JPH06236800A - マイクロ波プラズマ発生器 - Google Patents
マイクロ波プラズマ発生器Info
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Abstract
プラズマ発生器を提供する。 【構成】 一対の相対する電界強化電極をチャンバ内に
持ち、その一方の電極は軸状の穴を持ち、電極間の領域
でプラズマ状態に活性化されるガスをこの穴を通じてチ
ャンバから抽出することができる。
Description
ラズマの発生に関する。
ます重要となってきているが、これらを採用する場合に
は、プラズマを発生するために比較的高い電力を入力す
ることが必要なこと、また、生成された活性ガスが高温
であることといった制限を受ける。現存のマイクロ波プ
ラズマ発生器は、マイクロ波放射を一様にチャンバ中に
導くものであり、このチャンバを通じてプラズマ状態に
励起されるプロセスガスに流れが引き起こされる。この
ため、高い電力入力が使用されなければ、エネルギー密
度は低く、この結果、電気効率も低くなってしまう。本
発明の目的は今までよりもより効率的なマイクロ波プラ
ズマを提供することにある。
クロ波領域において電磁放射を送るようにされた導波管
装置に接続されるようにされたチャンバと、プラズマ状
態に活性化されるプロセスガスをチャンバに入れること
を許可する入口ポートと、チャンバ中のマイクロ波放射
の伝播方向に対して直角をなす状態とされた少なくとも
一対の電界強化電極と、を備え、一対の電極の中の少な
くとも1つの電極は、活性化されたプロセスガスが電界
強化電極間のチャンバの領域から抽出され得るように自
身の内部に形成された通路を備えるマイクロ波プラズマ
発生器が提供される。好ましくは、これらの電極はその
断面で円状であり、その通路は適当な電極の軸状の穴で
ある。より好ましい形状では、それらの電極は円錐であ
り、それらの中の1つは鋭いエッジとされたリムで終端
しており、他方もまた鋭いエッジとされたリムであるよ
うな直径の軸状の穴を持つ。軸状の穴がない電極には、
先のとがった中央突出部を設けることもできる。
発生器は、ガラスシリンダー2と2つの端板3,4のそ
れぞれから成るようなチャンバ1から成る。ガラスシリ
ンダー2は、チャンバ1の端板3,4中に機械で設けら
れた環状の溝5中に適合され、チャンバ1はOリング6
によってガスを密閉するよう形成されている。アセンブ
リはクランプによって共に保持されるが、これは図示さ
れていない。チャンバ1の端板3,4は、それぞれ、導
波管部分7,8の一部を形成するようにされており、こ
れらはマイクロ波エネルギーを送信するような大きさと
されている。導波管部分7は、図示されていないマイク
ロ波発生器に接続されており、導波管部分8は、成端短
絡(terminating short circuit)8’を含み、この短絡
は、導波管の部分8の内部に固定されていてもよいし、
スライドすることができるようにされていてもよい。チ
ャンバ1の端板3,4に取り付けられているのは、それ
ぞれ、一対の相対する電界強化電極9,10である。
環状チップで終端している。電極9は、電極9と10間
のギャプ11を変更できるように調整可能である。適切
なギャップは0.1〜0.5mmの範囲である。電極9
は、冷却液がそれを通じることができるよう、自身の内
部に形成されたチャンネル12を有する。電極10は、
チャンバ1の端板3,4と一体とされており、電極9,
10間のギャップ11でプラズマ状態に活性化されたプ
ロセスガスをチャンバ1から取り出すことができるよ
う、その内部に形成された軸状通路13を有する。プロ
セスガスのための入口ポート14は、チャンバ1の端板
9を通ずる。チャンバ1の端板4は、冷却液がそれを通
ずることができるよう中空である。チャンバ1の端板
3,4と電極9,10は、ステンレス鋼で形成されてい
る。モリブデンや、タングステンのような他の耐高温性
金属からなる鋭いチップを持つアルミニウム合金でそれ
らを形成することができる。電極9,10のチップの環
状形態は多数の効果を持つ。第1に、鋭利な部分が互い
に向かい合う場合に発生する通常の電界強化作用であ
る。第2に、図示の幾何学構造では、通路13が電極1
0を通じて入り込む前にプロセスガスが電極9,10間
の小さなギャップを通じるときに、そのプロセスガスに
おいてかなりの圧力降下が存在することである。これ
は、プロセスガスの圧力が他の場所よりも高いチャンバ
1のどこよりも、ギャップ11において、プロセスガス
のプラズマ状態への励起を容易にするだけでなく、チッ
プ領域における放射状の圧力傾斜が電極9,10の間の
領域へプラズマを制限するのである。また、図示の幾何
学構造は、電極9,10間のギャップ11を通じるその
通路上の全てのプロセスガスが最大電界領域を直角に通
過することを意味するものであるから、プロセスガスの
プラズマ状態への励起の効率は最大となり、この結果、
プラズマを発生するのに必要な入力電力は減少する。良
好に冷却された壁によって取り囲まれた少量の放電は、
高い電界で加速された電子によって活性化されているに
も係わらずにプラズマ温度が比較的低く保たれることを
意味する。更に、デバイス動作中の電界の分散は、プラ
ズマが存在しない場合に存するものと大きくは相違しな
いため、デバイスを自己スタート可能とすることができ
る。
おり、第1の実施例の対応要素と同様の要素は同一の参
照番号を持つ。図2に示された本発明の実施例では、ガ
ラスシリンダー5は、ガラス補強されたポリテトラフル
オルエチレンで形成されたブロック21に置き換えられ
ているが、他の不活性の非導電物質を使用することもで
きる。ブロック21は、円筒形内部表面22と、その一
端でガス入口14と通じており、他端でブロック21の
内部表面22に対してタンジェンシャル(tangential)
であるような通路23を備える。このように、ブロック
21と端板3,4によって形成されたチャンバ1中に現
れるガスは非常にタンジェンシャルなものであり、電極
9,10間のギャップ11に入り込む前に電極9,10
の周囲をらせん形状で進む。このらせん形の流れパター
ンは、電極9,10間の電気放電の安定性を増大させる
ため、より大きな直径の電極チップを用いることが可能
となり、その結果、活性化ガスのスループットが増大す
る。例えば、電極10の通路13の開口部24とチップ
について8mmの直径をとし、0.2mmのギャップ1
1とすれば、100shpmのガスを活性化することが
可能である。放電の安定性は、電極9のチップ上の中央
突出部25によって更に増大され、通路13の開口部2
4中へのガス流れは、開口部24をトランペット形状と
することによって強化される。
されており、また、Oリング28を提供して電極9の位
置を可変とするねじ山29に沿ってガスが漏洩しないこ
とを確実なものとし、電極9,10間のギャップ11が
所望の値に設定されることを可能としている。
Claims (4)
- 【請求項1】 電磁スペクトルのマイクロ波領域におい
て電磁放射を送るようにされた導波管装置に接続される
ようにされたチャンバと、プラズマ状態に活性化される
プロセスガスをチャンバに入れることを許可する入口ポ
ートと、チャンバ中のマイクロ波放射の伝播方向に対し
て直角をなす状態とされた少なくとも一対の電界強化電
極と、を備え、前記一対の電極の中の少なくとも1つの
電極は、活性化されたプロセスガスが電界強化電極間の
チャンバの領域から抽出され得るように自身の内部に形
成された通路を備えることを特徴とするマイクロ波プラ
ズマ発生器。 - 【請求項2】 請求項1記載のマイクロ波プラズマ発生
器において、前記入口ポートは、タンジェンシャルな速
度要素を持つマイクロ波プラズマ発生器のチャンバに対
してプロセスガスが許可されるように位置付けられてい
る発生器。 - 【請求項3】 請求項1若しくは2記載のいずれかに記
載のマイクロ波発生器において、電極は円錐形であり、
鋭いエッジに形成された環状チップで終端している発生
器。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいづれかに記載のマイク
ロ波プラズマ発生器において、電極間の軸状の分離を変
更できる発生器。
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