JPH06232138A - 加熱アニール装置 - Google Patents
加熱アニール装置Info
- Publication number
- JPH06232138A JPH06232138A JP1612693A JP1612693A JPH06232138A JP H06232138 A JPH06232138 A JP H06232138A JP 1612693 A JP1612693 A JP 1612693A JP 1612693 A JP1612693 A JP 1612693A JP H06232138 A JPH06232138 A JP H06232138A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- susceptor
- heating
- heater
- auxiliary heater
- Prior art date
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- Pending
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- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は加熱アニール時のウェハ周辺部の温
度降下を抑制し、ウェハ歪みがなく、均一性の高いアニ
ールを実現することを目的としている。 【構成】 本発明における加熱アニール装置では、従来
装置で用いられているウェハ全体を加熱するヒータの他
に、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータを備えたもので
ある。 【効果】 補助ヒータによりウェハ周辺部を加熱するこ
とにより、ウェハ周辺部の温度降下を抑えることができ
る。
度降下を抑制し、ウェハ歪みがなく、均一性の高いアニ
ールを実現することを目的としている。 【構成】 本発明における加熱アニール装置では、従来
装置で用いられているウェハ全体を加熱するヒータの他
に、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータを備えたもので
ある。 【効果】 補助ヒータによりウェハ周辺部を加熱するこ
とにより、ウェハ周辺部の温度降下を抑えることができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はウェハを急速、かつ均
一に加熱するアニール装置に関するものである。
一に加熱するアニール装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3(a),(b) は加熱源にハロゲンランプ
を用いた従来の加熱アニール装置を示す正面図及び平面
図である。1はウェハを加熱する直線状のハロゲンラン
プヒータである。図3(b) に示すように、複数の直線状
のハロゲンランプヒータ1は各々平行に配置され、それ
らは図3(a) に示すように、3つのゾーンに分割されて
いる。3はウェハ、4はサセプタ、4aはサセプタの側
壁部、4bはサセプタの蓋部、2は石英管である。この
石英管2の中はN2 等のガスで置換できる。
を用いた従来の加熱アニール装置を示す正面図及び平面
図である。1はウェハを加熱する直線状のハロゲンラン
プヒータである。図3(b) に示すように、複数の直線状
のハロゲンランプヒータ1は各々平行に配置され、それ
らは図3(a) に示すように、3つのゾーンに分割されて
いる。3はウェハ、4はサセプタ、4aはサセプタの側
壁部、4bはサセプタの蓋部、2は石英管である。この
石英管2の中はN2 等のガスで置換できる。
【0003】従来の装置を用いて加熱アニールを行う場
合、ウェハ3はサセプタ4およびその側壁部4a内に収
納され、これにサセプタの蓋部4bが載置される。該ウ
ェハを収納したサセプタは石英管2またはステンレス製
チャンバの中に設置される。
合、ウェハ3はサセプタ4およびその側壁部4a内に収
納され、これにサセプタの蓋部4bが載置される。該ウ
ェハを収納したサセプタは石英管2またはステンレス製
チャンバの中に設置される。
【0004】従来の加熱アニールにおいては、ウェハ3
の周辺部では中心部に較べて温度が低くなるため、上記
3ゾーンに分割されたハロゲンランプヒータ1の両端の
ゾーンの加熱温度を上げることで、ウエハ面内の温度分
布を小さくするようにしている。
の周辺部では中心部に較べて温度が低くなるため、上記
3ゾーンに分割されたハロゲンランプヒータ1の両端の
ゾーンの加熱温度を上げることで、ウエハ面内の温度分
布を小さくするようにしている。
【0005】また、密閉型構造サセプタまたはガードリ
ング等を用いることでウェハ周辺部の熱の逃げを抑えて
いる。
ング等を用いることでウェハ周辺部の熱の逃げを抑えて
いる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の加熱アニール装
置は以上のように構成されており、ハロゲンランプヒー
タ1の分割加熱制御方式では、ウェハ面の一方向しか温
度制御ができないという問題点があった。
置は以上のように構成されており、ハロゲンランプヒー
タ1の分割加熱制御方式では、ウェハ面の一方向しか温
度制御ができないという問題点があった。
【0007】また、密閉型構造サセプタ,ガードリング
等を用いた場合、それらの形状の最適化が困難であると
いう問題点があった。
等を用いた場合、それらの形状の最適化が困難であると
いう問題点があった。
【0008】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、加熱アニール時のウェハ周辺部
の温度降下を抑制することのできる加熱アニール装置を
提供することを目的としている。
ためになされたもので、加熱アニール時のウェハ周辺部
の温度降下を抑制することのできる加熱アニール装置を
提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる加熱ア
ニール装置は、ウェハを保持するサセプタと、該ウェハ
全体を加熱する主ヒータと、ウェハ周辺部を加熱する補
助ヒータとを備えたものである。
ニール装置は、ウェハを保持するサセプタと、該ウェハ
全体を加熱する主ヒータと、ウェハ周辺部を加熱する補
助ヒータとを備えたものである。
【0010】また、この発明は、上記補助ヒータを、サ
セプタ上のウェハの周囲に設けられたカーボンヒータと
したものである。
セプタ上のウェハの周囲に設けられたカーボンヒータと
したものである。
【0011】また、この発明は、上記補助ヒータを、サ
セプタの周囲に設けられた複数のハロゲンランプヒータ
としたものである。
セプタの周囲に設けられた複数のハロゲンランプヒータ
としたものである。
【0012】
【作用】この発明においては、ウエハ全体を加熱する主
ヒータに加えて、ウェハ周辺部の補助ヒータとしてサセ
プタ上のウェハの周囲にカーボンヒータを備えているた
め、該ヒータの加熱によりウェハ周辺部の温度降下を防
ぎ、ウェハ歪みが生じない、均一性の高いアニールがで
きる。
ヒータに加えて、ウェハ周辺部の補助ヒータとしてサセ
プタ上のウェハの周囲にカーボンヒータを備えているた
め、該ヒータの加熱によりウェハ周辺部の温度降下を防
ぎ、ウェハ歪みが生じない、均一性の高いアニールがで
きる。
【0013】また、この発明においては、ウェハ全体を
加熱する主ヒータに加えて、上記補助ヒータとしてサセ
プタの周囲に複数のハロゲンランプヒータを備えている
ため、該補助ヒータの加熱によりウェハ周辺部の温度降
下を防ぐことができ、さらに上記複数の補助ヒータのう
ち任意のヒータを個別にパワー制御することにより、ウ
ェハの円周方向の温度分布を制御することが可能であ
る。
加熱する主ヒータに加えて、上記補助ヒータとしてサセ
プタの周囲に複数のハロゲンランプヒータを備えている
ため、該補助ヒータの加熱によりウェハ周辺部の温度降
下を防ぐことができ、さらに上記複数の補助ヒータのう
ち任意のヒータを個別にパワー制御することにより、ウ
ェハの円周方向の温度分布を制御することが可能であ
る。
【0014】
【実施例】実施例1.図1(a),(b) はこの発明の実施例
1による加熱アニール装置の概略構成を示す正面図と平
面図である。図において、1はウェハを上方から加熱す
るハロゲンランプヒータ、2は石英管、3はアニール用
試料であるウェハ、4はサセプタ、4aはサセプタの側
壁部、4bはサセプタの蓋部、5はサセプタ4上でウェ
ハ3の周囲を取り囲むように設置された補助ヒータであ
る。
1による加熱アニール装置の概略構成を示す正面図と平
面図である。図において、1はウェハを上方から加熱す
るハロゲンランプヒータ、2は石英管、3はアニール用
試料であるウェハ、4はサセプタ、4aはサセプタの側
壁部、4bはサセプタの蓋部、5はサセプタ4上でウェ
ハ3の周囲を取り囲むように設置された補助ヒータであ
る。
【0015】本実施例1の構成は図3の従来の構成に加
えて、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとしてサセプ
タ上にカーボンヒータを備えていることが特徴である。
えて、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとしてサセプ
タ上にカーボンヒータを備えていることが特徴である。
【0016】次に動作について説明する。加熱アニール
を行う場合、ウェハ3はサセプタ4およびその側壁部4
a内に収納され、これにサセプタの蓋部4bが載置され
る。該ウェハ3を収納したサセプタは石英管2中に設置
される。
を行う場合、ウェハ3はサセプタ4およびその側壁部4
a内に収納され、これにサセプタの蓋部4bが載置され
る。該ウェハ3を収納したサセプタは石英管2中に設置
される。
【0017】ハロゲンランプヒータ1によりウェハ全体
を加熱し、補助ヒータ5によりウェハ周辺部を加熱す
る。この時ウェハ3の周辺部の温度は、該補助ヒータの
加熱により調整される。
を加熱し、補助ヒータ5によりウェハ周辺部を加熱す
る。この時ウェハ3の周辺部の温度は、該補助ヒータの
加熱により調整される。
【0018】このように本実施例1による加熱アニール
装置では、ハロゲンランプヒータ1によりウェハ全体を
上方から加熱し、さらに補助ヒータ5によりウェハ周辺
部を加熱するので、ウェハ周辺部の温度降下を防ぎ、ウ
ェハ周辺部と中心部の温度差を小さくすることができる
効果がある。
装置では、ハロゲンランプヒータ1によりウェハ全体を
上方から加熱し、さらに補助ヒータ5によりウェハ周辺
部を加熱するので、ウェハ周辺部の温度降下を防ぎ、ウ
ェハ周辺部と中心部の温度差を小さくすることができる
効果がある。
【0019】実施例2.図2(a),(b) は本発明の第2の
実施例による加熱アニール装置の概略構成を示す正面図
と平面図である。図において、6はサセプタ4の周囲に
等間隔を設置された複数の補助ヒータである。
実施例による加熱アニール装置の概略構成を示す正面図
と平面図である。図において、6はサセプタ4の周囲に
等間隔を設置された複数の補助ヒータである。
【0020】本実施例2の構成は図3の従来の構成に加
えて、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとしてハロゲ
ンランプヒータ6を備えていることが特徴である。
えて、ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとしてハロゲ
ンランプヒータ6を備えていることが特徴である。
【0021】本実施例2を用いてウェハの加熱アニール
を行う場合、ハロゲンランプヒータ1によりウェハ全体
を加熱し、複数の補助ヒータ6によりウェハ周辺部を加
熱する。この時ウェハ3の周辺部の温度の低下は、該補
助ヒータ6の加熱により抑制される。さらに上記複数の
補助ヒータ6のうち任意のヒータを個別にパワー制御す
ることにより、ウェハの円周方向の温度分布は制御され
る。
を行う場合、ハロゲンランプヒータ1によりウェハ全体
を加熱し、複数の補助ヒータ6によりウェハ周辺部を加
熱する。この時ウェハ3の周辺部の温度の低下は、該補
助ヒータ6の加熱により抑制される。さらに上記複数の
補助ヒータ6のうち任意のヒータを個別にパワー制御す
ることにより、ウェハの円周方向の温度分布は制御され
る。
【0022】このように本実施例2による加熱アニール
装置では、ハロゲンランプヒータ1によりウェハ全体を
加熱し、さらに補助ヒータ6によりウェハ周辺部を加熱
するので、これにより、ウェハ周辺部の温度降下を抑制
することができる。さらに上記複数の補助ヒータ6のう
ち任意のヒータを個別にパワー制御することにより、ウ
ェハ1の円周方向の温度分布を制御できる効果がある。
装置では、ハロゲンランプヒータ1によりウェハ全体を
加熱し、さらに補助ヒータ6によりウェハ周辺部を加熱
するので、これにより、ウェハ周辺部の温度降下を抑制
することができる。さらに上記複数の補助ヒータ6のう
ち任意のヒータを個別にパワー制御することにより、ウ
ェハ1の円周方向の温度分布を制御できる効果がある。
【0023】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる加熱ア
ニール装置によれば、ウェハ全体を上方から加熱する主
ヒータに加えて、ウェハの周囲を加熱する補助ヒータを
備えたので、この補助ヒータのパワーの制御によりウェ
ハ周辺部と中心部の温度差を調整することができ、これ
により、ウェハ歪みが生じない、均一性の高いアニール
ができる効果がある。
ニール装置によれば、ウェハ全体を上方から加熱する主
ヒータに加えて、ウェハの周囲を加熱する補助ヒータを
備えたので、この補助ヒータのパワーの制御によりウェ
ハ周辺部と中心部の温度差を調整することができ、これ
により、ウェハ歪みが生じない、均一性の高いアニール
ができる効果がある。
【図1】この発明の実施例1による加熱アニール装置の
構成を示す正面図及び平面図である。
構成を示す正面図及び平面図である。
【図2】この発明の実施例2による加熱アニール装置の
構成を示す正面図及び平面図である。
構成を示す正面図及び平面図である。
【図3】従来の加熱アニール装置の構造を示す正面図及
び平面図である。
び平面図である。
1 ハロゲンランプヒータ 2 石英管 3 ウェハ(アニール用試料) 4 サセプタ 4a サセプタの側壁部 4b サセプタの蓋部 5 カーボンヒータ(補助ヒータ) 6 ハロゲンランプヒータ(補助ヒータ)
Claims (3)
- 【請求項1】 加熱アニール装置において、 ウェハを保持するサセプタと該ウェハ全体を加熱する主
ヒータと、 ウェハ周辺部を加熱する補助ヒータとを備えたことを特
徴とする加熱アニール装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の加熱アニール装置におい
て、 上記補助ヒータは、サセプタ上のウェハの周囲に設けら
れたカーボンヒータであることを特徴とする加熱アニー
ル装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の加熱アニール装置におい
て、 上記補助ヒータは、サセプタの周囲に設けられた複数の
ハロゲンランプヒータであることを特徴とする加熱アニ
ール装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1612693A JPH06232138A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 加熱アニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1612693A JPH06232138A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 加熱アニール装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06232138A true JPH06232138A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11907814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1612693A Pending JPH06232138A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 加熱アニール装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06232138A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE36025E (en) * | 1992-07-15 | 1999-01-05 | Kabushiki Kaisha Suzuki Shoki | Crawler pad |
US6403475B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for semiconductor integrated device |
JP2007299971A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの加熱装置 |
WO2012157689A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Microfluidic device and microfluidic apparatus using the same |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP1612693A patent/JPH06232138A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE36025E (en) * | 1992-07-15 | 1999-01-05 | Kabushiki Kaisha Suzuki Shoki | Crawler pad |
US6403475B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for semiconductor integrated device |
JP2007299971A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの加熱装置 |
WO2012157689A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Microfluidic device and microfluidic apparatus using the same |
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