JPH0621119A - 半導体部品におけるモールド部の成形装置 - Google Patents
半導体部品におけるモールド部の成形装置Info
- Publication number
- JPH0621119A JPH0621119A JP4177046A JP17704692A JPH0621119A JP H0621119 A JPH0621119 A JP H0621119A JP 4177046 A JP4177046 A JP 4177046A JP 17704692 A JP17704692 A JP 17704692A JP H0621119 A JPH0621119 A JP H0621119A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- mounting part
- mold
- molding
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップ１の部分をパッケージする合成
樹脂製のモールド部４を、一対の金型Ａ，Ｂにて、前記
半導体チップ１のマウント部２が当該モールド部４から
露出した状態で成形するに際して、前記マウント部２の
露出面に合成樹脂の薄い膜を形成されること、及び前記
マウント部２が傾いたり、横方向にずれたりすることを
低減する。 【構成】 両金型Ａ，ＢにおけるキャビティーＡ1 ，Ｂ
1 の内面うち前記マウント部２の箇所に、当該マウント
部２を嵌めるようにした凹み部Ｃを設ける。
樹脂製のモールド部４を、一対の金型Ａ，Ｂにて、前記
半導体チップ１のマウント部２が当該モールド部４から
露出した状態で成形するに際して、前記マウント部２の
露出面に合成樹脂の薄い膜を形成されること、及び前記
マウント部２が傾いたり、横方向にずれたりすることを
低減する。 【構成】 両金型Ａ，ＢにおけるキャビティーＡ1 ，Ｂ
1 の内面うち前記マウント部２の箇所に、当該マウント
部２を嵌めるようにした凹み部Ｃを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、図１に示すように、半
導体チップ１をダイボンディングしたマウント部２の部
分及び各リード端子３の先端部分を合成樹脂製のモール
ド部４にてパッケージして成る半導体部品のうち、前記
マウント部２における一部の表面を、前記モールド部４
の表面に露出することによって、このマウント部２を放
熱用のヒートシンクに構成するようにした半導体部品に
おいて、そのモールド部４を成形するための装置に関す
るものである。
導体チップ１をダイボンディングしたマウント部２の部
分及び各リード端子３の先端部分を合成樹脂製のモール
ド部４にてパッケージして成る半導体部品のうち、前記
マウント部２における一部の表面を、前記モールド部４
の表面に露出することによって、このマウント部２を放
熱用のヒートシンクに構成するようにした半導体部品に
おいて、そのモールド部４を成形するための装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図１に示すような半導体部品にお
いて、その合成樹脂製のモールド部４を成形するに際し
ては、図２及び図３に示すように、半導体チップ１付き
マウント部２及び各リード端子３の先端部分を、下金型
Ａと上金型Ｂとで、前記マウント部２の下面が下金型Ａ
に凹み形成したキャビティーＡ1 の内底面Ａ2 に対して
密着するように挟み付けたのち、前記下金型Ａにおける
キャビティーＡ1 内と、上金型Ｂに凹み形成したキャビ
ティーＢ1 内とに、溶融状態の合成樹脂を高い圧力で注
入するようにしている。
いて、その合成樹脂製のモールド部４を成形するに際し
ては、図２及び図３に示すように、半導体チップ１付き
マウント部２及び各リード端子３の先端部分を、下金型
Ａと上金型Ｂとで、前記マウント部２の下面が下金型Ａ
に凹み形成したキャビティーＡ1 の内底面Ａ2 に対して
密着するように挟み付けたのち、前記下金型Ａにおける
キャビティーＡ1 内と、上金型Ｂに凹み形成したキャビ
ティーＢ1 内とに、溶融状態の合成樹脂を高い圧力で注
入するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来のも
のは、両金型Ａ，Ｂにて挟み付けたときマウント部２の
下面をキャビティーＡ1 の内底面Ａ2 に対して密着させ
るに過ぎないから、キャビティーＡ1 ，Ｂ1 内に高い圧
力で注入した溶融合成樹脂が、前記マウント部２の下面
とキャビティーＡ1 の内底面Ａ2 との間に侵入し、その
結果、前記マウント部２におけるモールド部４から露出
する面には、合成樹脂の薄い膜がマウント部２の表面を
覆うように形成されることになるから、当該マウント部
２における放熱性が低下すると言う問題が多発するので
ある。
のは、両金型Ａ，Ｂにて挟み付けたときマウント部２の
下面をキャビティーＡ1 の内底面Ａ2 に対して密着させ
るに過ぎないから、キャビティーＡ1 ，Ｂ1 内に高い圧
力で注入した溶融合成樹脂が、前記マウント部２の下面
とキャビティーＡ1 の内底面Ａ2 との間に侵入し、その
結果、前記マウント部２におけるモールド部４から露出
する面には、合成樹脂の薄い膜がマウント部２の表面を
覆うように形成されることになるから、当該マウント部
２における放熱性が低下すると言う問題が多発するので
ある。
【０００４】しかも、モールド部４の成形に際して、前
記マウント部２が、当該マウント部２とキャビティーＡ
1 の内底面Ａ2 との間に侵入する溶融合成樹脂のために
浮き上がって傾いたり、溶融合成樹脂の圧力によって横
方向にずれ変位したりすることが発生するから、商品価
値が低下するばかりか、歩留り率が低下すると言う問題
もあった。
記マウント部２が、当該マウント部２とキャビティーＡ
1 の内底面Ａ2 との間に侵入する溶融合成樹脂のために
浮き上がって傾いたり、溶融合成樹脂の圧力によって横
方向にずれ変位したりすることが発生するから、商品価
値が低下するばかりか、歩留り率が低下すると言う問題
もあった。
【０００５】本発明は、このような問題を招来すること
がないようにした成形装置を提供することを技術的課題
とするものである。
がないようにした成形装置を提供することを技術的課題
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、一対の成形用金型に、半導体部品にお
ける半導体チップ付きマウント部及び各リード端子の先
端部にこれをパッケージする合成樹脂製のモールド部を
成形するためのキャビティーを凹み形成して成る成形装
置において、前記キャビティーの内面うち前記マウント
部の箇所に、当該マウント部を嵌めるようにした凹み部
を設ける構成にした。
るため本発明は、一対の成形用金型に、半導体部品にお
ける半導体チップ付きマウント部及び各リード端子の先
端部にこれをパッケージする合成樹脂製のモールド部を
成形するためのキャビティーを凹み形成して成る成形装
置において、前記キャビティーの内面うち前記マウント
部の箇所に、当該マウント部を嵌めるようにした凹み部
を設ける構成にした。
【０００７】
【作 用】このように、一対の成形用金型におけるキ
ャビティーの内面に凹み部を設けて、この凹み部内に、
マウント部を嵌めるように構成することにより、キャビ
ティー内に高い圧力で注入した溶融合成樹脂が、前記マ
ウント部の下面側に侵入することを、前記従来の場合よ
りも確実に抑制することができると共に、前記マウント
部が、溶融合成樹脂の圧力によって、横方向にずれ動く
ことを確実に阻止できるのである。
ャビティーの内面に凹み部を設けて、この凹み部内に、
マウント部を嵌めるように構成することにより、キャビ
ティー内に高い圧力で注入した溶融合成樹脂が、前記マ
ウント部の下面側に侵入することを、前記従来の場合よ
りも確実に抑制することができると共に、前記マウント
部が、溶融合成樹脂の圧力によって、横方向にずれ動く
ことを確実に阻止できるのである。
【０００８】
【発明の効果】従って、本発明によると、モールド部の
成形に際して、マウント部のうちモールド部からの露出
する表面に合成樹脂の薄い膜が形成されること、及び前
記マウント部が浮き上がって傾くことを確実に低減で
き、しかも、前記マウント部が横方向にずれ動くことを
も確実に低減できるから、放熱性及び商品価値の高い半
導体部品を製造できると共に、製造に際しての歩留り率
が向上してそのコストを低減できる効果を有する。
成形に際して、マウント部のうちモールド部からの露出
する表面に合成樹脂の薄い膜が形成されること、及び前
記マウント部が浮き上がって傾くことを確実に低減で
き、しかも、前記マウント部が横方向にずれ動くことを
も確実に低減できるから、放熱性及び商品価値の高い半
導体部品を製造できると共に、製造に際しての歩留り率
が向上してそのコストを低減できる効果を有する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図４〜図７の図面に
ついて説明する。すなわち、半導体チップ半導体チップ
１付きマウント部２及び各リード端子３の先端部分を、
上面にモールド成形用のキャビティーＡ1 を凹み形成し
た下金型Ａと、下面にモールド部成形用のキャビティー
Ｂ1 を凹み形成した上金型Ｂとで挟み付けるに際して、
前記下金型ＡにおけるキャビティーＡ1 の内底面Ａ2 の
うち前記マウント部２の対応する箇所に、凹み部Ｃを設
けて、両金型Ａ，Ｂにて、前記マウント部２及び各リー
ド端子３の先端部分を挟み付けたとき、前記マウント部
２が、前記凹み部Ｃ内に嵌まるように構成するのであ
る。
ついて説明する。すなわち、半導体チップ半導体チップ
１付きマウント部２及び各リード端子３の先端部分を、
上面にモールド成形用のキャビティーＡ1 を凹み形成し
た下金型Ａと、下面にモールド部成形用のキャビティー
Ｂ1 を凹み形成した上金型Ｂとで挟み付けるに際して、
前記下金型ＡにおけるキャビティーＡ1 の内底面Ａ2 の
うち前記マウント部２の対応する箇所に、凹み部Ｃを設
けて、両金型Ａ，Ｂにて、前記マウント部２及び各リー
ド端子３の先端部分を挟み付けたとき、前記マウント部
２が、前記凹み部Ｃ内に嵌まるように構成するのであ
る。
【００１０】このように、下金型Ａにおけるキャビティ
ーＡ1 の内底面Ａ2 に凹み部Ｃを設けて、この凹み部Ｃ
内に、マウント部２を嵌めるように構成することによ
り、両金型Ａ，ＢにおけるキャビティーＡ1 ，Ｂ1 内に
高い圧力で注入した溶融合成樹脂が、前記マウント部２
の下面側に侵入することを、前記従来の場合よりも確実
に抑制できると共に、前記マウント部２が、溶融合成樹
脂の圧力によって、横方向にずれ変位することを確実に
阻止できるのである。
ーＡ1 の内底面Ａ2 に凹み部Ｃを設けて、この凹み部Ｃ
内に、マウント部２を嵌めるように構成することによ
り、両金型Ａ，ＢにおけるキャビティーＡ1 ，Ｂ1 内に
高い圧力で注入した溶融合成樹脂が、前記マウント部２
の下面側に侵入することを、前記従来の場合よりも確実
に抑制できると共に、前記マウント部２が、溶融合成樹
脂の圧力によって、横方向にずれ変位することを確実に
阻止できるのである。
【００１１】その結果、図７に示すように、前記マウン
ト部２における一部の表面を、モールド部４の表面より
確実に露出することができると共に、前記マウント部２
がモールド部に対して傾くことを確実に防止でき、しか
も、前記マウント部２が横方向にずれることをも確実に
防止できるのである。なお、前記凹み部Ｃの深さ寸法Ｓ
は、前記マウント部２における板厚さ寸法Ｔと略等しく
するか、或いは、マウント部２における板厚さ寸法Ｔを
越えない寸法に設定することが好ましい。また、本発明
者の実験によると、前記凹み部Ｃにおける内周面Ｃ
1 と、前記マウント部２の外周面２ａとの間に、最大値
でマウント部２の板厚さ寸法Ｔと略同じ程度の隙間が存
在しても、マウント部２の下面側への溶融合成樹脂の侵
入を確実に抑制することができるのであった。
ト部２における一部の表面を、モールド部４の表面より
確実に露出することができると共に、前記マウント部２
がモールド部に対して傾くことを確実に防止でき、しか
も、前記マウント部２が横方向にずれることをも確実に
防止できるのである。なお、前記凹み部Ｃの深さ寸法Ｓ
は、前記マウント部２における板厚さ寸法Ｔと略等しく
するか、或いは、マウント部２における板厚さ寸法Ｔを
越えない寸法に設定することが好ましい。また、本発明
者の実験によると、前記凹み部Ｃにおける内周面Ｃ
1 と、前記マウント部２の外周面２ａとの間に、最大値
でマウント部２の板厚さ寸法Ｔと略同じ程度の隙間が存
在しても、マウント部２の下面側への溶融合成樹脂の侵
入を確実に抑制することができるのであった。
【図１】半導体部品の縦断正面図である。
【図２】従来の成形装置を示す縦断正面図である。
【図３】従来の成形装置において両成形用金型で挟み付
けた状態の縦断正面図である。
けた状態の縦断正面図である。
【図４】本発明の実施例による成形装置の縦断正面図で
ある。
ある。
【図５】図４のＶ−Ｖ視平面図である。
【図６】本発明の実施例による成形装置において両成形
用金型で挟み付けた状態の縦断正面図である。
用金型で挟み付けた状態の縦断正面図である。
【図７】本発明の成形装置による半導体部品の縦断正面
図である。
図である。
１ 半導体チップ ２ マウント部 ３ リード端子 ４ モールド部 Ａ 下金型 Ａ1 下金型におけるキャビティー Ａ2 下金型におけるキャビティーの内
底面 Ｂ 上金型 Ｂ1 上金型におけるキャビティー Ｃ 凹み部
底面 Ｂ 上金型 Ｂ1 上金型におけるキャビティー Ｃ 凹み部
Claims (1)
- 【請求項１】一対の成形用金型に、半導体部品における
半導体チップ付きマウント部及び各リード端子の先端部
にこれをパッケージする合成樹脂製のモールド部を成形
するためのキャビティーを凹み形成して成る成形装置に
おいて、前記キャビティーの内面のうち前記マウント部
の箇所に、当該マウント部を嵌めるようにした凹み部を
設けることを特徴とする半導体部品におけるモールド部
の成形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177046A JPH0621119A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体部品におけるモールド部の成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177046A JPH0621119A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体部品におけるモールド部の成形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621119A true JPH0621119A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16024196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4177046A Pending JPH0621119A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体部品におけるモールド部の成形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621119A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11482350B2 (en) | 2019-02-19 | 2022-10-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible flat cable and method of producing the same |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP4177046A patent/JPH0621119A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11482350B2 (en) | 2019-02-19 | 2022-10-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible flat cable and method of producing the same |
| US11742109B2 (en) | 2019-02-19 | 2023-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible flat cable and method of producing the same |
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