JPH0621321A - 電気部品実装用支持体付きの集積回路装置 - Google Patents

電気部品実装用支持体付きの集積回路装置

Info

Publication number
JPH0621321A
JPH0621321A JP5014102A JP1410293A JPH0621321A JP H0621321 A JPH0621321 A JP H0621321A JP 5014102 A JP5014102 A JP 5014102A JP 1410293 A JP1410293 A JP 1410293A JP H0621321 A JPH0621321 A JP H0621321A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contacts
integrated circuit
capacitor
circuit device
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5014102A
Other languages
English (en)
Inventor
Daniel Baudouin
ボドウィン ダニエル
James Wallace
ウォラス ジェームズ
Ernie Russell
ラッセル エルニー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH0621321A publication Critical patent/JPH0621321A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49589Capacitor integral with or on the leadframe
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • H05K1/0231Capacitors or dielectric substances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05553Shape in top view being rectangular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0612Layout
    • H01L2224/0613Square or rectangular array
    • H01L2224/06134Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/06136Covering only the central area of the surface to be connected, i.e. central arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48253Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a potential ring of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0388Other aspects of conductors
    • H05K2201/0397Tab
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/1053Mounted components directly electrically connected to each other, i.e. not via the PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10636Leadless chip, e.g. chip capacitor or resistor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10689Leaded Integrated Circuit [IC] package, e.g. dual-in-line [DIL]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 バイパスコンデンサを集積回路装置にできる
だけ近い所に経済的に実装すること。 【構成】 集積回路装置(2)のパッケージング材料
(4)の外辺の外側に接触子(8a、8b)が露出して
いる。接触子(8a、8b)はパッケージング材料
(4)の外側に実装されるバイパスコンデンサの端子と
電気的に接続されるようになっている。接触子(8a、
8b)はパッケージング材料(4)の中から外側に伸び
ている電源リード線とアースリード線(6)とに電気的
に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路装置に関するも
のであり、特に電気部品実装用の接触子を有するパッケ
ージングされた集積回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】集積回路に電力を供給する電源の出力の
変動を除去するために、集積回路装置のアースリード線
と電線リード線間にバイパスコンデンサ、すなわち減結
合コンデンサを接続することが必要な集積回路装置が多
い。
【0003】プラスチックパッケージの集積回路装置に
は、リードフレームが付いていて、複数のリード線がパ
ッケージの中から外へ伸びている。リード線は表面実装
技術で印刷回路基板上のボンディングパッドに半田付け
されるか、または基板貫通技術で印刷回路基板内のめっ
きスルーホールに半田付けされる。少なくとも1本のリ
ードはボンディングパッドまたはスルーホールを介し
て、印刷回路基板上で集積回路にアースを供給するパタ
ーン線に電気的に接続される。また、少なくとも1本の
リード線はボンディングパッドまたはスルーホールを介
して、基板上で集積回路に電源を供給するパターン線に
電気的に接続される。
【0004】通常、プラスチックパッケージの集積回路
装置用のバイパスコンデンサは、印刷回路基板上のボン
ディングパッドまたはスルーホールに半田付けされるた
めの一対の端子を有する。一方の端子はボンディングパ
ッドまたはスルーホールと印刷回路のパターン線を経由
して、集積回路装置にアースを供給するパターン線に電
気的に接続される。他方の端子はボンディングパッドま
たはスルーホールと印刷回路のパターン線を経由して、
集積回路装置に電源を供給するパターンに電気的に接続
される。効率を最大限に高めるには、バイパスコンデン
サをパッケージングされた集積回路装置のできるだけ近
くに実装することが望ましい。
【0005】バイパスコンデンサを印刷回路基板に実装
することに付随して、いくつかの問題が見つかった。問
題のひとつは、印刷回路基板のレイアウトを考えると、
しばしばバイパスコンデンサを集積回路装置の近くに実
装することができないという事実である。特に、複数個
の集積回路装置各々にバイパスコンデンサを付して、印
刷回路基板上に密に実装しなければならないような場合
にあてはまる。また、バイパスコンデンサを直接印刷回
路基板上に実装することによって、他の装置や印刷回路
の配線に利用できる基板の面積が減るという事実もあ
る。更に、バイパスコンデンサを印刷回路基板に実装す
る場合、部品を印刷回路基板に組込む以前に、集積回路
装置とコンデンサとを実際の物理的関係で同時に検査す
るのに便利な方法がない。部品を印刷回路基板に組込む
前に、集積回路装置とコンデンサとを検査することがで
きないために保護帯を考慮するので、集積回路の歩留り
が悪くなる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】これらの問題を解決す
るために、バイパスコンデンサをプラスチックパッケー
ジングの中に実装することが試みられた。その結果、バ
イパスコンデンサが劣化したときに全装置を捨てなけれ
ばならないという問題が生じた。プラスチックパッケー
ジの中に収められた集積回路のダイはバイパスコンデン
サより一般にはるかに高価であるから、この方法は経済
的に望ましくない。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の一形式による
と、集積回路装置は半導体ダイと、ダイに貼付けられて
いて、第1と第2の接触子を有するリードフレームと、
ダイとリードフレームの一部とを包むパッケージング材
料とを含み、第1と第2の接触子はパッケージング材料
の外側に実装される電気部品の端子と電気的に接続され
るように露出した構造になっている。
【0008】
【実施例】次に本発明について図面を参照しながら説明
する。図が異なっても別に指示のない限りは、対応する
部品には同じ番号や記号を付してある。図1はプラスチ
ックパッケージの集積回路メモリ装置2を示す。後述す
るようにこのメモリ装置2はセンターボンド付リードオ
ーバチップ(LOCCB)型のスモールアウトラインJ
リード(SOJ)パッケージを有するDRAMである
が、本発明はリードを有し、バイパスコンデンサを必要
とするどんなパッケージ集積回路装置にも適用すること
ができる。
【0009】メモリ装置2は半導体ダイと金属リードフ
レーム5の一部を包み込んでいるプラスチックパッケー
ジ4を含む。リードフレーム5はパッケージ4の中から
伸びているJ形リード線61 −624と、パッケージ4の
外側にバイパスコンデンサ10を実装するためにむき出
しになっているコンデンサ用接触子8a、8bとを含
む。メモリ装置2はリード61 −624を印刷回路基板上
のボンディングパッドに半田付けすることにより、印刷
回路基板上に実装される。メモリ装置2が印刷回路基板
上に実装されると、リード線61 と612が外部のVdd
電源をメモリ装置2に接続する。リード線613と624
メモリ装置2をアースに接続する。リード線62
3 、622、623はデータ入力/データ出力用のリード
である。リード線64 は書込みイネーブル信号をメモリ
装置2に供給する。リード線65 と621はそれぞれメモ
リ装置2に行アドレスストロブ信号と列アドレスストロ
ブ信号を供給する。リード線66 −611と614−619
メモリ装置2にアドレス信号を供給する。
【0010】接触子8aはパッケージ4の中でリード線
13と624に電気的に接続されているので、メモリ装置
2が印刷回路基板に実装されたときにアースに接続され
る。接触子8bはパッケージ4の中でリード線61 と6
12に電気的に接続されているので、メモリ装置2が印刷
回路基板に実装されたときにVdd電源に接続される。
【0011】バイパスコンデンサ10はボディ部12と
その両側の導電性端子14a、14bとから成る。ボデ
ィ部12はセラミックのような絶縁材料からつくられて
いる。端子14aと14bは典型的には金属である。バ
イパスコンデンサ10は図3に示すように、端子14a
と14bをそれぞれ接触子8aと8bに半田付けするこ
とにより、メモリ装置2に実装される。メモリ装置2の
後続実装工程で端子14a;14bと接触子8a、8b
とを結合している半田が再び溶けて流れだすかもしれな
いが、半田が固まるまで半田の表面張力と重力とがコン
デンサ10を適所に保持する。コンデンサ10をメモリ
装置2に半田付けする半田の温度を、メモリ装置2を印
刷回路基板に半田付けするのに用いる半田の温度よりも
高くすることにより、端子14a、14bと接触子8
a、8bとを結合している半田の再溶融を防止すること
ができる。
【0012】図2はプラスチックパッケージ4を除いた
ときのメモリ装置2を示す。リードフレーム5は、リー
ド線613、624および接触子8aと一体に形成されてい
るアースバス部16と、リード線61 、612および接触
子8bと一体に形成されているVddバス部18とを含
む。アースバス部16はリード線613と624を接触子8
aに接続し、Vddバス部18はリード線61 と612
接触子8bに接続している。したがって、コンデンサ1
0が接触子8aと8bに半田付けされたときに、コンデ
ンサ10はメモリ装置2にアースとVddを供給するリ
ード線の間に電気的に接続される。
【0013】メモリ装置2に含まれる半導体ダイ20の
表面の真中にボンディングパッド26が設けられてい
る。リードフレーム5はボンディングパッド26に隣接
した所でダイ20の表面にテープボンディングされる。
リード線61 −612とバス部18とはテープ24により
ボンディングパッド26の片側でダイ20の表面に接着
される。リード線613−624とバス部16とはテープ2
2によりボンディングパッド26の反対側でダイ20の
表面に接着される。ワイヤ28の各一方の端がリード線
1 −624、バス部16、18に接続され、ワイヤ28
の各他端はボンディングパッド26の中の1個のパッド
に接続されることにより、リード線61 −624、バス部
16、18は適当なボンディングパッド26に電気的に
接続される。
【0014】本発明の利点をいくつか挙げると、バイパ
スコンデンサ10が図3と4に示すように接触子8a、
8bに半田付けされたとき、コンデンサ10の位置がメ
モリ装置2に極めて近接して、印刷回路基板に半田付け
されているリード線61 −6 24の部分に関して位置関係
がよいこと、および、コンデンサと集積回路装置とを印
刷回路基板に実装する前に一緒に検査することができる
ということが挙げられる。バイパスコンデンサ10がメ
モリ装置2に極めて近接しているという事実によって、
効果的な減結合が確実になる。メモリ装置2が印刷回路
基板に半田付けされたとき、バイパスコンデンサ10が
印刷回路基板から浮いているという事実によって、印刷
回路基板を高密度にすることができる。すなわち、印刷
回路基板上でバイパスコンデンサ10の下に他の部品を
実装することにより、印刷回路基板の実装密度を高める
ことができよう。あるいは、バイパスコンデンサ10の
下の印刷回路基板にほかの印刷回路パターンを配線する
ことにより、印刷回路基板の配線密度を高めることもで
きる。印刷回路基板に実装するに先だってコンデンサと
集積回路装置とを一緒に検査することによって、組立て
られた回路基板の部品を検査して交換するのに要する時
間をかなり減らすことができる。
【0015】接触子8aと8bがメモリ装置2の一方の
端から出ている例を示してあるが、代わりに、メモリ装
置2の反対側からでも、リード線61 −612が出ている
側からでも、リード線613−624が出ている側からで
も、メモリ装置2の上面からでも、下面からでもよい。
更に、接触子8aと8bはコンデンサ10の同じ側と接
触しているように示してあるが、接触子8aと8bがコ
ンデンサ10の異なる側で接触するような配置にしても
よい。また、1個以上の接触子がコンデンサ10の複数
の面に同時に接触するような構造にしてもよい。
【0016】図5−8は本発明の第2の実施例によるプ
ラスチックパッケージ集積回路メモリ装置32を示す。
メモリ装置32が図1−4のメモリ装置2と異なる点
は、補助コンデンサ接触子30aと30bが設けられて
いることである。接触子30aと30bはそれぞれバイ
パスコンデンサ10の両側の端子14a、14bと接触
する。接触子30aと30bはコンデンサ10の長さよ
りわずかに短い距離だけ離れるように、リードフレーム
をつくるときに形成される。したがって、バイパスコン
デンサ10を半田付けのために接触子8aと8bの上に
置くとき、コンデンサ10の両端が接触子30aと30
bにはさまれて、ばねの張力を与えられてしっかりと保
持される。
【0017】端子14aを接触子8aと30aに半田付
けし、端子14bを接触子8bと30bに半田付けする
ことによって、バイパスコンデンサ10をメモリ装置3
2に実装する。接触子30aと30bは、コンデンサ1
0が半田付けの前に不注意で位置が乱れたり、何かにぶ
つけて接触子8a、8bから落ちたりするのを防止する
のに役立つ。更に、もし端子14aと14bを接触子8
a、8b、30a、30bに接着している半田が、メモ
リ装置32を印刷回路基板に表面実装中に再び溶けて流
れ出すようなことが起きれば、半田が固まる迄接触子3
0aと30bがコンデンサ10を適所に保持する役目を
果たす。
【0018】接触子30a、30bを接触子8a、8b
と一緒に用いることにより、コンデンサ10の支持が強
加されるのであるが、接触子8aと8bを除去して、リ
ードフレーム5はコンデンサ10の実装用に接触子30
aと30bだけを備えるようにしてもよい。
【0019】図9から12は本発明の第3の実施例であ
るプラスチックパッケージ集積回路メモリ装置33を示
す。メモリ装置33が図1−4のメモリ装置2と異なる
のは、コンデンサ用接触子35aと35bが接触子8
a、8bの代わりに設けられている点である。接触子3
5aは端子14aの複数の側面と接触する表面37a、
39a、43aを備えている。接触子35bは端子14
bの複数の側面と接触する表面37b、39b、43b
を備えている。表面37aと37bはコンデンサ10の
両側で端子14aと14bに接触する。表面39aと3
9bはコンデンサ10の上面で端子14aと14bに接
触する。表面43aと43bはコンデンサ10の底面で
端子14aと14bに接触する。表面37aと37bは
コンデンサ10の長さよりもわずかに短い距離だけ離れ
るように、リードフレーム形成時につくられる。したが
って、バイパスコンデンサ10がハンダ付けのために接
触子35aと35bに保持されるとき、コンデンサ10
の両側が表面37aと37bによりばねの張力を与えら
れて、適所にしっかりと支えられる。
【0020】端子14aを接触子35aに半田付けし、
端子14bを接触子35bに半田付けすることにより、
バイパスコンデンサ10をメモリ装置33に実装する。
接触子35aと35bは、コンデンサ10が半田付けの
前にふとしたはずみに位置が乱れたり、何かにぶつけて
接触子8a、8bから外れたりするのを防止する役目を
果たす。更に、もし端子14aと14bを接触子35a
と35に接着している半田が、メモリ装置33を印刷回
路基板に実装中に再び溶けて流れ出すようなことが起き
れば、半田が固まる迄接触子35aと35bがコンデン
サ10を適所に保持する役目を果たす。
【0021】図13aと13bはデュアルインパッケー
ジ(DIP)の集積回路装置34を示す。図13aに示
すように、集積回路装置34のリードフレームはプラス
チックパッケージ40から外側に伸びている複数のリー
ド36と一対のコンデンサ用接触子38a、38bとを
含む。集積回路装置34が印刷回路基板に実装される
と、少くとも1本のリード線36がアースに接続され、
残りのリード線36のうち少なくとも1本のリード線が
電源に接続される。接触子38aはプラスチックパッケ
ージ40内のリードフレームのアースバス(図示せず)
を経由して、集積回路装置34にアースを供給するリー
ド線に電気的に接続されている。接触子38bはプラス
チックパッケージ40内のリードフレームの電源バス
(図示せず)を経由して、集積回路装置34に電源を供
給するリード線に電気的に接続されている。図13bに
示すように、コンデンサ10の端子14aと14bはコ
ンデンサ10の同じ側で接触子38aと38bに半田付
けされる。
【0022】図5に示した接触子30aと30bのよう
に、コンデンサ10の両側と接触する接触子を、デュア
ルインパッケージ(DIP)装置34でも接触子38
a、38bと共に、またはそれらに代えて採用してもよ
い。また、図9に示した接触子35aと35bのよう
に、コンデンサ10の複数の面と接触する接触子を、デ
ュアルインパッケージ(DIP)装置34でも接触子3
8aと38bに代えて用いてもよい。
【0023】図14aと14bは縦形表面実装パッケー
ジの集積回路装置42を示す。集積回路装置42のリー
ドフレームは図14aに示すように、プラスチックパッ
ケージ41から外側に伸びている複数のリード線44と
一対のコンデンサ用接触子46a、46bとを含む。集
積回路装置42が印刷回路基板に実装されると、少なく
とも1本のリード線44がアースに接続され、残りのリ
ード線44のうち少なくとも1本のリード線が電源に接
続される。接触子46aはプラスチックパッケージ41
内のリードフレームのアースバス(図示せず)を経由し
て、集積回路装置42にアースを供給するリード線に電
気的に接続されている。接触子46bはプラスチックパ
ッケージ41内のリードフレームの電源バス(図示せ
ず)を経由して、集積回路装置42に電源を供給するリ
ード線に電気的に接続されている。図14bに示すよう
に、コンデンサ10の端子14aと14bはコンデンサ
10の同じ側で接触子46aと46bに半田付けされ
る。
【0024】図5に示した接触子30aと30bのよう
に、コンデンサ10の両側と接触する接触子を、縦形表
面実装パッケージ装置42でも、接触子46a、46b
と共に、あるいはこれらに代えて用いてもよい。また、
図9に示した接触子35aと35bのように、コンデン
サ10の複数の面と接触する接触子を、縦形表面実装パ
ッケージ装置でも接触子46a、46bに代えて用いて
もよい。
【0025】図15aと15bはスモールアウトライン
表面実装パッケージの集積回路装置48を示す。集積回
路装置48のリードフレームは図15aに示すように、
プラスチックパッケージ49から外側に伸びている複数
のリード線50と一対のコンデンサ用接触子52a、5
2bとを含む。集積回路装置48が印刷回路基板に実装
されると、少なくとも1本のリード線50がアースに接
続され、残りのリード線50のうち少なくとも1本のリ
ード線が電源に接続される。接続子52aはプラスチッ
クパッケージ49内のリードフレームのアースバス(図
示せず)を経由して、集積回路装置48にアースを供給
するリード線に電気的に接続されている。接触子52b
はプラスチックパッケージ49内のリードフレームの電
源バス(図示せず)を経由して、集積回路装置48に電
源を供給するリードに電気的に接続されている。図15
bに示すように、コンデンサ10の端子14aと14b
はコンデンサ10の両側で接触子52aと52bに半田
付けされる。
【0026】図1に示した接触子8aと8bのように、
コンデンサ10の同じ側で接触する接触子を、スモール
アウトライン表面実装パッケージ装置48においても、
接触子52a、52bと共に、あるいはこれらに代えて
用いてもよい。また、図9に示した接触子35aと35
bのようにコンデンサ10の複数の面と接触する接触子
を、スモールアウトライン表面実装パッケージ装置48
においても、接触子52a、52bに代えて用いてもよ
い。
【0027】図16から19は本発明の第4の実施例で
あるプラスチックパッケージ集積回路メモリ装置54を
示す。図16に示すように、メモリ装置54が図1−4
に示したメモリ装置と異なる点は、リードフレーム55
が接触子8aと8bの代わりに第1組の接触子58a、
58bと、第2組の接触子60a、60bをそれぞれ有
することと、パッケージ56がへこんだ領域57aと5
7bを有することである。パッケージ56はリードフレ
ーム55の一部を包み隠しているが、凹所57aで接触
子58aと58bが、凹所57bで接触子60aと60
bが露出されている。接触子58aと58bはパッケー
ジ56の一端から凹所57aに伸びている。接触子60
aと60bはパッケージ56の他端から凹所57bに伸
びている。接触子58a、58bと接触子60a、60
bはメモリ装置54の外形線より外にはみ出さないのが
望ましい。接触子58aと58bは第1のバイパスコン
デンサ10の同じ側で端子14aと14bにそれぞれ接
触する。接触子60aと60bは第2のバイパスコンデ
ンサ10の同じ側で端子14aと14bにそれぞれ接触
する。
【0028】バイパスコンデンサ10は凹所57aと5
7bのいずれか一方または両方に実装される。バイパス
コンデンサの実装位置が複数あれば、電源リード線とア
ースリード線を複数有する装置において、効果的な減結
合が確実になる。例えば本装置では電源リード線61
12のうち少なくとも1本が外部のVdd電源に接続さ
れ、かつアースリード線613、624のうち少なくとも1
本が外部電源のアースに接続される。
【0029】図17に示すように、接触子58aと60
aはリードフレーム55のアースバス部16と一体成形
され、アースバス部16の両端から伸びている。接触子
58bと60bはリードフレーム55のVddバス部1
8と一体成形され、Vddバス部18の両端から伸びて
いる。
【0030】バイパスコンデンサ10は端子14aを接
触子58aと60aに半田付けし、端子14bを接触子
58bと60bに半田付けすることによって、メモリ装
置54に実装される。凹所57aと57bの大きさは、
図18に示すように、コンデンサ10が集積回路装置5
4の外形線からはみ出さないで集積回路装置54に実装
することができるようにすることが好ましい。接触子5
8a、58b、60a、60bとコンデンサ10が集積
回路装置54の外形線の内側に納まれば、印刷回路基板
への集積回路の実装密度が最適化される。更に、接触子
58a、58b、60a、60bとコンデンサ10を集
積回路装置54の外形線の内側に納めることは、運搬や
回路基板の組立中に接触子とバイパスコンデンサを保護
するのに役立つ。
【0031】図5に示した接触子30aと30bのよう
に、コンデンサ10の両側と接触する接触子を、集積回
路装置54においても、接触子58a、58b、60
a、60bと共に、またはこれらに代えて用いてもよ
い。あるいはまた、図9に示した接触子35aと35b
のように、コンデンサ10の複数の面と接触する接触子
を、集積回路装置54において接触子58a、58b、
60a、60bに代えて用いてもよい。
【0032】以上いくつかの好ましい実施例を詳細に説
明した。本発明の範囲は請求の範囲に記載した範囲内で
上記の実施例と異なる態様も含むものである。例えば、
他の形のパッケージを使ってもよい。ダイを包むのにプ
ラスチック以外の材料を用いてもよい。接触子はパッケ
ージの他の側面から、または上面から、あるいは底面か
ら伸ばしてもよい。接触子とリード線はパッケージの同
じ側面から伸ばしてもよい。別の形の接触子を用いても
よい。2個以上のコンデンサを収納できるように接触子
を設けてもよい。非セラミックの二端子コンデンサを用
いてもよい。コンデンサ以外の二端子部品を接触子の上
に搭載してもよい。本発明を図示した実施例に関して説
明したが、このことは限定的意味を持つものではない。
例示した実施例に関する各種の修正や組合せ、およびそ
の他の実施例は、当業者が本明細書の記述を参照すれば
明らかであろう。したがって請求の範囲はこうした修正
や実施例をすべて含むものである。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明によればバイ
パスコンデンサを集積回路装置にできるだけ近い所に実
装することができる。更に、バイパスコンデンサをプラ
スチックパッケージの外側に実装するようにしたから、
コンデンサが劣化したときコンデンサだけを交換するこ
とができるので経済的である。更に、コンデンサを基板
から浮かしたため、その下の部分に配線できるので、高
密度実装が可能になる。
【0034】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1) 半導体ダイと、第1と第2の相対する面を有し、
前記半導体ダイに電気的に接続されている第1と第2の
接触子と、前記ダイを包み、外辺を有するパッケージン
グ材料であって、前記第1と第2の接触子の第1と第2
の相対する面がパッケージング材料の外辺から外側に伸
びていて、パッケージング材料の外辺の外側で電気部品
を支えるようになっている、パッケージング材料と、を
含むことを特徴とする、集積回路装置。
【0035】(2) 第(1) 項記載の装置において、前記
第1の接触子に電気的に接続される第1の端子と、前記
第2の接触子に電気的に接続される第2の端子とを有す
る電気部品を、更に含むことを特徴とする、集積回路装
置。
【0036】(3) 第(2) 項記載の装置において、前記
電気部品はコンデンサであることを特徴とする、集積回
路装置。
【0037】(4) 第(1) 項記載の装置において、前記
半導体ダイに電気的に接続され、第1の電圧源に接続さ
れるために前記パッケージング材料の中から外に伸びて
いる第1のリード線と、前記半導体ダイに電気的に接続
され、第2の電圧源に接続されるために前記パッケージ
材料の中から外に伸びている第2のリード線と、前記第
1のリード線と前記第1の接触子とを電気的に接続する
第1のバスと、前記第2のリード線と前記第2の接触子
とを電気的に接続する第2のバスと、を更に含むことを
特徴とする、集積回路装置。
【0038】(5) 第(4) 項記載の装置において、前記
第1のリード線と前記第1の接触子と前記第1のバスと
が一体成形され、前記第2のリード線と前記第2の接触
子と前記第2のバスとが一体成形されることを特徴とす
る、集積回路装置。
【0039】(6) 第(5) 項記載の装置において、前記
第1のバスと前記第2のバスは前記半導体ダイに接着さ
れることを特徴とする、集積回路。
【0040】(7) 第(4) 項記載の装置において、前記
第1の電圧源は電源であり、前記第2の電圧源はアース
であることを特徴とする、集積回路。
【0041】(8) 第(4) 項記載の装置において、前記
パッケージング材料は複数の側面を有し、前記第1と第
2の接触子は第1の側面から外に伸びていることを特徴
とする、集積回路。
【0042】(9) 第(8) 項記載の装置において、前記
第1と第2のリード線は前記第1の側面とは異なる側面
から外に伸びていることを特徴とする、集積回路。
【0043】(10) 第(1) 項記載の装置において、前記
半導体ダイに電気的に接続されている第3と第4の接触
子を更に含み、前記第3と第4の接触子は前記電気部品
と電気的に接続するために前記パッケージング材料の外
辺から外側に伸びていて、前記第3の接触子は前記第1
の接触子と電気的に接続されていて、前記第4の接触子
は前記第2の接触子と電気的に接続されている、ことを
特徴とする、集積回路。
【0044】(11) 第(10)項記載の装置において、前記
第1と第2の接触子は前記電気部品の第1と第2の分離
配置されている端子と、前記電気部品の同じ側面で接触
するように配置されていることを特徴とする、集積回
路。
【0045】(12) 第(10)項記載の装置において、前記
第3と第4の接触子は前記電気部品の第1と第2の分離
配置されている端子と、前記電気部品の対向側面で接触
するように配置されていることを特徴とする、集積回
路。
【0046】(13) 第(12)項記載の装置において、前記
第3と第4の接触子は前記電気部品をばねの張力で保持
することを特徴とする、集積回路。
【0047】(14) 第(1) 項記載の装置において、前記
パッケージング材料はプラスチックであることを特徴と
する、集積回路。
【0048】(15) 半導体ダイと、前記半導体ダイに電
気的に接続されている第1と第2の接触子と、前記ダイ
を包み、外辺を有するパッケージング材料であって、前
記第1と第2の接触子がパッケージング材料の外辺から
外側で電気部品を保持するためにパッケージング材料の
外辺から外側に伸びていて、前記第1と第2の接触子の
うち少なくとも一方は、前記電気部品の第1と第2の分
離配置されている端子の一方と前記電気部品の複数の側
面で接触するようになっている、パッケージング材料
と、を含むことを特徴とする、集積回路。
【0049】(16) 第(15)項記載の装置において、前記
第1と第2の接触子両方が、前記電気部品の第1と第2
の分離配置されている端子と前記電気部品の複数の側面
で接触するようになっていることを特徴とする、集積回
路。
【0050】(17) 半導体ダイと、前記半導体ダイに電
気的に接続されている第1と第2の接触子と、前記ダイ
を包み、外辺を有するパッケージング材料であって、前
記第1と第2の接触子がパッケージング材料の外辺から
外側で電気部品を保持するためにパッケージング材料の
外辺から外側に伸びていて、前記第1と第2の接触子が
電気部品をばねの張力で保持するようになっている、パ
ッケージング材料と、を含むことを特徴とする、集積回
路。
【0051】(18) パッケージングされた集積回路装置
2が露出された接触子8a、8bを有し、接触子8a、
8bはパッケージング材料4の外側に実装されるバイパ
スコンデンサ10のような電気部品の端子と電気的に接
続されるようになっている。接触子8a、8bはパッケ
ージング材料4の中から外側に伸びている電源リード線
とアースリード線6とに電気的に接続されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例であるパッケージングさ
れた集積回路装置の斜視図。
【図2】図1の集積回路装置のプラスチックパッケージ
を除いた図。
【図3】図1の集積回路装置に減結合コンデンサを実装
した図。
【図4】図2の集積回路装置に減結合コンデンサを実装
した図。
【図5】本発明の第2の実施例であるパッケージングさ
れた集積回路装置の斜視図。
【図6】図5の集積回路装置のプラスチックパッケージ
を除いた図。
【図7】図5の集積回路装置に減結合コンデンサを実装
した図。
【図8】図6の集積回路装置に減結合コンデンサを実装
した図。
【図9】本発明の第3の実施例であるパッケージングさ
れた集積回路装置の斜視図。
【図10】図9の集積回路装置のプラスチックパッケー
ジを除いた図。
【図11】図9の集積回路装置に減結合コンデンサを実
装した図。
【図12】図10の集積回路装置に減結合コンデンサを
実装した図。
【図13】本発明の第4の実施例によるパッケージング
された集積回路装置の斜視図であって、aは減結合コン
デンサの実装前、bは実装後の図。
【図14】本発明の第5の実施例によるパッケージング
された集積回路装置の斜視図であって、aは減結合コン
デンサの実装前、bは実装後の図。
【図15】本発明の第6の実施例によるパッケージング
された集積回路装置の斜視図であって、aは減結合コン
デンサの実装前、bは実装後の図。
【図16】本発明の第7の実施例によるパッケージング
された集積回路装置の斜視図。
【図17】図16の集積回路装置のプラスチックパッケ
ージを除いた図。
【図18】図16の集積回路装置に減結合コンデンサを
実装した図。
【図19】図17の集積回路装置に減結合コンデンサを
実装した図。
【符号の説明】
2 集積回路装置 4 プラスチックパッケージ 5 リードフレーム 6 リード線 8 接触子 10 バイパスコンデンサ 14 コンデンサの端子 16 アース用バス 18 電源用バス 20 ダイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エルニー ラッセル アメリカ合衆国テキサス州リッチモンド, ブルー リッジ ドライブ 6702

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ダイと、 第1と第2の相対する面を有し、前記半導体ダイに電気
    的に接続されている第1と第2の接触子と、 前記ダイを包み、外辺を有するパッケージング材料であ
    って、前記第1と第2の接触子の第1と第2の相対する
    面がパッケージング材料の外辺から外側に伸びていて、
    パッケージング材料の外辺の外側で電気部品を支えるよ
    うになっている、パッケージング材料と、 を含むことを特徴とする、集積回路装置。
JP5014102A 1992-01-29 1993-01-29 電気部品実装用支持体付きの集積回路装置 Pending JPH0621321A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US82778692A 1992-01-29 1992-01-29
US827786 1992-01-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0621321A true JPH0621321A (ja) 1994-01-28

Family

ID=25250163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5014102A Pending JPH0621321A (ja) 1992-01-29 1993-01-29 電気部品実装用支持体付きの集積回路装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5387814A (ja)
JP (1) JPH0621321A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5766376A (en) * 1994-11-04 1998-06-16 Nippon Steel Corporation High-strength ferritic heat-resistant steel and method of producing the same
JP2020096088A (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 三菱電機株式会社 半導体装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0654866A3 (en) * 1993-11-23 1997-08-20 Motorola Inc Carrier for connecting a semiconductor cube and manufacturing method.
US5545921A (en) * 1994-11-04 1996-08-13 International Business Machines, Corporation Personalized area leadframe coining or half etching for reduced mechanical stress at device edge
JP2933036B2 (ja) * 1996-11-29 1999-08-09 日本電気株式会社 中空パッケージ
US6215174B1 (en) 1997-01-20 2001-04-10 Matsushita Electronics Corporation Lead frame, mold for producing a resin-sealed semiconductor device, resin-sealed semiconductor device using such a lead frame
US6307256B1 (en) * 1998-10-26 2001-10-23 Apack Technologies Inc. Semiconductor package with a stacked chip on a leadframe
DE10133123C2 (de) * 2001-07-07 2003-05-08 A B Elektronik Gmbh GMR-Modul
TW525291B (en) * 2001-12-19 2003-03-21 Silicon Integrated Sys Corp Package with embedded capacitors in chip
US6964584B2 (en) * 2001-12-21 2005-11-15 Intel Corporation Low impedance, high-power socket and method of using
US20060273432A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Texas Instruments Incorporated Lead frame with attached components
DE102006012600A1 (de) * 2006-03-18 2007-09-20 Atmel Germany Gmbh Elektronisches Bauelement, elektronische Baugruppe sowie Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe
US8304854B2 (en) * 2008-11-13 2012-11-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit chip, multilayer chip capacitor and semiconductor integrated circuit chip package
US8406004B2 (en) 2008-12-09 2013-03-26 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof
US20130285197A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Infineon Technologies Ag Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing and Using Thereof
US11393775B2 (en) * 2020-12-04 2022-07-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5954249A (ja) * 1982-09-22 1984-03-29 Fujitsu Ltd 半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5766376A (en) * 1994-11-04 1998-06-16 Nippon Steel Corporation High-strength ferritic heat-resistant steel and method of producing the same
JP2020096088A (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 三菱電機株式会社 半導体装置
CN111326492A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 三菱电机株式会社 半导体装置
CN111326492B (zh) * 2018-12-13 2023-08-29 三菱电机株式会社 半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5387814A (en) 1995-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5384689A (en) Integrated circuit chip including superimposed upper and lower printed circuit boards
EP1143514B1 (en) Resin-sealed power semiconductor device including substrate with all electronic components for control circuit mounted thereon
US5933710A (en) Method of providing electrical connection between an integrated circuit die and a printed circuit board
US5436500A (en) Surface mount semiconductor package
JPH0621321A (ja) 電気部品実装用支持体付きの集積回路装置
JPH07288309A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに半導体モジュール
EP0587294B1 (en) Semiconductor package
EP0221496A2 (en) Integrated circuit package
JP2544976B2 (ja) 半導体集積回路モジュ―ル
KR0145641B1 (ko) 반도체 집적 회로 장치
JPH05259372A (ja) ハイブリッドic
JPS63229842A (ja) 表面実装用パツケ−ジ
JPH09129796A (ja) 半導体装置
KR100525452B1 (ko) 반도체 패키지와 상기 반도체 패키지가 장착되는인쇄회로기판
KR200142849Y1 (ko) 반도체 패키지
JPH05102380A (ja) 半導体集積回路装置およびその実装構造
JPH038366A (ja) 半導体装置用パッケージ
JPH01201946A (ja) 半導体装置
JPS61225827A (ja) 半導体素子の実装構造
KR19990006189A (ko) 패턴 필름 및 이를 이용한 적층형 패키지
JPH05144996A (ja) 表面実装型半導体装置
CN117976638A (zh) 一种芯片封装结构
JPH09283690A (ja) 半導体集積回路用リードフレーム
JPH05235198A (ja) リードレスチップキャリア
JPH10199908A (ja) 半導体装置およびその製造方法