JPH06232384A - Photoelectron field-effect transistor - Google Patents
Photoelectron field-effect transistorInfo
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- JPH06232384A JPH06232384A JP5015720A JP1572093A JPH06232384A JP H06232384 A JPH06232384 A JP H06232384A JP 5015720 A JP5015720 A JP 5015720A JP 1572093 A JP1572093 A JP 1572093A JP H06232384 A JPH06232384 A JP H06232384A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光電子電界効果型トラ
ンジスタに関し、特にマイクロ波信号を光信号へ変換す
る光電子電界効果型トランジスタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectron field effect transistor, and more particularly to a photoelectron field effect transistor for converting a microwave signal into an optical signal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年大容量の情報を伝達する手段とし
て、光通信技術が注目されている。特に、光ファイバの
発達により、光の強度変化（強度変調）によって情報を
伝達する方式が実用化されている。このような光通信技
術では、大容量の情報を伝達するために、光信号とマイ
クロ波信号との相互変換が必要となる。マイクロ波信号
を光信号に変換し、また光信号からマイクロ波信号へ変
換する従来の方法として、レーザ発振器やフォトダイオ
ードが用いられている。2. Description of the Related Art In recent years, optical communication technology has attracted attention as a means for transmitting a large amount of information. In particular, with the development of optical fibers, a method of transmitting information by changing the intensity of light (intensity modulation) has been put into practical use. Such optical communication technology requires mutual conversion between an optical signal and a microwave signal in order to transmit a large amount of information. Laser oscillators and photodiodes have been used as conventional methods for converting a microwave signal into an optical signal and converting an optical signal into a microwave signal.
【０００３】また、更に大容量の情報を伝達するため
に、光の振幅、周波数、あるいは位相を変調し信号を伝
達する研究もなされている。光の振幅、周波数、あるい
は位相を変調するための光変調器として、ニオブ酸リチ
ウム結晶を用いた光導波路や、Mach-Zehnderを用いた光
干渉計などが用いられている。Further, in order to transmit a larger amount of information, research has been conducted on transmitting a signal by modulating the amplitude, frequency or phase of light. As an optical modulator for modulating the amplitude, frequency, or phase of light, an optical waveguide using a lithium niobate crystal, an optical interferometer using a Mach-Zehnder, etc. are used.
【０００４】マイクロ波信号を効率よく光信号に変換し
たり、変換機器を汎用し、取り扱いを容易にするため
に、マイクロ波を増幅する増幅器とレーザ発振器やフォ
トダイオードとを複合化、集積化することが検討されて
いる。これらは、ＯＥＩＣ（光電子集積回路）として実
用化されつつある。In order to efficiently convert a microwave signal into an optical signal, to use a general-purpose conversion device, and to facilitate handling, an amplifier for amplifying a microwave and a laser oscillator or a photodiode are combined and integrated. Is being considered. These are being put to practical use as OEICs (optical electronic integrated circuits).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術におい
て、光波の振幅、周波数、及び位相を変調する方法につ
いても集積化が検討されてはいるが、ニオブ酸リチウム
結晶を用いた光導波路とＧａＡｓやＩｎＰ半導体を用い
たレーザ発振器とは材質が異なっている。このため、同
一基板上にレーザ発振器と光導波路などの一体化や集積
化が困難であり、実現されていなかった。In the above-mentioned prior art, integration of a method for modulating the amplitude, frequency and phase of a light wave has been examined, but an optical waveguide using a lithium niobate crystal and a GaAs are used. The material is different from the laser oscillator using the InP semiconductor. Therefore, it has been difficult to integrate or integrate the laser oscillator and the optical waveguide on the same substrate, which has not been realized.
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、マイクロ波
の増幅作用と光変調作用とを有する光電子電界効果型ト
ランジスタを提供することにある。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a photoelectron field effect transistor having a microwave amplifying action and a light modulating action. .
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の光電子電界効果
型トランジスタは、半導体基板と、半導体基板上に形成
された活性層と、活性層上に形成されたソース、ドレイ
ン、及びゲート電極と、半導体基板と活性層との間に設
けられた活性層の屈折率よりも小さい屈折率を有する半
導体クラッド層とを有し、該ゲート電極に印加したマイ
クロ波信号によって、該活性層に入射した光信号を変調
させることにより上記目的が達せられる。A photoelectron field effect transistor according to the present invention comprises a semiconductor substrate, an active layer formed on the semiconductor substrate, a source, a drain, and a gate electrode formed on the active layer. A semiconductor clad layer having a refractive index smaller than that of the active layer provided between the semiconductor substrate and the active layer, and light incident on the active layer by a microwave signal applied to the gate electrode. By modulating the signal, the above objective is achieved.
【０００８】[0008]
【作用】本発明の光電子電界効果型トランジスタは、マ
イクロ波の増幅器及び光の位相を変調する光導波路変調
器として同時に機能する。ゲートバイアスを変化させる
と、活性層中のキャリア濃度及び電界が変調される。活
性層は光導波路としても機能するので、キャリア濃度の
変化及び電界の変化は光導波路の屈折率の変化を引き起
こし、光導波路内を伝搬する光信号の位相変調を誘導す
る。The optoelectronic field effect transistor of the present invention simultaneously functions as a microwave amplifier and an optical waveguide modulator for modulating the phase of light. Changing the gate bias modulates the carrier concentration and electric field in the active layer. Since the active layer also functions as an optical waveguide, a change in carrier concentration and a change in electric field cause a change in refractive index of the optical waveguide and induce phase modulation of an optical signal propagating in the optical waveguide.
【０００９】光導波路内の屈折率は、プラズマ効果、バ
ンドギャップ収縮効果、及びバンド充満効果によって印
加電界に応じ変化する。光導波路の電界特性を求める正
確な分析的解法は存在しないが、実効屈折率法、等価回
路法及び変分法のような近似法が提案されている。以下
に実効屈折率法を用いた導波モード及びその伝搬率の計
算を説明する。リブが低く、導波路の周波数がカットオ
フ周波数に近くなく、かつ側スラブの周波数がカットオ
フ周波数よりも高いとき、この方法によって、かなり正
確に計算することが出来る。The refractive index in the optical waveguide changes according to the applied electric field due to the plasma effect, the band gap contraction effect, and the band filling effect. Although there is no accurate analytical solution for obtaining the electric field characteristics of the optical waveguide, approximation methods such as the effective refractive index method, the equivalent circuit method and the variation method have been proposed. The calculation of the guided mode and its propagation coefficient using the effective refractive index method will be described below. When the rib is low, the frequency of the waveguide is not close to the cutoff frequency, and the frequency of the side slab is higher than the cutoff frequency, this method allows a fairly accurate calculation.
【００１０】実効屈折率法において、リブ状の導波路
は、複数の平面スラブ導波路の組合せとして取り扱われ
る。In the effective refractive index method, the rib-shaped waveguide is treated as a combination of a plurality of planar slab waveguides.
【００１１】まず、導波路を３つの平面導波路に分割す
る。図４に示されるように、中央の導波路３１はｔの厚
みを有し、２つの側スラブ領域３２、３３は、ｓの厚み
を有する。それぞれの領域の実効屈折率を計算し、計算
によって求められた実効屈折率が、最終的な左右対象の
スラブ導波路の特性を得るために用いられる。First, the waveguide is divided into three planar waveguides. As shown in FIG. 4, the central waveguide 31 has a thickness of t and the two side slab regions 32, 33 have a thickness of s. The effective refractive index of each region is calculated, and the calculated effective refractive index is used to obtain the final characteristics of the symmetrical slab waveguide.
【００１２】光導波路の異なるモード（ｑ＝０，１，
２，・・・）及び伝搬定数βを求めるために、次式の関
係を満たさなければならない。Different modes of the optical waveguide (q = 0, 1,
2, ...) and the propagation constant β, the following relationship must be satisfied.
【００１３】 （Ｋ0 2ｎ2 2−β2）1/2ａ ＝ｑπ＋ｔａｎ-1（（β2−Ｋ0 2ｎ1 2）／（Ｋ0 2ｎ2 2−β2））1/2 但し、Ｋ0＝ω（μ0ε0）1/2である。 ｎ1からｎ3はそ
れぞれ層３４、３５、３６の屈折率を示し、ａは導波路
の厚さを表す。(K 0 2 n 2 2− β 2 ) 1/2 a = qπ + tan −1 ((β 2 −K 0 2 n 1 2 ) / (K 0 2 n 2 2− β 2 )) 1/2 However, K 0 = ω (μ 0 ε 0 ) 1/2 . n 1 to n 3 indicate the refractive indices of the layers 34, 35 and 36, respectively, and a indicates the thickness of the waveguide.
【００１４】実効屈折率法では、以下の正規化された膜
厚Ｖ、正規化された導波路屈折率ｂ、及び非対称定数ａ
sを用いる。In the effective refractive index method, the following normalized film thickness V, normalized waveguide refractive index b, and asymmetric constant a
Use s .
【００１５】 Ｖ＝Ｋ0ａ（ｎ2 2−ｎ3 2）１／２ ｂ＝（（β２／Ｋ0 2−ｎ3 2）／（ｎ2 2−ｎ3 2） ａs＝（ｎ3 2−ｎ1 2）／（ｎ2 2−ｎ3 2） 結果は以下に示すようにＶ、ｂ、ａsを用いて示され
る。[0015] V = K 0 a (n 2 2 -n 3 2) 1/2 b = ((β 2 / K 0 2 -n 3 2) / (n 2 2 -n 3 2) a s = (n 3 2 -n 1 2) / ( n 2 2 -n 3 2) results as follows V, b, are shown using a s.
【００１６】 （１−ｂ）1/2Ｖ＝ｑπ＋ｔａｎ-1（（ｂ＋ａs）／（１−ｂ））1/2 ＋ｔａｎ-1（ｂ／（１−ｂ））1/2 実効屈折率法では、許可された異なるモード（ｑ＝０，
１，２，３．．）の伝搬定数βを求め、その後、その結
果から３つの平面導波路３１、３２、３３の実効屈折率
ｎeff＝β／Ｋ0を得ることが出来る。これらを用いて、
新しい左右対象のスラブ導波路のモード及び伝搬定数β
を求めることが出来る。この場合、対称導波路は、ＴＭ
に見えるが、対称導波路と基板との屈折率の差がｎ3／
ｎ2〜１と小さい場合は、ＴＥモードの解法が使用でき
る。(1-b) 1/2 V = qπ + tan −1 ((b + a s ) / (1-b)) 1/2 + tan −1 (b / (1-b)) 1/2 effective refractive index method Then the different allowed modes (q = 0,
1, 2, 3. ． ), The effective refractive index n eff = β / K 0 of the three planar waveguides 31, 32, 33 can be obtained from the result. With these,
Modes and propagation constants β of a new symmetric slab waveguide
Can be asked. In this case, the symmetric waveguide is TM
, But the difference in refractive index between the symmetric waveguide and the substrate is n 3 /
If n 2 is as small as 1, a TE mode solution can be used.
【００１７】[0017]
【実施例】以下に、本発明を実施例について説明する。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples.
【００１８】図１は、光変調作用を有する光電子電界効
果型トランジスタの構造を示す。ＧａＡｓ半導体基板１
１上に、バッファ層としてアンドープＧａＡｓ層１２が
形成されており、その上に、光導波路１９のクラッド層
となるアンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層１３が形成され
ている。アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層１３の上に活
性層となるｎ型ＧａＡｓ層１４、１５が形成されてい
る。更にｎ型ＧａＡｓ層１５の上にクラッド層となるア
ンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層１６が形成されており、
アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層１６上にゲート電極１
８が形成されている。ゲート電極１８の両側には、アン
ドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層１６が除去された領域が設
けられ、露出したｎ型ＧａＡｓ層１５上にソース電極及
びドレイン電極１７が形成されている。ソース電極及び
ドレイン電極１７の下方にイオン注入によって、ｎ+Ｇ
ａＡｓ層２０が形成されている。ゲート電極下部のｎ型
ＧａＡｓ層１４、１５中には光導波路１９が形成されて
いる。FIG. 1 shows the structure of a photoelectron field effect transistor having a light modulating effect. GaAs semiconductor substrate 1
1, an undoped GaAs layer 12 is formed as a buffer layer, and an undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer 13 serving as a cladding layer of the optical waveguide 19 is formed thereon. On the undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer 13, n-type GaAs layers 14 and 15 serving as active layers are formed. Further, an undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer 16 serving as a cladding layer is formed on the n-type GaAs layer 15,
The gate electrode 1 is formed on the undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer 16.
8 is formed. Regions where the undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer 16 is removed are provided on both sides of the gate electrode 18, and a source electrode and a drain electrode 17 are formed on the exposed n-type GaAs layer 15. By ion implantation below the source and drain electrodes 17, n + G
The aAs layer 20 is formed. An optical waveguide 19 is formed in the n-type GaAs layers 14 and 15 below the gate electrode.
【００１９】本発明の光電子電界効果型トランジスタに
よれば、ゲート電極１８に印加されたマイクロ波信号に
よって、ソース電極及びドレイン電極１７の間を流れる
電流を変調することができる。この変調作用は、従来の
電界効果型トランジスタが有する電流増幅作用と同じ変
調作用である。また、ゲート電極１８にマイクロ波信号
を印加することによって、光導波路１９内のキャリア濃
度が変化し、光導波路１９の電界が変調される。電界の
変化は光導波路の屈折率の変化を引き起こすため、ゲー
ト電極１８に印加されたマイクロ波信号は、光導波路１
９内に入射された光信号の位相を変調させることができ
る。According to the photoelectron field effect transistor of the present invention, the microwave signal applied to the gate electrode 18 can modulate the current flowing between the source electrode and the drain electrode 17. This modulation action is the same as the current amplification action of the conventional field effect transistor. Moreover, by applying a microwave signal to the gate electrode 18, the carrier concentration in the optical waveguide 19 changes, and the electric field of the optical waveguide 19 is modulated. Since the change of the electric field causes the change of the refractive index of the optical waveguide, the microwave signal applied to the gate electrode 18 is transmitted to the optical waveguide 1.
It is possible to modulate the phase of the optical signal that is made incident inside 9.
【００２０】このように本光電子電界効果型トランジス
タは、マイクロ波を増幅する作用と、光の位相を変調す
る作用を有しているため、従来は実現が困難であった電
流増幅器と光変調器との一体化が可能となる。As described above, the present photoelectron field effect transistor has a function of amplifying microwaves and a function of modulating the phase of light, so that it is difficult to realize the current amplifier and the optical modulator in the related art. Can be integrated with.
【００２１】図１に示される光電子電界効果型トランジ
スタは、従来の電界効果型トランジスタと同様の製造工
程を用いて作製される。The photoelectron field effect transistor shown in FIG. 1 is manufactured using the same manufacturing process as a conventional field effect transistor.
【００２２】分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）や
有機金属化学気層堆積法（ＭＯＣＶＤ）などによって、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に半導体エピタキシャル層
を堆積する。まず、アンドープＧａＡｓ層（厚さ１．０
μｍ）１２をバッファ層として半絶縁性ＧａＡｓ基板１
１上に堆積する。続いて、クラッド層として、アンドー
プＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層（厚さ１．５μｍ）１３をアン
ドープＧａＡｓ層１２の上に堆積する。更に、キャリア
濃度３×１０17／ｃｍ3のｎ型ＧａＡｓ層（厚さ３０ｎ
ｍ）１４及び、キャリア濃度１×１０17／ｃｍ3のｎ型
ＧａＡｓ層（厚さ２０ｎｍ）１５を堆積する。これらの
ｎ型ＧａＡｓ層１４、１５は、チャネルとして作用する
と共に光導波路としても作用する。その後、クラッド層
としてアンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層（厚さ０．１μ
ｍ）１６を堆積する。By the molecular beam epitaxial growth method (MBE) or the metal organic chemical vapor deposition method (MOCVD),
A semiconductor epitaxial layer is deposited on the semi-insulating GaAs substrate 11. First, an undoped GaAs layer (thickness 1.0
μm) 12 as a buffer layer and a semi-insulating GaAs substrate 1
1 deposited on top. Subsequently, an undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer (thickness: 1.5 μm) 13 is deposited on the undoped GaAs layer 12 as a clad layer. Furthermore, an n-type GaAs layer having a carrier concentration of 3 × 10 17 / cm 3 (thickness: 30 n
m) 14 and an n-type GaAs layer (thickness 20 nm) 15 having a carrier concentration of 1 × 10 17 / cm 3 are deposited. These n-type GaAs layers 14 and 15 act as a channel as well as an optical waveguide. After that, an undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer (having a thickness of 0.1 μm) was formed as a cladding layer.
m) deposit 16.
【００２３】次に、リブ構造とするため、クエン酸系の
エッチング液を用いて、アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
層１６を図１に示すようにｎ型ＧａＡｓ層１５の表面が
露出するまでエッチングする。露出したｎ型ＧａＡｓ層
１５の表面から、少なくともアンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ層１３に達する注入エネルギでほう素イオンを注入
しｎ+ＧａＡｓ領域２０を形成する。Next, in order to form a rib structure, an undoped Al 0.3 Ga 0.7 As is used by using a citric acid-based etching solution.
Layer 16 is etched until the surface of n-type GaAs layer 15 is exposed as shown in FIG. From the exposed surface of the n-type GaAs layer 15, at least undoped Al 0.3 Ga 0.7
Boron ions are implanted with the implantation energy reaching the As layer 13 to form the n + GaAs region 20.
【００２４】続いて、ゲート長２μｍ、ゲート幅１００
μｍのゲート電極１８を形成する。ゲート電極１８は、
Ｔｉ５０ｎｍ／Ａｌ４００ｎｍからなる２層の金属膜を
アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層１６上に連続して蒸着
させることにより形成される。その後、ソース電極及び
ドレイン電極１７をｎ+ＧａＡｓ領域２０上に形成す
る。これらの電極１７は、Ａｕ−Ｇｅ合金１００ｎｍ、
Ｎｉ１５ｎｍ、及びＡｕ１００ｎｍを順次蒸着すること
によって、形成される。ソース及びドレイン電極形成
後、４３０℃で３０秒間加熱し、アロイを行う。Subsequently, the gate length is 2 μm and the gate width is 100.
A μm gate electrode 18 is formed. The gate electrode 18 is
It is formed by successively depositing a two-layer metal film of Ti 50 nm / Al 400 nm on the undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer 16. After that, the source and drain electrodes 17 are formed on the n + GaAs region 20. These electrodes 17 are Au-Ge alloy 100 nm,
It is formed by sequentially depositing Ni 15 nm and Au 100 nm. After forming the source and drain electrodes, the alloy is heated by heating at 430 ° C. for 30 seconds.
【００２５】最後に窒化ケイ素膜を素子全体に１００ｎ
ｍ堆積し、保護膜を形成する。Finally, a silicon nitride film is formed on the entire device to 100 n.
m to deposit a protective film.
【００２６】なお、ｎ型ＧａＡｓ層１４、１５の光導波
路１９は、図４に示すように側リブを設け、より強力に
光を閉じこめることもできる。The optical waveguides 19 of the n-type GaAs layers 14 and 15 may be provided with side ribs as shown in FIG. 4 to confine light more strongly.
【００２７】導波路内への光の導入は、従来技術を用い
て達成される。図２は、光源及び本発明による光電子電
界効果型トランジスタを有する集積装置を示している。
半導体基板１１上にレーザ発振器２１と光電子電界効果
型トランジスタ２２とが形成されている。レーザ発振器
２１は、ＧａＡｓ活性層を有し赤外光を発振する。レー
ザ発振器２１で発振されたレーザ光は、光電子電界効果
型トランジスタ２２の光導波路へ導かれる。光導波路へ
導入されたレーザ光は、上述したようにゲート電極に印
加されたマイクロ波によって位相が変調される。この集
積装置は従来技術のＯＥＩＣ作製技術を用いて形成する
ことができる。また、図３に示すように、外部光源２
１、光電子電界効果型トランジスタ２２、及び出力端子
２３を有する構造の集積装置とすることもできる。The introduction of light into the waveguide is accomplished using conventional techniques. FIG. 2 shows an integrated device having a light source and a photoelectron field effect transistor according to the invention.
A laser oscillator 21 and a photoelectron field effect transistor 22 are formed on a semiconductor substrate 11. The laser oscillator 21 has a GaAs active layer and oscillates infrared light. The laser light oscillated by the laser oscillator 21 is guided to the optical waveguide of the photoelectron field effect transistor 22. The phase of the laser light introduced into the optical waveguide is modulated by the microwave applied to the gate electrode as described above. This integrated device can be formed using conventional OEIC fabrication techniques. In addition, as shown in FIG.
1, an integrated device having a structure including the photoelectron field effect transistor 22 and the output terminal 23.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によれば、ゲート電極に印加され
たマイクロ波信号によって、活性層に入射した光信号の
位相を変調することが出来る。またソース電極とドレイ
ン電極との間に流れる電流をゲート電極に印加されたマ
イクロ波信号によって変調する電流増幅作用も有する。
本発明の光電子電界効果型トランジスタは、半導体レー
ザに用いられる種々の半導体層を用いて作製することが
出来るので、レーザ発振器と同一の基板に形成された集
積装置とすることが出来る。According to the present invention, the phase of the optical signal incident on the active layer can be modulated by the microwave signal applied to the gate electrode. It also has a current amplifying effect of modulating the current flowing between the source electrode and the drain electrode by the microwave signal applied to the gate electrode.
Since the photoelectron field effect transistor of the present invention can be manufactured using various semiconductor layers used for a semiconductor laser, it can be an integrated device formed on the same substrate as a laser oscillator.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の一実施例を示すものであって、光電子
電界効果型トランジスタの模式的構造を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention and is a diagram showing a schematic structure of a photoelectron field effect transistor.
【図２】本発明の一実施例を示すものであって、光電子
電界効果型トランジスタと光源が集積された構造を示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of the present invention and is a diagram showing a structure in which a photoelectron field effect transistor and a light source are integrated.
【図３】本発明の一実施例を示すものであって、光電子
電界効果型トランジスタと外部光源とを備えた集積装置
を示す図である。FIG. 3 shows an embodiment of the present invention and is a diagram showing an integrated device including a photoelectron field effect transistor and an external light source.
【図４】本発明の一実施例を示すものであって、光導波
路の構造を説明する図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the structure of the optical waveguide according to the embodiment of the present invention.
１１ ＧａＡｓ基板 １２ アンドープＧａＡｓ層 １３ アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層 １４ ｎ型ＧａＡｓ層 １５ ｎ型ＧａＡｓ層 １６ アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層 １７ ソース及びドレイン電極 １８ ゲート電極 １９ 光導波路 ２０ ｎ+ＧａＡｓ領域11 GaAs substrate 12 undoped GaAs layer 13 undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer 14 n-type GaAs layer 15 n-type GaAs layer 16 undoped Al 0.3 Ga 0.7 As layer 17 source and drain electrode 18 gate electrode 19 optical waveguide 20 n + GaAs region
Claims (1)
れた活性層と、該活性層上に形成されたソース、ドレイ
ン、及びゲート電極と、該半導体基板と該活性層との間
に設けられた該活性層の屈折率よりも小さい屈折率を有
する半導体クラッド層とを有し、 該ゲート電極に印加したマイクロ波信号によって、該活
性層に入射した光信号を変調させる光電子電界効果型ト
ランジスタ。1. A semiconductor substrate, an active layer formed on the semiconductor substrate, source, drain, and gate electrodes formed on the active layer, and provided between the semiconductor substrate and the active layer. And a semiconductor cladding layer having a refractive index smaller than that of the active layer, wherein the microwave signal applied to the gate electrode modulates the optical signal incident on the active layer. .
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|---|---|---|---|
| JP05015720A JP3109934B2 (en) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | Photoelectron field effect transistor |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP05015720A JP3109934B2 (en) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | Photoelectron field effect transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232384A true JPH06232384A (en) | 1994-08-19 |
| JP3109934B2 JP3109934B2 (en) | 2000-11-20 |
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| JP05015720A Expired - Fee Related JP3109934B2 (en) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | Photoelectron field effect transistor |
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|---|---|
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