JPH06228297A - 芳香族ポリカーボネート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 末端基の少なくとも１つが、一般式（１）で
表される基を有する芳香族ポリカーボネート。 −Ａ−ＯＲ₁ （１） （式中、Ｒ₁ はシクロアルキル基またはシクロアルキル
アルキル基を表し、Ａはフェニレン基を表す） 【効果】 溶融流動性ならびに熱安定性に優れた芳香族
ポリカーボネートを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は芳香族ポリカーボネート
に関する。さらに詳しくは、末端基として特定構造の基
を有する芳香族ポリカーボネートに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、芳香族ポリカーボネートは、
透明性、耐熱性、機械的強度、寸法安定性等に優れたエ
ンジニアリングプラスチックとして知られており、自動
車、電気、電子材料等の部品として幅広く用いられてい
る。通常、芳香族ポリカーボネートを製造するには、製
造される芳香族ポリカーボネートの分子量を調節する目
的で、末端封止剤（分子量調節剤、重合停止剤、連鎖停
止剤、末端停止剤などとも呼ばれている）を添加し重合
している（例えば、米国特許第３０２８３６５号、米国
特許第３０８５９９２号、米国特許第３１７３８９１
号、米国特許第３２７５６０１号、米国特許第３３９９
１７２号）。その中でも、末端封止剤として、フェノー
ルまたはｐ−tert−ブチルフェノールが最も一般的に広
く使用されている。しかし、フェノールまたはｐ−tert
−ブチルフェノールを末端封止剤として製造される通常
の芳香族ポリカーボネートは、溶融粘度が非常に高く、
溶融流動性が悪いため、成形品を製造する際には、充分
な流動性を確保するために、高温条件下で溶融成形が行
われてきた。しかしながら、薄肉の成形品あるいは複雑
な形状の成形品を製造する場合には、溶融時の流動性は
なお不充分であり、金型内で未充填を起こしやすく、高
精度の寸法安定性が要求される精密成形品が得られにく
いという問題点がある。

【０００３】最近では、特に、例えば、データ保存用デ
ィスクまたはオーディオ用コンパクトディスク等の光学
機器用に必要とされる高い寸法安定性が要求される分野
において、優れた溶融流動性を有する芳香族ポリカーボ
ネートが必要となっている。溶融流動性を改良する方法
として、例えば、Ｃ_m Ｈ_2m+1Ｏ−基（ｍは３〜１０の整
数を表す）をパラ位に有するフェノール誘導体または安
息香酸誘導体を末端封止剤として使用し、芳香族ポリカ
ーボネートを製造する方法が提案されている（特開昭６
３−２５８９２２号公報）。しかし、末端封止剤とし
て、例えば、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシフェノールまたは
ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸を使用して製造される
芳香族ポリカーボネートは、溶融流動性はある程度改善
されるものの、熱安定性（ガラス転移点）が低いという
問題点がある。現在では、溶融流動性に優れ、かつ熱安
定性にも優れた芳香族ポリカーボネートが強く要望され
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の従来技術の欠点を克服し、芳香族ポリカーボネートの
溶融流動性を充分に改善し、さらに熱安定性に優れた芳
香族ポリカーボネートを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、芳香族ポ
リカーボネートに関し鋭意検討した結果、本発明に到達
した。すなわち、本発明は、末端基の少なくとも１つ
が、一般式（１）で表される基である芳香族ポリカーボ
ネートである。 −Ａ−ＯＲ₁ （１） （式中、Ｒ₁ はシクロアルキル基またはシクロアルキル
アルキル基を表し、Ａはフェニレン基を表す）本発明に
係る一般式（１）で表される末端基において、Ｒ₁ はシ
クロアルキル基またはシクロアルキルアルキル基を表
し、それぞれのシクロアルキル基は炭素数１〜８のアル
キル基または炭素数６〜１０のアリール基で置換されて
いても良く、好ましくは、総炭素数５〜１４のシクロア
ルキル基または総炭素数６〜１４のシクロアルキルアル
キル基である。

【０００６】Ｒ₁ の具体例としては、例えば、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シク
ロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シク
ロウンデシル基、シクロドデシル基、シクロトリデシル
基、シクロテトラデシル基、３−メチルシクロペンチル
基、２−メチルシクロペンチル基、４−メチルシクロヘ
キシル基、３−メチルシクロヘキシル基、２−メチルシ
クロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｎ
−ブチルシクロヘキシル基、４−tert−ブチルシクロヘ
キシル基、４−ｎ−オクチルシクロヘキシル基、４−シ
クロヘキルシクロヘキシル基、２，２−ジメチルシクロ
ペンチル基、２，２−ジメチルシクロヘキシル基、２，
３−ジメチルシクロヘキシル基、２，５−ジメチルシク
ロヘキシル基、２，６−ジメチルシクロヘキシル基、
３，４−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチル
シクロヘキシル基、４，４−ジメチルシクロヘキシル
基、３，３，５−トリメチルシクロヘキシル基、２−ノ
ルボルニル基、２−アダマンチル基、４−フェニルシク
ロヘキシル基、３−フェニルシクロヘキシル基、２−フ
ェニルシクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シ
クロヘキシルメチル基、２−シクロヘキシルエチル基、
３−シクロヘキシルプロピル基、シクロオクチルメチル
基、２−ノルボルナンメチル基、２−アダマンタンメチ
ル基等を挙げることができる。

【０００７】本発明に係る一般式（１）で表される末端
基において、Ａはフェニレン基、即ち、１，２−フェニ
レン基、１，３−フェニレン基または１，４−フェニレ
ン基を表し、これらの基は、さらに炭素数１〜８のアル
キル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数６〜１０
のアリール基、炭素数７〜１０のアラルキル基またはハ
ロゲン原子で単置換あるいは多置換されていてもよい。
本発明の末端基の少なくとも１つが、一般式（１）で表
される基を有する芳香族ポリカーボネートを製造する際
に使用する好適な末端封止剤としては、一般式（１−
Ａ）で表される化合物を挙げることができる。 Ｙ−Ａ−ＯＲ₁ （１−Ａ） 〔式中、Ｒ₁ およびＡは前記に同じであり、Ｙは−ＯＨ
基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＺ基、−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯ
Ｍ基または−ＣＯＺ基（但し、Ｍは金属イオン、Ｚはハ
ロゲン原子を表す）を表す〕

【０００８】本発明に係る一般式（１−Ａ）で表される
化合物において、Ｙは、−ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯ
Ｚ基、−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯＭ基または−ＣＯＺ基を
表し、Ｍは金属イオンを表し、Ｚはハロゲン原子を表
す。Ｍとしては、好ましくは、１価または２価のアルカ
リ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンであり、リ
チウム、ナトリウム、カリウム、カルシウムイオン等を
具体例として挙げることができ、Ｚとしては、好ましく
は、フッソ原子、塩素原子、臭素原子を挙げることがで
き、より好ましくは、塩素原子である。

【０００９】本発明に係る一般式（１−Ａ）で表される
化合物において、Ｙの置換位置は、−ＯＲ₁ 基に対し
て、オルト位、メタ位またはパラ位である。尚、一般式
（１−Ａ）で表される化合物は、公知の方法により製造
することができる。すなわち、代表的には、一般式（１
−Ａ）において、Ｙが−ＯＨ基または−ＣＯＯＨ基で表
される化合物は、例えば、一般式（ａ）で表される化合
物に、塩基（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水素化ナトリウム等）の存在下、一般式（ｂ）で表
される化合物を作用させることにより製造することがで
きる。 Ｙ−Ａ−ＯＨ （ａ） （式中、Ａは前記に同じであり、Ｙは−ＯＨ基または−
ＣＯＯＨ基を表す） Ｚ−Ｒ₁ （ｂ） （式中、Ｒ₁ は前記に同じであり、Ｚはハロゲン原子を
表す）

【００１０】また、一般式（１−Ａ）において、Ｙが−
ＯＣＯＺ基で表される化合物において、例えば、Ｚが塩
素原子である化合物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、
例えば、ホスゲンを作用させ製造することができる。一
般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＣＯＺ基で表される化
合物において、例えば、Ｚが塩素原子である化合物は、
Ｙが−ＣＯＯＨ基である化合物に、例えば、塩化チオニ
ルまたはオギザリルクロライドを作用させ製造すること
ができる。一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＭ基で
表される化合物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、例え
ば、水溶液中で水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化カルシウム等のアルカリ金属塩基またはアルカリ土
類塩基を作用させ製造することができる。一般式（１−
Ａ）において、Ｙが−ＣＯＯＭ基で表される化合物は、
Ｙが−ＣＯＯＨ基である化合物に、例えば、水溶液中で
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム
等のアルカリ金属塩基またはアルカリ土類塩基を作用さ
せ製造することができる。

【００１１】本発明の末端基の少なくとも１つが、一般
式（１）で表される基を有する芳香族ポリカーボネート
において、一般式（１）で表される基としては、代表的
には以下に示す基を挙げることができるが、勿論、本発
明はこれらに限定されるものではない。 例示番号 １．２−シクロペンチルオキシフェニル基 ２．２−シクロペンチルオキシ−４−メトキシフェニル
基 ３．２−シクロヘキシルオキシ−４−シクロヘキシルオ
キシフェニル基 ４．２−シクロペンチルオキシ−４−ベンジルフェニル
基 ５．２−シクロヘキシルオキシフェニル基 ６．２−シクロヘキシルオキシ−４−クロロフェニル基 ７．２−（４’−エチルシクロヘキシルオキシ）フェニ
ル基 ８．２−（２’，４’−ジメチルシクロヘキシルオキ
シ）フェニル基 ９．２−（４’−ｎ−ブチルシクロヘキシルオキシ）フ
ェニル基 １０．２−シクロヘプチルオキシ−４−ブロモフェニル
基 １１．２−シクロドデシルオキシ−４−tert−ブチルフ
ェニル基 １２．２−シクロテトラデシルオキシ−４−エチルフェ
ニル基 １３．２−（４’−フェニルシクロヘキシルオキシ）フ
ェニル基 １４．２−（シクロペンチルメチルオキシ）フェニル基

【００１２】１５．３−シクロペンチルオキシフェニル
基 １６．３−（２’−メチルシクロペンチルオキシ）フェ
ニル基 １７．３−シクロヘキシルオキシ−５−エトキシフェニ
ル基 １８．３−シクロヘキシルオキシ−４，５−ジメトキシ
フェニル基 １９．３−（４’−メチルシクロヘキシルオキシ）フェ
ニル基 ２０．３−（２’−メチルシクロヘキシルオキシ）フェ
ニル基 ２１．３−（３’，５’−ジメチルシクロヘキシルオキ
シ）フェニル基 ２２．３−シクロオクチルオキシフェニル基 ２３．３−シクロデシルオキシ−５−エトキシフェニル
基 ２４．３−（４’−フェニルシクロヘキシルオキシ）フ
ェニル基 ２５．３−（２’−ノルボニルオキシ）−４−クロロフ
ェニル基 ２６．３−シクロヘキシルメチルオキシ−４−クロロフ
ェニル基

【００１３】２７．４−シクロペンチルオキシフェニル
基 ２８．４−シクロヘキシルオキシフェニル基 ２９．４−シクロヘキシルオキシ−２−メチルフェニル
基 ３０．４−シクロヘキシルオキシ−２−イソプロポキシ
フェニル基 ３１．４−シクロヘキシルオキシ−３−フルオロフェニ
ル基 ３２．４−シクロヘキシルオキシ−２−クロロフェニル
基 ３３．４−シクロヘキシルオキシ−２−フェニルフェニ
ル基 ３４．４−（４’−メチルシクロヘキシルオキシ）フェ
ニル基 ３５．４−（４’−エチルシクロヘキシルオキシ）フェ
ニル基 ３６．４−（４’−tert−ブチルシクロヘキシルオキ
シ）フェニル基 ３７．４−（４’−ｎ−オクチルシクロヘキシルオキ
シ）フェニル基 ３８．４−（２’，２’−ジメチルシクロヘキシルオキ
シ）フェニル基 ３９．４−（３’，３’，５’−トリメチルシクロヘキ
シルオキシ）フェニル基 ４０．４−シクロヘプチルオキシフェニル基 ４１．４−シクロオクチルオキシ−２，６−ジメチルフ
ェニル基 ４２．４−シクロウンデシルオキシフェニル基 ４３．４−（２’−アダマンチルオキシ）フェニル基 ４４．４−（２’−シクロヘキシルエチルオキシ）フェ
ニル基

【００１４】本発明の芳香族ポリカーボネートは、少な
くとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物、カーボネート
前駆体および少なくとも１種の一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物から製造することができ、その製造方法とし
ては、当業者においては公知の界面重合法、溶液重合法
またはエステル交換法を利用することができ、特に、界
面重合法は好ましい製造方法である。本発明の新規な末
端基を有する芳香族ポリカーボネートを製造する際に、
一般式（１−Ａ）で表される化合物は末端封止剤として
作用し、本発明の芳香族ポリカーボネートの製造工程に
おいて芳香族ポリカーボネートの分子量を制御又は調整
するのに役立つ。これらの末端封止剤と芳香族ジヒドロ
キシ化合物とは、カーボネート前駆体の作用により、カ
ーボネート結合またはエステル結合を形成し、本発明の
一般式（１）で表される末端基を有する芳香族ポリカー
ボネートを生成する。尚、カーボネート結合は、一般式
（１−Ａ）で表される化合物において、Ｙが、−ＯＨ
基、−ＯＭ基または−ＯＣＯＺ基である化合物を使用す
ることにより形成され、一方、エステル結合は、Ｙが、
−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯＭ基または−ＣＯＺ基である化
合物を使用することにより形成される。

【００１５】本発明の芳香族ポリカーボネートの重量平
均分子量は、製造の際に使用する一般式（１−Ａ）で表
される化合物の使用量により、任意の重量平均分子量を
とることができるが、成形加工性、衝撃抵抗性などの諸
物性を考慮し、約１５０００〜約１５００００の重量平
均分子量であることが好ましく、より好ましくは約２０
０００〜約１０００００の重量平均分子量である。重量
平均分子量は、一般に、芳香族ポリカーボネート生成時
に使用される一般式（１−Ａ）で表される化合物の量に
依存する。概して、一般式（１−Ａ）で表される化合物
の使用量が多くなれば芳香族ポリカーボネートの重量平
均分子量は小さくなり、逆に、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物の使用量が少なくなれば芳香族ポリカーボネ
ートの重量平均分子量は大きくなる。一般に、一般式
（１−Ａ）で表される化合物の使用量は、使用する芳香
族ジヒドロキシ化合物の量に対して、約１．２〜約１
０．０モル％であるのが好ましく、さらには、約１．５
〜約７．０モル％がより好ましい。

【００１６】一般式（１−Ａ）で表される末端封止剤
は、一般に、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート
前駆体との反応において、最初に、すなわち、カーボネ
ート前駆体の添加に先立って、芳香族ジヒドロキシ化合
物と共に存在させてもよく、またはカーボネート前駆体
の添加に伴い、逐次連続的に供給することもできる。本
発明のポリカーボネートの製造に際して、一般式（１−
Ａ）で表される化合物は、一種あるいは複数使用するこ
とができる。一種だけを使用した場合には、芳香族ポリ
カーボネートの末端基は、全部同じ構造を有する基にな
る。また、複数併用した場合には、使用した一般式（１
−Ａ）で表される化合物の数、量およびタイプにより種
々の末端基が混合した形になる。更に、一般式（１−
Ａ）で表される化合物は、本発明の所望の効果を損なわ
ない範囲で、他の公知の末端封止剤と組み合わせて使用
することも可能である。本発明の芳香族ポリカーボネー
トを製造する際に、一般式（１−Ａ）で表される化合物
と、他の公知の末端封止剤を併用する場合、全末端封止
剤中、一般式（１−Ａ）で表される化合物の割合は、３
０モル％以上であることが好ましく、５０モル％以上で
あることがより好ましく、６０モル％以上であることが
特に好ましい。

【００１７】一般式（１−Ａ）で表される化合物以外の
末端封止剤としては、例えば、１価のヒドロキシ芳香族
化合物、１価のヒドロキシ芳香族化合物のクロロホーメ
ート化合物、１価のカルボン酸基を有する化合物および
１価のカルボン酸のクロライド化合物等である。１価の
ヒドロキシ芳香族化合物としては、例えば、フェノー
ル、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチ
ルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−tert
−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−シク
ロヘキシルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−
ノニルフェノール、２，４−キシレノール、ｐ−メトキ
シフェノール、ｐ−ヘキシルオキシフェノール、ｐ−デ
シルオキシフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−ク
ロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｐ−ブロモフ
ェノール、ペンタブロモフェノール、ペンタクロロフェ
ノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−イソプロペニル
フェノール、２，４−ジ（１−メチル−１−フェニルエ
チル）フェノール、β−ナフトール、α−ナフトール、
ｐ−（２’，４’，４’−トリメチルクロマニル）フェ
ノール、２−（４’−メトキシフェニル）−２−（４”
−ヒドロキシフェニル）プロパン等のフェノール類であ
る。

【００１８】１価のヒドロキシ芳香族化合物のクロロホ
ーメート化合物としては、上述の１価のヒドロキシ芳香
族化合物のクロロホーメート誘導体等である。また、１
価のカルボン酸基を有する化合物としては、例えば、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、ヘプタ
ン酸、カプリル酸、２，２−ジメチルプロピオン酸、３
−メチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、４−メチル吉草
酸、３，３−ジメチル吉草酸、４−メチルカプロン酸、
２，４−ジメチル吉草酸、３，５−ジメチルカプロン
酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸類、安息香酸、ｐ−メチ
ル安息香酸、ｐ−tert−ブチル安息香酸、ｐ−プロピル
オキシ安息香酸、ｐ−ブトキシ安息香酸、ｐ−ヘキシル
オキシ安息香酸、ｐ−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−フ
ェニル安息香酸、ｐ−ベンジル安息香酸、ｐ−クロロ安
息香酸等の安息香酸類である。１価のカルボン酸のクロ
ライド化合物としては、上記の１価のカルボン酸基を有
する化合物のクロライド誘導体等である。尚、上述の１
価のヒドロキシ芳香族化合物または１価のカルボン酸基
を有する化合物のアルカリ金属（例えば、リチウム、ナ
トリウム、カリウム）塩、アルカリ土類金属（例えば、
カルシウム）塩も末端封止剤として使用できる。

【００１９】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、一
般式（２）で表される化合物を挙げることができる。 ＨＯ−Ｒ−ＯＨ （２） （式中、Ｒは芳香族炭化水素基、またはアルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ハロゲン
原子、ニトロ基あるいはアルコキシ基等の置換基を有す
る置換芳香族炭化水素基である）上記の一般式（２）に
おいて、基Ｒは、好ましくは、一般式（３）で表される
基である。 −Ａr¹−Ｂ−Ａr²− （３） （式中、Ａr¹とＡr²は各々単環の二価芳香族基であり、
ＢはＡr¹とＡr²を結び付ける基である）

【００２０】上記一般式（３）において、Ａr¹およびＡ
r²は、各々、単環の二価芳香族基であり、好ましくは、
フェニレン基もしくは置換基を有する置換フェニレン基
である。置換基としては、例えば、アルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アリール基等の炭化水素基
や、ハロゲン、ニトロ基、アルコキシ基等が挙げられ
る。Ａr¹とＡr²の両方がｐ−フェニレン基、ｍ−フェニ
レン基またはｏ−フェニレン基、あるいは一方がｐ−フ
ェニレン基であり、一方がｍ−フェニレン基またはｏ−
フェニレン基であるのが好ましく、特にＡr¹とＡr²の両
方がｐ−フェニレン基であるのが好ましい。Ｂは、Ａr¹
とＡr²を結び付ける基であり、単結合もしくは２価の炭
化水素基、更には、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂ −、−ＣＯ−等の炭素と水素以外の原子を含む基であ
っても良い。２価の炭化水素基とは、飽和の炭化水素
基、例えば、メチレン、エチレン、２，２−プロピリデ
ン、シクロヘキシリデン等のアルキリデン基があげられ
るが、アリール基等で置換された基も包含され、また、
芳香族基やその他の不飽和の炭化水素基を含有する炭化
水素基であってもよい。

【００２１】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
−メチル−４−ヒドロキシ）メタン、ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシ）メタン、１，１−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）エタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−ナフチルメタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン〔”ビスフェノール
Ａ”〕、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−
３−メチルプロパン、１，３−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）−１，１−ジメチルプロパン、２−（４’−
ヒドロキシフェニル）−２−（３’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ブタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）−４−メチルペンタン、２，２−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）ヘキサン、４，４−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）オクタン、２，２−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）ノナン、

【００２２】ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、２，２−ビス（３’−メチル−４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’
−エチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，
２−ビス（３’−ｎ−プロピル−４’−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（３’−イソプロピル−
４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−sec −ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３’−tert−ブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−シ
クロヘキシル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３’−アリル−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３’−メトキシ−４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，
５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル) プロパ
ン、２，２−ビス（２’，３’，５’，６’−テトラメ
チル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３’−クロロ−４’−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３’，５’−ジクロロ−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−ブ
ロモ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３’，５’−ジブロモ−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（２’，６’−ジブロモ−
３’，５’ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シアノメタン、
１−シアノ−３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ブタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン等のビス（ヒドロキシアリ
ール）アルカン類、

【００２３】１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’−メチ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’，５’−
ジクロロ−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−
メチルシクロヘキサン、１，１−ビス (４’−ヒドロキ
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘプタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）
シクロオクタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）シクロノナン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）シクロドデカン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ノルボルナン、８，８−ビス（４’−
ヒドロキシフェニル）トリシクロ〔５．２．１．
０^2.6 〕デカン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）アダマンタン等のビス（ヒドロキシアリール）シ
クロアルカン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニルエーテル、エチレングリコールビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エーテル等のビス（ヒドロキシアリ
ール）エーテル類、

【００２４】４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフ
ィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルフィド、３，３’−ジシクロヘキシル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
３’−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニル
スルフィド、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド等のビス（ヒ
ドロキシアリール）スルフィド類、４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−
４，4'−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド等のビス
（ヒドロキシアリール）スルホキシド類、４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’
−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホン、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルホン等のビス（ヒドロキシアリール）スル
ホン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン等のビ
ス（ヒドロキシアリール）ケトン類、

【００２５】更には、６，６’−ジヒドロキシ−２，
２’，３，３’−テトラヒドロ−３，3'３’，３’−テ
トラメチル−１，１’−スピロビ（１Ｈ−インデ
ン）〔”スピロビインダンビスフェノール”〕、７，７
−ジヒドロキシ−３，３’，４，４’−テトラヒドロ−
４，４，４’，４’−テトラメチル−２，２’−スピロ
ビ（２Ｈ−１−ベンゾピラン）〔”スピロビクロマ
ン”〕、トランス−２，３−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）−２−ブテン、９，９−ビス（４’−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、３，３−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）−２−ブタノン、１，６−ビス（４’−
ヒドロキシフェニル）−１，６−ヘキサンジオン、１，
１−ジクロロ−２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）エチレン、１，１−ジブロモ−２，２−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）エチレン、１，１−ジクロロ−
２，２−ビス（３’−フェノキシ−４’−ヒドロキシフ
ェニル）エチレン、α，α，α’，α’−テトラメチル
−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キ
シレン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシレン、
３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フタリド、
２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキシン、２，
６−ジヒドロキシチアントレン、２，７−ジヒドロキシ
フェノキサチイン、２，７−ジヒドロキシ−９，１０−
ジメチルフェナジン、３，６−ジヒドロキシジベンゾフ
ラン、３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフェン、４，
４’−ジヒドロキシビフェニル、１，４−ジヒドロキシ
ナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，６
−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフ
タレン、２，７−ジヒドロキシピレン等が挙げられる。
上記の芳香族ジヒドロキシ化合物の他にもハイドロキノ
ン、レゾルシン等も同様に使用される。更には、例えば
ビスフェノールＡ２モルとイソフタロイルクロライド又
はテレフタロイルクロライド１モルとを反応させること
により製造することができるエステル結合を含むビスフ
ェノール類（芳香族ジヒドロキシ化合物）も有用であ
る。これらは単独で、あるいは２種以上混合して使用し
てもよい。特に好ましく使用される芳香族ジヒドロキシ
化合物は、ビスフェノールＡである。

【００２６】カーボネート前駆体としては、ハロゲン化
カルボニル、ハロホーメート化合物、ジアルキルカーボ
ネート化合物、ジアリールカーボネート化合物、アルキ
ルアリールカーボネート化合物を挙げることができ、好
ましくは、ハロゲン化カルボニルおよびハロホーメート
化合物である。ハロゲン化カルボニルとしては、通常、
ホスゲンと呼ばれる塩化カルボニルが用いられるが、塩
素以外のハロゲンより誘導されるハロゲン化カルボニ
ル、例えば臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化
カルボニル等でもよく、これらの混合物であってもよ
い。また、ハロホーメート基を形成させる能力を有する
化合物、例えば、ホスゲンの２量体であるトリクロロメ
チルクロロホーメートやホスゲンの３量体であるビス
（トリクロロメチル）カーボネート等であっても良い
が、通常はホスゲンを使用するのが好ましい。ハロホー
メート化合物としては、ビスまたはモノハロホーメート
化合物、オリゴマー状のビスまたはモノハロホーメート
化合物が用いられ、代表的には一般式（４）（化１）で
表される化合物を挙げることができる。

【００２７】

【化１】 （式中、Ｘは水素原子またはハロカルボニル基を表し、
少なくとも１個のＸはハロカルボニル基であり、Ｒ’は
２価の脂肪族基または芳香族基を表し、ｎは０または正
の整数を表す）一般式（４）で表される化合物は、脂肪
族ジヒドロキシ化合物から誘導されるビスハロホーメー
ト化合物およびオリゴマー状のビスハロホーメート化合
物、および芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導されるビ
スハロホーメート化合物およびオリゴマー状のビスハロ
ホーメート化合物である。一般式（４）において、２価
の脂肪族基Ｒ’としては、炭素数２〜２０のアルキレン
基および炭素数４〜１２のシクロアルキレン基が挙げら
れ、例えば、直鎖状または分岐状のエチレン基、プロピ
レン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘ
プチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、
ウンデシレン基、ドデシレン基等の２価の炭化水素基、
また、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロ
ヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン
基、シクロノニレン基、シクロデシレン基、シクロウン
デシレン基、シクロドデシレン基またはそれらの任意に
置換された２価の環状炭化水素基である。

【００２８】これらの脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体
例としては、エチレングリコール、１，３−プロパンジ
オール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジ
オール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，
６−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、
１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオー
ル、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオー
ル、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカ
ンジオール、ネオペンチルグリコール、２−エチル−
１，６−ヘキサンジオール、２−メチル−１，３−プロ
パンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、１，
４−シクロヘキサンジオール、２，２−ビス（４’−ヒ
ドロキシシクロヘキシル）プロパン等を挙げることがで
きる。また、２価の脂肪族基Ｒ’は、一般式（５）で表
されるような基も含む。 −Ｒ”−Ａｒ³ −Ｒ”− （５） （式中、Ｒ”は炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ａ
ｒ³ は炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表す）一般式
（５）において、Ｒ”基は炭素数１〜６のアルキレン基
を表し、例えば、直鎖状または分岐状のメチレン基、エ
チレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、
ヘキシレン基の２価の炭化水素基が挙げられ、Ａｒ³ 基
は、炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表し、フェニレ
ン基、置換フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ
る。

【００２９】この種の脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体
例としては、キシリレンジオール、１，４−ビス（２’
−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，４−ビス（３’−
ヒドロキシプロピル）ベンゼン、１，４−ビス（４’−
ヒドロキシブチル）ベンゼン、１，４−ビス（５’−ヒ
ドロキシペンチル）ベンゼン、１，４−ビス（６’−ヒ
ドロキシヘキシル）ベンゼン等を挙げることができる。
一般式（４）において、Ｒ’基が芳香族基である芳香族
ジヒドロキシ化合物としては、前述した芳香族ジヒドロ
キシ化合物、例えば、ビスフェノールＡ、ハイドロキノ
ン等を挙げることができる。さらに、オリゴマー状のビ
スまたはモノハロホーメート化合物は、同一分子中に構
造の異なるＲ’基を有していてもよい。これらのハロホ
ーメート化合物は、単独で使用しても、混合して使用し
てもよく、さらにハロゲン化カルボニルと混合して使用
することも可能である。ジアルキルカーボネート化合
物、ジアリールカーボネート化合物、アルキルアリール
カーボネート化合物としては、ジメチルカーボネート、
ジフェニルカーボネート、メチルフェニルカーボネート
化合物、ハロゲン原子、ニトロ基等で置換されたジフェ
ニルカーボネートおよびこれらの混合物が挙げられる。

【００３０】界面重合法により本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合、カーボネート前駆体として
は、ハロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメー
ト化合物が好ましく使用される。カーボネート前駆体
は、気体、液体、固体のいずれの状態で使用してもよい
が、ハロゲン化カルボニルを使用する場合には、気体の
状態で使用するか、あるいは有機溶媒に溶解させた状態
で有機溶媒溶液として使用することが好ましく、ハロホ
ーメート化合物を使用する場合には、固体状態あるいは
有機溶媒に溶解させた状態で有機溶媒溶液として使用す
ることが好ましい。本発明の芳香族ポリカーボネート
を、界面重合法により製造する場合には、公知の芳香族
ポリカーボネートを製造する方法を用いることができ
る。例えば、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合
物とアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属塩基、水お
よび水と実質的に不溶性の有機溶媒の２相混合溶媒中
で、ハロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメー
ト化合物を一般式（１−Ａ）で表される化合物の存在下
で作用させて、芳香族ポリカーボネートを製造する方法
であり、より好ましくは、ポリカーボネート生成触媒の
存在下で製造する方法である。

【００３１】本発明の芳香族ポリカーボネートを界面重
合法により製造するに際し、カーボネート前駆体とし
て、例えば、ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場
合、その使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物の量に対
し、約１．０〜約１．３倍モルとなる量を使用するのが
好ましい。１．０倍モルよりも極端に少ない量のハロゲ
ン化カルボニル化合物を使用することは、未反応の芳香
族ジヒドロキシ化合物を生じる結果となり、色調の良く
ない芳香族ポリカーボネートを生成する要因となる。ま
た、１．３倍モルよりも過度に多いハロゲン化カルボニ
ル化合物の使用は、末端がハロホーメート末端基で停止
したオリゴマーを多量に生成することとなり、その結
果、反応系内のオリゴマーのハロホーメート末端基とＯ
Ｈ基（あるいはフェノラート基）の割合が、ハロホーメ
ート末端基が過剰になるため、通常の重合時間では、ハ
ロホーメート末端基で重合停止された分子量の小さい芳
香族ポリカーボネートを形成させることになるため好ま
しくない。

【００３２】有機溶媒は、水に対して実質的に不溶性で
あり、かつ、反応に対して不活性であり、芳香族ポリカ
ーボネートを溶解するものであれば任意に使用可能であ
る。例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−
ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロ
ロエタン、テトラクロロエタン、ジクロロプロパン等の
脂肪族塩素化物或いは、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等の芳香族塩素化物のような塩素化炭化水素または
それらの混合物を好適な有機溶媒として挙げることがで
きる。またそれらの塩素化炭化水素あるいはそれらの混
合物に、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香
族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の
脂肪族炭化水素等を混合した有機溶媒を使用してもよ
い。特に好ましい有機溶媒はジクロロメタンである。

【００３３】有機溶媒の使用量は、通常、重合終了時の
芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液中の芳
香族ポリカーボネートの濃度が約５〜約３５重量％程度
になるように使用するのが好ましい。芳香族ポリカーボ
ネートの濃度が極端に低い場合には、多量の有機溶媒を
必要とし、生産性の点から好ましくない。また芳香族ポ
リカーボネートの濃度が飽和濃度に近い濃度であると芳
香族ポリカーボネートの有機溶媒溶液の粘度が非常に高
くなるため、界面重合の反応効率の低下、重合後の有機
溶媒溶液の取り扱い性の悪化等の問題点があり好ましく
ない。重合終了時の芳香族ポリカーボネートの有機溶媒
溶液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が、約１０〜約
２０重量％になるように有機溶媒を使用するのが特に好
ましい。また、有機溶媒の使用量は水の使用量にも依存
する。反応混合物が実質的に均一な乳化状態を維持する
に必要な量であれば良く、通常、水相対有機相の容量比
は約０．４〜約１．５：１とするのが好ましい。上記範
囲より有機溶媒が少ない場合には、カーボネート前駆体
およびハロホーメート基の加水分解が多くなり、また均
一な乳化状態を形成する為に多大な攪拌動力を必要と
し、また、上記範囲より有機溶媒が多い場合にも、より
大きな攪拌動力を必要とするため、生産性の点からも好
ましくない。

【００３４】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用するアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
塩基（以下、塩基と略記する）は、通常、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属の水酸化物であって、比
較的入手が容易な点から水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムが好ましく、特に水酸化ナトリウムが好ましい。塩
基は通常水溶液の状態で用いられ、更にこの水溶液に芳
香族ジヒドロキシ化合物を溶解させて反応に使用するこ
とが好ましい。この場合、芳香族ジヒドロキシ化合物の
塩基性水溶液は一般に着色しやすいので、酸化防止剤と
して亜硫酸ナトリウム、ソジウムハイドロサルファイト
あるいはソジウムボロハイドライド等の還元剤を添加し
て芳香族ジヒドロキシ化合物の塩基性水溶液を調製して
もよい。界面重合法において使用する好適なポリカーボ
ネート生成触媒（重合触媒、重縮合触媒とも呼ばれる）
は、三級アミン、四級アンモニウム塩、三級ホスフィ
ン、四級ホスホニウム塩あるいは含窒素複素環化合物及
びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミド基を有す
る化合物等が挙げられる。好ましくは、三級アミンであ
るトリアルキルアミンであり、より好ましくは１位及び
２位にある炭素原子上に分岐を持たず、アルキル基がＣ
₁ 〜Ｃ₄ までのトリアルキルアミンであり、例えば、ト
リエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジエチル
−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン等が挙
げられ、入手の容易さ、及び触媒効果が優れている点で
トリエチルアミンが特に好ましい。ポリカーボネート生
成触媒の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数
に対して約０．０００５〜約０．７モル％が好ましい。
０．０００５モル％より過度に少ない触媒量では、芳香
族ポリカーボネートを形成させるための触媒効果が充分
でなく、非常に長い重合時間が必要となるため、経済的
でなく好ましくない。また、触媒量が１．５モル％より
過度に多くても、重合反応を特に速める効果はなく、過
剰分のポリカーボネート生成触媒が無駄になるため好ま
しくない。ポリカーボネート生成触媒の添加時期は、本
発明の芳香族ポリカーボネートを製造する際、反応前あ
るいは反応中に加えることができる。

【００３５】界面重合法においては、反応温度は、約１
０℃〜反応に使用する有機溶媒の沸点温度で本発明の芳
香族ポリカーボネートを製造することが好ましい。１０
℃より極端に低い反応温度では、反応速度が遅くなり、
反応効率が悪くなる。また冷却媒体あるいは冷却装置を
必要としたりする等実用的ではなくなる。使用される有
機溶媒が、ジクロロメタンである場合には、大気圧にお
いて、還流温度である約３９℃で行うことができる。実
際には、反応は通常、室温付近で開始され、それから反
応熱により還流温度付近にまで上昇される。反応は通常
大気圧で行うが、所望ならば、加圧下または減圧下で反
応を行ってもよい。

【００３６】尚、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
所望により、分岐化剤を添加することにより、分岐化さ
れた芳香族ポリカーボネートとすることができる。本発
明の芳香族ポリカーボネートに対して適する分岐化剤
は、例えば、３つ以上の芳香族性ヒドロキシ基、クロロ
ホーメート基、カルボン酸基、カルボン酸クロライド
基、さらには活性なハロゲン原子を有する化合物を挙げ
ることができ、具体例としては、フロログルシノール、
１，１，４，４−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，３，５−トリス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ベンゼン、１，１，２−トリス（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、α，α，α’，α’
−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）−１，４−
ジエチルベンゼン、１−ヒドロキシ−２，４−ビス〔α
−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル〕
ベンゼン、２，２，５，５−テトラキス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサン、１，１，２，３−テトラキス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４’−
ヒドロキシフェニル）−２−（２”，４”−ジヒドロキ
シフェニル）プロパン、４，６−ジメチル−２，４，６
−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテ
ン、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）ヘプタン、１，４−ビス（４’，
４”−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、
３，３’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルエー
テル、トリス（４−ヒドロキシフェニル）ホスフィン、
トリメシン酸トリクロライド、シアヌル酸クロライド、
３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−オキ
ソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−ビス（４’
−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−オキソ−
２，３−ジヒドロインドール等を挙げることができる。
分岐化剤を使用する場合には、その使用量は、目的とす
る芳香族ポリカーボネートの分岐度にあわせて変化させ
ることができるが、通常、芳香族ジヒドロキシ化合物に
対して０．０５〜２．０モル％程度用いるのが好まし
い。

【００３７】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
は、芳香族ポリエステルカーボネートをも包含するもの
であり、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物
〔例えば、一般式（２）で表される化合物〕、カーボネ
ート前駆体（例えば、ホスゲン）、２価のカルボン酸ま
たは該化合物の誘導体（例えば、米国特許第３１６９１
２１号記載のイソフタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライド等）および
一般式（１−Ａ）で表される化合物を用い、好適に芳香
族ポリエステルカーボネートを製造することができる。
この際、２価のカルボン酸または該化合物の誘導体の使
用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物に対し、３０〜８０
モル％程度用いるのが好ましい。

【００３８】また、本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際には、当業者ではすでに公知の溶液重合法を
利用することもでき、例えば、ピリジン溶液中で、芳香
族ジヒドロキシ化合物、カーボネート前駆体として、ハ
ロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメート化合
物および一般式（１−Ａ）で表される化合物を約０〜５
０℃で作用させることにより製造することができる。ジ
アルキルカーボネート化合物、アルキルアリールカーボ
ネート化合物または／およびジアリールカーボネート化
合物を用いて、芳香族ジヒドロキシ化合物と一般式（１
−Ａ）で表される化合物とより本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合には、ジアルキルカーボネート
化合物、アルキルアリールカーボネート化合物または／
およびジアリールカーボネート化合物、芳香族ジヒドロ
キシ化合物と一般式（１−Ａ）で表される化合物との混
合物を、約６０〜約３００℃の温度で、常圧、加圧下ま
たは減圧下で、必要に応じてエステル交換触媒（例え
ば、金属酸化物、水酸化物、炭酸塩等）の存在下で、当
業者ではすでに公知のエステル交換法により製造するこ
とができる。

【００３９】本発明の芳香族ポリカーボネートは、界面
重合法または溶液重合法により製造した場合、通常該芳
香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液を水層と
分離した後、水洗浄により、実質的に電解質が無くなる
まで洗浄した後、該有機溶媒溶液から公知の方法により
有機溶媒を除去して、本発明の芳香族ポリカーボネート
を得ることができる。また、エステル交換法により製造
された芳香族ポリカーボネートは、エステル交換条件下
で溶融した芳香族ポリカーボネートを、直接ペレット化
あるいは成形物へと加工することも可能である。本発明
の芳香族ポリカーボネートは、特定の有機溶媒（たとえ
ばジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒）に可
溶であり、該有機溶媒よりフィルムのような成形加工品
に加工し得る。本発明の芳香族ポリカーボネートは、熱
可塑性であり、溶融物から射出成形、押し出し成形、吹
き込み成形、積層等の公知の成形法により容易に成形加
工される。

【００４０】本発明の芳香族ポリカーボネートは、他の
芳香族ポリカーボネートあるいはポリエチレンテレフタ
レートやポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）等の
ポリエステルと混合しえる。また、本発明の芳香族ポリ
カーボネートには、加工時の熱安定性、耐光性、耐候
性、耐難燃性、離型性およびその他の性質を付与する目
的で、芳香族ポリカーボネートの製造時または製造後に
公知の方法で、極めて広範囲にわたる添加剤、安定剤、
難燃剤および充填剤、すなわち加工および熱安定剤、酸
化防止剤、加水分解安定剤、耐衝撃安定剤、紫外線吸収
剤、離型剤、有機ハロゲン化合物、アルカリ金属スルホ
ン酸塩、ガラス繊維、ガラスビーズ、硫酸バリウム、Ｔ
ｉＯ2 等を添加しても良い。

【００４１】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 例示番号５の末端基を有する芳香族ポリカ
ーボネートの製造 １０ｌのバッフル付フラスコに、三段六枚羽根の攪拌機
および還流冷却管を設け、このフラスコに、ビスフェノ
ールＡ９１２ｇ（４．０モル）、２−シクロヘキシルオ
キシ安息香酸２９．９ｇ（０．１３６モル，ビスフェノ
ールＡに対して３．４モル％）、ジクロロメタン４ｌ及
び脱イオン水４ｌを入れて懸濁液とし、フラスコ内の酸
素を除去する為に窒素パージを行った。次に、上記懸濁
液にソジウムハイドロサルファイト１．２ｇおよび苛性
ソーダ４３２ｇ（１０．８モル）を溶解した水溶液２．
２ｌを供給し、１５℃でビスフェノールＡを溶解した。
この溶液に、ホスゲン４９５ｇ（５．０モル）を８．２
５ｇ／分の速度で供給した。反応温度は３９℃まで上昇
し、ジクロロメタンの還流が確認された。ホスゲンの供
給が完了した後、トリエチルアミン０．６４ｇを添加し
て、反応液をさらに９０分間攪拌し、重合反応を行っ
た。その後、反応液を静置し、有機層を分液し、塩酸に
より中和し、電解質が無くなるまで脱イオン水で洗浄し
た。このようにして得られた芳香族ポリカーボネートの
ジクロロメタン溶液にトルエン２ｌと水５ｌを加え、９
８℃まで加熱することによりジクロロメタン及びトルエ
ンを留去して、芳香族ポリカーボネートの粉体を得た。
得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０
９００、重量平均分子量は５１２００であった。尚、分
子量は、ＧＰＣ〔ゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィー、昭和電工（株）社製、ＧＰＣシステム−１１〕で
測定したものである。

【００４２】実施例２ 例示番号１５の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−シクロヘキシルオキシ安息香酸
を用いる代わりに、３−シクロペンチルオキシフェノー
ル２４．２ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４モル
％）を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香族ポリ
カーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボネ
ートの数平均分子量は２０８００、重量平均分子量は５
１０００であった。

【００４３】実施例３ 例示番号２２の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−シクロヘキシルオキシ安息香酸
を用いる代わりに、３−シクロオクチルオキシ安息香酸
クロライド３４．１ｇ（ビスフェノールＡに対して３．
２モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香
族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカ
ーボネートの数平均分子量は２１９００、重量平均分子
量は５３０００であった。

【００４４】実施例４ 例示番号２４の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−シクロヘキシルオキシ安息香酸
を用いる代わりに、３−（４’−フェニルシクロヘキシ
ルオキシ）フェノール３６．４ｇ（ビスフェノールＡに
対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様
にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳
香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１０００、重
量平均分子量は５１３００であった。

【００４５】実施例５ 例示番号２８の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−シクロヘキシルオキシ安息香酸
を用いる代わりに、４−シクロヘキシルオキシフェノー
ル２６．１ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４モル
％）を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香族ポリ
カーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボネ
ートの数平均分子量は２０９００、重量平均分子量は５
１１００であった。

【００４６】実施例６ 例示番号２９の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−シクロヘキシルオキシ安息香酸
を用いる代わりに、４−シクロヘキシルオキシ−２−メ
チル安息香酸クロライド３４．３ｇ（ビスフェノールＡ
に対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同
様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた
芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８００、
重量平均分子量は５０７００であった。

【００４７】実施例７ 例示番号３１の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−シクロヘキシルオキシ安息香酸
を用いる代わりに、４−シクロヘキシルオキシ−３−フ
ルオロ安息香酸３２．４ｇ（ビスフェノールＡに対して
３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして
芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポ
リカーボネートの数平均分子量は２０６００、重量平均
分子量は５０５００であった。

【００４８】実施例８ 例示番号３６の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−シクロヘキシルオキシ安息香酸
を用いる代わりに、４−（４’−tert−ブチルシクロヘ
キシルオキシ）フェノール３１．７ｇ（ビスフェノール
Ａに対して３．２モル％）を用いた以外は、実施例１と
同様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得られ
た芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１５０
０、重量平均分子量は５２６００であった。

【００４９】実施例９ 例示番号４４の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−シクロヘキシルオキシ安息香酸
を用いる代わりに、４−（２’−シクロヘキルエチルオ
キシ）安息香酸３１．７ｇ（ビスフェノールＡに対して
３．２モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして
芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポ
リカーボネートの数平均分子量は２１７００、重量平均
分子量は５２８００であった。

【００５０】比較例１ 比較のため、実施例１において、２−シクロヘキシルオ
キシ安息香酸を用いる代わりに、ｐ−tert−ブチルフェ
ノール２０．４ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４モ
ル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香族ポ
リカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボ
ネートの数平均分子量は２１０００、重量平均分子量は
５１０００であった。

【００５１】比較例２ 比較のため、実施例１において、２−シクロヘキシルオ
キシ安息香酸を用いる代わりに、ｐ−ｎ−ヘキシルオキ
シフェノール２６．４ｇ（ビスフェノールＡに対して
３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして
芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポ
リカーボネートの数平均分子量は２０８００、重量平均
分子量は５１３００であった。

【００５２】比較例３ 比較のため、実施例１において、２−シクロヘキシルオ
キシ安息香酸を用いる代わりに、ｐ−ｎ−オクチルオキ
シ安息香酸３４．０ｇ（ビスフェノールＡに対して３．
４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香
族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカ
ーボネートの数平均分子量は２０７００、重量平均分子
量は５０８００であった。

【００５３】各実施例および各比較例で製造した各芳香
族ポリカーボネートのメルトフローインデックス（Ｍ
Ｉ）およびガラス転移点（Ｔｇ、℃）の測定結果を第１
表（表１）に示した。メルトフローインデックス（Ｍ
Ｉ）は、東洋精機製Ｓ−０１メルトインデックサーを用
い、温度２８０℃、荷重２．１６ｋｇの条件で測定し、
１０分間に溶出するポリマーの重量（単位：グラム）で
示した。数値が大きいほど、溶融流動性に優れているこ
とを示している。ガラス転移点（Ｔｇ、℃）は、ＤＳＣ
〔マックサイエンス（株）社製、ＤＳＣ−３１００〕を
用い、昇温速度は１６℃／分の条件で測定した。

【００５４】

【表１】

【００５５】第１表から、本発明の芳香族ポリカーボネ
ートは、公知の末端封止剤を用いて製造される芳香族ポ
リカーボネートに比較して、溶融流動性に優れ、かつガ
ラス転移点も高く、実用上充分な熱安定性を有している
ことが判った。特に、シクロアルキルオキシ基またはシ
クロアルキルアルキルオキシ基を有するフェノール誘導
体あるいは安息香酸誘導体より誘導される末端基を有す
る本発明の芳香族ポリカーボネートが、公知の鎖状のア
ルコキシ基を有するフェノール誘導体または安息香酸誘
導体を末端封止剤として用いて製造される芳香族ポリカ
ーボネートに比較して、ガラス転移点が非常に高く、熱
安定性に優れていることは、非常に驚くべきことであ
る。

【００５６】

【発明の効果】本発明により、溶融流動性に優れ、か
つ、熱安定性に優れた芳香族ポリカーボネートを提供す
ることが可能になった。

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【手続補正書】

【提出日】平成６年１月１９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−
ビス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−ナフチルメタン、１，１−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン〔”ビスフェノールＡ”〕、１，１−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）−３−メチルプロパン、１，３−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジメチルプ
ロパン、２−（４’−ヒドロキシフェニル）−２−
（３’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ペンタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−メチ
ルペンタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサン、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ノナン、

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３４】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用するアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
塩基（以下、塩基と略記する）は、通常、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属の水酸化物であって、比
較的入手が容易な点から水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムが好ましく、特に水酸化ナトリウムが好ましい。塩
基は通常水溶液の状態で用いられ、更にこの水溶液に芳
香族ジヒドロキシ化合物を溶解させて反応に使用するこ
とが好ましい。この場合、芳香族ジヒドロキシ化合物の
塩基性水溶液は一般に着色しやすいので、酸化防止剤と
して亜硫酸ナトリウム、ソジウムハイドロサルファイト
あるいはソジウムボロハイドライド等の還元剤を添加し
て芳香族ジヒドロキシ化合物の塩基性水溶液を調製して
もよい。界面重合法において使用する好適なポリカーボ
ネート生成触媒（重合触媒、重縮合触媒とも呼ばれる）
は、三級アミン、四級アンモニウム塩、三級ホスフィ
ン、四級ホスホニウム塩あるいは含窒素複素環化合物及
びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミド基を有す
る化合物等が挙げられる。好ましくは、三級アミンであ
るトリアルキルアミンであり、より好ましくは１位及び
２位にある炭素原子上に分岐を持たず、アルキル基がＣ
₁ 〜Ｃ₄ までのトリアルキルアミンであり、例えば、ト
リエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジエチル
−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン等が挙
げられ、入手の容易さ、及び触媒効果が優れている点で
トリエチルアミンが特に好ましい。ポリカーボネート生
成触媒の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数
に対して約０．０００５〜約１．５モル％が好ましい。
０．０００５モル％より過度に少ない触媒量では、芳香
族ポリカーボネートを形成させるための触媒効果が充分
でなく、非常に長い重合時間が必要となるため、経済的
でなく好ましくない。また、触媒量が１．５モル％より
過度に多くても、重合反応を特に速める効果はなく、過
剰分のポリカーボネート生成触媒が無駄になるため好ま
しくない。ポリカーボネート生成触媒の添加時期は、本
発明の芳香族ポリカーボネートを製造する際、反応前あ
るいは反応中に加えることができる。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３６】尚、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
所望により、分岐化剤を添加することにより、分岐化さ
れた芳香族ポリカーボネートとすることができる。本発
明の芳香族ポリカーボネートに対して適する分岐化剤
は、例えば、３つ以上の芳香族性ヒドロキシ基、クロロ
ホーメート基、カルボン酸基、カルボン酸クロライド
基、さらには活性なハロゲン原子を有する化合物を挙げ
ることができ、具体例としては、フロログルシノール、
１，１，４，４−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，３，５−トリス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（4'−
ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、α，α，
α’，α’−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）
−１，４−ジエチルベンゼン、１−ヒドロキシ−２，４
−ビス〔α−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニ
ル）エチル〕ベンゼン、２，２，５，５−テトラキス
（４’−ヒドロキシフェニル）ヘキサン、１，１，２，
３−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２−（４’−ヒドロキシフェニル）−２−（２”，
４”−ジヒドロキシフェニル）プロパン、４，６−ジメ
チル−２，４，６−トリス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−２−ヘプテン、４，６−ジメチル−２，４，６−
トリス（４’−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，４
−ビス（４’，４”−ジヒドロキシトリフェニルメチ
ル）ベンゼン、３，３’，５，５’−テトラヒドロキシ
ジフェニルエーテル、トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ホスフィン、トリメシン酸トリクロライド、シアヌ
ル酸クロライド、３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール、
３，３−ビス（４’−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール等を挙
げることができる。分岐化剤を使用する場合には、その
使用量は、目的とする芳香族ポリカーボネートの分岐度
にあわせて変化させることができるが、通常、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物に対して０．０５〜２．０モル％程度
用いるのが好ましい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 友倫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 末端基の少なくとも１つが、一般式
   （１）で表される基である芳香族ポリカーボネート。 −Ａ−ＯＲ₁ （１） （式中、Ｒ₁ はシクロアルキル基またはシクロアルキル
   アルキル基を表し、Ａはフェニレン基を表す）