JPH06232236A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPH06232236A JPH06232236A JP20773991A JP20773991A JPH06232236A JP H06232236 A JPH06232236 A JP H06232236A JP 20773991 A JP20773991 A JP 20773991A JP 20773991 A JP20773991 A JP 20773991A JP H06232236 A JPH06232236 A JP H06232236A
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- wafer
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- diameter
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関する。年々，ウエハーの大口径化が進み，半導体装置
製造ラインも大口径ウエハーラインに置換されて行く趨
勢にあるが，製造の現場では小口径ウエハーラインも依
然として存在し，小口径ウエハーを大口径ウエハーライ
ンで流す要求が出て来ている。例えば，ゲートアレイ方
式の集積回路を形成する際，バルク工程は小口径ウエハ
ーラインで流してトランジスタ形成を完了しておき，そ
の後の配線工程は大口径ウエハーラインで流したいとい
った要求が出て来る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device. The diameter of wafers is increasing year by year, and there is a trend to replace the semiconductor device manufacturing line with a large-diameter wafer line, but there is still a small-diameter wafer line at the manufacturing site. There is a request to stream in. For example, when forming a gate array type integrated circuit, there is a demand that a bulk process is performed on a small-diameter wafer line to complete transistor formation, and a wiring process thereafter is performed on a large-diameter wafer line.
【０００２】それ故，小口径ウエハーを大口径ウエハー
ラインで流すことができれば，半導体装置製造上の設備
の融通性が増して，手待ち時間を解消し，半導体装置納
入の納期を早める上で極めて効果的である。Therefore, if a small-diameter wafer can be flown in a large-diameter wafer line, the flexibility of the equipment for manufacturing the semiconductor device is increased, the waiting time is eliminated, and the delivery time of the semiconductor device is shortened. It is effective.
【０００３】[0003]
【従来の技術】従来技術では製造ラインにより取り扱え
るウエハーの口径が決まっており，異なる口径のウエハ
ーを流すためには，治具交換及びウエハー搬送系の調整
等が必要となり，異なる口径のウエハーを流すのは大変
に困難であった。2. Description of the Related Art In the prior art, the diameters of wafers that can be handled are determined by the manufacturing line, and in order to flow wafers of different diameters, jig replacement and adjustment of the wafer transfer system are required, and wafers of different diameters are flown. It was very difficult.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，たとえ小口径ウエハーであっても，それを外形が
大口径ウエハーに等しい外枠に固定して，実用上大口径
ウエハーラインに流せるようにする方法の提供を目的と
する。In view of the above problems, the present invention, even for a small-diameter wafer, is fixed to an outer frame whose outer shape is equal to that of the large-diameter wafer so that it can be practically used as a large-diameter wafer line. The purpose is to provide a way to make it flowable.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】図１(a) 〜(c) は第１の
実施例を示す平面図と断面図，図２(a) 〜(c) は第２の
実施例を示す平面図と断面図である。1 (a) to 1 (c) are plan views and sectional views showing a first embodiment, and FIGS. 2 (a) to 2 (c) are plane views showing a second embodiment. It is a figure and a sectional view.
【０００６】上記課題は，大口径ウエハー２, ６の一部
をエッチングして除去し，小口径ウエハーの形状の孔部
或いは凹部を有する大口径ウエハーの枠2b, 6bを形成す
る工程と, 該孔部或いは該凹部に小口径ウエハー１, ５
を挿入した後，該小口径ウエハー１, ５を該大口径ウエ
ハーの枠2b, 6bに接合して，擬似大口径ウエハーを形成
する工程を有し，該擬似大口径ウエハーを大口径ウエハ
ー半導体装置製造ラインに流す半導体装置の製造方法に
よって解決される。The above-mentioned problem is to remove a part of the large-diameter wafers 2 and 6 by etching to form the large-diameter wafer frames 2b and 6b having holes or recesses in the shape of the small-diameter wafer, Small-diameter wafers 1, 5 in the holes or the recesses
After inserting the small-diameter wafers 1 and 5 to the frames 2b and 6b of the large-diameter wafer to form a pseudo-large-diameter wafer, the pseudo-large-diameter wafer is used as a large-diameter wafer semiconductor device. This is solved by a method of manufacturing a semiconductor device which is supplied to a manufacturing line.
【０００７】また，該小口径ウエハー１と該大口径ウエ
ハーの枠2bをレーザで溶融して接合する半導体装置の製
造方法によって解決される。Further, the problem can be solved by a method of manufacturing a semiconductor device in which the frame 2b of the small-diameter wafer 1 and the large-diameter wafer 1 are melted and bonded by a laser.
【０００８】[0008]
【作用】本発明では，小口径ウエハーの外側に大口径ウ
エハーの枠を配置するようにして，あたかも大口径ウエ
ハーの如く見なして大口径ウエハー半導体装置製造ライ
ンに流すようにしている。In the present invention, the frame of the large-diameter wafer is arranged outside the small-diameter wafer so that the wafer is regarded as a large-diameter wafer and is supplied to the large-diameter wafer semiconductor device manufacturing line.
【０００９】大口径ウエハーの枠を小口径ウエハーと同
じ材料で作るようにすれば，熱膨張や熱伝導の差による
内部歪みの発生もなくなる。また，小口径ウエハーの大
口径ウエハーの枠への接合は，レーザによる溶融接合に
より行うようにすれば，極く小面積の加熱で済み，例え
ば小口径ウエハーに既に形成されている素子に悪影響を
及ぼすことがない。If the frame of the large-diameter wafer is made of the same material as that of the small-diameter wafer, the internal strain due to thermal expansion and the difference in thermal conduction is eliminated. Further, if the bonding of the small-diameter wafer to the frame of the large-diameter wafer is carried out by fusion bonding with a laser, heating of an extremely small area is sufficient, and for example, the elements already formed on the small-diameter wafer are adversely affected. It has no effect.
【００１０】[0010]
【実施例】図１(a) 〜(c) は第１の実施例を示す平面図
と断面図であり，これらの図を参照しながら第１の実施
例を説明する。1 (a) to 1 (c) are a plan view and a sectional view showing a first embodiment, and the first embodiment will be described with reference to these drawings.
【００１１】図１(a) 参照 この図は大口径ウエハーの平面図である。２は大口径ウ
エハーで，例えば６インチＳｉウエハーである。1aはそ
の中の領域で, 例えば５インチＳｉに等しい寸法の領域
である。See FIG. 1 (a). This figure is a plan view of a large diameter wafer. A large-diameter wafer 2 is, for example, a 6-inch Si wafer. Reference numeral 1a is a region therein, for example, a region having a size equal to 5 inches Si.
【００１２】図１(b), (c)参照 図１(b), (c)は，それぞれ，擬似大口径ウエハーの平面
図，断面図である。大口径ウエハー（６インチＳｉウエ
ハー）２の中の2aの部分をエッチングして除去し，６イ
ンチＳｉウエハーの枠2bを形成する。除去された部分
は，５インチＳｉウエハー１の寸法にほぼ等しい孔とな
り，５インチＳｉウエハー１を挿入した時，１〜２μｍ
の隙間が生じる程度の大きさとする。1 (b) and 1 (c). FIGS. 1 (b) and 1 (c) are a plan view and a sectional view of a pseudo large diameter wafer, respectively. The portion 2a in the large diameter wafer (6 inch Si wafer) 2 is removed by etching to form the frame 2b of the 6 inch Si wafer. The removed portion becomes a hole having a size substantially equal to the size of the 5-inch Si wafer 1, and when the 5-inch Si wafer 1 is inserted, it is 1-2 μm.
The size should be such that a gap is created.
【００１３】この６インチＳｉウエハーの枠2bに，５イ
ンチＳｉウエハー１を挿入する。５インチＳｉウエハー
１は，例えばバルク工程を終えて素子が形成されてい
る。５インチＳｉウエハー１の厚さと６インチＳｉウエ
ハー２の厚さは等しく，６インチＳｉウエハーの枠2bと
５インチＳｉウエハー１の表面は同じ高さとなるように
する。The 5-inch Si wafer 1 is inserted into the frame 2b of the 6-inch Si wafer. The 5-inch Si wafer 1 has elements formed after, for example, a bulk process. The thickness of the 5-inch Si wafer 1 and the thickness of the 6-inch Si wafer 2 are equal so that the frame 2b of the 6-inch Si wafer and the surface of the 5-inch Si wafer 1 have the same height.
【００１４】５インチＳｉウエハー１のほぼ全域をレジ
ストカバー４で保護した後，６インチＳｉウエハーの枠
2bと５インチＳｉウエハー１を, その境界にレーザを照
射することにより，溶融して接合する。３はレーザ接合
部を表し，例えばＳｉウエハー１の外周３箇所を接合す
る。その後，レジストカバー４を除去する。After the resist cover 4 protects almost the entire area of the 5-inch Si wafer 1, a frame of the 6-inch Si wafer is formed.
The 2b and 5 inch Si wafers 1 are melted and bonded by irradiating the boundary with a laser. Reference numeral 3 represents a laser bonding portion, and for example, three outer peripheral portions of the Si wafer 1 are bonded. After that, the resist cover 4 is removed.
【００１５】溶融する際，つなぎとしてＳｉ粉末を接合
部に供給してやってもよい。図２(a) 〜(c) は第２の実
施例を示す平面図と断面図であり，これらの図を参照し
ながら第２の実施例を説明する。When melting, Si powder may be supplied to the joint as a joint. 2A to 2C are a plan view and a sectional view showing a second embodiment, and the second embodiment will be described with reference to these drawings.
【００１６】図２(a) 参照 この図は大口径ウエハーの平面図である。６は大口径ウ
エハーで，例えば６インチＳｉウエハーである。6aはそ
の中の領域で, 例えば５インチＳｉに等しい寸法の領域
である。See FIG. 2 (a). This figure is a plan view of a large diameter wafer. A large-diameter wafer 6 is, for example, a 6-inch Si wafer. 6a is an area therein, for example, an area having a size equal to 5 inches Si.
【００１７】図２(b), (c)参照 図２(b), (c)は，それぞれ，擬似大口径ウエハーの平面
図，断面図である。大口径ウエハー（６インチＳｉウエ
ハー）６の中の6aの部分をエッチングして除去し凹部を
形成し，６インチＳｉウエハーの枠6bを形成する。凹部
は５インチＳｉウエハー５の寸法にほぼ等しい。2 (b) and 2 (c). FIGS. 2 (b) and 2 (c) are a plan view and a sectional view, respectively, of a pseudo large diameter wafer. A portion 6a in the large-diameter wafer (6 inch Si wafer) 6 is removed by etching to form a recess, thereby forming a frame 6b of the 6 inch Si wafer. The recess is approximately equal to the dimensions of the 5 inch Si wafer 5.
【００１８】５インチＳｉウエハー５を凹部に挿入す
る。５インチＳｉウエハー５は，例えばバルク工程を終
えて素子が形成されている。６インチＳｉウエハー６の
厚さは５インチＳｉウエハー５の厚さより若干大きく，
５インチＳｉウエハー５を凹部に挿入した時，６インチ
Ｓｉウエハーの枠6bの表面の高さと５インチＳｉウエハ
ー５の表面の高さが等しくなるようにする。A 5-inch Si wafer 5 is inserted into the recess. The 5-inch Si wafer 5 has elements formed after, for example, a bulk process. The thickness of the 6-inch Si wafer 6 is slightly larger than that of the 5-inch Si wafer 5,
When the 5-inch Si wafer 5 is inserted into the recess, the height of the surface of the frame 6b of the 6-inch Si wafer is made equal to the height of the surface of the 5-inch Si wafer 5.
【００１９】また，６インチＳｉウエハー６の厚さは５
インチＳｉウエハー５の厚さと同じくし，５インチＳｉ
ウエハー５を凹部に挿入した時，５インチＳｉウエハー
５の表面の高さが，６インチＳｉウエハーの枠6bの表面
の高さより若干高くなるようにしても差支えない。The thickness of the 6-inch Si wafer 6 is 5
Same as the thickness of 5 inch Si wafer, 5 inch Si
When the wafer 5 is inserted into the recess, the height of the surface of the 5-inch Si wafer 5 may be slightly higher than the height of the surface of the frame 6b of the 6-inch Si wafer.
【００２０】５インチＳｉウエハー５のほぼ全域をＳｉ
Ｎカバー８で保護した後，酸素を含む雰囲気で加熱し
て，５インチＳｉウエハー５と６インチＳｉウエハーの
枠6bの境界に酸化膜７を形成し，５インチＳｉウエハー
５と６インチＳｉウエハーの枠6bを接合する。加熱温度
は，５インチＳｉウエハー５に既に形成されている素子
に悪影響を及ぼさない温度で，例えば800 ℃以下とす
る。Si is formed on almost the entire area of the 5-inch Si wafer 5.
After protecting with N cover 8, it is heated in an atmosphere containing oxygen to form an oxide film 7 at the boundary between the frame 6b of the 5-inch Si wafer 5 and the 6-inch Si wafer, and then the 5-inch Si wafer 5 and the 6-inch Si wafer are formed. Join the frame 6b. The heating temperature is a temperature that does not adversely affect the elements already formed on the 5-inch Si wafer 5, and is, for example, 800 ° C. or less.
【００２１】その後，ＳｉＮカバー８を除去する。ま
た，５インチＳｉウエハー５と６インチＳｉウエハーの
枠6bの境界数カ所に，つなぎとして低融点ガラスの粉末
を供給して，溶着するようにしてもよい。After that, the SiN cover 8 is removed. Further, powder of low melting point glass may be supplied and welded to several points of the boundary between the frame 6b of the 5-inch Si wafer 5 and the 6-inch Si wafer as a joint.
【００２２】第１の実施例または第２の実施例により，
擬似６インチＳｉウエハーが形成できた。その後，この
擬似６インチＳｉウエハーを，６インチウエハー半導体
装置製造ラインに流して，例えば配線工程を行う。According to the first embodiment or the second embodiment,
A pseudo 6 inch Si wafer could be formed. After that, the pseudo 6-inch Si wafer is flown to the 6-inch wafer semiconductor device manufacturing line and, for example, a wiring process is performed.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば小
口径ウエハーをあたかも大口径ウエハーの如くみなし
て，大口径ウエハーラインに流すことができる。As described above, according to the present invention, it is possible to treat a small-diameter wafer as if it were a large-diameter wafer and flow it to a large-diameter wafer line.
【００２４】本発明により，半導体装置製造上の設備の
融通性が増して，手待ち時間が解消し，半導体装置納入
の納期を早めるという大きな効果を奏することができ
る。According to the present invention, the flexibility of facilities for manufacturing semiconductor devices is increased, the waiting time for hands is eliminated, and the delivery time of semiconductor devices can be shortened.
【００２５】[0025]
【００２６】[0026]
【図１】(a) 〜(c) は第１の実施例を示す平面図と断面
図である。1A to 1C are a plan view and a cross-sectional view showing a first embodiment.
【００２７】[0027]
【図２】(a) 〜(c) は第２の実施例を示す平面図と断面
図である。2A to 2C are a plan view and a sectional view showing a second embodiment.
【００２８】[0028]
１は小口径ウエハーであって５インチＳｉウエハー ２は大口径ウエハーであって６インチＳｉウエハー 2aは５インチＳｉウエハーの領域 2bは６インチＳｉウエハーの枠 ３はレーザ接合部 ４はレジストカバー ５は小口径ウエハーであって５インチＳｉウエハー ６は大口径ウエハーであって６インチＳｉウエハー 6aは５インチＳｉウエハーの領域 6bは６インチＳｉウエハーの枠 ７は酸化膜 ８はＳｉＮカバー 1 is a small-diameter wafer and 5 inch Si wafer 2 is a large-diameter wafer and 6 inch Si wafer 2a is 5 inch Si wafer area 2b is 6 inch Si wafer frame 3 Laser junction 4 is resist cover 5 Is a small diameter wafer 5 inch Si wafer 6 is a large diameter wafer 6 inch Si wafer 6a is a 5 inch Si wafer area 6b is a 6 inch Si wafer frame 7 is an oxide film 8 is an SiN cover
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年８月１８日[Submission date] August 18, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】発明の詳細な説明[Name of item to be amended] Detailed explanation of the invention
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関する。年々，ウエハーの大口径化が進み，半導体装置
製造ラインも大口径ウエハーラインに置換されて行く趨
勢にあるが，製造の現場では小口径ウエハーラインも依
然として存在し，小口径ウエハーを大口径ウエハーライ
ンで流す要求が出て来ている。例えば，ゲートアレイ方
式の集積回路を形成する際，バルク工程は小口径ウエハ
ーラインで流してトランジスタ形成を完了しておき，そ
の後の配線工程は大口径ウエハーラインで流したいとい
った要求が出て来る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device. The diameter of wafers is increasing year by year, and there is a trend to replace the semiconductor device manufacturing line with a large-diameter wafer line, but there is still a small-diameter wafer line at the manufacturing site. There is a request to stream in. For example, when forming a gate array type integrated circuit, there is a demand that a bulk process is performed on a small-diameter wafer line to complete transistor formation, and a wiring process thereafter is performed on a large-diameter wafer line.
【０００２】それ故，小口径ウエハーを大口径ウエハー
ラインで流すことができれば，半導体装置製造上の設備
の融通性が増して，手待ち時間を解消し，半導体装置納
入の納期を早める上で極めて効果的である。Therefore, if a small-diameter wafer can be flown in a large-diameter wafer line, the flexibility of the equipment for manufacturing the semiconductor device is increased, the waiting time is eliminated, and the delivery time of the semiconductor device is shortened. It is effective.
【０００３】[0003]
【従来の技術】従来技術では製造ラインにより取り扱え
るウエハーの口径が決まっており，異なる口径のウエハ
ーを流すためには，治具交換及びウエハー搬送系の調整
等が必要となり，異なる口径のウエハーを流すのは大変
に困難であった。2. Description of the Related Art In the prior art, the diameters of wafers that can be handled are determined by the manufacturing line, and in order to flow wafers of different diameters, jig replacement and adjustment of the wafer transfer system are required, and wafers of different diameters are flown. It was very difficult.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，たとえ小口径ウエハーであっても，それを外形が
大口径ウエハーに等しい外枠に固定して，実用上大口径
ウエハーラインに流せるようにする方法の提供を目的と
する。In view of the above problems, the present invention, even for a small-diameter wafer, is fixed to an outer frame whose outer shape is equal to that of the large-diameter wafer so that it can be practically used as a large-diameter wafer line. The purpose is to provide a way to make it flowable.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】図１(a) 〜(c) は第１の
実施例を示す平面図と断面図，図２(a) 〜(c) は第２の
実施例を示す平面図と断面図である。1 (a) to 1 (c) are plan views and sectional views showing a first embodiment, and FIGS. 2 (a) to 2 (c) are plane views showing a second embodiment. It is a figure and a sectional view.
【０００６】上記課題は，大口径ウエハー２, ６の一部
をエッチングして除去し，小口径ウエハーの形状の孔部
或いは凹部を有する大口径ウエハーの枠2b, 6bを形成す
る工程と, 該孔部或いは該凹部に小口径ウエハー１, ５
を挿入した後，該小口径ウエハー１, ５を該大口径ウエ
ハーの枠2b, 6bに接合して，擬似大口径ウエハーを形成
する工程を有し，該擬似大口径ウエハーを大口径ウエハ
ー半導体装置製造ラインに流す半導体装置の製造方法に
よって解決される。The above-mentioned problem is to remove a part of the large-diameter wafers 2 and 6 by etching to form the large-diameter wafer frames 2b and 6b having holes or recesses in the shape of the small-diameter wafer, Small-diameter wafers 1, 5 in the holes or the recesses
After inserting the small-diameter wafers 1 and 5 to the frames 2b and 6b of the large-diameter wafer to form a pseudo-large-diameter wafer, the pseudo-large-diameter wafer is used as a large-diameter wafer semiconductor device. This is solved by a method of manufacturing a semiconductor device which is supplied to a manufacturing line.
【０００７】また，該小口径ウエハー１と該大口径ウエ
ハーの枠2bをレーザで溶融して接合する半導体装置の製
造方法によって解決される。Further, the problem can be solved by a method of manufacturing a semiconductor device in which the frame 2b of the small-diameter wafer 1 and the large-diameter wafer 1 are melted and bonded by a laser.
【０００８】[0008]
【作用】本発明では，小口径ウエハーの外側に大口径ウ
エハーの枠を配置するようにして，あたかも大口径ウエ
ハーの如く見なして大口径ウエハー半導体装置製造ライ
ンに流すようにしている。In the present invention, the frame of the large-diameter wafer is arranged outside the small-diameter wafer so that the wafer is regarded as a large-diameter wafer and is supplied to the large-diameter wafer semiconductor device manufacturing line.
【０００９】大口径ウエハーの枠を小口径ウエハーと同
じ材料で作るようにすれば，熱膨張や熱伝導の差による
内部歪みの発生もなくなる。また，小口径ウエハーの大
口径ウエハーの枠への接合は，レーザによる溶融接合に
より行うようにすれば，極く小面積の加熱で済み，例え
ば小口径ウエハーに既に形成されている素子に悪影響を
及ぼすことがない。If the frame of the large-diameter wafer is made of the same material as that of the small-diameter wafer, the internal strain due to thermal expansion and the difference in thermal conduction is eliminated. Further, if the bonding of the small-diameter wafer to the frame of the large-diameter wafer is carried out by fusion bonding with a laser, heating of an extremely small area is sufficient, and for example, the elements already formed on the small-diameter wafer are adversely affected. It has no effect.
【００１０】[0010]
【実施例】図１(a) 〜(c) は第１の実施例を示す平面図
と断面図であり，これらの図を参照しながら第１の実施
例を説明する。1 (a) to 1 (c) are a plan view and a sectional view showing a first embodiment, and the first embodiment will be described with reference to these drawings.
【００１１】図１(a) 参照 この図は大口径ウエハーの平面図である。２は大口径ウ
エハーで，例えば６インチＳｉウエハーである。1aはそ
の中の領域で, 例えば５インチＳｉに等しい寸法の領域
である。See FIG. 1 (a). This figure is a plan view of a large diameter wafer. A large-diameter wafer 2 is, for example, a 6-inch Si wafer. Reference numeral 1a is a region therein, for example, a region having a size equal to 5 inches Si.
【００１２】図１(b), (c)参照 図１(b), (c)は，それぞれ，擬似大口径ウエハーの平面
図，断面図である。大口径ウエハー（６インチＳｉウエ
ハー）２の中の2aの部分をエッチングして除去し，６イ
ンチＳｉウエハーの枠2bを形成する。除去された部分
は，５インチＳｉウエハー１の寸法にほぼ等しい孔とな
り，５インチＳｉウエハー１を挿入した時，１〜２μｍ
の隙間が生じる程度の大きさとする。1 (b) and 1 (c). FIGS. 1 (b) and 1 (c) are a plan view and a sectional view of a pseudo large diameter wafer, respectively. The portion 2a in the large diameter wafer (6 inch Si wafer) 2 is removed by etching to form the frame 2b of the 6 inch Si wafer. The removed portion becomes a hole having a size substantially equal to the size of the 5-inch Si wafer 1, and when the 5-inch Si wafer 1 is inserted, it is 1-2 μm.
The size should be such that a gap is created.
【００１３】この６インチＳｉウエハーの枠2bに，５イ
ンチＳｉウエハー１を挿入する。５インチＳｉウエハー
１は，例えばバルク工程を終えて素子が形成されてい
る。５インチＳｉウエハー１の厚さと６インチＳｉウエ
ハー２の厚さは等しく，６インチＳｉウエハーの枠2bと
５インチＳｉウエハー１の表面は同じ高さとなるように
する。The 5-inch Si wafer 1 is inserted into the frame 2b of the 6-inch Si wafer. The 5-inch Si wafer 1 has elements formed after, for example, a bulk process. The thickness of the 5-inch Si wafer 1 and the thickness of the 6-inch Si wafer 2 are equal so that the frame 2b of the 6-inch Si wafer and the surface of the 5-inch Si wafer 1 have the same height.
【００１４】５インチＳｉウエハー１のほぼ全域をレジ
ストカバー４で保護した後，６インチＳｉウエハーの枠
2bと５インチＳｉウエハー１を, その境界にレーザを照
射することにより，溶融して接合する。３はレーザ接合
部を表し，例えばＳｉウエハー１の外周３箇所を接合す
る。その後，レジストカバー４を除去する。After the resist cover 4 protects almost the entire area of the 5-inch Si wafer 1, a frame of the 6-inch Si wafer is formed.
The 2b and 5 inch Si wafers 1 are melted and bonded by irradiating the boundary with a laser. Reference numeral 3 represents a laser bonding portion, and for example, three outer peripheral portions of the Si wafer 1 are bonded. After that, the resist cover 4 is removed.
【００１５】溶融する際，つなぎとしてＳｉ粉末を接合
部に供給してやってもよい。図２(a) 〜(c) は第２の実
施例を示す平面図と断面図であり，これらの図を参照し
ながら第２の実施例を説明する。When melting, Si powder may be supplied to the joint as a joint. 2A to 2C are a plan view and a sectional view showing a second embodiment, and the second embodiment will be described with reference to these drawings.
【００１６】図２(a) 参照 この図は大口径ウエハーの平面図である。６は大口径ウ
エハーで，例えば６インチＳｉウエハーである。6aはそ
の中の領域で, 例えば５インチＳｉに等しい寸法の領域
である。See FIG. 2 (a). This figure is a plan view of a large diameter wafer. A large-diameter wafer 6 is, for example, a 6-inch Si wafer. 6a is an area therein, for example, an area having a size equal to 5 inches Si.
【００１７】図２(b), (c)参照 図２(b), (c)は，それぞれ，擬似大口径ウエハーの平面
図，断面図である。大口径ウエハー（６インチＳｉウエ
ハー）６の中の6aの部分をエッチングして除去し凹部を
形成し，６インチＳｉウエハーの枠6bを形成する。凹部
は５インチＳｉウエハー５の寸法にほぼ等しい。2 (b) and 2 (c). FIGS. 2 (b) and 2 (c) are a plan view and a sectional view, respectively, of a pseudo large diameter wafer. A portion 6a in the large-diameter wafer (6 inch Si wafer) 6 is removed by etching to form a recess, thereby forming a frame 6b of the 6 inch Si wafer. The recess is approximately equal to the dimensions of the 5 inch Si wafer 5.
【００１８】５インチＳｉウエハー５を凹部に挿入す
る。５インチＳｉウエハー５は，例えばバルク工程を終
えて素子が形成されている。６インチＳｉウエハー６の
厚さは５インチＳｉウエハー５の厚さより若干大きく，
５インチＳｉウエハー５を凹部に挿入した時，６インチ
Ｓｉウエハーの枠6bの表面の高さと５インチＳｉウエハ
ー５の表面の高さが等しくなるようにする。A 5-inch Si wafer 5 is inserted into the recess. The 5-inch Si wafer 5 has elements formed after, for example, a bulk process. The thickness of the 6-inch Si wafer 6 is slightly larger than that of the 5-inch Si wafer 5,
When the 5-inch Si wafer 5 is inserted into the recess, the height of the surface of the frame 6b of the 6-inch Si wafer is made equal to the height of the surface of the 5-inch Si wafer 5.
【００１９】また，６インチＳｉウエハー６の厚さは５
インチＳｉウエハー５の厚さと同じくし，５インチＳｉ
ウエハー５を凹部に挿入した時，５インチＳｉウエハー
５の表面の高さが，６インチＳｉウエハーの枠6bの表面
の高さより若干高くなるようにしても差支えない。The thickness of the 6-inch Si wafer 6 is 5
Same as the thickness of 5 inch Si wafer, 5 inch Si
When the wafer 5 is inserted into the recess, the height of the surface of the 5-inch Si wafer 5 may be slightly higher than the height of the surface of the frame 6b of the 6-inch Si wafer.
【００２０】５インチＳｉウエハー５のほぼ全域をＳｉ
Ｎカバー８で保護した後，酸素を含む雰囲気で加熱し
て，５インチＳｉウエハー５と６インチＳｉウエハーの
枠6bの境界に酸化膜７を形成し，５インチＳｉウエハー
５と６インチＳｉウエハーの枠6bを接合する。加熱温度
は，５インチＳｉウエハー５に既に形成されている素子
に悪影響を及ぼさない温度で，例えば800 ℃以下とす
る。Si is formed on almost the entire area of the 5-inch Si wafer 5.
After protecting with N cover 8, it is heated in an atmosphere containing oxygen to form an oxide film 7 at the boundary between the frame 6b of the 5-inch Si wafer 5 and the 6-inch Si wafer, and then the 5-inch Si wafer 5 and the 6-inch Si wafer are formed. Join the frame 6b. The heating temperature is a temperature that does not adversely affect the elements already formed on the 5-inch Si wafer 5, and is, for example, 800 ° C. or less.
【００２１】その後，ＳｉＮカバー８を除去する。ま
た，５インチＳｉウエハー５と６インチＳｉウエハーの
枠6bの境界数カ所に，つなぎとして低融点ガラスの粉末
を供給して，溶着するようにしてもよい。After that, the SiN cover 8 is removed. Further, powder of low melting point glass may be supplied and welded to several points of the boundary between the frame 6b of the 5-inch Si wafer 5 and the 6-inch Si wafer as a joint.
【００２２】第１の実施例または第２の実施例により，
擬似６インチＳｉウエハーが形成できた。その後，この
擬似６インチＳｉウエハーを，６インチウエハー半導体
装置製造ラインに流して，例えば配線工程を行う。According to the first embodiment or the second embodiment,
A pseudo 6 inch Si wafer could be formed. After that, the pseudo 6-inch Si wafer is flown to the 6-inch wafer semiconductor device manufacturing line and, for example, a wiring process is performed.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば小
口径ウエハーをあたかも大口径ウエハーの如くみなし
て，大口径ウエハーラインに流すことができる。As described above, according to the present invention, it is possible to treat a small-diameter wafer as if it were a large-diameter wafer and flow it to a large-diameter wafer line.
【００２４】本発明により，半導体装置製造上の設備の
融通性が増して，手待ち時間が解消し，半導体装置納入
の納期を早めるという大きな効果を奏することができ
る。According to the present invention, the flexibility of facilities for manufacturing semiconductor devices is increased, the waiting time for hands is eliminated, and the delivery time of semiconductor devices can be shortened.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】(a) 〜(c) は第１の実施例を示す平面図と断面
図である。1A to 1C are a plan view and a cross-sectional view showing a first embodiment.
【図２】(a) 〜(c) は第２の実施例を示す平面図と断面
図である。2A to 2C are a plan view and a sectional view showing a second embodiment.
【符号の説明】 １は小口径ウエハーであって５インチＳｉウエハー ２は大口径ウエハーであって６インチＳｉウエハー 2aは５インチＳｉウエハーの領域 2bは６インチＳｉウエハーの枠 ３はレーザ接合部 ４はレジストカバー ５は小口径ウエハーであって５インチＳｉウエハー ６は大口径ウエハーであって６インチＳｉウエハー 6aは５インチＳｉウエハーの領域 6bは６インチＳｉウエハーの枠 ７は酸化膜 ８はＳｉＮカバーDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 is a small-diameter wafer, 5 inch Si wafer, 2 is a large-diameter wafer, 6 inch Si wafer 2a is a 5 inch Si wafer area 2b is a 6 inch Si wafer frame 3 is a laser bonding part 4 is a resist cover 5 is a small diameter wafer and is a 5 inch Si wafer 6 is a large diameter wafer, which is a 6 inch Si wafer 6a is a 5 inch Si wafer area 6b is a 6 inch Si wafer frame 7 is an oxide film 8 SiN cover
Claims (2)
グして除去し，小口径ウエハーの形状の孔部或いは凹部
を有する大口径ウエハーの枠(2b, 6b)を形成する工程
と, 該孔部或いは該凹部に小口径ウエハー(1, 5)を挿入した
後，該小口径ウエハー(1, 5)を該大口径ウエハーの枠(2
b, 6b)に接合して，擬似大口径ウエハーを形成する工程
を有し， 該擬似大口径ウエハーを大口径ウエハー半導体装置製造
ラインに流すことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A step of etching and removing a part of a large diameter wafer (2, 6) to form a large diameter wafer frame (2b, 6b) having holes or recesses in the shape of a small diameter wafer. After inserting the small diameter wafers (1, 5) into the holes or the recesses, the small diameter wafers (1, 5) are inserted into the frame (2) of the large diameter wafer.
b, 6b) to form a pseudo large-diameter wafer, and the pseudo large-diameter wafer is flowed to a large-diameter wafer semiconductor device manufacturing line.
ーの枠(2b)をレーザで溶融して接合することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the frame (2b) of the small-diameter wafer (1) and the large-diameter wafer are melted and bonded by a laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20773991A JPH06232236A (en) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20773991A JPH06232236A (en) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232236A true JPH06232236A (en) | 1994-08-19 |
Family
ID=16544738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20773991A Withdrawn JPH06232236A (en) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232236A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8268699B2 (en) | 2008-04-07 | 2012-09-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer structures and wafer bonding methods |
| CN108766930A (en) * | 2018-06-12 | 2018-11-06 | 成都海威华芯科技有限公司 | A kind of novel convenient and cheap wafer jig production method, wafer jig and application method |
| CN115020301A (en) * | 2022-06-28 | 2022-09-06 | 乂易半导体科技(无锡)有限公司 | Method for applying small-size wafer to large-size wafer etching equipment |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP20773991A patent/JPH06232236A/en not_active Withdrawn
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| CN115020301B (en) * | 2022-06-28 | 2024-05-24 | 乂易半导体科技(无锡)有限公司 | Method for applying small-size wafer to large-size wafer etching equipment |
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