、基板１を５〜１
０rpmで回転させつつ、タンタルボート４を発熱させ
て、タンタルボート４内のＳｉＯを沸点（１８８０°
Ｃ）以上に加熱する。Next, SiO carried out by the above film forming apparatus
A method of forming an insulating film made of 2-X (0 ≦ X <1) will be described. First, as shown in FIG. 2, S is placed in the tantalum boat 4.
After filling the granules of iO (the particle size is 100 mesh or less), the bell jar 2 is exhausted and oxygen is supplied, and the bell jar 2 is filled with oxygen at a pressure of 10 −5 to 10 −2 Torr. Maintained state. Then, the substrate 1 is 5 to 1
While rotating at 0 rpm, the tantalum boat 4 is caused to generate heat so that SiO in the tantalum boat 4 has a boiling point (1880 °).
C) Heat above.
【００１８】すると、タンタルボート４内のＳｉＯが蒸
気となって飛出し、気相中において又は基板１表面上に
おいて酸素と反応しＳｉＯ2-Xが生成され、このＳｉＯ
2-Xが基板１の表面に平坦に付着して、ＳｉＯ2-Xからな
る絶縁膜が形成される。Then, the SiO in the tantalum boat 4 becomes vapor and flies out and reacts with oxygen in the gas phase or on the surface of the substrate 1 to form SiO 2−X.
2-X adheres evenly to the surface of the substrate 1 to form an insulating film made of SiO 2-X .
【００１９】なお、形成する絶縁膜の酸素分子量（Ｘの
値）は、圧力や温度あるいは酸素の供給流量等の条件を
前記範囲で具体的に設定することにより調整することが
できる。例えば、Ｘの値が略０に等しい絶縁膜（ＳｉＯ
2）を形成しようとする場合には、圧力を５×１０-4Tor
r程度とし、水晶膜厚計５で計測される膜形成速度が
０．３ｎｍ／ｓ以下となるように温度条件等を設定すれ
ばよい。（この条件で形成された絶縁膜の屈折率は１．
４６〜１．４７で、ＳｉＯ2の屈折率と同じであること
が確かめられている。）また、圧力を１０-5Torr以上と
すると、黒褐色のＳｉＯ2-X（Ｘが略１に等しいもの）
の絶縁膜が得られる。The oxygen molecular weight (value of X) of the insulating film to be formed can be adjusted by concretely setting the conditions such as pressure, temperature or oxygen supply flow rate within the above range. For example, the insulating film (SiO
2 ) the pressure is 5 × 10 −4 Tor.
The temperature condition and the like may be set so that the film forming rate measured by the crystal film thickness meter 5 is 0.3 nm / s or less. (The refractive index of the insulating film formed under these conditions is 1.
From 46 to 1.47, it is confirmed that the refractive index is the same as that of SiO 2 . ) Moreover, when the pressure is set to 10 -5 Torr or more, a blackish brown SiO 2 -X (X is approximately equal to 1)
The insulating film of is obtained.
【００２０】このように上記実施例の絶縁膜形成方法で
は、不純物混入の可能性が少ない酸素雰囲気中で化学的
にＳｉＯ2-Xが蒸着されて絶縁膜が形成され、また、前
記ＳｉＯ2-Xが生成され付着する現象は、常温又は低温
（１００℃〜２００℃）中であって、しかも中，低真空
（１０-5Torr以上）中で行なわれる。このため、形成さ
れた絶縁膜は接着性や成膜性の良いものとなり、しかも
高熱による悪影響が無くなって製品の歩留りが向上し、
インデックスタイムの短縮により生産性が向上するとと
もに、加熱手段や排気手段が比較的簡単な構成で済むよ
うになって成膜装置のコストも低減される。[0020] Thus, in the insulating film formation method of the above embodiment, chemically SiO 2-X is deposited insulating film in an oxygen atmosphere is less likely adulteration is formed, also the SiO 2- The phenomenon in which X is generated and adheres is performed at room temperature or low temperature (100 ° C. to 200 ° C.), and also in medium or low vacuum (10 −5 Torr or more). Therefore, the formed insulating film has good adhesiveness and film-forming property, and further, the adverse effect of high heat is eliminated and the yield of products is improved,
Productivity is improved by shortening the index time, and the cost of the film forming apparatus is reduced because the heating means and the exhaust means can be relatively simple in structure.
【００２１】次に、図４〜６により、上記絶縁膜形成方
法を利用して製造されたＥＣＤ１０（表示素子）につい
て説明する。ＥＣＤとは、エレクトロクロミック表示素
子のことで、電気的に酸化還元反応を繰返させ、この反
応に伴い色が可逆的に変化する現象を利用した表示素子
のことである。Next, an ECD 10 (display element) manufactured by using the above insulating film forming method will be described with reference to FIGS. The ECD is an electrochromic display element, and is a display element that utilizes a phenomenon in which a redox reaction is electrically repeated and a color reversibly changes with this reaction.
【００２２】ＥＣＤ１０は、図５に示すように、片面に
ＩＴＯ電極層１１とＳｉＯ2よりなる絶縁膜１２が積層
されたガラス基板１３，１３を、枠状のスペーサ１４を
介して張合わせ、スペーサ１４で囲まれる内部空間にＥ
Ｃ溶液１５を充填してなるものである。そして、絶縁膜
１２が部分的に形成されることにより、例えば図４に示
すような市松模様の表示部１６が形成されたものであ
る。As shown in FIG. 5, the ECD 10 includes glass substrates 13 and 13 each having an ITO electrode layer 11 and an insulating film 12 made of SiO 2 laminated on one surface thereof, which are attached to each other via a frame-shaped spacer 14 to form a spacer. E in the inner space surrounded by 14
The C solution 15 is filled. Then, the insulating film 12 is partially formed to form a checkered display portion 16 as shown in FIG. 4, for example.
【００２３】なお、ＥＣ溶液とは、エレクトロクロミッ
ク溶液のことで、具体的には、例えばビオロゲン水溶液
系のものであれば、ヘプチルビオロゲン０．０２Ｍ、フ
ェロシアン化カリウム０．０２Ｍ、次亜リン酸ナトリウ
ム１．０Ｍ、臭化カリウム１．０Ｍ（ここに、Ｍは重量
モル濃度を表す）の水溶液である。この場合は、対抗電
極１１，１１に通電すると、マイナス極に赤紫色の結晶
が析出する。そして、印加の極性を変えると析出した結
晶はふたたび無色の溶液に戻り、マイナス極になった反
対側に赤紫色の結晶が析出することになる。The EC solution is an electrochromic solution. Specifically, for example, in the case of viologen aqueous solution system, heptyl viologen 0.02M, potassium ferrocyanide 0.02M, sodium hypophosphite 1 It is an aqueous solution of 0.0 M and 1.0 M potassium bromide (where M represents a molar concentration). In this case, when the counter electrodes 11, 11 are energized, red-purple crystals are deposited on the negative electrode. Then, when the polarity of the applied voltage is changed, the precipitated crystals return to a colorless solution again, and red-purple crystals are precipitated on the opposite side of the negative electrode.
【００２４】そして、このＥＣＤ１０における絶縁膜１
２は、以下のようにして形成されている。すなわち、図
６（ａ）に示すように、まずＩＴＯ電極層１１が一表面
に予め形成されたガラス基板１３を用意し、この表面に
ポジ型のフォトレジスト２１を回転塗布等により塗布す
る（図６（ｂ））。ついで、絶縁膜１２を形成しようと
する部分以外にマスク２２をして紫外線を照射し（図６
（ｃ））、現像処理して紫外線が照射された部分を除去
する（図７（ｄ））。そして、前述した図１に示す成膜
装置を使用した絶縁膜形成方法により、全面にＳｉＯ2
よりなる絶縁膜１２を形成し（図７（ｅ））、その後、
図７（ｆ）に示すようにレジスト部分を除去するのであ
る。Then, the insulating film 1 in this ECD 10
2 is formed as follows. That is, as shown in FIG. 6A, first, a glass substrate 13 having an ITO electrode layer 11 formed on one surface in advance is prepared, and a positive photoresist 21 is applied to this surface by spin coating or the like (FIG. 6 (b)). Then, a mask 22 is applied to a portion other than the portion where the insulating film 12 is to be formed, and ultraviolet rays are irradiated (see FIG.
(C)), development processing is performed to remove the portion irradiated with ultraviolet rays (FIG. 7D). Then, the SiO 2 film is formed on the entire surface by the insulating film forming method using the film forming apparatus shown in FIG.
Is formed (FIG. 7E), and thereafter,
The resist portion is removed as shown in FIG.
【００２５】上記ＥＣＤ１０では、絶縁膜１２の形成
を、前述した方法、すなわち低温でかつ低真空度の酸素
雰囲気中における化学的蒸着による方法により行なって
いる。このため、絶縁膜１２の形成工程において例えば
ガラス基板等に熱変形が生じる等により製品に欠陥が生
じる可能性や、絶縁膜自体が品質不良となる可能性が少
なくなり、良質な製品を歩留り良く生産することができ
る。また、絶縁膜１２の形成工程に要する時間が短縮さ
れるとともに、成膜装置が安価になるので、生産性が向
上しコスト低減を図ることができる。In the ECD 10, the insulating film 12 is formed by the above-mentioned method, that is, the method of chemical vapor deposition in an oxygen atmosphere at a low temperature and a low degree of vacuum. Therefore, in the process of forming the insulating film 12, there is less possibility that the product will be defective due to thermal deformation of the glass substrate or the like, and the possibility that the insulating film itself will be of poor quality. Can be produced. Further, since the time required for the step of forming the insulating film 12 is shortened and the film forming apparatus becomes inexpensive, the productivity can be improved and the cost can be reduced.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低温かつ低真空度の条件で化学的蒸着により絶縁膜が形
成できる。このため、接着性や成膜性の良い絶縁膜とな
り、かつ高熱による悪影響が無くなって、良質な絶縁膜
を有する良質な製品を歩留りよく生産できるようにな
る。また、絶縁膜形成工程におけるインデックスタイム
も短縮されるとともに、成膜装置における加熱手段や排
気手段が比較的簡単な構成で済むようになるので、生産
コストを低減させることができる。As described above, according to the present invention,
An insulating film can be formed by chemical vapor deposition under conditions of low temperature and low vacuum. For this reason, the insulating film has good adhesiveness and film-forming property, and the adverse effect of high heat is eliminated, so that a high-quality product having a high-quality insulating film can be produced with high yield. In addition, the index time in the insulating film forming process is shortened, and the heating means and the exhaust means in the film forming apparatus can have a relatively simple structure, so that the production cost can be reduced.
【図１】本発明に係る絶縁膜形成方法を実施するための
成膜装置の一例を示す側断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing an example of a film forming apparatus for carrying out an insulating film forming method according to the present invention.
【図２】本発明に係る絶縁膜形成方法の一例を示す概念
図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing an example of an insulating film forming method according to the present invention.
【図３】本発明に係る絶縁膜形成方法を実施するための
成膜装置の一例における蒸発皿を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an evaporation dish in an example of a film forming apparatus for carrying out an insulating film forming method according to the present invention.
【図４】本発明に係る表示素子の一例におけるガラス基
板を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a glass substrate in an example of the display element according to the present invention.
【図５】本発明に係る表示素子の一例の側断面図であ
る。FIG. 5 is a side sectional view of an example of a display element according to the present invention.
【図６】本発明に係る表示素子の一例の製造工程を示す
図である。FIG. 6 is a diagram showing a manufacturing process of an example of the display element according to the present invention.
【図７】本発明に係る表示素子の一例の製造工程を示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of an example of the display element according to the present invention.
１，１３ 基板 １０ 表示素子（エレクトロクロミック表示素子） １２ 絶縁膜（ＳｉＯ2）1, 13 Substrate 10 Display element (electrochromic display element) 12 Insulating film (SiO 2 )
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年４月２７日[Submission date] April 27, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図３[Name of item to be corrected] Figure 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図３】 [Figure 3]
Claims (4)
膜を基板上に形成する絶縁膜形成方法であって、 ＳｉＯの個体又は粉末を加熱蒸発させ、蒸発したＳｉＯ
を気相中又は基板上で酸素と反応させて前記ＳｉＯ2-X
を生成し、このＳｉＯ2-Xを基板上に付着させて前記絶
縁膜を形成するようにしたことを特徴とする絶縁膜形成
方法。1. A method for forming an insulating film comprising a SiO 2 -X (0 ≦ X <1) formed on a substrate, wherein a solid substance or powder of SiO is vaporized by heating and vaporized SiO.
It is reacted with oxygen in the gas phase or on the substrate wherein SiO 2-X
And forming the insulating film by depositing the SiO 2 -X on a substrate.
膜を基板上に有する半導体素子であって、 前記絶縁膜は、ＳｉＯの個体又は粉末を加熱蒸発させ、
蒸発したＳｉＯを気相中又は基板上で酸素と反応させて
前記ＳｉＯ2-Xを生成し、このＳｉＯ2-Xを基板上に付着
させることにより形成されていることを特徴とする半導
体素子。 2. A semiconductor element having an insulating film made of SiO 2 -X (0 ≦ X <1) on a substrate, wherein the insulating film heats and vaporizes solid SiO or powder,
Semiconductor elements vaporized SiO is reacted with oxygen in or on a substrate vapor phase to generate the SiO 2-X, characterized in that it is formed by depositing the SiO 2-X on the substrate.
い、該雰囲気の真空度は１０-5〜１０-2Torrの範囲内で
あることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜形成方法。3. The insulating film forming method according to claim 1, wherein the insulating film is formed in an oxygen atmosphere, and the degree of vacuum of the atmosphere is in the range of 10 −5 to 10 −2 Torr. .
われ、該雰囲気の真空度は１０-5〜１０-2Torrの範囲内
であることを特徴とする請求項２記載の半導体素子。4. The semiconductor device according to claim 2, wherein the insulating film is formed in an oxygen atmosphere, and the degree of vacuum of the atmosphere is in the range of 10 −5 to 10 −2 Torr.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4330893A JPH06236873A (en) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | Insulating film forming method and semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4330893A JPH06236873A (en) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | Insulating film forming method and semiconductor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236873A true JPH06236873A (en) | 1994-08-23 |
Family
ID=12660175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4330893A Pending JPH06236873A (en) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | Insulating film forming method and semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236873A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423373B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-07-23 | Hyoun Ee Kim | Surface treated aluminum nitride and fabricating method thereof |
| JP2012054586A (en) * | 2000-05-08 | 2012-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | METHOD OF PRODUCING LOW DIELECTRIC CONSTANT SiOx FILM |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP4330893A patent/JPH06236873A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423373B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-07-23 | Hyoun Ee Kim | Surface treated aluminum nitride and fabricating method thereof |
| JP2012054586A (en) * | 2000-05-08 | 2012-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | METHOD OF PRODUCING LOW DIELECTRIC CONSTANT SiOx FILM |
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