JPH06207268A - Sputtering target and its production - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To produce a TiN sputtering target having a high relative density and with the generation of particles reduced in sputtering CONSTITUTION:This sputtering target consists essentially of titanium and nitrogen, and the atomic ratio of nitrogen to titanium is controlled to 0.20-0.95. The thickness of the target 1 at the periphery of a sputtering surface 2 is made smaller than that at the center of the surface 2, or the surface roughness Rmax value is adjusted to 10-1000mum at least on one point of the periphery.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスのバリ
アメタル層等を構成するる窒化チタン薄膜をスパッタリ
ングによって形成する場合に用いられるスパッタリング
用ターゲット、およびその製造方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target used when a titanium nitride thin film forming a barrier metal layer of a semiconductor device is formed by sputtering, and a manufacturing method thereof.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年ＬＳＩの集積度向上にはめざましい
ものがあり、そのために回路を構成する配線幅もさらな
る微細化が進行中である。また、ＬＳＩには電極部であ
るアルミニウムと素子部であるシリコン間の両元素の反
応拡散を防止するために、拡散防止層（以下バリアメタ
ル層と称す）が形成されている。このバリアメタル層も
配線幅の微細化にともない、より薄層化が要求され、高
融点で拡散防止効果も高いバリアメタル層が求められて
いる。また、このバリアメタル層は電極の一部となるた
め、比抵抗値のできるだけ低い材料が望ましい。現在、
高融点で比抵抗値が低いという特性を有し、極めて優れ
た拡散防止効果を有する材料として窒化チタン層が注目
されている。2. Description of the Related Art In recent years, there have been remarkable improvements in the degree of integration of LSIs, and for this reason, the wiring widths that make up circuits are being further miniaturized. Further, a diffusion prevention layer (hereinafter referred to as a barrier metal layer) is formed in the LSI in order to prevent reaction diffusion of both elements between aluminum which is an electrode portion and silicon which is an element portion. This barrier metal layer is also required to be thinner as the wiring width becomes finer, and a barrier metal layer having a high melting point and a high diffusion preventing effect is also required. Further, since this barrier metal layer becomes a part of the electrode, a material having a resistivity value as low as possible is desirable. Current,
A titanium nitride layer has been attracting attention as a material having a high melting point and a low specific resistance value and an extremely excellent diffusion preventing effect.

【０００３】この窒化チタン層は、通常純チタンをター
ゲットとした反応性スパッタリング法によって形成され
る（月刊 Semiconductor World 1992.3P56)。この反応
性スパッタリング法は、純チタンのターゲットをグロー
放電により形成した窒素イオンおよびアルゴンイオン等
の荷電粒子で衝撃を与えることによって、ターゲット表
面を窒化するとともに、その衝撃力で窒化チタン粒子を
放出させて、ターゲットに対向して設置したシリコンウ
ェハーに窒化チタン膜を形成するものである。また、最
近は窒素とチタンの原子比が１対１である窒化チタン化
合物ターゲットを製造し、アルゴンイオンのみでスパッ
タリングして、窒化チタン膜を形成する方法も提案され
ている(米国Patent 4820393)。This titanium nitride layer is usually formed by a reactive sputtering method targeting pure titanium (Monthly Semiconductor World 1992.3P56). In this reactive sputtering method, a target of pure titanium is bombarded with charged particles such as nitrogen ions and argon ions formed by glow discharge, so that the target surface is nitrided and the titanium nitride particles are released by the impact force. Then, a titanium nitride film is formed on the silicon wafer placed facing the target. Further, recently, a method has been proposed in which a titanium nitride compound target in which the atomic ratio of nitrogen to titanium is 1: 1 is produced and is sputtered only with argon ions to form a titanium nitride film (US Patent 4820393).

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たスパッタリングの方法は次のような問題を有してい
る。 前者の純チタンをターゲットとして用いた反応性
スパッタリング法では、スパッタ装置に導入される窒素
によって窒化チタンが生成するが、ターゲット中のすべ
てのチタンを100%窒化チタンに反応させることは困難で
あり、条件によっては荷電粒子によって物理的にたたき
出されるスパッタリング粒子が未反応のチタン粒子とし
て成膜中に含まれることがあり、均一なＴiＮ膜が安定
して得られない欠点がある。スパッタリング粒子中に未
反応のチタンが存在すると薄膜内に未反応チタンが残存
することとなり、薄膜中の未反応チタンと配線として形
成されるアルミニウム薄膜との反応が起こり、本来の拡
散防止性、いわゆるバリア性が劣化するという問題があ
る。However, the above-mentioned sputtering method has the following problems. In the reactive sputtering method using the former pure titanium as a target, titanium nitride is generated by nitrogen introduced into the sputtering apparatus, but it is difficult to react all titanium in the target with 100% titanium nitride, Depending on the conditions, sputtered particles physically ejected by charged particles may be contained in the film as unreacted titanium particles, and there is a drawback that a uniform TiN film cannot be obtained stably. When unreacted titanium is present in the sputtered particles, unreacted titanium remains in the thin film, and the reaction between the unreacted titanium in the thin film and the aluminum thin film formed as the wiring occurs. There is a problem that the barrier property deteriorates.

【０００５】上記の未反応チタンは窒化チタンよりも比
抵抗が高いため、薄膜の比抵抗が高くなる原因にもな
る。また純チタンをターゲットに用いてスパッタリング
を行なった場合には、スパッタリング粒子の窒素とチタ
ンの組成比が、スパッタリング装置に導入される窒素お
よびアルゴン等の不活性ガスの分圧、雰囲気の圧力、装
置への投入電力等に対してきわめて敏感に変動し易くな
る。その結果、生成する窒化チタン薄膜中の組成も変動
することになるため、特に窒素とチタンの原子比（以下
Ｎ／Ｔi比と記す）が均一な薄膜を得るには、スパッタ
リングの条件を極めて正確に制御する必要があった。こ
のような問題に加えて純チタンのターゲットを用いた反
応性スパッタリング法では、成膜ウェハー中央の膜と端
部ではＮ／Ｔi比の膜ではチタンと窒素の原子比が異な
り、膜組成が不均一になる問題も発生している。Since the unreacted titanium has a higher specific resistance than titanium nitride, it also causes an increase in the specific resistance of the thin film. When sputtering is performed using pure titanium as a target, the composition ratio of nitrogen and titanium in the sputtered particles is such that the partial pressure of inert gas such as nitrogen and argon introduced into the sputtering apparatus, the pressure of the atmosphere, the apparatus. It becomes extremely sensitive and easily fluctuates with respect to the input power to the device. As a result, the composition of the titanium nitride thin film to be produced also changes. Therefore, in order to obtain a thin film in which the atomic ratio of nitrogen and titanium (hereinafter referred to as N / Ti ratio) is uniform, the sputtering conditions are extremely accurate. Had to control. In addition to such a problem, in the reactive sputtering method using a target of pure titanium, the atomic ratio of titanium and nitrogen in the film having the N / Ti ratio is different between the film at the center of the film-forming wafer and the film at the edge, and the film composition is unsatisfactory. There is also the problem of becoming uniform.

【０００６】以上に述べた純チタンのターゲットから、
スパッタリングによってＴiＮを成膜する方法は、薄膜
の組成に必要な窒素をすべてスパッタ時に導入する窒素
ガスに依存することに起因する本質的な欠点である。一
方、窒素とチタンの原子比、すなわちＮ／Ｔi比が１の
窒化チタン化合物ターゲットによって、ターゲット組成
に一致する窒化チタン薄膜をスパッタリングによって形
成する方法では、形成した窒化チタン薄膜上にパーティ
クルと呼ばれる巨大粒子が多く発生し、電極配線を断線
させる問題があった。From the pure titanium target described above,
The method of depositing TiN by sputtering has an essential drawback due to the fact that all the nitrogen required for the composition of the thin film depends on the nitrogen gas introduced during sputtering. On the other hand, in the method of forming a titanium nitride thin film having the same target composition by sputtering with a titanium nitride compound target having an atomic ratio of nitrogen and titanium, that is, an N / Ti ratio of 1, a huge amount called a particle is formed on the formed titanium nitride thin film. There was a problem that many particles were generated and the electrode wiring was broken.

【０００７】パーティクルの発生は、ターゲットをＮ／
Ｔi比が実質的に１であって低抵抗が得られる化学量論
的な窒化チタンで構成しようとすると、この窒化チタン
は融点が3290℃ときわめて高いために焼結性が非常に悪
く、窒化チタン化合物ターゲットの密度を上げることが
困難であり、ターゲット中に微小ポアが存在してスパッ
タリング期間中に異常放電が発生するためと考えられて
いる。また、ターゲット中の窒化チタン化合物相自体の
脆性、あるいは窒化チタン化合物粒子間の結合力の弱さ
から、製造工程、使用期間中に欠け等が発生するという
問題がある。これらの欠点は、ターゲットの組成が製造
性の極めて悪いＮ／Ｔi比が１であることによるもので
ある。The generation of particles causes the target to reach N /
If it is attempted to use stoichiometric titanium nitride having a Ti ratio of substantially 1 and a low resistance, the titanium nitride has a very high melting point of 3290 ° C., so that the sinterability is very poor and the nitriding It is considered that it is difficult to increase the density of the titanium compound target, and minute pores are present in the target to cause abnormal discharge during the sputtering period. In addition, there is a problem in that the titanium nitride compound phase itself in the target is brittle or the bonding force between the titanium nitride compound particles is weak, so that a chip or the like may occur during the manufacturing process or the period of use. These drawbacks are due to the fact that the composition of the target has a very poor manufacturability and the N / Ti ratio is 1.

【０００８】また、ターゲット組成をＴiＮxで表わした
時、ｘの値が0.1ないし1.0として通常のスパッタリング
を行ない、ターゲット組成に一致した薄膜を生成すると
いう試みも行なわれている(Japanese Laid Open Patent
No.63-259075)。しかし、これはあくまでもターゲット
と同一組成であるＴiＮxの膜を生成するためのターゲッ
トであり、窒素ガスとの反応は全く利用しないものであ
る。すなわち、反応性でない通常のアルゴンガスによる
スパッタリングで使用されるターゲットを対象としてい
る。Further, when the target composition is represented by TiNx, an attempt has been made to perform a normal sputtering with the value of x being 0.1 to 1.0 to form a thin film in conformity with the target composition (Japanese Laid Open Patent).
No.63-259075). However, this is only a target for forming a TiNx film having the same composition as the target, and does not utilize the reaction with nitrogen gas at all. That is, the target is a target that is used for sputtering with a normal non-reactive argon gas.

【０００９】また、近年半導体プロセスを中心として、
スパッタリングによる膜形成には、マグネトロン方式の
スパッタリング装置が広く利用されている。マグネトロ
ン方式のスパッタリング装置は、ターゲットの背後に永
久磁石を配し、磁界によってプラズマをターゲット表面
の近傍に閉じ込める構造を有している。このため、成膜
速度が大きく、ターゲットの使用効率が大きいという利
点を持つ。最近は、配置とする永久磁石の位置等を代
え、ターゲット表面の全面でエロージョンが起こるよう
に設計し、ターゲットの使用効率を高める方向が有る
が、全面にわたる均質なエロージョンの実現は難しく、
特にターゲットの最外周部は、ターゲットの寿命まで使
用した後も全くエロージョンが進行しない装置が多い。In recent years, focusing on semiconductor processes,
A magnetron type sputtering apparatus is widely used for film formation by sputtering. The magnetron-type sputtering apparatus has a structure in which a permanent magnet is arranged behind the target and the plasma is confined in the vicinity of the target surface by a magnetic field. Therefore, there are advantages that the deposition rate is high and the target is used efficiently. Recently, by changing the position of the permanent magnet to be placed and designing so that erosion occurs on the entire surface of the target, there is a direction to improve the use efficiency of the target, but it is difficult to realize uniform erosion over the entire surface,
In particular, in the outermost peripheral portion of the target, there are many devices in which erosion does not proceed even after the target has been used up.

【００１０】本発明者等が、スパッタリングにおけるタ
ーゲット表面のエロージョン進行の過程を詳細に観察し
た結果、ターゲットの外周部では、エロージョンはほと
んど進行せず、逆にターゲット表面から飛び出したスパ
ッタ粒子が再付着して、付着膜が形成されることが確認
された。そして、この付着膜の発生とスパッタリングに
より形成する薄膜の状態をさらに詳しく観察した結果、
付着膜が厚くなっていくと、付着膜がターゲット表面か
ら剥離し、剥離の際の破片が飛散し、形成する薄膜上に
付着してパーティクルとなることを見出した。As a result of a detailed observation by the present inventors of the process of erosion progress on the target surface during sputtering, erosion hardly progresses on the outer periphery of the target, and conversely, sputtered particles ejected from the target surface are reattached. Then, it was confirmed that an adhesion film was formed. Then, as a result of further detailed observation of the state of this adhesion film and the state of the thin film formed by sputtering,
It has been found that as the adhesion film becomes thicker, the adhesion film peels from the target surface, and the debris at the time of peeling scatters and adheres to the thin film to be formed to become particles.

【００１１】上述のようにパーティクルの発生には、例
えばＴiＮのような難焼結性に起因するものと、焼結性
が良く、密度の高い純チタンのターゲットであっても、
マグネトロン方式のスパッタリング装置を用いた場合
に、主としてターゲットの外周部に再付着するスパッタ
粒子に起因する二つの要因がある。本発明の目的は、相
対密度が高く、しかもスパッタリング時にパーティクル
の発生が少ないＴiＮ系スパッタリング用ターゲットお
よびその製造方法を提供することである。As described above, the generation of particles is caused by, for example, TiN which is difficult to sinter, and the target is pure titanium which has good sinterability and high density.
When a magnetron type sputtering apparatus is used, there are two factors mainly caused by the sputtered particles reattaching to the outer peripheral portion of the target. An object of the present invention is to provide a TiN-based sputtering target having a high relative density and less particles generated during sputtering, and a method for manufacturing the target.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、スパッタ
リングによって、窒化チタン膜を成膜するターゲットに
ついて検討したところ、パーティクルが少なく、スパッ
タリングにおける成膜制御性に優れたものとするには、
Ｎ／Ｔｉ比が0.20ないし0.95のターゲットを用い、さら
にスパッタリング面の外周部をスパッタリング面の中央
部よりも薄くするか、または特定の粗さにすることによ
り、特にターゲット外周部の付着膜に起因するパーティ
クルの発生を押えることができることを見出した。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have studied a target for forming a titanium nitride film by sputtering, and found that it has few particles and is excellent in film formation controllability in sputtering.
By using a target with an N / Ti ratio of 0.20 to 0.95 and by making the outer peripheral portion of the sputtering surface thinner than the central portion of the sputtering surface or by making it have a certain roughness, it is particularly due to the adhered film on the outer peripheral portion of the target. It has been found that it is possible to suppress the generation of particles that do.

【００１３】すなわち本発明の第１発明は、実質的にチ
タンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比 Ｎ／Ｔi
が0.20ないし0.95であり、かつターゲットのスパッリン
グ面の外周部の厚みを該スパッタリング面の中央部より
も薄くしたことを特徴とするスパッタリング用ターゲッ
トであり、第２発明は、実質的にチタンと窒素で構成さ
れ、窒素とチタンの原子比 Ｎ／Ｔiが0.20ないし0.95で
あり、かつターゲットのスパッリング面の外周部の少な
くとも一点の表面粗さがRmax値で10μmから1000μmであ
ることを特徴とするスパッタリング用ターゲットであ
る。That is, the first invention of the present invention is substantially composed of titanium and nitrogen, and the atomic ratio of nitrogen to titanium is N / Ti.
Is 0.20 to 0.95, and the thickness of the outer peripheral portion of the spattering surface of the target is made thinner than that of the central portion of the sputtering surface, and the second invention is substantially titanium. It is composed of nitrogen, the atomic ratio N / Ti of nitrogen to titanium is 0.20 to 0.95, and the surface roughness of at least one point on the outer peripheral portion of the target sparring surface is 10 μm to 1000 μm in Rmax value. Target for sputtering.

【００１４】望ましくは、相対密度が95%以上のスパッ
タリング用ターゲットであり、より望ましくは、平均粒
径が100μm以下である。また第５発明は、実質的にチタ
ンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比 Ｎ／Ｔiが
0.20ないし0.95である焼結体のスパッタリング用ターゲ
ットの製造方法であって、外周部にテーパ加工を施すこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法
であり、第６発明は、実質的にチタンと窒素で構成さ
れ、窒素とチタンの原子比 Ｎ／Ｔiが0.20ないし0.95で
ある焼結体のスパッタリング用ターゲットの製造方法で
あって、外周部をブラスト処理して表面粗さをRmax値で
10μmから1000μmにすることを特徴とするスパッタリン
グ用ターゲットの製造方法である。A sputtering target having a relative density of 95% or more is preferable, and an average particle diameter of 100 μm or less is more preferable. The fifth invention is substantially composed of titanium and nitrogen, and the atomic ratio N / Ti of nitrogen and titanium is
A method for producing a sputtering target for a sintered body, which is 0.20 to 0.95, wherein the outer peripheral portion is tapered, and the sixth invention comprises substantially titanium and A method for manufacturing a sputtering target of a sintered body, which is composed of nitrogen and has an atomic ratio N / Ti of nitrogen and titanium of 0.20 to 0.95, in which the outer peripheral portion is subjected to a blasting treatment to obtain a surface roughness with an Rmax value.
The method for producing a sputtering target is characterized in that the thickness is adjusted to 10 μm to 1000 μm.

【００１５】[0015]

【作用】本発明を従来技術との対比でさらに詳しく説明
する。本発明のスパッタリング用ターゲットは、窒素と
チタンを含むターゲットを用いることにより、純チタン
の反応性スパッタリング法で発生していたスパッタリン
グ条件に依存する膜組成の変動が少なくなり、再現性の
良い成膜が可能となる。The present invention will be described in more detail in comparison with the prior art. By using a target containing nitrogen and titanium, the sputtering target of the present invention has less fluctuation in the film composition depending on the sputtering conditions generated in the reactive sputtering method of pure titanium, and is a film with good reproducibility. Is possible.

【００１６】また、本発明の反応性スパッタリング用タ
ーゲットを用いると前述したような純チタンのターゲッ
トを用いる反応性スパッタリング法の潜在的問題である
薄膜組成の不均一性も改善されることをつきとめた。こ
れは、純チタンターゲットの場合、チタンから窒化チタ
ンへの反応は、スパッタ粒子の飛来中および基板表面で
も進行するため、ターゲット中心部に対向する面と成膜
ウェハー端部では、チタン原子の飛来距離などが異なる
ことにより、組成分布に不均一性が発生しているが、本
発明のようにターゲット中に予め窒素原子が含まれてい
る場合、ターゲット中の窒素は、チタンとともにスパッ
タ粒子として放出され、目的組成から足りない分だけが
気相中の窒素ガスから供給することになる。そのため、
飛来距離に依存する膜組成の変化は、膜中の窒素を全て
気相から供給する必要がある金属チタンよりなるターゲ
ットを使用する場合に比べて大幅に緩和されるのであ
る。It was also found that the use of the reactive sputtering target of the present invention improves the nonuniformity of the thin film composition, which is a potential problem of the reactive sputtering method using the pure titanium target as described above. . This is because in the case of a pure titanium target, the reaction from titanium to titanium nitride proceeds during the spattering of sputtered particles and also on the substrate surface.Therefore, titanium atoms fly in on the surface facing the center of the target and the edge of the film-forming wafer. Non-uniformity occurs in the composition distribution due to the different distances, but when the target contains a nitrogen atom in advance as in the present invention, the nitrogen in the target is emitted as sputtered particles together with titanium. Therefore, only the amount that is insufficient from the target composition is supplied from the nitrogen gas in the gas phase. for that reason,
The change in the film composition depending on the flying distance is greatly reduced as compared with the case of using a target made of metallic titanium, which requires supplying all the nitrogen in the film from the vapor phase.

【００１７】本発明のターゲットの窒素とチタンの原子
比 Ｎ／Ｔiを0.95以下と規定したのは、0.95を越えるタ
ーゲットでは、反応性パッタリングを行なう意味がない
とともに、このように窒素とチタンの原子比 Ｎ／Ｔi＝
1の化学量論量に近い窒化チタンの場合には、ターゲッ
ト製造時にチタンを添加する余地がないため、チタンに
メタルバインダ的な役割を与え、ターゲットの焼結密度
を向上させ、しかもターゲットを構成する粒子間の結合
力を高める効果を期待することが不可能になるためであ
る。好ましくは窒素とチタンの原子比 Ｎ／Ｔiは0.90以
下である。このようなターゲットの密度の低下は、上述
したようにターゲット中の微小ポアにより、異常放電が
発生し、パーティクルの発生の原因となる。本発明のタ
ーゲットの密度は好ましくは、相対密度で95%以上であ
る。The nitrogen / titanium atomic ratio N / Ti of the target of the present invention is defined to be 0.95 or less. It is meaningless to carry out the reactive pattering for a target exceeding 0.95, and the nitrogen / titanium ratio of nitrogen / titanium is thus defined. Atomic ratio N / Ti =
In the case of titanium nitride that is close to the stoichiometric amount of 1, there is no room for adding titanium when manufacturing the target. Therefore, the titanium acts as a metal binder to improve the sintered density of the target and to configure the target. This is because it is impossible to expect the effect of increasing the bonding force between the particles. Preferably, the atomic ratio N / Ti of nitrogen to titanium is 0.90 or less. Such a decrease in the density of the target causes abnormal discharge due to the minute pores in the target as described above, which causes the generation of particles. The density of the target of the present invention is preferably 95% or more in relative density.

【００１８】また、窒素／チタンの原子比を0.20以上と
したのは、0.20より小さいと、純チタンターゲットの場
合と薄膜組成の安定性がほとんど変わらないため、純チ
タンを使用する場合と同じような欠点が生じるからであ
る。また、本発明のターゲットの平均結晶粒径は、100
μm以下が好ましい。100μm以上の平均結晶粒径では、
個々の結晶方位に依存するスパッタリング率が無視でき
なくなり、ターゲット表面に凹凸を発生させ、パーティ
クルの発生が増加するためである。また、本発明の反応
性スパッタリングターゲットは、窒化チタンの粉末とチ
タン粉末を特定の窒素とチタンの比となるように混合
し、焼結することによって得ることができる。Further, the atomic ratio of nitrogen / titanium is set to 0.20 or more because when the ratio is smaller than 0.20, the stability of the thin film composition is almost the same as that of the pure titanium target, and it is the same as when pure titanium is used. This is because various disadvantages occur. The average crystal grain size of the target of the present invention is 100
It is preferably μm or less. With an average crystal grain size of 100 μm or more,
This is because the sputtering rate that depends on each crystal orientation cannot be ignored, and unevenness is generated on the target surface, which increases the generation of particles. Further, the reactive sputtering target of the present invention can be obtained by mixing titanium nitride powder and titanium powder in a specific nitrogen-titanium ratio and sintering.

【００１９】上記チタン粉末に替えて、粉砕性、脱酸素
性に優れた水素化チタンを使用し、脱水素処理後、焼結
を行なっても良い。本発明において、焼結には熱間静水
圧プレス、ホットプレス等の加圧焼結法を用いること
が、ターゲット密度を向上する点で好ましい。また、エ
ロージョンが実質的に進行しないか、またはエロージョ
ンが生じても、その量が少ないターゲット外周部を中央
部よりも薄くするか、または特定の粗さにするとパーテ
ィクルの発生を著しく制御できる。ターゲット材のスパ
ッタリング面の外周部の厚みを中央部よりも薄くした場
合、例えば最も簡単に薄くする方法として、外周部にテ
ーパ加工を施すことにより、ターゲット材中央部より外
周方向に飛来するスパッタ粒子がターゲット材表面に再
付着しにくくなり、ターゲット材外周部への膜の堆積を
防ぐことができる。本発明において、ターゲット材の外
周部の薄くした領域は、曲面であってもよいし、テーパ
状等の平面であってもよい。Instead of the above-mentioned titanium powder, titanium hydride having excellent grindability and deoxidizing property may be used, and after the dehydrogenation treatment, sintering may be performed. In the present invention, it is preferable to use a pressure sintering method such as hot isostatic pressing or hot pressing for sintering in terms of improving the target density. Further, even if the erosion does not substantially progress, or even if the erosion occurs, the generation of particles can be remarkably controlled by making the outer peripheral portion of the target, which has a small amount, thinner than the central portion or having a specific roughness. When the thickness of the outer peripheral portion of the sputtering surface of the target material is made thinner than that of the central portion, for example, the easiest way to make it thinner is to taper the outer peripheral portion, so that sputtered particles flying in the outer peripheral direction from the central portion of the target material. Is less likely to redeposit on the surface of the target material, and film deposition on the outer peripheral portion of the target material can be prevented. In the present invention, the thinned region of the outer peripheral portion of the target material may be a curved surface or a flat surface such as a tapered shape.

【００２０】また、ターゲット材の外周部の表面粗さ
を、ＪＩＳで規定される測定値であるRmax値で10μmか
ら1000μmに加工することにより、堆積膜の剥離を抑止
することができる。通常、ターゲット材は、安定した放
電特性を得るために表面研磨がなされている。近年、特
にターゲット材表面からのパーティクル発生の抑制に、
鏡面研磨が効果的であるとの指摘がなされ、表面平坦度
は益々向上していく傾向にある。このような表面粗さの
小さい面上に膜が堆積した場合、膜の圧縮あるいは引張
内部応力は膜表面と平行な方向に方位を合わせて蓄積さ
れるため、剥離が生じやすい。本発明者等は、ターゲッ
ト材の表面粗さを種々に変え、膜を堆積させて剥離との
相関を調査した。その結果、従来の鏡面仕上げとは逆の
方向、すなわち表面を若干粗くする方向をとり、表面粗
さをRmaxで10μmから1000μmとすると膜が剥離しにくい
ことを見出した。これは、表面を適度に粗くすることに
より、膜の内部応力の方位を分散し、相殺により応力を
緩和させることができるためと考えられる。Further, by peeling off the deposited film by processing the surface roughness of the outer peripheral portion of the target material to 10 μm to 1000 μm at the Rmax value which is a measured value specified by JIS. Usually, the target material is surface-polished in order to obtain stable discharge characteristics. In recent years, especially for suppressing the generation of particles from the target material surface,
It has been pointed out that mirror polishing is effective, and the surface flatness tends to improve more and more. When a film is deposited on such a surface having a small surface roughness, the compressive or tensile internal stress of the film is accumulated in the direction parallel to the film surface in the same direction, so that peeling is likely to occur. The present inventors varied the surface roughness of the target material, deposited a film, and investigated the correlation with peeling. As a result, it was found that the film was less likely to peel off when the surface roughness was set to 10 μm to 1000 μm in Rmax in the direction opposite to that of the conventional mirror finishing, that is, the surface was slightly roughened. It is considered that this is because by appropriately roughening the surface, the orientation of the internal stress of the film is dispersed and the stress can be relaxed by offsetting.

【００２１】また、本発明のターゲットは、実質的にチ
タンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比 Ｎ／Ｔi
が0.20ないし0.95である焼結体で、ターゲット外周部に
テーパ加工を施す方法、またはブラスト処理により、表
面粗さをRmax値で10μmから1000μmにする方法で製造す
ることができる。これらの方法により、ターゲット外周
部へのスパッタ粒子の付着を防止でき、パーティクルの
発生の少ないスパッタリング用ターゲットを得ることが
できる。なお、本発明に用いるＮ／Ｔｉ比が0.20ないし
0.95を有するターゲットは、窒素イオン雰囲気中でスパ
ッタリングして実質Ｎ／Ｔｉ比が１の成膜を目的とする
ものでもよく、また窒素を導入しないアルゴンイオン中
でスパッタリングを行なって実質所定のＮ／Ｔｉ比のタ
ーゲットと同じ組成の成膜を目的とするものにも適用で
きる。The target of the present invention is substantially composed of titanium and nitrogen, and the atomic ratio of nitrogen to titanium is N / Ti.
Of 0.20 to 0.95 can be manufactured by a method of tapering the outer peripheral portion of the target or a method of reducing the surface roughness by a blast process from 10 μm to 1000 μm in Rmax value. By these methods, it is possible to prevent the sputtered particles from adhering to the outer peripheral portion of the target, and it is possible to obtain a sputtering target with less generation of particles. The N / Ti ratio used in the present invention is 0.20 to
The target having 0.95 may be one for the purpose of forming a film having a substantial N / Ti ratio of 1 by sputtering in a nitrogen ion atmosphere, or may be sputtered in an argon ion in which nitrogen is not introduced to have a substantially predetermined N / Ti ratio. It can also be applied to a target for forming a film having the same composition as a target having a Ti ratio.

【００２２】[0022]

【実施例】【Example】

（実施例１）窒素／チタンの原子比が１である窒素22.6
重量％、残部チタン、純度99.99%以上、平均粒径40μm
の窒化チタン粉末と純度99.99%以上、平均粒径40μmの
水素化チタン粉末とを窒素とチタンの原子比 Ｎ／Ｔｉ
が0.4となる混合比で配合し、ボールミルで混合した。
得られた混合粉を内径 φ133mmの熱間静水圧プレス用の
カプセルに充填した後、700℃で脱水素処理後、1250℃
×5時間、100MPaの条件で熱間静水圧プレス後、500℃/
時間で冷却した。この焼結体を、旋盤、平面研磨、放電
加工により、φ75mm×6mmt、表面粗さ Rmax=3μmのター
ゲットを得た。ターゲットのスパッタリング面の端部か
ら6mmの幅でターゲット中心部の表面に対して、0(処理
なし)〜45°の俯角θを有するようにテーパ加工を施し
た。図１は45°のテーパ加工を施したターゲットの断面
形状を示したものである。このようにして製造したター
ゲットを、アルゴンガスが70%と窒素ガスが30%の混合ガ
スよりなるスパッタリングガスを用いて、φ6インチの
シリコンウェハー上に成膜した。表１に成膜条件を示
す。(Example 1) Nitrogen having a nitrogen / titanium atomic ratio of 1 22.6
Weight%, balance titanium, purity 99.99% or more, average particle size 40 μm
Of titanium nitride powder and titanium hydride powder having a purity of 99.99% or more and an average particle diameter of 40 μm, the atomic ratio of nitrogen and titanium is N / Ti.
Were mixed at a mixing ratio of 0.4 and mixed by a ball mill.
After filling the obtained mixed powder into a capsule for hot isostatic pressing with an inner diameter of φ133 mm, dehydrogenation treatment was performed at 700 ° C and then 1250 ° C.
× 5 hours, after hot isostatic pressing at 100MPa, 500 ℃ /
Cooled in time. By subjecting this sintered body to lathe, plane polishing, and electric discharge machining, a target having φ75 mm × 6 mmt and surface roughness Rmax = 3 μm was obtained. The surface of the center of the target having a width of 6 mm from the end of the sputtering surface of the target was tapered so as to have a depression angle θ of 0 (no treatment) to 45 °. FIG. 1 shows the cross-sectional shape of a target that has been tapered by 45 °. The target thus produced was formed into a film on a φ6 inch silicon wafer by using a sputtering gas composed of a mixed gas of 70% argon gas and 30% nitrogen gas. Table 1 shows film forming conditions.

【００２３】[0023]

【表１】 [Table 1]

【００２４】表２は、ターゲットの外周部に設けた俯角
と、パーティクル発生数の関係を示したものである。パ
ーティクルの測定は、薄膜上に付着した粒径 0.5μm以
上を対象に光散乱法で行なって評価した。なお、表２の
シリコンウェハー毎に測定した値の平均値である。表２
よりテーパ加工のない試料Ｎo.1の場合(俯角θ=0)、発
生するパーティクル数 24個に対し、ターゲットの外周
部を中心部より薄くするためにテーパ加工を施した本発
明例である試料Ｎo.2〜5は発生するパーティクル数が減
少することがわかる。積算スパッタ時間 15キロワット
時経過後にターゲットの外周部の観察を行なったとこ
ろ、比較例であるテーパ加工のない試料Ｎo.1の場合、
外周部の幅 5〜8mmの部分に付着膜が堆積しており、一
部剥離が認められた。一方、テーパ加工を施した本発明
のターゲットは、膜の付着は少なく、剥離は確認されな
かった。以上のことから、ターゲット外周部にテーパ加
工を施すことは、パーティクル抑制に非常に有効である
ことがわかる。Table 2 shows the relationship between the depression angle provided on the outer periphery of the target and the number of particles generated. Particles were measured by a light scattering method for particles having a particle size of 0.5 μm or more attached to the thin film, and evaluated. The average value of the values measured for each silicon wafer in Table 2 is shown. Table 2
In the case of the sample No. 1 without taper processing (depression angle θ = 0), the sample of the present invention in which the number of particles generated is 24 and the outer peripheral portion of the target is tapered to be thinner than the central portion It can be seen that the number of generated particles decreases for Nos. 2 to 5. When the outer peripheral portion of the target was observed after the accumulated sputtering time of 15 kilowatt hours, in the case of the sample No. 1 having no taper processing as a comparative example,
An adherent film was deposited on the outer peripheral portion with a width of 5 to 8 mm, and partial peeling was observed. On the other hand, in the case of the target of the present invention, which was subjected to the tapering process, the adhesion of the film was small and peeling was not confirmed. From the above, it is understood that tapering the outer peripheral portion of the target is very effective in suppressing particles.

【００２５】[0025]

【表２】 [Table 2]

【００２６】（実施例２）実施例１と全く同様な方法に
より、φ75mm×6mmt、表面粗さ Rmax=3μmのターゲット
を得た。次にターゲットのスパッタリング面の端部から
幅 10mmの部分を残して、その他の部分を粘着テープで
マスキングし、ブラストマシンを用いて、ターゲット外
周部の非マスキング部にアルミナビーズの噴射条件を変
化させて表面粗さの異なるターゲットを得た。表面粗さ
計を用いてRmax値を測定したところ、通常研磨面はRmax
=3μmに対してブラストビーズの被射部は表３に示す値
であった。Example 2 By the same method as in Example 1, a target having a diameter of 75 mm × 6 mmt and a surface roughness Rmax = 3 μm was obtained. Next, leave a 10 mm wide part from the end of the sputtering surface of the target, mask the other part with adhesive tape, and use a blast machine to change the injection conditions of the alumina beads to the non-masking part on the outer periphery of the target. Targets with different surface roughness were obtained. When the Rmax value was measured using a surface roughness meter, it was normally found that the polished surface had Rmax
= 3 μm, the irradiated portion of the blast beads had the values shown in Table 3.

【００２７】[0027]

【表３】 [Table 3]

【００２８】図２は外周部の表面を粗くしたターゲット
の断面形状を示したものである。本ターゲットを実施例
１と全く同様のスパッタリング条件で成膜し、シリコン
ウェハー上に発生する粒径 0.5μm以上のパーティクル
発生数を計測した。表３に測定結果を示す。表３よりタ
ーゲットのスパッタリング面の外周部をRmaxで10μm以
上の粗面とすることにより、パーティクルの発生が押え
られることがわかる。しかし、Rmaxで1000μm以上の粗
面にするとパーティクル発生数が逆に多くなっており、
ターゲット外周部の粗さとしてはRmax 10μm〜1000μm
が好ましいことがわかる。FIG. 2 shows the cross-sectional shape of a target having a roughened outer peripheral surface. This target was formed into a film under the same sputtering conditions as in Example 1, and the number of particles having a particle size of 0.5 μm or more generated on a silicon wafer was measured. Table 3 shows the measurement results. From Table 3, it can be seen that the generation of particles is suppressed by making the outer peripheral portion of the sputtering surface of the target a rough surface with Rmax of 10 μm or more. However, when Rmax is set to a rough surface of 1000 μm or more, the number of particles generated increases conversely,
Roughness of the outer periphery of the target is Rmax 10 μm to 1000 μm
It turns out that is preferable.

【００２９】（実施例３）実施例１の試料Ｎo.4と同様
に製造他ターゲットのスパッタリング面中央部に対して
30°の俯角を有する試料を実施例２と同様にターゲット
のスパッタリング面の端から幅 10μmの部分を表面粗さ
Rmax 150μmに仕上げた。実施例１と同じスパッタリン
グ条件で成膜し、シリコンウェハー上の粒径 0.5μm以
上のパーティクル発生数を計測した。パーティクル発生
数は、11(ヶ/φ6″ウェハー)であり、実施例１のRmax 3
μmである試料Ｎo.4よりもさらにパーティクルの発生を
抑えることができた。(Embodiment 3) Similar to the sample No. 4 of Embodiment 1, the target was produced with respect to the center of the sputtering surface of another target.
A sample having a depression angle of 30 ° was subjected to surface roughness in the same manner as in Example 2 at a portion having a width of 10 μm from the end of the sputtering surface of the target.
Finished to Rmax 150 μm. A film was formed under the same sputtering conditions as in Example 1, and the number of particles having a particle size of 0.5 μm or more on the silicon wafer was measured. The number of particles generated is 11 (pieces / φ6 ″ wafer), and Rmax 3 of Example 1
It was possible to further suppress the generation of particles as compared with the sample No. 4 having a size of μm.

【００３０】（実施例４）窒素とチタンの原子比 Ｎ／
Ｔiが１である窒素22.6重量％、残部チタン、純度99.99
%以上、平均粒径40μmの窒化チタン粉末と、純度99.99%
以上、平均粒径40μmの水素化チタン粉末とを窒素とチ
タンの原子比 Ｎ／Ｔiが0〜1.0となる混合比で配合し、
ボールミルで混合した。なお、窒素とチタンの原子比 0
とは水素化チタン粉末のみを原料とした場合であり、窒
素とチタンの原子比1とは、窒化チタン粉末のみを原料
とした場合である。得られた混合粉を内径φ133mmの熱
間静水圧プレス用のカプセルに充填した後、700℃で脱
水素処理後、1250℃×5時間、100MPaの条件で熱間静水
圧プレス後、500℃/時間で冷却し、φ75mm×6mmｔの窒
素とチタンの原子比が0から1のターゲットを得た。(Example 4) Atomic ratio of nitrogen to titanium N /
Ni with a Ti of 1 22.6% by weight, balance titanium, purity 99.99
% Or more, titanium nitride powder with an average particle size of 40 μm, and purity 99.99%
As described above, titanium hydride powder having an average particle size of 40 μm was blended at a mixing ratio such that the atomic ratio N / Ti of nitrogen and titanium was 0 to 1.0,
Mixed in a ball mill. The atomic ratio of nitrogen to titanium is 0
The case where only titanium hydride powder was used as the raw material, and the atomic ratio of nitrogen to titanium being 1 was the case where only titanium nitride powder was used as the raw material. After filling the obtained mixed powder into a capsule for hot isostatic pressing having an inner diameter of φ133 mm, after dehydrogenation treatment at 700 ° C., 1250 ° C. × 5 hours, after hot isostatic pressing at 100 MPa, 500 ° C. / After cooling in time, a target of φ75 mm × 6 mmt with an atomic ratio of nitrogen to titanium of 0 to 1 was obtained.

【００３１】得られたターゲットの窒素／チタンの原子
比と相対密度の関係を図３に示す。図３より窒化チタン
の量が多くなり、窒素／チタンの原子比が0.90を越える
とターゲットの密度が急激に低下することがわかる。こ
のターゲットを使用してアルゴンガスが70%と窒素ガス
が30%の混合ガス、および100%アルゴンガスの２通りの
スパッタリングガスを用いた以外は、実施例１と同様な
スパッタリング条件で成膜した。図４にターゲット組成
に対する得られた薄膜中に観察された0.5μm以上のパー
ティクル数の関係を示す。図４より、窒素／チタンの原
子比が0.8を越えるとパーティクルが増加する傾向を示
している。この傾向は図３に示したターゲット密度の低
下とほぼ一致しており、ターゲット密度の低下がパーテ
ィクル発生数の原因となっていることがわかる。また、
100%アルゴンガスを用いてスパッタリングを実施した成
膜組成は、使用したターゲット組成と差がなかった。The relationship between the nitrogen / titanium atomic ratio and the relative density of the obtained target is shown in FIG. It can be seen from FIG. 3 that when the amount of titanium nitride increases and the atomic ratio of nitrogen / titanium exceeds 0.90, the target density drops sharply. A film was formed under the same sputtering conditions as in Example 1 except that this target was used and two kinds of sputtering gas of 70% argon gas and 30% nitrogen gas and 100% argon gas were used. . FIG. 4 shows the relationship between the target composition and the number of particles of 0.5 μm or more observed in the obtained thin film. As shown in FIG. 4, when the atomic ratio of nitrogen / titanium exceeds 0.8, the number of particles tends to increase. This tendency almost coincides with the decrease in the target density shown in FIG. 3, and it is understood that the decrease in the target density causes the number of particles generated. Also,
The composition of the film formed by sputtering using 100% argon gas did not differ from the composition of the target used.

【００３２】[0032]

【発明の効果】本発明によれば、窒素とチタンの原子比
Ｎ／Ｔiが0.20〜0.95のターゲットであるため、反応性
スパッタリングの条件を極めて正確に調整しなくても薄
膜抵抗値の低い窒素／チタンの原子比が近傍の窒化チタ
ン薄膜を安定して得ることが可能であり、しかも相対密
度の高いターゲットの製造が可能である。さらに、ター
ゲットのスパッタリング面の外周部の厚みを中央部より
薄くするか、または外周部の少なくとも一点を適宜粗く
することで、スパッタリングで成膜する際にパーティク
ルの発生を著しく低減することができる。また、上記タ
ーゲットを100%アルゴンガスを用いてスパッタリングを
実施しても、パーティクルの発生が低減可能でターゲッ
ト組成と同組成の成膜を得ることができる。According to the present invention, since the atomic ratio N / Ti of nitrogen to titanium is 0.20 to 0.95, the target is nitrogen having a low thin film resistance value even if the reactive sputtering conditions are not adjusted very accurately. A titanium nitride thin film having an atomic ratio of / titanium can be stably obtained, and a target having a high relative density can be manufactured. Further, by making the outer peripheral portion of the sputtering surface of the target thinner than the central portion or making at least one point of the outer peripheral portion appropriately rough, it is possible to significantly reduce the generation of particles during film formation by sputtering. Further, even if the above target is subjected to sputtering using 100% argon gas, generation of particles can be reduced and a film having the same composition as the target composition can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】外周部にテーパ加工を施した本発明のターゲッ
ト断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a target of the present invention in which an outer peripheral portion is tapered.

【図２】外周部の表面を粗した本発明のターゲット断面
図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a target of the present invention in which the outer peripheral surface is roughened.

【図３】ターゲットの窒素／チタンの比とターゲット密
度との関係を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a target nitrogen / titanium ratio and a target density.

【図４】ターゲットの窒素／チタンの比と生成した薄膜
中のパーティクル数との関係を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a target nitrogen / titanium ratio and the number of particles in a generated thin film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ターゲット、２ スパッタリング面 1 target, 2 sputtering surface

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成５年２月１８日[Submission date] February 18, 1993

【手続補正１】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００１６[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００１６】また、本発明のスパッタリング用ターゲッ
トを用いると前述したような純チタンのターゲットを用
いる反応性スパッタリング法の潜在的問題である薄膜組
成の不均一性も改善されることをつきとめた。これは、
純チタンターゲットの場合、チタンから窒化チタンへの
反応は、スパッタ粒子の飛来中および基板表面でも進行
するため、ターゲット中心部に対向する面と成膜ウェハ
ー端部では、チタン原子の飛来距離などが異なることに
より、組成分布に不均一性が発生しているが、本発明の
ようにターゲット中に予め窒素原子が含まれている場
合、ターゲット中の窒素は、チタンとともにスパッタ粒
子として放出され、目的組成から足りない分だけが気相
中の窒素ガスから供給することになる。そのため、飛来
距離に依存する膜組成の変化は、膜中の窒素を全て気相
から供給する必要がある金属チタンよりなるターゲット
を使用する場合に比べて大幅に緩和されるのである。It was also found that the sputtering target of the present invention improves the non-uniformity of the thin film composition, which is a potential problem of the reactive sputtering method using the pure titanium target as described above. this is,
In the case of a pure titanium target, the reaction from titanium to titanium nitride proceeds even during the flight of sputtered particles and on the substrate surface.Therefore, the flying distance of titanium atoms between the surface facing the center of the target and the edge of the film-forming wafer may vary. Due to the difference, non-uniformity occurs in the composition distribution, but when the target contains a nitrogen atom in advance as in the present invention, the nitrogen in the target is emitted as sputtered particles together with titanium, and the purpose is Only the portion lacking in composition will be supplied from the nitrogen gas in the gas phase. Therefore, the change in the film composition depending on the flying distance is significantly reduced as compared with the case of using a target made of metallic titanium, which requires supplying all the nitrogen in the film from the vapor phase.

【手続補正２】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００１８[Correction target item name] 0018

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００１８】また、窒素／チタンの原子比を0.20以上と
したのは、0.20より小さいと、純チタンターゲットの場
合と薄膜組成の安定性がほとんど変わらないため、純チ
タンを使用する場合と同じような欠点が生じるからであ
る。また、本発明のターゲットの平均結晶粒径は、100
μm以下が好ましい。100μm以上の平均結晶粒径では、
個々の結晶方位に依存するスパッタリング率が無視でき
なくなり、ターゲット表面に凹凸を発生させ、パーティ
クルの発生が増加するためである。また、本発明のスパ
ッタリングターゲットは、窒化チタンの粉末とチタン粉
末を特定の窒素とチタンの比となるように混合し、焼結
することによって得ることができる。Further, the atomic ratio of nitrogen / titanium is set to 0.20 or more because when the ratio is smaller than 0.20, the stability of the thin film composition is almost the same as that of the pure titanium target, and it is the same as when pure titanium is used. This is because various disadvantages occur. The average crystal grain size of the target of the present invention is 100
It is preferably μm or less. With an average crystal grain size of 100 μm or more,
This is because the sputtering rate that depends on each crystal orientation cannot be ignored, and unevenness is generated on the target surface, which increases the generation of particles. Further, the sputtering target of the present invention can be obtained by mixing titanium nitride powder and titanium powder so as to have a specific ratio of nitrogen and titanium, and sintering.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 実質的にチタンと窒素で構成され、窒素
とチタンの原子比Ｎ／Ｔiが0.20ないし0.95であり、か
つターゲットのスパッリング面の外周部の厚みを該スパ
ッタリング面の中央部よりも薄くしたことを特徴とする
スパッタリング用ターゲット。1. A material which is substantially composed of titanium and nitrogen, has an atomic ratio N / Ti of nitrogen and titanium of 0.20 to 0.95, and has a thickness of an outer peripheral portion of a spattering surface of a target from a central portion of the sputtering surface. A sputtering target characterized by being made thinner. 【請求項２】 実質的にチタンと窒素で構成され、窒素
とチタンの原子比Ｎ／Ｔiが0.20ないし0.95であり、か
つターゲットのスパッリング面の外周部の少なくとも一
点の表面粗さがRmax値で10μmから1000μmであることを
特徴とするスパッタリング用ターゲット。2. A material which is substantially composed of titanium and nitrogen, has an atomic ratio N / Ti of nitrogen and titanium of 0.20 to 0.95, and has a surface roughness of at least one point on the outer peripheral portion of the spattering surface of the target having an Rmax value. The target for sputtering is characterized in that it is 10 μm to 1000 μm. 【請求項３】 相対密度が95%以上であることを特徴と
する請求項１または２に記載のスパッタリング用ターゲ
ット。3. The sputtering target according to claim 1, wherein the relative density is 95% or more. 【請求項４】 平均粒径が100μm以下であることを特徴
とする請求項１または２に記載のスパッタリング用ター
ゲット。4. The sputtering target according to claim 1, which has an average particle diameter of 100 μm or less. 【請求項５】 実質的にチタンと窒素で構成され、窒素
とチタンの原子比Ｎ／Ｔiが0.20ないし0.95である焼結
体のスパッタリング用ターゲットの製造方法であって、
外周部にテーパ加工を施すことを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法。5. A method for manufacturing a sputtering target of a sintered body, which is substantially composed of titanium and nitrogen and has an atomic ratio N / Ti of nitrogen and titanium of 0.20 to 0.95,
A method of manufacturing a sputtering target, which comprises tapering an outer peripheral portion. 【請求項６】 実質的にチタンと窒素で構成され、窒素
とチタンの原子比Ｎ／Ｔiが0.20ないし0.95である焼結
体のスパッタリング用ターゲットの製造方法であって、
外周部をブラスト処理して表面粗さをRmax値で10μmか
ら1000μmにすることを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法。6. A method for producing a sputtering target of a sintered body, which is substantially composed of titanium and nitrogen and has an atomic ratio N / Ti of nitrogen and titanium of 0.20 to 0.95,
A method of manufacturing a sputtering target, which comprises subjecting an outer peripheral portion to a blast treatment so that the surface roughness has an Rmax value of 10 μm to 1000 μm.