JPH0623566Y2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0623566Y2 JPH0623566Y2 JP2098090U JP2098090U JPH0623566Y2 JP H0623566 Y2 JPH0623566 Y2 JP H0623566Y2 JP 2098090 U JP2098090 U JP 2098090U JP 2098090 U JP2098090 U JP 2098090U JP H0623566 Y2 JPH0623566 Y2 JP H0623566Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- opening
- gas
- closing
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔概要〕 ガスを供給する配管系の改善に関し、 設備を増加せずに、ガス配管系の逆流を防止することを
目的とし、 ガス供給源から第１開閉弁を経て逆止弁と第２開閉弁と
が並列に配置された経路を通ってマスフローコントロー
ラに至る配管系を有し、 動作時は第２開閉弁が閉じられ、第１開閉弁が開いて、
該第１開閉弁を経て逆止弁よりマスフローコントローラ
に至る経路によってガスが供給され、且つ、休止時は第
１開閉弁が閉鎖され、第２開閉弁が開いて、前記マスフ
ローコントローラ側より第２開閉弁を経て第１開閉弁に
至る経路に浄化ガスが供給されるように構成されている
ことを特徴とする。
目的とし、 ガス供給源から第１開閉弁を経て逆止弁と第２開閉弁と
が並列に配置された経路を通ってマスフローコントロー
ラに至る配管系を有し、 動作時は第２開閉弁が閉じられ、第１開閉弁が開いて、
該第１開閉弁を経て逆止弁よりマスフローコントローラ
に至る経路によってガスが供給され、且つ、休止時は第
１開閉弁が閉鎖され、第２開閉弁が開いて、前記マスフ
ローコントローラ側より第２開閉弁を経て第１開閉弁に
至る経路に浄化ガスが供給されるように構成されている
ことを特徴とする。
本考案は半導体製造装置に係り、特にガスを供給する配
管系の改善に関する。
管系の改善に関する。
例えば、減圧気相成長装置（減圧ＣＶＤ装置）では減圧
下で反応ガスを熱分解させて半導体膜を成長させるが、
そのようなガスを導入する製造装置に関している。
下で反応ガスを熱分解させて半導体膜を成長させるが、
そのようなガスを導入する製造装置に関している。
第３図は従来のガス配管系を示す図で、本例はモノシラ
ン（SiH4）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとを供給して二酸化
シリコン（SiO2）膜を成長する減圧ＣＶＤ装置の例であ
る。図中の記号ａはSiH4ガス供給配管系，ｂはＯ２ガス
供給配管系，ｃは窒素（Ｎ２）ガス供給配管系，1a，1
b，1cは第１開閉弁（メインバルブ），2a，2bは第２開
閉弁（サブバルブ），2ca，2cbは補助開閉弁，3cは逆止
弁，4a，4bはマスフローコントローラ（ガス流量制御
器），５は成長処理チャンバ（点線で囲んだ部分）を示
している。動作時は、マスフローコントローラ4a，4bで
調整されたSiH4ガスとＯ２ガスとが混合して成長処理チ
ャンバ５に送入され、加熱された半導体ウエハー上で熱
分解してSiO2膜を成長させる。
ン（SiH4）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとを供給して二酸化
シリコン（SiO2）膜を成長する減圧ＣＶＤ装置の例であ
る。図中の記号ａはSiH4ガス供給配管系，ｂはＯ２ガス
供給配管系，ｃは窒素（Ｎ２）ガス供給配管系，1a，1
b，1cは第１開閉弁（メインバルブ），2a，2bは第２開
閉弁（サブバルブ），2ca，2cbは補助開閉弁，3cは逆止
弁，4a，4bはマスフローコントローラ（ガス流量制御
器），５は成長処理チャンバ（点線で囲んだ部分）を示
している。動作時は、マスフローコントローラ4a，4bで
調整されたSiH4ガスとＯ２ガスとが混合して成長処理チ
ャンバ５に送入され、加熱された半導体ウエハー上で熱
分解してSiO2膜を成長させる。
その際、第１開閉弁1a，1bおよび第２開閉弁2a，2bは開
いて、第１開閉弁1cおよび補助開閉弁2ca，2cbを閉じて
いる。また、成長処理チャンバ５の中は排気して一定減
圧度（数mmTorr〜数百Torr；例えば１Torr程度）に保持
している。
いて、第１開閉弁1cおよび補助開閉弁2ca，2cbを閉じて
いる。また、成長処理チャンバ５の中は排気して一定減
圧度（数mmTorr〜数百Torr；例えば１Torr程度）に保持
している。
次いで、休止時には、第１開閉弁1a，1bを閉じ、第１開
閉弁1c，第２開閉弁2a，2bおよび補助開閉弁2ca，2cbを
開いて、第１開閉弁1a，1bより成長処理チャンバ側の配
管系および成長処理チャンバ５内にＮ２ガス（浄化ガ
ス；パージガス）を導入している。そして、再び動作時
には、それらの開閉弁を最初のように操作して成長処理
をおこなっている。
閉弁1c，第２開閉弁2a，2bおよび補助開閉弁2ca，2cbを
開いて、第１開閉弁1a，1bより成長処理チャンバ側の配
管系および成長処理チャンバ５内にＮ２ガス（浄化ガ
ス；パージガス）を導入している。そして、再び動作時
には、それらの開閉弁を最初のように操作して成長処理
をおこなっている。
ところで、第３図に示す従来のガス配管系の例では、Ｎ
２ガス供給配管系ｃには逆止弁3cを配置してＮ２ガス供
給源への他ガス（SiH4，Ｏ２）の逆流を防止している
が、SiH4ガス供給配管系ａ，およびＯ２ガス供給配管系
ｂには逆止弁を設けずに、第２開閉弁2a，2bを配置して
いるだけである。それはガス供給源に近い第１開閉弁1
a，1bまでＮ２ガスを満たして、十分に管内を浄化した
いためである。
２ガス供給配管系ｃには逆止弁3cを配置してＮ２ガス供
給源への他ガス（SiH4，Ｏ２）の逆流を防止している
が、SiH4ガス供給配管系ａ，およびＯ２ガス供給配管系
ｂには逆止弁を設けずに、第２開閉弁2a，2bを配置して
いるだけである。それはガス供給源に近い第１開閉弁1
a，1bまでＮ２ガスを満たして、十分に管内を浄化した
いためである。
また、SiH4ガス供給源，Ｏ２ガス供給源への逆流を防止
するために、第２開閉弁2a，2bの代わりに逆止弁を設け
る従来のガス配管系も知られているが、その場合には第
１開閉弁と第２開閉弁（1a〜2a，1b〜2b）の間を浄化す
ることができないために、その間に排気ポンプを設置し
て排気し、次いで、排気後にＮ２ガスを供給する方法が
採られており、そうしなければ管内が浄化されないから
である。
するために、第２開閉弁2a，2bの代わりに逆止弁を設け
る従来のガス配管系も知られているが、その場合には第
１開閉弁と第２開閉弁（1a〜2a，1b〜2b）の間を浄化す
ることができないために、その間に排気ポンプを設置し
て排気し、次いで、排気後にＮ２ガスを供給する方法が
採られており、そうしなければ管内が浄化されないから
である。
しかし、排気ポンプを設置することはそれだけ設備を増
加させることになり、また、第３図の実施例のように、
逆止弁を設けないガス配管系は逆流する危険性が高く、
且つ、ガス供給源まで逆流すると他の製造装置にも影響
を与え、率いては半導体デバイスの品質を低下させるこ
とになる。
加させることになり、また、第３図の実施例のように、
逆止弁を設けないガス配管系は逆流する危険性が高く、
且つ、ガス供給源まで逆流すると他の製造装置にも影響
を与え、率いては半導体デバイスの品質を低下させるこ
とになる。
本考案は設備を増加せずに、ガス配管系の逆流を防止す
ることを目的とした半導体製造装置のガス配管系を提案
するものである。
ることを目的とした半導体製造装置のガス配管系を提案
するものである。
その課題は、第１図に示すように、ガス供給源から第１
開閉弁1a，1b，1cを経て逆止弁3a，3b，3cと第２開閉弁
2a，2b，2cとが並列に配置された経路を通ってマスフロ
ーコントローラに至る配管系を有し、 動作時は第２開閉弁が閉じられ、第１開閉弁が開いて、
該第１開閉弁を経て逆止弁よりマスフローコントローラ
に至る経路によってガスが供給され、且つ、休止時は第
１開閉弁が閉鎖され、第２開閉弁が開いて、前記マスフ
ローコントローラ側より第２開閉弁を経て第１開閉弁に
至る経路によって浄化ガスが供給されるように構成され
ている半導体製造装置によつて解決される。
開閉弁1a，1b，1cを経て逆止弁3a，3b，3cと第２開閉弁
2a，2b，2cとが並列に配置された経路を通ってマスフロ
ーコントローラに至る配管系を有し、 動作時は第２開閉弁が閉じられ、第１開閉弁が開いて、
該第１開閉弁を経て逆止弁よりマスフローコントローラ
に至る経路によってガスが供給され、且つ、休止時は第
１開閉弁が閉鎖され、第２開閉弁が開いて、前記マスフ
ローコントローラ側より第２開閉弁を経て第１開閉弁に
至る経路によって浄化ガスが供給されるように構成され
ている半導体製造装置によつて解決される。
即ち、本考案は、ガス供給源から第１開閉弁を経て逆止
弁と第２開閉弁とが並列に配置された経路を通ってマス
フローコントローラに至る配管系を構成し、可能なれ
ば、第１開閉弁と第２開閉弁とを連動させる。そうすれ
ば、逆流を防止することができて、排気設備を設ける必
要もない。
弁と第２開閉弁とが並列に配置された経路を通ってマス
フローコントローラに至る配管系を構成し、可能なれ
ば、第１開閉弁と第２開閉弁とを連動させる。そうすれ
ば、逆流を防止することができて、排気設備を設ける必
要もない。
以下に図面を参照して実施例よつて詳細に説明する。
第１図は本考案にかかるガス供給系を示す図で、図中の
記号は第３図と同一部位に同一記号が付けてあり、ａは
SiH4ガス供給配管系，ｂはＯ２ガス供給配管系，ｃはＮ
２ガス供給配管系，1a，1b，1cは第１開閉弁，2a，2bは
第２開閉弁，2ca，2cbは補助開閉弁，3cは逆止弁，4a，
4bはマスフローコントローラ，５は成長処理チャンバで
あるが、その他の2cは第２開閉弁，3a，3bは逆止弁を示
している。
記号は第３図と同一部位に同一記号が付けてあり、ａは
SiH4ガス供給配管系，ｂはＯ２ガス供給配管系，ｃはＮ
２ガス供給配管系，1a，1b，1cは第１開閉弁，2a，2bは
第２開閉弁，2ca，2cbは補助開閉弁，3cは逆止弁，4a，
4bはマスフローコントローラ，５は成長処理チャンバで
あるが、その他の2cは第２開閉弁，3a，3bは逆止弁を示
している。
即ち、SiH4ガス供給配管系ａでは第１開閉弁1aとマスフ
ローコントローラ4aとの間に逆止弁3aと第２開閉弁2aと
が並列に配置され、Ｏ２ガス供給配管系ｂでは第１開閉
弁1bとマスフローコントローラ4bとの間に逆止弁3bと第
２開閉弁2bとが並列に配置され、また、Ｎ２ガス供給配
管系ｃでは第１開閉弁1cと補助開閉弁2ca，2cbとの間に
逆止弁3cと第２開閉弁2cとが並列に配置されていて、補
助開閉弁2ca，2cbはそれぞれSiH4ガス供給配管系ａ，Ｏ
２ガス供給配管系ｂに接続している。なお、ガス供給配
管は内径1/4インチφ程度のステンレス製である。
ローコントローラ4aとの間に逆止弁3aと第２開閉弁2aと
が並列に配置され、Ｏ２ガス供給配管系ｂでは第１開閉
弁1bとマスフローコントローラ4bとの間に逆止弁3bと第
２開閉弁2bとが並列に配置され、また、Ｎ２ガス供給配
管系ｃでは第１開閉弁1cと補助開閉弁2ca，2cbとの間に
逆止弁3cと第２開閉弁2cとが並列に配置されていて、補
助開閉弁2ca，2cbはそれぞれSiH4ガス供給配管系ａ，Ｏ
２ガス供給配管系ｂに接続している。なお、ガス供給配
管は内径1/4インチφ程度のステンレス製である。
かくして、動作時は、マスフローコントローラ4a，4bで
調整されたSiH4ガスとＯ２ガスとが混合して成長処理チ
ャンバ５に送入されるが、その際、SiH4ガス供給配管系
ａでは第１開閉弁1aが開いて逆止弁3aを通ってマスフロ
ーコントローラ4aに至る経路によってSiH4ガスが供給さ
れる。第２図(a)はその動作時のガス流れを示している
図である。
調整されたSiH4ガスとＯ２ガスとが混合して成長処理チ
ャンバ５に送入されるが、その際、SiH4ガス供給配管系
ａでは第１開閉弁1aが開いて逆止弁3aを通ってマスフロ
ーコントローラ4aに至る経路によってSiH4ガスが供給さ
れる。第２図(a)はその動作時のガス流れを示している
図である。
Ｏ２ガス供給配管系ｂも同様であり、第１開閉弁1bが開
いて逆止弁3bを通ってマスフローコントローラ4bに至る
経路によってＯ２ガスが供給される。一方、Ｎ２ガス供
給配管系ｃでは第１開閉弁1cが閉じたままである。
いて逆止弁3bを通ってマスフローコントローラ4bに至る
経路によってＯ２ガスが供給される。一方、Ｎ２ガス供
給配管系ｃでは第１開閉弁1cが閉じたままである。
次に、休止時は、SiH4ガス供給配管系ａでは第１開閉弁
1aが閉じて第２開閉弁2aを開き、Ｏ２ガス供給配管系ｂ
も第１開閉弁1bが閉じて第２開閉弁2bを開くが、Ｎ２ガ
ス供給配管系ｃでは第１開閉弁1cが開いて逆止弁3bを通
り、開いた補助開閉弁2ca，2cbを通ってSiH4ガス供給配
管系ａおよびＯ２ガス供給配管系ｂにＮ２ガスが供給さ
れて、配管内が浄化される。第２図(b)はSiH4ガス供給
配管系ａの休止時のガス充満部分を示している図であ
る。
1aが閉じて第２開閉弁2aを開き、Ｏ２ガス供給配管系ｂ
も第１開閉弁1bが閉じて第２開閉弁2bを開くが、Ｎ２ガ
ス供給配管系ｃでは第１開閉弁1cが開いて逆止弁3bを通
り、開いた補助開閉弁2ca，2cbを通ってSiH4ガス供給配
管系ａおよびＯ２ガス供給配管系ｂにＮ２ガスが供給さ
れて、配管内が浄化される。第２図(b)はSiH4ガス供給
配管系ａの休止時のガス充満部分を示している図であ
る。
従って、本考案にかかるガス供給系ではいずれのガス供
給配管系ａ，ｂ，ｃにおいても第１開閉弁と第２開閉弁
との開閉操作が逆になるために、第１開閉弁，第２開閉
弁を逆に連動する電磁弁に置換することが可能になり、
そうすると、開閉の間違いは皆無になる。
給配管系ａ，ｂ，ｃにおいても第１開閉弁と第２開閉弁
との開閉操作が逆になるために、第１開閉弁，第２開閉
弁を逆に連動する電磁弁に置換することが可能になり、
そうすると、開閉の間違いは皆無になる。
なお、本実施例の場合はＮ２ガス供給配管系ｃには第２
開閉弁2cを配置しなくても良いが、配置しておいても支
障はない。また、補助開閉弁2ca，2cbは補助的な開閉弁
で、本考案に直接係わりのある弁ではない。
開閉弁2cを配置しなくても良いが、配置しておいても支
障はない。また、補助開閉弁2ca，2cbは補助的な開閉弁
で、本考案に直接係わりのある弁ではない。
上記の実施例のようなガス供給系を備えた減圧ＣＶＤ装
置によれば排気設備などが不要になって設備費用が低下
でき、しかも、ガス逆流が皆無になって成長膜の高品質
化を図ることができる。
置によれば排気設備などが不要になって設備費用が低下
でき、しかも、ガス逆流が皆無になって成長膜の高品質
化を図ることができる。
且つ、上記の趣旨を含む半導体製造装置は減圧ＣＶＤ装
置のみならず、他のＣＶＤ装置やドライエッチング装置
に適用して同様の効果があるものである。
置のみならず、他のＣＶＤ装置やドライエッチング装置
に適用して同様の効果があるものである。
以上の説明から明らかなように、本考案にかかる半導体
製造装置によれば装置コストが低下でき、且つ、半導体
デバイスの高品質化に寄与させることができる。
製造装置によれば装置コストが低下でき、且つ、半導体
デバイスの高品質化に寄与させることができる。
第１図は本考案にかかるガス配管系を示す図、 第２図は(a)，(b)はガス流れを示す図、 第３図は従来のガス配管系を示す図である。 図において、ａ はSiH4ガス供給配管系、ｂ はＯ２ガス供給配管系、ｃ はＮ２ガス供給配管系、 1a，1b，1cは第１開閉弁、 2a，2b，2cは第２開閉弁 2ca，2cbは補助開閉弁、 3a，3b，3cは逆止弁、 4a，4bはマスフローコントローラ、 ５は成長処理チャンバ を示している。
Claims (1)
- 【請求項１】ガス供給源から第１開閉弁を経て逆止弁と
第２開閉弁とが並列に配置された経路を通ってマスフロ
ーコントローラに至る配管系を有し、 動作時は第２開閉弁が閉じられ、第１開閉弁が開いて、
該第１開閉弁を経て逆止弁よりマスフローコントローラ
に至る経路によってガスが供給され、且つ、休止時は第
１開閉弁が閉鎖され、第２開閉弁が開いて、前記マスフ
ローコントローラ側より第２開閉弁を経て第１開閉弁に
至る経路に浄化ガスが供給されるように構成されてなる
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098090U JPH0623566Y2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098090U JPH0623566Y2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111562U JPH03111562U (ja) | 1991-11-14 |
| JPH0623566Y2 true JPH0623566Y2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=31524059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2098090U Expired - Lifetime JPH0623566Y2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0623566Y2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2098090U patent/JPH0623566Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03111562U (ja) | 1991-11-14 |
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