JPH06211596A - Method for deposition of thin film, such as high-temperature superconducting thin film, and method for holding substrate for deposition - Google Patents
Method for deposition of thin film, such as high-temperature superconducting thin film, and method for holding substrate for depositionInfo
- Publication number
- JPH06211596A JPH06211596A JP5158355A JP15835593A JPH06211596A JP H06211596 A JPH06211596 A JP H06211596A JP 5158355 A JP5158355 A JP 5158355A JP 15835593 A JP15835593 A JP 15835593A JP H06211596 A JPH06211596 A JP H06211596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- heating plate
- deposition
- deposition substrate
- depositing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高温超伝導薄膜等の薄
膜の堆積方法および堆積用基板の保持方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for depositing a thin film such as a high temperature superconducting thin film and a method for holding a deposition substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、臨界温度が液体窒素の沸点（７７
Ｋ）を超える酸化物高温超伝導体が発見され、エレクト
ロニクス分野での超伝導現象の利用が期待されている。
エレクトロニクス分野で高温超伝導体を用いるために
は、高温超伝導体を薄膜の形にする技術が必要である。2. Description of the Related Art In recent years, the critical temperature has reached the boiling point of liquid nitrogen (77
High-temperature oxide superconductors exceeding K) have been discovered, and the use of superconductivity phenomena in the electronics field is expected.
In order to use a high temperature superconductor in the electronics field, a technology for forming the high temperature superconductor into a thin film is required.
【０００３】従来から、高温超伝導体薄膜を形成する方
法として、レーザアブレーション法、スパッタリング
法、反応性蒸着法等が用いられてきた。これらのいずれ
の方法においても、超伝導体薄膜を堆積するための堆積
用基板を７００℃程度の高温に加熱しつつ、高温超伝導
材料を構成する元素を堆積用基板上に供給している。Conventionally, a laser ablation method, a sputtering method, a reactive vapor deposition method and the like have been used as a method for forming a high temperature superconductor thin film. In any of these methods, the element constituting the high-temperature superconducting material is supplied onto the deposition substrate while heating the deposition substrate for depositing the superconductor thin film to a high temperature of about 700 ° C.
【０００４】図９は、レーザアブレーション法によって
高温超伝導体薄膜を形成する方法の原理説明図であり、
（Ａ）は堆積装置、（Ｂ）は高温超伝導薄膜を堆積した
状態、（Ｃ）は堆積した高温超伝導薄膜を剥離する状態
を示している。図において、９１はチャンバ、９２はガ
ス供給系、９３は排気系、９４は窓、９５はターゲッ
ト、９６は加熱板、９７は堆積用基板、９８は銀ペース
ト、９９はエキシマレーザ装置、１００は高温超伝導薄
膜、１０１はピンセットを示している。FIG. 9 is an explanatory view of the principle of the method of forming a high temperature superconductor thin film by the laser ablation method.
(A) shows a deposition apparatus, (B) shows a state where a high temperature superconducting thin film is deposited, and (C) shows a state where the deposited high temperature superconducting thin film is peeled off. In the figure, 91 is a chamber, 92 is a gas supply system, 93 is an exhaust system, 94 is a window, 95 is a target, 96 is a heating plate, 97 is a deposition substrate, 98 is silver paste, 99 is an excimer laser device, and 100 is A high temperature superconducting thin film, 101 is tweezers.
【０００５】レーザアブレーション法によって高温超伝
導体薄膜を形成する場合は、図９（Ａ）に示されている
ように、チャンバ９１内に高温超伝導体を構成する組
成、例えばＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x からなるターゲット９
５と、加熱板９６の平坦な表面上に堆積用基板９７を載
置したものを対向して配置し、チャンバ９１を排気系９
３によって排気し、ガス供給系９２から酸化性ガスを供
給した状態で、窓９４を通してエキシマレーザ装置９９
から放射されるレーザ光をターゲット９５に照射し、レ
ーザ光のエネルギーによって飛散されるターゲット９５
の分子を堆積用基板９７の表面に堆積する方法をとって
いる。When a high-temperature superconductor thin film is formed by the laser ablation method, as shown in FIG. 9A, the composition that constitutes the high-temperature superconductor in the chamber 91, for example, YBa 2 Cu 3 O. Target 9 consisting of 7-x
5 and the deposition plate 97 mounted on the flat surface of the heating plate 96 are arranged so as to face each other, and the chamber 91 is provided with the exhaust system 9
3 and the oxidizing gas is supplied from the gas supply system 92, the excimer laser device 99 is passed through the window 94.
The target 95 is irradiated with laser light emitted from the target 95 and scattered by the energy of the laser light.
Of the above-mentioned molecules are deposited on the surface of the deposition substrate 97.
【０００６】この堆積方法あるいは、前記の他の堆積方
法によって高温超伝導薄膜を堆積する場合、良好な特性
の高温超伝導薄膜を得るためには、堆積中の堆積用基板
９７の温度がその表面上で一様であり、かつ、再現性が
よいことが必要不可欠であることが知られている。In the case of depositing a high temperature superconducting thin film by this deposition method or another deposition method described above, in order to obtain a high temperature superconducting thin film having good characteristics, the temperature of the deposition substrate 97 during deposition is set to the surface thereof. It is known that it is essential that the above is uniform and that the reproducibility is good.
【０００７】そして、堆積用基板９７を加熱板９６に機
械的に押しつけただけでは、熱的な接触は充分に得られ
ず、加熱板９６の表面と堆積用基板９７とでは１５０〜
２００℃程度の温度差を生じることが知られている。こ
の温度差は堆積用基板９７と加熱板９６との接触状態の
微妙な変化により大きく変化するため、単に堆積用基板
９７を加熱板９６に機械的に接触させるだけでは、得ら
れる高温超伝導薄膜の特性に再現性がないという問題が
あった。Mechanical contact between the deposition substrate 97 and the heating plate 96 does not provide sufficient thermal contact, and the surface of the heating plate 96 and the deposition substrate 97 are 150 to 150.degree.
It is known to cause a temperature difference of about 200 ° C. This temperature difference greatly changes due to a subtle change in the contact state between the deposition substrate 97 and the heating plate 96, so that simply making the deposition substrate 97 mechanically contact the heating plate 96 will result in a high-temperature superconducting thin film. There was a problem in that the characteristics of were not reproducible.
【０００８】また、低い雰囲気圧力下で堆積用基板を加
熱板上に載置して薄膜を堆積する場合、堆積用基板と加
熱板との間は熱伝導の媒体とするガスが希薄であるた
め、熱伝導率が著しく低下する。このため従来から、金
属粉を有機溶媒に混和した接着媒質によって堆積用基板
を加熱板に接着し熱伝導効率を高める方法がとられてき
た。接着媒質を用いないで、ねじによって堆積用基板を
加熱板上に押さえつけて保持する方法によっては、加熱
板の設定温度を８００℃にしても、堆積用基板は約７０
０℃程度にしか上昇しないが、堆積用基板を、銀粉を有
機溶媒に混和した銀ペースト等の接着媒質によって加熱
板に接着保持する方法によると、熱伝導効率が向上し８
００℃まで上げることができる。Further, when a deposition substrate is placed on a heating plate under a low atmospheric pressure to deposit a thin film, the gas as a heat conduction medium is thin between the deposition substrate and the heating plate. , The thermal conductivity is significantly reduced. For this reason, conventionally, a method of adhering the deposition substrate to the heating plate with an adhesive medium in which metal powder is mixed with an organic solvent to increase heat conduction efficiency has been taken. Depending on the method of pressing and holding the deposition substrate on the heating plate with a screw without using an adhesive medium, the deposition substrate may have a temperature of about 70 ° C. even when the preset temperature of the heating plate is 800 ° C.
Although the temperature rises only to about 0 ° C., the method of adhering and holding the deposition substrate to the heating plate with an adhering medium such as a silver paste in which silver powder is mixed with an organic solvent improves heat conduction efficiency.
Can be raised to 00 ° C.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】一般に、このような場
合、堆積用基板と加熱板の間の熱伝導を良好にする手段
として、堆積用基板を接着媒質を用いて加熱板上に貼り
付ける方法が知られており、例えば、高真空中における
ＭＢＥ法によって被膜を堆積する際、Ｉｎ等の低融点金
属を用いて堆積用基板と加熱板を接着する方法が用いら
れている。しかしながら、高温超伝導材料は酸化物であ
るため、酸化性の雰囲気中で堆積する必要があるが、Ｉ
ｎ等の低融点金属はこの酸化性雰囲気によって酸化さ
れ、接着性と熱伝導性が著しく損なわれるためこれを接
着媒質として用いることは不可能である。Generally, in such a case, as a means for improving the heat conduction between the deposition substrate and the heating plate, a method of sticking the deposition substrate on the heating plate using an adhesive medium is known. For example, when depositing a film by the MBE method in a high vacuum, a method of bonding a deposition substrate and a heating plate using a low melting point metal such as In is used. However, since the high temperature superconducting material is an oxide, it is necessary to deposit it in an oxidizing atmosphere.
A low melting point metal such as n is oxidized by this oxidizing atmosphere, and adhesiveness and thermal conductivity are significantly impaired, so that it cannot be used as an adhesive medium.
【００１０】また、図９（Ｂ）に示されているように、
堆積用基板９７と加熱板９６の間の熱接触を改善するた
めに、堆積用基板９７と加熱板９６の間を銀ペースト９
８を用いて接着することもできるが、銀ペースト９８
は、昇温すると堆積雰囲気中の酸素が原因となって硬化
するため、通常の作業温度では低融点金属のように加熱
溶融できず、図９（Ｃ）に示されるように、高温超伝導
薄膜１００を堆積した後に、ピンセット１０１やカッタ
ー等を堆積用基板９７と加熱板９６の間に差し込んで強
い機械的な力を加えて剥離することが必要である。Further, as shown in FIG. 9 (B),
In order to improve the thermal contact between the deposition substrate 97 and the heating plate 96, the silver paste 9 is provided between the deposition substrate 97 and the heating plate 96.
8 can be adhered, but silver paste 98
Is hardened due to oxygen in the deposition atmosphere when the temperature rises, so it cannot be heated and melted like a low melting point metal at a normal working temperature, and as shown in FIG. 9C, the high temperature superconducting thin film After depositing 100, it is necessary to insert tweezers 101, a cutter, or the like between the deposition substrate 97 and the heating plate 96 and apply strong mechanical force to remove them.
【００１１】以上のように接着媒質としてＩｎ等の低融
点金属を用いると、酸化性雰囲気で酸化されるため接着
が不可能となり、また、銀ペースト等の接着媒質を用い
ると、堆積用基板温度の再現性は向上し、高温超伝導薄
膜の特性の再現性も向上するが、銀ペーストは一旦接着
すると堆積用基板を容易に剥離できず、また、堆積用基
板の裏面にも硬化した銀ペーストが付着し、これを除去
することが困難であるという問題がある。As described above, when a low melting point metal such as In is used as the bonding medium, the bonding becomes impossible because it is oxidized in an oxidizing atmosphere, and when a bonding medium such as silver paste is used, the deposition substrate temperature is increased. The reproducibility of the high temperature superconducting thin film is improved and the reproducibility of the characteristics of the high temperature superconducting thin film is improved. However, once the silver paste is adhered, the deposition substrate cannot be easily peeled off. Adheres, and it is difficult to remove this.
【００１２】このように、銀ペーストを用いた場合、１
０ｍｍ角程度の小さい堆積用基板を用いる実験室的な規
模の装置では大きな困難を伴わないで剥離することがで
きるが、堆積用基板が１５〜２０ｍｍ角程度以上になる
と、高温超伝導薄膜堆積後の堆積用基板を加熱板から剥
離するのが困難になる。たとえ強い力を加えることによ
って堆積用基板を剥離できたとしても、堆積用基板が割
れたり反ったりし、また裏面が平坦にならないことが多
く、これを用いてデバイスに加工するとき悪影響がでる
ばかりでなく、高温超伝導薄膜の評価を行うとき精度に
大きく影響し、堆積ロット間で再現性が悪くなるという
不都合を生じる。Thus, when the silver paste is used, 1
It can be peeled off without great difficulty with a laboratory-scale apparatus using a deposition substrate as small as 0 mm square, but when the deposition substrate becomes about 15 to 20 mm square or more, a high temperature superconducting thin film is deposited. It becomes difficult to peel off the deposition substrate from the heating plate. Even if the deposition substrate can be peeled off by applying a strong force, the deposition substrate is often cracked or warped, and the back surface is not even. Not only that, when the high-temperature superconducting thin film is evaluated, the accuracy is greatly affected, and the reproducibility between deposition lots deteriorates.
【００１３】したがって、高温超伝導薄膜を工業的規模
で実用化するためには、堆積用基板温度の再現性が得ら
れる堆積用基板と加熱板の間の接着手段と、大型の堆積
用基板を貼り付けた場合でも堆積用基板を加熱板から容
易に剥離できる手段を開発することが必要になる。Therefore, in order to put the high-temperature superconducting thin film into practical use on an industrial scale, an adhering means between the deposition substrate and the heating plate, which provides reproducibility of the deposition substrate temperature, and a large deposition substrate are attached. Even in such a case, it is necessary to develop means for easily separating the deposition substrate from the heating plate.
【００１４】本発明は、加熱板に高温超伝導薄膜堆積用
基板を熱接触を良好に保って貼り付けることができ、し
かも堆積後にこの堆積用基板を加熱板から容易に取り外
すことができる方法を提供することを目的とする。The present invention provides a method in which a high-temperature superconducting thin film deposition substrate can be attached to a heating plate while maintaining good thermal contact, and the deposition substrate can be easily removed from the heating plate after deposition. The purpose is to provide.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる、堆積用
基板を接着媒質によって昇温した加熱板に接着した状態
で、該堆積用基板に高温超伝導体薄膜等の堆積薄膜の材
料を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において
は、該堆積用基板と加熱板を剥離性のよい手段を用いて
接着する工程を採用した。According to the present invention, a material for a deposited thin film such as a high temperature superconductor thin film is formed on the deposition substrate in a state where the deposition substrate is adhered to a heating plate heated by an adhesive medium. In the method of depositing the thin film for supplying the element, the step of adhering the deposition substrate and the heating plate using a means having good peeling property is adopted.
【００１６】この場合、堆積用基板と加熱板の間に劈解
性の物質を挟み込み、または、加熱板自体を劈解性の物
質によって形成することができる。また、この場合、接
着媒質として、粉末化した劈解性の物質のペースト、粉
末化した劈解性の物質と有機ポリマーを混合したペース
ト、または、粉末化した劈解性の物質と良熱電導性の物
質の粉末と有機ポリマーを混合したペーストを用いるこ
とができる。In this case, a cleaving substance can be sandwiched between the deposition substrate and the heating plate, or the heating plate itself can be formed of the cleaving substance. Further, in this case, as the adhesive medium, a paste of a powdered cleaving substance, a paste of a powdered cleaving substance and an organic polymer, or a powdered cleaving substance and a good thermal conductivity. A paste in which a powder of a volatile substance and an organic polymer are mixed can be used.
【００１７】また、この場合、接着媒質として、堆積薄
膜材料を堆積する温度において液状であるＢ2 Ｏ3 を主
成分とするガラスのような酸化物、ハロゲン化物、カル
コゲン化物等の化合物あるいはこれらの化合物に銀等の
金属粉末を加えた材料を用いることができる。Further, in this case, as an adhesive medium, a compound such as an oxide, a halide, a chalcogenide, or the like, such as glass containing B 2 O 3 as a main component, which is liquid at the deposition temperature of the deposited thin film material, or a compound thereof. A material obtained by adding a metal powder such as silver to a compound can be used.
【００１８】そしてこの場合、堆積用基板を加熱板に押
しつけるための押さえ板を用いることができ、加熱板の
表面に接着媒質と反応しない層を被覆することができ
る。In this case, a pressing plate for pressing the deposition substrate against the heating plate can be used, and the surface of the heating plate can be coated with a layer that does not react with the adhesive medium.
【００１９】また、本発明にかかる堆積用基板の保持方
法においては、堆積用基板を金属粉を有機溶媒に混和し
た接着媒質によって加熱板に接着し、接着部を酸化性ガ
ス雰囲気から遮断する機構を採用した。この場合、接着
部を不活性ガス雰囲気中に置くことができる。In addition, in the method for holding a deposition substrate according to the present invention, a mechanism for adhering the deposition substrate to the heating plate with an adhesive medium in which metal powder is mixed with an organic solvent to shield the bonded portion from the oxidizing gas atmosphere. It was adopted. In this case, the bonded portion can be placed in an inert gas atmosphere.
【００２０】[0020]
【作用】この発明のように、堆積用基板を劈解性材料を
介して加熱板に接着し、または、堆積用基板を劈解性接
着媒質によって加熱板に接着し、あるいは、加熱板自体
を劈解性材料によって形成すると、高温超伝導薄膜を堆
積した後に、劈解性材料、劈解性接着媒質または劈解性
加熱板が容易に劈解されるため、堆積用基板を大きな機
械的な力を用いることなく、裏面が平坦な状態で加熱板
から剥離することができる。As in the present invention, the deposition substrate is adhered to the heating plate via the cleaving material, or the deposition substrate is adhered to the heating plate with the cleaving adhesive medium, or the heating plate itself is adhered. If it is made of a cleavable material, the cleavable material, the cleavable adhesive medium or the cleavable heating plate can be easily cleavable after the high temperature superconducting thin film is deposited, so that the deposition substrate can be treated with a large mechanical force. It can be peeled from the heating plate with the back surface flat without using force.
【００２１】また、堆積用基板を、高温超伝導薄膜を堆
積する温度において液状であるＢ2Ｏ3 を主成分とする
ガラスのような酸化物、ハロゲン化物、カルコゲン化物
等の化合物あるいはこれらの化合物に銀等の金属粉末を
加えたもので、材料を用いて加熱板に接着すると、高温
超伝導薄膜を堆積するときは、化合物が液状になって微
小な間隙を満たすため良好な熱接触が得られ、さらに、
これらの化合物はすでに酸素や他の元素と化合している
ために酸化性雰囲気で酸化されて不都合を生じるという
問題もない。また、高温超伝導薄膜を堆積した後には、
加熱体の温度を若干上昇して化合物の接着強度を大幅に
低下させることによって、堆積用基板を加熱板から容易
に剥離することができる。Compounds such as oxides, halides, chalcogenides, etc., such as glass containing B 2 O 3 as a main component, which is liquid at a temperature for depositing the high temperature superconducting thin film on the deposition substrate, or compounds thereof. If a metal powder such as silver is added to the above, and the material is adhered to a heating plate, when the high temperature superconducting thin film is deposited, the compound becomes a liquid and fills minute gaps, so good thermal contact is obtained. In addition,
Since these compounds have already been combined with oxygen and other elements, there is no problem that they are oxidized in an oxidizing atmosphere and cause inconvenience. Also, after depositing the high temperature superconducting thin film,
By slightly raising the temperature of the heating element and greatly reducing the adhesive strength of the compound, the deposition substrate can be easily peeled from the heating plate.
【００２２】また、この場合、堆積用基板を加熱板に押
しつけるための押さえ板を用いることができ、加熱板の
表面に接着媒質と反応しない層を被覆することができ
る。In this case, a pressing plate for pressing the deposition substrate against the heating plate can be used, and the surface of the heating plate can be coated with a layer that does not react with the adhesive medium.
【００２３】また、本発明の堆積用基板の保持方法のよ
うに、堆積用基板を金属粉を有機溶媒に混和した接着媒
質によって加熱板に接着し、接着部を酸化性ガス雰囲気
から遮断する機構を用い、あるいは、接着部を不活性ガ
ス雰囲気中に置くと、接着媒質である銀ペーストが酸素
によって硬化するのを防ぐことができる。Also, like the deposition substrate holding method of the present invention, a mechanism for adhering the deposition substrate to the heating plate with an adhesive medium in which metal powder is mixed with an organic solvent to shield the adhesive portion from the oxidizing gas atmosphere. Or by placing the adhesive in an inert gas atmosphere, it is possible to prevent the silver paste, which is the adhesive medium, from being hardened by oxygen.
【００２４】[0024]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）図１は、第１実施例の模式的説明図であ
り、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、
（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状態を示して
いる。この図において、１は加熱板、２は銀ペースト、
３は雲母箔、４はＳｒＴｉＯ 3 基板を示している。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic explanatory view of the first embodiment.
(A) shows the state of depositing a high temperature superconducting thin film,
(B) shows a state in which the deposition substrate is separated from the heating plate.
There is. In this figure, 1 is a heating plate, 2 is a silver paste,
3 is mica foil, 4 is SrTiO 3The board is shown.
【００２５】この実施例においては、高温超伝導薄膜を
堆積する基板としてＳｒＴｉＯ3 基板４を用い、劈解性
材料として雲母箔３を用い、レーザ堆積装置によって高
温超伝導薄膜を堆積する。In this embodiment, the SrTiO 3 substrate 4 is used as the substrate on which the high temperature superconducting thin film is deposited, the mica foil 3 is used as the cleavage material, and the high temperature superconducting thin film is deposited by the laser deposition apparatus.
【００２６】まず、図１（Ａ）に示されているように、
従来技術と同様に加熱板１の上にＳｒＴｉＯ3 基板４を
銀ペースト２によって固定するが、このとき加熱板１と
の間に厚さ０．２ｍｍ程度の雲母箔３を挟んで固定す
る。First, as shown in FIG.
Similar to the conventional technique, the SrTiO 3 substrate 4 is fixed on the heating plate 1 with the silver paste 2. At this time, the mica foil 3 having a thickness of about 0.2 mm is fixed between the heating plate 1 and the heating plate 1.
【００２７】銀ペースト２がある程度硬化した後、昇温
を開始し、ここでは１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中
で、ＳｒＴｉＯ3 基板４の温度を６８０℃にして高温超
伝導薄膜の堆積を行う。After the silver paste 2 is hardened to some extent, the temperature rise is started, and the temperature of the SrTiO 3 substrate 4 is set to 680 ° C. in the oxygen atmosphere of 10 mmTorr to deposit the high temperature superconducting thin film.
【００２８】このようにして、雲母箔３のような劈解性
材料を加熱板１とＳｒＴｉＯ3 基板４の間に挟み込む
と、図１（Ｂ）に示されているように、高温超伝導薄膜
を堆積した後に、雲母箔３を劈解することによって、Ｓ
ｒＴｉＯ3 基板４を加熱板１から容易に剥離することが
できる。In this way, when the cleavage material such as the mica foil 3 is sandwiched between the heating plate 1 and the SrTiO 3 substrate 4, as shown in FIG. 1 (B), the high temperature superconducting thin film is obtained. After the mica foil 3 is cleaved, the S
The rTiO 3 substrate 4 can be easily peeled from the heating plate 1.
【００２９】（第２実施例）図２は、第２実施例の模式
的説明図であり、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状
態を示し、（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状
態を示している。この図において、１１は雲母板、１２
は銀ペースト、１３はＳｒＴｉＯ3 基板を示している。(Second Embodiment) FIG. 2 is a schematic explanatory view of the second embodiment. (A) shows a state in which a high temperature superconducting thin film is deposited, and (B) shows a deposition substrate as a heating plate. It shows the state of peeling from. In this figure, 11 is a mica plate and 12
Indicates a silver paste, and 13 indicates a SrTiO 3 substrate.
【００３０】この実施例においては、加熱板として劈解
性を有する雲母板１１を用い、レーザ堆積装置によって
ＳｒＴｉＯ3 基板１３の上に高温超伝導薄膜を堆積す
る。In this embodiment, a mica plate 11 having a cleavage property is used as a heating plate, and a high temperature superconducting thin film is deposited on a SrTiO 3 substrate 13 by a laser deposition apparatus.
【００３１】まず、図２（Ａ）に示されているように、
加熱板として、ＳｒＴｉＯ3 基板１３の表面に平行な面
に劈解面を有する雲母板１１の上にＳｒＴｉＯ3 基板１
３を銀ペースト１２によって固定する。First, as shown in FIG. 2 (A),
As a heating plate, the SrTiO 3 substrate 1 is placed on a mica plate 11 having a cleavage plane in a plane parallel to the surface of the SrTiO 3 substrate 13.
3 is fixed with silver paste 12.
【００３２】銀ペースト１２がある程度硬化した後、昇
温を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、Ｓｒ
ＴｉＯ3 基板１３の温度を６８０℃にして高温超伝導薄
膜の堆積を行う。After the silver paste 12 is hardened to some extent, the temperature rise is started and Sr is added in an oxygen atmosphere of 10 mmTorr.
The temperature of the TiO 3 substrate 13 is set to 680 ° C. to deposit a high temperature superconducting thin film.
【００３３】このようにして、加熱板として雲母板１１
のような劈解性材料を用いると、図２（Ｂ）に示されて
いるように、高温超伝導薄膜を堆積した後に、雲母板１
１の上面部分を劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基
板１３を雲母板１１から容易に剥離することができる。In this way, the mica plate 11 is used as the heating plate.
2 (B), a mica plate 1 is formed after depositing a high-temperature superconducting thin film, as shown in FIG. 2 (B).
By cleaving the upper surface portion of No. 1, the SrTiO 3 substrate 13 can be easily peeled from the mica plate 11.
【００３４】これらの第１実施例、第２実施例では堆積
用基板と加熱板の間に介挿される劈解性材料の箔、また
は加熱板自体を構成する劈解性材料として雲母箔を用い
たが、グラファイトを始めとする単体層状材料、ＡｇＦ
2 等のハロゲン化金属、ＭｏＳ2 等の遷移金属カルコゲ
ナイド、窒化硼素等を用いることができることはいうま
でもない。In these first and second embodiments, a foil of a cleaving material inserted between the deposition substrate and the heating plate, or a mica foil is used as a cleaving material constituting the heating plate itself. , Layered materials such as graphite, AgF
Halogenated such as 2 metals, transition metal chalcogenides, such as MoS 2, it is of course possible to use a boron nitride.
【００３５】（第３実施例）図３は、第３実施例の模式
的説明図であり、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状
態を示し、（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状
態を示している。この図において、２１は加熱板、２２
はＭｏＳ2 ペースト、２３はＳｒＴｉＯ 3 基板を示して
いる。この実施例においては、ＳｒＴｉＯ3 基板２３を
加熱板２１の上に劈解性を有するＭｏＳ2 粉末を懸濁し
たＭｏＳ2 ペースト２２を用いて固定し、レーザ堆積装
置によってＳｒＴｉＯ3 基板２３の上に高温超伝導薄膜
を堆積する。(Third Embodiment) FIG. 3 is a schematic diagram of the third embodiment.
FIG. 3A is a schematic explanatory view showing a state in which a high temperature superconducting thin film is deposited.
(B) is a state in which the deposition substrate is peeled from the heating plate.
The state is shown. In this figure, 21 is a heating plate, 22
Is MoS2Paste, 23 is SrTiO 3Showing board
There is. In this example, SrTiO 33Board 23
MoS having cleavage property on the heating plate 212Suspend the powder
MoS2Fix with paste 22 and use laser deposition
Depending on the location, SrTiO3High temperature superconducting thin film on the substrate 23
Deposit.
【００３６】まず、図３（Ａ）に示されているように、
加熱板２１の上にＳｒＴｉＯ3 基板２３を劈解性を有す
るＭｏＳ2 ペースト２２によって固定する。First, as shown in FIG.
The SrTiO 3 substrate 23 is fixed on the heating plate 21 with a MoS 2 paste 22 having a cleavage property.
【００３７】ＭｏＳ2 ペースト２２がある程度硬化した
後、昇温を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中
で、ＳｒＴｉＯ3 基板２３の温度を６８０℃にしてター
ゲット上でのレーザ光のエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2
にして高温超伝導薄膜の堆積を行う。After the MoS 2 paste 22 is hardened to some extent, the temperature rise is started, the temperature of the SrTiO 3 substrate 23 is set to 680 ° C. in an oxygen atmosphere of 10 mmTorr, and the energy density of the laser beam on the target is 4 J / cm. 2
Then, a high temperature superconducting thin film is deposited.
【００３８】このようにして、劈解性を有するＭｏＳ2
粉末のペーストを用いると、ＭｏＳ 2 粉末は劈解性を有
するために概ね鱗片状であり、このペーストを加熱板２
１の上に塗布したとき、その劈解面は加熱板２１の表面
に平行に配列され、図３（Ｂ）に示されているように、
高温超伝導薄膜を堆積した後に、ＭｏＳ2 ペースト２２
を劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基板２３を加熱
板２１から容易に剥離することができる。Thus, MoS having a cleavage property is obtained.2
With powdered paste, MoS 2The powder is cleaveable
In order to be
When applied on top of the No. 1, the cleavage surface is the surface of the heating plate 21.
Are arranged in parallel with each other, and as shown in FIG.
After depositing the high temperature superconducting thin film, MoS2Paste 22
SrTiO 33Heat the substrate 23
It can be easily peeled from the plate 21.
【００３９】（第４実施例）この実施例においては、Ｓ
ｒＴｉＯ3 基板を加熱板の上に劈解性を有する雲母粉末
を懸濁した雲母ペーストを用いて固定し、レーザ堆積装
置によってＳｒＴｉＯ3 基板の上に高温超伝導薄膜を堆
積する。(Fourth Embodiment) In this embodiment, S
The rTiO 3 substrate is fixed on a heating plate using a mica paste in which mica powder having a cleavage property is suspended, and a high temperature superconducting thin film is deposited on the SrTiO 3 substrate by a laser deposition apparatus.
【００４０】有機ポリマーであるテルピネオールに雲母
の粉末を混ぜてペースト状にして雲母ペーストを調整
し、この雲母ペーストを用いて加熱板の上にＳｒＴｉＯ
3 基板を接着する。Mica powder was mixed with terpineol, which is an organic polymer, to form a paste to prepare a mica paste, and this mica paste was used to form SrTiO 3 on a heating plate.
3 Bond the board.
【００４１】雲母ペーストがある程度硬化した後、昇温
を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、ＳｒＴ
ｉＯ3 基板の温度を６８０℃にしてターゲット上でのレ
ーザエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2 にして高温超伝導薄
膜の堆積を行う。After the mica paste has hardened to some extent, the temperature rise is started and the SrT is added in an oxygen atmosphere of 10 mmTorr.
The temperature of the iO 3 substrate is set to 680 ° C. and the laser energy density on the target is set to 4 J / cm 2 to deposit a high temperature superconducting thin film.
【００４２】このようにして、劈解性を有する雲母ペー
ストを用いると、高温超伝導薄膜を堆積した後に、雲母
ペーストを劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基板を
加熱板から容易に剥離することができる。As described above, when the mica paste having a cleavage property is used, the SrTiO 3 substrate can be easily peeled from the heating plate by cleaving the mica paste after depositing the high temperature superconducting thin film. it can.
【００４３】（第５実施例）この実施例においては、Ｓ
ｒＴｉＯ3 基板を加熱板の上に、銀ペーストに雲母粉末
を混ぜたペーストを用いて固定し、レーザ堆積装置によ
ってＳｒＴｉＯ3 基板の上に高温超伝導薄膜を堆積す
る。まず、一般に市販されている銀ペーストに雲母の粉
末を混ぜ合わせてペースト状にする。このペーストを用
いて、加熱板の上にＳｒＴｉＯ3 基板を接着する。(Fifth Embodiment) In this embodiment, S
The rTiO 3 substrate is fixed on a heating plate with a paste prepared by mixing silver paste with mica powder, and a high temperature superconducting thin film is deposited on the SrTiO 3 substrate by a laser deposition apparatus. First, mica powder is mixed with a generally commercially available silver paste to form a paste. Using this paste, a SrTiO 3 substrate is bonded onto a heating plate.
【００４４】このペーストがある程度硬化した後、昇温
を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、ＳｒＴ
ｉＯ3 基板の温度を６８０℃にしてターゲット上でのレ
ーザ光のエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2 にして高温超伝
導薄膜の堆積を行う。After the paste has hardened to some extent, the temperature rise is started, and the SrT is added in an oxygen atmosphere of 10 mmTorr.
The temperature of the iO 3 substrate is set to 680 ° C., the energy density of the laser beam on the target is set to 4 J / cm 2 , and the high temperature superconducting thin film is deposited.
【００４５】このようにして、劈解性を有する雲母粉末
を混ぜた銀ペーストを用いると、高温超伝導薄膜を堆積
した後に、ペースト中の雲母粉末を劈解することによっ
て、ＳｒＴｉＯ3 基板を加熱板から容易に剥離すること
ができる。また、銀粉末を混入したことによって、加熱
板からＳｒＴｉＯ3 基板への熱伝導が大きく改善され
る。In this way, when the silver paste mixed with the mica powder having the cleaving property is used, the SrTiO 3 substrate is heated by cleaving the mica powder in the paste after depositing the high temperature superconducting thin film. It can be easily peeled from the plate. Further, by mixing the silver powder, the heat conduction from the heating plate to the SrTiO 3 substrate is greatly improved.
【００４６】これらの第３実施例、第４実施例、第５実
施例では、ペースト中に混入する劈解性材料粉末とし
て、ＭｏＳ2 と雲母粉末を用いたが、グラファイトを始
めとする単体層状材料、ＡｇＦ2 等のハロゲン化金属、
ＭｏＳ2 に類似する他の遷移金属カルコゲナイド、窒化
硼素等を用いることができることはいうまでもない。In the third, fourth and fifth examples, MoS 2 and mica powder were used as the cleavage material powder mixed in the paste, but a single layered structure such as graphite was used. Material, halogenated metal such as AgF 2 ,
Of course, other transition metal chalcogenides similar to MoS 2 , boron nitride, etc. can be used.
【００４７】（第６実施例）図４は、第６実施例の模式
的説明図である。この図において、３１は加熱板、３２
は低融点ガラス、３３は堆積用基板を示している。この
実施例においては、ステンレス製の加熱板（ヒーターブ
ロック）３１の上に堆積用基板３３をＢ2 Ｏ3 を主成分
とする低融点ガラス３２によって接着し、堆積用基板３
３を８５０℃程度に昇温して、堆積用基板３３の上に高
温超伝導薄膜を堆積する。(Sixth Embodiment) FIG. 4 is a schematic explanatory view of the sixth embodiment. In this figure, 31 is a heating plate, 32
Indicates a low melting point glass, and 33 indicates a deposition substrate. In this embodiment, a deposition substrate 33 is bonded onto a stainless steel heating plate (heater block) 31 with a low melting point glass 32 containing B 2 O 3 as a main component, and the deposition substrate 3
3 is heated to about 850 ° C., and a high temperature superconducting thin film is deposited on the deposition substrate 33.
【００４８】この８５０℃程度の堆積温度では上記のＢ
2 Ｏ3 低融点ガラス３２は粘度が低い液体になり、加熱
板３１と堆積用基板３３の間の間隙を満たし、歪みが生
じない状態で良好な熱接触を実現する。At the deposition temperature of about 850 ° C., the above B
The 2 O 3 low-melting glass 32 becomes a liquid with low viscosity, fills the gap between the heating plate 31 and the deposition substrate 33, and realizes good thermal contact without distortion.
【００４９】この実施例においては、Ｉｎ等の低融点金
属を用いて加熱板３１と堆積用基板３３を接着する場合
とは異なり、低融点ガラスはすでに酸素やその他の元素
と化合しているため、酸化製雰囲気によって不所望な酸
化を生じる等の問題を生じない。In this embodiment, unlike the case where the heating plate 31 and the deposition substrate 33 are bonded using a low melting point metal such as In, the low melting point glass is already combined with oxygen and other elements. However, problems such as undesired oxidation due to the oxidizing atmosphere do not occur.
【００５０】このようにして、高温超伝導薄膜を堆積し
た後に室温に戻すとＢ2 Ｏ3 低融点ガラス３２は固化す
るが、通常の低融点ガラスに比べて強度が極めて小さ
く、また、大気中の水分で容易に侵されるため、室温で
堆積用基板３３を加熱板３１から簡単に剥離することが
できる。Thus, when the high temperature superconducting thin film is deposited and then returned to room temperature, the B 2 O 3 low melting glass 32 is solidified, but its strength is extremely lower than that of a normal low melting glass, and it is in the air. The substrate 33 for deposition can be easily peeled off from the heating plate 31 at room temperature because it is easily attacked by the moisture.
【００５１】なお、Ｂ2 Ｏ3 の他、ＰｂＯ，ＺｎＯ等を
主成分とする低融点ガラスを用いることができる。In addition to B 2 O 3 , it is possible to use a low melting point glass containing PbO, ZnO or the like as a main component.
【００５２】（第７実施例）図５は、第７実施例の模式
的説明図である。この図において、４１は加熱板、４２
は低融点ガラス、４３は銀粒子、４４は堆積用基板を示
している。この実施例においては、ステンレス製の加熱
板（ヒーターブロック）４１の上に堆積用基板４４を、
平均直径０．５μｍの銀粒子４３を混合したＢ2 Ｏ3 を
主成分とする低融点ガラス４２によって接着し、堆積用
基板４４を８５０℃程度に昇温して、堆積用基板４４の
上に高温超伝導薄膜を堆積する。(Seventh Embodiment) FIG. 5 is a schematic explanatory view of the seventh embodiment. In this figure, 41 is a heating plate, 42
Indicates a low melting point glass, 43 indicates silver particles, and 44 indicates a deposition substrate. In this embodiment, a deposition substrate 44 is placed on a stainless steel heating plate (heater block) 41,
The low melting point glass 42 containing B 2 O 3 as a main component mixed with silver particles 43 having an average diameter of 0.5 μm adheres to each other, and the deposition substrate 44 is heated to about 850 ° C. Deposit a high temperature superconducting thin film.
【００５３】この８５０℃程度の堆積温度ではＢ2 Ｏ3
低融点ガラス４２は粘度が低い液体になって加熱板４１
と堆積用基板４４あるいは銀粒子４３の間を満たし、銀
粒子４３の熱伝導が良好であるために混合物全体の熱伝
導性が良好になり、その結果、歪みが生じない状態で、
加熱板４１と堆積用基板４４の間の熱接触を良好にす
る。At this deposition temperature of about 850 ° C., B 2 O 3
The low-melting glass 42 becomes a liquid with low viscosity and becomes a heating plate 41.
And the deposition substrate 44 or the silver particles 43 are filled, and the thermal conductivity of the silver particles 43 is good, so that the thermal conductivity of the entire mixture is good, and as a result, distortion is not generated,
Good thermal contact between the heating plate 41 and the deposition substrate 44.
【００５４】この実施例においても、Ｉｎ等の低融点金
属を用いて加熱板４１と堆積用基板４４を接着する場合
とは異なり、低融点ガラスはすでに酸素やその他の元素
と化合しているため、酸化製雰囲気によって不所望な酸
化を生じる等の問題を生じない。Also in this embodiment, unlike the case where the heating plate 41 and the deposition substrate 44 are bonded using a low melting point metal such as In, the low melting point glass has already been combined with oxygen and other elements. However, problems such as undesired oxidation due to the oxidizing atmosphere do not occur.
【００５５】このようにして、高温超伝導薄膜を堆積し
た後に室温に戻すとＢ2 Ｏ3 低融点ガラス４２は固体に
なるが、加熱板４１の温度を３００℃にすると、その温
度が融点より低くても、温度の上昇とともに低融点ガラ
スの強度が著しく低下するため、堆積用基板４４を加熱
板４１から容易に剥離することができる。なお、Ｂ2 Ｏ
3 の他、ＰｂＯ，ＺｎＯ等を主成分とする低融点ガラス
を用いることができる。In this way, when the high temperature superconducting thin film is deposited and then returned to room temperature, the B 2 O 3 low melting point glass 42 becomes solid, but when the temperature of the heating plate 41 is set to 300 ° C., the temperature becomes higher than the melting point. Even if the temperature is low, the strength of the low-melting glass is remarkably reduced as the temperature rises, so that the deposition substrate 44 can be easily separated from the heating plate 41. B 2 O
In addition to 3 , a low-melting glass containing PbO, ZnO or the like as a main component can be used.
【００５６】（第８実施例）図６は、第８実施例の模式
的説明図である。この図において、５１は加熱板、５２
は低融点ガラス、５３は堆積用基板、５４は押さえ板、
５５は係止部材を示している。(Eighth Embodiment) FIG. 6 is a schematic explanatory view of the eighth embodiment. In this figure, 51 is a heating plate, 52
Is a low melting point glass, 53 is a deposition substrate, 54 is a holding plate,
Reference numeral 55 denotes a locking member.
【００５７】この実施例においては、堆積用基板５３を
ステンレス製の加熱板５１の上に低融点ガラス５２等に
よって接着し、この堆積用基板５３をバネ性を有する押
さえ板５４の一端で押さえ、押さえ板５４の他端を係止
部材５５によって加熱板５１に固定した状態で堆積用基
板５３の上に高温超伝導薄膜を堆積する。In this embodiment, the deposition substrate 53 is adhered to the stainless steel heating plate 51 with the low melting glass 52 or the like, and the deposition substrate 53 is pressed by one end of the pressing plate 54 having a spring property. The high temperature superconducting thin film is deposited on the deposition substrate 53 with the other end of the pressing plate 54 fixed to the heating plate 51 by the locking member 55.
【００５８】前記の第６実施例、第７実施例において
は、高温超伝導薄膜を堆積する温度では低融点ガラス等
の接着媒質は完全に液化あるいは液体と金属の混合物と
なっているため、液体の粘性や表面張力のみで堆積用基
板５３が貼りついている。そのため、レーザ堆積装置内
の加熱板の向きや堆積用基板の大きさによっては堆積用
基板が脱落したりずれたりする可能性がある。In the sixth and seventh embodiments described above, since the adhesive medium such as low melting glass is completely liquefied or a mixture of liquid and metal at the temperature at which the high temperature superconducting thin film is deposited, The deposition substrate 53 is attached only by its viscosity and surface tension. Therefore, the deposition substrate may drop or be displaced depending on the orientation of the heating plate in the laser deposition apparatus and the size of the deposition substrate.
【００５９】この実施例によると、堆積用基板５３が脱
落したりずれたりするのを防ぐことができ、押さえ板５
４によって堆積用基板５３を押圧するために接着媒質の
層厚を最小限度に薄くすることができるため良好な熱接
触が得られる利点がある。According to this embodiment, it is possible to prevent the deposition substrate 53 from falling off or shifting, and the pressing plate 5 can be prevented.
4 has the advantage that good thermal contact can be obtained because the layer thickness of the adhesive medium can be minimized to press the deposition substrate 53.
【００６０】（第９実施例）図７は、第９実施例の模式
的説明図である。この図において、６１は加熱板、６２
は白金被膜、６３は低融点ガラス、６４は堆積用基板を
示している。この実施例においては、ステンレス製の加
熱板６１の表面に白金被膜６２が形成され、その上に低
融点ガラス６３等によって堆積用基板６４を接着してい
る点が他の実施例と異なる。(Ninth Embodiment) FIG. 7 is a schematic explanatory view of the ninth embodiment. In this figure, 61 is a heating plate, 62
Indicates a platinum coating, 63 indicates a low melting point glass, and 64 indicates a deposition substrate. This embodiment is different from the other embodiments in that a platinum coating 62 is formed on the surface of a stainless steel heating plate 61 and a deposition substrate 64 is adhered on it by a low melting point glass 63 or the like.
【００６１】接着媒質として低融点ガラスを用いると、
ステンレス製の加熱板６１の表面がガラスの中に溶け込
むため、次第にステンレス製の加熱板６１の表面が侵食
される問題が生じる。この実施例のように、ステンレス
製の加熱板６１の表面にガラスとの反応速度が遅い白金
のような物質を被覆するとこの問題を解消することがで
きる。加熱板６１の表面に形成する材料としては、白金
の他にＳｉＣ，ＡｌＮ等が挙げられる。When low melting point glass is used as an adhesive medium,
Since the surface of the stainless steel heating plate 61 melts into the glass, there is a problem that the surface of the stainless steel heating plate 61 is gradually eroded. This problem can be solved by coating the surface of the heating plate 61 made of stainless steel with a substance such as platinum having a slow reaction rate with glass as in this embodiment. Examples of the material formed on the surface of the heating plate 61 include SiC, AlN, and the like, in addition to platinum.
【００６２】（第１０実施例）図８は、第１０実施例の
模式的説明図である。この図において、７１は反応チャ
ンバー、７２は雰囲気ガス供給口、７３は排気口、７４
は光透過窓、７５は加熱台、７６はＡｒガス導入口、７
７はＡｒガス排出口、７８は遮蔽カバー、７９は加熱台
凹部、８０は銀ペースト、８１は堆積用基板、８２は押
さえねじ、８３は堆積薄膜材料ターゲット、８４はエキ
シマレーザー光源を示している。(Tenth Embodiment) FIG. 8 is a schematic explanatory view of the tenth embodiment. In this figure, 71 is a reaction chamber, 72 is an atmospheric gas supply port, 73 is an exhaust port, 74
Is a light transmitting window, 75 is a heating table, 76 is an Ar gas inlet, 7
7 is an Ar gas discharge port, 78 is a shield cover, 79 is a heating table concave portion, 80 is silver paste, 81 is a deposition substrate, 82 is a holding screw, 83 is a deposited thin film material target, and 84 is an excimer laser light source. .
【００６３】この実施例においては、レーザーアブレー
ション型Ｙ系超伝導体（ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx ）薄膜形成
装置を示し、まず、雰囲気ガス供給口７２と排気口７３
と光透過窓７４を有する反応チャンバー７１内に配置さ
れた、Ａｒガス導入口７６とＡｒガス排出口７７とこれ
らのガス通路に接続された加熱台凹部７９を有する加熱
台７５の、この加熱台凹部７９の底面にＳｒＴｉＯ3 か
らなる堆積用基板８１を銀ペースト８０によって接着
し、遮蔽カバー７８によって堆積用基板８１上の薄膜を
堆積する領域を除いて加熱台凹部７９を密閉し、押さえ
ねじ８２によって遮蔽カバー７８を固定する。In this embodiment, a laser ablation type Y-based superconductor (YBa 2 Cu 3 O x ) thin film forming apparatus is shown. First, an atmosphere gas supply port 72 and an exhaust port 73.
A heating table 75 arranged in a reaction chamber 71 having a light transmitting window 74 and an Ar gas inlet 76, an Ar gas outlet 77, and a heating table recess 79 connected to these gas passages. A deposition substrate 81 made of SrTiO 3 is adhered to the bottom surface of the recess 79 with a silver paste 80, and the heating table recess 79 is sealed by a shield cover 78 except for the region where the thin film is deposited on the deposition substrate 81. The shield cover 78 is fixed by.
【００６４】そして、反応チャンバー７１の雰囲気ガス
供給口７２から酸素分圧が高いＡｒガスを供給し、排気
口７３から排気する状態にし、他方、加熱台７５の加熱
台凹部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガスを導入
し、Ａｒガス排出口７７から排出する状態にして、光透
過窓７４を通して、エキシマレーザー光源８４から放出
される高エネルギーレーザー光を、Ｙ系超伝導材料から
なる堆積薄膜材料ターゲット８３に照射し、飛び出した
堆積薄膜材料ターゲット８３の材料を堆積用基板８１の
上に堆積する。Then, Ar gas having a high oxygen partial pressure is supplied from the atmosphere gas supply port 72 of the reaction chamber 71 and exhausted from the exhaust port 73, while the Ar gas introduction port of the heating table recess 79 of the heating table 75 is provided. A high energy laser light emitted from the excimer laser light source 84 is passed through the light transmission window 74 in a state where Ar gas is introduced from 76 and is discharged from the Ar gas discharge port 77. The target 83 is irradiated and the material of the deposited thin film material target 83 that has jumped out is deposited on the deposition substrate 81.
【００６５】この実施例によると、薄膜堆積工程中、遮
蔽カバー７８によって堆積用基板８１の一部と銀ペース
トによる接着部分が覆われ、銀ペーストによる接着部分
がＡｒガス導入口７６から導入されるＡｒガスが充満さ
れているため、薄膜堆積温度において、銀ペースト８０
の酸化が防がれ、銀ペースト８０が硬化することがな
く、薄膜を堆積した後に、堆積用基板８１を加熱台凹部
７９から容易に剥離することができる。According to this embodiment, during the thin film deposition process, the shield cover 78 covers a part of the deposition substrate 81 and the adhesive portion of the silver paste, and the adhesive portion of the silver paste is introduced from the Ar gas inlet 76. Since it is filled with Ar gas, at the thin film deposition temperature, the silver paste 80
Is prevented, the silver paste 80 is not hardened, and the deposition substrate 81 can be easily peeled from the heating base recess 79 after depositing the thin film.
【００６６】上記の実施例では、加熱台７５の加熱台凹
部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガスを導入し、Ａ
ｒガス排出口７７から排出することによって、銀ペース
トによる接着部分にＡｒガスを充満する例を説明した
が、加熱台凹部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガス
を導入しない場合でも、遮蔽カバー７８によって銀ペー
ストによる接着部分が酸素分圧の高い雰囲気から遮蔽さ
れるため、銀ペースト８０の酸化を防ぐ効果を有する。In the above embodiment, Ar gas is introduced from the Ar gas inlet 76 of the heating base recess 79 of the heating base 75, and A
Although an example has been described in which Ar gas is filled in the bonding portion of the silver paste by discharging from the r gas discharge port 77, even if Ar gas is not introduced from the Ar gas introduction port 76 of the heating base recess 79, the shielding cover 78 is provided. Since the bonded portion of the silver paste is shielded from the atmosphere having a high oxygen partial pressure, the silver paste 80 has an effect of preventing oxidation.
【００６７】上記の各実施例においては、Ｙ系超伝導体
（ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx ）薄膜を形成する場合を説明した
が、本発明は、薄膜を堆積する工程において、堆積用基
板の温度を高くし、堆積用基板の面内の温度分布を均一
化して堆積薄膜の性質を均一化する必要がある、誘電体
薄膜、絶縁体薄膜、半導体薄膜、導電体薄膜等を堆積す
る場合にも適用できることはいうまでもない。In each of the above embodiments, the case where a Y-based superconductor (YBa 2 Cu 3 O x ) thin film is formed has been described. However, in the present invention, in the step of depositing the thin film, the temperature of the deposition substrate is It is necessary to raise the temperature to make the temperature distribution in the plane of the deposition substrate uniform and to make the properties of the deposited thin film uniform, even when depositing a dielectric thin film, an insulator thin film, a semiconductor thin film, a conductive thin film, etc. It goes without saying that it can be applied.
【００６８】[0068]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
高温超伝導薄膜を堆積した後に、堆積用基板を加熱板か
ら容易に剥離することができ、かつ、平坦な裏面を得る
ことができるため、その後のデバイス加工が容易にな
り、また、基板を剥離するときに無理なストレスが高温
超伝導薄膜にかからないため、特性の再現性も改善さ
れ、高温超伝導薄膜を用いたデバイスの開発研究に寄与
するところが大きい。As described above, according to the present invention,
After depositing the high-temperature superconducting thin film, the deposition substrate can be easily peeled from the heating plate, and a flat back surface can be obtained, which facilitates subsequent device processing and also peels the substrate. Since the high temperature superconducting thin film is not subjected to undue stress when it is carried out, the reproducibility of the characteristics is also improved, which greatly contributes to the research and development of devices using the high temperature superconducting thin film.
【００６９】また、本発明による基板保持方法を用いる
と、加熱台からの堆積用基板の取外しと、堆積用基板の
裏面に残る銀ペーストの除去が容易になり、剥離する工
程で堆積用基板を破損することがなくなる。Further, by using the substrate holding method according to the present invention, it becomes easy to remove the deposition substrate from the heating table and to remove the silver paste remaining on the back surface of the deposition substrate, and the deposition substrate is removed in the peeling step. It will not be damaged.
【図１】第１実施例の模式的説明図であり、（Ａ）は高
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。FIG. 1 is a schematic explanatory view of a first embodiment, (A) shows a state in which a high temperature superconducting thin film is deposited, and (B) shows a state in which a deposition substrate is separated from a heating plate.
【図２】第２実施例の模式的説明図であり、（Ａ）は高
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。FIG. 2 is a schematic explanatory view of a second embodiment, (A) shows a state in which a high temperature superconducting thin film is deposited, and (B) shows a state in which the deposition substrate is separated from the heating plate.
【図３】第３実施例の模式的説明図であり、（Ａ）は高
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。FIG. 3 is a schematic explanatory view of a third embodiment, (A) shows a state in which a high temperature superconducting thin film is deposited, and (B) shows a state in which the deposition substrate is separated from the heating plate.
【図４】第６実施例の模式的説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory view of a sixth embodiment.
【図５】第７実施例の模式的説明図である。FIG. 5 is a schematic explanatory view of a seventh embodiment.
【図６】第８実施例の模式的説明図である。FIG. 6 is a schematic explanatory view of an eighth embodiment.
【図７】第９実施例の模式的説明図である。FIG. 7 is a schematic explanatory view of a ninth embodiment.
【図８】第１０実施例の模式的説明図である。FIG. 8 is a schematic explanatory diagram of a tenth embodiment.
【図９】レーザアブレーション法によって高温超伝導体
薄膜を形成する方法の原理説明図であり、（Ａ）は堆積
装置、（Ｂ）は高温超伝導薄膜を堆積した状態、（Ｃ）
は堆積した高温超伝導薄膜を剥離する状態を示してい
る。FIG. 9 is an explanatory view of the principle of a method for forming a high temperature superconductor thin film by a laser ablation method, (A) is a deposition apparatus, (B) is a state in which a high temperature superconducting thin film is deposited, (C).
Shows the state of peeling off the deposited high temperature superconducting thin film.
１ 加熱板 ２ 銀ペースト ３ 雲母箔 ４ ＳｒＴｉＯ3 基板 １１ 雲母板 １２ 銀ペースト １３ ＳｒＴｉＯ3 基板 ２１ 加熱板 ２２ ＭｏＳ2 ペースト ２３ ＳｒＴｉＯ3 基板 ３１ 加熱板 ３２ 低融点ガラス ３３ 堆積用基板 ４１ 加熱板 ４２ 低融点ガラス ４３ 銀粒子 ４４ 堆積用基板 ５１ 加熱板 ５２ 低融点ガラス ５３ 堆積用基板 ５４ 押さえ板 ５５ 係止部材 ６１ 加熱板 ６２ 白金被膜 ６３ 低融点ガラス ６４ 堆積用基板 ７１ 反応チャンバー ７２ 雰囲気ガス供給口 ７３ 排気口 ７４ 光透過窓 ７５ 加熱台 ７６ Ａｒガス導入口 ７７ Ａｒガス排出口 ７８ 遮蔽カバー ７９ 加熱台凹部 ８０ 銀ペースト ８１ 堆積用基板 ８２ 押さえねじ ８３ 堆積薄膜材料ターゲット ８４ エキシマレーザー光源 ９１ チャンバ ９２ ガス供給系 ９３ 排気系 ９４ 窓 ９５ ターゲット ９６ 加熱板 ９７ 堆積用基板 ９８ 銀ペースト ９９ エキシマレーザ装置 １００ 高温超伝導薄膜 １０１ ピンセット1 Heating Plate 2 Silver Paste 3 Mica Foil 4 SrTiO 3 Substrate 11 Mica Plate 12 Silver Paste 13 SrTiO 3 Substrate 21 Heating Plate 22 MoS 2 Paste 23 SrTiO 3 Substrate 31 Heating Plate 32 Low Melting Glass 33 Deposition Substrate 41 Heating Plate 42 Low Melting point glass 43 Silver particles 44 Deposition substrate 51 Heating plate 52 Low melting point glass 53 Deposition substrate 54 Holding plate 55 Locking member 61 Heating plate 62 Platinum coating 63 Low melting point glass 64 Deposition substrate 71 Reaction chamber 72 Atmospheric gas supply port 73 Exhaust port 74 Light transmission window 75 Heating table 76 Ar gas introduction port 77 Ar gas exhaust port 78 Shielding cover 79 Heating table recess 80 Silver paste 81 Deposition substrate 82 Holding screw 83 Deposition thin film material target 84 Excimer laser light source 91 Chamber 92 Gas supply System 93 Exhaust system 94 Window 95 Target 96 Heating Plate 97 Deposition Substrate 98 Silver Paste 99 Excimer Laser Device 100 High Temperature Superconducting Thin Film 101 Tweezers
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ 7244−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｚ 9276−4Ｍ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location H01B 13/00 565 D 7244-5G H01L 39/24 ZAA Z 9276-4M
Claims (12)
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
堆積用基板と加熱板の間に劈解性の物質を挟み込むこと
を特徴とする薄膜の堆積方法。1. A method of depositing a thin film for supplying an element constituting a deposited thin film material to a deposition substrate in a state where the deposition substrate is bonded to a heating plate whose temperature is raised by an adhesive medium. A method for depositing a thin film, which comprises sandwiching a cleaving substance between plates.
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
加熱板を劈解性の物質によって形成することを特徴とす
る薄膜の堆積方法。2. A method of depositing a thin film for supplying an element constituting a deposited thin film material to a deposition substrate in a state where the deposition substrate is bonded to a heating plate heated by an adhesive medium, and the heating plate is cleaved. A method for depositing a thin film, which is characterized in that the thin film is formed by a conductive substance.
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
接着媒質として粉末化した劈解性の物質のペーストを用
いることを特徴とする薄膜の堆積方法。3. A method of depositing a thin film for supplying an element constituting a deposited thin film material to a deposition substrate in a state where the deposition substrate is bonded to a heating plate whose temperature is raised by the bonding medium, and powdered as the bonding medium. A method of depositing a thin film, characterized in that a paste of a cleavable substance is used.
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
接着媒質として粉末化した劈解性の物質と有機ポリマー
を混合したペーストを用いることを特徴とする薄膜の堆
積方法。4. A method of depositing a thin film for supplying an element constituting a deposited thin film material to a deposition substrate in a state where the deposition substrate is bonded to a heating plate whose temperature is raised by the bonding medium, and powdered as the bonding medium. A method of depositing a thin film, characterized in that a paste prepared by mixing an organic polymer with a cleaved substance is used.
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
接着媒質として粉末化した劈解性の物質と良熱伝導性の
物質の粉末と有機ポリマーを混合したペーストを用いる
ことを特徴とする薄膜の堆積方法。5. A method of depositing a thin film for supplying an element constituting a deposited thin film material to a deposition substrate in a state where the deposition substrate is bonded to a heating plate whose temperature is raised by the bonding medium, and powdered as the bonding medium. A method for depositing a thin film, which comprises using a paste prepared by mixing powders of the cleaved substance and the substance having a good thermal conductivity and an organic polymer.
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
接着媒質として、薄膜を堆積する温度において液状にな
る酸化物、ハロゲン化物、カルコゲン化物等の化合物あ
るいはこれらの化合物に金属粉末を加えた材料を用いる
ことを特徴とする薄膜の堆積方法。6. A method of depositing a thin film for supplying an element constituting a deposited thin film material to a deposition substrate in a state where the deposition substrate is bonded to a heating plate whose temperature is raised by the bonding medium, wherein the thin film is used as the adhesive medium. A method for depositing a thin film, which comprises using a compound such as an oxide, a halide or a chalcogenide which becomes liquid at a deposition temperature, or a material obtained by adding a metal powder to these compounds.
であることを特徴とする請求項６に記載された薄膜の堆
積方法。7. The method for depositing a thin film according to claim 6, wherein the compound is glass containing B 2 O 3 as a main component.
押さえ板を用いることを特徴とする請求項６に記載され
た薄膜の堆積方法。8. The method of depositing a thin film according to claim 6, wherein a pressing plate for pressing the deposition substrate against the heating plate is used.
た加熱板を用いることを特徴とする請求項６に記載され
た薄膜の堆積方法。9. The method for depositing a thin film according to claim 6, wherein a heating plate having a surface coated with a layer that does not react with an adhesive medium is used.
徴とする請求項１から請求項９までのいずれか１項に記
載された薄膜の堆積方法。10. The method of depositing a thin film according to claim 1, wherein the deposited thin film is an oxide thin film.
した接着媒質によって加熱板に接着し、接着部を酸化性
ガス雰囲気から遮断する機構を用いることを特徴とする
堆積用基板の保持方法。11. A method for holding a deposition substrate, characterized in that a mechanism for adhering the deposition substrate to a heating plate with an adhesive medium in which metal powder is mixed with an organic solvent and shielding the bonded portion from an oxidizing gas atmosphere is used. .
とを特徴とする請求項１１に記載された堆積用基板の保
持方法。12. The method for holding a deposition substrate according to claim 11, wherein the adhesive portion is placed in an inert gas atmosphere.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158355A JPH06211596A (en) | 1992-11-30 | 1993-06-29 | Method for deposition of thin film, such as high-temperature superconducting thin film, and method for holding substrate for deposition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31998492 | 1992-11-30 | ||
| JP4-319984 | 1992-11-30 | ||
| JP5158355A JPH06211596A (en) | 1992-11-30 | 1993-06-29 | Method for deposition of thin film, such as high-temperature superconducting thin film, and method for holding substrate for deposition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06211596A true JPH06211596A (en) | 1994-08-02 |
Family
ID=26485496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5158355A Withdrawn JPH06211596A (en) | 1992-11-30 | 1993-06-29 | Method for deposition of thin film, such as high-temperature superconducting thin film, and method for holding substrate for deposition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06211596A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204332A (en) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | Heat-peeling adhesive composition and bonded structural form |
| US6508884B2 (en) * | 2000-01-20 | 2003-01-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus, method of manufacturing wafer holder, and semiconductor manufacturing apparatus |
| WO2006132386A1 (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujifilm Corporation | Functional film containing structure and method of manufacturing functional film |
| JP2007027513A (en) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Toyota Motor Corp | Thermoelectric generator |
| US7687372B2 (en) | 2005-04-08 | 2010-03-30 | Versatilis Llc | System and method for manufacturing thick and thin film devices using a donee layer cleaved from a crystalline donor |
| CN113451447A (en) * | 2021-06-30 | 2021-09-28 | 南方科技大学 | Deep ultraviolet amorphous gallium oxide photoelectric detector and preparation method and application thereof |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5158355A patent/JPH06211596A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204332A (en) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | Heat-peeling adhesive composition and bonded structural form |
| US6508884B2 (en) * | 2000-01-20 | 2003-01-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus, method of manufacturing wafer holder, and semiconductor manufacturing apparatus |
| US6716304B2 (en) | 2000-01-20 | 2004-04-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus, and method of manufacturing the wafer holder |
| US7687372B2 (en) | 2005-04-08 | 2010-03-30 | Versatilis Llc | System and method for manufacturing thick and thin film devices using a donee layer cleaved from a crystalline donor |
| WO2006132386A1 (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujifilm Corporation | Functional film containing structure and method of manufacturing functional film |
| JP2007027513A (en) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Toyota Motor Corp | Thermoelectric generator |
| CN113451447A (en) * | 2021-06-30 | 2021-09-28 | 南方科技大学 | Deep ultraviolet amorphous gallium oxide photoelectric detector and preparation method and application thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69637232T2 (en) | SPUTTERING LITHIUM | |
| CA1332326C (en) | Preparation of superconducting oxide films on silicon and silicon dioxide substrates | |
| JPH0583080B2 (en) | ||
| JPH06211596A (en) | Method for deposition of thin film, such as high-temperature superconducting thin film, and method for holding substrate for deposition | |
| Ermolov et al. | Superconducting MgB 2 films obtained by magnetron sputtering | |
| US4582722A (en) | Diffusion isolation layer for maskless cladding process | |
| US5071830A (en) | Metalorganic deposition method for forming epitaxial thallium-based copper oxide superconducting films | |
| Koinuma et al. | Preparation of superconducting thin films of (La1− x Sr x) y CuO4− δ by sputtering | |
| US5296459A (en) | Method for making an electrically conductive contact for joining high T.sub. | |
| Katz et al. | Ti/Pt/Au Sn metallization scheme for bonding of InP-based laser diodes to chemical vapor deposited diamond submounts | |
| US5187147A (en) | Method for producing freestanding high Tc superconducting thin films | |
| EP0454489A2 (en) | Controlled thallous oxide evaporation for thallium superconductor films and reactor design | |
| Meyyappan et al. | Au/(Ti—W) and Au/Cr metallization of chemically vapor-deposited diamond substrates for multichip module applications | |
| EP0390016B1 (en) | Superconducting oxide tape manufacturing method | |
| CA1253660A (en) | Copper conductive composition capable of bonding to ceramic and glass | |
| US4786674A (en) | Diffusion isolation layer for maskless cladding process | |
| EP0564693A1 (en) | Film carrier type substrate and method of manufacturing the same | |
| Scheib et al. | Reactions of YBa2Cu3O7− x thin films on silicon substrates | |
| JP2600336B2 (en) | Method of manufacturing base material for high thermal conductive IC | |
| JP2512898B2 (en) | Insulating substrate and manufacturing method thereof | |
| JPH02291611A (en) | Manufacture of oxide superconducting film | |
| JPS62255137A (en) | Film carrier type substrate and manufacture thereof | |
| CA1312405C (en) | Diffusion isolation layer for maskless cladding process | |
| JP3260158B2 (en) | High-temperature superconductor film forming method and apparatus | |
| KR20230002070A (en) | Method for producing a metal-ceramic substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |