JPH06209510A - Tool and method for finishing cable end - Google Patents
Tool and method for finishing cable endInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ケーブルの接続部や終
端部を形成する際にケーブルに端末処理を施すためのケ
ーブル端末処理工具及び端末処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cable terminating tool and a terminating method for terminating a cable when forming a connecting portion or a terminating portion of the cable.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ケーブルの接続部や終端部を形成する際
には、ケーブル終端のシースや遮蔽体を剥離し、導体接
続や電気的保護のための端末処理を施す。図７に、この
ような場合のＣＶケーブルの端末処理手順説明図を示
す。図の（ａ）〜（ｄ）はその端末処理工程におけるケ
ーブル端部斜視図である。図において、（ａ）に示すケ
ーブルは、既にシースや遮蔽層を剥離して外部半導電層
１を露出させたものである。このケーブルは、切断端面
から見て、導体２の外周に内部半導電層３を被覆し、そ
の外側に絶縁層４及び外部半導電層１を被覆した構成と
なっている。2. Description of the Related Art When forming a connecting portion or a terminating portion of a cable, a sheath or a shield at the end of the cable is peeled off, and a terminal treatment for conductor connection or electrical protection is performed. FIG. 7 is an explanatory diagram of a CV cable terminal processing procedure in such a case. (A)-(d) of a figure is a cable end perspective view in the terminal treatment process. In the figure, the cable shown in (a) is one in which the outer semiconductive layer 1 is exposed by peeling off the sheath and the shielding layer. This cable has a structure in which the outer periphery of the conductor 2 is covered with the inner semiconductive layer 3 and the outer side thereof is covered with the insulating layer 4 and the outer semiconductive layer 1 when viewed from the cut end surface.
【０００３】このようなケーブルの端末処理を施す際に
は、外部半導電層１を所定長剥離する必要がある。この
場合、図の（ｂ）に示すように、外部半導電層１の外側
に図示しないナイフ等を当てがって、絶縁層４の表面か
ら外部半導電層１を削り取る。図の（ｃ）に示すのが、
その剥離処理を終了した際の外観である。なお、例えば
ＣＶケーブルの場合、絶縁層４と外部半導電層１は何れ
も架橋ポリエチレンから構成される。これらは３層同時
押出し法により製造され、ボンディングタイプでは絶縁
層４と外部半導電層１とは密着一体化している。従っ
て、絶縁層４を傷つけずに外部半導電層１を剥離する作
業には大変な熟練を要する。When such a cable end treatment is performed, it is necessary to peel off the outer semiconductive layer 1 for a predetermined length. In this case, as shown in FIG. 2B, a knife or the like (not shown) is applied to the outside of the outer semiconductive layer 1 to scrape the outer semiconductive layer 1 from the surface of the insulating layer 4. Figure (c) shows
It is an appearance when the peeling process is completed. In the case of a CV cable, for example, both the insulating layer 4 and the outer semiconductive layer 1 are made of crosslinked polyethylene. These are manufactured by a three-layer coextrusion method, and in the bonding type, the insulating layer 4 and the outer semiconductive layer 1 are adhered and integrated. Therefore, a great deal of skill is required for the work of peeling the outer semiconductive layer 1 without damaging the insulating layer 4.
【０００４】そこで、３３ｋＶクラス以下のＣＶケーブ
ルについては、絶縁層４と外部半導電層１との間の接着
力を弱めたフリーストリッピングタイプの構造が採用さ
れている。このようなケーブルについては、図７（ｄ）
に示すように、予め外部半導電層１の所定部分に円周方
向に切れ目を入れれば、図に示すような要領で容易に絶
縁層４の外周面から外部半導電層１を剥ぎ取ることがで
きる。Therefore, a CV cable of 33 kV class or less employs a free stripping type structure in which the adhesive force between the insulating layer 4 and the outer semiconductive layer 1 is weakened. For such a cable, see FIG.
As shown in FIG. 4, if a cut is made in the circumferential direction at a predetermined portion of the outer semiconductive layer 1 in advance, the outer semiconductive layer 1 can be easily peeled off from the outer peripheral surface of the insulating layer 4 as shown in the figure. it can.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なフリーストリッピングタイプは電気特性上の問題か
ら、従来３３ｋＶ程度以下の低圧ケーブルに専ら使用さ
れてきたが、製造技術の向上によって６６／７７ｋＶ程
度の高圧ケーブルにも採用されるに至っている。しかし
ながら、高圧ケーブルにおいては、この端末処理の際に
次のような問題が生じていた。図８に、端末処理の際の
問題点を示すケーブルの主要部断面図を示す。図８
（ａ）に示すように、絶縁層４の外周から外部半導電層
１の端末部を剥ぎ取ると、そのはぎ取った部分に段差が
できる。また、こうしてはぎ取られた外部半導電層１に
はその後ストレスコーン等が被せられ、その遮蔽層との
電気接続のために図に示すような半導電テープ５が巻回
される。By the way, the above-mentioned free stripping type has been conventionally used exclusively for low voltage cables of about 33 kV or less due to problems in electrical characteristics. It has also been adopted for high voltage cables. However, in the high-voltage cable, the following problems have occurred during this terminal treatment. FIG. 8 shows a cross-sectional view of a main part of a cable showing problems in terminal processing. Figure 8
As shown in (a), when the terminal portion of the outer semiconductive layer 1 is stripped from the outer periphery of the insulating layer 4, a step is formed in the stripped portion. Further, the outer semiconductive layer 1 thus peeled off is then covered with a stress cone or the like, and the semiconductive tape 5 as shown in the figure is wound for electrical connection with the shielding layer.
【０００６】しかしながら、このような半導電テープ５
と外部半導電層１の端部の隙間に、図に示すような三角
形ボイド６が生じてしまうことがある。このような三角
形ボイド６が生じると、この内部でコロナ放電が発生し
事故の原因となる。そこで、（ｂ）に示すように、外部
半導電層１の端部はテーパ状に加工される。このテーパ
加工は、熟練者がナイフ等を用いて外部半導電層１を削
り取ることによって行われる。However, such a semiconductive tape 5
In some cases, triangular voids 6 as shown in the figure may be formed in the gap between the outer semiconductive layer 1 and the outer semiconductive layer 1. When such a triangular void 6 is generated, corona discharge is generated inside this, which causes an accident. Therefore, as shown in (b), the end portion of the outer semiconductive layer 1 is processed into a tapered shape. This taper processing is performed by an expert who scrapes off the outer semiconductive layer 1 using a knife or the like.
【０００７】しかしながら、上記のようなフリーストリ
ッピングタイプにおいては、図７（ｄ）に示すように、
外部半導電層１の一部の剥ぎ取り作業の際、外部半導電
層１の端部が浮き上がり隙間７が生じてしまうという問
題がある。このような状態ではテーパ加工が良好に行わ
れず、またこの隙間７も半導電テープ巻回後、図８
（ａ）に示すような三角形ボイド６と同様の電気的な弱
点となる恐れもある。本発明は以上の点に着目してなさ
れたもので、このような外部半導電層のテーパ加工を容
易にするケーブル端末処理工具及び端末処理方法を提供
することを目的とするものである。However, in the above-mentioned free stripping type, as shown in FIG.
There is a problem that an end portion of the outer semiconductive layer 1 is lifted up and a gap 7 is generated during the work of peeling off a part of the outer semiconductive layer 1. In such a state, taper processing is not performed well, and this gap 7 is also formed after winding the semiconductive tape.
There is a possibility that it may be an electric weak point similar to the triangular void 6 shown in (a). The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a cable terminal treatment tool and a terminal treatment method that facilitate such tapering of the outer semiconductive layer.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】第１発明のケーブル端末
処理工具は、ケーブル外表面に尖端を向けた状態でケー
ブル絶縁層の周囲を公転させる取手部と、前記取手部の
尖端に取り付けられ、前記ケーブル絶縁層外周に形成さ
れた外部半導電層に食い込む尖端を有するカッターと、
一端を前記取手部に固定し、他端側で前記ケーブル絶縁
層を包囲して、前記取手部の公転軌道を決定するガイド
部とから成ることを特徴とするものである。A cable end treatment tool according to a first aspect of the present invention is provided with a handle portion that revolves around the cable insulating layer with the tip facing the outer surface of the cable, and is attached to the tip of the handle portion. A cutter having a tip that bites into the outer semiconductive layer formed on the outer circumference of the cable insulating layer,
One end is fixed to the handle part, and the other end side surrounds the cable insulating layer, and the guide part determines the revolution trajectory of the handle part.
【０００９】第２発明は、ケーブル絶縁層外周に、フリ
ーストリッピング構造で形成された外部半導電層に対し
て、前記ケーブル絶縁層外表面に達しない略Ｖ字状の溝
を環状に形成した後、端末側の外部半導電層を前記ケー
ブル絶縁層から剥離しつつ、前記略Ｖ字状の溝の部分を
引き裂くことを特徴とするケーブル端末処理方法に関す
る。According to a second aspect of the present invention, after forming an annular V-shaped groove, which does not reach the outer surface of the cable insulating layer, with respect to the outer semiconductive layer formed of the free stripping structure, on the outer periphery of the cable insulating layer. The present invention relates to a cable terminal treatment method, characterized in that the outer semiconductive layer on the terminal side is peeled off from the cable insulating layer while tearing the portion of the substantially V-shaped groove.
【００１０】第３発明は、外部半導電層に形成された略
Ｖ字状の溝は、ケーブルの側面からみると、ケーブル端
末から剥離され除去される側の面は、ケーブル軸に垂直
な面に対して鋭角に、端末処理後ケーブル端末を構成す
る側の面は、ケーブル軸に垂直な面に対して鈍角に近い
傾斜を持つことを特徴とする。According to a third aspect of the invention, the substantially V-shaped groove formed in the outer semiconductive layer has a surface which is separated and removed from the cable end when viewed from the side surface of the cable, the surface being perpendicular to the cable axis. On the other hand, the surface on the side forming the cable end after the terminal treatment has an acute angle with respect to the surface perpendicular to the cable axis, and has an inclination close to an obtuse angle.
【００１１】[0011]
【作用】第１発明の工具は、ケーブルの外表面にカッタ
ーを押し当て、ガイド部によってカッターの尖端をケー
ブルの外部半導電層に押し当てたまま取手部を矢印方向
に公転させる。カッターの尖端は、ケーブルの外部半導
電層に円周方向に略Ｖ字状の溝を形成する。従って、ケ
ーブルの絶縁層外周に残される外部半導電層の端部は自
動的にテーパ加工され、この略Ｖ字状の溝によって切り
離されたもう一方の外部半導電層はフリーストリッピン
グタイプの場合容易に剥離できる。第１発明に示したよ
うな工具により第２発明を実施すれば、絶縁層上に残さ
れた外部半導電層の端部の密着を損なうことはなく端末
処理が容易になる。第３発明に示すように、外部半導電
層に対し、ケーブル端末から剥離され除去される側の面
がケーブル軸に垂直な面に対し鈍角になるように略Ｖ字
状の溝を形成すると、引き裂く際にスパイラル状の切れ
目を入れ易く、ケーブル端末を構成する側の面のテーパ
形状が整う。In the tool of the first aspect of the present invention, the cutter is pressed against the outer surface of the cable, and the guide part revolves the handle part in the direction of the arrow while pressing the tip of the cutter against the outer semiconductive layer of the cable. The tip of the cutter forms a generally V-shaped groove circumferentially in the outer semiconductive layer of the cable. Therefore, the end of the outer semiconducting layer left on the outer periphery of the insulating layer of the cable is automatically tapered, and the other outer semiconducting layer separated by this substantially V-shaped groove is easy in the case of the free stripping type. Can be peeled off. When the second invention is carried out by the tool as shown in the first invention, the terminal treatment is facilitated without impairing the adhesion of the end portion of the outer semiconductive layer left on the insulating layer. As shown in the third invention, when a substantially V-shaped groove is formed on the outer semiconductive layer so that the surface on the side peeled off from the cable end and removed is an obtuse angle with respect to the surface perpendicular to the cable axis, When tearing, it is easy to make a spiral cut, and the taper shape of the surface forming the cable end is adjusted.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明を図の実施例を用いて詳細に説
明する。 ［第１発明］図１は、第１発明のケーブル端末処理工具
実施例を示す斜視図である。図に示すように、本発明の
ケーブル端末処理工具は、取手部１１とその尖端１２に
取り付けられたカッター１４と金属板を折り曲げた構成
のガイド部１５から成る。取手部１１は、ケーブル１０
の外表面に尖端１２を向けた状態でこのケーブル１０の
回りを公転する。The present invention will be described in detail below with reference to the embodiments shown in the drawings. [First Invention] FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a cable end processing tool of the first invention. As shown in the figure, the cable end treatment tool of the present invention comprises a handle portion 11, a cutter 14 attached to the tip 12 thereof, and a guide portion 15 formed by bending a metal plate. The handle portion 11 is a cable 10
The cable 10 revolves around the cable 10 with the tip 12 facing the outer surface of the cable.
【００１３】図２にカッター１４の外観図を示す。
（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は斜視図であ
る。図に示すように、カッター１４はその中央を山形に
折曲げ、そこに刃部１４−１を設けたものである。ま
た、両端にはビス孔１４−２が設けられ、図１に示す取
手部１１の尖端１２にビスにより取り付けられる構成と
なっている。また、図２（ｃ）に示すように、刃部１４
−１の中央には尖端１４−３が形成されており、これが
ケーブルの半導電層に食い込んで略Ｖ字状の溝を形成す
るように構成されている。また、図１に示すガイド部１
５は、その一端１５−１を取手部１１に固定し、他端１
５−２をケーブル１０を包囲するように折曲げた構成と
なっている。この他端１５−２の折曲げ角度によって、
取手部１１の公転軌道を決定する。なおガイド部１５の
一端１５−１は、必要に応じて取手部１１に対し長手方
向にスライド可能に取り付けられ、この公転軌道半径を
調節できるようにされている。FIG. 2 shows an external view of the cutter 14.
(A) is a side view, (b) is a plan view, and (c) is a perspective view. As shown in the figure, the cutter 14 is formed by bending the center of the cutter 14 into a chevron shape and providing a blade portion 14-1 there. Further, screw holes 14-2 are provided at both ends, and are configured to be attached to the tip 12 of the handle portion 11 shown in FIG. 1 with screws. In addition, as shown in FIG.
A tip 14-3 is formed at the center of -1 and is configured to bite into the semiconductive layer of the cable to form a substantially V-shaped groove. In addition, the guide unit 1 shown in FIG.
5 has one end 15-1 fixed to the handle portion 11 and the other end 1
5-2 is bent so as to surround the cable 10. Depending on the bending angle of the other end 15-2,
The orbit of the handle 11 is determined. It should be noted that one end 15-1 of the guide portion 15 is attached to the handle portion 11 so as to be slidable in the longitudinal direction as necessary, and the radius of the revolution trajectory can be adjusted.
【００１４】以上の構成の本発明のケーブル端末処理工
具は次のようにして使用される。図３に本発明のケーブ
ル端末処理工具使用例説明図を示す。図の（ａ）は使用
状態におけるケーブル端末処理工具の側面図である。図
に示すように、ケーブル１０は取手部１１の尖端１２と
ガイド部１５の他端１５−２に挟まれている。同時に、
カッター１４がケーブル１０の外周面に接するように配
置されている。図の矢印１７に示すように、ガイド部１
５は、ケーブル１０の外径に合わせて伸縮するように構
成されている。これによってカッター１４をケーブル１
０の外周に押し当てる圧力を調整したり、取手部１１の
公転軌道を調整する。The cable end processing tool of the present invention having the above-mentioned structure is used as follows. FIG. 3 shows an example of use of the cable end processing tool of the present invention. (A) of a figure is a side view of the cable terminal processing tool in a use state. As shown in the figure, the cable 10 is sandwiched between the tip 12 of the handle portion 11 and the other end 15-2 of the guide portion 15. at the same time,
The cutter 14 is arranged so as to contact the outer peripheral surface of the cable 10. As shown by the arrow 17 in the figure, the guide portion 1
The cable 5 is configured to expand and contract according to the outer diameter of the cable 10. This allows the cutter 14 to be connected to the cable 1
The pressure applied to the outer periphery of 0 is adjusted, and the orbit of the handle 11 is adjusted.
【００１５】（ｂ）に示すように、ケーブル１０の側面
から見た場合、取手部１１はカッター１４を図に示すよ
うな状態でケーブル外周面に押し当てて公転される。そ
の結果、（ｃ）に示すように、ケーブルの外部半導電層
１には略Ｖ字状の溝２０が形成される。この略Ｖ字状の
溝２０は、丁度外部半導電層１をケーブル絶縁体外表面
に達しないようにほぼ完全に削り取り左右に二分割する
ような深さにする。これによって、フリーストリッピン
グタイプのケーブルの場合、左側の、即ちケーブルの端
末側の外部半導電層１は、縦方向にに切れ目を入れるだ
けで容易に剥離することができる。（ｄ）にはその剥離
後の状態を示す。この図に示すように、絶縁層４の外周
に残された外部半導電層１には、本発明のケーブル端末
処理工具によってテーパが形成され、しかも従来のよう
にこの部分に剥離等が生じていない。従って、その後直
ちに半導電テープ巻き等を施すことができる。As shown in (b), when viewed from the side of the cable 10, the handle portion 11 is revolved by pressing the cutter 14 against the outer peripheral surface of the cable in the state shown in the figure. As a result, as shown in (c), a substantially V-shaped groove 20 is formed in the outer semiconductive layer 1 of the cable. The substantially V-shaped groove 20 has a depth such that the outer semiconductive layer 1 is just completely scraped off so as not to reach the outer surface of the cable insulator and divided into two right and left. Thereby, in the case of a free-stripping type cable, the outer semiconductive layer 1 on the left side, that is, on the terminal side of the cable, can be easily peeled off only by making a vertical cut. (D) shows the state after the peeling. As shown in this figure, the outer semiconductive layer 1 left on the outer periphery of the insulating layer 4 has a taper formed by the cable terminal treatment tool of the present invention, and peeling or the like occurs in this portion as in the conventional case. Absent. Therefore, the semiconductive tape winding or the like can be applied immediately thereafter.
【００１６】［第２発明］第２発明は、上記のようにケ
ーブル絶縁層外周にフリーストリッピング構造で形成さ
れた外部半導電層に対して、略Ｖ字状の溝を環状に形成
した後、端末側の外部半導電層をケーブル絶縁層から剥
離しながらこの略Ｖ字状の溝の部分を引き裂くことを特
徴とする。即ち、どのような形状の工具によるかを問わ
ず、上記のような略Ｖ字状の溝を形成して端末処理を行
えば第２発明の目的とする自動的にテーパ加工された端
部を持つ外部半導電層の形成が可能になる。[Second Invention] According to the second invention, after forming an approximately V-shaped groove in an annular shape in the outer semiconductive layer formed in the free stripping structure on the outer periphery of the cable insulating layer as described above, The outer semiconductive layer on the terminal side is peeled off from the cable insulating layer, and the substantially V-shaped groove portion is torn off. That is, irrespective of the shape of the tool used, if the substantially V-shaped groove as described above is formed and the terminal treatment is performed, the automatically taper end portion which is the object of the second invention is obtained. It becomes possible to form an external semiconductive layer that has.
【００１７】上記のような引き裂きの際に最も良好なテ
ーパ部分が形成できる方法を以下の実施例に示す。図４
から図６までは、それぞれ様々な形状のカッターを用い
て上記のような略Ｖ字状の環状溝を形成した場合の状態
を示す。図４（ａ）はカッターの正面図で、（ｂ）はそ
のカッターによって略Ｖ字状の溝２０を形成している状
態のケーブル横断面図を示す。この図に示すように、カ
ッター３１は屋根状の刃を持ち、ケーブルの外周面にそ
の尖端を食い込ませながら公転する。The following example shows a method capable of forming the best taper portion in the case of tearing as described above. Figure 4
6 to 6 show states in which the substantially V-shaped annular groove as described above is formed by using cutters having various shapes. FIG. 4 (a) is a front view of the cutter, and FIG. 4 (b) is a cross-sectional view of the cable in a state where the cutter forms a substantially V-shaped groove 20. As shown in this figure, the cutter 31 has a roof-shaped blade, and revolves while biting its tip on the outer peripheral surface of the cable.
【００１８】（ｃ）は、上記のようなカッターに加工を
加え、その尖端の角度を鋭角にするようにした。このよ
うな部分をカッターの逃げ角と呼ぶが、これを鋭利にす
ることによって略Ｖ字状の溝の切削加工が（ａ）の例に
示したものよりも良好にできるようになった。なお、既
に説明したように、略Ｖ字状の溝を挟む一方の半導電層
を剥ぎ取り、この略Ｖ字状の溝２０の中央で半導電層を
切り離す。従って、その切離しが良好に行われることが
好ましく、略Ｖ字状の溝２０の一番深い部分は、薄くて
できる限り切断され易いことが好ましい。In (c), the cutter as described above is processed to make the angle of its tip sharp. Such a portion is called a clearance angle of the cutter. By sharpening the clearance angle, the substantially V-shaped groove can be cut better than that shown in the example (a). As described above, one semiconductive layer sandwiching the substantially V-shaped groove is stripped off, and the semiconductive layer is separated at the center of the substantially V-shaped groove 20. Therefore, it is preferable that the cutting is performed well, and it is preferable that the deepest portion of the substantially V-shaped groove 20 is thin and easily cut.
【００１９】図５には、更に別の構成のカッターを使用
した例を示す。（ａ）はそのようなカッター３３の正面
図、（ｂ）はカッター３３を用いた溝切削時のケーブル
横断面図、（ｃ）はこうして形成された略Ｖ字状の溝の
側面図である。この例では、カッター３３の丁度略Ｖ字
状の溝２０の最も深い部分に接するところに鋭利なエッ
ジ３３Ｂを設けた。これによって、略Ｖ字状の溝２０の
最も深い部分で半導電層の切離しが容易にできるように
した。FIG. 5 shows an example in which a cutter having another structure is used. (A) is a front view of such a cutter 33, (b) is a cross-sectional view of a cable at the time of cutting a groove using the cutter 33, and (c) is a side view of the substantially V-shaped groove thus formed. . In this example, a sharp edge 33 </ b> B is provided at a portion of the cutter 33 that is in contact with the deepest portion of the substantially V-shaped groove 20. As a result, the semiconductive layer can be easily separated at the deepest portion of the substantially V-shaped groove 20.
【００２０】ここで、略Ｖ字状の溝２０の一方の外部半
導電層１を容易に絶縁層４から剥すために、予め図５
（ｃ）に示すようなスパイラル状の切れ目３８を設けて
おくことが好ましい。このようにすると、外部半導電層
１をりんごの皮を剥くように剥ぎ取ることができる。し
かしながら、このような切れ目３８は、もちろんケーブ
ル絶縁層４を傷つけてはならない。従って、切れ目３８
はこの図５（ｃ）に示すように、略Ｖ字状の溝２０の中
央まで形成することは難しく、剥ぎ取られるべき外部半
導電層１に幅Ｄの切れ目のない部分が残る。この状態で
外部半導電層１を剥ぎ取ると、上記幅Ｄの部分で外部半
導電層１が切り裂かれ、半導電層の切れ端部分の形状が
乱れることもある。Here, in order to easily peel off one outer semiconductive layer 1 of the substantially V-shaped groove 20 from the insulating layer 4, FIG.
It is preferable to provide a spiral cut 38 as shown in (c). In this way, the outer semiconductive layer 1 can be peeled off like an apple. However, such cuts 38 must, of course, not damage the cable insulation layer 4. Therefore, the break 38
As shown in FIG. 5C, it is difficult to form up to the center of the substantially V-shaped groove 20, and an unbroken portion of width D remains in the outer semiconductive layer 1 to be stripped. If the outer semiconductive layer 1 is peeled off in this state, the outer semiconductive layer 1 may be torn at the portion of the width D, and the shape of the cut end portion of the semiconductive layer may be disturbed.
【００２１】［第３発明］図６に示す第３発明では、こ
のような乱れを防止するために、これまでとは形状の異
なったカッター３４を使用する。即ち、この図６（ａ）
及び（ｃ）に示すように、略Ｖ字状の溝２０の、ケーブ
ル端末から剥離され除去される側の面２１Ａは、ケーブ
ル軸４０に垂直な面４２に対し、この例では大体平行に
なる程度に形成されている。一方、ケーブル端末を構成
する側の面２２Ａは、ケーブル軸４０に垂直な面４２に
対し鈍角に近い傾斜を持つようにされている。このよう
にすると、図の（ｃ）に示すように、スパイラル状の切
れ目３８を外部半導電層１に形成した場合、略Ｖ字状の
溝２０の中央付近まで、切れ目３８を入れることがで
き、外部半導電層１をりんごの皮を剥くように剥してい
くと、丁度略Ｖ字状の溝２０の最深部分で上手に左右に
外部半導電層１が切り分けられる。上記のような方法に
よって、図３（ｄ）に示したような良好なテーパ面を持
った外部半導電層１が、不要な部分の剥離と同時に完成
する。[Third Invention] In the third invention shown in FIG. 6, a cutter 34 having a different shape from the conventional one is used in order to prevent such disturbance. That is, FIG. 6 (a)
As shown in (c), the surface 21A of the substantially V-shaped groove 20 on the side peeled off and removed from the cable end is approximately parallel to the surface 42 perpendicular to the cable axis 40 in this example. It is formed to a degree. On the other hand, the surface 22 </ b> A on the side forming the cable end has an inclination close to an obtuse angle with respect to the surface 42 perpendicular to the cable axis 40. By doing so, when the spiral cut 38 is formed in the outer semiconductive layer 1 as shown in FIG. 7C, the cut 38 can be made up to the vicinity of the center of the substantially V-shaped groove 20. When the outer semiconducting layer 1 is peeled off like an apple, the outer semiconducting layer 1 is properly separated right and left at the deepest portion of the groove 20 having a substantially V-shape. By the method as described above, the outer semiconductive layer 1 having a good tapered surface as shown in FIG. 3D is completed at the same time when the unnecessary portion is peeled off.
【００２２】本発明は以上の実施例に限定されない。上
記実施例に示した工具の取手部１１やカッター１４及び
ガイド部１５の形状等は、同様の機能を付与した各種の
形状に変形することができる。例えば、ケーブルの外周
に傷をつけないようにガイド部１５をローラー等で形成
してもよいし、カッター１４は外部半導電層の厚みに併
せてその略Ｖ字状の溝の深さを調節できるように、例え
ば取手部１１の尖端１２に埋め込まれ、その先を調節可
能に突出させるようなものであってもよい。また取手部
１１は、ケーブルの外周を公転させやすいよう形状面で
各種の工夫を施してもよい。The present invention is not limited to the above embodiments. The shapes and the like of the handle portion 11, the cutter 14, and the guide portion 15 of the tool shown in the above embodiment can be modified into various shapes having similar functions. For example, the guide portion 15 may be formed by a roller or the like so as not to damage the outer circumference of the cable, and the cutter 14 adjusts the depth of the substantially V-shaped groove according to the thickness of the outer semiconductive layer. For example, it may be embedded in the tip 12 of the handle portion 11 and the tip of which is adjustably projected. Further, the handle portion 11 may be variously devised in terms of shape so that the outer circumference of the cable can be easily revolved.
【００２３】また、上記図６の実施例では略Ｖ字状の溝
のケーブル端末から除去される側の面をケーブル軸に垂
直な面にほぼ一致するように形成したが、スパイラル状
の切れ目が形成されたとき、図５の（ｃ）に示すような
外部半導電層の切れ端が残る幅Ｄが無視できる程度に小
さいものであれば、その範囲で傾きを自由に選定して差
し支えない。Further, in the embodiment of FIG. 6, the surface of the substantially V-shaped groove on the side removed from the cable end is formed so as to substantially coincide with the surface perpendicular to the cable axis, but a spiral cut is formed. When formed, if the width D of the outer semiconductive layer where the cut edge remains, as shown in FIG. 5C, is so small as to be negligible, the inclination may be freely selected within that range.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明した第１発明のケーブル端末処
理工具は、ケーブル外周面に尖端を向けた状態でケーブ
ル絶縁層の周囲を公転させる取手部と、ケーブルの外部
半導電層に尖端が食い込むように取り付けられたカッタ
ーと、取手部の公転軌道を決定するガイド部により構成
したので、フリーストリッピングタイプの外部半導電層
を有するケーブルの端末処理の際、外部半導電層の剥ぎ
取りによって残りの外部半導電層に浮き上がり等を生じ
させることがない。また、略Ｖ字状の溝形成によって外
部半導電層のテーパ処理が完了し、外部半導電層の不要
な部分を剥ぎ取り後直ちに次の処理に移ることができ、
ケーブル端末処理作業の効率化を図ることができる。According to the cable end treatment tool of the first invention described above, the tip bites into the outer semiconductive layer of the cable and the handle portion that revolves around the cable insulating layer with the tip facing the outer peripheral surface of the cable. Since it is composed of a cutter attached like this and a guide part that determines the orbit of the handle part, when the cable having a free-stripping type outer semiconductive layer is terminated, the remaining part is removed by stripping the outer semiconductive layer. The outer semiconductive layer does not rise or the like. Further, the taper treatment of the outer semiconductive layer is completed by forming the substantially V-shaped groove, and the unnecessary portion of the outer semiconductive layer can be stripped off and the next treatment can be immediately performed.
The efficiency of cable terminal processing work can be improved.
【００２５】また、第２発明によれば、例えば上記のよ
うな構成のカッターを用いて、予め略Ｖ字状の溝を環状
に形成してその部分を引き裂くので、外部半導電層の引
き裂きと同時に良好にテーパ加工された半導電層が得ら
れる。更に第３発明によれば、ケーブル端末から剥離さ
れ除去される側の面がケーブル軸に垂直な面に対して鋭
角にされ、ケーブル端末を構成する側の面がケーブル軸
に垂直な面に対して鈍角に近い傾斜を持つようにされる
ので、外部半導電層を剥した場合に略Ｖ字状の溝の最深
部分できれいに外部半導電層が引き裂かれ、良好な端末
処理を行うことができる。Further, according to the second aspect of the present invention, for example, by using the cutter having the above-described structure, the substantially V-shaped groove is formed in the annular shape in advance and the portion is torn, so that the outer semiconductive layer is torn. At the same time, it is possible to obtain a semiconductive layer that is favorably tapered. Further, according to the third invention, the surface on the side that is peeled off and removed from the cable end is made an acute angle with respect to the surface perpendicular to the cable axis, and the surface on the side forming the cable end is opposed to the surface perpendicular to the cable axis. Since the outer semiconducting layer has an inclination close to an obtuse angle, when the outer semiconducting layer is peeled off, the outer semiconducting layer is torn cleanly at the deepest part of the substantially V-shaped groove, and good terminal treatment can be performed. .
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明のケーブル端末処理工具実施例を示す斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a cable end processing tool embodiment of the present invention.
【図２】本発明の工具のカッターを示し、（ａ）は側面
図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は斜視図である。FIG. 2 shows a cutter of the tool of the present invention, (a) is a side view, (b) is a plan view, and (c) is a perspective view.
【図３】本発明のケーブル端末処理工具使用例を示し、
（ａ）は使用状態における工具の正面図、（ｂ）は側面
図、（ｃ）は処理中のケーブルの略Ｖ字状の溝を示す側
面図、（ｄ）は端末処理後のケーブル端末側面図であ
る。FIG. 3 shows an example of using the cable end treatment tool of the present invention,
(A) is a front view of the tool in use, (b) is a side view, (c) is a side view showing a substantially V-shaped groove of the cable being processed, (d) is a cable terminal side surface after terminal processing It is a figure.
【図４】本発明を実施するためのカッターの変形例を示
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は別の構
成のカッターの正面図、（ｄ）は側面図である。FIG. 4 shows a modified example of a cutter for carrying out the present invention, in which (a) is a front view, (b) is a side view, (c) is a front view of a cutter having another structure, and (d) is a side view. It is a figure.
【図５】カッターの更に別の実施例を示すもので、
（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は加工された
ケーブルの側面図である。FIG. 5 shows yet another embodiment of the cutter,
(A) is a front view, (b) is a side view, (c) is a side view of the processed cable.
【図６】第３発明を実施するためのカッターの実施例を
示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は加工
されたケーブルの側面図である。FIG. 6 shows an embodiment of a cutter for carrying out the third invention, (a) is a front view, (b) is a side view, and (c) is a side view of a processed cable.
【図７】従来のケーブル端末処理方法を示し、（ａ）〜
（ｄ）はその処理工程におけるケーブル端末斜視図であ
る。FIG. 7 shows a conventional cable terminal processing method, including (a) to
(D) is a cable terminal perspective view in the processing process.
【図８】従来の問題点を説明するためのケーブル端末主
要部縦断面図である。FIG. 8 is a vertical cross-sectional view of a cable terminal main portion for explaining a conventional problem.
１０ ケーブル １１ 取手部 １２ 尖端 １４ カッター １５ ガイド部 １５−１ ガイド部の一端 １５−２ ガイド部の他端 10 cable 11 handle part 12 tip 14 cutter 15 guide part 15-1 one end of guide part 15-2 the other end of guide part
Claims (3)
ーブル絶縁層の周囲を公転させる取手部と、 前記取手部の尖端に取り付けられ、前記ケーブル絶縁層
外周に形成された外部半導電層に食い込む尖端を有する
カッターと、 一端を前記取手部に固定し、他端側で前記ケーブル絶縁
層を包囲して、前記取手部の公転軌道を決定するガイド
部とから成ることを特徴とするケーブル端末処理工具。1. A handle portion that revolves around the cable insulating layer with the tip facing the outer surface of the cable, and an outer semiconductive layer formed on the outer periphery of the cable insulating layer, which is attached to the tip of the handle portion. A cable terminal, comprising: a cutter having a biting tip; and a guide portion having one end fixed to the handle portion and surrounding the cable insulating layer on the other end side to determine a revolution trajectory of the handle portion. Processing tool.
ピング構造で形成された外部半導電層に対して、 前記ケーブル絶縁層外表面に達しない略Ｖ字状の溝を環
状に形成した後、 端末側の外部半導電層を前記ケーブル絶縁層から剥離し
つつ、前記略Ｖ字状の溝の部分を引き裂くことを特徴と
するケーブル端末処理方法。2. A substantially V-shaped groove that does not reach the outer surface of the cable insulating layer is formed in an annular shape on the outer periphery of the cable insulating layer with respect to the outer semiconductive layer formed in a free stripping structure, and then the terminal side is formed. A method of treating a cable end, characterized in that the outer semiconductive layer is peeled off from the cable insulating layer while the substantially V-shaped groove portion is torn.
は、ケーブルの側面からみると、 ケーブル端末から剥離され除去される側の面は、ケーブ
ル軸に垂直な面に対して鋭角に、 端末処理後ケーブル端末を構成する側の面は、ケーブル
軸に垂直な面に対して鈍角に近い傾斜を持つことを特徴
とする請求項２記載のケーブル端末処理方法。3. The substantially V-shaped groove formed in the outer semiconductive layer has a surface on the side which is peeled and removed from the cable end when viewed from the side surface of the cable, with respect to a surface perpendicular to the cable axis. 3. The cable terminal processing method according to claim 2, wherein the surface on the side that constitutes the cable terminal after the terminal processing has an acute angle with an angle close to an obtuse angle with respect to the surface perpendicular to the cable axis.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202615A JPH06209510A (en) | 1992-11-17 | 1993-07-23 | Tool and method for finishing cable end |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-331019 | 1992-11-17 | ||
| JP33101992 | 1992-11-17 | ||
| JP5202615A JPH06209510A (en) | 1992-11-17 | 1993-07-23 | Tool and method for finishing cable end |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209510A true JPH06209510A (en) | 1994-07-26 |
Family
ID=26513492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5202615A Pending JPH06209510A (en) | 1992-11-17 | 1993-07-23 | Tool and method for finishing cable end |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06209510A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038919A (en) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Viscas Corp | Method for processing end portion of external semi-conducting layer of cv cable and tool |
| US11186846B2 (en) | 2011-04-20 | 2021-11-30 | Syngenta Participations Ag | Cucurbita plant resistant to potyvirus |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP5202615A patent/JPH06209510A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038919A (en) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Viscas Corp | Method for processing end portion of external semi-conducting layer of cv cable and tool |
| US11186846B2 (en) | 2011-04-20 | 2021-11-30 | Syngenta Participations Ag | Cucurbita plant resistant to potyvirus |
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