JPH062106A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH062106A JPH062106A JP16605592A JP16605592A JPH062106A JP H062106 A JPH062106 A JP H062106A JP 16605592 A JP16605592 A JP 16605592A JP 16605592 A JP16605592 A JP 16605592A JP H062106 A JPH062106 A JP H062106A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- film
- recording medium
- thickness
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 性能指数が極めて高く、記録再生特性に優れ
た光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 純炭素球面籠状化合物からなる中間膜をエン
ハンス膜として用いる。
た光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 純炭素球面籠状化合物からなる中間膜をエン
ハンス膜として用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体、特
に、記録再生特性の改善された光磁気記録媒体に関す
る。
に、記録再生特性の改善された光磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁性体を記録媒体との情報の記録および
読み出しを光学的に行なう媒体が光磁気ディスクと呼ば
れる。光磁気ディスクメモリーは、１）記録密度が高
い、２）非接触で記録・読み出しができる、３）高速ラ
ンダムアクセスができる、４）信号の並列処理が可能、
５）書き換えが可能である。、という特徴をもってい
る。
読み出しを光学的に行なう媒体が光磁気ディスクと呼ば
れる。光磁気ディスクメモリーは、１）記録密度が高
い、２）非接触で記録・読み出しができる、３）高速ラ
ンダムアクセスができる、４）信号の並列処理が可能、
５）書き換えが可能である。、という特徴をもってい
る。
【０００３】このような記録媒体の記録原理はあらかじ
め、強い磁界によって磁性薄膜の磁化を全面１方向に揃
えておき、次に収束したレーザー光をその表面に短時間
照射し、局部的な温度上昇を生じさせる。すると、ミク
ロンオーダーの直径をもつ反転磁区が磁性薄膜中に形成
され、これが１ビットに対応する。
め、強い磁界によって磁性薄膜の磁化を全面１方向に揃
えておき、次に収束したレーザー光をその表面に短時間
照射し、局部的な温度上昇を生じさせる。すると、ミク
ロンオーダーの直径をもつ反転磁区が磁性薄膜中に形成
され、これが１ビットに対応する。
【０００４】記録された情報の消去は、記録時と逆方向
の外部磁界をかけた状態で熱磁気記録を行なってビット
ごとに消去したり、あるいは強い磁界を媒体の広い範囲
にかけて多数の情報を同時に消去したりして行なわれ
る。
の外部磁界をかけた状態で熱磁気記録を行なってビット
ごとに消去したり、あるいは強い磁界を媒体の広い範囲
にかけて多数の情報を同時に消去したりして行なわれ
る。
【０００５】記録の再生に際しては、反射光の偏光面が
回転する磁気Ｋｅｒｒ効果現象が利用され、記録再生特
性の良否の指標としてカー回転角θＫと反射率Ｒとの積
で表わされる性能指数Ｒ・θＫが用いられる。
回転する磁気Ｋｅｒｒ効果現象が利用され、記録再生特
性の良否の指標としてカー回転角θＫと反射率Ｒとの積
で表わされる性能指数Ｒ・θＫが用いられる。
【０００６】この性能指数Ｒ・θＫを高めるために、従
来、基板と磁性薄膜との間にＺｎＳ、ＳｉＮ等からなる
誘電体膜を設ける等の改善が図られてきた。
来、基板と磁性薄膜との間にＺｎＳ、ＳｉＮ等からなる
誘電体膜を設ける等の改善が図られてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
ＺｎＳの誘電体を設けたとしても、カー回転角θＫ＝
０．８（ｄｅｇ）、反射率Ｒ＝２０（％）、性能指数Ｒ
・θＫ＝０．１６であり、十分とは言えない。
ＺｎＳの誘電体を設けたとしても、カー回転角θＫ＝
０．８（ｄｅｇ）、反射率Ｒ＝２０（％）、性能指数Ｒ
・θＫ＝０．１６であり、十分とは言えない。
【０００８】このような実情のもと、本発明は創案され
たものであって、その目的は、性能指数が極めて高く、
記録再生特性に優れた光磁気記録媒体を提供することに
ある。
たものであって、その目的は、性能指数が極めて高く、
記録再生特性に優れた光磁気記録媒体を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、基板上に磁性薄膜を備える光磁気記録媒体に
おいて、前記基板と前記磁性薄膜との間に、純炭素球面
籠状化合物からなる中間膜を備えるように構成した。
本発明は、基板上に磁性薄膜を備える光磁気記録媒体に
おいて、前記基板と前記磁性薄膜との間に、純炭素球面
籠状化合物からなる中間膜を備えるように構成した。
【００１０】
【作用】本発明は、純炭素球面籠状化合物からなる中間
膜をエンハンス膜として用いてるので、性能指数は極め
て高くなり、媒体の記録再生特性は格段と向上する。
膜をエンハンス膜として用いてるので、性能指数は極め
て高くなり、媒体の記録再生特性は格段と向上する。
【００１１】
【実施例】本発明の第１実施例を図１に基づいて説明す
る。本発明の光磁気記録媒体１は、基板１１上にカー効
果エンハンスのための中間膜１３を備え、この中間膜１
３の上に磁性薄膜１５を備えている。さらに、この磁性
薄膜１５の上には保護膜１７が設けられ、この保護膜１
７の上には、有機保護膜１９が設けられている。
る。本発明の光磁気記録媒体１は、基板１１上にカー効
果エンハンスのための中間膜１３を備え、この中間膜１
３の上に磁性薄膜１５を備えている。さらに、この磁性
薄膜１５の上には保護膜１７が設けられ、この保護膜１
７の上には、有機保護膜１９が設けられている。
【００１２】基板１１は、通常、ディスク形状をなし、
用いられる材質としては、ガラス、アクリル、ポリカー
ボネイト、アモルファスポリオレフィン等の光透過性の
基板が挙げられる。基板１１の厚さは、１．０〜２．０
ｍｍ程度である。
用いられる材質としては、ガラス、アクリル、ポリカー
ボネイト、アモルファスポリオレフィン等の光透過性の
基板が挙げられる。基板１１の厚さは、１．０〜２．０
ｍｍ程度である。
【００１３】中間膜１３は、カー効果エンハンスのため
に設けられ、その材質としては、純炭素球面籠状化合物
が用いられる。純炭素球面籠状化合物は、一般式Ｃｎで
表わされるいわゆるバックミンスターフラーレン（buck
minsterfullerene ）であり、ｎはある種の数学的規則
で許された正の整数値のみをとる。具体的には、ｎ＝６
０、７０，７６，７８，８０，８２，８４，９０，９
６，１００，１０２，１０４，１１０等の正の整数値を
とる。このような純炭素球面籠状化合物は、例えば、Ｈ
ｅガスフロー中で、二つのグラファイト棒の間に放電を
生じさせることによって、ススの成分として形成され
る。このような化合物を基板１１上へ形成するには、ま
ず純炭素球面籠状化合物の結晶（例えば、Ｃ60のフラー
レン）を真空中または不活性気体中で加熱昇華させ、基
板１１上に薄膜を形成すればよい。
に設けられ、その材質としては、純炭素球面籠状化合物
が用いられる。純炭素球面籠状化合物は、一般式Ｃｎで
表わされるいわゆるバックミンスターフラーレン（buck
minsterfullerene ）であり、ｎはある種の数学的規則
で許された正の整数値のみをとる。具体的には、ｎ＝６
０、７０，７６，７８，８０，８２，８４，９０，９
６，１００，１０２，１０４，１１０等の正の整数値を
とる。このような純炭素球面籠状化合物は、例えば、Ｈ
ｅガスフロー中で、二つのグラファイト棒の間に放電を
生じさせることによって、ススの成分として形成され
る。このような化合物を基板１１上へ形成するには、ま
ず純炭素球面籠状化合物の結晶（例えば、Ｃ60のフラー
レン）を真空中または不活性気体中で加熱昇華させ、基
板１１上に薄膜を形成すればよい。
【００１４】このような中間膜１３の厚さは、１０〜２
００ｎｍ、より好ましくは、２０〜９０ｎｍとされる。
この値が２００ｎｍをこえると膜にクラックが発生する
という不都合が生じ、この値が１０ｎｍ未満となるとカ
ー効果エンハンス膜としての光学特性が劣化するという
不都合が生じる。
００ｎｍ、より好ましくは、２０〜９０ｎｍとされる。
この値が２００ｎｍをこえると膜にクラックが発生する
という不都合が生じ、この値が１０ｎｍ未満となるとカ
ー効果エンハンス膜としての光学特性が劣化するという
不都合が生じる。
【００１５】このような中間層は１３の上に形成される
磁性薄膜１５は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦ
ｅ、Ｐｔ／Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ，ＢｉまたはＣｅ置換ガ
ーネット等の公知の種々の光磁気メモリ材料から形成さ
れる。
磁性薄膜１５は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦ
ｅ、Ｐｔ／Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ，ＢｉまたはＣｅ置換ガ
ーネット等の公知の種々の光磁気メモリ材料から形成さ
れる。
【００１６】形成方法としては、スパッタ法、イオンプ
レーティング法、蒸着法等の真空成膜法が用いられる。
厚さは、１０〜１５０ｎｍ程度である。磁性薄膜１５の
上に形成される保護膜１７はＺｎＳ、ＳｉＮ、ＡｌＮ，
ＳｉＯ等の誘電体膜で形成される。この保護膜１７は磁
性薄膜１５の保護を主目的として設けられる。厚さは１
０〜１５０ｎｍ程度であり、このものも、また一般に、
上記真空成膜法で形成される。
レーティング法、蒸着法等の真空成膜法が用いられる。
厚さは、１０〜１５０ｎｍ程度である。磁性薄膜１５の
上に形成される保護膜１７はＺｎＳ、ＳｉＮ、ＡｌＮ，
ＳｉＯ等の誘電体膜で形成される。この保護膜１７は磁
性薄膜１５の保護を主目的として設けられる。厚さは１
０〜１５０ｎｍ程度であり、このものも、また一般に、
上記真空成膜法で形成される。
【００１７】保護膜１７の上に設けられる有機保護膜１
９は、保護膜１７の上のみならず、媒体の側面をも覆う
ように形成される。磁性薄膜１５の側面からの劣化を防
止することを主目的とするからである。有機保護膜１９
の材質としては、アクリル系、エポキシ系のＵＶ硬化樹
脂等が挙げられる。厚さは、１０〜１００μｍ程度であ
り、一般には、スピンコート法で形成される。
９は、保護膜１７の上のみならず、媒体の側面をも覆う
ように形成される。磁性薄膜１５の側面からの劣化を防
止することを主目的とするからである。有機保護膜１９
の材質としては、アクリル系、エポキシ系のＵＶ硬化樹
脂等が挙げられる。厚さは、１０〜１００μｍ程度であ
り、一般には、スピンコート法で形成される。
【００１８】次に本発明の第２実施例を図２に基づいて
説明する。図２に示される光磁気記録媒体２は、基板１
１上に純炭素球面籠上化合物からなる中間膜１３ａ、磁
性薄膜１５、純炭素球面籠状化合物からなる中間膜１３
ｂ、反射膜２１、有機保護膜１９を順次積層して形成さ
れる。
説明する。図２に示される光磁気記録媒体２は、基板１
１上に純炭素球面籠上化合物からなる中間膜１３ａ、磁
性薄膜１５、純炭素球面籠状化合物からなる中間膜１３
ｂ、反射膜２１、有機保護膜１９を順次積層して形成さ
れる。
【００１９】第２実施例の光磁気記録媒体２が第１実施
例のそれと根本的に異なるところは、磁性薄膜１５の厚
さをより薄く設定し、ある程度の光透過を可能とし、反
射膜２１を別途設けて、この反射膜面で入射光を反射さ
せるようにするとともに、さらに磁性薄膜１５と反射膜
２１との間に純炭素球面籠状化合物からなる中間膜１３
ｂを設けたことにある。
例のそれと根本的に異なるところは、磁性薄膜１５の厚
さをより薄く設定し、ある程度の光透過を可能とし、反
射膜２１を別途設けて、この反射膜面で入射光を反射さ
せるようにするとともに、さらに磁性薄膜１５と反射膜
２１との間に純炭素球面籠状化合物からなる中間膜１３
ｂを設けたことにある。
【００２０】従って、第２実施例における磁性薄膜１５
の厚さは、例えば２５ｎｍ、中間膜１３ｂの厚さは１５
ｎｍ、中間膜１３ａの厚さは４５ｎｍ、反射膜２１の厚
さは４０ｎｍであるように構成される。
の厚さは、例えば２５ｎｍ、中間膜１３ｂの厚さは１５
ｎｍ、中間膜１３ａの厚さは４５ｎｍ、反射膜２１の厚
さは４０ｎｍであるように構成される。
【００２１】なお、反射膜の材質としては、Ａｌ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｃｒ等の反射率の高い金属が用いられる。以
下、本発明の具体的実験例を示し、本発明をさらに詳細
に説明する。
ｇ，Ａｕ，Ｃｒ等の反射率の高い金属が用いられる。以
下、本発明の具体的実験例を示し、本発明をさらに詳細
に説明する。
【００２２】本発明サンプルの作製 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス基板の上に、Ｃ
60フラーレンの結晶を真空中で加熱昇華させ、純炭素球
面籠状化合物からなる中間膜を形成した。膜厚は５０ｎ
ｍとした。この上に、Ｔｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からな
る磁性薄膜を真空蒸着法で、厚さ９０ｎｍとなるように
形成した。この上にＺｎＳからなる保護膜を真空蒸着法
で、厚さ９０ｎｍとなるように形成した。この上に有機
保護膜をスピンコート法で設けた。厚さは、約２０μｍ
程度であった。このようにして本発明サンプルを作製し
た。
60フラーレンの結晶を真空中で加熱昇華させ、純炭素球
面籠状化合物からなる中間膜を形成した。膜厚は５０ｎ
ｍとした。この上に、Ｔｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からな
る磁性薄膜を真空蒸着法で、厚さ９０ｎｍとなるように
形成した。この上にＺｎＳからなる保護膜を真空蒸着法
で、厚さ９０ｎｍとなるように形成した。この上に有機
保護膜をスピンコート法で設けた。厚さは、約２０μｍ
程度であった。このようにして本発明サンプルを作製し
た。
【００２３】比較サンプルの作製 上記本発明サンプルの中間膜（Ｃ60フラーレン）をＺｎ
Ｓからなるスパッタ膜の中間膜に変えた。それ以外は、
上記本発明サンプルと同様にして比較サンプルを作製し
た。
Ｓからなるスパッタ膜の中間膜に変えた。それ以外は、
上記本発明サンプルと同様にして比較サンプルを作製し
た。
【００２４】このような２つのサンプルについて反射率
Ｒ、カー回転角θＫおよび性能指数Ｒ・θＫをそれぞれ
測定した。結果を下記表１に示す。
Ｒ、カー回転角θＫおよび性能指数Ｒ・θＫをそれぞれ
測定した。結果を下記表１に示す。
【００２５】
【表１】 表１の結果より、本発明の性能指数は２倍になることが
分かる。次いて、上記２つの本発明および比較サンプル
について再生特性の比較、すなわち記録周波数とＣ／Ｎ
比との関係を調べた。測定条件は、媒体（サンプル）半
径６０ｎｍ、媒体（サンプル）回転数１８００r.p.m.と
した。
分かる。次いて、上記２つの本発明および比較サンプル
について再生特性の比較、すなわち記録周波数とＣ／Ｎ
比との関係を調べた。測定条件は、媒体（サンプル）半
径６０ｎｍ、媒体（サンプル）回転数１８００r.p.m.と
した。
【００２６】図３の結果より、本発明サンプルは、１〜
８ＭＨｚの記録周波数範囲で、Ｃ／Ｎ比が３（ｄＢ）も
高くなることが確認された。
８ＭＨｚの記録周波数範囲で、Ｃ／Ｎ比が３（ｄＢ）も
高くなることが確認された。
【００２７】
【発明の効果】上記実験例の結果より、本発明の効果は
明らかである。すなわち、本発明の光磁気記録媒体は、
純炭素球面籠状化合物からなる中間膜をエンハンス膜と
して用いているので、性能指数は極めて高くなり、媒体
の記録再生特性は格段と向上する。
明らかである。すなわち、本発明の光磁気記録媒体は、
純炭素球面籠状化合物からなる中間膜をエンハンス膜と
して用いているので、性能指数は極めて高くなり、媒体
の記録再生特性は格段と向上する。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の第１実施例の概略積
層構造を説明するための断面図である。
層構造を説明するための断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の第２実施例の概略積
層構造を説明するための断面図である。
層構造を説明するための断面図である。
【図３】本発明サンプルと比較サンプルとの再生特性を
比較するグラフである。
比較するグラフである。
１１…基板 １３，１３ａ，１３ｂ…中間膜 １５…磁性薄膜 １７…保護膜 １９…有機保護膜 ２１…反射膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に磁性薄膜を備える光磁気記録媒
体において、前記基板と前記磁性薄膜との間に、純炭素
球面籠状化合物からなる中間膜を備えることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に磁性薄膜を備え、該磁性薄膜の
上に反射膜を備える光磁気記録媒体において、前記磁性
薄膜と反射膜との間に、純炭素球面籠状化合物からなる
中間膜を備えることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記基板と前記磁性薄膜との間には、さ
らに、純炭素球面籠状化合物からなる中間膜を備えるこ
とを特徴とする請求項２に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16605592A JPH062106A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16605592A JPH062106A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062106A true JPH062106A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=15824132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16605592A Pending JPH062106A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062106A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1045113C (zh) * | 1996-05-31 | 1999-09-15 | 清华大学 | 铁－碳合金表面富勒碳涂层的激光改性方法 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16605592A patent/JPH062106A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1045113C (zh) * | 1996-05-31 | 1999-09-15 | 清华大学 | 铁－碳合金表面富勒碳涂层的激光改性方法 |
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