JPH0621341A - ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサ - Google Patents
ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサInfo
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Abstract
雑な処理装置あるいは余分な処理段階を必要としないコ
ンデンサを提供すること。 【構成】 コンデンサ11が誘電層34上に形成され
る。導電層36が誘電層34上に形成される。任意のバ
リア層16が形成されて、電気的接続を行い、導電層3
6をルテニウム酸塩部分を有する第1電極領域20から
分離する。誘電層22が第1ルテニウム酸塩電極領域2
0上に形成され、コンデンサ誘電体を形成する。第2電
極領域24が、誘電層22上に形成される。任意のバリ
ア層28が電極領域24上に形成される。導電層32が
任意のバリア層28上に形成され、電極領域24に対し
て電気的接触を行う。誘電層30が形成されて、コンデ
ンサ11を電気的に分離する。
Description
に関する。さらに詳しくは、ルテニウム酸塩(ruthenat
e) コンデンサ電極に関する。
計によく用いられる、重要で取り替えることのできない
回路素子であった。たとえば、コンデンサは、ダイナミ
ック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM),能動
および受動フィルタ,アナログ−デジタルおよびデジタ
ル−アナログ変換器(それぞれA/DおよびD/A変換
器),演算増幅器,無線および同調回路,発振器および
マルチバイブレータ回路,時間臨界および時間遅延回路
構成,消音回路構成,チャージ・ポンプ,電力電子部お
よびその他のさまざまな用途に広く用いられている。コ
ンデンサは、もっとも簡単な言葉で言うと、1個の絶縁
材料により隔てられている2個の導電表面により構成さ
れる装置として定義される。コンデンサは、基本的には
装置の容量と入射電流または電荷の周波数に依存して、
電荷を蓄積して、直流(DC)の流れを遮断し、交流
(AC)を流す。ファラドで測定される容量は、3つの
物理特性により決定される:すなわち、(1)2個の導
電表面を隔てる絶縁材料の厚みまたは平均厚;(2)ど
の程度の表面積が2個の導電表面により覆われている
か;(3)絶縁材料と2個の導電表面すなわち電極のさ
まざまな機械的および電気的特性。
が存在する。上述の技術の初期の開発や販売において
は、容量構造として平行板または平行電極コンデンサが
用いられていた。平行電極コンデンサは、平坦な誘電体
または絶縁体により隔てられている平坦な上部および平
坦な底部の導電表面を有するコンデンサである。別のコ
ンデンサは、トレンチ・コンデンサとして知られてい
る。トレンチ・コンデンサは、基板表面または基板表面
上にある表面内に深いウェル,トレンチまたは孔(hole)
をまずエッチングすることにより形成される。このトレ
ンチまたは孔を用いて、1個の絶縁体により隔てられる
2個の電極を形成して設ける。二重ボックス・コンデン
サ(double box capacitor),クラウン・コンデンサ(cro
wn capacitors),フィン・コンデンサ(fin capacitor)
などの他の既知の構造体も開発された。
ては、ドーピングされた基板が第1コンデンサ電極を形
成し、二酸化シリコンがコンデンサ誘電体を形成し、金
属層が第2コンデンサ電極を形成した。技術が進むにつ
れて、多結晶シリコン(polysilicon) ,エピタキシャル
・シリコン,シリサイド(silicides) ,サリサイド(sal
icides) および、オスミウム(osmium),ロジウム(rhodi
um) ,プラチナ,金,ルテニウム(routhenium)金属,ア
ルミニウムなどのいくつかの金属導電体がコンデンサ電
極用に開発された。さらに、酸化物−窒化物−酸化物
(ONO),五酸化タンタル(Ta2O5)およびジルコ
ン酸チタン酸鉛(PZT)などの改良されたコンデンサ
誘電材料がコンデンサ誘電体として用いるために開発さ
れた。
コン,エピタキシャル・シリコンおよびアルミニウムな
どいくつかの金属導電体などの現在用いられており広く
認められている電極材料は、安定ではなく酸素環境(oxy
gen ambient)において酸化する。多くの場合、この酸化
現象のために、コンデンサ電極が酸素環境にさらさない
ように特別の注意が払われる。そのために、酸化物のな
い電極表面を維持するために、改良された、または複雑
な処理装置が必要とされ、あるいは、余分な処理段階お
よびエッチング段階が必要とされる。ときどき起こるよ
うに、酸化物のない表面が得られないと、電極の電気接
触品質,集積回路の歩留りおよび/またはコンデンサの
性能が悪くなる。
た欠点が克服され、その他の利点が得られる。ある形態
においては、本発明はコンデンサとそれを作成する方法
とによって構成される。コンデンサは第1電極を有す
る。第1電極は、ルテニウム酸塩(ruthenate) 材料で形
成された部分を有する。コンデンサは、第2電極を有
し、誘電材料が第1電極と第2電極との間に形成され
る。
説明によりさらによく理解されるだろう。
造を示す。コンデンサ10は、表面を有し、第1導電型
である基層または基板12を有する。導電型は基板12
がシリコンをベースにしたものであれば、P型導電型ま
たはN型導電型のいずれかである。基板12は、シリコ
ン,ヒ化ガリウム,シリコン−オン−サファイア(SO
S),エピタキシャル形成物,ゲルマニウム,ゲルマニ
ウム・シリコン,多結晶シリコンおよび/または同様の
基板または導電性材料で作られる。基板12には、従来
のフィールド酸化層,拡散物および従来から用いられて
いる層が含まれていてもよい。基板12はシリコン製で
あることが好ましい。
拡散物14は、場合によっては電気接触導電領域(elect
rical contact conductive region)と呼ばれる。拡散物
14は、第1導電型とは反対の第2導電型である。場合
によっては、拡散物14はトランジスタ(図示せず)の
能動領域またはソースまたはドレーンとなることがあ
る。拡散物14がソースまたはドレーンなどのトランジ
スタの電流電極である場合は、コンデンサのさまざまな
誘電材料によって、ダイナミック・ランダム・アクセス
・メモリ(DRAM)セルまたは不揮発性メモリ・セル
が形成される。たとえば、二酸化シリコンが電極間コン
デンサ誘電体として用いられる場合は、DRAMが形成
される。たとえばジルコン酸チタン酸鉛(PZT:lead
zirconiumtitanate)が電極間コンデンサ誘電体として
用いられる場合は、不揮発性メモリが形成される。
成される。通常のバリア材料は、窒化チタン,他の窒化
物またはシリサイドである。バリア層16は、拡散物を
上部の層から分離する役割を果たす材料であれば任意の
ものでよい。バリア層16は、拡散物14が上部の領域
と反応することを妨げる。さらに、バリア層16は、拡
散物14と上部層との間の拡散と不純物の移動を減少さ
せる。バリア層16により、シリコン内でのアルミニウ
ム・スパイキングなどの他の既知の現象が回避される。
る。電極領域18は、多結晶シリコン,シリサイド,サ
リサイド,金属,屈折金属(refractory metal),ルテニ
ウム酸塩材料または同様の導電層などの任意の導電層で
ある。用途によっては、電極領域18には誘電領域部
(図示せず)が含まれ、これは電極領域18を隣接領域
から分離するために用いられる。一般に、ここで説明さ
れる誘電層は、湿式(wet) または乾式(dry) 二酸化シリ
コン(SiO2),窒化物,テトラエチルオルトケイ酸
塩(TEOS)をベースにした酸化物,ホウリンケイ酸
塩ガラス(BPSG),リンケイ酸塩ガラス(PS
G),ホウケイ酸塩ガラス(BSG),酸化物−窒化物
−酸化物(ONO),五酸化タンタル(Ta2O5),プ
ラズマ強化窒化シリコン(P−SiNx ),スピン−オ
ン−ガラス(SOG)および/または明記されていない
場合でも同様の誘電材料である。
れる。電極領域18,20は共にコンデンサ10の第1
電極を形成する。電極領域20は、ルテニウム酸塩材料
または他の既知の導電性材料のいずれかである。たとえ
ば電極領域20は、ルテニウム酸カルシウム,ルテニウ
ム酸ストロンチウム,ルテニウム酸バリウム,ルテニウ
ム酸タリウム,ルテニウム酸ビスマス,ルテニウム酸
鉛,ルテニウム酸塩材料の組合せまたは同様の導電性材
料である。電極領域18または電極領域20のいずれか
一方がルテニウム酸塩材料部分を有する。
ニウム酸塩材料で、電極領域20が酸化ルテニウムまた
は同等の導電性酸化物である。電極領域18,20をこ
のように構築すると、ここで説明されるいくつかの作成
方法が得られる。場合によっては、電極領域18が酸化
ルテニウムまたは同等の酸化物で、電極領域20がルテ
ニウム酸塩材料である。電極領域18,20により形成
される第1電極の作成のような電極の作成方法が、以下
の段落で詳細に説明される。
領域20上に形成される。誘電層22は、単独の誘電性
材料でも、複数の誘電性材料でもよい。誘電層22に用
いることのできる誘電性材料としては、ジルコン酸チタ
ン酸鉛(PZT),ケイ酸チタン,チタン酸バリウム,
チタン酸カルシウム,チタン酸ビスマス,チタン酸スト
ロンチウム,窒化シリコン,ジルコン酸鉛,チタン酸鉛
ランタン・ジルコニウム,酸化物−窒化物−酸化物(O
NO),二酸化シリコン(SiO2),五酸化タンタル
(Ta2O5),酸化チタン,酸化ジルコニウム,または
チタン酸鉛などである。誘電層22に関してある種の誘
電体を用いて、コンデンサを不揮発性記憶装置またはダ
イナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)
に用いる従来の誘電体を有するコンデンサにすることが
できる。
電極領域24および電極領域26を介して形成される。
第2電極は、従来の電極として形成してもよい。従来の
電極は金属,多結晶シリコンまたは同様の導体でよい。
電極領域24は、電極領域20に関して上述された方法
および材料と同一のものにより形成されることは明らか
である。さらに、電極領域26は、上述の電極領域18
の方法および材料と同一のものにより形成することがで
きる。そのために、電極領域26は、ルテニウム酸塩材
料または同様の導電層であり、電極領域24は導電層ま
たは酸化ルテニウムなどの誘電性材料である。少なくと
も第1電極または第2電極の一方が、ルテニウム酸塩部
分を有する。
作られる必要はない。たとえば、1個の電極をルテニウ
ム酸塩をベースにした電極として、もう一方の電極をア
ルミニウムをベースにした電極とする。さらに、第1電
極に関して説明されるすべての範囲,機能性および構成
は第2電極に適用することができ、その逆も可である。
することも非自己整合的に形成することもできることは
よく知られている。自己整合しない構造は、図1のコン
デンサ10とは外観が異なることもある。自己整合コン
デンサにおいては、コンデンサ10の第1および第2電
極と電極間誘電層22とが形成される。マスキングおよ
びエッチング段階が用いられて、コンデンサ10の第1
および第2電極と、誘電層22とを図1に示されるよう
に水平に整合する。自己整合を用いない場合は、コンデ
ンサ10の誘電層22と第1および第2電極とは、それ
ぞれ別のマスキングおよびエッチング手順により形成さ
れる。さらに、自己整合は、コンデンサ10の所定の素
子上で実行され、コンデンサ10の他の素子上では実行
されない。
26上に形成される。バリア層28は、バリア層16と
同様の方法で機能し、同様の材料または同様の材料群で
作られる。
8,20,24,26と、誘電層22と、バリア層28
との上に、それらに隣接して形成される。誘電層30
は、BPSG,PSG,シリコンをベースにした酸化
物,ポリイミドまたは有機誘電体(organic dielectric)
などであることが好ましく、コンデンサ10の第1およ
び第2電極を隣接の構造体(図示せず)から分離するた
めに用いられる。電気接触導電層32は、バリア層28
で第2コンデンサ電極に接続して、第2コンデンサ電極
の外部電気接触を提供する。拡散物14は、バリア層1
6に電気的に接続して、第1コンデンサ電極が外部接続
されるあるいは電気的に配線されるようにする。別の形
態においては、第1および第2電極は両方とも上部の導
電層(図示せず)を介して接続され、外部電気接続部を
形成する。
替の装置を示す。図3のいくつかの素子は、図2の素子
と同じものであり、そのために同じ番号がつけられてい
る。これらの同一の素子の範囲,構成および機能性は、
図2のコンデンサ10と同じである。図3には、誘電層
34が図示されている。複数の装置層が誘電層34の下
にある。装置層は、基板材料,多結晶シリコン層,酸化
物層,拡散物,金属層および半導体と融和性を持つその
他の層である。たとえば、誘電層34は下にあるトラン
ジスタ(図示せず)を絶縁することも、多結晶シリコン
間誘電体となることも、金属間誘電体となることも、あ
るいは装置構造(図示せず)の上にあることもある。一
般的に、図3は図2のコンデンサ10を基板(図3には
図示せず)の上に形成されるものとして図示している。
成される。導電層36は、多結晶シリコン,金属または
同様の導電層のいずれかで作られる。バリア層16が形
成される。電極領域20がバリア領域上に形成される。
電極領域20は、ルテニウム酸塩材料または従来の導電
性材料で作られる。たとえば、電極領域20は、ルテニ
ウム酸カルシウム,ルテニウム酸ストロンチウム,ルテ
ニウム酸バリウム,ルテニウム酸タリウム,ルテニウム
酸ビスマス,ルテニウム酸鉛またはここで説明されるそ
の他の従来の導電体である。電極領域20は、コンデン
サ11の第1電極を形成する。
る。誘電層22のために用いられる誘電材料には、ジル
コン酸チタン酸鉛(PZT),五酸化タンタル,二酸化
シリコン,ケイ酸チタン,チタン酸バリウム,チタン酸
カルシウム,チタン酸ビスマス,チタン酸ストロンチウ
ム,窒化シリコン,ジルコン酸鉛,チタン酸鉛ランタン
・ジルコニウム,酸化物−窒化物−酸化物(ONO),
チタン酸鉛または図1ないし図2に関して説明されたそ
の他の誘電体がある。
により形成される。電極領域24は、ここで説明される
ように従来の導電性電極領域でも、電極領域20に類似
のルテニウム酸塩電極領域でもよい。コンデンサ11の
第1電極または第2電極のいずれかが、ルテニウム酸塩
材料として形成される。
2が、図2に関して説明されたように図3で形成され
る。
で図2のコンデンサ10とは異なっている。違いの1つ
は、コンデンサ11が基板の上に形成され、他の装置
(図示せず)の上にも形成される可能性があることであ
る。この装置積層技術は、DRAMセル密度を向上させ
るためのものとして知られている。2つめの違いは、コ
ンデンサ11が好適な形態においては、完全に1つの材
料から作られる第1および第2コンデンサ電極を有する
ことである。好適な形態においては、少なくとも1つの
電極がルテニウム酸塩材料で完全に作られる。
デンサ誘電材料がここで論じられている点に留意するこ
とが重要である。コンデンサ誘電材料と電極の構成と
は、第1または第2電極のいずれかの部分がルテニウム
酸塩材料で作られている限り、異なってもよい。
またコンデンサ電極のためにルテニウム酸塩材料をどの
ように形成するかが重要である。ルテニウム酸塩電極を
形成するために用いられる1つの方法は、装置上にルテ
ニウム酸塩材料を直接スパタリングして、スパタリング
されたルテニウム酸塩材料をエッチングして、1つの電
極または複数の電極を形成するものである。
ることのできる別の方法を図4に示す。層38が形成さ
れるか、あるいは設けられる。層38は、図1の基板1
2,図1ないし図3の誘電層22,図3の誘電層34ま
たは上部に電極を形成することのできる任意の層のいず
れかと類似のものである。層40が形成される。層40
は、酸化ルテニウム層(RuO2)として形成される。
層42が層40の上またはそれに隣接して形成され、界
面で層40と接触する。層42は、酸化バリウム,酸化
ビスマス,酸化ストロンチウム,酸化鉛,酸化カルシウ
ム,酸化タリウム,ジルコン酸チタン酸鉛または同様の
金属含有材料などの金属酸化物である。図5では、層4
0,42が加熱され、層44として示されるルテニウム
酸塩層が層40と層42との間の界面に形成される。ル
テニウム酸塩層44を形成する反応は、層40,42の
両方を使い尽くすか、あるいは、層40の一部または層
42の一部を残す(図示せず)。場合によっては、酸化
ルテニウム層は反応後に残るほど充分な厚みに示形成さ
れない。
の付着(deposition)を用いて、層40,42を形成する
ことができる。さらに、金属または金属酸化物スピン−
オン−ガラス(SOG)を用いて層40示たは層42の
いずれか1つとして金属酸化物層を形成することもでき
る。別の示態においては、金属酸化物および酸化ルテニ
ウムを1回の段階で同時に付着さ示て図5の層44を形
成する。酸化ルテニウムを形成するための薬品と、金属
酸示物を形成するための薬品を1つの半導体装置チャン
バ内に注入して、同時に反応および/あるいは付着させ
る。同時付着により、温度を上昇させて、または適切な
処理環境において、層44としてルテニウム酸塩層が形
成される。
酸化ルテニウム層と共に層40として形成される点に留
意されたい。熱によって2つの層40,42は上述され
たのと類似の方法で反応する。多くの場合、金属酸化物
層は用途により酸化ルテニウム層の上または下に配置さ
れる。たとえば、酸化ルテニウム層は、通常は金属酸化
物層の上に形成されて、下部の第1電極を形成するが、
順序を逆にして上部の第2電極を形成することもある。
リングして、図4の層40または層42と同様の従来の
方法で付着あるいは形成することもできる。残りの層で
ある層40または層42は、ここで説明される方法で金
属または金属酸化物層として形成される。層40,42
は、共通の界面を共有する。次に、ルテニウム層および
金属酸化物層は図5の酸素を含有する環境すなわち酸化
環境において加熱され、共通界面において材料のルテニ
ウム酸塩層を形成する。この方法に用いることのできる
金属としては、バリウム,ストロンチウム,ビスマス,
鉛,カルシウムまたはタリウムがある。
作成によく用いられる材料である。これらの材料は、酸
素環境においては安定でなく、そのために空気環境にさ
らされたり、特定の処理段階で処理されると酸化表面を
形成する。ルテニウム酸塩材料は酸素含有環境において
も導電性を維持するので、洗浄サイクル,イオン除去さ
れた(DI:de-ionized)水のすすぎ,環境への露出お
よび後の処理に酸化による不利益を被ることなく耐える
ことができる。そのために余分な処理,酸化物のエッチ
ング段階または酸素からの特殊なウェーハ分離の必要な
く、コンデンサ電極に対して改善された電気接触を行う
ことができる。電極上にもともとある酸化物を除去する
ことによりコンデンサの性能が改善される。
び説明されたが、当業者には更なる修正および改良が可
能であろう。たとえば、ここで説明されたルテニウム酸
塩電極作成方法をなんらかの幾何学的構造に形成するこ
とができる。ルテニウム酸塩電極により、トレンチ・コ
ンデンサ,二重ボックス・コンデンサ,フィン・コンデ
ンサ,平行板コンデンサ,クラウン・コンデンサ,ネス
ト・コンデンサおよびその他の既知の容量構造を形成す
ることができる。ここで教示される本発明のルテニウム
酸塩電極によりDRAMメモリ・セルまたは不揮発性メ
モリ・セルを形成することもできる。ルテニウム酸塩材
料は、通常は他の材料から、あるいは隣接する他の導体
から形成されるので、ルテニウム酸塩材料は場合によっ
てはコンデンサ電極の一部だけを形成することもある。
たとえば、アルミニウムまたは多結晶シリコンを導電性
ルテニウム酸塩により分離して、電極の酸化を防ぐこと
ができる。ここで述べられたルテニウム酸塩の他のルテ
ニウム酸塩材料もコンデンサ電極を形成することができ
る点にも注目されたい。さらに、いくつかのルテニウム
酸塩を用いて単独の電極を形成することもできる。たと
えば、ルテニウム酸カルシウムで作られた第1部分と、
ルテニウム酸鉛で作られた第2部分とで1個の電極を形
成することができる。また、いくつかの既知の誘電体を
用いて、電極間コンデンサ誘電体を形成することもでき
る。界面には接着または保護のための接着層またはバリ
ア層が必要ではあるが、ルテニウム酸塩で作られた電極
で任意の誘電体を形成することもできる。ここで述べら
れたバリア層は任意のもので、すべての処理と用途に必
要とは限らない。そのため、本発明は図示された特定の
形態に制限されるものではないこと、また添付の請求項
には本発明の精神と範囲とから逸脱しないすべての修正
が含まれるものであることを理解されたい。
有するコンデンサを作成する方法を断面図で示したもの
である。
有するコンデンサを作成する方法を断面図で示したもの
である。
有する代替のコンデンサを断面図で示したものである。
作成する方法を断面図で示したものである。
作成する方法を断面図で示したものである。
Claims (1)
- 【請求項1】 コンデンサ(10)であって:ルテニウ
ム酸塩材料で形成された第1部分(20または18)を
有する第1電極(20,18);第2電極(26);お
よび前記第1電極と前記第2電極との間に形成された誘
電材料(22);によって構成されることを特徴とする
コンデンサ(10)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/875,463 US5185689A (en) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Capacitor having a ruthenate electrode and method of formation |
US875463 | 1992-04-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0621341A true JPH0621341A (ja) | 1994-01-28 |
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Family
ID=25365852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11926593A Expired - Lifetime JP3327486B2 (ja) | 1992-04-29 | 1993-04-23 | ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサ |
Country Status (3)
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---|---|
US (1) | US5185689A (ja) |
JP (1) | JP3327486B2 (ja) |
KR (1) | KR100290223B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08162617A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-06-21 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
JPH09129850A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-16 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体素子の高誘電率キャパシター及びその製造方法 |
JPH09143672A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-03 | Kawaguchi Bankin Kk | アルミ等メッキ鉄板の硬化処理方法 |
US5986301A (en) * | 1995-01-27 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film capacitor with electrodes having a perovskite structure and a metallic conductivity |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6030847A (en) * | 1993-04-02 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
US5381302A (en) * | 1993-04-02 | 1995-01-10 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same |
US6791131B1 (en) * | 1993-04-02 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
US6531730B2 (en) * | 1993-08-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same |
US5392189A (en) | 1993-04-02 | 1995-02-21 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same |
US5496437A (en) * | 1993-06-10 | 1996-03-05 | Ceram Incorporated | Reactive ion etching of lead zirconate titanate and ruthenium oxide thin films |
US5439840A (en) * | 1993-08-02 | 1995-08-08 | Motorola, Inc. | Method of forming a nonvolatile random access memory capacitor cell having a metal-oxide dielectric |
US5383088A (en) * | 1993-08-09 | 1995-01-17 | International Business Machines Corporation | Storage capacitor with a conducting oxide electrode for metal-oxide dielectrics |
JP2682392B2 (ja) * | 1993-09-01 | 1997-11-26 | 日本電気株式会社 | 薄膜キャパシタおよびその製造方法 |
US5508881A (en) * | 1994-02-01 | 1996-04-16 | Quality Microcircuits Corporation | Capacitors and interconnect lines for use with integrated circuits |
JP3197782B2 (ja) * | 1994-04-29 | 2001-08-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | 半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造 |
US6335552B1 (en) | 1995-01-31 | 2002-01-01 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for fabricating the same |
KR100360468B1 (ko) * | 1995-03-20 | 2003-01-24 | 삼성전자 주식회사 | 강유전성박막제조방법및이를적용한캐패시터및그제조방법 |
KR0141160B1 (ko) * | 1995-03-22 | 1998-06-01 | 김광호 | 강유전체 메모리 장치 및 그 제조방법 |
KR0147639B1 (ko) * | 1995-05-29 | 1998-08-01 | 김광호 | 고유전율 캐패시터의 하부전극 형성방법 |
JP3415712B2 (ja) | 1995-09-19 | 2003-06-09 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100200704B1 (ko) | 1996-06-07 | 1999-06-15 | 윤종용 | 강유전체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US5990507A (en) | 1996-07-09 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having ferroelectric capacitor structures |
US6442813B1 (en) * | 1996-07-25 | 2002-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a monolithic ceramic capacitor |
US5790366A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | High temperature electrode-barriers for ferroelectric and other capacitor structures |
JP3452763B2 (ja) | 1996-12-06 | 2003-09-29 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法 |
KR100246967B1 (ko) * | 1997-04-16 | 2000-03-15 | 윤종용 | 반도체 커패시터 제조장치, 커패시터 형성방법 및 그에 의하여 형성된 커패시터와 그 커패시터를 포함하는 반도체 메모리장치 |
DE69810691T2 (de) | 1997-04-30 | 2003-08-07 | Seiko Epson Corp | Tintenstrahlaufzeichnungskopf |
JP3484324B2 (ja) | 1997-07-29 | 2004-01-06 | シャープ株式会社 | 半導体メモリ素子 |
JP3319994B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2002-09-03 | シャープ株式会社 | 半導体記憶素子 |
KR100269309B1 (ko) * | 1997-09-29 | 2000-10-16 | 윤종용 | 고집적강유전체메모리장치및그제조방법 |
JP3169866B2 (ja) * | 1997-11-04 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
US6432793B1 (en) | 1997-12-12 | 2002-08-13 | Micron Technology, Inc. | Oxidative conditioning method for metal oxide layer and applications thereof |
US6344413B1 (en) | 1997-12-22 | 2002-02-05 | Motorola Inc. | Method for forming a semiconductor device |
JP3183243B2 (ja) * | 1998-02-25 | 2001-07-09 | 日本電気株式会社 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
US5985731A (en) * | 1998-08-17 | 1999-11-16 | Motorola, Inc. | Method for forming a semiconductor device having a capacitor structure |
US6972436B2 (en) * | 1998-08-28 | 2005-12-06 | Cree, Inc. | High voltage, high temperature capacitor and interconnection structures |
KR100282487B1 (ko) | 1998-10-19 | 2001-02-15 | 윤종용 | 고유전 다층막을 이용한 셀 캐패시터 및 그 제조 방법 |
US6724088B1 (en) * | 1999-04-20 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Quantum conductive barrier for contact to shallow diffusion region |
US6611014B1 (en) | 1999-05-14 | 2003-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having ferroelectric capacitor and hydrogen barrier film and manufacturing method thereof |
US6319764B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Method of forming haze-free BST films |
US6507476B1 (en) | 1999-11-01 | 2003-01-14 | International Business Machines Corporation | Tuneable ferroelectric decoupling capacitor |
US6524971B1 (en) * | 1999-12-17 | 2003-02-25 | Agere Systems, Inc. | Method of deposition of films |
US6528377B1 (en) * | 2000-02-10 | 2003-03-04 | Motorola, Inc. | Semiconductor substrate and method for preparing the same |
GB2361244B (en) * | 2000-04-14 | 2004-02-11 | Trikon Holdings Ltd | A method of depositing dielectric |
US6657849B1 (en) * | 2000-08-24 | 2003-12-02 | Oak-Mitsui, Inc. | Formation of an embedded capacitor plane using a thin dielectric |
US20020084479A1 (en) * | 2000-12-31 | 2002-07-04 | Shanjen Pan | High density capacitor using topographic surface |
US6919633B2 (en) | 2001-03-07 | 2005-07-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-section foldable memory device |
US7082026B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-07-25 | Schmidt Dominik J | On chip capacitor |
US6707115B2 (en) * | 2001-04-16 | 2004-03-16 | Airip Corporation | Transistor with minimal hot electron injection |
TW564550B (en) * | 2001-06-05 | 2003-12-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
US6693793B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-02-17 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Double-sided copper clad laminate for capacitor layer formation and its manufacturing method |
US20030091504A1 (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-15 | Gary Pasquale | Method for controlling synthesis conditions during molecular sieve synthesis using combinations of quaternary ammonium hydroxides and halides |
US7602039B2 (en) * | 2002-08-29 | 2009-10-13 | Micron Technology, Inc. | Programmable capacitor associated with an input/output pad |
ITMI20030202A1 (it) * | 2003-02-06 | 2004-08-07 | Cuna Laura Della | Detergenti e coadiuvanti del lavaggio ad alto effetto antiodorante sui capi in uso per effetto del lavaggio |
US7297558B2 (en) * | 2003-04-03 | 2007-11-20 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
US7498219B2 (en) * | 2003-04-15 | 2009-03-03 | Texas Instruments Incorporated | Methods for reducing capacitor dielectric absorption and voltage coefficient |
US7596842B2 (en) * | 2005-02-22 | 2009-10-06 | Oak-Mitsui Inc. | Method of making multilayered construction for use in resistors and capacitors |
KR101100427B1 (ko) * | 2005-08-24 | 2011-12-30 | 삼성전자주식회사 | 이온 전도층을 포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치와 그제조 및 동작 방법 |
US7772919B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-08-10 | International Rectifier Corporation | Double stage compact charge pump circuit |
US20090034156A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Takuya Yamamoto | Composite sheet |
TWI478186B (zh) * | 2009-08-11 | 2015-03-21 | Hermes Epitek Corp | 耐高壓電極結構及其製造方法 |
US8542475B2 (en) * | 2009-10-09 | 2013-09-24 | The Penn State Research Foundation | Self healing high energy glass capacitors |
KR101046394B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2011-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스택 패키지 |
US9178006B2 (en) * | 2014-02-10 | 2015-11-03 | Intermolecular, Inc. | Methods to improve electrical performance of ZrO2 based high-K dielectric materials for DRAM applications |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5789264A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-03 | Hitachi Ltd | Ruthenium complex covered electrode |
JP2514032B2 (ja) * | 1987-05-08 | 1996-07-10 | ペルメレック電極 株式会社 | 金属の電解処理方法 |
US5005102A (en) * | 1989-06-20 | 1991-04-02 | Ramtron Corporation | Multilayer electrodes for integrated circuit capacitors |
US5003428A (en) * | 1989-07-17 | 1991-03-26 | National Semiconductor Corporation | Electrodes for ceramic oxide capacitors |
EP0415750B1 (en) * | 1989-08-30 | 1994-11-09 | Nec Corporation | Thin-film capacitors and process for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-04-29 US US07/875,463 patent/US5185689A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-08 KR KR1019930005854A patent/KR100290223B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-04-23 JP JP11926593A patent/JP3327486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08162617A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-06-21 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
US5986301A (en) * | 1995-01-27 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film capacitor with electrodes having a perovskite structure and a metallic conductivity |
JPH09129850A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-16 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体素子の高誘電率キャパシター及びその製造方法 |
JPH09143672A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-03 | Kawaguchi Bankin Kk | アルミ等メッキ鉄板の硬化処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100290223B1 (ko) | 2001-06-01 |
US5185689A (en) | 1993-02-09 |
KR930022555A (ko) | 1993-11-24 |
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