JPH0623288B2 - Method for producing n-type polyacetylene - Google Patents
Method for producing n-type polyacetyleneInfo
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- JPH0623288B2 JPH0623288B2 JP11949685A JP11949685A JPH0623288B2 JP H0623288 B2 JPH0623288 B2 JP H0623288B2 JP 11949685 A JP11949685 A JP 11949685A JP 11949685 A JP11949685 A JP 11949685A JP H0623288 B2 JPH0623288 B2 JP H0623288B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は，均一にドーピングされてなるｎ型ポリアセチ
レンを容易に製造する方法に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for easily producing uniformly-doped n-type polyacetylene.
近年，高分子自体に導電性のあるポリマーが発見され，
安価に大面積のものを作ることができるようになった。
また，導電性ポリマーはフレキシブルである利点を生か
して太陽電池，ダイオード，トランジスターの半導体デ
バイス素子等に使用されつつある。In recent years, conductive polymers have been discovered in polymers themselves,
It has become possible to make large-area ones at low cost.
In addition, conductive polymers are being used for semiconductor device elements such as solar cells, diodes and transistors, taking advantage of their flexibility.
上記導電性高分子の中でもポリアセチレンは，原料が非
常に安価であり，半導体デバイス素子として使用した場
合，優れた性能を有するものとして特に注目されてい
る。Among the above-mentioned conductive polymers, polyacetylene is extremely cheap as a raw material, and when it is used as a semiconductor device element, it is particularly noted as having excellent performance.
ところで，上記導電性高分子は，半導体デバイスとして
実用化する場合，Ｐ型やｎ型の半導体的特性を制御する
必要があり，大面積であり，熱や酸化に対して安定であ
り，比抵抗の小さいｐ型，ｎ型半導体が求められてい
る。このｐ型高分子半導体としては，例えば，ポリアセ
チレンへAsF5，Ｉ2，HCl等をドーピングすることにより
容易に作製することができる。一方，ポリアセチレンを
ｎ型にドーピングする方法としては，本発明者らが先に
開発したものがある（特願昭５８−１８９６３８号，特
願昭５９−６９００号，特願昭５９−４２２７３号）。By the way, when the above-mentioned conductive polymer is put to practical use as a semiconductor device, it is necessary to control P-type or n-type semiconductor characteristics, has a large area, is stable against heat and oxidation, and has a specific resistance. There is a demand for p-type and n-type semiconductors having a small size. This p-type polymer semiconductor can be easily manufactured by, for example, doping polyacetylene with AsF 5 , I 2 , HCl or the like. On the other hand, as a method for doping polyacetylene into n-type, there is a method previously developed by the present inventors (Japanese Patent Application No. 58-189638, Japanese Patent Application No. 59-6900, Japanese Patent Application No. 59-42273). .
この方法は，炭化水素系溶媒中に下記化学式〔Ａ〕で表
わされるアミン化合物と金属アミドとの混合物を入れた
溶液（以下，ｎ型ドーピング溶液という）に，ポリアセ
チレンを入れ，該溶液を加熱するものである。In this method, polyacetylene is added to a solution (hereinafter referred to as an n-type doping solution) containing a mixture of an amine compound represented by the following chemical formula [A] and a metal amide in a hydrocarbon solvent, and the solution is heated. It is a thing.
（ただし上式においてＲ1，Ｒ2は水素原子あるいは炭素
数が多くとも２０個のアルキル基，アリル基，アリール
基，カルボニル基，アミノ基，シリル基であり，同一で
も異なっても良いが，同時に水素原子であることはな
い。） ところで，半導体デバイス素子は高分子の利点を生かし
て大面積・軽量の方向へ進んでおり，ｐ型，ｎ型とも高
分子半導体は膜厚が非常に薄いものが求められている。
しかしながら，前記のポリアセチレンのｎ型ドーピング
方法では，ポリアセチレンの膜厚が１００μｍ以下の場
合，ポリアセチレン自体の劣化や変形が激しく，条件に
よってはポリアセチレン膜が破損してしまうことがあ
る。またこの方法で大面積のポリアセチレンをｎ型にド
ーピングするには装置も大かがりになる。 (However, in the above formula, R 1 and R 2 are a hydrogen atom or an alkyl group having at most 20 carbon atoms, an allyl group, an aryl group, a carbonyl group, an amino group, a silyl group, which may be the same or different, At the same time, it is not a hydrogen atom.) By the way, the semiconductor device element is advancing toward large area and light weight by taking advantage of the advantage of polymer, and the film thickness of p-type and n-type polymer semiconductor is very thin. Things are needed.
However, in the above-mentioned polyacetylene n-type doping method, when the film thickness of the polyacetylene is 100 μm or less, the polyacetylene itself is severely deteriorated or deformed, and the polyacetylene film may be damaged depending on the conditions. Further, in order to dope n-type a large area polyacetylene by this method, an apparatus becomes large.
本発明は，上記従来技術の欠点を克服し，膜厚が１００
μｍ以下という薄膜状のポリアセチレンをもその母材の
劣化や変形等の悪影響を与えずにｎ型にドーピングし
て，しかも大面積のｎ型ポリアセチレンも簡便に製造す
る方法を提供しようとするものである。The present invention overcomes the above-mentioned drawbacks of the prior art and provides a film thickness of 100
An object of the present invention is to provide a method for simply doping a thin-film polyacetylene having a thickness of μm or less into an n-type without adversely affecting the deterioration or deformation of the base material, and easily producing a large-area n-type polyacetylene. is there.
本発明のｎ型ポリアセチレンの製造方法は，炭化水素系
溶媒中に下記化学式〔Ａ〕で表わされるアミン化合物と
金属アミドとの混合物を入れ，これらから成る溶液を加
熱した後，該溶液をポリアセチレンに含浸させ，該ポリ
アセチレンを乾燥することを特徴とするものである。The method for producing n-type polyacetylene of the present invention is a method in which a mixture of an amine compound represented by the following chemical formula [A] and a metal amide is placed in a hydrocarbon solvent, a solution consisting of these is heated, and then the solution is converted into polyacetylene. It is characterized by impregnating and drying the polyacetylene.
（ただし，上式においてＲ1，Ｒ2は水素原子あるいは炭
素数が多くとも２０個のアルキル基，アリル基，アリー
ル基，カルボニル基，アミノ基，シリル基であり，同一
でも異なっても良いが，同時に水素原子であることはな
い。） 本発明においてポリアセチレンは，シス体及びトランス
体のポリアセチレンを使用するが，シス体からトランス
体へ異性化する際にドーピング剤がドーピングしやすく
なることから，シス体のポリアセチレンが望ましい。ま
た，その形状としては，膜状，粉末状，繊維状等が挙げ
られるが，半導体デバイス素子等への応用性の面より膜
状が望ましい。なお膜状の場合，膜厚が１００μｍ以下
のものでも適用することができる。これは従来のように
ポリアセチレンに直接加熱処理を施さないためである。
また膜厚の下限としては0.1μｍとするのがよい。膜厚
が0.1μｍ未満では乾燥処理において膜が収縮して破れ
るおそれもあり，しかも取扱いが難かしい。 (However, in the above formula, R 1 and R 2 are a hydrogen atom or an alkyl group having at most 20 carbon atoms, an allyl group, an aryl group, a carbonyl group, an amino group, a silyl group, which may be the same or different. , It is not a hydrogen atom at the same time.) In the present invention, as the polyacetylene, cis- and trans-polyacetylene is used, but since the doping agent is easily doped when isomerizing from cis- to trans-isomer, Cis-form polyacetylene is preferable. The shape may be a film shape, a powder shape, a fibrous shape, or the like, but the film shape is preferable from the viewpoint of applicability to semiconductor device elements and the like. In the case of a film, a film having a film thickness of 100 μm or less can be applied. This is because polyacetylene is not directly subjected to heat treatment as in the conventional case.
The lower limit of the film thickness is preferably 0.1 μm. If the film thickness is less than 0.1 μm, the film may shrink and break during the drying process, and it is difficult to handle.
本発明にかかるアミン化合物と金属アミドとの混合物
は，ｎ型のドーピング剤として働くものである。The mixture of the amine compound and the metal amide according to the present invention functions as an n-type doping agent.
この混合物のうちアミン化合物は前記式〔Ａ〕で表わさ
れる一級または二級アミン化合物であり，例えばｎ−ブ
チルアミン，ｎ−アミルアミン，ｎ−ヘキシルアミン，
ｎ−ヘプチルアミン，ｎ−オクチルアミン，ｎ−ノニル
アミン，ｎ−デシルアミン，１，４−ジアミノブタン，
１，３−ジアミノプロパン，ジシクロヘキシルアミン，
２−アミノエチルアミノメチルトリメチルシラン，ヘキ
サメチルジシラザン等のものが挙げられる。本発明にお
いては，上記アミン化合物のうちの１種または２種以上
を用いる。The amine compound in this mixture is a primary or secondary amine compound represented by the above formula [A], such as n-butylamine, n-amylamine, n-hexylamine,
n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine, 1,4-diaminobutane,
1,3-diaminopropane, dicyclohexylamine,
Examples thereof include 2-aminoethylaminomethyltrimethylsilane and hexamethyldisilazane. In the present invention, one or more of the above amine compounds are used.
また金属アミドは，ＭＮＨ2（Ｍはリチウム，ナトリウ
ム，カリウム等の金属原子を表わす。）で表わされるも
のであり，リチウムアミド，ナトリウムアミド，カリウ
ムアミド等が挙げられ，これらのうちの１種または２種
以上を使用する。The metal amide is represented by MNH 2 (M represents a metal atom such as lithium, sodium and potassium), and examples thereof include lithium amide, sodium amide and potassium amide. One of these or Use two or more.
本発明の方法においては炭化水素系溶媒中に上記アミン
化合物と金属アミドとの混合物を入れた溶液を加熱する
ことにより，アミン化合物は容易にプロトンを放出して
安定な窒素アニオンを形成し，金属アミドと共存させる
ことにより次式〔Ｂ〕に示すような反応が起こると考え
られる。In the method of the present invention, by heating a solution of a mixture of the above amine compound and a metal amide in a hydrocarbon solvent, the amine compound easily releases a proton to form a stable nitrogen anion, It is considered that the reaction represented by the following formula [B] occurs by coexisting with an amide.
この反応で生成した金属錯体が上記溶媒に溶解し，均一
な溶液となり，更に発生したアンモニアと共にｎ型ドー
ピング剤として作用する。 The metal complex generated by this reaction dissolves in the above solvent to form a uniform solution, and further acts as an n-type doping agent together with the generated ammonia.
本発明において，上記アミン化合物と金属アミドとの混
合割合は，アミン化合物１モル当量に対して金属アミド
を１０モル当量以下混合するのが望ましい。金属アミド
の混合量が１０モル当量を越える場合には，溶解しない
金属アミドがポリアセチレンに付着するおそれがある。
更に好ましくは，前記式〔Ｂ〕の反応が起こりやすくす
るため金属アミドを0.5〜２モル当量混合するのがよ
い。In the present invention, the mixing ratio of the amine compound and the metal amide is preferably such that the metal amide is mixed in an amount of 10 molar equivalents or less with respect to 1 molar equivalent of the amine compound. If the mixing amount of the metal amide exceeds 10 molar equivalents, the insoluble metal amide may adhere to the polyacetylene.
More preferably, 0.5 to 2 molar equivalents of the metal amide are mixed in order to facilitate the reaction of the above formula [B].
前記炭化水素系溶媒は，上記ドーピング剤の混合物が反
応して，ポリアセチレンに均一にドーピングする働きを
行うものであり，例えば，ベンゼン，トルエン，キシレ
ン，ヘキサン，シクロヘキサン，ジオキサン，テトラヒ
ドロフラン等がある。本発明においては，これら炭化水
素系溶媒のうちの１種または２種以上を用いる。The hydrocarbon solvent has a function of uniformly doping polyacetylene by reacting the mixture of the above-mentioned doping agents, and examples thereof include benzene, toluene, xylene, hexane, cyclohexane, dioxane, and tetrahydrofuran. In the present invention, one or more of these hydrocarbon solvents are used.
上記炭化水素系溶媒中に前記ドーピング剤の混合物を入
れた後，加熱を施す。この加熱により，溶液が均一化さ
れ，ドーピング剤の混合物が反応して，溶液がポリアセ
チレンに含浸した場合ポリアセチレンにドーピングしや
すくなる。該加熱方法としては，溶液を均一にするため
に加熱還流するとともに攪拌するのがよい。この加熱条
件としては，炭化水素系溶媒及び前記アミン化合物の種
類によって異なるが，一般に８０〜１５０℃の範囲の温
度で0.5〜１０時間加熱するのが望ましい。該加熱時間
が上記範囲より小さい場合には，ドーピング剤の反応が
起こりにくくなり，一方，上記範囲以上の加熱温度の場
合，ドーピング剤が熱分解を受けて，ドーピング作用を
呈さない可能性がある。After the mixture of the doping agent is put in the hydrocarbon solvent, heating is performed. This heating homogenizes the solution and reacts the mixture of doping agents to facilitate doping of polyacetylene when the solution is impregnated in polyacetylene. As the heating method, it is preferable to heat and reflux with stirring in order to make the solution uniform. The heating conditions differ depending on the type of hydrocarbon solvent and the amine compound, but it is generally desirable to heat at a temperature in the range of 80 to 150 ° C. for 0.5 to 10 hours. If the heating time is shorter than the above range, the reaction of the doping agent is less likely to occur, while if the heating temperature is higher than the above range, the doping agent may undergo thermal decomposition and may not exhibit the doping effect. .
上記加熱処理した溶液をポリアセチレンに含浸させる。
この含浸させる方法としては，該溶液をポリアセチレン
上に塗布・噴霧する方法，あるいはポリアセチレンを該
溶液に浸漬する方法等がある。なお，溶液をポリアセチ
レン上に塗布・噴霧する方法は，ポリアセチレンの所望
の位置に局部的にドーピングすることができるという点
で有利であり，更に浸漬する方法に比べて，大面積のポ
リアセチレンに対しても装置を大きくする必要がない。Polyacetylene is impregnated with the heat-treated solution.
As the method of impregnating, there are a method of coating and spraying the solution on polyacetylene, a method of dipping the polyacetylene in the solution, and the like. The method of applying and spraying the solution onto polyacetylene is advantageous in that the desired position of polyacetylene can be locally doped, and it is more effective for a large area of polyacetylene than the method of dipping. Also, there is no need to enlarge the device.
また，ポリアセチレン全体を均一にドーピングする場
合，上記容液のポリアセチレンへの含浸量は，前記アミ
ン化合物１モル当量に対してポリアセチレンが５０ｇ以
下で含浸されるのが望ましい。アミン化合物１モル当量
に対して５０ｇを越えるポリアセチレンに含浸させた場
合にはポリアセチレンにドーピングされない部分が生じ
る可能性がある。In the case of uniformly doping the entire polyacetylene, it is desirable that the amount of the solution impregnated into the polyacetylene is 50 g or less of polyacetylene per 1 mol equivalent of the amine compound. When more than 50 g of polyacetylene is impregnated with respect to 1 mol equivalent of the amine compound, there is a possibility that a portion not doped with polyacetylene may be generated.
またポリアセチレンに含浸させる溶液は，加熱処理した
後即座にポリアセチレンに含浸させてもよく，加熱処理
後冷却して含浸してもよい。すなわち，上記溶液は室温
から炭化水素系溶媒の沸点までの範囲でポリアセチレン
に含浸させることができる。しかし，ポリアセチレンに
劣化や変形をほとんど完全に生じないようにするには室
温付近の温度で含浸するのがよい。Further, the solution for impregnating the polyacetylene may be impregnated into the polyacetylene immediately after the heat treatment, or may be cooled after the heat treatment and impregnated. That is, the above solution can be impregnated with polyacetylene in the range from room temperature to the boiling point of the hydrocarbon solvent. However, in order to prevent the polyacetylene from almost completely deteriorating or deforming, it is preferable to impregnate it at a temperature near room temperature.
ポリアセチレンに上記溶液を含浸して所定時間保持し
て，ポリアセチレンをｎ型にドーピングする。この保持
時間は溶液の温度によって異なるが，例えば室温の溶液
を含浸させた場合６〜１２時間の範囲でよく，また炭化
水素系溶媒の沸点の溶液を含浸させた場合１５分〜１時
間の範囲でよい。Polyacetylene is impregnated with the above solution and kept for a predetermined time to dope n-type polyacetylene. Although this holding time varies depending on the temperature of the solution, it may be, for example, in the range of 6 to 12 hours when impregnated with the solution at room temperature, and in the range of 15 minutes to 1 hour when impregnated with the solution having the boiling point of the hydrocarbon solvent. Good.
その後，上記溶液が含浸したポリアセチレンを乾燥して
溶媒を蒸発除去する。なお上記乾燥条件は溶媒がほぼ完
全に除去される範囲であり，その処理は自然乾燥でも加
熱乾燥でもよい。加熱乾燥の場合，加熱温度は２００℃
以下とするのが望ましい。２００℃より高温であると，
ポリアセチレンが劣化・変形するおそれがある。Then, the polyacetylene impregnated with the above solution is dried to evaporate and remove the solvent. The drying conditions are such that the solvent is almost completely removed, and the treatment may be natural drying or heat drying. In case of heat drying, the heating temperature is 200 ℃
The following is preferable. If the temperature is higher than 200 ° C,
Polyacetylene may deteriorate or deform.
その後表面上に付着したドーピング剤を洗浄除去して，
本発明にかかるｎ型ポリアセチレンを得る。After that, the doping agent adhering to the surface is removed by washing,
An n-type polyacetylene according to the present invention is obtained.
本発明によれば，ポリアセチレンに劣化や変形などを与
えずに，簡便にｎ型ポリアセチレンを製造することがで
きる。また，膜厚が１００μｍ以下の薄いｎ型ポリアセ
チレンをも製造することができる。更に大面積のｎ型ポ
リアセチレンも簡便に製造することができる。According to the present invention, n-type polyacetylene can be easily produced without giving deterioration or deformation to polyacetylene. Also, thin n-type polyacetylene having a film thickness of 100 μm or less can be manufactured. Further, a large area n-type polyacetylene can be easily produced.
以下，本発明の実施例を説明する。 Examples of the present invention will be described below.
実施例1. 炭化水素系溶媒としての脱水されたトルエン15ml中にド
ーピング剤としての表に示すようなアミン化合物0.01モ
ルと金属アミド0.01モルとの混合物を入れ，この溶液を
１時間アルゴン気流下において加熱還流した。Example 1 A mixture of 0.01 mol of an amine compound as shown in the table as a doping agent and 0.01 mol of a metal amide was added to 15 ml of dehydrated toluene as a hydrocarbon solvent, and this solution was placed under an argon stream for 1 hour. Heated to reflux.
加熱還流後，該溶液１０mlを１００℃の温度の状態で２
０mm×２０mm角，膜厚１０μｍ，比抵抗１０10Ω・cmの
ポリアセチレン膜の全面に塗布し，１時間放置して，本
発明方法による４種類のｎ型ポリアセチレン（表の試料
No.１〜４）を調製した。After heating under reflux, 10 ml of the solution was heated at 100 ° C. for 2 minutes.
Four types of n-type polyacetylene (samples in the table) according to the method of the present invention were coated on the entire surface of a polyacetylene film having a size of 0 mm × 20 mm, a film thickness of 10 μm, and a specific resistance of 10 10 Ω · cm, and allowed to stand for 1 hour.
Nos. 1 to 4) were prepared.
該ｎ型ポリアセチレンは，表に示すような比抵抗を有
し，低い値であった。またｎ型半導体であることの確認
のためｐ型シリコン半導体との接合体を作製し，電圧−
電流密度（Ｖ−Ｊ）特性を測定した。すなわち，ホウ素
でドーピングした比抵抗１０Ω・cmのｐ型シリコンと本
実施例のｎ型ポリアセチレン（表の試料No.４のもの）
とを２kg/cm3の圧力で圧着することにより接合体を作製
し，そのＶ−Ｊ特性を測定した。その結果を第１図に示
す。第１図より明らかなように，良好な整流特性を示し
ており，本発明によるポリアセチレンがｎ型に機能して
いることがわかる。The n-type polyacetylene had a low specific resistance as shown in the table. To confirm that it is an n-type semiconductor, a junction with a p-type silicon semiconductor was prepared and the voltage
The current density (VJ) characteristics were measured. That is, boron-doped p-type silicon having a specific resistance of 10 Ω · cm and n-type polyacetylene of this example (sample No. 4 in the table).
A joined body was produced by press-bonding and with a pressure of 2 kg / cm 3 , and the VJ characteristics were measured. The results are shown in FIG. As is clear from FIG. 1, good rectification characteristics are shown, and it can be seen that the polyacetylene according to the present invention functions as an n-type.
比較例 脱水されたトルエン１５ml中にｎ−ブチルアミン0.01モ
ルとナトリウムアミド0.01モルとの混合物及び実施例１
と同様なポリアセチレン膜を入れ，この溶液を0.5時間
アルゴン気流下において加熱還流した。加熱還流後，ポ
リアセチレン膜は破損・変形しており，膜として使用す
ることはできなかった。 Comparative Example A mixture of 0.01 mol of n-butylamine and 0.01 mol of sodium amide in 15 ml of dehydrated toluene and Example 1
The same polyacetylene film as in 1 above was added, and this solution was heated under reflux for 0.5 hour under an argon stream. After heating under reflux, the polyacetylene film was damaged and deformed and could not be used as a film.
実施例2. 本実施例では形成したｎ型ポリアセチレンをｐ型高分子
半導体と接合させて，光電変換素子を形成した例を示
す。Example 2 In this example, a photoelectric conversion element is formed by joining the formed n-type polyacetylene and a p-type polymer semiconductor.
ポリアセチレンの膜厚を２０μｍとした以外は実施例１
の試料No.４と同様にしてｎ型ポリアセチレン（試料No.
５）を製造した。Example 1 except that the film thickness of polyacetylene was 20 μm.
N-type polyacetylene (Sample No. 4)
5) was produced.
次にｐ型ポリピロールを以下のように製造した。すなわ
ちピロール単量体と四フッ化ホウ酸テトラブチルアンモ
ニウムとを溶解したアセトニトリル溶液に正及び負電極
を浸漬し，該両電極間に正電極単位面積当り４mA/cm2の
直流電流を約７秒間流し，ｐ型ポリピロール（２０mm×
２０mm角，膜厚0.05μｍ比抵抗１Ω・cm）を合成した。
なお正電極は導電性ネサガラス（Ｉｎ2Ｏ3）であり，こ
の正電極上にｐ型ポリピロールが析出した。Next, p-type polypyrrole was manufactured as follows. That is, the positive and negative electrodes are immersed in an acetonitrile solution in which a pyrrole monomer and tetrabutylammonium tetrafluoroborate are dissolved, and a direct current of 4 mA / cm 2 per unit area of the positive electrode is applied between the electrodes for about 7 seconds. Sink, p-type polypyrrole (20 mm x
20 mm square, film thickness 0.05 μm specific resistance 1 Ω · cm) was synthesized.
The positive electrode was a conductive Nesa glass (In 2 O 3 ) and p-type polypyrrole was deposited on this positive electrode.
前記ｎ型ポリアセチレンをそれぞれ上記正電極上に析出
したｐ型ポリピロールに接触するように配置し，このｎ
型，ｐ型の半導体を２kg/cm2の圧力で圧着し，２種類の
光電変換素子を作製した。The n-type polyacetylenes are arranged so as to contact the p-type polypyrrole deposited on the positive electrode.
Type and p-type semiconductors were pressure bonded at a pressure of 2 kg / cm 2 to fabricate two types of photoelectric conversion elements.
この光電変換素子を第２図及び第３図に示す。なお第２
図は光電変換素子の斜視図，第３図は第２図のIII−III
に沿う断面図である。This photoelectric conversion element is shown in FIGS. 2 and 3. The second
FIG. 3 is a perspective view of the photoelectric conversion element, and FIG. 3 is III-III of FIG.
FIG.
光電変換素子１は，ｎ型ポリアセチレン２とｐ型ポリピ
ロール３とが圧着されてなり，ｎ型ポリアセチレン２の
上面にはＢｅ−Ｃｕ合金からなる電極４１が設けられ，
ｐ型ポリピロール３の下面には合成時に正電極として使
用したネサガラスが対向電極４２として設けられたもの
である。なお更に上記両電極に導線としての銅線４３を
それぞれ取り付けた（ネサガラスには銀ペースト４４を
介して銅線４３を取り付けた。） また参考のため膜厚を１００μｍとした以外は前記比較
例と同様にして参考用ｎ型ポリアセチレン（試料No.Ｃ
１）を製造した。なお試料No.Ｃ１は膜状とはなってい
るものの，変形・劣化が大きいものであった。更にこの
試料No.Ｃ１のｎ型ポリアセチレンを用いて上記と同様
にして光電変換素子を作製した。The photoelectric conversion element 1 is formed by press-bonding an n-type polyacetylene 2 and a p-type polypyrrole 3, and an electrode 41 made of a Be—Cu alloy is provided on the upper surface of the n-type polyacetylene 2,
The lower surface of the p-type polypyrrole 3 is provided with a counter electrode 42, which is Nesa glass used as a positive electrode during synthesis. Furthermore, a copper wire 43 as a conducting wire was attached to each of the above-mentioned electrodes (the copper wire 43 was attached to Nesa glass via a silver paste 44). Similarly, for reference n-type polyacetylene (Sample No. C
1) was produced. Although Sample No. C1 was film-shaped, it was significantly deformed and deteriorated. Further, a photoelectric conversion element was produced in the same manner as above using the n-type polyacetylene of Sample No. C1.
上記２種類の光電変換素子について，電圧計及び電流計
（図示せず）を接続し，ｐ型ポリピロール面より白色光
（５００Ｗ）を入射し，その時の開放電圧と短絡電流を
測定した。A voltmeter and an ammeter (not shown) were connected to the above two types of photoelectric conversion elements, white light (500 W) was made incident from the p-type polypyrrole surface, and the open circuit voltage and short circuit current at that time were measured.
その結果，試料No.Ｃ１のｎ型ポリアセチレンを用いた
ものでは，開放電圧は0.2ｍＶ，短絡電流は1.5×１０-6
μＡであった。また試料No.５を用いたものでは，開放
電圧は２ｍＶ，短絡電流は６×１０-4μＡであった。As a result, in the case of using the n-type polyacetylene of sample No. C1, the open circuit voltage was 0.2 mV and the short circuit current was 1.5 × 10 −6.
It was μA. Further, in the case of using the sample No. 5, the open circuit voltage was 2 mV and the short circuit current was 6 × 10 −4 μA.
第１図は実施例１におけるｎ型ポリアセチレンとｐ型シ
リコンとの接合体の電圧−電流密度特性（Ｖ−Ｊ）曲線
を示す図，第２図は実施例２におけるｎ型ポリアセチレ
ンを用いた光電変換素子の斜視図，第３図は第２図のII
I−IIIに沿う断面図である。 １……光電変換素子，２……ｎ型ポリアセチレン，３…
…ｐ型ポリピロールFIG. 1 is a diagram showing a voltage-current density characteristic (VJ) curve of a junction body of n-type polyacetylene and p-type silicon in Example 1, and FIG. 2 is a photoelectric diagram using n-type polyacetylene in Example 2. A perspective view of the conversion element, FIG. 3 is II of FIG.
It is sectional drawing which follows I-III. 1 ... Photoelectric conversion element, 2 ... n-type polyacetylene, 3 ...
... p-type polypyrrole
Claims (3)
わされるアミン化合物と金属アミドとの混合物を入れ，
これらから成る溶液を加熱した後，該溶液をポリアセチ
レンに含浸させ，該ポリアセチレンを乾燥することを特
徴とするｎ型ポリアセチレンの製造方法。 （ただし，上式においてＲ1，Ｒ2は水素原子あるいは炭
素数が多くとも２０個のアルキル基，アリル基，アリー
ル基，カルボニル基，アミノ基，シリル基であり，同一
でも異なっても良いが，同時に水素原子であることはな
い。）1. A mixture of an amine compound represented by the following chemical formula [A] and a metal amide is placed in a hydrocarbon solvent,
A method for producing n-type polyacetylene, which comprises heating a solution composed of these, impregnating the solution with polyacetylene, and drying the polyacetylene. (However, in the above formula, R 1 and R 2 are a hydrogen atom or an alkyl group having at most 20 carbon atoms, an allyl group, an aryl group, a carbonyl group, an amino group, a silyl group, which may be the same or different. , It is not a hydrogen atom at the same time.)
リウムアミド，カリウムアミドのうちの１種または２種
以上である特許請求の範囲第(1)項記載のｎ型ポリアセ
チレンの製造方法。2. The method for producing n-type polyacetylene according to claim 1, wherein the metal amide is one or more of lithium amide, sodium amide and potassium amide.
は，アミン化合物１モル当量に対して１０モル当量以下
の金属アミドからなる特許請求の範囲第(1)項記載のｎ
型ポリアセチレンの製造方法。3. The n according to claim 1, wherein the mixture of the amine compound and the metal amide is 10 mole equivalents or less of the metal amide with respect to 1 mole equivalent of the amine compound.
Of producing type polyacetylene.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11949685A JPH0623288B2 (en) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Method for producing n-type polyacetylene |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11949685A JPH0623288B2 (en) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Method for producing n-type polyacetylene |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276845A JPS61276845A (en) | 1986-12-06 |
| JPH0623288B2 true JPH0623288B2 (en) | 1994-03-30 |
Family
ID=14762702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11949685A Expired - Lifetime JPH0623288B2 (en) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Method for producing n-type polyacetylene |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0623288B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6943400B2 (en) * | 2017-09-08 | 2021-09-29 | 株式会社アロマビット | Method for manufacturing conductive polymer film |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11949685A patent/JPH0623288B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61276845A (en) | 1986-12-06 |
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