JPH062131A - 光磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH062131A JPH062131A JP4180447A JP18044792A JPH062131A JP H062131 A JPH062131 A JP H062131A JP 4180447 A JP4180447 A JP 4180447A JP 18044792 A JP18044792 A JP 18044792A JP H062131 A JPH062131 A JP H062131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- intermetallic compound
- composition
- alloy
- earth element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】成分組成が、Gd,Tb,Dyから選ばれる少
なくとも1種の希土類元素10〜40at%、残部が実
質的にFe,Coの1種もしくは2種の遷移金属からな
り、その組織が、希土類元素と遷移金属との金属間化合
物a相と、前記金属間化合物aと同組成の金属間化合物
aと希土類元素及び微量の遷移金属元素の固溶体とから
なる微細混合相と、前記金属間化合物aとは組成の異な
る希土類元素と遷移金属との金属間化合物b相とからな
っている。 【効果】酸化が少なく、ターゲット組成と膜組成とのズ
レは非常に小さく、膜特性の劣化は生じず、さらには、
膜組成の経時変化は極めて僅かである。そして、このタ
ーゲットを作製する際、合金粉末bを超急冷凝固法によ
り得ると粉末の粉砕が容易に行えその結晶粒が微細とな
り成形に際して低温での成形が可能となる。
なくとも1種の希土類元素10〜40at%、残部が実
質的にFe,Coの1種もしくは2種の遷移金属からな
り、その組織が、希土類元素と遷移金属との金属間化合
物a相と、前記金属間化合物aと同組成の金属間化合物
aと希土類元素及び微量の遷移金属元素の固溶体とから
なる微細混合相と、前記金属間化合物aとは組成の異な
る希土類元素と遷移金属との金属間化合物b相とからな
っている。 【効果】酸化が少なく、ターゲット組成と膜組成とのズ
レは非常に小さく、膜特性の劣化は生じず、さらには、
膜組成の経時変化は極めて僅かである。そして、このタ
ーゲットを作製する際、合金粉末bを超急冷凝固法によ
り得ると粉末の粉砕が容易に行えその結晶粒が微細とな
り成形に際して低温での成形が可能となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体の磁気
記録層の作製に使用されるスパッタリングターゲット及
びその製造方法に関する。
記録層の作製に使用されるスパッタリングターゲット及
びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術およびその問題点】光磁気記録媒体は記
録、再生、消去が可能な媒体として近時において研究開
発が盛んに行われている。これら光磁気記録媒体材料と
しては、希土類元素と遷移金属との合金からなる非晶質
材料が以下の特長を有することから注目されている。す
なわち、(1)非晶質であるため、MnBi等の結晶性
媒体に見られる粒界ノイズがない。(2)膜作成が比較
的容易であり、大面積にわたって均一な膜が得られる。
(3)記録時の媒体の温度上昇が100℃程度でよく、
そのため半導体レーザが使用でき、装置の小型化が可能
である。これら非晶質合金はスパッタリング法により基
板上に薄膜形成される。
録、再生、消去が可能な媒体として近時において研究開
発が盛んに行われている。これら光磁気記録媒体材料と
しては、希土類元素と遷移金属との合金からなる非晶質
材料が以下の特長を有することから注目されている。す
なわち、(1)非晶質であるため、MnBi等の結晶性
媒体に見られる粒界ノイズがない。(2)膜作成が比較
的容易であり、大面積にわたって均一な膜が得られる。
(3)記録時の媒体の温度上昇が100℃程度でよく、
そのため半導体レーザが使用でき、装置の小型化が可能
である。これら非晶質合金はスパッタリング法により基
板上に薄膜形成される。
【0003】そのため、従来から希土類元素と遷移金属
との合金(Tb−Fe−Co,Gd−Tb−Fe)ター
ゲットが種々提案されている。例えば、特開平2−10
7762号公報では、上記金属間化合物相と希土類元素
との微細混合相及び該金属間化合物相の混合組織を有す
る合金ターゲットが開示されている。
との合金(Tb−Fe−Co,Gd−Tb−Fe)ター
ゲットが種々提案されている。例えば、特開平2−10
7762号公報では、上記金属間化合物相と希土類元素
との微細混合相及び該金属間化合物相の混合組織を有す
る合金ターゲットが開示されている。
【0004】しかしながら、上記公報記載の合金ターゲ
ットは、金属間化合物相と希土類元素の微細混合相、あ
るいは金属間化合物相と希土類元素との微細混合相及び
さらに希土類元素の混合相から構成されるため、多量の
希土類元素が存在し、この希土類元素は酸化され易いた
め、目標とする膜組成が得にくく、また膜中に酸素を比
較的多く含むため、メモリーとしての膜特性が劣化する
おそれがあり記録媒体として情報の長期保存に問題が生
じるものである。また、希土類元素と金属間化合物との
スパッタ率が異なるため、希土類元素相が優先的にスパ
ッタリングされ、膜組成がスパッタリング時間とともに
大きく変化する(以下、経時変化という)。さらには、
上記公報、特にその実施例からも明らかなように、この
合金ターゲットを作成する場合、合金粉末として希土類
元素と遷移金属との状態図において、共晶点より希土類
元素のリッチな組成のものを使用するため、機械的粉砕
が困難であり、高価で酸素含有量の多いPREP法等の
方法によらなければならない。
ットは、金属間化合物相と希土類元素の微細混合相、あ
るいは金属間化合物相と希土類元素との微細混合相及び
さらに希土類元素の混合相から構成されるため、多量の
希土類元素が存在し、この希土類元素は酸化され易いた
め、目標とする膜組成が得にくく、また膜中に酸素を比
較的多く含むため、メモリーとしての膜特性が劣化する
おそれがあり記録媒体として情報の長期保存に問題が生
じるものである。また、希土類元素と金属間化合物との
スパッタ率が異なるため、希土類元素相が優先的にスパ
ッタリングされ、膜組成がスパッタリング時間とともに
大きく変化する(以下、経時変化という)。さらには、
上記公報、特にその実施例からも明らかなように、この
合金ターゲットを作成する場合、合金粉末として希土類
元素と遷移金属との状態図において、共晶点より希土類
元素のリッチな組成のものを使用するため、機械的粉砕
が困難であり、高価で酸素含有量の多いPREP法等の
方法によらなければならない。
【0005】本発明は、上記した従来の問題点を解決
し、膜特性の劣化がなく、経時変化も少ない合金ターゲ
ットを提供し、併せて機械的粉砕が可能で粉末の調製が
容易で製造が簡単な合金ターゲットの製造法を提供する
ことを目的とする。
し、膜特性の劣化がなく、経時変化も少ない合金ターゲ
ットを提供し、併せて機械的粉砕が可能で粉末の調製が
容易で製造が簡単な合金ターゲットの製造法を提供する
ことを目的とする。
【0006】
【問題点を解決するための手段】本発明の光磁気用ター
ゲットは、その成分組成が、Gd,Tb,Dyから選ば
れる少なくとも1種の希土類元素10〜40at%、残
部が実質的にFe,Coの1種もしくは2種の遷移金属
からなり、その組織が、希土類元素と遷移金属との金属
間化合物a相と、前記金属間化合物aと同組成の金属間
化合物aと希土類元素及び微量の遷移金属元素の固溶体
とからなる微細混合相と、前記金属間化合物aとは組成
の異なる希土類元素と遷移金属との金属間化合物b相と
からなっていることを特徴とする。そして、金属間化合
物a相と、金属間化合物aと希土類元素及び微量の遷移
金属元素の固溶体とからなる前記金属間化合物aの周囲
の微細混合相とで複合組織を構成し、これとは別の固体
中に金属間化合物bが構成された組織で構成される。こ
のターゲットを製造する方法は、粒径1000μm以下
の金属間化合物bの組成を有する希土類元素と遷移金属
との合金粉末aと、粒径1000μm以下の希土類元素
と遷移金属との合金状態図において共晶点より遷移金属
元素リッチの組成を有する希土類元素と遷移金属との合
金粉末bとを混合し、ホットプレスことにより得られ
る。なお、前記合金粉末a及びbのうち少なくとも合金
粉末bは超急冷凝固法によって得られたものを使用する
ことができる。
ゲットは、その成分組成が、Gd,Tb,Dyから選ば
れる少なくとも1種の希土類元素10〜40at%、残
部が実質的にFe,Coの1種もしくは2種の遷移金属
からなり、その組織が、希土類元素と遷移金属との金属
間化合物a相と、前記金属間化合物aと同組成の金属間
化合物aと希土類元素及び微量の遷移金属元素の固溶体
とからなる微細混合相と、前記金属間化合物aとは組成
の異なる希土類元素と遷移金属との金属間化合物b相と
からなっていることを特徴とする。そして、金属間化合
物a相と、金属間化合物aと希土類元素及び微量の遷移
金属元素の固溶体とからなる前記金属間化合物aの周囲
の微細混合相とで複合組織を構成し、これとは別の固体
中に金属間化合物bが構成された組織で構成される。こ
のターゲットを製造する方法は、粒径1000μm以下
の金属間化合物bの組成を有する希土類元素と遷移金属
との合金粉末aと、粒径1000μm以下の希土類元素
と遷移金属との合金状態図において共晶点より遷移金属
元素リッチの組成を有する希土類元素と遷移金属との合
金粉末bとを混合し、ホットプレスことにより得られ
る。なお、前記合金粉末a及びbのうち少なくとも合金
粉末bは超急冷凝固法によって得られたものを使用する
ことができる。
【0007】以下に本発明における限定理由を説明す
る。 (1)希土類元素10〜40at% 希土類元素が10at%以下のターゲットを使用した場
合も40at%を超えるターゲットを使用した場合もそ
れによって作成したスパッタ膜はいずれも垂直磁気異方
性を示さず、保磁力も低いため、光磁気記録層として必
要な特性が得られない。 (2)組織 Tb+Feの共晶相と金属間化合物からなる固体aとそ
れとは違う金属間化合物からなる固体bが混在しないと
スパッタしたときのTbとFeの飛行方向のバランスが
くずれ、固体aが多いときは膜の中心部ほどTbの飛ぶ
量がFeに比べ多く、外周部ほどTbの飛ぶ量はFeに
比べ少なくなる。その結果、膜の中心部ほどTb濃度が
高く外周部ほど濃度の低い膜組成となる。また、固体b
が多くなるとそれとは逆に中心部ほどTb濃度の低い膜
組成となり、いずれも安定した記録膜は得られない。 (3)粒度 粒径1000μmを超える粉末を使用したターゲットを
作製するとターゲット中の空隙が増加し、密度が低くタ
ーゲット使用効率の低下を招き、ターゲットの強度も低
下する。また粒度が粗過ぎると膜組成の均一性にも悪影
響を及ぼす。 (4)TbとFeの共晶点よりもFeリッチな合金の使
用 共晶点よりもTbリッチな合金は粉砕が困難であり、P
REP法により作製されるが酸化が進み、コストも高く
なる。共晶点よりもFeリッチな合金であれば超急冷凝
固法によりリボンを作製し、機械的に粉砕が可能で酸化
も少なく加工性も良い。
る。 (1)希土類元素10〜40at% 希土類元素が10at%以下のターゲットを使用した場
合も40at%を超えるターゲットを使用した場合もそ
れによって作成したスパッタ膜はいずれも垂直磁気異方
性を示さず、保磁力も低いため、光磁気記録層として必
要な特性が得られない。 (2)組織 Tb+Feの共晶相と金属間化合物からなる固体aとそ
れとは違う金属間化合物からなる固体bが混在しないと
スパッタしたときのTbとFeの飛行方向のバランスが
くずれ、固体aが多いときは膜の中心部ほどTbの飛ぶ
量がFeに比べ多く、外周部ほどTbの飛ぶ量はFeに
比べ少なくなる。その結果、膜の中心部ほどTb濃度が
高く外周部ほど濃度の低い膜組成となる。また、固体b
が多くなるとそれとは逆に中心部ほどTb濃度の低い膜
組成となり、いずれも安定した記録膜は得られない。 (3)粒度 粒径1000μmを超える粉末を使用したターゲットを
作製するとターゲット中の空隙が増加し、密度が低くタ
ーゲット使用効率の低下を招き、ターゲットの強度も低
下する。また粒度が粗過ぎると膜組成の均一性にも悪影
響を及ぼす。 (4)TbとFeの共晶点よりもFeリッチな合金の使
用 共晶点よりもTbリッチな合金は粉砕が困難であり、P
REP法により作製されるが酸化が進み、コストも高く
なる。共晶点よりもFeリッチな合金であれば超急冷凝
固法によりリボンを作製し、機械的に粉砕が可能で酸化
も少なく加工性も良い。
【0008】
【作用】上記のように、本発明では、粒径1000μm
以下の金属間化合物(以下、IMCという)bの組成を
有する希土類元素と遷移金属との合金粉末aと、粒径1
000μm以下の希土類元素と遷移金属との合金状態図
において共晶点より遷移金属元素リッチの組成を有する
希土類元素と遷移金属との合金粉末bとを混合し、これ
をホットプレスするため、得られるターゲットは、IM
Ca相とその周囲のIMCaと希土類元素及び微量の遷
移金属元素の固溶体からなる微細混合相とで複合組織を
構成し、これとは別の固体中にIMCbが構成された組
織となる。これを模式的に表せば、IMCb+{IMC
a+[IMCa+αRE]}となり、前記公報に記載さ
れた従来例のIMC+(IMC+RE)の組織を有する
ターゲットと比較して単体のRE相が少なくなる。従っ
てその分、酸化される度合いが少なくなり、膜特性の劣
化が防止され、膜組成の経時変化が少なくなる。
以下の金属間化合物(以下、IMCという)bの組成を
有する希土類元素と遷移金属との合金粉末aと、粒径1
000μm以下の希土類元素と遷移金属との合金状態図
において共晶点より遷移金属元素リッチの組成を有する
希土類元素と遷移金属との合金粉末bとを混合し、これ
をホットプレスするため、得られるターゲットは、IM
Ca相とその周囲のIMCaと希土類元素及び微量の遷
移金属元素の固溶体からなる微細混合相とで複合組織を
構成し、これとは別の固体中にIMCbが構成された組
織となる。これを模式的に表せば、IMCb+{IMC
a+[IMCa+αRE]}となり、前記公報に記載さ
れた従来例のIMC+(IMC+RE)の組織を有する
ターゲットと比較して単体のRE相が少なくなる。従っ
てその分、酸化される度合いが少なくなり、膜特性の劣
化が防止され、膜組成の経時変化が少なくなる。
【0009】本発明において、合金粉末bとして、希土
類元素と遷移金属との合金状態図において共晶点より遷
移金属元素リッチの組成を有する希土類元素と遷移金属
との合金粉末を用いるとは、例えばFe−Tbの合金状
態図では、Tb72%の組成において共晶点を有し、こ
の共晶点よりFeリッチのFe−Tb合金組成を有する
粉末を原料として使用することである。このような合金
組成の粉末bは例えば超急冷凝固法によってリボンを作
製することにより、簡単に粉砕することができる。
類元素と遷移金属との合金状態図において共晶点より遷
移金属元素リッチの組成を有する希土類元素と遷移金属
との合金粉末を用いるとは、例えばFe−Tbの合金状
態図では、Tb72%の組成において共晶点を有し、こ
の共晶点よりFeリッチのFe−Tb合金組成を有する
粉末を原料として使用することである。このような合金
組成の粉末bは例えば超急冷凝固法によってリボンを作
製することにより、簡単に粉砕することができる。
【0010】超急冷凝固法によって得られたリボンは、
アモルファスあるいはアモルファスを一部含む微細析出
結晶粒から構成されている。従って、それを加圧成形し
て作製されたターゲットは従来のインゴット粉砕粉を加
圧成形したものに比べはるかに微細な結晶粒からなる組
織で構成され、高密度に成形される。また、ターゲット
の最大透磁率は従来法によって得られたターゲットのそ
れに比べかなり低くなる。この低い最大透磁率はこの種
のターゲットが一般にマグネトロンスパッタリングされ
ることを考えると、高密度の効果とともにスパッタリン
グ効率の向上に大きく寄与する。
アモルファスあるいはアモルファスを一部含む微細析出
結晶粒から構成されている。従って、それを加圧成形し
て作製されたターゲットは従来のインゴット粉砕粉を加
圧成形したものに比べはるかに微細な結晶粒からなる組
織で構成され、高密度に成形される。また、ターゲット
の最大透磁率は従来法によって得られたターゲットのそ
れに比べかなり低くなる。この低い最大透磁率はこの種
のターゲットが一般にマグネトロンスパッタリングされ
ることを考えると、高密度の効果とともにスパッタリン
グ効率の向上に大きく寄与する。
【0011】本発明で使用する少なくとも合金粉末bは
前述のように超急冷凝固法によって作製されるため、粉
末は微細な結晶粒(相)から構成される。従って粉末は
加工性に富み、成形温度を大幅に低下させることができ
る。そのため、組織を構成する各相の反応を抑制するよ
うな低温で高密度に成形することができる。例えば、T
b−Fe−Co系合金の場合、温度800〜950℃
で、充分に高い密度の成形体を得ることが可能である
(相対密度≧95%)。温度以外の成形条件は常法に従
うことができる。
前述のように超急冷凝固法によって作製されるため、粉
末は微細な結晶粒(相)から構成される。従って粉末は
加工性に富み、成形温度を大幅に低下させることができ
る。そのため、組織を構成する各相の反応を抑制するよ
うな低温で高密度に成形することができる。例えば、T
b−Fe−Co系合金の場合、温度800〜950℃
で、充分に高い密度の成形体を得ることが可能である
(相対密度≧95%)。温度以外の成形条件は常法に従
うことができる。
【0012】得られる合金ターゲットは、次いでスパッ
タリングされる。スパッタリングの手段、条件等は通常
の方法がそのまま適用できる。本発明のターゲットで
は、その組織が微細であり、固体間の反応が抑制されて
いるため、固体間の組成差が維持されている。従って、
スパッタリングに際し、ターゲットと膜間の組成差が少
なく、基板上に形成される膜組成のばらつきがなく、均
一で磁気記録特性のばらつきがない磁気記録層が得られ
る。
タリングされる。スパッタリングの手段、条件等は通常
の方法がそのまま適用できる。本発明のターゲットで
は、その組織が微細であり、固体間の反応が抑制されて
いるため、固体間の組成差が維持されている。従って、
スパッタリングに際し、ターゲットと膜間の組成差が少
なく、基板上に形成される膜組成のばらつきがなく、均
一で磁気記録特性のばらつきがない磁気記録層が得られ
る。
【0013】以下に実施例に従い本発明をより詳しく説
明する。
明する。
【実施例1】純度99.9%のテルビューム、電解鉄、
電解コバルトを原料として、合金b,Tb:Fe=8
6:14(重量%)、合金a,Tb:Fe:Co=2
5:69:6(重量%)をそれぞれアーク溶解法で溶製
し得られた合金をAr雰囲気中、先端に射出穴を有する
石英管中で溶解後、2000RPMで回転している銅ロ
ール上へ射出することにより超急冷リボンを作製した。
その合金をそれぞれ有機溶媒中で粉砕、分級して100
0μm以下の粉末を調製した。b合金粉末112gとa
合金粉末239gをAr雰囲気中ボールミルで混合した
後、内径102mmのカーボンモールドに充填し、Ar
雰囲気中で950℃に昇温後500kg/cm2で1時間
加圧し、室温まで冷却した。
電解コバルトを原料として、合金b,Tb:Fe=8
6:14(重量%)、合金a,Tb:Fe:Co=2
5:69:6(重量%)をそれぞれアーク溶解法で溶製
し得られた合金をAr雰囲気中、先端に射出穴を有する
石英管中で溶解後、2000RPMで回転している銅ロ
ール上へ射出することにより超急冷リボンを作製した。
その合金をそれぞれ有機溶媒中で粉砕、分級して100
0μm以下の粉末を調製した。b合金粉末112gとa
合金粉末239gをAr雰囲気中ボールミルで混合した
後、内径102mmのカーボンモールドに充填し、Ar
雰囲気中で950℃に昇温後500kg/cm2で1時間
加圧し、室温まで冷却した。
【0014】このようにして得られた合金ターゲットに
は、ヒビ、割れ等は観察されなかった。このターゲット
の組成は、Tb22,Fe72.4,Co5.6(原子
%)であった。またこのターゲットの組織はTb2(F
eCo)17相の粒子とTb(FeCo)2相の周囲に微
細なTb(FeCo)2相及びTb中に(FeCo)を
固溶した微細なαTb相の混合相を構成した粒子から成
り立っていた。このターゲット(直径102mm、厚さ
5mm)を使用してガラス基板、直上固定、Arガス圧
3×(1/103)Torr、電力5KW/cm2の条件
でスパッタリングした。基板の直上中心位置から半径方
向100mmまでの膜組成をEPMAで定量分析した結
果、そのばらつきはTbで0.1at%以内であった。
また、ターゲット組成と膜組成平均値とのずれは0.2
at%以内、スパッタリング経過1時間及び10時間時
の膜組成平均値のずれは0.2at%以内であった。そ
して、その相対密度は99%で、酸素含有量は400p
pm、最大透磁率は3.2であった。
は、ヒビ、割れ等は観察されなかった。このターゲット
の組成は、Tb22,Fe72.4,Co5.6(原子
%)であった。またこのターゲットの組織はTb2(F
eCo)17相の粒子とTb(FeCo)2相の周囲に微
細なTb(FeCo)2相及びTb中に(FeCo)を
固溶した微細なαTb相の混合相を構成した粒子から成
り立っていた。このターゲット(直径102mm、厚さ
5mm)を使用してガラス基板、直上固定、Arガス圧
3×(1/103)Torr、電力5KW/cm2の条件
でスパッタリングした。基板の直上中心位置から半径方
向100mmまでの膜組成をEPMAで定量分析した結
果、そのばらつきはTbで0.1at%以内であった。
また、ターゲット組成と膜組成平均値とのずれは0.2
at%以内、スパッタリング経過1時間及び10時間時
の膜組成平均値のずれは0.2at%以内であった。そ
して、その相対密度は99%で、酸素含有量は400p
pm、最大透磁率は3.2であった。
【0015】
【実施例2】実施例1と同様の方法で合金b,Tb:F
e:Co=65.5:32:2.5(重量%)、合金
a,Tb:Fe:Co=25:69.5:5.5(重量
%)のそれぞれ590μm以下の粉末を調製し、合金粉
末b225g及び合金粉末a122gを混合して800
℃、500kg/cm2で熱間加圧することによりター
ゲットを作製した。ターゲットには、ヒビ、割れは見ら
れなかった。ターゲット組成はTb27,Fe68,C
o5(原子%)で組織は、Tb(FeCo)相+αTb
相の混合相が多い以外は実施例1と同様の組織であっ
た。また、スパッタリングの結果、膜組成のばらつきは
0.2at%、膜とターゲットの組成ズレは0.2at
%、膜組成の経時変化は1時間と10時間で0.2at
%であった。そして、その相対密度は98.5%で、酸
素含有量は350ppm、最大透磁率は3.0であっ
た。
e:Co=65.5:32:2.5(重量%)、合金
a,Tb:Fe:Co=25:69.5:5.5(重量
%)のそれぞれ590μm以下の粉末を調製し、合金粉
末b225g及び合金粉末a122gを混合して800
℃、500kg/cm2で熱間加圧することによりター
ゲットを作製した。ターゲットには、ヒビ、割れは見ら
れなかった。ターゲット組成はTb27,Fe68,C
o5(原子%)で組織は、Tb(FeCo)相+αTb
相の混合相が多い以外は実施例1と同様の組織であっ
た。また、スパッタリングの結果、膜組成のばらつきは
0.2at%、膜とターゲットの組成ズレは0.2at
%、膜組成の経時変化は1時間と10時間で0.2at
%であった。そして、その相対密度は98.5%で、酸
素含有量は350ppm、最大透磁率は3.0であっ
た。
【0016】
【実施例3】実施例1と同様にアーク溶解法で溶製した
合金b,Tb:Fe=86:14(重量%)を超急冷法
によりリボンを作製し、有機溶媒中で粉砕、分級して2
00μm以下の粉末を調製した。また、合金a,Tb:
Fe:Co=25:69.5:5.5(重量%)をアー
ク溶解法で溶製し、有機溶媒中で粉砕、分級することに
より200μm以下の粉末を調製した。合金粉末b,2
25g及び合金粉末a,122gを混合して850℃、
220kg/cm2で加圧成形することにより、ターゲ
ットを作製した。ターゲットには、ヒビ、割れは見られ
なかった。組成、組織はいずれも実施例2と同様で膜組
成のばらつきは0.2at%、膜とターゲットの組成の
ズレは0.3at%、膜組成の経時変化は0.3at%
と良好な値を示した。そして、その相対密度は98.8
%で、酸素含有量は350ppm、最大透磁率は3.1
であった。
合金b,Tb:Fe=86:14(重量%)を超急冷法
によりリボンを作製し、有機溶媒中で粉砕、分級して2
00μm以下の粉末を調製した。また、合金a,Tb:
Fe:Co=25:69.5:5.5(重量%)をアー
ク溶解法で溶製し、有機溶媒中で粉砕、分級することに
より200μm以下の粉末を調製した。合金粉末b,2
25g及び合金粉末a,122gを混合して850℃、
220kg/cm2で加圧成形することにより、ターゲ
ットを作製した。ターゲットには、ヒビ、割れは見られ
なかった。組成、組織はいずれも実施例2と同様で膜組
成のばらつきは0.2at%、膜とターゲットの組成の
ズレは0.3at%、膜組成の経時変化は0.3at%
と良好な値を示した。そして、その相対密度は98.8
%で、酸素含有量は350ppm、最大透磁率は3.1
であった。
【0017】
【比較例1】熱間加工条件を1100℃にした以外は実
施例2と同様にしてターゲットを作製した。ターゲット
にはヒビ、割れは見られなかった。ターゲットの組織
は、Tb(FeCo)2相とTb(FeCo)3相からな
っていた。そのターゲットを実施例1と同様の方法でス
パッタリングしたところ、膜組成のばらつきは直上中心
と半径方向70mm位置ではTb値で約2at%の差が
あった。そして、その相対密度は100%で、酸素含有
量は480ppm、最大透磁率は5.5であった。
施例2と同様にしてターゲットを作製した。ターゲット
にはヒビ、割れは見られなかった。ターゲットの組織
は、Tb(FeCo)2相とTb(FeCo)3相からな
っていた。そのターゲットを実施例1と同様の方法でス
パッタリングしたところ、膜組成のばらつきは直上中心
と半径方向70mm位置ではTb値で約2at%の差が
あった。そして、その相対密度は100%で、酸素含有
量は480ppm、最大透磁率は5.5であった。
【0018】
【比較例2】合金a,Tb:Fe:Co=25:69:
6(重量%)をアーク溶解法で溶製し、有機溶媒中で粉
砕分級して300μm以下の粉末aを調製した。粉末
0.266gとPREP法で製造した250μm以下の
99.9%Tb粉末をアルゴン雰囲気中ボールミルで混
合後、内径102mmのカーボンモールドに充填し、ア
ルゴン雰囲気中1100℃、220kg/cm2で1時
間加圧成形した。ターゲットにはヒビ、割れは見られな
かった。そのターゲットの相対密度は84%と実施例と
比べて低く、また不純物酸素含有量は1500ppmと
実施例1に比べ高かった。また、このターゲットをスパ
ッタリングして得られた膜の最大透磁率は17.0であ
った。
6(重量%)をアーク溶解法で溶製し、有機溶媒中で粉
砕分級して300μm以下の粉末aを調製した。粉末
0.266gとPREP法で製造した250μm以下の
99.9%Tb粉末をアルゴン雰囲気中ボールミルで混
合後、内径102mmのカーボンモールドに充填し、ア
ルゴン雰囲気中1100℃、220kg/cm2で1時
間加圧成形した。ターゲットにはヒビ、割れは見られな
かった。そのターゲットの相対密度は84%と実施例と
比べて低く、また不純物酸素含有量は1500ppmと
実施例1に比べ高かった。また、このターゲットをスパ
ッタリングして得られた膜の最大透磁率は17.0であ
った。
【0019】
【発明の効果】以上のような本発明によれば、単独のR
E量が少ないため、酸化が少なく、ターゲット組成と膜
組成とのズレは非常に小さく、膜特性の劣化は生じず、
さらには、膜組成の経時変化は極めて僅かである。そし
て、このターゲットを作製する際、合金bを超急冷凝固
法により得ると粉末の粉砕が容易に行えその結晶粒が微
細となり成形に際して低温での成形が可能となり、各相
の反応が抑制され高密度成形が行え、製造工程の簡略
化、コストの低減が図れる。
E量が少ないため、酸化が少なく、ターゲット組成と膜
組成とのズレは非常に小さく、膜特性の劣化は生じず、
さらには、膜組成の経時変化は極めて僅かである。そし
て、このターゲットを作製する際、合金bを超急冷凝固
法により得ると粉末の粉砕が容易に行えその結晶粒が微
細となり成形に際して低温での成形が可能となり、各相
の反応が抑制され高密度成形が行え、製造工程の簡略
化、コストの低減が図れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古村 克也 福岡県大牟田市大字唐船2081 三井金属鉱 業株式会社薄膜材料事業部内
Claims (4)
- 【請求項1】 成分組成が、Gd,Tb,Dyから選ば
れる少なくとも1種の希土類元素10〜40at%、残
部が実質的にFe,Coの1種もしくは2種の遷移金属
からなり、その組織が、希土類元素と遷移金属との金属
間化合物a相と、前記金属間化合物aと同組成の金属間
化合物aと希土類元素及び微量の遷移金属元素の固溶体
とからなる微細混合相と、前記金属間化合物aとは組成
の異なる希土類元素と遷移金属との金属間化合物b相と
からなっていることを特徴とする光磁気記録媒体用スパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項2】 金属間化合物a相と、金属間化合物aと
希土類元素及び微量の遷移金属元素の固溶体からなる前
記金属間化合物a相の周囲の微細混合相とで複合組織を
構成し、これとは別の固体中に金属間化合物bが構成さ
れた組織を有する請求項1記載の光磁気記録媒体用スパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項3】 粒径1000μm以下の金属間化合物b
の組成を有する希土類元素と遷移金属との合金粉末a
と、粒径1000μm以下の希土類元素と遷移金属との
合金状態図において共晶点より遷移金属元素リッチの組
成を有する希土類元素と遷移金属との合金粉末bとを混
合し、これをホットプレスする請求項1記載の光磁気記
録媒体用スパッタリングターゲットを製造する方法。 - 【請求項4】 前記合金粉末a及びbのうち少なくとも
合金粉末bは超急冷凝固法によって得られたものを使用
する請求項3記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4180447A JP2986291B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4180447A JP2986291B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH062131A true JPH062131A (ja) | 1994-01-11 |
JP2986291B2 JP2986291B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=16083394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4180447A Expired - Fee Related JP2986291B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2986291B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0640964A1 (en) * | 1993-07-30 | 1995-03-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production therefof |
US5576100A (en) * | 1993-07-01 | 1996-11-19 | U.S. Philips Corporation | Magneto-optical recording medium |
US6117282A (en) * | 1997-09-23 | 2000-09-12 | Kuo; Po-Cheng | Method of producing amorphous Co-Tb magnetic recording thin films |
CN107799253A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-13 | 包头稀土研究院 | 稀土金属旋转靶材的制造方法 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP4180447A patent/JP2986291B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5576100A (en) * | 1993-07-01 | 1996-11-19 | U.S. Philips Corporation | Magneto-optical recording medium |
EP0640964A1 (en) * | 1993-07-30 | 1995-03-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production therefof |
US5607780A (en) * | 1993-07-30 | 1997-03-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof |
EP0640964B1 (en) * | 1993-07-30 | 2003-01-15 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production therefof |
US6117282A (en) * | 1997-09-23 | 2000-09-12 | Kuo; Po-Cheng | Method of producing amorphous Co-Tb magnetic recording thin films |
CN107799253A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-13 | 包头稀土研究院 | 稀土金属旋转靶材的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2986291B2 (ja) | 1999-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4992095A (en) | Alloy target used for manufacturing magneto-optical recording medium | |
JP2020522143A (ja) | イットリウム添加の希土類永久磁石材料及びその作製方法 | |
JP2003226944A (ja) | 希土類−鉄−硼素系磁石用合金粉末を用いた焼結磁石 | |
JPH06184740A (ja) | 光磁気記録媒体用ターゲットおよびその製造方法 | |
JPS61139637A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトとその製造方法 | |
US5690752A (en) | Permanent magnet containing rare earth metal, boron and iron | |
JPH05222488A (ja) | 永久磁石用合金鋳塊及びその製造法 | |
WO2003003386A1 (en) | R-t-b-c based rare earth magnetic powder and bonded magnet | |
JPH04129203A (ja) | 永久磁石粉末 | |
JP2986291B2 (ja) | 光磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JPH02107762A (ja) | 光磁気記録用合金ターゲット | |
JPS6270550A (ja) | タ−ゲツト材 | |
JP2625163B2 (ja) | 永久磁石粉末の製造方法 | |
JP3076141B2 (ja) | 磁性薄膜用ターゲット材とその製造方法、Fe−M−C軟磁性膜とその製造方法、およびこれを用いた磁気ヘッドならびに磁気記録再生装置 | |
JPH0790567A (ja) | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 | |
JP3299630B2 (ja) | 永久磁石の製造法 | |
JP2597380B2 (ja) | 希土類金属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法および希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法 | |
JP2000150213A (ja) | ボンド磁石用希土類磁性粉末及びその製造方法 | |
JP2894695B2 (ja) | 希土類金属−鉄族金属ターゲットおよびその製造方法 | |
US5710384A (en) | Magneto-optical recording medium target and manufacture method of same | |
JP3534264B2 (ja) | 磁気薄膜用ターゲット材およびその製造方法 | |
JPS6386502A (ja) | 希土類磁石とその製造方法 | |
JP2001181832A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JPH05320896A (ja) | スパッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法 | |
JPS62205556A (ja) | 光磁気記録媒体形成用Tb―Fe系焼結スパッタリングターゲット材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |