JPH06231410A

JPH06231410A - 磁気ディスク装置

Info

Publication number: JPH06231410A
Application number: JP1545993A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Karakama; 義彬唐鎌; Noriaki Hatanaka; 紀明畑中; Shinichiro Kuno; 眞一郎久野; Hiroyuki Minami; 浩幸南
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-02-02
Filing date: 1993-02-02
Publication date: 1994-08-19

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＲヘッド搭載磁気デイスク装置でヘッドの
バイアス電流調整により読み出し波形の上下非対称歪と
位相歪を最小とし、リードエラー発生を防止する。かつ
リードエラー回復率を向上させる。【構成】ＭＲヘッドエレメントＭＲ１，ＭＲ２……Ｍ
Ｒｎのｎ個（ｎ≧１）の各々に対応したバイアス電流源
７と読み出し増幅器８をもち、再生系としてパルス化回
路９、上下非対称量（振幅歪）ΔＶ検出部１０，ピーク
ずれ量（位相歪）ΔＴ検出部１１，及びΔＶ，ΔＴをデ
ィジタル信号にするＡ／Ｄ変換部１２，ヘッド番号とＣ
ＹＬ番号及びバイアス電流を制御する制御信号発生器１
３，データを判定する信号弁別回路１４，モード選択制
御部１５，及びＤＫＣ１６より構成する。発生器１３は
ΔＶ，ΔＴを最小とするように電流源７のバイアス電流
をヘッド毎に調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド
（以下「ＭＲヘッド」という）搭載磁気ディスク装置に
係り、特に、ＭＲヘッドの読み出し波形を改善し、リー
ドエラーの発生を防止すると共に、リードエラー発生時
のエラー回復率を向上させた信頼性の高い磁気ディスク
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にＭＲヘッドは、磁気抵抗効果材料
で作られた読み取りエレメント（磁気抵抗効果素子）の
抵抗変化により、エレメントが受ける磁束量及びその方
向の関数として検出される。

【０００３】図１２に、従来のＭＲヘッドの動作説明図
を示す。ＭＲヘッドエレメントに磁束が流入し、磁界Ｈ
ｓｉｇの磁場変化を受けると、エレメントの比抵抗ρが
変化し、比抵抗の変化分ΔρによるΔρ／ρ曲線により
結果としてＥｏなる読み出し電圧波形が生じる。動作点
ａはバイアス電流により決定し、図の左右に移動でき
る。

【０００４】一方前記Δρ／ρの特性曲線はＭＲセンサ
の製造条件等でＡ及びＢのようにばらつく。したがって
読み出し波形の歪を最小にするためには最適動作点は各
々ａ，ｂに設定する必要がある。このことは、バイアス
電流を、Ａ特性ヘッドはａ点に、Ｂ特性ヘッドはｂ点に
設定する必要があることを示している。

【０００５】図１０にＭＲヘッドによる読み出し波形の
上／下非対称の定義を示す。

【０００６】読み出し電圧の上側をＶ１、下側をＶ２と
すると非対称の量ΔＶは、ΔＶ＝｜Ｖ１−Ｖ２｜（読み
出し波形の上側ピーク値及び下側ピーク値の大きさの
差）と表わせる。図１１に読み出し波形のピークずれの
定義を示す。読み出し電圧の上側ピークｔｏを基準とし
て下側前後の負ピーク位置までの時間をそれぞれＴ１，
Ｔ２とすると、ピークずれ量ΔＴは、ΔＴ＝｜Ｔ１−Ｔ
２｜（読み出し波形の時間的上側ピーク位置及び下側ピ
ーク位置の時間差）と表わせる。いずれも一定周波数の
読み出し電圧波形で定義される。又いずれの量も小さい
方が望ましく、理想は０である。

【０００７】従来、前記量を小さくするために図２〜図
５等に示す各種方法が採られている。

【０００８】図２はＩＢＭ−ＴＤＢ（Ｖｏｌ．１９Ｎ
Ｏ．１，１９７６年６月，第３５２頁）及びＩＥＥＥ−
ＴＲＡＮＳ．ＯＮＭＡＧＮＥＴＩＣＳ．（ＭＡＧ−１
１，１９７５年９月）に提示されている差動型ＭＲヘッ
ドの説明図である。ＭＲヘッドエレメントＭＲ１及びＭ
Ｒ２は連続したＭＲヘッドエレメントで、電極１，３に
対し電極２（電極１と２の中点の電極）からバイアス電
流Ｉｓ１，Ｉｓ２を流入させる。読み出しはトラック幅
Ｗで規定される磁束変化を磁気抵抗効果による電気抵抗
変化として電極１，３より取り出す。

【０００９】図３に差動型ＭＲヘッドの接続図を示す。
ＭＲヘッドエレメントＭＲ１，ＭＲ２の読み出し電圧Ｖ
ａ，Ｖｂは読み出し電圧増幅器（以下ＡＭＰと称す）４
の入力電圧Ｖｃとして、ＡＭＰ４により増幅される。

【００１０】本方法は固定バイアス電流方式での最も理
想的なＭＲヘッドの使用方法である。ＭＲヘッドエレメ
ントＭＲ１，ＭＲ２のばらつきにより前記図１０，１１
に示した非対称の量が発生するが、バイアス電流Ｉｓ１
とＩｓ２の流入方向が逆のため、ＭＲヘッドエレメント
ＭＲ１，ＭＲ２の動作が逆となり、両者の差の読み出し
電圧となるため、両者のばらつきを無くした読み出し電
圧をＡＭＰ４の入力に印加できる。

【００１１】図４は特開平２−２０８８０５号公報に示
される複合型ＭＲヘッドの説明図である。ＭＲヘッドエ
レメント６及び誘導型ヘッド５により情報が読み出さ
れ、ＭＲヘッド再生電圧の非対称性を誘導型ヘッド再生
電圧により補正する構造である。図５の複合型ＭＲヘッ
ドの再生系ブロック図に示すように、誘導型ヘッド５か
らの読み出し電圧ＶｉをＭＲヘッド読み出し電圧との位
相合わせ用の遅延回路を通して、ＭＲヘッドエレメント
６からの読み出し電圧Ｖｍと共に加算回路により加え、
出力Ｖｏを取りだしている。

【００１２】また、実稼動中にリードエラーが発生した
場合は、図７に示すリードエラー回復ブロックにより動
作する。すなわち、リードリトライオペレーションと、
オフセットオペレーションを実施する。リードリトライ
オペレーションは、読み出し波形のイコライザ設定変更
及び、スライスレベル設定変更をし、リードエラー回復
を行なうもので、オフセットオペレーションはヘッドの
位置をディスク半径方向に内外に微少量ずらしリードエ
ラー回復を図るものである。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】一般に、磁気ディスク
装置では、磁気ヘッドが１個から多いもので数１０個Ｈ
ＤＡ（ヘッド・ディスク組立体）内に実装される。ま
た、磁気ヘッド組み立て体及びＨＤＡは益々小型化の傾
向にある。更に高密度大容量化のため、高トラック密度
が要求されている。従って高トラック密度を達成する上
で従来の図２の如き差動型ＭＲヘッドの場合、トラック
幅Ｗが小さくなると、中点の電極２を設置するスペース
が失われる。磁気ディスク装置用としてトラック幅Ｗは
１０μｍ以下が要求され、５μｍ程度になるともはや本
方式を採用することができない。

【００１４】また、前記理由で差動型ＭＲヘッドを採用
できない場合、図４，図５に示す複合型ＭＲヘッドおい
て、ＭＲヘッドエレメント６の読み出し波形に前記図１
０，１１に示すような量の誤差が生じたとき、出力Ｖｏ
も波形が歪み、装置動作上不具合が生じるのは明らかで
ある。

【００１５】以上のことから、必然的にＭＲヘッドは差
動型にできなくなり、ＭＲヘッドの出力は、図１０，１
１に示すように誤差量ΔＶ，ΔＴの発生する波形とな
る。

【００１６】また、ＨＤＡ内に１個のＭＲヘッドが搭載
される場合は、あまり問題とならない、何故ならバイア
ス電流を最適値に合わせるのは容易だからである。

【００１７】しかし、前述のように各々のＭＲヘッドに
よりΔρ／ρ特性が異なるため、最適動作点がずれてく
る。固定バイアス電流方式では前述のΔＶ，ΔＴの誤差
量が大きくなり、結果として装置動作上極めて条件が悪
くなる問題がある。

【００１８】また、同一のＭＲヘッドでも、このヘッド
の磁気ディスク上の半径方向の位置によって再生特性が
変化するため、ΔＶ，ΔＴの値も異なって来る。

【００１９】以上の要素も加わり更には実稼動中のリー
ドエラー発生原因の一つとして、前述のバイアス電流に
対するΔρ／ρ特性の動作点のずれが温度等の動作環境
条件によって更に増加する。よって図７に示す従来のリ
ードエラー回復動作のみではエラーの回復が完全に望め
ない。

【００２０】従って、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解決し、個々の磁気抵抗効果型ヘッドのバイア
ス電流値や狭トラック幅の磁気抵抗効果型ヘッドのバイ
アス電流値を磁気ディスク媒体の全記録領域に対して最
適値に調整することにより、読み出し波形の上下非対称
の量及びピークずれ量を最小とし、もって、磁気ディス
ク装置の小型化、大容量化、高信頼度化に対応する磁気
抵抗効果型ヘッド搭載磁気ディスク装置を提供すること
にある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、１または複数の磁気抵抗効果型ヘッドを
有する磁気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型
ヘッドのバイアス電流を各磁気抵抗効果ヘッド毎に調整
して所要値に設定するバイアス電流設定手段を備える。
このバイアス電流は、磁気抵抗効果型ヘッドの磁気ディ
スク半径方向の位置にも調整するようにする。

【００２２】このバイアス電流設定手段は、一定周波数
の信号を磁気抵抗効果型ヘッドで読み出したときの波形
の上側ピーク値及び下側ピーク値の大きさの差ΔＶまた
はこの波形の時間的上側ピーク位置及び下側ピーク位置
の時間差ΔＴが最小となるようにバイアス電流値を設定
する手段を備える。記録再生すべきデータの符号化形式
によってΔＶへの影響が大きい場合とΔＴへの影響が大
きい場合とあるので、影響の大きい方に重点を置いてそ
れが最小となるようにバイアス電流値を調整する。

【００２３】また、このバイアス電流設定手段は、磁気
ディスク媒体に記録されたデータ部情報のリードエラー
が最小となるように磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電
流を設定する手段を備える。前記ΔＶまたはΔＴが最小
となるようにバイアス電流を設定するのは、ヘッド・デ
ィスク組立体の製造後の初期調整時に行なうのに対し、
このリードエラー最小となるようにバイアス電流を設定
するのは、精密な仕上げ調整として最終検査の段階で行
なわれる。また磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流を
増減しながらリードリトライしてエラー回復するリード
エラー回復手段を設けることができる。

【００２４】また、前記の一定周波数の記録信号の記録
領域を磁気ディスク媒体の円周トラックのデータ部また
はその前方のアドレス部に設けることができる。アドレ
ス部に設けた場合、その読み出し波形に基いてバイアス
電流を設定した後、引続き同一のバイアス電流設定値を
もって、データ部の読み出しを行なうように構成するこ
とができる。

【００２５】また、前記大きさの差ΔＶ及び時間差ΔＴ
を同時に検出することができるようにしたアナログ集積
回路を備えることができる。複数の磁気抵抗効果型ヘッ
ド毎に調整可能なバイアス電流源と、その電流値を制御
する外部制御信号入力部と、磁気抵抗効果型ヘッド用読
み出し増幅器とを合わせ持つアナログ集積回路を備える
こともできる。

【００２６】最終検査の環境動作試験（ヒートラン）で
は、磁気ディスク媒体のデータ部にワーストパターンを
記録し、このワーストパターンのリードエラーが最小と
なるようにバイアス電流が設定される。

【００２７】前記一定周波数は、情報記録再生周波数帯
域の下限に設定される。

【００２８】以上の一定周波数を用いたバイアス電流の
調整及びワーストパターン等の特定パターンを用いたバ
イアス電流の調整は、あるバイアス電流値に対するΔ
Ｖ，ΔＴの量やリードエラーの発生量をフィードバック
することにより、マイコン制御でそれらΔＶ，ΔＴやリ
ードエラーが最小となるように自動的に行なうことがで
きる。

【００２９】なお、数１０個のＭＲヘッドの制御に対応
し、専用アナログＩＣを備えることができる。

【００３０】

【作用】上記構成に基づく作用を説明する。

【００３１】本発明によれば、１または複数の磁気抵抗
効果型ヘッド（ＭＲヘッド）の各々について、磁気ディ
スクの半径方向の各トラック（シリンダ）位置毎にＭＲ
ヘッドのバイアス電流値を、読み出し波形の上下ピーク
値の大きさの差（上下非対称の量）ΔＶまたは上下ピー
ク位置の時間差（ピークずれ）ΔＴが最小となるように
調整し設定したので、複数のＭＲヘッドや、中心タップ
を設けることのできない狹トラック幅ＭＲヘッドにおい
ても、再生信号の振幅歪及び位相歪を小さくしてリード
エラーが少ない、且つリードエラー回復率が向上した磁
気ディスク装置が得られる。

【００３２】また、ＨＤＡの製造工程における初期調整
時には、一定周波数の読み出し波形により、前記ΔＶ，
ΔＴを検出して、この検出量が最小になるようにバイア
ス電流を調整し、更に最終検査時及びヒートラン時には
ワーストパターンのリードエラーが最小になるようにバ
イアス電流を調整することによって、精度の高いバイア
ス電流調整を行なうことができる。

【００３３】

【実施例】以下に、本発明の一実施例を図面に基づいて
説明する。

【００３４】図１は本発明の一実施例によるＭＲヘッド
のバイアス電流設定装置のブロック図である。

【００３５】図１においてＭＲヘッドエレメントＭＲ
１，ＭＲ２……ＭＲｎのｎ個のＭＲヘッドエレメントに
対応して各ＭＲヘッド毎に電流値の調整可能なバイアス
電流源７と読み出し増幅器８を有している。読みだし増
幅器８は制御信号２０でｎ個のＭＲヘッドを任意に選択
する回路を有し、バイアス電流源７はｎ個のバイアス電
流源と、ヘッド選択回路及び電流値の制御信号２０及び
２２の入力回路を有する。ＭＲ素子ＭＲ１，ＭＲ２，…
…ＭＲｎは、中間タップを持たず、通常の両端のみに電
極を有する形式のものである。各ＭＲヘッドは、複数の
磁気ディスクの各記録面に対応して設けられている。

【００３６】再生系は、ＡＧＣ、イコライザ（波形等
価）、微分機能を有するパルス化回路９、上／下非対称
量検出部１０、ピークずれ量検出部１１、前記検出部か
ら出力されるΔＶ，ΔＴ信号のＡ／Ｄ変換部１２、ＭＲ
ヘッド番号とＣＹＬ（シリンダ）番号及びバイアス電流
増減量を制御する制御信号発生器１３からなっている。
その他、信号弁別回路１４、モード選択制御部１５、及
びＤＫＣ（ディスク制御装置）１６により構成される。

【００３７】次に、上記構成の動作を図１で説明する。

【００３８】一定周波数の読み出し波形は、読み出し増
幅器８を経て上／下非対称量検出部１０に送られ、ここ
で図１０のΔＶの上／下非対称量を発生し、この量ΔＶ
はＡ／Ｄ変換器１２に送られる。また、パルス化回路９
により、読み出し波形のピーク位置に応じた微少パルス
幅（通常数十ｎｓｅｃ）のデータパルスが発生し、この
データパルスは信号弁別回路１４及び、ピークずれ量検
出部１１に送られる。

【００３９】ピークずれ量検出部１１では、図１１に示
すΔＴのピークずれ量を発生しこの量ΔＴは、Ａ／Ｄ変
換器１２に送られる。Ａ／Ｄ変換器１２ではΔＶ，ΔＴ
の量に応じた信号２１を発生し、制御信号発生器１３に
送られる。制御信号発生器１３は、信号２１に基いて、
後述の制御信号１９に応じて電流制御信号２２を発生さ
せる。すなわちΔＶ，ΔＴが小さくなるようにバイアス
電流を設定する演算機能例えばΔＶ，ΔＴの重みづけ等
を発生器１３は有する。

【００４０】また、発生器１３は、ＭＲヘッド選択用の
制御信号２０も同時に発生させ、読み出し増幅器８及び
バイアス電流源７の選択回路を動作させる。

【００４１】信号２０，２１，２２は例えば２ビットな
いし４ビットからなるディジタル信号である。

【００４２】信号弁別回路１４はリードデータを発生さ
せＤＫＣ１６にデータを送る部分である。前記発生器１
３で発生するヘッド選択用制御信号２０はモード選択制
御部１５から後述の制御信号１９を通し送られる。なお
ΔＶ，ΔＴの検出精度の点からして、一定周波数は使用
する記録周波数の下限を用いるのがよい。

【００４３】一方ＨＤＡ最終検査におけるワーストパタ
ーン（０が続いた後の１への変化や、１が続いた後の０
への変化の場合が多く、波形シフトが起き易いパター
ン）でのヒートランテスト（例えば、数日間のリード／
ライトの繰り返しテストのような環境動作試験）で、リ
ードエラーが最小となるようにバイアス電流を設定する
ことも可能である。この検査では一定周波数でΔＶ，Δ
Ｔを検出するのに代えて、ワーストパターンでリードエ
ラーのみを検査する。このため、ワーストパターンでの
テスト時はモード選択制御部１５から制御信号１７，１
８が上／下非対称量検出部１０、ピークずれ量検出部１
１、及びＡ／Ｄ変換器１２の動作を停止するように発生
する。よってテスト中にリードエラーが発生した場合は
制御信号１９を通じて制御信号発生器１３に、該当ヘッ
ド番号、ＣＹＬ番号等を送る。

【００４４】制御信号発生器１３は、一定周波数時の演
算方法と同じように、リードエラーが最小となるように
動作する。以上により、制御信号発生器１３は、Ａ／Ｄ
変換器１２からの制御信号２１または、モード選択制御
部１５からのリードエラーに応じた制御信号１９を入力
とし、バイアス電流を可変すべきヘッド番号を制御信号
２０に、またその制御すべき量を電流制御信号２２より
出力し、バイアス電流源７及び読み出し増幅器８を動作
させる。

【００４５】リードエラー回復動作は、後述の図６及び
８に示すように限られた時間内にのみ実施できるように
全体のテストプログラムが組まれ、バイアス可変ルーチ
ンが終了する。

【００４６】図６に本発明によるリードエラー回復動作
ブロック図を示す。ブロック図に示すように、従来の図
７に示すエラー回復動作のリードリトライオペレーショ
ン、オフセットオペレーションに、バイアスリトライオ
ペレーション機能を追加し、エラー回復率の向上を図る
ものである。バイアスリトライオペレーションは該当Ｍ
Ｒヘッドのバイアス電流を増減させエラー回復を図る動
作をする。図８に図６の詳細な一実施例を示す。

【００４７】図８は本発明の一実施例によるリードエラ
ー回復オペレーションフロー図である。

【００４８】フローに従い動作を説明する。ＭＲヘッド
に読み取り動作を実行させ（８０１）、エラーが発生し
た場合（８０２）、まず修正可能な場合はエラーを修正
し（８０３）、エラーが修正不可の場合はモード別試行
カウンタによる判定（８０４）でａ，ｂ，ｃのいずれか
のオペレーションを行なう（８０５〜８０７）。各オペ
レーションの動作回数はレジスタに記録されておりま
た、動作内容は前述の如くである。

【００４９】まずエラー発生時はリードリトライオペレ
ーションをＮ回実施する。この場合、読み出し系のイコ
ライザ特性を色々変えてみる。それでもエラーが回復し
ない場合はオフセットオペレーションをＮ回実行し、そ
れでもエラーが回復しない場合にバイアスリトライオペ
レーションをＮ回実行する（８０８）。

【００５０】試行回数Ｎの最大値は各オペレーション毎
に予めレジスタ内に設定されており、普通は３〜５回程
度である。なお、各オペレーションの各試行中エラーが
回復した場合は以後の試行は実施しない。全てのエラー
回復試行の結果エラーが回復しない場合は修正不能とす
る（８０９）。

【００５１】前述のΔＶ，ΔＴ検出用一定周波数記録部
及びヒートラン時のランダムパターン記録部及び実稼動
時のリードデータ部について、ディスク円周上の記録部
として図９に示す。

【００５２】動作を図９により説明する。

【００５３】ディスク円周上のある決められた１点をＩ
ＤＸ（インデックス）とすると、ヘッド番号、ＣＹＬ番
号等を記録するＨＡ部と、情報を記録するデータ部に大
別される。

【００５４】ＨＡ部内には部分的に一定周波数を書くギ
ャップ部が設けられている。したがってＨＤＡ初期工程
（ＨＤＡ製造後の初期の検査工程）において、該ギャッ
プ部に一定周波数を書き込み、この信号によりΔＶ，Δ
Ｔを検出し、バイアス電流の設定を行ない、その設定値
のバイアス電流でデータ部の信号を読み出しする。この
場合、ギャップ部に一度書き込んだ一定周波数の信号は
消去しないで何回もΔＶ，ΔＴ検出用に用いることがで
きる。

【００５５】他の実施例として、データ部に一定周波数
を書き込み前述のΔＶ，ΔＴ検出とバイアス電流設定を
行なう方法がある。何れの方法を用いるかは磁気ディス
ク装置の全体の仕様、例えば媒体のイニシャライズ（初
期化）等を考慮し決定される。

【００５６】また、ＨＤＡ最終検査工程でのヒートラン
においては、データ部にワーストパターンを書き込み諸
テストを行なうのが一般的である。よってヒートラン中
はデータ部のワーストパターンによるリードエラーが最
小になるようにバイアス電流を再設定する場合が生じ
る。これは一定周波数記録時とワーストパターン記録時
での周波数特性差を補正するために行なわれる。なお、
周波数特性には、記録ヘッドの特性、ＭＲヘッドの特性
及び媒体の特性が総合的に加味されている。なお、周波
数特性に差の無いヘッドは再設定の必要が無いことは述
べるまでもない。

【００５７】実稼動中においては、データ部の情報の読
み出しにより、エラー回復機能によって、バイアス電流
が再設定されるのは前述のとおりである。

【００５８】以上述べた各段階でのΔＶ，ΔＴを最小と
するバイアス電流設定及びリードエラーを最小とするバ
イアス電流の設定は、ディスク装置内部で全て実施さ
れ、自動的且つ高速で各要素が動作し、最終的に最適バ
イアス電流設定、すなわち、実稼動時にリードエラーが
最小となるように設定される。

【００５９】このバイアス電流設定を自動的に行なうた
めに、例えばディスク制御装置１６内にマイコンを設け
る。このマイコン制御により、制御信号１９，２２を通
じてバイアス電流を微量ずつ変えて行き、その都度対応
するΔＶ，ΔＴ量２１を記憶しておき、前回のバイアス
電流に対するΔＶ，ΔＴ量を今回のバイアス電流に対す
るΔＶ，ΔＴ量と比較することを繰り返すことにより、
最小のΔＶ，ΔＴ量に対するバイアス電流値が自動的に
求まるので、このバイアス電流値に自動的に固定するよ
うにすればよい。

【００６０】上記バイアス電流設定方法の達成の手段と
して、本実施例では、各種専用集積回路（ＩＣ）が用意
される。図１に示すバイアス電流設定回路ブロックに示
す少なくとも１個以上のＭＲヘッド用のバイアス電流源
７と、電流値を制御する外部制御信号２０及び電流制御
信号２２の入力と、ＭＲヘッド用読み出し増幅器８とを
一体化して持つアナログＩＣが高速化及び低ノイズ化の
ため、必要不可欠となる。

【００６１】この種のＩＣはＭＲヘッド近くに設けるこ
とが普通である。従って小型パッケージ化が要求され
る。

【００６２】もう一つの専用ＩＣとして、ΔＶ及びΔＴ
を検出する上／下非対称量検出部１０とピークずれ量検
出部１１とを一体化したＩＣが不可欠である。磁気ディ
スク装置は高速転送化が進んでいる。近い将来１０ＭＢ
／Ｓｅｃ前後の領域を迎え、この検出部は６０〜１００
ＭＨｚ帯域のアナログ、ディジタル信号を処理しなけれ
ばならない。また、ΔＶ，ΔＴのドリフトも生じてはな
らない。何故ならΔＶの数％，ΔＴの１ｎｓｅｃはバイ
アス電流設定量の誤差により発生し、リードエラー発生
の原因になりうるからである。

【００６３】以上により、望ましくはパルス化回路９と
検出部１０，１１とが一体となった単一リニアＩＣが必
要となる。なお、前記以外の要素は従来レベルのＩＣで
十分対応可能である。

【００６４】以上の実施例によれば、製造過程及びＨＤ
Ａ検査過程、及び実稼動時において、複数のＭＲヘッド
のバイアス電流が自動的にかつ高速度で設定され、最終
的にリードエラー回復動作をも考慮した構成により、再
生波形の上／下非対称及びピークずれの少ないかつ、リ
ードエラーが少ない小型で高速化対応の信頼性の高いＭ
Ｒヘッド搭載磁気ディスク装置が提供できる。

【００６５】

【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、１または複数のＭＲヘッドの各々について、磁気
ディスクの半径方向の各トラック位置毎に、ＭＲヘッド
のバイアス電流値を、読み出し電圧の上下非対称量また
はピークずれが最小となるように調整し設定したので、
複数のＭＲヘッドや中心タップ電極を設けることができ
ない狹トラック幅ＭＲヘッドにおいても、再生信号の振
幅歪や位相歪を簡単な構成により小さくすることがで
き、リードエラーの少ないリードエラー回復率の高い磁
気ディスク装置が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による磁気ディスク装置のバ
イアス電流設定回路の構成を示すブロック図である。

【図２】従来の差動型ＭＲヘッドの平面図である。

【図３】図２の差動型ＭＲヘッドを用いた接続回路図で
ある。

【図４】従来の複合型ＭＲヘッドの断面図である。

【図５】図４の複合型ＭＲヘッドを用いた再生系のブロ
ック図である。

【図６】本発明の一実施例によるリードエラー回復動作
のブロック図である。

【図７】従来のリードエラー回復動作のブロック図であ
る。

【図８】本発明の一実施例による図６のリードエラー回
復オペレーションのフロー図である。

【図９】本発明の一実施例によるディスク円周上の記録
検出部の説明図である。

【図１０】読み出し波形の上／下非対称量（ΔＶ）の定
義の説明図である。

【図１１】読み出し波形のピークずれ量（ΔＴ）の定義
の説明図である。

【図１２】一般的なＭＲヘッドの動作説明図である。

【符号の説明】

１〜３電極４読み出し電圧増幅器（ＡＭＰ）５誘導型ヘッド６ＭＲヘッドエレメント７バイアス電流源８読み出し増幅器（ヘッド選択器を含む）９パルス化回路（ＡＧＣ，イコライザ）１０上／下非対称量検出部１１ピークずれ量検出部１２Ａ／Ｄ変換器１３制御信号発生器１４信号弁別回路１５モード選択制御部１６ディスク制御装置（ＤＫＣ）１７〜２１制御信号２２電流制御信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者南浩幸神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１または複数の磁気抵抗効果型ヘッドを
有する磁気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型
ヘッドのバイアス電流を各磁気抵抗効果型ヘッド毎に調
整して所要値に設定するバイアス電流設定手段を備えた
ことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】前記バイアス電流設定手段は、各磁気抵
抗効果型ヘッドの磁気ディスク媒体半径方向の位置毎に
バイアス電流を調整して所要値に設定する手段を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】前記バイアス電流設定手段は、一定周波
数の記録信号を磁気抵抗効果型ヘッドで読み出したとき
の波形の上側ピーク値及び下側ピーク値の大きさの差ま
たは、この波形の時間的上側ピーク位置及び下側ピーク
位置の時間差が最小となるように磁気抵抗効果型ヘッド
のバイアス電流を設定する手段を備えたことを特徴とす
る請求項１または２記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】前記バイアス電流設定手段は、磁気ディ
スク媒体に記録されたデータ部情報のリードエラーが最
小となるように磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流を
設定する手段を備えたことを特徴とする請求項１または
２記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流を
増減しながらリードリトライしてエラー回復するリード
エラー回復手段を備えたことを特徴とする請求項１，２
または４記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】前記一定周波数の記録信号の記録領域を
磁気ディスク媒体の円周トラックのデータ部または、こ
のデータ部よりも前方のアドレス部に設けたことを特徴
とする請求項３記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】前記アドレス部に記録された一定周波数
の記録信号の磁気抵抗効果型ヘッドによる読み出し波形
の上側ピーク値及び下側ピーク値の大きさの差またはこ
の波形の時間的上側ピーク位置及び下側ピーク位置の時
間差が最小となるように前記バイアス電流値を設定した
後、この設定したバイアス電流をもって引き続きデータ
部の読み出し動作を行なうように構成したことを特徴と
する請求項６記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】前記大きさの差及び前記時間差を同時に
検出することができるようにしたアナログ集積回路を備
えたことを特徴とする請求項３記載の磁気ディスク装
置。
【請求項９】複数の磁気抵抗効果型ヘッド毎に調整可
能なバイアス電流源と、その電流値を制御する外部制御
信号入力部と、磁気抵抗効果型ヘッド用読み出し増幅器
とを合わせ持つアナログ集積回路を備えたことを特徴と
する請求項１ないし８記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】ヘッド・ディスク組み立て体の初期調
整時に、バイアス電流を調整してその設定を行なうよう
に構成したことを特徴とする請求項１ないし３，６，７
のいずれかの１記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】ヘッド・ディスク組立体の最終検査に
おける環境動作試験のときに、磁気ディスク媒体データ
部にワーストパターンを記録し、このワーストパターン
のリードエラーが最小となるようにバイアス電流を設定
することを特徴とする請求項４または５記載の磁気ディ
スク装置。
【請求項１２】前記一定周波数を情報記録再生周波数
帯域の下限に設定したことを特徴とする請求項３，６，
７，１０のいずれか１記載の磁気ディスク装置。