JPH06232138A - 加熱アニール装置 - Google Patents
加熱アニール装置Info
- Publication number
- JPH06232138A JPH06232138A JP1612693A JP1612693A JPH06232138A JP H06232138 A JPH06232138 A JP H06232138A JP 1612693 A JP1612693 A JP 1612693A JP 1612693 A JP1612693 A JP 1612693A JP H06232138 A JPH06232138 A JP H06232138A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- susceptor
- heating
- heater
- auxiliary heater
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は加熱アニール時のウェハ周辺部の温
度降下を抑制し、ウェハ歪みがなく、均一性の高いアニ
ールを実現することを目的としている。 【構成】 本発明における加熱アニール装置では、従来
装置で用いられているウェハ全体を加熱するヒータの他
に、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータを備えたもので
ある。 【効果】 補助ヒータによりウェハ周辺部を加熱するこ
とにより、ウェハ周辺部の温度降下を抑えることができ
る。
度降下を抑制し、ウェハ歪みがなく、均一性の高いアニ
ールを実現することを目的としている。 【構成】 本発明における加熱アニール装置では、従来
装置で用いられているウェハ全体を加熱するヒータの他
に、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータを備えたもので
ある。 【効果】 補助ヒータによりウェハ周辺部を加熱するこ
とにより、ウェハ周辺部の温度降下を抑えることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はウェハを急速、かつ均
一に加熱するアニール装置に関するものである。
一に加熱するアニール装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３(a),(b) は加熱源にハロゲンランプ
を用いた従来の加熱アニール装置を示す正面図及び平面
図である。１はウェハを加熱する直線状のハロゲンラン
プヒータである。図３(b) に示すように、複数の直線状
のハロゲンランプヒータ１は各々平行に配置され、それ
らは図３(a) に示すように、３つのゾーンに分割されて
いる。３はウェハ、４はサセプタ、４ａはサセプタの側
壁部、４ｂはサセプタの蓋部、２は石英管である。この
石英管２の中はＮ2 等のガスで置換できる。
を用いた従来の加熱アニール装置を示す正面図及び平面
図である。１はウェハを加熱する直線状のハロゲンラン
プヒータである。図３(b) に示すように、複数の直線状
のハロゲンランプヒータ１は各々平行に配置され、それ
らは図３(a) に示すように、３つのゾーンに分割されて
いる。３はウェハ、４はサセプタ、４ａはサセプタの側
壁部、４ｂはサセプタの蓋部、２は石英管である。この
石英管２の中はＮ2 等のガスで置換できる。
【０００３】従来の装置を用いて加熱アニールを行う場
合、ウェハ３はサセプタ４およびその側壁部４ａ内に収
納され、これにサセプタの蓋部４ｂが載置される。該ウ
ェハを収納したサセプタは石英管２またはステンレス製
チャンバの中に設置される。
合、ウェハ３はサセプタ４およびその側壁部４ａ内に収
納され、これにサセプタの蓋部４ｂが載置される。該ウ
ェハを収納したサセプタは石英管２またはステンレス製
チャンバの中に設置される。
【０００４】従来の加熱アニールにおいては、ウェハ３
の周辺部では中心部に較べて温度が低くなるため、上記
３ゾーンに分割されたハロゲンランプヒータ１の両端の
ゾーンの加熱温度を上げることで、ウエハ面内の温度分
布を小さくするようにしている。
の周辺部では中心部に較べて温度が低くなるため、上記
３ゾーンに分割されたハロゲンランプヒータ１の両端の
ゾーンの加熱温度を上げることで、ウエハ面内の温度分
布を小さくするようにしている。
【０００５】また、密閉型構造サセプタまたはガードリ
ング等を用いることでウェハ周辺部の熱の逃げを抑えて
いる。
ング等を用いることでウェハ周辺部の熱の逃げを抑えて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の加熱アニール装
置は以上のように構成されており、ハロゲンランプヒー
タ１の分割加熱制御方式では、ウェハ面の一方向しか温
度制御ができないという問題点があった。
置は以上のように構成されており、ハロゲンランプヒー
タ１の分割加熱制御方式では、ウェハ面の一方向しか温
度制御ができないという問題点があった。
【０００７】また、密閉型構造サセプタ，ガードリング
等を用いた場合、それらの形状の最適化が困難であると
いう問題点があった。
等を用いた場合、それらの形状の最適化が困難であると
いう問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、加熱アニール時のウェハ周辺部
の温度降下を抑制することのできる加熱アニール装置を
提供することを目的としている。
ためになされたもので、加熱アニール時のウェハ周辺部
の温度降下を抑制することのできる加熱アニール装置を
提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる加熱ア
ニール装置は、ウェハを保持するサセプタと、該ウェハ
全体を加熱する主ヒータと、ウェハ周辺部を加熱する補
助ヒータとを備えたものである。
ニール装置は、ウェハを保持するサセプタと、該ウェハ
全体を加熱する主ヒータと、ウェハ周辺部を加熱する補
助ヒータとを備えたものである。
【００１０】また、この発明は、上記補助ヒータを、サ
セプタ上のウェハの周囲に設けられたカーボンヒータと
したものである。
セプタ上のウェハの周囲に設けられたカーボンヒータと
したものである。
【００１１】また、この発明は、上記補助ヒータを、サ
セプタの周囲に設けられた複数のハロゲンランプヒータ
としたものである。
セプタの周囲に設けられた複数のハロゲンランプヒータ
としたものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、ウエハ全体を加熱する主
ヒータに加えて、ウェハ周辺部の補助ヒータとしてサセ
プタ上のウェハの周囲にカーボンヒータを備えているた
め、該ヒータの加熱によりウェハ周辺部の温度降下を防
ぎ、ウェハ歪みが生じない、均一性の高いアニールがで
きる。
ヒータに加えて、ウェハ周辺部の補助ヒータとしてサセ
プタ上のウェハの周囲にカーボンヒータを備えているた
め、該ヒータの加熱によりウェハ周辺部の温度降下を防
ぎ、ウェハ歪みが生じない、均一性の高いアニールがで
きる。
【００１３】また、この発明においては、ウェハ全体を
加熱する主ヒータに加えて、上記補助ヒータとしてサセ
プタの周囲に複数のハロゲンランプヒータを備えている
ため、該補助ヒータの加熱によりウェハ周辺部の温度降
下を防ぐことができ、さらに上記複数の補助ヒータのう
ち任意のヒータを個別にパワー制御することにより、ウ
ェハの円周方向の温度分布を制御することが可能であ
る。
加熱する主ヒータに加えて、上記補助ヒータとしてサセ
プタの周囲に複数のハロゲンランプヒータを備えている
ため、該補助ヒータの加熱によりウェハ周辺部の温度降
下を防ぐことができ、さらに上記複数の補助ヒータのう
ち任意のヒータを個別にパワー制御することにより、ウ
ェハの円周方向の温度分布を制御することが可能であ
る。
【００１４】
【実施例】実施例１．図１(a),(b) はこの発明の実施例
１による加熱アニール装置の概略構成を示す正面図と平
面図である。図において、１はウェハを上方から加熱す
るハロゲンランプヒータ、２は石英管、３はアニール用
試料であるウェハ、４はサセプタ、４ａはサセプタの側
壁部、４ｂはサセプタの蓋部、５はサセプタ４上でウェ
ハ３の周囲を取り囲むように設置された補助ヒータであ
る。
１による加熱アニール装置の概略構成を示す正面図と平
面図である。図において、１はウェハを上方から加熱す
るハロゲンランプヒータ、２は石英管、３はアニール用
試料であるウェハ、４はサセプタ、４ａはサセプタの側
壁部、４ｂはサセプタの蓋部、５はサセプタ４上でウェ
ハ３の周囲を取り囲むように設置された補助ヒータであ
る。
【００１５】本実施例１の構成は図３の従来の構成に加
えて、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとしてサセプ
タ上にカーボンヒータを備えていることが特徴である。
えて、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとしてサセプ
タ上にカーボンヒータを備えていることが特徴である。
【００１６】次に動作について説明する。加熱アニール
を行う場合、ウェハ３はサセプタ４およびその側壁部４
ａ内に収納され、これにサセプタの蓋部４ｂが載置され
る。該ウェハ３を収納したサセプタは石英管２中に設置
される。
を行う場合、ウェハ３はサセプタ４およびその側壁部４
ａ内に収納され、これにサセプタの蓋部４ｂが載置され
る。該ウェハ３を収納したサセプタは石英管２中に設置
される。
【００１７】ハロゲンランプヒータ１によりウェハ全体
を加熱し、補助ヒータ５によりウェハ周辺部を加熱す
る。この時ウェハ３の周辺部の温度は、該補助ヒータの
加熱により調整される。
を加熱し、補助ヒータ５によりウェハ周辺部を加熱す
る。この時ウェハ３の周辺部の温度は、該補助ヒータの
加熱により調整される。
【００１８】このように本実施例１による加熱アニール
装置では、ハロゲンランプヒータ１によりウェハ全体を
上方から加熱し、さらに補助ヒータ５によりウェハ周辺
部を加熱するので、ウェハ周辺部の温度降下を防ぎ、ウ
ェハ周辺部と中心部の温度差を小さくすることができる
効果がある。
装置では、ハロゲンランプヒータ１によりウェハ全体を
上方から加熱し、さらに補助ヒータ５によりウェハ周辺
部を加熱するので、ウェハ周辺部の温度降下を防ぎ、ウ
ェハ周辺部と中心部の温度差を小さくすることができる
効果がある。
【００１９】実施例２．図２(a),(b) は本発明の第２の
実施例による加熱アニール装置の概略構成を示す正面図
と平面図である。図において、６はサセプタ４の周囲に
等間隔を設置された複数の補助ヒータである。
実施例による加熱アニール装置の概略構成を示す正面図
と平面図である。図において、６はサセプタ４の周囲に
等間隔を設置された複数の補助ヒータである。
【００２０】本実施例２の構成は図３の従来の構成に加
えて、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとしてハロゲ
ンランプヒータ６を備えていることが特徴である。
えて、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとしてハロゲ
ンランプヒータ６を備えていることが特徴である。
【００２１】本実施例２を用いてウェハの加熱アニール
を行う場合、ハロゲンランプヒータ１によりウェハ全体
を加熱し、複数の補助ヒータ６によりウェハ周辺部を加
熱する。この時ウェハ３の周辺部の温度の低下は、該補
助ヒータ６の加熱により抑制される。さらに上記複数の
補助ヒータ６のうち任意のヒータを個別にパワー制御す
ることにより、ウェハの円周方向の温度分布は制御され
る。
を行う場合、ハロゲンランプヒータ１によりウェハ全体
を加熱し、複数の補助ヒータ６によりウェハ周辺部を加
熱する。この時ウェハ３の周辺部の温度の低下は、該補
助ヒータ６の加熱により抑制される。さらに上記複数の
補助ヒータ６のうち任意のヒータを個別にパワー制御す
ることにより、ウェハの円周方向の温度分布は制御され
る。
【００２２】このように本実施例２による加熱アニール
装置では、ハロゲンランプヒータ１によりウェハ全体を
加熱し、さらに補助ヒータ６によりウェハ周辺部を加熱
するので、これにより、ウェハ周辺部の温度降下を抑制
することができる。さらに上記複数の補助ヒータ６のう
ち任意のヒータを個別にパワー制御することにより、ウ
ェハ１の円周方向の温度分布を制御できる効果がある。
装置では、ハロゲンランプヒータ１によりウェハ全体を
加熱し、さらに補助ヒータ６によりウェハ周辺部を加熱
するので、これにより、ウェハ周辺部の温度降下を抑制
することができる。さらに上記複数の補助ヒータ６のう
ち任意のヒータを個別にパワー制御することにより、ウ
ェハ１の円周方向の温度分布を制御できる効果がある。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる加熱ア
ニール装置によれば、ウェハ全体を上方から加熱する主
ヒータに加えて、ウェハの周囲を加熱する補助ヒータを
備えたので、この補助ヒータのパワーの制御によりウェ
ハ周辺部と中心部の温度差を調整することができ、これ
により、ウェハ歪みが生じない、均一性の高いアニール
ができる効果がある。
ニール装置によれば、ウェハ全体を上方から加熱する主
ヒータに加えて、ウェハの周囲を加熱する補助ヒータを
備えたので、この補助ヒータのパワーの制御によりウェ
ハ周辺部と中心部の温度差を調整することができ、これ
により、ウェハ歪みが生じない、均一性の高いアニール
ができる効果がある。
【図１】この発明の実施例１による加熱アニール装置の
構成を示す正面図及び平面図である。
構成を示す正面図及び平面図である。
【図２】この発明の実施例２による加熱アニール装置の
構成を示す正面図及び平面図である。
構成を示す正面図及び平面図である。
【図３】従来の加熱アニール装置の構造を示す正面図及
び平面図である。
び平面図である。
１ ハロゲンランプヒータ ２ 石英管 ３ ウェハ（アニール用試料） ４ サセプタ ４ａ サセプタの側壁部 ４ｂ サセプタの蓋部 ５ カーボンヒータ（補助ヒータ） ６ ハロゲンランプヒータ（補助ヒータ）
Claims (3)
- 【請求項１】 加熱アニール装置において、 ウェハを保持するサセプタと該ウェハ全体を加熱する主
ヒータと、 ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとを備えたことを特
徴とする加熱アニール装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の加熱アニール装置におい
て、 上記補助ヒータは、サセプタ上のウェハの周囲に設けら
れたカーボンヒータであることを特徴とする加熱アニー
ル装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の加熱アニール装置におい
て、 上記補助ヒータは、サセプタの周囲に設けられた複数の
ハロゲンランプヒータであることを特徴とする加熱アニ
ール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1612693A JPH06232138A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 加熱アニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1612693A JPH06232138A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 加熱アニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232138A true JPH06232138A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11907814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1612693A Pending JPH06232138A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 加熱アニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232138A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE36025E (en) * | 1992-07-15 | 1999-01-05 | Kabushiki Kaisha Suzuki Shoki | Crawler pad |
| US6403475B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for semiconductor integrated device |
| JP2007299971A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの加熱装置 |
| WO2012157689A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Microfluidic device and microfluidic apparatus using the same |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP1612693A patent/JPH06232138A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE36025E (en) * | 1992-07-15 | 1999-01-05 | Kabushiki Kaisha Suzuki Shoki | Crawler pad |
| US6403475B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for semiconductor integrated device |
| JP2007299971A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの加熱装置 |
| WO2012157689A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Microfluidic device and microfluidic apparatus using the same |
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